Chương 3

MẠCH TẠO THIÊN ÁP

3-1 ĐẶC TÍNH CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
BJT (Bipolar Juction Transistor)
3.1.1 Cấu trúc của BJT
BJT là một linh kiện bán dẫn gồm 3 lớp bán dẫn P và N ghép xen kẽ nhau. Như vậy có
2 cách ghép và sinh ra 2 loại transistor
P-N-P là transistor thuận
N-P-N là transistor ngược
Cấu tạo và ký hiệu của nó như sau
3,8m 3,8m
m
0,025mm m
0,025mm

P N P N P N
E C E C

B B
+ - + - - + - +
UE UC UE UC
C C
E C E C

B B

E E
H3-1 Cấu trúc và ký hiệu BIT thuận và ngược
BJT có 3 cực cơ bản là Emitter (E), Base (B), và Collector (C)
Miền Emitter có nồng độ pha tạp cao đóng vai trò phát xạ các hạt dẫn điện cực nối với
miền này gọi là cực Emitter
Miền Base được pha tạp ít nhất, độ rộng nhỏ so với kích thước toàn bộ transistor (tỷ lệ
3,8 : 0,025 = 152 : 1) đóng vai trò truyền đạt hạt dẫn điện cực nối với miền này gọi là cực
Base
Miền Collector pha tạp ít hơn E nhiều hơn B, đóng vai trò thu gom các hạt tải điện.
Điện cực nối với miền này gọi cực Collector.
Trong transistor hình thành 2 tiếp giáp P-N là:
Tiếp giáp giữa miền Emitter và miền Base gọi là tiếp giáp Emitter kí hiệu JE
Tiếp giáp giữa miền Collector và miền Base gọi là tiếp giáp Collector kí hiệu JC
3.1.2 Nguyên lý hoạt động
Để mô tả hoạt động ta lấy transistor làm ví dụ. Và ta phân cực lần lượt cho từng tiếp
giáp của Transistor như hình vẽ sau:
 Dòng hạt đa số Dòng hạt thiểu số

E C
E C

Vùng nghèo
Vùng nghèo B
B - +
+ -
UCC
UEE
H3-2 Chuyển tiếp Emitter phân cực thuận H3-2 Chuyển tiếp Collector phân cực ngược

Trường hợp 1: Khi tiếp giáp collector không phân cực. còn tiếp giáp emitter phân cực
thuận như hình H3-2. Lúc này miền điện tích không gian của tiếp giáp emitter giảm. Mức
giảm tùy thuộc vào điện áp phân cực dẫn đến các hạt tải điện đa số sẽ khuếch tán từ miền
emitter sang miền base.
Trường hợp 2: Khi tiếp giáp emitter không phân cực còn tiếp giáp collector phân cực
ngược, không có dòng của các hạt đa số chỉ có dòng của các hạt thiểu số
Dòng hạt đa số Dòng hạt thiểu số

IE IC
E C

B
Vùng nghèo
+ - IB + -
UEE UCC
H3-4 Nguyên tắc hoạt động của transistor PNP

Trường hợp 3: Tiếp giáp emitter JE phân cực thuận còn tiếp giáp colletor JC phân cực
ngược. Do JE phân cực thuận nên các hạt dẫn điện khuếch tán qua tiếp giáp emitter tới
miền base tạo thành dòng IE. Tại miền base các hạt đa số này chủển thành các hạt thiểu số,
một phần tái hợp với các hạt tải điện ở miền base tạo thành dòng IB. Do độ rộng của miền
B rất mỏng, tiếp giáp colletor phân cực ngược nên dưới tác động UBB sẽ bị cuốn sang
collector tạo thành dòng IC. Dòng IC này được tạo thành bởi hai thành phần: dòng của các
hạt đa số từ miền emitter và dòng của các hạt thiểu số. Dòng của các hạt thiểu số được gọi
là dòng rò ký hiệu là ICB0, dòng ICB0 có giá trị cỡ nA tới vài A
Áp dụng định luật Kirchhoff ta có IE = IC + IB

