Chương 2: Transistors

BJT và FET

Nguyễn Đăng Phú

Faculty of Electronics and Telecommunications,
VNU-University of Engineering and Technology
Email: phund@vnu.edu.vn
SĐT: 0989666770

1
Nội Dung
• Transistor (BJT)
 Cấu tạo của BJT và Nguyên tắc hoạt động
 Đặc tuyến I-V
 Định thiên (Thiên áp) cho BJT
Chapter 6: Adel. S. Sedra, Kenneth C. Smith. Microelectronic Circuits.
Oxford University Press. 2011.
• Field Effect Transistor(FET)
 Giới thiệu
 JFET và MOSFET
 Hoạt động của FET với tín hiệu nhỏ
Chapter 5: Adel. S. Sedra, Kenneth C. Smith. Microelectronic Circuits.
Oxford University Press. 2011.

2
 Một số dạng thực của BJT

3
4.1. Cấu tạo và hoạt động của BJT
 Cấu tạo BJT
 Gồm 3 vùng bán
dẫn xen kẽ, tạo nên
2 tiếp giáp EBJ và
CBJ.

 Các vùng hoạt động

 Tùy vào định thiên
cho 2 lớp tiếp giáp mà
có 4 vùng hoạt động
khác nhau:

Bảng 4.1 Các chế độ hoạt động của BJT

Chế độ Tiếp giáp EB (EBJ) Tiếp giáp CB (CBJ)
Cấm (cutoff) Phân cực ngược Phân cực ngược
Tích cực (Active) Phân cực thuận Phân cực ngược
Tích cực ngược (Reverse active) Phân cực ngược Phân cực thuận
Thông bão hòa (Saturation) Phân cực thuận Phân cực thuận
4
  Nguyên lý hoạt động trong chế độ tích cực

Transistor npn

iC  I Se vBE /VT IS : dòng bão hòa

iC
iB  b : hệ số khuếch đại dòng (sơ đồ cực phát chung) (100÷200)

iC   iE  : hệ số khuếch đại dòng (sơ đồ cực gốc chung) (≤1)
iE  iC  iB  
  
1  1

5
 Nguyên lý hoạt động trong chế độ bão hòa

•    EBJ: thuận; CBJ: Thuận


⇒ tăng làm cho giảm dần về 0.

Active mode Saturation mode

  Transistor hoạt động trong chế độ bão hòa có .

6
 3 kiểu mắc BJT trong mạch điện

 Transistor BJT tương đương như một nguồn dòng được điều khiển bằng thế VCCS (hoặc
điều khiển bằng dòng CCCS) gồm 4 điện cực, trong khi BJT chỉ có 3 điện cực. Nếu được lắp
trong mạch điện thì sẽ phải có 1 trong 3 điện cực đó là được mắc chung cho cả lối vào và lối
ra.

 Như vậy, có 3 kiểu mắc BJT trong mạch điện (tạm gọi là 3 cấu hình), tùy thuộc vào
đầu nào là chung cho cả lối vào và lối ra tín hiệu.

7
Mô hình mạch tương đương tín hiệu lớn của
transistor npn trong chế độ tích cực
VCCS CCCS

 Mô hình áp dụng với bất kì giá trị nào của => Mô hình tín hiệu lớn 8
 Example 6.1 (P359)

•
• npn
•
transistor: and
 E is grounded, B is fed with constant-current source supplying a dc current of
• C is connected to a 5V dc supply via a resistance
• Assuming the transistor is in the active mode, find and

  Solution: which model should we choose?

we know => choose CCCS (d)

  CBJ is Reverse.
=> Transistor is indeed operating in the active mode
9
 Example 6.1 (P359)
  =?

Replace the current source with a

resistance from the base to 5Vdc supply

10
Mô hình mạch tương đương tín hiệu lớn của
transistor pnp trong chế độ tích cực
• PnP

11
12
13
Example 6.2 (P368)
 The transistor has and at
Design the circuit so that a current of 2mA flows through C and a
voltage of +5V appears at C.
 
