3.

6 MẠCH PHÂN CỰC HỒI TIẾP ÂM ĐIỆN ÁP

3.6.1 Sơ đồ mạch điện

Mạch phân cực hồi tiếp âm điện áp được cho như hình H3-27
+UCC

I’C
RB RC
Ura
UV IB IC C2

C1 IE
RE

H3-27 Mạch phân cực hồi tiếp điện áp

Một đường hồi tiếp từ cực C về cực B làm cho mạch đạt được sự ổn định đáng kể. Tuy
nhiên điểm làm việc Q (được xác định bởi ICQ và UCEQ) không hoàn toàn độc lập với  ,
nhưng ổn định hơn so với mạch phân cực ổn định hoặc phân cực emitter
3.6.2 Tính các tham số của mạch
Vòng base-emmiter được vẽ như hình H3-28

RC I’C
RB
UCC
IB IC

IE
RE

H3-28 Vòng base – emitter

Theo định luật Kirchhoff ta có kết quả sau:
UCC – I’C.RC – IB.RB – UBE – IE.RE = 0
Mặt khác I’C = IC + IB. Tuy nhiên do IC và I’C quá lớn so với IB nên I 'C  I C  I B và
I E  I C ta có:
U CC  I B RC  I B RB  U BE  I B RE  0
Rút gọn ta có:
U CC  U BE  I B ( RC  RE )  I B RB  0
Vậy dòng IB là:
 U CC  U BE
IB 
RB   ( RC  RE )
Kết quả trên cho ta thấy phản hồi của điện trở RC trở lại đầu vào, tương đương với sự
phản hồi của RE.
Chú ý: Với các cách phân cực như trên ta có một phương trình tổng quát tính IB như
sau:
U'
IB 
RB   .R '
Trong đó: U’ = UCC – UBE ; R’ = RC + RE
Điện áp UCE có thể tính theo công thức sau:
UCE = UCC – IC(RC + RE).
Ví dụ: xác định IC và UCE của mạch H3-26 với các giá trị linh kiện như sau:
U CC  10V , RC  4,7 K, RB  250 K, RE  1,2 K, C1  C2  10 F ,   90
Giải:
U CC  U BE 9,3
IB    11,91.10 6 A  11,91A
RB   ( RC  RE ) 250.10  531.10
3 3

I C   . I B  90.11,91A  1070 A  1,07mA

U CEQ  U CC  I C ( RC  RE )  10V  (1,07.103 ).( 4,7.103  1,2.103 )  10V  6,31V  3,69V
3.6.3Chế độ bão hòa:
Lấy xấp xỉ I 'C  I C , phương trình của dòng bão hòa giống như mạch phân áp và mạch
phân cực emitter đó là:
U CC
I Cbh  I C max 
RC  RE
3.6.4Đường tải tĩnh
Nếu I 'C  I C , đường tải tĩnh của mạch hồi tiếp điện áp được xác định tương tự như mạch
phân áp và phân cực emitter.

3.7 MẠCH PHÂN CỰC CHO JFET

3.7.1 Khái quát chung

Ta biét rằng mức độ phân cực cho một transistor lưỡng cực có thể được thiết lập bằng
các công thức cơ bản là:
U BE  0,7V , IC   .I B , IC  I E
Quan hệ giữa đầu ra và đầu vào được đặc trưng bởi hệ số  , nó là một hằng số thiết lập
mối quan hệ tuyến tính giữa IC và IB
 Đối với transistor trường FET mối quan hệ giữa đầu ra và đầu vào lại không tuyến tính
giữa ID và UGS có thể làm phức tạp hóa khi phân tích FET ở chế độ một chiều.
Sự khác biệt giữa BJT và FET là: Điều khiển đầu vào cho BJT là dòng điện, còn FET là
điện áp.
Các công thức chung của FET là
IG = 0
ID = IS
Và đối với JFET và MOSFET kênh dẫn có sẵn thì công thức Shockley cho quan hệ giữa
đầu ra và đầu vào là:
U GS 2
I D  I DSS (1  )
UP
Còn đối với MOSFET kênh dẫn cảm ứng (Kênh dẫn không có sẵn) thì công thức
Shockley cho quan hệ giữa đầu ra và đầu vào là:
I D  k .(U GS  U T ) 2
Trong đó:
IDSS: là dòng ID bão hòa (ID khi UGS = 0)
UP : là điện áp thắt
k : là một hằng số được xác định nhờ các giá trị ID và UGS tương ứng trên đặc tuyến
ra (Ứng với mỗi điểm bất kỳ trên đặc tuyến ra ta có một cặp (ID, UGS) tương ứng gọi là
ID(on) và UGS(on) khi đó
I D ( on )
k
(U GS ( on )  U T ) 2
UT: là điện thế ngưỡng. Khi U GS  U T xuất hiện kênh dẫn có dòng chạy qua. Khi
U GS  U T thì ID = 0.
3.7.2 Sơ đồ phân cực cố định
a. Sơ đồ nguyên lý:
UDD UDD