3-2 CÁC CÁCH MẮC CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR

3.2.1 Khái niệm
 Transistor là một phần tử 3 cực nhưng khi làm việc với tín hiệu xoay chiều thì nó như
một mạng hai cửa bốn cực. Nên về mặt tín hiệu xoay chiều phải có một cực chung. Mỗi
cực chung có một cách mắc. Vì vậy có 3 cách mắc cơ bản tùy thuộc vào cực nào chung.
Nếu cực Base chung có cách mắc Base chung ký hiệu là OB hay CB
Nếu cực Emitter chung có cách mắc Emitter chung ký hiệu là OE hay CE
Nếu cực Collector chung có cách mắc Colletor chung ký hiệu là OC hay CC
3.2.2 Mạch Base chung
a. Sơ đồ minh họa
IE IC IE IC
E C E C

IB IB
B B
H3-5 Sơ đồ minh họa của cách mắc CB của transistor thuận và ngược

b. Đặc tuyến
IC (mA)
IE (mA) Vùng bão hòa Vùng tích cực
IE=7mA
7
UCB=2 IE=6mA
0v
U =10 IE=5mA
CB
7 vUCB=1v IE=4mA
6
6 IE=3mA
IE=2mA
5 UBE (V) IE=1mA
5 IE=0mA UCB (V)
4 0.2 0.4 0.6 0.8 0 5 1 1 2
Vùng
0 cắt 5 0
3
4 của mạch OB
H3-6 Đặc tuyến vào và ra
2
Mạch OB có 2 đặc tuyến cơ bản đó là đặc tuyến vào và đặc tuyến ra.
Trong1 đó đặc tuyến vào: Là đường biễu
3 diễn mối quan hệ giữa dòng vào IE và điện áp
vào UBE khi điện áp ra UBC không thay đổi như vậy ứng với mỗi giá trị điện áp UBC sẽ có
một đường đặc tuyến ra và nó có dạng như hình vẽ H3-6
2
Đặc tuyến ra: Là đường biễu diễn mối quan hệ giữa dòng ra IC và điện áp ra UCB khi
dòng vào IE không thay đổi như vậy mỗi giá trị của dòng vào có một đường đặc tuyến ra.
Tổng hợp tất cả các đường đặc tuyến vào
1
ta có họ đặc tuyến ra như hình vẽ H3-6
Đặc tuyến ra dược chia làm 3 vùng chủ yếu:
+ Vùng cắt: Là vùng mà I E  0
+ Vùng bão hòa: là vùng khi điện áp UBC rất bé
+ Vùng tích cực
 Vùng tích cực được dùng để khuếch đại tín hiệu (nên còn gọi là vùng khuếch đại).
Trong vùng tích cực tiếp giáp JE phân cực thuận còn tiếp giáp JC được phân cực ngược. Ở
vùng thấp nhất của vùng tích cực (đường IE = 0), dòng IC là dòng bão hòa ngược ICB0.
Dòng ICB0 rất nhỏ cỡ A và thường dùng dòng IC0 thay cho dòng ICB0 Hình 3-7
IE=0
E C

