ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

____________

Báo cáo thực tập điện tử tương tự tuần II

Bài 2: Transistor lưỡng cực BJT và các mạch khuếch đại

Họ và tên: Đỗ Quốc Việt – 21020951

Nguyễn Văn Thao – 21020938
Lớp: 2223II_ELT3102_5

Giáo viên hướng dẫn: CN. Trần Thanh Hằng

CN. Lưu Bách Hưng
TS. Nguyễn Đăng Phú
 Mục lục

1. Khảo sát đặc tuyến I-V của transistor NPN và PNP.......................................2

1.1.Kiểm tra sơ bộ transistor bằng Digital Multimeter..........................................2
1.2.Đo đặc tuyến lối ra IC = f(VCE ) với các IB = const của transistor NPN.........2
2. Khảo sát bộ khuếch đại kiểu Emitter chung CE.............................................3
2.1.Đo hệ số khuếch đại..........................................................................................4
2.2.Đáp ứng tần số của bộ khuếch đại...................................................................5
2.3.Khảo sát các mạch phản hồi âm cho tầng khuếch đại emitter chung..............7
2.3.1. Xác định hệ số khuếch đại....................................................................7
2.3.2. Khảo sát ảnh hưởng của các kiểu phản hồi âm lên đặc trưng tần số...8
2.3.3. Khảo sát ảnh hưởng phản hồi âm lên tổng trở vào..............................9
3. Khảo sát bộ khuếch đại kiểu Collector chung CC (bộ lặp lại emitter)........10
4. Khảo sát bộ khuếch đại kiểu Base chung CB.................................................11

1
1. Khảo sát đặc tuyến I-V của transistor NPN và PNP
 Nhiệm vụ: Kiểm tra sơ bộ transistor bằng ôm kế, đo họ đặc tuyến ra của
transistor loại npn-C1815 và transistor loại pnp-A1015.

1.1. Kiểm tra sơ bộ transistor bằng Digital Multimeter

 Vì BJT có cấu trúc gồm 2 lớp tiếp giáp pn nối đấu lưng nhau nên có thể
kiểm tra sơ bộ bằng 2 cách:
 Đo điện trở 2 lớp tiếp giáp này theo hướng phân cực thuận (rất nhỏ) và
phân cực ngược (rất lớn).
 Đo điện áp 2 lớp tiếp giáp theo hướng phân cực thuận (≈ 0 , 7 V ¿ và phân
cực ngược (0V).

 Khi chưa biết cực base B, ta tiến hành các phép đo ở hai chân bất kỳ, trong
các phép đo sẽ có 2 phép đo kim đồng hồ dịch chuyển. Chân chung cho 2
phép đo đó là chân B.
 Phân biệt cực C và E: Do lớp B rất mỏng nên độ dày/mỏng của 2 lớp tiếp
giáp BC và BE là khác nhau, ta có thể phân biệt 2 cực C và E theo cách
sau:
 Trường hợp npn: Ta đưa que đỏ tới một chân và que đen tới chân B,
nếu có sự thay đổi về thế (≈ 0 , 7 V ) thì chân đó là chân C, nếu không có
sự thay đổi thì chân đó là chân E.
 Trường hợp pnp: Tương tự như trường hợp npn nhưng các chân ngược
lại.

1.2. Đo đặc tuyến lối ra I C = f(V CE) với các I B = const của transistor NPN
 Cấp nguồn +12V cho mảng sơ đồ A2-1 cho transistor NPN – C1815.

