Khảo sát bộ khuếch đại nối tầng ghép RC

Đo hệ số khuếch đại 1 tầng transistor T1:

VoutT1=300mV
VoutT2=10mV
VoutT 2
A1= = =300 :10=30
VinT 1
Đo hệ số khuếch đại 1 tầng transistor T2:
VoutT1=100mV
VinT1=10mV
A2=100:=10
Tính hệ số khuếch đại ghép 2 tầng:
Hệ số khuếch đại: A (tính_toán) = A1 × A2 = 30× 10 = 300
Đo hệ số khuếch đại ghép 2 tầng thực tế
Hệ số khuếch đại: A(đo) =1.05V:5mV=2000:10=200
Hệ số khuếch đại mất mát khi nối tầng
∆A%=[ A(tính _ toán) - A(đo)] X100 / A(tính _ toán)=33%
Ghép tầng qua bộ đệm là mạch lặp lại emitter lắp trên transitor T3
Hệ số khuyech đại: A(đo 2) = 2100:10=210
Hệ số mất mát
∆A%=[ A(tính _ toán) - A(đo)] X100 / A(tính _ toán)=30%
Hệ số mất mát hệ số khuếch đại trong trường hợp nối tầng bằng mạch RC > Hệ số mất mát hệ số
khuếch đại trong trường hợp nối tầng bằng tầng lặp lại Emitter.
Nối tầng bằng tầng lặp lại Emitter ít mất mát hơn do đại của A3 rất nhỏ =1mV.
2.1 Bộ khuếch đại vi sai với điện trở lắp trên mạch emitter.
2.1.1 Phân tích 1 chiều DC:
Trong chạy mô phỏng thì Vod ≈ 0 nhưng thực tế Vod ≠ 0 do quá trình sản xuất các transistor có
thể không khớp chính xác.
Vặn 2 biến trở và quan sát ta thấy T1 cấm hơn. Vod = 0, suy ra Vb1 chính là Voffset của bộ
khuếch đại
i, Vặn biến trở P1 về 0  
Khuếch đại trên trở thiên áp R4

V1 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98

V2 0.91 0.83 0.76 0.69 0.63 0.57 0.51 0.43 0.31 0

VID = V1 – V2 0.07 0.15 0.22 0.29 0.35 0.41 0.47 0.55 0.67 0.98

VOD 4.57 5.10 5.13 5.13 5.13 5.13 5.13 5.13 5.13 5.13

ii, Vặn biến trở P2 về 0 

Khuếch đại trên trở thiên áp R4
V1 0.91 0.83 0.76 0.69 0.63 0.57 0.51 0.43 0.31 0
V2 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98 0.98
VID = V1 – - -0.15 - - - -0.41 - - - -0.98
V2 0.07 0.22 0.29 0.35 0.47 0.55 0.67
VOD - -5.10 - - - -5.13 - - - -5.13
4.57 5.13 5.13 5.13 5.13 5.13 5.13

Đặc tuyến Vod

2.1.2 Xác định hệ số khuếch đại vi sai với tín hiệu nhỏ:
Vam=Vod: Vid=(440-(-440)):10=88
2.2. Bộ khuếch đại vi sai với nguồn dòng lắp trên mạch emitter

Khuyếch đại với thiên áp nguồn dòng T3

V1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
V2 0 0.09 0.18 0.25 0.31 0.37 0.42 0.46 0.54 0.57
Vid=V1-V2 0 -0.09 -0.18 -0.25 -0.31 -0.37 -0.42 -0.46 -0.54 -0.57
Vod 0 1.3 1.36 1.36 1.36 1.36 1.36 1.36 1.36 1.36
Hệ số khuyếch đại vi sai 1 chiều Adm = 1.36/0.09 = 15.1 (trong đoạn tuyến tính)
Khoảng V1 và V2 mà Adm không đổi: 0.18 <= V <= 0.56 (volt)
3. Khảo sát bộ khuếch đại thuật toán lắp trên các transistor rời rạc
3.1 Khảo sát chế độ một chiều DC
 T1 T2 T3 Lối ra
Vc Ic Vc Ic Vc Ic Vout
Kết quả 11.4V 0.3mA 11.2V 0.38mA -0.75V 0.69mA 0.07V
Bộ khuếch đại vi sai được đánh giá qua tỷ số CMRR phụ thuộc vào giá trị trở thiên áp emitter
REE càng cao càng tốt (Vì CMRR = AdmAcm , nên Acm càng nhỏ càng tốt REE càng lớn càng
tốt ). Để đảm bảo có được điện trở động đủ cao mà vẫn duy trì được mức thiên áp một chiều
thông thường, điện trở REE thường được thay bằng một nguồn dòng điện có giá trị điện trở động
cao. Nguồn này được lắp trên một transistor hoạt động ở vùng tích cực thuận, tại vùng đó điện
trở động của transistor có giá trị rất lớn.
3.2 Khảo sát hệ số khuếch đại vi sai Aim các tầng trong bộ KĐTT
3.3 Khảo sát đáp ứng tần số của bộ khuếch đại thuật toán với 2 hệ số phản hồi âm khác
nhau
Tần số 0.05 0.1 0.5 1 10 50 100 200 500 1000
(kHz)

Điện trở phản hồi 10 kΩ

Vin1 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
Vout 32 65 333.5 665 3.36V 345 170 83 31.25 18.4
Điện trở phản hồi 100 kΩ

Vin1 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
Vout 300 600 2.42V 4.25V 2.25V 340 215 109.5 45 23.75