IC0=ICB0
B
H3-7 Sơ đồ minh họa dòng IC khi IE = 0

Khi transistor hoạt động ở vùng tích cực có mối quan hệ gần đúng I E  I C
Vùng cắt là vùng mà ở đó dòng IC = 0. Trong vùng cắt tiếp giáp Emitter và tiếp giáp
collector đều phân cực ngược
Vùng bão hòa là vùng ở bên trái đường UCB = 0 trên đặc tuyến ra. Trong vùng bão hòa
tiếp giáp Emitter và tiếp giáp collector đều phân cực thuận
c. Hệ số 
Trong chế độ một chiều, để đánh giá mức hao hụt dòng khuếch tán trong miền base,
người ta định nghĩa hệ số truyền dạt dòng điện  dc
IC
 dc 
IE
Với IC, IE là các dòng điện tại điểm làm việc. Theo đặc tuyến ra hình H3-6 thì   1 ,
nhưng thực tế  thường trong khoảng 0,9 – 0,998
Trong chế độ xoay chiều, khi điểm làm việc thay đổi trên đặc tuyến ra hệ số  xoay
chiều được định nghĩa
I C
 ac 
I E
Hệ số  ac còn được gọi là hệ số base chung, hệ số ngắn mạch, hệ số ngắn mạch, hay hệ
số khuếch đại. Thông thường giá trị  dc   ac
3.2.3 Mạch Emitter chung OE, CE
a. Sơ đồ mạch OE

IC IC
IB IB

IE IE

H3-8 Sơ đồ minh họa của cách mắc CE của transistor thuận và ngược
 b. Đặc tuyến
IC (mA)
I B ( A)
70
7 60
UCE=20v
100 50
UCE=10v Vùng bão hòa
40
90 UCE=1v Vùng tích cực
6 30
80 20
I B  10A
70 UBE (V) 5 IB=0
60 0.2 0.4 0.6 0.8 0 5 1 UCE (V)
1
Vùng0 cắt 5
50 UCEbh
4
H3-9 Đặc tuyến vào và ra của mạch OE
40

Trong 30
cách mắc OE đặc tuyến vào là đường biểu 3diễn mối quan hệ giữa dòng vào IB và
điện áp vào
20 UBE khi điện áp ra UCE không đổi H3-9
Đặc tuyến ra là đường biểu diễn mối quan hệ giữa dòng điện ra IC và điện áp ra UCE khi
10
dòng vào IB không đổi. Như vậy ứng với giá trị của dòng2 IB ta sẽ có một đường đặc tuyến.
Tổng hợp tất cả các đường đặc tuyến ra ta có họ đặc tuyến ra như hình H3-9. Trên đặc
tuyến ra độ lớn của IB cỡ A còn độ lớn của IC cỡ mA. 1
Vùng tích cực của cách mắc OE là
miền ở bên phải đường nét đứt UCEbh và phía trên đường Ib=0.
Vùng phía trái đường UCEbh là vùng bão hòa. Vùng cắt là vùng phía dưới đường Ib = 0.
Trong vùng tích cực tiếp giáp emitter phân cực thuận còn tiếp giáp collector phân cực
ngược, vùng này để khuếch đại điện áp hoặc khuếch đại dòng điện, hoặc khuếch đại công
suất.
Theo đặc tuyến ra thì Ib = 0 thì dòng I C  0 điều này được giải thích như sau.
Ta có: I C   . I E  I CB 0
I C   I C  I B   I CB 0
I B I
Suy ra: IC  
1 1
Khi Ib = 0, chọn   0,996 ta có:
 .0 I CB 0
IC  
1   1  0,996
I C  250 I CB 0
 Như vậy nếu , khi dòng Ib = 0, thì dòng I C  250.1A  0.25mA
Dòng IC lúc đó chính là dòng ICE0. Như vậy
I CB 0
I CE 0  I B 0
1
c. Hệ số 
Trong chế độ một chiều, để đánh giá khả năng điều khiển của dòng IB đối với dòng IC,
người ta định nghĩa hệ số khuếch đại dòng điện  :
IC
 dc
IB
Với dòng IC và IB là giá trị dòng điện tại điểm làm việc. Thông thường  có giá trị
trong khoảng từ 50 đến 500.
Trong chế độ xoay chiều, hệ số  xoay chiều được định nghĩa
I C
 ac  U CE  const
I B
d. Quan hệ giữa  và 
Ta có: IE = IC + IB
IC IC
Mặt khác: IE  , IB 
 
Kết hợp các điều kiện trên ta có:


 1


 1
3.2.4 Mạch Collector chung OC, CC

IE IE
I I
B B
I I
C C

H3-10 Sơ đồ minh họa của cách mắc CC của transistor ngược và thuận

Đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của cách mắc CC tương tự như cách mắc CE, bằng cách
thay IC bởi IE, UCE bởi UEC.
 3.3 NGUYÊN TẮC KHUẾCH ĐẠI VÀ CÁC THAM SỐ GIỚI HẠN
3.3.1Nguyên tắc khuếch đại của Transistor
Xét sơ đồ CB như hình H 3-11 như sau:
P N P
IV IR

UV=200 E C
RV RR
mV B
20  100K

H3-11 Nguyên tắc khuếch đại của mạch CB

Theo đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của mạch CB ta có thể rút ra nhận xét sau:
Điện trở vào RV bé: RV  10  100 và điện trở ra rất lớn RR lớn: RR  50K  1 . Trong
sơ đồ H3-11 ta chọn RV  20 và RR  100K
Dòng điện vào:
UV 200mV
IV    10mA
RV 20
Giả sử  ac  1 ( I C  I E ) thì IV = IR = 10mA
Khi đó điện áp ra sẽ là:
U R  I R .RR  10.10  100V
Vậy hệ số khuếch đại điện áp sẽ là:
UR 100V
KU    500
UV 200mV
Như vậy nguyên tắc khuếch đại ở đây chính là việc truyền đạt dòng điện từ mạch có
điện trở thấp sang mạch điện trở cao. Chính vì vậy, transistor là từ ghép của 2 từ tiếng
Anh: transfer (truyền đạt) và resistor (điện trở)
3.3.2Các tham số giới hạn của transistor
Đối với mỗi Transistor có một vùng làm việc trên đặc tuyến ra. Nếu transistor hoạt
động trong vùng này sẽ có tỷ lệ tín hiệu ra trên tín hiệu vào là lớn nhất với độ méo nhỏ
nhất. Vùng làm việc này được giới hạn bởi một vài tham số như: dòng IC lớn nhất ICmax,
điện áp UCE lớn nhất UCEmax (đối với cách mắc CE)
 IC
(mA) 60
Vùng hoạt động của BJT
ICmax 40
30
Vùng bão hòa PCmax=U 20
50 CE.IC
I B  10A

IB=0
40 0 5 1 2 UCE
1
UCEbh Vùng cắt
5 U0CEmax (V)
0
Vùng hoạt động của BJT
30
Với transistor có đặc tuyến ra như hình H3-12 ICmax = 50mA, UCEmax = 20V. Đường
UCEbh trên đặc tuyến là giá trị nhỏ nhất của UCE, thông thường UCEbh = 0,3V
Công suất tiêu hao lớn nhất20được định nghĩa:
PCmax = UCE.IC
Trên họ dặc tuyến ra ta có thể vẽ được đường cong công suất bằng cách nối tất cả các
điểm có công suất PCmax = UCE10.IC . Điều này có thể thực hiện như sau:

Ví dụ với transitor nói trên hình H3-12 thì PCmax = 300mW. Ta chọn một vài điểm đặc
biệt :
PC max
Khi IC = ICmax = 50mA ta có U CE   6V
IC
PC max
Khi UCE = UCEmax = 20V ta có I C   15mA
UC
Chọn IC giữa 2 khoảng trên IC = 25mA có UCE = 12V
Nối 3 điểm trên ta có đường cong công suất.
Như vậy, vùng hoạt động của transistor bị giới hạn bởi các tham số
I CE 0  I C  I C max
U CEbh  U CE  U CE max
U CE . I C  PC max
3.3.3 Vấn đề phân cực cho Transistor lưỡng hạt
a. Khái quát chung
Để cho transistor lưỡng cực hoạt động ta phải phân cực cho nó, nghĩa là đưa một điện
áp một chiều từ bên ngoài vào các tiếp giáp emitter và collector với giá trị và cực tính phù
hợp. Điện áp một chiều này sẽ thiết lập chế độ một chiều cho transistor. Khi phân cực nếu:
 Trường hợp 1: Tiếp giáp emitter phân cực thuận, còn tiếp giáp phân cực collector phân
cực ngược transistor hoạt động ở trong vùng tích cực. Khi tính toán chế độ một chiều
trong vùng này ta thường sử dụng các công thức:
U BE  0,7V
I E    1I B  I C
IC   .I B
Trường hợp 2: Tiếp giáp emitter phân cực ngược, transistor sẽ làm việc trong vùng cắt
Trường hợp 3: Tiếp giáp emitter và collector đều phân cực thuận, transistor sẽ làm việc
trong vùng bão hòa.
Chú ý rằng để transistor khuếch đại tín hiệu phải phân cực cho nó hoạt động ở vùng
tích cực.
b. Điểm làm việc tĩnh
Khi phân cực cho transistor, dòng điện và điện áp một chiều sẽ thiết lập cho transistor
một điểm cố định trên đặc tuyến ra, điểm này gọi là điểm làm việc tĩnh (Còn gọi là điểm
công tác tĩnh và thường ký hiệu là điểm Q). Để cho transistor khuếch đại được tín hiệu,
điểm làm việc Q phải nằm trong vùng tích cực, nếu chọn được điểm Q thích hợp thì biên
độ tín hiệu ra có thể lớn mà không bị méo (Thường ở giữa đặc tuyến ra)
Khi tính toán các mạch cấp áp một chiều là tìm các giá trị IC, IB, UBE, và UCE (tọa độ
của điểm làm việc Q trên họ đặc tuyến ra)

3.4 MẠCH PHÂN CỰC CỐ ĐỊNH

3.4.1 Sơ đồ phân cực cố định

a. Sơ đồ mạch phân cực cố định và sơ đồ tương đương như sau:
+UCC +UCC
+UCC
RB RC IC IC
RB RC
T/h IB C IB C
vào C2 T/h ra AC
ac B B
C1
E E

H3-13 Sơ đồ nguyên lý và sơ đồ tương đương mạch phân cực cố định

Để phân tích chế độ một chiều ta có thể bỏ qua các tụ điện và sử dụng sơ đồ tương
đương.
b. Công thức tính các tham số một chiều
*Xét mạch vòng B-E
Từ sơ đồ tương đương ta có các công thức về thành phần một chiều như sau:
 U CC  I B .RB  U BE  0
U CC  U BE
 IB 
RB
Từ công thức trên ta thấy do UCC và UBE luôn không đổi vì thế RB sẽ quyết định giá trị
dòng IB, và giá trị của dòng IB này sẽ không đổi vì vậy gọi mạch này là mạch phân cực cố
định.
*Xét mạch vòng C-E
Giá trị dòng IC chạy qua điện trở RC được tính theo công thức:
IC   .I B
Như vậy dòng IB phụ thuộc vào giá trị RB, mà giá trị IC tỷ lệ với dòng IB theo hằng số
 , vì vậy giá trị của IC không phụ thuộc vào giá trị RC. Khi thay đổi RC dòng IC và IB
không đổi. Tuy vậy, ta thấy giá trị RC quyết định giá trị UCE mà UCE là một tham số rất
quang trọng.
Từ mạch ra ta có các công thức cơ bản sau:
U CE  I C .RC  U CC  0
U CE  U CC  I C .RC
U CE  U C  U E (UC và UE lần lượt là điện thế trên các cực collector và emitter).
Ví dụ: Hãy tính các giá trị ở chế độ một chiều IB, IC, UCE, UBC của mạch H3-13 với các
thông số cụ thể như sau: RC = 2,2K, RB = 240K, C1 = C2 = 10 F , UCC = 12V,   50
U CC  U BE 12V  0,7V
IB    47,08A
RB 240.103 
I C   . I B  50.47,08A  2,35mA
U CE  U CC  I C .RC  12V  2,35.103.2,2.103  6,83V
U B  U BE  0,7V
U C  U CE  6,83V
U BC  U B  U C  0,7V  6,83V  6,13V
U BC  0 : Tiếp giáp collector phân cực ngược.
c. Đường tải tĩnh
Đường tải tĩnh là đường biễu diễn mối quan hệ giữa dòng điện ra và điện áp ra trong
chế độ một chiều. Đường đặc tuyến tải tĩnh được vẽ trên đặc tuyến ra. Điểm làm việc Q sẽ
nằm trên đường này. Đối với sơ đồ hình H-13, quan hệ giữa dòng điện ra IC và điện áp UCE
khi có tải RC
UCE = UCC – IC.RC
 Phương trình trên là phương trình đường tải tĩnh. Để vẽ đường tải tĩnh ta cần xác định
U CC
hai điểm: Điểm thứ nhất cho UCE = 0 suy ra I C  , Điểm thứ hai ta cho IC = 0 suy ra
RC
UCE = UCC qua 2 điểm này ta vẽ đường tải tĩnh như hình H3-14
IC (mA)
U CC