RD ID RD

D D
UV G UR G

RG RG
S - S
UGG
- +
UGG
+

H3-29 Sơ đồ phân cực cố định H3-30 Sơ đồ tương đương

b. Phương trình tính toán chế độ tĩnh

 Từ sơ đồ phân cực cố định H3-29 do IG = 0V Suy ra URG = IG.RG = 0V. Nên ta có sơ đồ
tương đương như hình H3-30
UGG – UGS = 0
UGS = - UGG
Vì UGG là nguồn một chiều ổn định nên UGS không thay đổi do đó ta gọi đây là sơ đồ
phân cực cố định.
Dòng cực máng ID được tính theo công thức Shockley:
U GS 2
I D  I DSS (1  )
UP
Từ phương trình ta có thể vẽ được đường đặc tuyến truyền đạt của mạch như sau:
U P I DSS
Đồ thị dặc tuyến tĩnh đi qua 3 điểm: (0, IDSS), (UP, 0) và ( , )
2 4
UP I
Do theo công thức Shockley thì khi  U GS  thì I D  DSS
2 4
ID ID
IDSS IDSS

UGS=UGG

Q IDQ
IDSS/4

UGS UGS
UP UP/2 UP UGSQ= -UGG
H3-31 Đặc tuyến truyền đạt của JFET H3-32 Tìm điểm làm việc Q
Điểm làm việc Q: Do UGG cố định nên ta sẽ có giá trị của UGS = -UGG từ đó xác định
dòng ID tương ứng. Và điểm giao nhau giữa đường thẳng UGS = -UGG và đặc tuyến tĩnh sẽ
chính là điểm làm việc Q.
Từ sơ đồ nguyên lý ta có:
UDS = UDD – ID.RD.
UD = UDS (Vì US = 0)
UG = UGS
Nhược điểm của phương pháp này là cần 2 nguồn phân cực. Chính vì vậy mạch phân
cực cố định ít được sử dụng trong thực tế.
c. Ví dụ: Tính các giá trị UGSQ, IDQ, UDS, UD, UG, US. Của sơ đồ nguyên lý H3-28 Với
các số liệu của linh kiện như sau: UDD = 16V, UGS = 2V, RD = 2 K , RG = 1 M , IDSS =
10mA , UP = -8V
- Phương pháp đại số
UGSQ = - UGG = - 2V
 2
U  ( 2 ) 
I DQ  I DSS (1  GS ) 2  10mA1    10mA(1  0,25) 2  10mA.0,752  5,625mA
UP  ( 8) 
U DS  U DD  I D .RD  16V  5,625.103.2.103  4,75V
UG = UGS = -2V
US = 0V
- Phương pháp đồ thị:
Vẽ đường đặc tuyến truyền đạt của mạch với 3 điểm đặc biệt là (-8,0), (-4, 2,5), (0, 10)
Vẽ đường UGSQ = -UGG = -2 V
Giao điểm 2 đường này là điểm làm việc Q. Và tung độ của Q chính là giá trị IDQ =
5,6mA, như hình H3-33
ID(mA)

