CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

 ĐỘC LẬP – TỰ DO – HẠNH
HẠNH PHÚC

 ĐẠI HỌC QUỐC

QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ
------------------------------   ------------------------------

THỰC NGHIỆM 4
TRANSISTOR TRƯỜNG FET
KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG FET

Họ và tên: Nguyễn Mạnh Hà

Ngày sinh: 15/02/2001
Mã sinh viên: 19021445
Lớp môn học: ELT-2035-21

Khoa: Điện tử viễn thông

Trường Đại học Công Nghệ - Đại học Quốc Gia Hà Nội
 

II.THỰC NGHIỆM

1. Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS
 

Mạch trên proteus

1.1. Khảo sát khuếch đại 1 chiều (DC):

Các bước làm:
 

Câu hỏi: 
hỏi:  Nêu đặc điểm khác
khác biệt giữa transistor
transistor trường (yếu tố điều khiển bằng
thế) và transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển bằng dòng).

Transistor trường (FET) Transistor lưỡng cực (BJT)

- Là transistor đơn cực - Là một linh kiện lưỡng cực
-- Đ
Đắộtổtinềnđịnh nhiệt tốt -- R
Phẻụtitềhnuộc vào nhiệt độ
 

- Kích thước nhỏ - Kích thước lớn

- Không có thế offset - Có thế offset
- Trở kháng lối ra thấp (độ lợi ít) - Trở kháng lối ra cao (độ lợi cao)
- Có tốc độ chuyển mạch và tần số cắt cao - Có tốc độ chuyển mạch và tần số cắt
hơn thấp hơn
- Công suất tiêu thụ thấp - Công suất tiêu thụ cao
- Có hệ số nhiệt độ dương - Có hệ số nhiệt độ âm
- Phân cực khó - Phân cực đơn giản
- Có 3 chân: drain, ssoource và gate - Có 3 chân: common, emitter và base
- Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào các hạt - Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt
mang điện đa số là lỗ trống hoặc electron mang điện đa số cũng như thiểu số
- Trở kháng lối vào lớn - Trở kháng lối vào nhỏ (1kΩ -3kΩ)
- Là th
thiết bbịị đđiiều kh
khiển bằ
bằng đi
điện áp
áp - Là
Là thiết bị điều kkhhiển ddòòng điện
- Ít nhiễu (Do không có lớp chuyển tiếp và - Nhiễu hơn FET (Do có lớp tiếp giáp p-n)
tiếp giáp)

Câu hỏi: 
hỏi:  Ghi giá trị dòng
dòng và thế trên của transistor
transistor trường
= 2.32mA
 I  D

V  DS  = 0.17V
Chỉnh P2 để dòng ID qua T1 ~ 1mA. => V   = 0.07V
 DS

U V  -9.3V -3.56V -1.01V -0.7V 0.25V 0.24V

 I  D 0mA 0mA 0.38mA 1.83mA 3.2mA 3.24mA
V  DS 11V 11V 9.6V 4.72V 0,66V 0.3V

Câu hỏi: 
hỏi:  Biểu diễn đ thị giữa dòng ID (trục y) và thế VDS (trục x)
 

1.2. Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC):

Các bước làm:
 

Chú thích: Đầu ra là đường màu xanh, đầu vào là đường màu vàng.
 

Câu hỏi: Ghi
hỏi: Ghi các kết quả vào bảng A4-B3. Tính hệ số khuếch đại thế A =
Vout/Vin cho mỗi bước. Ghi các kết quả vào bảng A4-3.
V ¿ (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV
Biên độ V out  150mV 1.55V 3.1V 4.75V 5.75V 5.75V
A 15 15.5 15.5 15.76 14.125 12.25

Các bước làm:

Tín hiệu ra:

 

Thay đổi sang song vào sin:

Câu hỏi: Tính hệ số khuếch đại thế A cho mỗi bước dịch tần số. Ghi các kết quả
vào bảng A4-B4.
 

 F  100Hz 1kHz 10kHz 100KHz 1MHz 10MHz

Biên độ V out  1.38V 1.38V 1.38V 1.38V 1.38V 1.38V
A 13.8 13.8 13.8 13.8 13.8 13.8

Câu hỏi: Biểu diễn kết quả sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số.
-2 TH không thay đổi giá trị Vout và A nên đ thị sẽ là đường ngang
-Sự không thay đổi này có thể là do proteus là mạch trong đk lý tưởng khác với
thực tế
Câu hỏi: So sánh biên độ tín hiệu trong hai trường hợp, tính sự mất mát biên độ
(%) do ảnh hưởng điện trở vào của sơ đ.