2
 Bảng đo sự phục thuộc I C vào V CE khi I B cố định:
Dòng I B
Kiểu (Chỉnh Chỉnh P2
P1)
V CE (V) 0.123 0.136 0.16 0.19 0.26 0.41 0.55 0.62 0.68 0.71
10 μA
I C(mA) 1.6 1.98 2.39 2.59 2.79 2.98 3.12 3.17 3.21 3.23
V CE (V) 0.124 0.133 0.162 0.195 0.25 0.41 0.56 0.61 0.68 0.71
20 μA
I C(mA) 3.09 3.61 4.58 4.98 5.3 5.74 6.02 6.08 6.17 6.21
NPN
V CE (V) 0.123 0.137 0.165 0.19 0.25 0.4 0.55 0.62 0.71 0.74
30 μA
I C(mA) 4.64 5.8 6.96 7.52 8.08 8.61 9.05 9.19 9.31 9.36
V CE (V) 0.123 0.137 0.16 0.192 0.255 0.415 0.54 0.63 0.68 0.72
40 μA
I C(mA) 6.16 7.73 9.21 9.98 10.78 11.51 12.01 12.22 12.36 12.44

I B 4 =40 μA

I B 3=30 μA

I B 2=20 μA

I B 1=10 μA

C1 I −I
C2
Hệ số khuếch đại: β= I −I = 155.
B1 B2

2. Khảo sát bộ khuếch đại kiểu Emitter chung CE

 Nhiệm vụ: Khảo sát sơ đồ khuếch đại tín hiệu xoay chiều lắp trên một transistor
BJT mắc theo kiểu emitter chung CE, có trở gánh là điện trở. Sơ đồ này còn được

3
gọi là bộ đảo tín hiệu (BJT-resistor inverter) do tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu
vào.

V out
A = V¿
V ¿ =¿0.5V

2.1. Đo hệ số khuếch đại

 Cấp nguồn +12V cho mảng sơ đồ A2-2.

Trạng
Kiểu J1 J2 J4 J5 J6 J8 J9 Biên độ V OUT A
thái
1 K = K1 1 0 0 1 0 0 0 2,68 V 5,36

2 K = K2 0 1 0 1 0 0 0 2,38 V 4,76

3 K = K3 0 1 0 0 1 0 0 1,12 V 2,24

4 K = K4 0 1 0 0 1 1 0 4,74 V 9,48

5 K = K5 0 1 0 0 1 1 1 4,28 V 8,56

Các dạng sóng trên 2 kênh máy hiện sóng:

4
 K = K2 K = K1

K = K5 K = K4 K = K3

 Giải thích:
- Do thế lối vào là như nhau (V ¿ =¿0.5V) nên sự thay đổi hệ số
khuếch đại phục thuộc vào thế lối ra. Do sự phối hợp trở kháng của các
điện trở trong mạch, đặc biệt khi mắc J8 tụ điện sẽ cho phép nối tắt
xoay chiều qua trở RE sẽ không có trở phản hồi âm do đó hệ số
khuyếch đại không bị giảm đi nên 2 trường hợp cuối hệ số khuyếch đại
tăng lên lớn.
- Do dạng sóng lối ra bị ngược pha với dạng sóng lối vào nên bộ
khuếch đại này được gọi là bộ khuếch đại đảo. Ở các trường hợp K =
K1 và K = K2, biên độ sóng lối ra bị giới hạn.
 Khi điện áp lối vào tăng thì dòng I B tăng, do đó dòng I C cũng
tăng ( I C =β∗I B ), dẫn đến sụt áp trên RC tăng V C = V OUT giảm.
 Công thức liên hệ giữa I C và V C : V C = V CC - I C* RC
- Tại biên độ vào là 1.3 – 1.4 V thì dạng sóng ra bắt đầu bị méo
dạng. Nguyên nhân khiến sóng ra bị méo dạng:

5
  Do tín hiệu bị phân cực sai không được khuếch đại trong toàn
bộ chu kỳ của tín hiệu đầu vào khi đó xảy ra hiện tượng méo.
 Do đây là hiện tượng quá biên, lối ra bị bão hoà bởi nguồn nuôi
khi biên độ tín hiệu lối vào quá lớn. Thế Vout vượt qua mức
ngưỡng L+ và L-. Vùng méo dạng gọi là vùng bão hoà trong
chế độ hoạt động của transistor.