10
8
6
Q IDQ = 5,6mA
4
2.5
2
UGS(V)
-8 -6 -4 -2
H3-33 Xác định Q bằng đồ thị
3.7.3 Sơ đồ tự phân cực
Sơ đồ tự phân cực sẽ loại trừ được yêu cầu 2 nguồn một chiều. và chỉ sử dụng một
nguồn một chiều duy nhất UDD. Sơ đồ nguyên lý của mạch như hình H3-34
- Sơ đồ nguyên lý
UD
ID D
RD
D
UV G UR
C2
C1 + S
-
RG RS CS

H3-34 Sơ đồ tự phân cực

- Phương trình và đặc tuyến tĩnh, điểm làm việc Q

- Phương trình và đặc tuyến tải tĩnh
Ở chế độ tĩnh (một chiều) tụ điện được coi hở mạch. Điện trở RG được coi là ngắn mạch
vì IG = 0 dẫn đến URG = 0. Dòng chạy qua điện trở RS là dòng IS nhưng IS = ID
Điện áp trên điện trở RS là:
 URS = IS.RS = ID.RS = US
Điện áp UGS là:
UGS = UG – US = 0 – US = -US
Phương trình đường tải tĩnh sẽ là:
UGS = -ID.RS
Lưu ý: Ở đây UGS là hàm của của dòng ID và không cố định như sơ đồ phân cực cố
định.
Thay giá trị điện áp UGS vào phương trình Shockley ta có
U GS 2
I D  I DSS (1  )
UP
2
 (  I D .RS ) 
 I DSS 1  
 UP 
I .R
 I D  I DSS (1  D S ) 2
Up
Đây là phương trình bậc 2 đối với dòng ID. Công thức tính dòng tổng quát của nó dưới
dạng phương trình bậc 2 sẽ là:
I D2  k1. I D  k2  0
Chính là phương trình của một đường cong parabol. Nếu vẽ đường cong này với giới
hạn của UG trong khoảng từ 0 đến UP ta sẽ được đường cong gọi là đặc tuyến tải tĩnh hay
(đặc tuyến truyền đạt) ta có dạng như hình H3-35
- Đặc tuyến tải tĩnh
Từ phương trình UGS = -ID.RS đây là phương trình của một đường thẳng nên cần chỉ cần
xác định 2 điểm:
Điểm thứ nhất: cho I D  0  U GS   I D .RS  0
Điểm thứ hai: cho
I DSS  I DSS .RS
ID   U GS   I D .RS 
2 2
Nối 2 điểm này ta có đường đặc tuyến tải tĩnh. Giao điểm của đường này và đặc tuyến
tĩnh sẽ là điểm làm việc Q của mạch
ID
Đặc tuyến tải tĩnh
IDSS

IDSS/2
Đặc tuyến tĩnh Q
IDSS/4

UGS
UP UP/2 -IDSS.RS/2
H3-35 Đặc tuyến tĩnh và tải tĩnh
 Mức điện áp UDS có thể được xác định bởi định luật Kirchohhoff như sau:
U RS  U DS  U RD  U DD  0V
Và U RS  I S .RS , U RD  I D .RD , ID  IS
U DS  U DD  I D ( RS  RD )
U S  I D .RS
U G  0V
U D  U DS  U S  U DD  U RD
- Ví dụ
Tính giá trị UGS, IDQ, UDS, US, UG, UD trên sơ đồ tự phân cực H3-34 với giá trị của các
linh kiện như sau: UDD = 20V, UP = -6V, IDSS = 8mA, RD = 3,3 K , RS = 1 K , RG = 1 M ,
Giải:
- Phương pháp đại số
Phương trình đường tải tĩnh là
UGS = -ID.RS Suy ra UGSQ = -IDQ.RS
Thay vào phương trình Shockley ta có
I DQ .RS
I DQ  I DSS (1  ) 2 Thay các thông số IDSS và UP vào phương trình này ta có thể tính
UP
được giá trị của dòng IDQ = 2,6mA thay giá trị dòng IDQ vào phương trình đặc tuyến tải tĩnh
ta tính được giá trị của điện áp UGSQ = -2,6V
- Đặc tuyến tải tĩnh
Từ phương trình UGS = -ID.RS
Điểm thứ 1: chọn I D  0  U GS   I D .RS  0
Điểm thứ 2: Nếu chọn
ID = 4mA thì UGS = -(4mA).(1 K ) = -4V
Nối 2 điểm này ta có đường đặc tuyến tải tĩnh, như hình H3-36
ID(mA)

