Chương III: TRANSISTOR BJT

NỘI DUNG:
 Cấu tạo, nguyên lý hoạt động, khả năng khuếch đại của BJT.

 Phân cực BJT.

 Các chế độ hoạt động của BJT

 Transistor hoạt động ON/OFF

 Bài tập
 Chương III: TRANSISTOR BJT
Bipolar Junction Trhasistor
2

Hình dáng 1 số transistor thông dụng

 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.1 CẤU TẠO TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bipolar Junction

Transistor)
- Transistor là linh kiện bán dẫn gồm 3 lớp bán dẫn tiếp giáp nhau tạo thành hai
mối nối P-N nên còn được gọi là BJT
- Tùy theo cách xếp thứ tự các vùng bán dẫn, ta chia Transistor thành 2 loại : loại
NPN và PNP. Có cấu tạo và ký hiệu như sau :

E: Emitter cực phát

B: Base cực nền
C: Collector cực thu
E và C không hoán đổi được do nồng độ pha tạp chất khác nhau.
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.1 CẤU TẠO TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT (Bipolar Junction

Transistor)
Ký hiệu:

Do cấu tạo như trên, hình thành 2 chuyển tiếp P-N rất gần nhau:
+ Chuyển tiếp miền phát – nền được gọi là chuyển tiếp Emitter JE
+ Chuyển tiếp miền thu– nền được gọi là chuyển tiếp Collector JC
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG

Xét trans NPN
Cấp nguồn DC với cực tính như hình vẽ
+ Khi cực B để hở:

Cực B để hở electron từ cực E không thể sang cực B nên không có sự tái hợp giữa electron và lỗ trống do đó không có
dòng điện qua Transistor.
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG

Xét trans NPN
+ Khi cực B nối với nguồn: Điều kiện VC > VB > VE
Trường hợp này 2 vùng bán dẫn của cực B và E giống như 1 diode (gọi là
diode B-E hay mối nối tiếp P-N : JE ) phân cực thuận nên dẫn điện, điện tử từ
vùng N+ qua JE chia làm 2 phần :
+ Một ít sẽ kết hợp với lỗ trống của
vùng P, vùng P nhận e nên có điện tích
âm, bị hút về nguồn (+) của VB tạo
thành dòng IB có trị số nhỏ.
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG

Xét trans NPN
- Đa số e từ vùng N+ qua JE đến JC bị hút
về cực (+) của nguồn VC (có trị số rất lớn
so với VB ) tạo thành dòng IC có trị số lớn.
- Trở lại vùng N+ bị mất e nên có điện tích (+) nên sẽ hút điện tử nguồn âm lên thế chỗ, tạo
thành dòng IE. Chiều của dòng điện sẽ ngược với chiều của luồng điện tử và có ký hiệu như hình
vẽ.
- Tất cả số lượng điện tử bị hút từ cực E đều chạy sang cực B và C nên : IE = IB + IC
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG

Xét trans NPN
Sơ đồ diode tương đương :
Về cấu tạo, trasistor NPN được xem như 2 diode ghép ngược , với :
- Diode BE hay JE phân cực thuận (vì VB > VE )
- Diode BC hay JC phân cực nghịch (vì VB < VC )
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.2 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG

Xét trans PNP
Sơ đồ diode tương đương :
Về cấu tạo, transistor PNP được xem như 2 diode chép ngược nhau
- Diode BE hay JE phân cực thuận (vì VB < VE )
- Diode BC hay JC phân cực nghịch (vì VB < VC )
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.3 HỆ SỐ KHUẾCH ĐẠI DÒNG ĐIỆN 

β = IC /IB : hệ số khuếch đại dòng điện
Theo nguyên lý hoạt động của Transistor:
IE = IB + IC Mà IC = β.IB
Nên IE = IB + β . IB = (β + 1)IB
Hệ số khuếch đại dòng điện β thường có trị số lớn (vài chục đến vài
trăm)
Do β >> 1 nên : β + 1 ≈ β  IE ≈ IC ≈β.IB : transistor có khả năng
khuếch đại dòng điện 1 chiều
IC
- Hệ số truyền đạt dòng phát   (0,95 <  < 0.99)
IE
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.4 PHÂN CỰC TRANSISTOR

