CIII.

PHƯƠNG PHÁP CẤP NGUỒN VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỂM

LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR TRONG TẦNG KHUẾCH
ĐẠI

§ Khái niệm điểm làm việc tĩnh của transistor (BJT)

trong tầng khuếch đại
§ Cấp nguồn và ổn định điểm làm việc cho
transistor lưỡng cực

§ Cấp nguồn và ổn định điểm làm việc cho

transistor đơn cực
 §1. KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA
TRANSISTOR (BJT) TRONG TẦNG KHUẾCH ĐẠI
 Trasistor lưỡng cực:
 Xét chế độ tĩnh của transistor mắc E chung (EC)
 KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA
TRANSISTOR
  
Chế độ khuếch đại: BE phân cực thuận, BC phân cực
ngược
 NPN:
 0<0,3(V) Gecmani
 0<0,7(V) Silic

 PNP:
 0<0,3(V) Gecmani
 0<0,7(V) Silic
KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA TRANSISTOR

 Khi Xn=0 →dòng: IB, IC, IE ;điện áp: UBE,UCE,UE,UC

 Điểm làm việc tĩnh Q[IB, IC UBE,UCE]

 IC=f(IB)=β.IB=H21.IB=HFE.IB

 IE=IB+IC=IB(1+H21)
𝐔 𝐁𝐄
 
 U𝐈E=I=
𝐁
E.R
𝐟 E=I
𝐔B(1+H
( 𝐁𝐄 ) = 𝐈
21 )RE 𝟏− 𝐀
𝐄𝐁𝐇 ( 𝐍) 𝐞
( 𝐔𝐓
−𝟏 )
 KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA
TRANSISTOR
 
→
 §2. Khái niệm chung điểm làm việc tĩnh của
transistor đơn cực (FET) làm việc ở chế độ
khuếch đại
Transistor đơn cực (FET) khi làm việc ở chế độ khuếch
đại điểm làm việc thuộc miền tích cực.
Điểm làm việc được đặc trưng bởi ba tham số ID ; UGS ;UDS
+ Transistor đơn cực loại JFET và MOSFET liên tục
Đặc tuyến truyền dẫn
U GS 2
I D  I DSS .(1 )
UP
IDSS dòng điện bão hòa; UP điện áp ngắt.
Đường tải tĩnh quan hệ dòng điện đầu ra và điện áp đầu vào
I D  f (U DS )
KHÁI NIỆM ĐIỂM LÀM VIỆC TĨNH CỦA TRANSISTOR
ĐƠN CỰC JFET VÀ MOSFET LIÊN TỤC
+ KÊNH N:
UDS giới hạn > UD- US > 0
- UP < UGS < 0
+ KÊNH P
0 < UG - US < + UP
- UDS giới hạn < UD – US < 0

Kênh P Kênh N
 Khái niệm chung về điểm làm việc tĩnh cho
transistor MosFet gián đoạn
Transistor đơn cực ( MOSFET gián đoạn ) khi làm việc ở
chế độ khuếch đại điểm làm việc thuộc miền tích cực.
Đặc tuyến truyền dẫn: I D  k.(UGS Uth )2
Trong đó: Uth điện áp ngưỡng, k hệ số được tính
ID
0 k  on
2
1 U gioihan UGS Uth
(U GS U th )
on
CẤP NGUỒN VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CỦA TRANSISTOR (BJT)

1. Phương pháp cấp nguồn cho transistor lưỡng

cực trong các tầng khuếch đại:
 Phương pháp cấp nguồn bằng dòng cố định
 Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp

2. Phương pháp ổn định điểm làm việc cho transistor

lưỡng cực trong các tầng khuếch đại:
 Phương pháp cấp nguồn bằng dòng điện cố định có
hồi tiếp
 Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp có hồi tiếp
 Phương pháp cấp nguồn bằng có hồi tiếp âm điện áp
 Các phần tử có tính năng đặc biệt
 §3. Cấp nguồn cho transistor lưỡng cực

1. Phương pháp cấp nguồn bằng dòng cố định

 Cấp nguồn cho transistor lưỡng cực
+ Điện áp cấp chuyển tiếp B-E:
Ucc= IB.Rb+ UBE → Ucc= IB.Rb+ UBE

U CC  U BE
 IB   f  U BE 
Rb

+ Điện áp cấp chuyển tiếp C-E:

Ucc= IC.RC+ UCE
→ UCE= UCC - IC.RC
+ Đường tải tĩnh U CC  U CE
 I C  f  U CE  
RC
Cấp nguồn cho Transistor lưỡng cực
2. Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp (chia áp):

Hình 1 Hình 2
 Cấp nguồn cho transistor lưỡng cực
 Dòng phân áp:
UCC
IP  UR2  UBE  IP .R2 Rtd  R1.R2
R1  R2 R1  R2

