TRANSISTOR

Nguyễn Phương Quang

Lưu hành nội bộ
01/2021
Nội dung chính

1 Giới thiệu

2 Cấu tạo, nguyên lý làm việc

3 MOSFET, IGBT

4 Tóm tắt
1. Giới thiệu

 Transistor một trong những linh kiện quan trọng được dùng nhiều
nhất trong các bo mạch điện tử trong máy tính destop, laptop, tivi,
điện thoại, loa… với chức năng khuếch đại, điều chỉnh tín hiệu hoặc
đóng ngắt. Từ Transistor được viết tắt bởi Transfer & Resistor. Có
thể hiểu đơn giản là Transisitor khuếch đại bằng sự thay đổi giá trị
điện trở.
 Một trong những phát minh quan trọng nhất làm thay đổi nền công
nghiệp thế giới như mạng Internet, cách mạng công nghiệp.
Transistor tham gia trong tất cả các hoạt động của các thiết bị điện
tử từ vi xử lý, IC, các chip lập trình,… Nếu không có transistor sẽ
không có các việc như tính toán, điều khiển, khuếch đại trong các
thiết bị chúng ta sử dụng hằng ngày.
1. Giới thiệu

 Transistor là một linh kiện điện tử có khả năng sử dụng tín hiệu nhỏ
đặt ở một chân và điều khiển một tín hiệu lớn hơn tại 2 chân còn lại
hoặc dùng để đóng ngắt một tín hiệu nào đó đi qua nó.
1. Giới thiệu

 Transistor là một linh kiện điện tử có khả năng sử dụng tín hiệu nhỏ
đặt ở một chân và điều khiển một tín hiệu lớn hơn tại 2 chân còn lại
hoặc dùng để đóng ngắt một tín hiệu nào đó đi qua nó.
 Nó có thể khuếch đại tín hiệu đầu ra mạnh hơn như điện áp, dòng
điện khi so với tín hiệu đầu vào

Nhỏ Lớn
2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc

 Ở đây, chúng ta sẽ phân tích trên transistor lưỡng cực (BJT:Bipolar

Junction Transistor) là một transistor thông dụng nhất hiện nay
 Ngoài ra, còn khá nhiều loại Transistor khác nhau cho các chức
năng chuyên biệt như :
 Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
 Transistor hiệu ứng trường (Field-effect transistor)
 Transistor hiệu ứng trường dạng MOSFET
 Transistor mối đơn cực UJT (Unijunction transistor)
 ...
2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc

 Ở đây, chúng ta sẽ phân tích trên transistor lưỡng cực (BJT:

Bipolar Junction Transistor), đây là transistor thông dụng nhất hiện
nay. Transistor lưỡng cực có 2 loại: transistor thuận (PNP) và
transistor nghịch (NPN)

 Dù là loại Transistor NPN hay PNP đều có 3 chân E B C được viết

tắt bởi :
 Emitter – cực phát
 Base – cực nền, cực gốc
 Collector – cực thu, cực góp
2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
 BJT với 2 dạng PNP và NPN

Vcc
E C E C

P N P Đèn N P N

B B
iB
E C E C
RCE=f(iB)

B B
2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc

 Cụ thể, xét transitor NPN

2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc

 Cụ thể, xét transitor NPN. Để đưa transistor vào vùng làm việc như
mong muốn, người ta sẽ mắc thêm vào transistor những linh kiện
cần thiết để phân cực/ định thiên (bias) transistor. Như hình:
+Ucc
+Ucc
RC
IC
RB IB

T uCE
uB uB IE
2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc

 Tùy vào cách mắc dùng chân chung, transistor có 3 kiểu mắc
khuếch đại: phát chung (EC), gốc chung (BC) và góp chung (CC)

 Dù mắc theo kiểu nào, transistor cũng chỉ có 3 cùng làm việc:
khueexh đại tuyến tính, dẫn bão hòa và cắt mạch
2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
Cụ thể, xét transitor NPN với mạch khuếch đại phát chung
 Khi thay đổi thông số mạch phân cực, transistor sẽ thay đổi vùng làm
việc. Ngắt mạch (OFF): hở mạch giữa 2 chân C và E; khuếch đại
tuyến tính (KĐTT): như máy tăng âm; dẫn bão hòa (ON) khép kín
mạch giữa 2 chân C và E
Thay đổi giá trị iB, Q dịch chuyển
 2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
BJT: Đặc tính V-A mạch EC
iC
+Ucc
Dẫn
iBs iC
IC(sat) iB4 RC
iB3 IC
Q(ICEQ, VCEQ) ON IB
iB2 RB

iB=0 T uCE
uB
0 Ngắt uCE 0 uCE
UCE(sat) OFF

UCE = Ucc  IC.RC

Đặc tính V-A Đặc tính lý tưởng Sơ đồ nguyên lý
 2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
BJT: Đặc tính V-A mạch EC
iC
+Ucc
Dẫn
iBs iC
IC(sat) iB4
Q(ICEQ, VCEQ) RC
iB3 IC
ON IB
iB2 RB

