Thực Nghiệm 4:

Transistor trường FET

Khóa chuyển mạch dùng FET
Mạch thí nghiệm AE – 104 Module:

1. Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS
1.1. Khảo sát khuếch đại 1 chiều (DC):
Transistor trường (yếu tố điều khiển bằng thế): Có trở kháng vào cao hơn nhiều và có
độ hỗ dẫn cũng như hệ số khuếch đại thế thấp hơn.
Transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển bằng dòng): Từ ba khối có ba điện cực nối ra.
Ở giữa là cực nền (base) ký hiệu B, hai bên là cực phát (emitter) ký hiệu E, và cực thu
(collector) ký hiệu C.
V =206.3mV
Bảng A4-B2
UV -9.25V -7.24V -4.933V -0.88V -0.631V 0.653V
ID 97 μA 97 μA 97.1 μA 837 μA 1007 μA 1007 μA
V DS 10.9V 10.9V 10.9V 1.97V 0.14V 0.13V

1.2. Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC):

Bảng A3-B3:
Vin(IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV
Biện độ 22mV 220mV 500mV 520mV 520mV 520mV
Vout
A 2.2 2.2 2.5 1.73 1.3 1.04

F 100Hz 1KHz 2KHz 3KHz 4KHz 5KHz

Biên độ Vout 1.25 6.6 7.4 8.2 8.2 8.2
 A 2.5 13.2 14.8 16.4 16.4 16.4

Vout
A=
Vin
Biên độ tín hiệu trong hai trường hợp khác nhau:
Biên độ Vin tăng thì biên độ Vout tăng đến mức hạn nhất định và hệ số khuếch đại giảm dần.
Tần số Hz tăng dần thì biên độ Vout tăng đến mức hạn nhất định và hệ số khuếch đại tăng dần đến mức
nhất định.
Sự mất mát biên độ (23%) do ảnh hưởng điện trở vào cửa sơ đồ và hao hụt của linh kiện và thiết bị.
2. Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET

2.1. Khảo sát hoạt động với tín hiệu 1 chiều (DC)
Vin(IN) 0.5V 1V 2V 3V 4V 5V
Biên độ Vout ≈0V ≈0V ≈0V ≈0V ≈0V ≈0V
V-12V
Biên độ Vout 105.2mV 170mV 332mV 470mV 610mV 821mV
( J1 nối)
Khi không nối J1 thì T1 JFETN sẽ bị cấm tại Vout do dòng điện không đi qua.
Khi nối J1 thì T1 JFETN tại Vout sẽ có dòng điện đi qua do được nguồn điện cấp vào.
2.2 Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC)

Kênh 1 có.
Kênh 2 không.
Dạng sóng vuông.
Sóng có tín hiệu.
V thế= 0.14V
3. Sơ đồ khóa song song dùng JFET

Vin(IN) 0.5V 1V 2V 3V 4V 5V
Biên độ 13mV 27mV 67mV 108mV 160mV 220mV
Vout

4. Các sơ đồ khuếch đại trên MOSFET

4.1. Sơ đồ source chung CS

420mA
930mV

Vin(IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV

Biên độ 160mV 620mV 1250mV 1900mV 2330mV 3000mV
Vout
A 9 6.2 6.025 6.35 5.825 6

f 100Hz 1000Hz 2000Hz 3000Hz 4000Hz 5000Hz

Biên độ V 0.655V 2.8V 2.88V 2.88V 2.88V 2.88V
out
A 0.655 2.8 2.88 2.88 2.88 2.88
Đặt Vin=1 V

Vin thay đổi làm thay đổi hệ số khuếch đại, khi Vin tăng thì Vout tăng nhưng tỉ lệ tăng nhỏ hơn
Vin nên hệ số khuếch đại giảm và giảm đến mức 6.
f thay đổi làm thay đổi hệ số khuếch đại, khi f tăng thì Vout tăng nên hệ số khuếch đại tăng và
 tăng đến mức 2.88.
Sự mất mát biên độ (22%) do ảnh hưởng của điện A trở vào của sơ đồ.
4.2. Sơ đồ Drain chung CD

Vin(IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV

Biên độ 40mV 180mV 300mV 380mV 460mV 660mV
Vout
A 4 1.8 1.5 1.267 1.15 1.32
4.3. Sơ đồ Gate chung CG

Vin(IN) 0.1V 1V 2V 3V 4V 5V
Biên độ 0.9V 1.7V 2.4V 3.1V 3.6V
Vout
A 0.9 0.85 0.8 0.75 0.72