Chương 3.

TRANSISTOR

1. Transistor BJT:
1.1. Giới thiệu và đặc tính hoạt động:
Transistor BJT được phát minh những năm cuối thập kỉ 1940 ở phòng thí nghiệm Bell, Mỹ [1]. BJT là
linh kiện bán dẫn 3 lớp N-P ghép lại tạo thành 3 cực (3 chân): cực phát E (emitter), cực nền B (base) và
cực thu C (collector). Theo cách ghép, ta có 2 loại transistor BJT: N-P-N và P-N-P được kí hiệu như trên
Hình 3.1

(a) NPN (b) PNP

(c) Hình dáng

Hình 3.1- Kí hiệu, cấu tạo, hình dáng của Transistor BJT
Về đặc tính hoạt động, tùy theo đặc tính điện tại các chân E, C, B mà transistor BJT có 3 chế độ hoạt
động khác nhau: ngừng dẫn (cut-off), khuếch đại (amplifier), bão hòa (saturation). Ta xét hoạt động của
transistor N-P-N như Hình 3.3
- Trong chế độ ngừng dẫn: Điện áp VBE nhỏ hơn điện áp dẫn VF ≈ 0.7V làm dòng IB ≈ 0; hoặc điện
áp VCE ≈ 0V làm dòng IC ≈ 0. Khi này không có dòng điện IC và IB và BJT xem như khóa điện tử
mở.
- Trong chế độ khuếch đại: Điện áp VBE đủ lớn đạt mức dẫn VF ≈ 0.7V. Dòng điện IC tỷ lệ với dòng
IB : IC = β.IB với VCE ≥ VBE
- Trong chế độ bão hòa: Điện áp VBE đủ lớn đạt mức dẫn VF ≈ 0.7V. Dòng IB đủ lớn làm dòng IC
IC
không thể giữ tuyến tính vì IC đã đạt mức tối đa ( I B  ). Lúc này VCE đạt giá trị bão hòa rất bé


(VCE(SAT) ≈ 0.2V) và BJT xem như khóa điện tử đóng.

Trong hình là mạch thí nghiệm đặc tính hoạt động (hay còn gọi là đặc tính ngõ ra) cho hai loại BJT. Đồ
thị đặc tính ngõ ra là đồ thị nêu lên mối quan hệ giữa VCE và IC dưới sự thay đổi của IB (Hình 3.4). Ngoài
ra, người ra còn khảo sát mối quan hệ giữa VBE và IC của BJT, gọi là đặc tính truyền (Hình 3.4)

TRANSISTOR 1 / 15
 Hình 3.2 – Mô hình thí nghiệm đặc tính ngõ ra của BJT

Hình 3.3 – Các miền hoạt động – Đặc tính ngõ ra của BJT [1]

Hình 3.4 – Đặc tính truyền của BJT [1]

TRANSISTOR 2 / 15
 1.2. Phân tính mạch transistor BJT
Về các dạng mạch BJT đóng ngắt tải, ta có một số cách mắc như hình. Xét trường hợp transistor NPN, ta
có đặc trưng của các dạng mạch như trên bảng. Trong hoạt động đóng ngắt tải (ON-OFF), transistor
NPN thường mắc dạng E-chung và transistor PNP thường mắc dạng C-chung.

Thông số NPN C-chung NPN E-chung NPN B-chung

Độ lợi khuếch đại dòng Trung bình (hàng chục) Đơn vị (1) Cao (hàng trăm)
Độ lợi khuếch đại áp Cao (hàng trăm) Cao (hàng trăm) Đơn vị (1)
Độ lợi khuếch đại công suất Rất cao (hàng nghìn) Cao (hàng trăm) Cao (hàng trăm)
Độ lệch phase ngõ vào – ngõ ra 1800 00 00

(a) Cực E chung (b) Cực C chung (c) Cực B chung

Hình 3.5 – Các mạch đóng ngắt tải với transistor NPN

(a) Cực E chung (b) Cực C chung (c) Cực B chung

Hình 3.6 - Các mạch đóng ngắt tải với transistor PNP
Có hai loại tính toán chính cho mạch BJT: Bài toán thuận tìm đặc trưng dòng, áp và chế độ hoạt động
của BJT khi biết điện trở phân cực và bài toán ngược (bài toán thiết kế) tìm các giá trị điện trở phân cực
cho BJT khi biết yêu cầu dòng, áp và chế độ phân cực.
Để phân tích mạch Transistor BJT, ta theo qui trình như sau:
- Dùng mô hình tương đương transistor như Hình 3.7, Hình 3.8.
- Viết các phương trình cân bằng điện ở cực B-E và cực C-E của BJT để tìm đặc trưng dòng áp
VBE, IB, IC, VCE
- Từ đó biện luận để tìm ra chế độ hoạt động của BJT.