iB=0 T uCE
uB
0 Ngắt uCE 0 uCE
UCE(sat) OFF

UCE = Ucc  IC.RC

Đặc tính V-A Đặc tính lý tưởng Sơ đồ nguyên lý
 2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
BJT công suất: Đặc tính V-A mạch EC
iC ON KĐTT
Dẫn - 3 vùng làm việc: Ngắt mạch (OFF), khuếch
iBs đại tuyến tính (KĐTT), dẫn bão hòa (ON).
IC(sat) iB4
- Công suất cực đại trên transistor là:
iB3
Pm = VEC .IC  IC = Pm/VCE. Đây là hàm
Q(ICEQ, VCEQ) iB2
OFF hyperbol chia đặc tuyến thành 2 miền. Khi
iB=0 tận dụng tối đa công suất transistor có thể
transistor chạy đóng/ ngắt không hỏng
0 UCE(sat) Ngắt uCE nhưng chạy ở vùng KĐTT sẽ hỏng  nên
chọn cho transistor dẫn bão hòa đủ sâu (IB
UCE = Ucc  IC.RC thực tế phải đủ lớn hơn IBs tính toán)
 2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
BJT công suất: Đặc tính V-A mạch EC
iC ON KĐTT
Dẫn - 3 vùng làm việc: Ngắt mạch (OFF), khuếch
Q iBs đại tuyến tính (KĐTT), dẫn bão hòa (ON).
IC(sat) iB4
- Công suất cực đại trên transistor là:
iB3
Pm = VEC .IC  IC = Pm/VCE. Đây là hàm
iB2 hyperbol chia đặc tuyến thành 2 miền. Khi
OFF
iB=0 tận dụng tối đa công suất transistor có thể
transistor chạy đóng/ ngắt không hỏng
0 UCE(sat) Ngắt uCE nhưng chạy ở vùng KĐTT sẽ hỏng  nên
chọn cho transistor dẫn bão hòa đủ sâu (IB
UCE = Ucc  IC.RC thực tế phải đủ lớn hơn IBs tính toán)
 2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
BJT công suất: Đặc tính V-A mạch EC
iC ON KĐTT
Dẫn - 3 vùng làm việc: Ngắt mạch (OFF), khuếch
iBs đại tuyến tính (KĐTT), dẫn bão hòa (ON).
IC(sat) iB4
- Công suất cực đại trên transistor là:
iB3
Pm = VEC .IC  IC = Pm/VCE. Đây là hàm
iB2 hyperbol chia đặc tuyến thành 2 miền. Khi
OFF
iB=0 tận dụng tối đa công suất transistor có thể
Q transistor chạy đóng/ ngắt không hỏng
0 UCE(sat) Ngắt uCE nhưng chạy ở vùng KĐTT sẽ hỏng  nên
chọn cho transistor dẫn bão hòa đủ sâu (IB
UCE = Ucc  IC.RC thực tế phải đủ lớn hơn IBs tính toán)
 2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
BJT công suất: Đặc tính V-A mạch EC
iC ON KĐTT
Dẫn - 3 vùng làm việc: Ngắt mạch (OFF), khuếch
iBs đại tuyến tính (KĐTT), dẫn bão hòa (ON).
IC(sat) iB4
BOOM! - Công suất cực đại trên transistor là:
iB3
Pm = VEC .IC  IC = Pm/VCE. Đây là hàm
iB2 hyperbol chia đặc tuyến thành 2 miền. Khi
OFF
iB=0 tận dụng tối đa công suất transistor có thể
Q
transistor chạy đóng/ ngắt không hỏng
0 UCE(sat) Ngắt uCE nhưng chạy ở vùng KĐTT sẽ hỏng  nên
chọn cho transistor dẫn bão hòa đủ sâu (IB
UCE = Ucc  IC.RC thực tế phải đủ lớn hơn IBs tính toán)
 2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
BJT: Điều khiển kích đóng
Xét điều kiện lý tưởng: UBE = 0.
+Ucc - Trong thời gian quá độ, dòng IB = U1/RB.
u - Sau thời gian quá độ, IB = U1/(RB + R).
uin - Điện áp trên tụ: UC  Uin . [R /(RB+R)
U1 RC - Thời hằng nạp tụ: τ1  C1 . [RB.R /(RB+R)
t
C
IC Khi Uin về lại 0, tụ C xả điện qua mối nối BE
U2 của transistor T, BE bị phân cực ngược 
RB R IB nhanh chóng khóa T. T chỉ dẫn lại khi C xả
T uCE
hết điện (τ2 xả là R.C)  Tần số đóng cắt
uin
cao nhất lúc này với (t1  5τ1), (t2  5τ2 ) là:
f = 1/T = 1/ (t1 + t2) = 0,2/ (τ1 + τ2)
 2. Cấu tạo, nguyên lý làm việc
BJT: Điều khiển kích ngắt
Xét điều kiện lý tưởng: UBE = 0.
+Ucc
- Khi điện áp Uin đảo chiều xuống đến giá trị
u U2, lúc này điện áp đặt lên BE là Uin và UC .
uin
U1 - Tụ C vẫn giữ chức năng tăng tốc quá trình
RC
t chuyển mạch.
IC
U2
C - Gai dòng IB xuất hiện, sau khi tụ C xả hết
RB điện, điện áp trên BE chỉ còn đúng Uin .
R IB
T uCE - Để bảo vệ quá điện áp ngược trên mối nối
uin BE, có thể dùng thêm diode D như hình
D
bên, D sẽ ngắn mạch áp ngược trên BE.
Có bài tập trên hội thảo qua Zoom
3. Giới thiệu MOSFET, IGBT
3.1. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Giới thiệu MOSFET kênh N: Đóng VGS > 0; Ngắt: VGS < 0.

