THỰC NGHIỆM 4

TRANSISTOR TRƯỜNG FET - KHÓA

CHUYỂN MẠCH DÙNG FET

Họ và tên: Nguyễn Tấn Dũng

Mã số SV: 19021590

Mục đích: Khảo sát các đặc tuyến I-V của transistor trường JFET và MOSFET.
Khảo sát các thông số của các mạch khuếch đại đơn FET mắc theo các kiểu
Source chung CS, Gate chung CG và Drain chung CD. Một số chuyển mạch
điện tử tương tự FET dùng cho các sơ đồ điện tử cũng được khảo sát.

THỰC NGHIỆM

Mạch thí nghiệm AE – 104 Module:

1. Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS
• Nhiệm vụ: Khảo sát nguyên tắc khuếch đại của transistor trường,
sơ đồ mắc kiểu source chung và đo hệ số khuếch đại của transistor trường.

1
 • Bản mạch thực nghiệm: A4 – 1

1.1. Khảo sát khuếch đại 1 chiều (DC):

.
- Ghi giá trị dòng và thế trên của transistor trường.
- Giá trị dòng của transistor trường: I = 2.26mA
- Giá trị thế của transistor trường: V = 0.46V

Nêu đặc điểm khác biệt giữa transistor trường (yếu tố điều khiển
bằng thế) và transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển bằng dòng).
- Transitor lưỡng cực (BJT) : BJT bao gồm hai điểm nối PN (một điểm nối được
tạo bằng cách kết nối chất bán dẫn loại P và chất bán dẫn loại N). Hai điểm nối
này được hình thành bằng cách kết nối ba phần bán dẫn theo thứ tự P-N-P hoặc
2
 N-P-N. Có hai loại BJT được gọi là PNP và NPN. Ba điện cực được kết nối với
ba phần bán dẫn này và dây dẫn giữa được gọi là “cơ sở”. Hai nút giao khác là
“bộ phát” và “bộ thu”. Trong BJT, dòng phát cực lớn (IC) được điều khiển bởi
dòng phát cực nhỏ (IB) và thuộc tính này được khai thác để thiết kế bộ khuếch
đại hoặc công tắc. Ở đó cho nó có thể được coi là một thiết bị điều khiển hiện
tại. BJT chủ yếu được sử dụng trong các mạch khuếch đại.

- Transitor hiệu ứng trường (FET) : FET được tạo thành từ ba cực được gọi là
“Cổng”(Gate), “Nguồn”(Source) và “Máng”(Drain). FET là thiết bị điều khiển
điện áp. Tùy thuộc vào loại chất bán dẫn được sử dụng cho cổng S và cổng D
(trong FET, cả hai loại này đều được làm cùng loại chất bán dẫn), FET có thể là
thiết bị kênh N hoặc kênh P. Cổng S để thoát dòng chảy được kiểm soát bằng
cách điều chỉnh độ rộng kênh bằng cách đặt một điện áp phù hợp vào cổng.
Cũng có hai cách để kiểm soát độ rộng kênh được gọi là cạn kiệt và tăng cường.
Do đó, FET có sẵn trong bốn loại khác nhau, chẳng hạn như kênh N hoặc kênh
P với chế độ cạn kiệt hoặc tăng cường.

Bảng A4-B2
UV 2,38 0,36 0,28 0,23 0,04 -1,25
ID 0 0,22 0,76 1,1 2,19 2,28
VDS 12 10,9 8,13 6,39 0,85 0,38

Biểu diễn trên đồ thị các giá trị đo được giữa dòng ID (trục y) và thế VDS(trục
x).

1.2. Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC):

3
Bảng A4-B3

Vin 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV

(IN)
Biên
độ 0,2V 2,4V 4,8V 7,2V 9,6V 12,4V
Vout
A 20 24 24 24 24 24,8
Tính hệ số khuếch đại thế A = VouJVin cho mỗi bước. Ghi các kết quả vào
bảng A4-3.