 Điện áp cấp chuyển tiếp BE

U CC U R U BE
U BE  U B  U E  I P  R2   R2 IB  2

R1  R2 Rtd

 Điện áp cấp chuyển tiếp CE

Ucc=IC.RC+UCE →UCE= Ucc- IC.RC
Đường tải tĩnh:
U CC  U CE
IC 
RC
§4. PHƯƠNG PHÁP CẤP NGUỒN ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM
VIỆC CỦA TRANSISTOR BJT
1.Phương pháp cấp nguồn bằng dòng cố định hồi
tiếp âm dòng điện:
 ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC

Điện áp cấp chuyển tiếp BE

Ucc= IB.Rb+ UBE+ IE.RE
UCC UBE
→Ucc=IB.Rb+UBE+IB.(1+β).RE IB 
Rb  1 RE

UBE=Ucc- IB.[Rb+ (1+β).RE]=Ucc- (IC/β).[Rb+(1+β).RE

Điện áp cấp chuyển tiếp CE
Ucc=IC.RC+IE.RE+UCE
→UCE= UCC- (IC.RC+IE.RE) ≈ UCC- IC .( RC+RE )
U CC  U CE
I C  f  U CE  
RC  RE
Đường tải tĩnh:
 ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)
2. Phương pháp phân áp (chia áp) có hồi tiếp âm dòng
nối tiếp dòng điện:

Hình 1 Hình 2
 ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO TRANSISTOR
LƯỠNG CỰC
U
IP  CC
 IB
R1  R 2
U R1.R2
U R2  IP  R2  CC
 R2 ; Rtd 
R1  R 2 R1  R2

Xét vòng điện B-E (hình 2): UBE+UE + IB Rtd = UR2 ;

U R U BE
UE= IE.RE = IB.(1+β).RE;  IB  2  IC  H 21.I B ; I E  ( H 21 1).I B
Rtd  (1 H 21).RE
U CC I
 U BE   C  1    RE
UB =UBE + UE → UBE = UB - UE 1 1 
R
R2

Xét vòng điện C - E:

UCC = IC.RC + IE.RE + UCE U CC  U CE
 I C  f  U CE  
RC  RE
UCE=UCC - IC.RC - IE.RE ≈ UCC - IC(RC+RE)
 ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)
3. Phương pháp cấp nguồn bằng hồi tiếp âm điện áp:
 ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC CHO
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
Xét vòng điện C – B - E
UBE= UB-UE= UB=UCE- IB.Rb
IC
 U CE  U CC   1    RC
UCE= UCC- ( IC+IB).RC=UCC - IB (1+β) RC 
U CC  U CE U CC  U CE
Đường tải tĩnh I C  
 1 RC
1     RC
 

UBE= Ucc- IB.[ Rb+( 1+β ).Rc] = Ucc- ( IC/β ).[Rb+( 1+β ).Rc]
U CC  U BE
 IB 
Rb  (1   ) RC

4. Phương pháp ổn dịnh điểm làm việc dùng các linh kiện đặc biệt.
 §5. CẤP NGUỒN VÀ ỔN ĐỊNH ĐIỂM LÀM VIỆC
CỦA TRANSISTOR ĐƠN CỰC (FET)
 Transistor JFET & MOSFET liên tục
 Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn cố định
 Phương pháp cấp nguồn bằng tự cấp
 Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp có hồi tiếp
dòng điện
 Transistor MOSFET gián đoạn
 Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn cố định
 Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp
 Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp có hồi tiếp
dòng điện
 Phương pháp cấp nguồn bằng hồi tiếp âm điện áp
CẤP NGUỒN CHO JFET VÀ MOSFET LIÊN
TỤC TRONG CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI
1. Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn cố định:
Un nguồn tín hiệu; Cn tụ ghép tầng
UDD nguồn cung cấp một
chiều; RD tải một chiều
đồng thời tải xoay chiều.
UGG nguồn một chiều
cấp cho transistor.
CẤP NGUỒN CHO JFET VÀ MOSFET LIÊN TỤC TRONG CÁC
TẦNG KHUẾCH ĐẠI

+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S: 2

 U GS 
UGS= IG.RG - UGG do IG= 0 suy ra UGS = - UGG ; I D  I DSS 1  
 U P 
+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S:
UDD = ID.RD + UDS suy ra UDS= UDD - ID.RD Đường tãi tĩnh
2
U DD  U DS  U GS 
ID  I D  I DSS 1  
RD  U P 
Đặc tuyến truyền dẫn
CẤP NGUỒN CHO JFET VÀ MOSFET LIÊN TỤC TRONG CÁC TẦNG
KHUẾCH ĐẠI

2. Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn tự cấp:

- Un nguồn tín hiệu.
- Cn tụ ghép tầng.
- UDD nguồn cung cấp một
chiều.
- RD tải một chiều.
đồng thời tải xoay chiều.
 R hồi tiếp âm một chiều
S

và hồi tiếp âm xoay chiều.