R C

IB5
Q3 IB4

Q2 IB3
Q1 IB2

IB1

UCC
UCE (V)
H3-14 Đường tải tĩnh của mạch phân cực cố định
Nếu thay đổi giá trị điện trở RB sẽ làm IB thay đổi, khi đó đường tải tĩnh không đổi,
nhưng điểm làm việc Q dịch lên hoặc dịch xuống như hình H3-14.

IC (mA) IC (mA)
U CC U CC 1
RC1 RC

U CC IB5 U CC 2 IB5
RC 2 RC
R3>R2>R1 IB4 UCC1>UCC2>UCC3
IB4
U CC U CC 3
Q3 Q1 IB3 Q3 Q2 Q1 IB3
RC 3 RC
Q2
IB2 IB2

IB1 IB1
UCE (V) UCC3 UCC2 UCC1 UCE (V)
UCC

H3-15 Đường tải tĩnh khi RC thay đổi H3-16 Đường tải tĩnh khi UCC thay đổi

Khi giữ nguyên giá trị nguồn cung cấp UCC và thay đổi giá trị RC thì đường tải tĩnh sẽ
thay đổi như hình H3-15. Lúc này do IB không đổi nên điểm làm việc Q sẽ thay đổi như
hình H3-15
Trong trường hợp thay đổi nguồn cung cấp và giữ nguyên giá trị điện trở RC, sẽ làm
đường tải tĩnh và điểm làm việc thay đổi như hình H3-16
 IC (mA)

Q I B  3A

UCE(V)
15
H3-17 Điểm làm việc Q của mạch cụ thể

Ví dụ: Cho mạch phân cực cố định có đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh Q như hình
H3-17. Hãy tính các giá trị UCC, RB, RC
Giải: Từ hình H3-17 ta có:
Tại IC = 0, UCE – UCC = 15V
U CC 15V
Tại UCE = 0 I C    6mA
RC RC
U CC 15V
 RC   3
 2,5.103   2,5K
IC 6.10 A

Lấy BBE = 0,7V ta có

U CC  U BE 15V  0,7V
RB    4,77.106   4,77 M
IB 3.106
d.Transistor bão hòa
Theo đặc tuyến ra của transistor, khi transistor bão hòa thì U CE  0V do đó dòng điện
collector bão hòa ICbh sẽ là dòng ICmax và được tính theo công thức:
U CC
I Cbh  I C max 
RC
3.4.2 Mạch phân cực ổn định cực emitter
a. Sơ đồ nguyên lý của mạch

