8/6/2018

Indian Institute of Technology Jodhpur, Year 2018

Analog Electronics
(Course Code: EE314)
Lecture 1: Introduction & Semiconductor 
Basics

Course Instructor: Shree Prakash
Tiwari
Email: sptiwari@iitj.ac.in

Webpage: http://home.iitj.ac.in/~sptiwari/

Note: The information provided in the slides are taken form text books for microelectronics 
(including Sedra & Smith,  B. Razavi), and various other resources from internet, for 
teaching/academic use only 1

What is this class all about?
• Basic semiconductor device physics and 
analog integrated circuits.
• What will you learn?
What will you learn?
– Electrical behavior and applications of transistors
– Analog integrated circuit analysis and design

1
 8/6/2018

Course Description
• The first course of electronics “Introduction to Electronics” was 
to provide an overall flavor of electronics to the 3rd semester 
students of all the B.Tech. streams.
• Next
Next course 
course “Digital
Digital Logic and Design
Logic and Design” was to provide an 
was to provide an
overall flavor of Digital Electronics.
• Analog Electronics is a course primarily for electrical 
engineering students to provide an in‐depth understanding of 
electronic circuit design and analysis. 
• The primary goal of this course will be to develop an 
understanding of how electronic circuits work. 
d d fh l k
• Specific topics to be covered include differential and multistage 
amplifiers, feedback, output stages, a selection of analog 
integrated circuit topics
3

Books
• Razavi, B.,  Fundamentals of Microelectronics,  Wiley India 
Private Private Ltd. ,  2013,  2nd Edition
• Gayakwad, R. A.,   Op‐Amps and Linear Integrated Circuits,  
Prentice‐Hall
Prentice Hall,  2002,  4th Edition
2002 4th Edition
• Sedra, A. S., Smith, K. C., and Chandorkar, A. N., 
Microelectronic Circuits: International Version, Oxford 
University Press, 2013, 6th Edition.
• Razavi, B.,  Design of Analog CMOS Integrated Circuits, 
McGraw‐Hill Education, 2016, 2nd Edition

2
 8/6/2018

Evaluation
• Midterm Exam 1 20%

• Midterm Exam 2 20%

• Final Exam 40%

• Quizzes/Assignments /Attendance  20%

Introduction

Co‐recipient of 
Nobel prize
in physics in 2000

First Point contact 
Transistor (1947 Bell
Transistor (1947, Bell  First IC, Developed 
Labs) with Germanium  Bardeen, Brattain, and 
Shockley (Seated) @ Bell  independently by
semiconductor, and  J. Kilby (Texas Instruments) and
two gold contacts  Laboratories, 1948. The Nobel 
prize was given in 1956. R. Noyce, J. Hoerni (Fairchild
separated by 50  Semiconductor), 1958.
micron.

3
 8/6/2018

Evolution of Electronic Devices

1959: Planar Technology
• Developed at Fairchild 
Semiconductor
• Planar Technology (Jean 
gy (
Hoerni): base region is diffused 
into collector (substrate) and 
emitter region into the base
• Integrated Wiring (Robert 
Noyce): By covering the planar
Noyce): By covering the planar 
transistor with an oxide, a layer 
of aluminium can be used on 
top to wire the device(s)
8

4
 8/6/2018

1961: First Commercial Planar ICs
• Based on the planar process by 
Hoerni and Noyce, Fairchild 
developed family of logic chips 
p y g p
called resistors‐transistor 
logic(RTL)
• Example shown is flip flop with 
4 bipolar transistors and five 
resistors
it

From 4 Transistors to 300‐mm Wafers
Batch Fabrication

10

5
 8/6/2018

The Ever Shrinking Transistor

Using 45 nm technology, ≈ 400 transistors fit on a red blood cell!

