ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

____________

Báo cáo thực tập điện tử tương tự tuần II

Thực nghiệm 4: Transistor trường FET – khoá
chuyển mạch dùng FET

Họ và tên: Đỗ Quốc Việt – 21020951

Nguyễn Văn Thao – 21020938
Lớp: 2223II_ELT3102_5

Giáo viên hướng dẫn: CN. Trần Thanh Hằng

CN. Lưu Bách Hưng
TS. Nguyễn Đăng Phú
 Mục lục

1. Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS...............2
1.1.Khảo sát khuếch đại 1 chiều (DC):..................................................................2
1.2.Khảo sát khuếch đại xoay chiều AC.................................................................4
2. Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET.........................................................................7
2.1.Khảo sát hoạt động với tín hiệu 1 chiều (DC)..................................................7
2.2.Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC).............................................8
3. Sơ đồ khóa song song dùng JFET.....................................................................9
4. Các sơ đồ khuếch đại trên MOSFET..............................................................11
4.1.Sơ đồ source chung CS...................................................................................11
4.2.Sơ đồ Drain chung CD...................................................................................13
4.3.Sơ đồ Gate chung CG.....................................................................................14

1
1. Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS
 Nhiệm vụ: Khảo sát nguyên tắc khuếch đại của transistor trường, sơ đồ mắc
kiểu source chung và đo hệ số khuếch đại của transistor trường.

1.1. Khảo sát khuếch đại 1 chiều (DC):

Nêu đặc điểm khác biệt giữa transistor trường (yếu tố điều khiển bằng thế)
và transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển bằng dòng).

Transistor trường (FET) Transistor lưỡng cực (BJT)

-Yếu tố điều khiển là điện thế.
-Có dạng kênh dẫn hoặc dạng
ngưỡng.
-Có điện trở đầu vào rất lớn
 dòng đầu vào rất nhỏ.
-Dòng chảy giữa đầu vào và ra
được điều khiển bằng điện thế ở
cổng điều khiển.
-Được dùng để khuếch đại và
chuyển đổi tín hiệu.
-Yếu tố điều khiển là dòng.
-Có 2 loại là NPN hoặc PNP.
-Có điện trở đầu vào thấp
 dòng đầu vào lớn hơn FET.
- Dòng chảy giữa đầu vào và ra
được điều khiển bằng dòng điện ở
cổng điều khiển.
-Được dùng để khuếch đại và
chuyển đổi tín hiệu.

Ghi giá trị dòng I D và thế V DS trên transistor trường tại mỗi giá trị U V được
điều chỉnh.

2
 U V (V) -9.23 -7.12 -3 -2.63 -2.48 -2.3 -1.05 -0.63 0
I D (mA) -0.04 -0.03 -0.02 -0.02 -0.007 0.02 0.54 0.7 0.95
V DS(V) 11.7 11.7 11.7 11.7 11.6 11.8 11.7 11.7 11.8

 Đặc tuyến I D = f(V GS) với V DS = const gọi là đặc tuyến truyền đạt.
 Độ dốc của đường đặc tuyến xác định bằng độ khuếch đại của transistor

 U V = V GS = -0.28V
ID
1.07 1.22 1.44 1.67 1.91 2.13 2.38 2.66 3.05 3.16 3.24
(mA)
V DS
304.1 352.1 428.8 515.2 616 725 868 1100 2376 4683 7950
(mV)

 U V = V GS = -0.13V

3
 ID
1.07 1.12 1.2 1.35 1.55 1.75 1.86 2.05 2.35 2.54 3.15 3.42 3.75 3.98
mA
V DS
277 292.5 316.7 357.9 420.3 481.7 521.4 593.1 719 804 1104 1344 2222 8190
mV

Đồ thị họ đặc tuyến lối ra:

V GS tăng

4
 1.2. Khảo sát khuếch đại xoay chiều AC
 Giữ nguyên sơ đồ đã xác lập ở mục 1.1 , nối J1, J2, ngắt J3.