How to do?
 Determine the operation mode?
 Find ,
 
Solution
Since => CB reverse biased => BJT is in active mode

Since at , the value of at is

Since the base is at 0V,

14
 Đặc tuyến I – V của Transistor

• Thế phân cực và dòng của Transistor trong vùng tích

cực

15
Đặc tuyến I – V của Transistor
• Đặc
  tuyến lối vào của BJT ()
• Đặc tuyến truyền của BJT ( or )
• Đặc tuyến lối ra của BJT ()

  BJT Transfer Characteristic:

 BJT Input Characteristic ? 16
 Đặc tuyến I – V của Transistor
  • Đặc tuyến lối ra của BJT :
  Khi , , chuyển tiếp CB phân cực
thuận => transistor sẽ đi vào hoạt
động trong vùng bão hòa.
 Khi ngoại suy, các đường đặc
tuyến gặp nhau tại một điểm , VA
được gọi là thế sớm (Early
  Slope=
Voltage),

 Early Effect:

1 i VA
 C ro  Điện trở lối ra
ro vCE vBE const
IC
17
 Đường tải và điểm hoạt động tĩnh của
Transisror
• Xét BJT được nối trong mạch
có tải RC
• Điểm hoạt động của BJT là
giao điểm của 2 đường cong:
Đặc tuyến I – V đường tải
• Khi biên độ của tín hiệu thay
đổi theo thời gian bằng 0,
điểm hoạt động được gọi là
điểm Q. Dòng điện và điện áp
tại điểm Q được gọi là (IC, VC)
• Mạch để xác định điểm Q gọi
là mạch thiên áp (Định thiên)

18
 Thiên áp cho BJT
 Định thiên (thiên áp) cho transistor là việc đặt một thế hoặc dòng một chiều dc lên
nó với một giá trị nào đó nhằm cho phép tín hiệu vào ac có thể được xử lý như
mong muốn.
 Điểm hoạt động tĩnh (Q-point) là thế và dòng một chiều, ví dụ cặp (I B, VBE) hay (IC,
VCE); khi transistor ở trạng thái tĩnh với tín hiệu xoay chiều ac bằng 0.
 Do dòng điện trong transistor bán dẫn chịu ảnh hưởng nhiều của biến thiên nhiệt độ
môi trường, dẫn đến điểm Q dễ bị biến đổi theo nhiệt độ, làm cho bộ khuếch đại
không ổn định. Vì vậy một trong những yêu cầu thiết kế mạch tạo thiên áp là phải
có được sự ổn định điểm Q theo nhiệt độ.

19
 Thiên áp cho BJT
• Fixed biasing circuit
   Thenevin equivalent : and
   KVL:
 KVL:

𝑉
  𝐵𝐵

20
 Thiên áp cho BJT
 Sơ đồ dùng bộ chia thế và trở phản hồi RE
   Thenevin equivalent: and

   KVL:

  KVL:

  : Active mode

  : current feedback resistor

21
 Thiên áp cho BJT
 Sơ đồ dùng 2 nguồn cung cấp
• Điện trở RB chỉ cần nếu tín hiệu vào ghép với base, còn không base được nối trực tiếp
với đất.

22
 Thiên áp cho BJT
• Sơ đồ dùng trở phản hồi âm từ collector về base
  KVL:

•  
is chosen for Q is in the active region (

23
 Thiên áp cho BJT
• Thiên áp BJT để thu được tín hiệu khuếch đại tuyến tính

24
 Thiên áp cho BJT
Exe 1.3.1(EX 6.4)
? 

 𝛽=100

25
 Thiên áp cho BJT
Exe 1.3.2 (EX 6.5)
  ?

 𝛽 ≥ 50

26
 Thiên áp cho BJT
Exe 1.3.3(EX 6.10)

  ?

 𝛽=100

27
 Thiên áp cho BJT
Exe 1.3.4 (EX 6.11)

 𝛽 1=𝛽 1=100

28
 Thiên áp cho BJT
Exe 1.3.5

 𝛽=100

29
Giới thiệu về transistor trường FET
• Khác với BJT, transistor trường FET là dụng cụ điện tử đơn cực, tức là chúng
chỉ hoạt động với 1 loại điện tích mang (hoặc điện tử hoặc lỗ trống).