+UCC
RB RC IC
IB Ura
UV C2
C1
IE

H3-18 Sơ đồ phân cực ổn định emitter

 Mạch phân cực ổn định cực emitter là mạch phân cực ổn định nhưng trên emitter có
thêm một điện trở RE như hình H3-18
b. Công thức tính tham số một chiều
Khi có điện trở RE mạch sẽ ổn định hơn.
Xét mạch vào vòng base – collector theo định luật kirchhoff ta có:
UCC – IB.RB – UBE – IE.RE = 0
Ta đã biết I E  1   . I B
Thay vào phương trình trên ta có:
U CC  I B .RB  U BE  (1   ). I B .RE  0
Từ đó ta có:
U CC  U BE
IB 
RB  (1   ). RE
Với công thức trên ta có thể vẽ được một mạch nối tiếp như hình H3-19

IB
RB
UCC
UBE

(1   ).RE

H3-19Sơ đồ tương đương mạch vào

Trong trường hợp này, điện áp UBE từ base đến emitter được điện trở RE phản hồi trở
về đầu vào với hệ số (1   ) . Nói cách khác điện trở cực E là linh kiện trong vòng emitter-
collector xuất hiện với Ri  (1   ).RE trong vòng base-collector
Xét mạch vào vòng emitter – collector theo định luật kirchhoff ta có kết quả:
IE.RE + UCE + IC.RC – UCC = 0
Thay thế I E  I C và nhóm các số hạng ta có:
UCE = UCC – IC.(RC + RE)
Điện áp UE được xác định bằng:
UE = IE.RE
Trong khi điện áp từ cực C tới mát là:
UC = UCE + UE
Hoặc UC = UCC – IC.RC
 IC
RC

UCC
IE
RE

H3-20 Vòng emtter-collector

Điện áp cực B có thể xác định từ công thức:

UB = UCC – IB.RB hoặc UB = UBE + UE
Ví dụ:
Với mạch phân cực như hình H3-18 xác định UCE, UBC, UB, UE, UC, IB, IC .Biết C1 = C2
= 10 A , RB = 430K  , RC = 2K  , RE = 1K  , UCC = 20V,   50
Giải:
U CC  U BE 20V  0,7V
IB    40,1A
RB  (1   ). RE 430.103  51.103
I C   . I B  (50).( 40,1A)  2,01mA
U CE  U CC  I C ( RC  RE )  20V  ( 2,01mA).( 2 K  1K)  13,97V
U C  U CC  I C .RC  20V  ( 2,01mA).( 2 K)  20V  4,02V  15,98V
U E  U C  U CE  15,98V  13,97V  2,01V hoặc có thể tính theo công thức
U E  I E .RE  I C .RE  ( 2,01mA).(1K)  2,01.103.103  2,01V
U B  U BE U E 0,7V  2,01V  2,71V
U BC  U B  U C  2,71V  15,98V  13,27V
a. Mức bão hòa
Mức bão hòa cực C hoặc dòng cực C cực đại với mạch phân cực emitter có thể xác
định tương tự như mạch phân cực cố định:
U CC
I Cbh  I C max 
RC  RE
b. Đường tải tĩnh
Đối với sơ đồ phân cực ổn định cực Emitter , phương trình đường tải tĩnh là:
UCE = UCC – IC.RC – IERE  UCC – IC(RC + RE)
 U 
Đặc tuyến là đường thẳng đi qua hai điểm: 0, CC  , và [UCC, 0] qua 2 điểm này ta
 RC  RE 
vẽ đường tải tĩnh như hình H3-21
 IC (mA)
U CC
RC  RE

IB5
Q3 IB4
Q2 IB3
Q1 IB2
IB1=0
UCE (V)
UCC
H3-21Đường tải tĩnh mạch phân cực ổn định cực emitter

3.5 MẠCH PHÂN ÁP

3.4.1 Sơ đồ mạch điện
Trong các mạch phân cực trước, sự phân cực dòng điện ICQ và điện áp UCEQ là một
hàm số của hệ số khuếch đại dòng điện (  ) . Trong khi đó,  là nhạy cảm với nhiệt độ, giá
trị thực tế của  thường không được xác định chính xác. Vì thế xây dựng một mạch phân
cực ít phụ thuộc hoặc độc lập với  là vô cùng quan trọng. Với sơ đồ của mạch phân áp
như hình H3-22 nếu chọn được các tham số của mạch hoàn hảo thì dòng điện ICQ và điện
áp UCEQ có thể hoàn toàn độc lập với 