CẤP NGUỒN CHO JFET VÀ MOSFET LIÊN TỤC TRONG CÁC
TẦNG KHUẾCH ĐẠI

+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:

UGS= IG.RG - IS.RS do IG=0 suy ra U GS   I D RS
 2
  U GS 
I
 D  I DSS  1  
+ Điện áp cấp chuyển tiếp DS:   U P 

UDD = ID.RD + UDS + IS.RS do ID= IS→ UDS= UDD- ID.( RD + RS )

Đường tải tĩnh
U DD  U DS
ID 
RS  RD
CẤP NGUỒN CHO JFET VÀ MOSFET LIÊN TỤC TRONG CÁC
TẦNG KHUẾCH ĐẠI

3. Phương pháp cấp nguồn bằng phân áp (chia áp) có hồi

tiếp dòng điện:
R1 ; R2 ; điện trở cấp
Nguồn, RS điện trở
hồi tiếp một chiều
đồng thời hồi tiếp
âm xoay chiều
RD tải một chiều
và tải xoay chiều
Cn tụ ghép tầng, un nguồn
Tín hiệu
CẤP NGUỒN CHO JFET VÀ MOSFET LIÊN TỤC TRONG CÁC
TẦNG KHUẾCH ĐẠI
U DD U DD
+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S: I P  U G  I P  R2   R2
R1  R 2 U DD R1  R2

Suy ra U GS  R  R R2  I D RS
U DD U DD
U GS  U G  U S   R2  I S .RS  .R2  I D .RS   1 2
R1  R2 R1  R2  2
I  I  U GS 
+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S: DSS  1  
 D U
  P 
UDD = ID.RD + UDS + IS.RS
Do ID= IS vì IG = 0
→ UDS = UDD- ID.(RD + RS )
 §6. CẤP NGUỒN CỦA MOSFET GIÁN ĐOẠN
TRONG CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI (EMOSFET)
1. Phương pháp cấp nguồn bằng nguồn cố định:

I D on
I D  k  U G S  U th  ; 0  k 
2
1
U 
2
G S on  U th
 CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN TRONG CÁC TẦNG
KHUẾCH ĐẠI

+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:

UDD = UGS + IG .RG do IG = 0 Suy ra UDD = UGS kết hợp với đặc
I D on
tuyến truyền dẫn I D  k  U G S  U th  ; 0  k 
2
1
 U G S o n  U th 
2

+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S:

UDD = UDS + ID .RD suy ra UDS = UDD – ID .RD đường tải tĩnh:
I D  U DD U DS
RD
 CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN
(EMOS) TRONG CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI
2. Phương pháp phân cấp nguồn bằng phân áp (chia áp).
R1 ; R2 ; điện trở cấp
nguồn, RD tải một
chiều và tải xoay
chiều
Cn tụ ghép tầng,
un nguồn tín hiệu
Rn điện trở trong
Nguồn tín hiệu
 CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN TRONG CÁC
TẦNG KHUẾCH ĐẠI
+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:
U DD U DD
IP  U R UGS  .R
2
R1  R2 2 Q R1  R2

Thay phương trình đặc tuyến truyền dẫn ta xác định tọa độ điểm làm
việc I I D on
 k U U  ;0  k 
2
1
U 
DQ GS th 2
G Son U th

+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S:

UDD = UDS + ID .RD
suy ra UDS = UDD – ID .RD
đường tải tĩnh I  U DD U DS
D
RD
 CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN
(EMOS) TRONG CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI
3. Phương pháp bằng phân áp có hồi tiếp âm dòng điện:
R1 ; R2 ; điện trở cấp
nguồn, RS điện trở
hồi tiếp một chiều
đồng thời hồi tiếp
âm xoay chiều
RD tải một chiều
và tải xoay chiều
Cn tụ ghép tầng,
un nguồn tín hiệu
 CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN
(EMOS) TRONG CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI
+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:
U DD U
UGS UG U S  .R2  I S .RS  DD .R2  I D.RS
R1  R2 R1  R2
 I Don
 I D  k  U G S  U th  ; 0  k 
2
1
 U G S o n  U th 
2

Giải hệ 

U U DD
phương trình  .R 2  I D R S
 G S R1  R 2
+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S:
UDD = UDS + ID .RD + IS .RS → UDS = UDD – ID.(RD +RS)
 CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN
(EMOS) TRONG TẦNG KHUẾCH ĐẠI
4. Phương pháp cấp nguồn bằng hồi tiếp âm điện áp.
RG cấp nguồn và hồi tiếp
một chiều, hồi tiếp
xoay chiều
RD tải một chiều
và tải xoay chiều
Cn tụ ghép tầng,
un nguồn tín hiệu
Rn điện trong
nguồn tín hiệu.
 CẤP NGUỒN CHO MOSFET GIÁN ĐOẠN
(EMOS) TRONG CÁC TẦNG KHUẾCH ĐẠI
+ Điện áp cấp chuyển tiếp G-S:
UGS = UDS – IG .RG = UDS vì IG = 0
+ Điện áp cấp chuyển tiếp D-S: UDD = UDS + ID .RD suy ra
U DD U DS
U = U – I .R ta có đường tải tĩnh: D I 
DS DD D D RD