• Thuật ngữ “hiệu ứng trường” (field-efect) liên quan đến “vùng nghèo”
(deplete region) được hình thành do thế áp đặt lên cực cửa (gate) của FET.

• FET có 2 loại:
- Loại có lớp tiếp giáp pn gọi là JFET (Junction field-effect transistor)
- Loại có lớp cách điện oxide gọi là MOSFET (Metal Oxide Semiconductor
field-
effect transistor)

• Khác với BJT được điều khiển bằng dòng, FET được điều khiển bằng thế.

• Ưu điểm của FET là có trở vào rất cao.

30
 Giới thiệu về transistor trường FET
• Trở
  kháng vào cao ().
• Ổn đỉnh nhiệt độ hơn BJT
• Nhỏ hơn BJT
• Ít nhiễu hơn so với BJT
 𝐼 𝑐  𝐼 𝐷
  Control current   Control voltage
C D
BJT FET
B G
E S
Three Terminal
Drain-D
Gate-G
Source-S
31
Phân loại các transistor trường FET
(Junction Field-Effect Transistor)

: Insulated-gate FET
(Metal-Oxide Semiconductor FET)

Types of Field – Effect Transistors

32
4.7. Cấu trúc và hoạt động của JFET

 Cấu trúc
• JFET là loại FET hoạt động với
một lớp tiếp giáp pn được phân
cực ngược cho phép điều khiển
dòng trong một kênh dẫn drain-
source DS.

• Tùy vào cấu trúc, JFET có 2

loại: kênh-n và kênh-p.

• 3 cực của JFET :

S cực nguồn (source)
D cực máng (drain)
G cực cửa (gate)

33
 Hoạt động của JFET với thiên áp cực cửa khác nhau

Thế bias bằng 0, vùng Thế bias tăng, vùng Thế bias lớn hơn thế
nghèo mỏng : hình nghèo rộng ra : pinch-off : không còn
thành một kênh dẫn Kênh điện trở hẹp kênh dẫn giữa D và
có điện trở thấp giữa lại. S.
2 cực D và S.

34
 Thế pinch-off VP

• Với VGS=0 V, tăng giá trị VDS đến khi dòng ID trở nên không đổi, thì thế đó được gọi là thế
pinch-off VP.

FET kênh-n với vGS = 0

35
2. Field-Effect Transistor
2.2 JFET: Structure and Operation
• Three different transistor circuit configurations:

Common Source (CS) Common Gate (CG) Common Drain (CD)

36
4.8. Các đặc trưng I-V của JFET
 Đặc trưng iD - vDS

37
 Vùng Triode (Ohmic)

 Vùng bão hòa

Kn
 v GS v P 
2 VP là thế pinch-off. Phân tích thừa số (-VP)2 :
iD 
2

VP điển hình từ 0 đến – 25 V, và giá trị IDSS trong dải từ 10 A tới hơn 10 A.

38
 Điều chế độ rộng kênh :

Đặc tuyến I-V trong vùng bão hòa vẫn có một độ dốc nhỏ. Các đường ngoại suy cắt nhau
tại điểm –VA = 1/ trên trục vGS. Đó là do hiệu ứng điều chế độ rộng kênh. Lúc này dòng
ID phụ thuộc cả vào thế vDS :

 được gọi là tham số điều chế độ rộng kênh.

 Thế pinch-off và thế cutoff :

Thế VGS ứng với dòng ID = 0 gọi là thế cutoff VGS(off). Như vậy, JFET phải hoạt động trong dải từ
VGS=0 đến VGS(off) , ID biến thiên từ IDSS đến giá trị cực tiểu gần bằng 0.