+UCC
R1 RC IC
IB
UV C2 Ura
C1
R2 IE

H3-22
3.4.2 Tính các tham số của mạch Sơ đồ Mạch phân áp
a. Sử dụng định lý Thevenin
Đầu vào của mạch có thể vẽ lại như hình H3-23
Sử dụng định lý Thevenin ta có thể tính được dòng IB như sau:
Ngắn mạch nguồn cung cấp UCC như hình H3-24a ta có điện trở tương đương:
Rtd = R1//R2
 R1 R1 R1

IE R2 Rtd R2
R2 Utd
RE UCC UCC
UCC

H3-23Sơ đồ tương H3-24a Sơ đồ tương H3-24a Sơ đồ tương

đương mạch vào đương xác định Rtd đương xác định Utd

Nguồn tương Utd : Từ hình H3-24b ta có thể tính được giá trị của điện áp nguồn tương
đương:
R2 .U CC
U td  U R 2 
R1  R2
Từ phương pháp tính điện trở tương đương và điện áp tương đương ta có thể vẽ lại sơ
đồ mạch đầu vào như hình 3-25
Rtd

IB
IE
Utd RE

H3-25 Sơ đồ tương đương Thevenin

U td  I B .Rtd  U BE  I E .RE  0
U td  U BE
IB 
Rtd  (1   ). RE
Với IB ta có thể xác định được IC , từ đó xác định được UCE theo công thức:
UCE = UCC – IC(RC + RE)

b. Phân tích phương pháp gần đúng

Đầu vào của mạch phân áp có thể được vẽ lại như hình H3-25.

R I1
UC 1

C
IB Rtd>>R2
R I 2 UB
Ri I1 = I2
2

H3-26 sơ đồ tương đương đầu vào mạch phân áp

 Trở kháng giữa base và emitter là điện trở Ri  (   1).RE . Nếu R1>>R2 thì dòng IB<<I2,
khi đó I 2  I B và I B  0
Do đó:
R2
UB  .U CC
R1  R2
Vì Ri  (   1).RE   .RE . Khi phân tích gần đúng RE phải thỏa mãn điều kiện:
 .RE  10 R2
Điện áp và dòng điện cực E được tính:
UE
U E  U B  U BE IE  I CQ  I E
RE
Từ đó điện áp UCE được tính như sau:
UCE = UCC – ICRC - IERE
UCEQ = UCC – IC(RC + RE)
Với cách tính gần đúng trên, rõ ràng giá trị dòng điện ICQ và điện áp UCEQ hoàn toàn
độc lập với hệ số khuếch dại dòng điện 
Ví dụ: Xác định UCE và IC trong sơ đồ H3-22 với giá trị các linh kiện như sau:
R1  39 K, R2  3,9 K, RC  10 K, RE  1,5K, C1  C2  10F ,   140, U CC  22V
Giải:
Ta thấy điều kiện  .RE  140.1,5K  10.R2  10.3,9 K thỏa mãn nên ta có thể sử dụng các
công thức gần đúng
R2 .U CC 3,9.22
UB    2V
R1  R2 39  3,9
UE = UB – UBE = 2 – 0,7 = 1,3V
Dòng điện tại cực collector và emitter là:
UE 1,3V
IC  I E    0,867mA
RE 1,5.103 
Điện áp UCE
U CE  U CC  I C ( RC  RE )  22  0,867.103 (10.103  1,5.103 )  12,03V
3.4.3 Transistor bão hòa
Dòng ICbh trong mạch phân áp tương tự như mạch phân cực emitter. Khi transistor bão
hòa, U Cbh  0 do đó:
U CC
I Cbh  I C max 
RC  RE
3.4.4 Đường tải tĩnh
Đường tải tĩnh được xác định như mạch phân cực ổn định cực emitter