Thay đổi biên độ tín hiệu vào từ 10mV đến 500mV. Đo biên độ tín hiệu ra
tương ứng.
V ¿ (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV
Biên độ
V out 28mV 106mV 186mV 282mV 360mV 444mV

A 2.8 1.06 0.93 0.94 0.9 0.888

V out
Hệ số khuếch đại A =
V¿

Một số dạng sóng ra tương ứng với các biên độ tín hiệu vào:

5
 10mV 100mV

200mV 400mV

Đổi chế độ phát từ phát từ sóng vuông góc sang phát sóng dạng hình sin. Đo biên độ
tín hiệu vào và tín hiệu ra ở mỗi tần số:

F(MHz) 0.001 0.01 0.1 0.5 1 10 15 20 50

Biên độ
V out (mV) 6.6 66 66 62 60 88 50 38 22

A 0.06 0.6 0.6 0.569 0.55 0.807 0.459 0.349 0.202

V out
Hệ số khuếch đại A = V ¿ = 109mV
V¿

Đồ thị biểu diễn kết quả sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số:

6
  Tháo dây tín hiệu khỏi chân IN, biên độ tín hiệu từ lối ra máy phát tín hiệu
(không tải) = 115mV.
 Khi mắc dây tín hiệu vào chân IN (có tải), biên độ tín hiệu sẽ bị giảm do tải
ảnh hưởng đến điện áp trên đầu vào của sơ đồ. Khi không có dây tín hiệu
vào chân IN (không tải), biên độ sóng sẽ được giữ nguyên và không bị
giảm. Biên độ tín hiệu lối ra khi tháo dây tín hiệu ở chân ỊN (không có tải
≈ 115 mV ) cao hơn biên độ tín hiệu khi có tải (≈ 109 mV ).
( 115−109 )∗100
 Sự mất mát biên độ = 115
= 5.217%

2. Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET

 Nhiệm vụ: Nắm được nguyên tắc hoạt động của transistor trường trong sơ
đồ khoá tương tự kiểu nối tiếp (transistor trường mắc nối tiếp với nguồn tín
hiệu).

7
2.1. Khảo sát hoạt động với tín hiệu 1 chiều (DC)
Thay đổi thế nguồn V - IN/A theo các giá trị cho trong bảng. Đo giá trị thế
ra tại OUT/C:

Vin (IN) 0.5V 1V 2V 3V 4V 5V

Biên độ Vout
0.253 0.504 0.974 1.279 1.311 1.317
V →-12V
Biên độ Vout
0.261 0.522 1.052 1.581 2.091 2.608
(J1 nối)

 Kết luận:
 Khi chốt V được nối với nguồn -12V (không cho phép transistor trường
T1 dẫn), ta có biên độ thế ra (Vout) tăng dần khi giá trị thế vào (Vin) tăng
dần. Tuy nhiên, mức độ tăng không đều, nó tăng chậm dần khi Vin càng
tăng lên.
 Khi J1 được nối, ta thấy mối quan hệ tuyến tính giữa thế ra và thế vào tiếp
tục được duy trì, tuy nhiên lúc này transistor T1 dẫn, giá trị thế đầu ra
trong trường hợp này(Vout) tương ứng với các giá trị thế đầu vào (Vin)
cao hơn so với trường hợp trước.
Mối liên hệ giữa thế ra và thế vào theo tín hiệu điều khiển là tuyến tính. Đồng
thời cho thấy transistor T1 có vai trò dẫn, giúp tăng biên độ lối ra, cải thiện độ
lợi của mạch, giúp mạch hoạt động hiệu quả hơn.

2.2. Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC)

Dạng tín hiệu lối ra khi nối chốt V với nguồn -12V

8
  Nhận xét: Khi nối chốt V với nguồn -12V, cho phép transistor T1
dẫn, lúc này điện trở lối vào khá lớn, điện trở lối ra bé khiến cho sóng
đầu vào và ra bị méo dạng.

Ngắt chốt V khỏi nguồn -12V. Nối chốt J1. Dạ tín hiệu lối ra:

Tháo dây từ ngoài tới lối vào (IN). Nối đất lối vào IN/A.

9
 Giá trị thế gia lúc này (thế đề truyền qua) ≈ 8.9V

3. Sơ đồ khóa song song dùng JFET

 Nhiệm vụ: Nắm được nguyên tắc hoạt động của transitor trường trong sơ đồ
khoá tương tự kiểu song song (transistor trường mắc song song với nguồn
tín hiệu).