TRANSISTOR 3 / 15
 (a) Dòng điện
(b) Mô hình khuếch đại dòng (c) Mô hình phân tích mạch
Hình 3.7 – Mô hình tương đương transistor NPN

(a) Dòng điện (b) Mô hình khuếch đại dòng (c) Mô hình phân tích mạch
Hình 3.8 – Mô hình tương đương transistor PNP
Ví dụ 1: Cho mạch phân cực transistor như hình. BJT là loại 2SC1815 có thông số như trong bảng. Tính
giá trị IB, IC, công suất qua transistor, hiệu suất (công suất tải / công suất toàn mạch)
(a) Biết điện trở phân cực Rb = 10kΩ, Rc = 1kΩ, Vcc = 5V, Vbb = 3V
(b) Biết điện trở phân cực Rb = 50kΩ, Rc = 1kΩ, Vcc = 5V, Vbb = 3V

VCC
Thông số Giá trị
hFE 100
Rc
VBB VCE(SAT) 0.1V
Rb VBE 1V
Q1
IC(MAX) 150mA
IB(MAX) 50mA
PMAX 400mW
Hình 3.9 – Mạch phân cực BJT NPN đơn giản
V BB  V BE 3 1
(a) Ta có phương trình rơi áp qua nhánh Rb: V BB  I B R B  V BE => IB    0 . 2 mA
RB 10 k

Giả sử BJT hoạt động trong chế độ bão hòa: VCE = VCE(SAT) = 0.1V. Phương trình rơi áp qua nhánh Rc:
V CC  V CE 5  0 .1
V CC  I C R C  V CE => IC    4 . 9 mA
RC 1k

Kiểm tra lại ( I C ( K Đ )  h FE I B  100 x 0 . 2 mA  20 mA ) > IC(BH) = 4.9mA. Vậy giả thiết hợp lý. Từ đó:

IB = 0.2mA ; IC = 4.9mA , PBJT = IB.VBE + IC.VCE = 0.2x1 + 4.9x0.1 = 0.69mW

2 2
Công suất tải: P RC  R C . I C  1 k  .( 4 . 9 mA )  24 . 01 mW

2 2
Công suất toàn mạch P = PRB + PRC + PBJT = R B . I B  R C . I C  I B V BE  I C V CE  25.1mW

TRANSISTOR 4 / 15
 P RC 24 . 01
Hiệu suất     95.66 %
P 25 . 1

V BB  V BE 3 1
(b) Ta có phương trình rơi áp qua nhánh Rb: V BB  I B R B  V BE => IB    0 . 04 mA
RB 50 k

Giả sử BJT hoạt động trong chế độ bão hòa: VCE = VCE(SAT) = 0.1V. Phương trình rơi áp qua nhánh Rc:
V CC  V CE 5  0 .1
V CC  I C R C  V CE => IC    4 . 9 mA
RC 1k

Kiểm tra lại ( I C ( K Đ )  h FE I B  100 x 0 . 04 mA  4 mA ) < IC(BH) = 4.9mA. Vậy giả thiết không hợp lý. BJT
hoạt động trong miền khuếch đại. IC = 4mA. Và V CE  V CC  I C R C  5  4 mA . 1 k  1V

Công suất của PBJT = IB.VBE + IC.VCE = 0.04x1 + 4x1 = 4.04mW

2 2
Công suất tải: P RC  R C . I C  1 k  .( 4 mA )  16 mW

2 2
Công suất toàn mạch P = PRB + PRC + PBJT = R B . I B  R C . I C  I B V BE  I C V CE  22.04mW

P RC 16
Hiệu suất     72.6 %
P 22 . 04

* Ngoài ra, đối với mạch phân cực RB gồm 2 điện trở chia áp như Hình 3.10(a), ta dùng mô hình tương
đương Thérevin như Hình 3.10(b)
R1 R1 R 2
V EQ  V BB R EQ 
R1  R 2 R1  R 2