- Phân cực: Để Transistor hoạt động cần phải cung cấp điện thế và dòng điện cho từng chân một cách thích hợp. Việc
chọn điện thế nguồn và điện trở ở các chân Transistor gọi là phân cực cho Transistor.
- Đường tải tĩnh (DCLL): Trên hệ trục tọa độ VCE và IC Đường thẳng nối 2 điểm VCE = VCC và Icmax = VCC /RC gọi là
đường tải tĩnh (DCLL = DC Load Line)
- Điểm làm việc tĩnh (Quiescent point)
Ở chế độ tĩnh, nghĩa là chưa có tín hiệu xoay chiều vào, trên các cực của Transistor chỉ có các dòng tĩnh I B, IC, áp một
chiều VBE, VCE. Điểm làm việc ứng với chế độ này được gọi là điểm làm việc tĩnh.
 Chương III: TRANSISTOR BJT

VCC  I C RC  VCE
VCE VCC
IC   
RC RC
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.4 PHÂN CỰC TRANSISTOR

Phân cực bằng 2 nguồn điện riêng: Trường hợp không có R E
Xét mạch sau:
- Ở phía mạch vào
nên
Dòng điện ICQ = IB
- Ở phía ngõ ra:
VBB  VBE
VBB  RB I B  VBE IB 
Tọa độ điểm làm việc tĩnh RB
Q(ICQ , VCEQ )

VCE  VCC  RC I C
 Chương III: TRANSISTOR BJT

VCC  VCE
IC 
RC
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.4 PHÂN CỰC TRANSISTOR

Phân cực bằng 2 nguồn điện riêng: Trường hợp có RE
Xét mạch sau:
- Ở phía mạch vào
nên
Dòng điện ICQ = IB
- Ở phía ngõ ra:
VBB  VBE
VBB  RB I B  VBE  I E RE IB 
Tọa độ điểm làm việc tĩnh RB   RE
Q(ICQ , VCEQ )
Phương trình đường tải DC:

VCE  VCC  I C ( RC  RE )

VCC  VCE
IC 
RC  RE
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.4 PHÂN CỰC TRANSISTOR

Phân cực dòng IB cố định: Xét mạch
Các tụ C1 C2 xem như nối tắt đối với
tín hiệu xoay chiều ở tần số khảo sát
- Ở phía ngõ vào:

VCC  I B RB  VBE  I E RE
VCC  I B ( RB   RE )  VBE

VCC  VBE
IB 
RB I =RI
Dòng điện E
CQ B
 Chương III: TRANSISTOR BJT

VCC  I C RC  VCE  I E RE

VCE  VCC  I C ( RC  RE )

VCEQ  VCC  I CQ ( RC  RE )

VCC  VCE
IC 
( RC  RE )
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.4 PHÂN CỰC TRANSISTOR

Phân cực hồi tiếp từ cực C:
Xét mạch:
- Ở phía ngõ vào:

VCC  I C' RC  I B RB  VBE  I E RE

VCC  RC (   1)  I B RB  VBE  I E RE
Vì
VCC   I B RC  I B RB  VBE   I B RE (   1)  
VCC  VBE
I B điện I = I
Dòng RB CQ  ( R B  R )
C E
 Chương III: TRANSISTOR BJT

VCC  I E RE  VCE  ( I B  I C ) RC
VCE  VCC  ( I B  I C )( RE  RC )
VCE  VCC   I B ( RE  RC )

VCE  VCC   I BQ ( RE  RC )
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.4 PHÂN CỰC TRANSISTOR

Phân cực bằng cầu phân áp
Xét mạch:
Để tính toán phân cực cho transistor
ta dùng định lí Thervenin
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.4 PHÂN CỰC TRANSISTOR

Phân cực bằng cầu phân áp
- Xác định RTh bằng cách ngắn mạh
nguồn điện áp.