- Giữ biên độ tín hiệu vào ở 100mV. Vẽ dạng tín hiệu ra.
4
5
Bảng A4-B4

F 1k 2k 3k 5k 10k 12k
Biên độ
Vout 2,3V 2,3V 2,3V 2,3V 2,3V 2,3V
A 23 23 23 23 23 23

Biểu diễn kết quả sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số.

- Đo biên độ tín hiệu vào tại lối vào IN.

Vin = 100mV
- Tháo dây tín hiệu khỏi chân IN, đo biên độ tín hiệu từ lối ra máy phát tín
hiệu (không tải).
Vout = 55.5mV

So sánh biên độ tín hiệu trong hai trường hợp, tính sự mất mát biên độ (%)
do ảnh hưởng
điện trở vào của sơ đồ.
- Trong 2 trường hợp trên, biên độ tín hiệu lối ra bị mất một nữa so với tín hiệu
lối vào do có ảnh hường của điện trở trong mạch.
- Hệ số mất mát biên độ là A = 44.5%

2. Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET

6
 • Nhiệm vụ: Nắm được nguyên tắc hoạt động của transistor trường
trong sơ đồ khoá tương tự kiểu nối tiếp (transistor trường mắc nối tiếp với
nguồn tín hiệu).
• Bản mạch thực nghiệm: A4-2

2.1. Khảo sát hoạt động với tín hiệu 1 chiều (DC)
- Nối lối vào IN/A sơ đồ A4-2 với nguồn điều chỉnh 0 ÷ +15V của thiết bị
chính.
- Nối chốt V với nguồn -12V để cấm transistor trường T1. Thay đổi thế
nguồn V- IN/A theo các giá trị cho trong bảng A4-B5. Đo giá trị thế ra

7
 DC tại OUT/C. Ghi kết quả vào bảng A4-B5.
- Ngắt chốt V khỏi nguồn -12V. Nối J1. Thay đổi thế nguồn V - IN/A theo
các giá trị cho trong bảng A4-B5. Đo giá trị thế ra tại OUT/C. Ghi kết quả
vào bảng A4-B5
Bảng A4-B5

Vin (IN) 0,5V 1 2 3 4 5

V V V V V
Biên độ
Vout -11,9 -11,9 -11,9 -11,9 -11,9 -11,9
V →-12V
Biên độ
Vout 0,115 0,386 0,77 1,16 1,543 1,927
(J1 nối)
Kết luận về mối liên hệ giữa thế ra và thế vào theo tín hiệu điều khiển.
- Thế ra và thế vào tỉ lệ thuận với nhau.
- Khi tăng thế vào thì thế ra cũng tăng và ngược lại, nhưng tỉ lệ tăng giữa các
trường hợp lại không đồng đều.
2.2 Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC)

8
 Nhận xét hiện tượng.
Khi ngắt chốt V khỏi nguồn -12V. Nối chốt J1.
Kết quả mô phỏng thí nghiệm:

Tín hiệu lối ra tăng giảm theo chu kỳ theo tín hiệu điều khiển CTRL và tín hiệu lối
vào. Sự tăng giảm có tính đồng đều theo tín hiệu điều khiển.
- Ngắt chốt V khỏi nguồn -12V. Nối chốt J1. Quan sát dạng tín hiệu ra theo
tín hiệu điều khiển CTRL và tín hiệu vào.

- Tháo dây từ ngoài tới lối vào (IN). Nối đất lối vào IN/A. Quan sát xem có
tín hiệu ra không.
Đo giá trị thế ra này (thường gọi là thế đế truyền qua).