 Do transistor trường có trở trong vùng cut-off rất lớn nên thường hay được
sử dụng như các khóa chuyển mạch đóng-mở trong các sơ đồ điện tử.
 Dạng tín hiệu theo tín hiệu điều khiển ở lối vào điều khiển (CTRL):

10
 Thay đổi thế vào IN trong khoảng từ 0...+ 5V , đo biên độ tín hiệu ra
tương ứng
Vin (IN) 0,5V 1V 2V 3V 4V 5V
Biên độ Vout 50mV 110mV 220mV 355mV 570mV 960mV

 Nối đất với lối vào (IN), biên độ sóng đế truyền qua = 63.5mV.

Cấp nguồn xoay chiều ~9V từ nguồn AC SOURCE của thiết bị chính cho lối vào
IN/A sơ đồ A4-3. Chốt ~0V nối đất. Quan sát và vẽ dạng xung ra theo xung điều
khiển (CTRL) và tín hiệu vào:

Sơ đồ khoá song song:

11
 - Khi khóa K mở: Vout = Vin Khi
- Khoá K đóng (nối): Vout = 0

4. Các sơ đồ khuếch đại trên MOSFET

 Nhiệm vụ: Nắm được nguyên tắc khuếch đại của transistor MOSFET
trong các sơ đồ mắc kiểu source chung Drain chung và Gate chung.

4.1. Sơ đồ source chung CS

 Giá trị dòng ban đầu qua T1 = 1.68mA

Thay đổi biên độ tín hiệu vào từ 20mV đến 500mV. Đo biên độ tín hiệu ra
tương ứng:

12
 V ¿ (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV
Biên độ V out 36.5mV 286mV 580mV 945mV 1510mV 2120mV
A 3.65 2.86 2.9 3.15 3.775 4.24

V out
 Hệ số khuếch đại A = V¿

Một số dạng tín hiệu vào và ra:

Đổi chế độ phát của thiết bị chính từ phát sóng vuông sang phát sóng dạng hình
sin. Thay đổi tần số sóng vào từ cực tiểu đến cực đại. Đo biên độ sóng vào và
sóng ra ở mỗi tần số:

F (MHz) 0.05 0.1 0.5 1 2 5 10 20

Biên độ V out
77.5 91 83.5 74 53 27 15 5.5
(mV)
A 1.348 1.582 1.452 1.287 0.922 0.47 0.26 0.096

V out
Hệ số khuếch đại A =
V¿
V¿ = 57.5mV
Đồ thị biểu diễn kết quả sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số:

13
  Biên độ lối vào tại IN = V ¿ = 57.5mV
 Tháo dây tín hiệu khỏi chân IN, biên độ tín hiệu từ lối ra máy phát
sóng (không tải) = V out = 56mV
 Khi tháo dây tín hiệu ra khỏi chân IN, mạch không có ảnh hưởng bởi
điện trở vào của sơ đồ. Lúc này biên độ lối ra đã có sự mất mát.
Biên độ lối ra lúc không có tải bé hơn biên độ lối ra lúc có tải vào
 Sự mất mát biên độ do sự ảnh hưởng của điện trở lối vào =
( 57.5−56 )∗100
= 2.61%
57.5

4.2. Sơ đồ Drain chung CD

14
 Thay đổi biên độ tín hiệu vào từ 100mV đến 5V. Đo biên độ tín hiệu ra
tương ứng.

Vin(IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV

Biên độ Vout 10mV 13.5mV 13mV 9mV 18.5mV 21.5mV
A 1 0.135 0.065 0.03 0.04625 0.043

Dạng tín hiệu vào và ra:

4.3. Sơ đồ Gate chung CG

 Giá trị dòng ban đầu qua T3 = 0.01mA

Thay đổi biên độ tín hiệu vào từ 100mV đến 5V. Đo biên độ tín hiệu ra
tương ứng.

V¿ 0.1 1 2 3 4 5
Biên độ V out 0.145V 0.26V 0.48V 0.63V 0.77V 0.98V

15
A 1.45 0.26 0.24 0.21 0.1925 0.196

V out
 Hệ số khuếch đại A =
V¿

16