- Khi sóng ra chưa bị méo dạng, chọn điểm làm việc Q nằm ở giữa
vùng Acitve để biên độ sóng đầu ra đạt cực đại.

2.2. Đáp ứng tần số của bộ khuếch đại

 Cho biên độ sóng vào cố định (=50mV), thay đổi tần số sóng, ứng với mỗi
tần số đo biên độ lối ra.

100KH
f 100Hz 1KHz
z
1MHz 2MHz 5MHz 7MHz 10MHz

V ¿ (mV) 50 50 50 50 50 50 50 50

V OUT (mV) 250 256.5 200 52 26 13 10 7.5

A = V OUT /V ¿ 5 5.13 4 1.04 0.52 0.26 0.2 0.15

Đồ thị sự phụ thuộc hệ số khuếch đại A vào tần số theo thang

tuyến tính:
6
 Đồ thị sự phụ thuộc hệ số khuếch đại A vào tần số theo thang lô-ga-rit:

Xác định dải tuyền qua của bộ khuếch đại ? Giải thích nguyên nhân suy giảm ở
các tần số thấp và cao ?

 Do ảnh hưởng của các tụ tạp tán bên trong các lớp tiếp giáp của transistor
và các tụ ghép tầng trong mạch khuếch đại nên đáp ứng tần số của bộ

7
 khuếch đại có hệ số truyền bị hạn chế ở 2 phía tần số thấp và tần số cao.
Bộ khuếch đại mắc kiểu emitter chung CE sẽ có một dải truyền qua hạn
chế nhất định từ Wl đến Wh.
 Suy giảm ở tần số thấp:
- Do các tụ điện và điện trở nội của transistor và các linh kiện khác tạo
ra một mạch RC giữa chân vào và chân ra của transistor, gây suy
giảm tín hiệu đầu vào.
- Các tụ điện và điện trở tạo thành mạch lọc tần số thấp làm giảm biên
độ tín hiệu đầu vào ở các tần số thấp hơn tần số cắt mạch xác định.
 Suy giảm ở tần số cao:
- Do hiện tượng bán dẫn trở kháng của transistor tạo ra một tụ nối
ngược giữa chân vào và chân ra transistor.
- Tuy nhiên, tụ này làm cho tần số cắt tần số thấp của transistor tăng
lên, đồng thời giảm tần số cắt tần số cao của transistor, gây suy giảm
tín hiệu đầu vào ở các tần số cao hơn một tần số cắt xác định.

2.3.Khảo sát các mạch phản hồi âm cho tầng khuếch đại emitter chung.
2.3.1. Xác định hệ số khuếch đại.
Tính hệ số khuếch đại thế A = V OUT / V ¿cho mỗi kiểu mắc và ghi vào bảng
A2-B5.

Kiểu Trạng thái J1 J2 J4 J7 V ¿ (mV) V OUT (V) A

1 Không có phản hồi âm 1 0 0 1 50 5.1 102
2 Có phản hồi âm 1 1 0 0 0 56 0.265 4.73
3 Có phản hồi âm 2 0 1 1 1 56 5.1 91.07
4 Có phản hồi âm 1+2 0 1 1 0 58 0.2 3.45

 Nhận xét:

8
 o Trường hợp 1 mạch không phản hồi âm, giá trị khuếch đại A lớn hơn
rất nhiều so với mạch phản hồi âm 1.
o Mạch có phản hồi âm 2, không mắc R E và mắc thêm trở Rf ở RC làm
dòng IC giảm nên giá trị khuếch đại sẽ bị giảm 1 khoảng bé so với
không mắc Rf ( mạch không có phản hồi âm) nhưng vẫn rất lớn
( ~91.07) và khi mắc thêm RE (Có phản hồi âm 1+2) mạch có phản
hồi âm, giá trị khuếch đại đã được giảm đi rất nhiều.