9
Lúc này vẫn có tín hiệu lối ra do có sự cung cấp điện thế lối vào tại chốt V và máy phát
sóng.
Giá trị thế đế truyền qua: Vout = 0.1V

3. Sơ đồ khóa song song dùng JFET

• Nhiệm vụ: Nắm được nguyên tắc hoạt động của transitor trường trong sơ
đồ khoá tương
tự kiểu song song (transistor trường mắc song song với nguồn tín hiệu).
• Bản mạch thực nghiệm: A4-3

10
Dạng tín hiệu lối vào và lối ra của thí nghiệm:

Bảng A4-B6

Vin (IN) 0,5V 1 2 3 4 5

V V V V V
Biên độ 0,0613 0,0636 0,0683 0,074 0,078 0,083
Vout
11
 - Nối đất với lối vào (IN), đo biên độ sóng đế truyền qua.
Vout = 0.06V
- Cấp nguồn xoay chiều ~9V từ nguồn AC SOURCE của thiết bị chính cho
lối vào IN/A sơ đồ A4-3. Chốt ~0V nối đất.

Quan sát và vẽ dạng xung ra theo xung điều khiển (CTRL) và tín hiệu vào.

Dạng tín hiệu lối ra:

Tín hiệu lối ra tăng rồi giảm theo chu kỳ theo tín hiệu điều khiển và tín hiệu vào

4. Các sơ đồ khuếch đại trên MOSFET

12
 • Nhiệm vụ: Nắm được nguyên tắc khuếch đại của transistor MOSFET
trong các sơ đồ
mắc kiểu source chung Drain chung và Gate chung.
4.1. Sơ đồ source chung CS
• Bản mạch thực nghiệm: A4 - 4.

Ghi giá trị dòng ban đầu qua T1.

IT1 = 2.35mA
Dạng tín hiệu vào và tín hiệu ra của thí nghiệm:

13
Bảng A4-B7

Vin (IN) 10mV 100m 200mV 300mV 400mV 500m

V V
Biên độ Vout 0,1V 0,6V 1,4V 2V 2,8V 3,4V
A= Vout/Vin 10 6 7 6,67 7 6,8

- Đổi chế độ phát của thiết bị chính từ phát sóng vuông sang phát sóng
dạng hình sin. Thay đổi tần số sóng vào từ cực tiểu đến cực đại (bằng
cách chỉnh tần số máy phát của thiết bị chính), khi giữ nguyên biên độ
sóng vào.

14
Bảng A4-B8

F(Hz) 1k 5k 10k 100k 1M 2M

Biên độ
Vout 0,4 0,4 0,4 0,4 0,3375 0,275
A 8 8 8 8 6,75 5,5

Biểu diễn đồ thị kết quả sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số.

15
 - Đo biên độ tín hiệu vào tại lối vào IN.

Vin = 50mV

- Sau đó tháo dây tín hiệu khỏi chân IN, đo biên độ tín hiệu từ lối ra máy
phát sóng (không tải).

Vout = 0.0258V

So sánh biên độ sóng để tính sự mất mát biên độ (%) do ảnh hưởng của
điện A trở vào của sơ đồ.
- Biên độ sóng lối vào và biên độ sóng lối ra khi không tải chênh lệch với nhau
xấp xỉ một nửa.
- Hệ số mất mát biên độ do ảnh hưởng của điện trở đối với mạch là : A = 48.4%

4.2. Sơ đồ Drain chung CD

• Bản mạch thực nghiệm: A4-5.

16
 - Ghi giá trị dòng ban đầu qua T2.
IT2 = 2.12mA
Bảng A4-B9

Vin(IN) 10mV 100mV 200m 300mV 400mV 500mV

V
Biên độ
Vout 1V 9,6V 19V 29V 38,6V 48V
A 100 96 95 96,67 96,5 96

Vẽ dạng tín hiệu vào và ra.

17
4.3. Sơ đồ Gate chung CG
• Bản mạch thực nghiệm: A4-6

18
 - Ghi giá trị dòng ban đầu qua T3 .
IT3 = 0.01mA
Bảng A4-B10

Vin (IN) 0,1V 1 2 3 4 5

V V V V V
Biên độ 0,2V 1V 2,4V 3,4V 4,4V 5,6V
Vout
A 2 1 1,2 1,13 1,1 1,12

Vẽ dạng tín hiệu vào và ra.

19