-2 TH không thay đổi giá trị Vin có thể là do proteus trong đk lý tưởng
2. Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET
 

2.1. Khảo sát hoạt động với tín hiệu 1 chiều (DC)
Các bước làm:
 

Bảng A4-B5
V ¿ (I
 (IN) 0.5V 1V 2V 3V 4V 5V
Biên độ V  out  0.24V 0.24V 0.24V 0.24V 0.24V 0.24V
V ⟶12V
Biên độ V  out  0.18V 0.6V 0.92V 1.35V 1.73V 2.84V

Câu(J1 nối)
hỏi:  Kết luận về mối liên hệ giữa thế ra và thế vào theo tín hiệu điều khiển

+ Khi Transistor trường T1 bị cấm  Trường hợp khoá mở.

+ Khi nối J1, transistor đóng vai trò như khoá đóng.
2.2 Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC):
Các bước làm:
 

- Khi nối với ngun -12V: Tín hiê  ụ dao động liên tục ở phần dương của Vout.
 

-Ngắt chốt V khỏi ngun -12V. Nối chốt J1: Tín hiê  ụ Vout vẫn dao động liên tục nhưng
 biên độ trong 1 chu kì có phần
phần lớn hơn với thí nghiệm trước ( dần thành dạng sóng
sóng Vin)

Tháo dây từ ngoài tới lối vào (IN). Nối đất lối vào IN/A.
 

Câu hỏi: Nhận
 Nhận xét hiện tượng
tượng ( như trên )
-Tín hiệu không bị nhảy loạn và bé hơn so với các thí nghiệm trước.
3. Sơ đồ khóa song song dùng JFET
 

Mạch trên proteus

 

Các bước làm:

 

Dạng tín hiệu

Màu xanh là lối ra, màu đỏ là lối vào CTRL
Đặt ngun 0.5V cho lối IN

Đặt ngun 1V cho lối IN

 

Đặt ngun 2V cho lối IN

 

Đặt ngun 3V cho lối IN

Đặt ngun 4V cho lối IN

 

 Do đo lúc máy chưa chạy x nên đầu ra =2.13 thực tế chạy x là 2
Đặt ngun 5V cho lối IN
 

Bảng A4-B6
V ¿ (I
 (IN) 0.5V 1V 2V 3V 4V 5V
Biên độ V  out  500mV 1V 1.5V 1 .5 2V 2.5V

-Nối đất với lối vào (IN), đo biên độ sóng đế truyền qua.
- Cấp ngun xoay chiều ~9V từ ngun AC SOURCE của thiết bị chính cho lối vào
IN/A sơ đ A4-3. Chốt ~0V nối đất. (50Hz và là tín hiệu sin)
 

+ Vàng là dòng xoay chiều mới cấp

+ Đỏ là dòng máy phát
+ Xanh là tín hiệu đầu ra
 

Câu hỏi: Quan sát và vẽ dạng xung ra theo xung điều khiển (CTRL) và tín hiệu
vào.
-Tín hiê  ụ lối ra được khuếch đại có hình dạng vuông giống tín hiê  ụ IN/A
-Tín hiệu lối ra không nhận khi dòng xoày chiều có giá trị âm
4. Các sơ đồ khuếch đại trên MOSFET

4.1. Sơ đ source chung CS

 

Các bước làm:

 

Bảng A4-B7
 (IN)
V ¿ 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV
Biên độ 75uV 720uV 1.55mV 2.1mV 2.6mV 3.65mV
V out 

A 5x10−4 −3
8.5  x 10
−3
8.23  x 10 8.83 x 10
−3 −3
9.125  x 10 8.5x10−
3

Các bước làm:

 

V=0.5V
 

Bảng A4-B8
f  100Hz 1kHz 10kHz 100KHz 1MHz 10MHz
Biên độ V  out 
3.55 3.55 3 .6 3.6 3 .6 4.5
A 6.7.10−
3
6.6.10− 3
6.5.10−
3
6.7.10−
3
6.7.10
−3
6.7.10
−3

Câu hỏi: Biểu
hỏi: Biểu diễn đ thị kết quả sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số.
 

Câu hỏi: So
hỏi: So sánh biên độ sóng để tính sự mất mát biên độ (%) do ảnh hưởng của
điện A trở vào của sơ đ.

4.2. Sơ đ Drain chung CD

 

Các bước làm:

I=0.29mA
V=0.59V
 

Bảng A4-B9
 

 (IN)
V ¿ 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mV
Biên độ V  out  1.53mV 18.15m 34.85mV 56.25mV 76.75mV 92mV
V
A 0.165 0.1675 0.1835 0.1824 0.1827 0.23

Câu hỏi: Vẽ dạng tín hiệu vào và ra. (đã vẽ ở trên)

4.3. Sơ đ Gate chung CG
 

Các bước làm:

 

I= 0.01mA
V=12V
Bảng A4-B10
 

V ¿ (I
 (IN) 0.1V 1V 2V 3V 4V 5V
Biên độ V  out  92.7mV 926mV 2.34V 2.28V 2.65V 4.73V
A 0.925 0.895 0.96 0.875 0.926 0.84

Câu hỏi: Vẽ dạng tín hiệu vào và ra. (đã vẽ ở trên) => Tín hiệu không có sự thay
đổi đáng kể