11

Integrated Circuits

2018 14 nm 
CMOS

12

6
 8/6/2018

What is a Semiconductor?
• Low resistivity => “conductor”
• High resistivity => “insulator”
y
• Intermediate resistivity => “semiconductor”
– conductivity lies between that of conductors and insulators
– generally crystalline in structure for IC devices
• In recent years, however, non‐crystalline semiconductors have 
become commercially very important

polycrystalline amorphous   crystalline

Semiconductor Materials

Phosphorus
(P)
Gallium
(Ga)

7
 8/6/2018

Dopants for Extrinsic Semiconductors
Adding small amounts of suitable impurity atom can drastically alter 
number of electrons and holes in a semiconductor !

Addition of a group V element impurity to Silicon should increase 
electrons while addition of group III element impurity should 
increase number of holes

Silicon
• Atomic density: 5 x 1022 atoms/cm3
• Si has four valence electrons.  Therefore, it can form 
covalent bonds with four of its nearest neighbors. 
• When temperature goes up, electrons can become 
free to move about the Si lattice. 

8
 8/6/2018

Crystalline Silicon

Electronic Properties of Si
 Silicon is a semiconductor material.
– Pure Si has a relatively high electrical resistivity at room temperature.

 There are 2 types of mobile charge‐carriers in Si:
– Conduction electrons are negatively charged;
– Holes are positively charged.

 The concentration (#/cm3) of conduction electrons & holes in a 
semiconductor can be modulated in several ways:
1. by adding special impurity atoms ( dopants )
2. byy applying
pp y g an electric field
3. by changing the temperature
4. by irradiation

9
 8/6/2018

Electron‐Hole Pair Generation
• When a conduction electron is thermally generated, 
a “hole” is also generated.
• A hole is associated with a positive charge, and is 
free to move about the Si lattice as well.

Crystalline Silicon

10
 8/6/2018

Carrier Concentrations in Intrinsic Si
• The “band‐gap energy” Eg is the amount of energy 
needed to remove an electron from a covalent bond. 
• The concentration of conduction electrons in intrinsic 
silicon, ni, depends exponentially on Eg and the 
absolute temperature (T):

 Eg
ni  5.2  1015 T 3 / 2 exp electrons / cm 3
2 kT

ni  1  1010 electrons / cm 3 at 300K

ni  1  1015 electrons / cm 3 at 600K

Doping (N type)
• Si can be “doped” with other elements to change its 
electrical properties.
• For example, if Si is doped with phosphorus (P), each 
P atom can contribute a conduction electron so that
P atom can contribute a conduction electron, so that 
the Si lattice has more electrons than holes, i.e. it 
becomes “N type”:

Notation:
n = conduction electron 
concentration

11
 8/6/2018

Doping (P type)
• If Si is doped with Boron (B), each B atom can 
contribute a hole, so that the Si lattice has more 
holes than electrons, i.e. it becomes “P type”:

Notation:
p = hole concentration

Summary of Charge Carriers

12
 8/6/2018

Electron and Hole Concentrations

• Under thermal equilibrium conditions, the product 
of the conduction‐electron density and the hole 
density is ALWAYS equal to the square of ni:
density is ALWAYS equal to the square of n
np  ni
2

N‐type material P‐type material
n  ND p  NA
2 2
ni n
p n i
ND NA

Terminology

donor: impurity atom that increases n
acceptor: impurity atom that increases p

N‐type material: contains more electrons than holes
P‐type material: contains more holes than electrons

majority carrier: the most abundant carrier 
minority carrier: the least abundant carrier
minority carrier: the least abundant carrier 

intrinsic semiconductor:  n = p = ni

extrinsic semiconductor: doped semiconductor

13
 8/6/2018

Summary

• The band gap energy is the energy required to free an 
electron from a covalent bond.
– Eg for Si at 300K = 1.12eV
for Si at 300K 1 12eV
• In a pure Si crystal, conduction electrons and holes are 
formed in pairs.
– Holes can be considered as positively charged mobile particles 
which exist inside a semiconductor.
– Both holes and electrons can conduct current.
• Substitutional dopants in Si:
– Group‐V elements (donors) contribute conduction electrons
– Group‐III elements (acceptors) contribute holes

14