2.3.2. Khảo sát ảnh hưởng của các kiểu phản hồi âm lên đặc trưng tần số:
Thay đổi tần số sóng vào theo bảng A2-B6 dưới đây. Đo biên độ sóng ra
ứng với mỗi tần số cho kiểu không phản hồi (nối J1, J5, J7) và có phản hồi
(nối J2, J4, J5). Ghi kết quả vào bảng.

f 100Hz 1KHz 100KHz 1MHz 2MHz 7MHz 10MHz 20MHz

V ¿ khi nối J1, J5, J7 40mV 38mV 30mV 44mV 18mV 28mV 38mV 44mV
V OUT khi nối J1,J5,J7 100m
620mV 220mV 24mV 18mV 20mV 54mV 26mV
V
A =VOUT/ VIN 2.50 16.32 7.30 0.55 1.00 0.71 1.42 0.59
V ¿khi nối J2, J4, J5 50mV 50mV 50mV 50mV 50mV 50mV 50mV 50mV
V OUT khi nối J2, J4, J5 210m
217mV 213mV 68mV 37mV 11.7mV 9.5mV 5.2mV
V
A =VOUT/ VIN 4.20 4.34 4.26 1.36 0.74 0.234 0.19 0.104

Sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số:

9
 2.3.3. Khảo sát ảnh hưởng phản hồi âm lên tổng trở vào:
Nối mạch như kiểu 1 trong bảng A2-B5 (không phản hồi âm - Nối J5, J1, J7).
Máy phát của thiết bị chính ở chế độ phát sóng sin ở tần số 1KHz, biên độ
200mV.
- Đo biên độ sóng ra máy phát Vm(0) khi chưa nối máy phát vào điểm
IN/A của sơ đồ.
- Cắm chốt máy phát vào điểm A. Cấp tín hiệu cho mạch. Đo biên độ
sóng vào Vm(1).
Nối cho trường hợp có phản hồi âm 1 + 2 (nối J2, J4, J5). Máy phát của thiết bị
chính ở chế độ phát sóng sin ở tần số 1 kHz, biên độ 200mV. Làm tương tự như
trường hợp 1.

R V M (0 )RI
Kiểu Trạng thái J1 J2 J4 J5 J7 J8 Vm(0) Vm(1) ¿=
V M ( 0) −V M (1)

Không có
1 1 0 0 1 1 0 200mV 58.2mV 705.2
phản hồi âm
Có phản hồi âm
2 0 1 1 1 0 0 200mV 61.8mV 723.6
1+2

 Kết luận: Mạch phản hồi âm có vai trò giúp cân bằng điểm làm việc tĩnh
Q-point cho transistor. Khi biên độ tín hiệu ra vượt qua mức mong đợi ta có
thể điều chỉnh bằng cách giảm biên độ tín hiệu đầu vào thông qua mạch
phản hồi âm, qua đó làm giảm hệ số khuếch đại của mạch, đông thời giảm
độ méo của bộ khếch đại. Mạch phản hồi âm làm tăng điện trở lối vào ( R¿),
giúp ổn định mạch.

3. Khảo sát bộ khuếch đại kiểu Collector chung CC (bộ lặp lại emitter)

Cấp nguồn +12V cho mảng sơ đồ.

10
 Nối J2 (Trở R5):
DòngiB /T 1 (Chỉnh P1) Dòngi E /T 1
1 i B 1 = 20µA i E 1 = 8mA
2 i B 2 = 30µA i E 2 = 12.5mA

i E 2−i E 1
Hệ số khuếch đại dòng DC: A(I) = i −i = 450
B2 B1

Nối J1 (Trở R4):

DòngiB /T 1 (Chỉnh P1) Dòngi E /T 1
1 i B 1 = 20µA i E 1 = 5.3mA
2 i B 2 = 30µA i E 2 = 8mA

i E 2−i E 1
Hệ số khuếch đại dòng DC: A(I) = i −i = 270
B2 B1

Nối J3(Trở R6):