6
4
Q 2,6
2
UGS
UP=-8 -6 -4 -2,6 -2
H3-36 Xác định Q bằng đồ thị
 Từ phương trình Schockley:
I D .RS 2
I D  I DSS (1  )
UP
Vẽ được đường đặc tuyến tĩnh đi qua 3 điểm (UP, 0). (UP/2, IDSS/4). (0, IDSS) hình H3-
36
Giao điểm của đường này và đặc tuyến tĩnh sẽ là điểm làm việc Q của mạch và tọa độ
của điểm làm việc Q sẽ có giá trị IDQ=2,6mA và điện áp UGSQ= -2,6V
3.7.4 Sơ đồ phân áp
a. Sơ đồ mạch nguyên lý
UD UD UD UD
I D D D D

R1 D RD R1 R1 ID RD
D D
UV G UR G
C2 UG
C1 + +
- S UGS - S
+
R2 RS R2 UG R2 UG IS RS
CS
-

H3-37 Sơ đồ phân áp H3-38 Sơ đồ tương đương

Ở sơ đồ phân cực phân áp đối với transistor trường JFET (hình H3-37) các linh kiện
được bố trí giống như mạch phân cực phân áp cho BJT, nhưng ở trạng thái tĩnh sự phân
tích ở hai sơ đồ hoàn toàn khác nhau. Đối với FET, IG = 0, nhưng độ lớn của IB của sơ đồ
emitter chung trong BJT lại ảnh hưởng đến đầu vào và đầu ra của mạch
b. Đặc tuyến tải tĩnh và điểm làm việc Q
Để xác định điểm làm việc Q của mạch ta có 2 phương pháp đó là:
- Phương pháp đồ thị
2
 U 
Từ công thức Shockley biễu diễn mối quan hệ giữa ID và UGS là I D  I DSS 1  GS  ta vẽ
 UP 

được đặc tuyến tĩnh. Đặc tuyến tĩnh qua 3 điểm (UP, 0), ( U P ,0, 
U P I DSS 
, , 0, I DSS 
 2 4 
Mặt khác từ sơ đồ phân áp của mạch ta có mối quan hệ giữa ID và UGS
Do IG = 0 nên IR1=IR2 từ sơ đồ tương đương ta có giá trị điện áp UG là:
R2 .U DD
UG 
R1  R2
Theo sơ đồ tương và định luật Kirchoff ta có
UG - UGS - URS = 0 mà URS = IS.RS = ID.RS
 U GS  U G  I D .RS
Đây là phương trình đặc tuyến tải tĩnh. Và đặc tuyến của nó là một đường thẳng đi qua
 UG 
2 điểm: U G ,0 và  0, 
 RS 
Giao điểm đặc tuyến tĩnh và đặc tuyến tải tĩnh sẽ là điểm làm việc Q của mạch và giá trị
tĩnh tương ứng của nó là IDQ và UGSQ.

ID
Đặc tuyến tải tĩnh
IDSS
UGS = UG-ID.RS

Q
Đặc tuyến tĩnh IDQ
IDSS/4
ID=UG/RS
UGS
UP UP/2 UGSQ UG
H3-39 Đặc tuyến tĩnh và tải tĩnh
- Phương pháp đại số
Theo phân tích ở trên ta có hệ phương trình:
  U 
2

 I D  I DSS 1  GS 
  UP 

U GS  U G  I D .RS
Như vậy nếu biết thông số của JFET và các giá trị linh kiện trong mạch như R1, R2, RS,
UDD, có thể tính được IDQ và UGSQ của mạch