- Xác định điện áp ETh như hình vẽ

 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.4 PHÂN CỰC TRANSISTOR

Phân cực bằng cầu phân áp
Xác định dòng điện IB như sau:

ETh  I B RTh  VBE  I E RE  0

Dòng IB
ETh  VBE
I
Dòng điện ICQ :B 
RTh   RE
Điện áp VCE : I CQ   I B
Thay IC bằng ICQ V
taCE  VV
được  I C ( RC  RE )
CCCEQ
Điểm làm việc tĩnh: Q(VCEQ ,ICQ ) V V  I CQ ( RC  RE )
CEQ CC
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.5 CÁC CHẾ ĐỘ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR:

Tùy theo việc phân cực hai mối nối JE và JC mà transistor làm việc ở
một trong 3 trạng thái sau:
- Trạng thái khuếch đại tuyến tính
JE phân cực thuận, JC phân cực ngược
- Trạng thái dẫn bảo hòa
JE phân cực thuận, JC phân cực thuận
- Trạng thái ngưng dẫn
JE phân cực ngược, JC phân cực ngược
Ba trạng thái của transistor được mô tả trên đặc tuyến ngõ ra của
transistor
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.6 BJT HoẠT ĐỘNG NHƯ 1 CÔNG TẮT (ON/OFF):

JE , JC phân cực ngược JE , JC phân cực thuận

 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.6 BÀI TẬP

Bài 1: Cho mạch như hình vẽ.
Transistor loại Si có Vγ = 0,7V; hệ số khuếch đại
dòng  =100. Xác định điểm làm việc tĩnh Q (VCE,
IC) và cho biết trạng thái hoạt động của BJT?
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.6 BÀI TẬP

Bài 2: Cho mạch khuếch đại như hình vẽ,
Transistor loại Si có Vγ = 0,7V;  =120.
Hãy xác định điểm làm việc tĩnh Q(VCE, IC).
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.6 BÀI TẬP

Bài 3: Cho tầng khuếch đại CE như hình vẽ,
Transistor loại PNP có Vγ = 0,7V;  = 100, Vcc = -5V.
Vcc= - 5V
Xác định điểm tĩnh làm việc Q, và cho biết trạng thái hoạt động
của BJT?
Rb Rc
100K 500

PN P

0
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.6 BÀI TẬP

Bài 4: Transistor có Vγ = 0,7V; Xác định điểm tĩnh làm việc Q, và cho
biết trạng thái hoạt động của BJT?
V c c = 9V
Vc c = - 5V Vc c = 15V

R2 Rc
Rb Rc
8K 800
Rb Rc 430K 910
100K 500
 =100

PN P R1 Re
 =300
2K 200
Re
 =100
100

0 0
0
(a) (b) (c)
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.6 BÀI TẬP

Bài 5: Cho sơ đồ mạch điện, xác định: Dòng IB ? (b) Dòng IC ? (c) Điện áp
VE ? (d) Điện áp VCE ?
 Chương III: TRANSISTOR BtJT

3.6 BÀI TẬP

Bài 6: Cho sơ đồ mạch điện, xác định giá trị điện trở RB
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.6 BÀI TẬP

Bài 7: Cho mạch điều khiển như hình vẽ:
a) Vẽ và giải thích dạng sóng ngõ ra.
b) Xác định RC và RB của mạch điện nếu Vγ = 0,7V, ICsat=10mA
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.6 BÀI TẬP

Bài 7:
Vcc=+5V

VIn(V)
RC=0.82kΩ VOut(V)
5 VOut
Q1 5
VIn
βDC=125
t RB=68kΩ
0 t
t1 t2 0
t1 t2
 Chương III: TRANSISTOR BJT

3.6 BÀI TẬP

Bài 8: Cho mạch điều khiển LED như hình vẽ, với V cc= 5V.
a) Với Vin= 0V hay 5V thì BJT có khả năng dẫn điện?
b) Xác định Rc để led đủ sáng (biết dòng qua LED là I led= 10mA và Vled= 2V.)
C) Với  =220, V = 0,7V hãy xác định Rb để Transistor có thể điều khiển LED sáng
ở chế độ dẫn bảo hòa.