Hiện tượng pinch-off xảy ra với

VDS<Vp cả khi VGS≠0, do đó giá
trị VDS mà từ đó ID=const sẽ biến
đổi theo VGS.
Như vậy, VGS(off) và Vp luôn bằng
nhau về độ lớn và trái dấu:
VGS(off) = -Vp

39
 Đặc trưng truyền đạt iD = f(vGS)

2
 V 
I I 1  GS  IDSS
DS DSS 
 V 
 P 

VGS (off)= -VP

40 40
4.9. Thiên áp cho JFET
 Mạch thiên áp cố định

Áp dụng luật KCL ở mạch cửa:

 Mạch tự thiên áp

Vì IG = 0 và IS = ID

41 41
2. Field-Effect Transistor
2.1 Introduction
(Junction Field-Effect Transistor)

: Insulated-gate FET
(Metal-Oxyt Semiconductor FET)

Types of Field – Effect Transistors

42
4.10. Cấu trúc và hoạt động của MOSFET
 Cấu trúc

 NMOS loại tăng dẫn

(a)

(b) (c)

(a) Cấu trúc NMOSFET tăng dẫn; (b) mặt cắt; (c) Ký hiệu.
43
 P-MOSFET

 Complementary MOS
CMOS

44
4.11. Các đặc trưng I-V của MOSFET
 Đặc trưng iD - vDS

45
2. Field-Effect Transistor
2.6 MOSFET: I-V Characteristics
• N-DMOS Transfer Characteristic

• N-EMOS Transfer Characteristic

46
 Vùng Triode (Ohmic)
Kn được gọi là hỗ dẫn và có đơn vị là A/V2
 v 
iD  Kn  vGS  VTN  DS  vDS
 2   𝐾 𝑛=µ 𝐶 . 𝑊
𝑜𝑥
𝐿
Điện trở ON :
Với các thế vDS nhỏ vDS / 2   vGS  VTN 

iD  Kn  vGS  VTN  vDS

MOSFET giống như một điện trở nối giữa

cực máng và cực nguồn và giá trị điện trở có
thể điều chỉnh được bởi thế cực cửa vGS.

1 VDS 1
Ron   
iD / vDS Q  po int
I D Kn  VGS  VTN 

47
 Vùng bão hòa

Kn
 vGS  VTN  for v DS   vGS  VTN   0
2
iD 
2
Khi VDS tăng, điểm pinch-off tiến tới cuối
vùng máng và dòng ID tăng chậm lại.
Cuối cùng vDS > (vGS –VTN ), ID trở nên
không đổi.

Độ hỗ dẫn :

diD 2I D
gm   Kn  vGS  VTN  
dvGS Q po int
vGS  VTN

2I D
gm 
VGS  VTN

48
 Điều chế độ rộng kênh

Trong vùng bão hòa, dòng máng không thực sự không đổi, do đó đường cong I-V có một độ dốc nhỏ.
Kết quả này do hiệu ứng điều chế độ rộng kênh. Khi tính tới đó, biểu thức cho i D sẽ phụ thuộc vào vDS
như sau:

Kn
 vGS  VTN   1  vDS 
2
iD 
2

49
50
4.12. Thiên áp cho NMOS-FET

 Cố định VGS  Dùng trở phản hồi DG

Trở phản hồi RG (trong dải

mega-ohm) làm thế dc ở cực
cửa bằng với thế ở cực máng
(vì dòng IG = 0).
Vậy :

VGS  VDS  VDD  RD I D

or
VDD  VGS  RD I D

Cả 2 mạch đều có chức năng ổn nhiệt cho Q-point.

51
2. Field-Effect Transistor
2.6 MOSFET: I-V Characteristics

52
53
Exe2.6.1 (Solution)
•   Calculate
a)

At edge of saturation:
b) Use in a)

c) → 𝑣 𝐷𝑆 < 𝑣 𝑂𝑉
 

Three cases: ; ;
=>

54
Finite Output Resistance in Saturation

Channel-length modulation

Output Resistance:

Large-signal equivalent circuit

model for n-channel MOSFET
in saturation

55
Exe 2.6.2

56
57
Exe 2.6.2(Solution)

  =>NMOS transistor is operating in the saturation region

→
  𝑉 𝑆 =−1.2 𝑉

58