Professional Documents
Culture Documents
1. Mục tiêu
• Hiểu nguyên lý hoạt động của diode và transistor lưỡng cực – BJT.
• Xây dựng mạch để kiểm tra đặc tuyến vôn-ampe (V-A) của diode và transistor.
• Sử dụng BJT để xây dựng mạch công tắc.
RD ID
IC
C
RB + +
+ B
+ vD D + VCE V
– CC
– – VBB
+
IB VBE E –
– –
(a) (b)
Hình 1. Mạch khảo sát đặc tuyến V-A của diode (a) và transistor (b).
Yêu cầu:
1
IT3421 – Điện tử cho CNTT (phần thực hành) DCE-SOICT-HUST
đa năng để đo giá trị các dòng IB và IC ứng với mỗi giá trị của VCC. Ghi lại kết quả
𝐼
đo được và tính toán tỉ lệ 𝐶 .
𝐼𝐵
𝐼𝐶
• Trong các tỷ lệ vừa tính được, hãy giải thích tỷ lệ nào có thể được coi là gần với
𝐼𝐵
hệ số khuếch đại dòng điện β của transistor nhất.
• Lặp lại bước trên lần lượt với VBB = 5V, VBB = 4V, VBB = 2V, VBB = 1V.
• Sử dụng kết quả đo được để vẽ đặc tuyến V-A của transistor ứng với các giá trị khác
nhau của IB, với trục hoành là vCE và trục tung là IC. Đưa ra nhận xét về kết quả thu
được và so sánh với lý thuyết.
Bài 2. Xây dựng mạch công tắc sử dụng BJT theo sơ đồ ở Hình 2.
Trong sơ đồ mạch này:
- Khi không có dòng điện đi qua cực Base của transistor (thiết lập VIN = 0) thì cực
Collector và Emitter bị ngăn cách về mặt điện với nhau (transistor hoạt động như
một công tắc mở) và đèn LED tối.
- Khi có một dòng nhỏ qua cực Base (tăng VIN > VBE (on)) thì cực Collector và Emitter
sẽ được kết nối về mặt điện (transistor hoạt động như một công tắc đóng) và đèn
LED sáng.
VCC = 5V
IC
RC = 330 Ω
LED
RB = 94 kΩ C
VIN
IB B E
2
IT3421 – Điện tử cho CNTT (phần thực hành) DCE-SOICT-HUST