DòngiB /T 1 (Chỉnh P1) Dòngi E /T 1
1 i B 1 = 20µA i E 1 = 5.2mA
2 i B 2 = 30µA i E 2 = 8.3mA

i E 2−i E 1
Hệ số khuếch đại dòng DC: A(I) = i −i = 310
B2 B1

Nhận xét: Việc đo đạc các đặc tính của transistor và tính hệ số khuếch đại
giúp ta hiểu được sự ảnh hưởng của các thành phần trong mạch tới hiệu suất
hoạt động của transistor. Khi nối với J1 (trở R4), transistor T1 sẽ được kết nối
thông qua trở R4 với điện áp V CC , dẫn đến giá trị dòng điện base và dòng điện
emitter khác so với khi nối với J2 hoặc J3. Tương tự, khi nối với J3 (trở R6),
transistor T1 được kết nối thông qua trở R6, cũng có thể ảnh hưởng đến giá
trị dòng điện base và dòng điện emitter của transistor T1. So sánh các trường
hợp, ta thấy được hiệu suất hoạt động của transistor là khác nhau

4. Khảo sát bộ khuếch đại kiểu Base chung CB

11
 Dòng iE/ T1 (chỉnh P1) Dòng iC / T1
1 iE1 = 0.1 mA iC1 = 0.1mA
2 iE2 = 0.15mA iC2 = 0.15mA

I C 2−I C 1
Hệ số truyền dòng: α= I E 2−I E 1
=1

 So sánh sự mất mát biên độ sóng khi nối trở tải cho 3 bộ khuếch đại emitter
chung CE, collector chung CC và base chung CB. Kết luận sơ bộ về khả
năng ứng dụng của mỗi loại.
 Khi nối trở tải cho bộ khuếch đại, sẽ xảy ra mất mát biên độ sóng,
do đó hiệu suất của mạch khuếch đại sẽ giảm đi. Tuy nhiên, mức độ mất
mát này sẽ khác nhau tùy thuộc vào loại bộ khuếch đại được sử dụng.

 Bộ khuếch đại emitter chung CE: Do trở kháng lối ra của

bộ khuếch đại emitter chung CE khá lớn, dẫn đến khi nối với trở
tải, sẽ gây ra hiện tượng suy giảm biên độ tín hiệu. Do đó, mất
mát biên độ sóng khi nối trở tải sẽ khá lớn.
 Bộ khuếch đại collector chung CC: Với bộ khuếch đại này,
trở kháng đầu ra của bộ khuếch đại thấp hơn so với bộ khuếch đại
emitter chung CE. Do đó, mất mát biên độ sóng khi nối trở tải sẽ
ít hơn so với bộ khuếch đại emitter chung CE. Mức độ mất mát
biên độ sóng khoảng từ 10% đến 30% biên độ sóng đầu vào.

 Bộ khuếch đại base chung CB: Mất mát biên độ sóng khi
nối trở tải sẽ là nhỏ nhất so với hai loại bộ khuếch đại trên. Mức

12
 độ mất mát biên độ sóng chỉ khoảng từ 2% đến 5% biên độ sóng
đầu vào. Điều này là do trở kháng đầu ra của bộ khuếch đại base
chung CB rất thấp.

 Kết luận: bộ khuếch đại base chung CB là loại bộ khuếch đại có khả năng
giảm mất mát biên độ sóng khi nối trở tải nhất, được ứng dụng khuếch đại tín
hiệu với công suất thấp và tần số thấp. Theo sau đó là bộ khuếch đại collector
chung CC, được sử dụng trong các ứng dụng khuếch đại sóng vô tuyến, tín
hiệu ở mức độ cao. Cuối cùng là bộ khuếch đại emitter chung CE, được sử
dụng điều khiển tín hiệu và khuếch đại tín hiệu ở mức độ trung bình.

13