G iD
iD
S S
SiO ON UGS = 7V
G n+
p
6V ON
5V
n
4V
D n+ uDS
D 0 OFF uDS 0 OFF

Ký hiệu Cấu tạo Đặc tính V-A Đặc tính lý tưởng

3. Giới thiệu MOSFET, IGBT
3.1. MOSFET
 MOSFET là một loại transistor đóng cắt nhanh, tổn hao thấp với
cổng điều khiển bằng điện trường (điện áp). MOSFET chỉ phù hợp
với các ứng dụng công suất nhỏ, không có công suất lớn. Tuy nhiên,
khi chúng kết hợp với GTO tạo ra MTO sẽ cho phép làm việc với
công suất cực lớn.
 MOSFET được chế tạo theo 2 kênh: kênh N (như hình trong slide
trước) và kênh P. Điểm thuận lợi cơ bản của MOSFET là khiển bằng
áp. Nghĩa là ở đây sẽ thay dòng IB bằng điện áp UGS.
 MOSFET đòi hỏi công suất mạch kích thấp nhưng điện trở khi dẫn
điện khá cao nên không được chế tạo ở công suất lớn.
3. Giới thiệu MOSFET, IGBT
3.1. MOSFET: mạch kích
+12V
b. Mạch kích dạng totempole
RL
C Itải Phụ tải

Vin
Q1
T
RS R1 Vin
RG
Itải
Q2

GND
GND
a. Mạch kích tương tự BJT
3. Giới thiệu MOSFET, IGBT
3.2. IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)

C C
S
G
MOSFET
D
+ B
BJT
= G
E E
IGBT tích hợp ưu điểm của MOSFET và BJT: Giống MOSFET: kích dẫn bằng
xung áp đưa vào chân G  tổn hao mạch kích thấp,… Giống BJT: sụt áp khi
dẫn dòng không cao  cho phép chế tạo công suất cao hơn,…
3. Giới thiệu MOSFET, IGBT
3.2. IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
 Giống như MOSFET, IGBT có nội trở ngõ vào lớn nên có tổn hao
ngõ vào mạch kích bé, giảm tổn hao khi làm việc ở chế độ đóng
ngắt.
 Giống như BJT, IGBT có sụt áp khi dẫn điện thấp (chỉ từ 2  3VDC;
1000V định mức), điện áp chịu đựng cao hơn MOSFET.
 IGBT có tần số đóng cắt cao (khoảng vài uS). Khả năng chịu tải đến
4,5KV – 2000A.
 Các modul IGBT thông minh (Intelligent Power Modul): được chế tạo
với công nghệ tích hợp cao. Trên module có cả mạch bảo vệ, mạch
kích lái, cảm biến dòng,…  Độ tin cậy khi làm việc rất cao!
 4. TÓM TẮT
Đây là bài giảng biên soạn phục vụ học trực tuyến trong mùa dịch, thời gian
biên soạn có hạn nên chắc chắn còn nhiều thiếu sót. Nếu có điều kiện, các em
nên đọc tài liệu học tập bằng tiếng Anh trong khóa học trực tuyến của trường.
 Transistor là một linh kiện rất phổ dụng trong mạch điện tử . Rất
dễ dàng tìm thấy những ứng dụng của nó quanh ta.
 Khi nghiên cứu về transistor dưới góc nhìn của ngành Công nghệ
thông tin cần có cách nhìn theo hướng đặc thù: cần nghiên cứu kỹ ở
chế độ đóng cắt. Nên gán các chế độ đóng cắt này vào mạch số sẽ
giúp anh chị hiểu hơn về cơ chế hoạt đông của vi mạch số, thành
phần không thể thiếu trong máy tính hiện đại.
 Khi trao đổi nội dung này trên Zoom, chúng ta sẽ mở rộng các ứng
dụng của nó thông qua các video minh họa.
 TÀI LIỆU THAM KHẢO

 Nguyễn Văn Nhờ, Điện tử công suất, Nhà xuất bản Đại học quốc gia Tp.
Hồ Chí Minh, 2002.
 Lê Đăng Doanh (chủ biên), Nguyễn Thế Công, Trần Văn Thịnh, ĐIỆN
TỬ CÔNG SUẤT: Lý thuyết - Thiết kế - Ứng dụng Tập 1, Nhà xuất bản
Khoa học Kỹ thuật Hà nội, 2004.
 Dewei (David) Xu, Dept. of Electrical & Computer Engineering, Ryerson
University. Lưu hành nội bộ, 2005
 … cùng các website liên quan.