3.8 MẠCH PHÂN CỰC CHO MOSFET KÊNH DẪN CÓ SẴN

Các mạch phân cực cho MOSFET kênh dẫn có sẵn hoàn toàn giống như JFET

3.9 MẠCH PHÂN CỰC CHO MOSFET KÊNH DẪN KHÔNG CÓ SẴN

3.9.1 Khái quát chung

Đặc tuyến truyền đạt của các laọi MOSFET kênh dẫn không có sẵn (Kênh dẫn cảm
ứng) hầu hết đều khác với JFET và MOSFET kênh dẫn có sẵn.
Đối với MOSFET kênh dẫn không có sẵn loại N thì dòng ID = 0 khi UGS <UGSth (điện áp
ngưỡng – Threshold)
Khi UGS>UGSth thì I D  k (U GS  U GSth )2
Khi đã xác định được rõ điện áp ngưỡng và một mức của dòng điện cực máng ID(on) và
UGS(on) tương ứng thì ta sẽ xác định được hệ số k.
 3.9.2Mạch phân cực bằng hồi tiếp

a. Sơ đồ nguyên lý
UDD UDD
ID
RD RD
RG
D UR D +
C2
C1 G
UV G +
S UGS - S

H3-40 Phân cực hồi tiếp cho MOSFET kênh cảm ứng H3-41 Sơ đồ tương đương
b. Phương pháp xác định điểm làm việc Q
Giống như JFET để xác định điểm làm việc Q có hai phương pháp là phương pháp đồ
thị và phương pháp giải tích
- Phương pháp đồ thị
Theo phương trình Shockley I D  k U GS  U GSth 2 , Đặc tuyến tĩnh là một nhánh Parabol
khi UGS>UGSth.
Mặt khác theo sơ đồ do IG = 0 nên UD = UG dẫn đến UGS = UDS = UDD – ID. RD như vậy
 
đặc tuyến tải tĩnh là đường thẳng qua 2 điểm  0, DD  và U DD ,0
U
 RD 
Giao điểm đặc tuyến tĩnh và đặc tuyến tải tĩnh sẽ là điểm làm việc Q của mạch và giá trị
tĩnh tương ứng của nó là IDQ và UGSQ
ID(mA)

UDD/RD

IDQ Q

UGS (V)
UGSth UGSQ UDD

H3-42 Đường tải và điểm làm việc Q

- Phương pháp giải tích
Theo phân tích ở trên ta có hệ phương trình:
 I D  k U GS  U GSth 2

U GS  U DD  I D .RD
 Nếu biết loại MOSFET kênh dẫn không có sẵn và các giá trị linh kiện trong mạch là RD
và UDD sẽ tính được UGSQ và IDQ là tọa độ của điểm làm việc Q trên đặc tuyến tải tĩnh

3.9.3Mạch phân cực bằng phân áp

a. Sơ đồ nguyên lý
UDD

RD
R1
D UR
C1 C2
IG=0
UV A G
S

R2 RS

H3-43 Phân cực phân áp cho MOSFET cảm ứng

b. Phương pháp xác định điểm làm việc Q

- Phương pháp đồ thị
Theo phương trình Shockley I D  k U GS  U GSth 2 , Đặc tuyến tĩnh là một nhánh Parabol
R2 .U DD
khi UGS>UGSth.Theo sơ đồ nguyên lý ta có U G  , US = ID. RS → UGS = UG – ID.RS.
R1  R2
Đặc tuyến tải tĩnh là đường thẳng đi qua hai điểm 0, U G / RS  và U G ,0
ID
UG/RS

IDQ

UGS
UGSth UGSQ UG

H3-42 Đường tải và điểm làm việc Q

- Phương pháp giải tích
Theo phân tích ở trên ta có hệ phương trình
 I D  k U GS  U GSth 2

U GS  U G  I D .RS
 Nếu biết loại MOSFET kênh dẫn không có sẵn và các giá trị linh kiện trong mạch là RD
và UDD sẽ tính được UGSQ và IDQ là tọa độ của điểm làm việc Q trên đặc tuyến tải tĩnh
Nhận xét: Phương pháp đồ thị đơn giản nhưng không chính xác như phương pháp giải
tích