(a) Điện trở phân cực B chia áp

(b) Mô hình tương đương Thérevin
Hình 3.10 – Mô hình tương đương Thérevin cho điện trở phân cực BJT
Ví dụ 2: Cho mạch kích tải RC như Hình 3.9. Điện áp cấp cho tải 6V, dòng qua tải 100mA. Tín hiệu
điều khiển VBB được cấp từ một mạch số có thông số như trong bảng.
(a) Tính toán RB và chọn lựa BJT để BJT hoạt động ở chế độ bão hòa với hệ số bão hòa a = 2.5.
Tính toán phải đảm bảo hệ số an toàn n = 1.2
(b) Với mạch đã chọn ở câu (a), mạch kích VBB dạng xung với thời gian chuyển mạch khi đóng và
mở là 1mS, thời gian đóng bão hòa TSAT = T/2 . Hỏi BJT đóng ngắt ở tần số tối đa bao nhiêu ?

TRANSISTOR 5 / 15
 Giá trị
Thông số (1) Ghi chú
MIN TYP MAX
Điện áp ngõ ra mức cao VOH 2.4V 3.6V - VCC = MIN, VIL = 0.8V, IOH = 0.4 mA
Điện áp ngõ ra mức thấp VOL - 0.2V 0.4V VCC = MIN, VIH = 2V, IOL = 16 mA
Dòng điện ngõ ra mức cao IOH - - 0.4mA
Dòng điện ngõ ra mức thấp IOL - - 16mA
Dòng điện ngõ ra khi ngắn mạch IOS 20mA - 55mA VCC = MAX
Dòng tải IRC = 100mA, hệ số an toàn n=1.2 => dòng tối đa BJT IC(MAX) = 1.2x100mA = 120mA. Chọn
Transistor 2SC1815 của TOSHIBA có thông số như trên bảng:

Bỏ qua rơi áp VCE(SAT) = 0.1V, cấp nguồn VCC = 6V: Thông số Giá trị
hFE 100
IC 100 mA
Ta có: I B  a.  2 .5 x  2 . 5 mA VCE(SAT) 0.1V
h FE 100
VBE 1V
Từ phương trình rơi áp qua nhánh Rb: V BB  I B R B  V BE
IC(MAX) 150mA
V BB  V BE 3 .6  1 IB(MAX) 50mA
=> RB   = 1.04kΩ => Chọn RB = 1kΩ (lúc đó IB = 2.6mA)
IB 2 . 5 mA PMAX 400mW

Tính toán lại giá trị mạch và kiểm tra công suất BJT:
Công suất BJT: PBJT = IB.VBE + IC.VCE = 2.5 x1 + 100x0.1 = 12.5mW << PMAX
(b) Khi BJT hở, coi như không có dòng qua BJT (dòng rò 1µA). VCE
Đồ thị đóng ngắt tải như hình. Công suất tức thời p = u.i là hàm VCC
bậc 2 theo thời gian t. Để tính toán đơn giản, ta ước lượng hàm P
theo hình tam giác (xấp xỉ đường cong hàm bậc 2 thành đường
VCE(SAT) t
thẳng bậc 1) O
IC
Công suất của BJT trong một chu kì:
IRC
t
PT  P ON  P SAT  P OFF
O
1ms
1   V CC  V CE ( SAT )  I RC 
  2 .  V CE ( SAT )


. 1 ms  V CE ( SAT )
I RC .T SAT  P
T   2  2 

1 P MAX T SAT
PT =  305  10 T SAT  => T   0 . 4575 ms O
T n 33 . 33

Vậy tần số khoảng f ≈ 2.2kHz

Bài tập tính toán:

1. Cho mạch phân cực transistor như hình 1.1 và 1.2 bên dưới. Tính giá trị IB, IC, công suất qua
transistor, hiệu suất (công suất tải / công suất toàn mạch). Transistor sử dụng trong mạch là 2SC828
(a) Biết điện trở phân cực Rb = 10kΩ, Rc = 1kΩ, Vcc = 6V, Vbb = 3.3V
(b) Biết điện trở phân cực Rb = 68kΩ, Rc = 1kΩ, Vcc = 6V, Vbb = 3.3V

1
Theo datasheet SN5400 của Texas Instruments

TRANSISTOR 6 / 15
 VCC VCC VEE VEE
VBB Vbb
Rb Q2
Q1 Re
Rc Vbb
VBB Rb
Rb
Rb Q2
Q1 Re Re

1.3 1.4
1.1 1.2

2. Lặp lại bài tập 1 với transistor sử dụng trong mạch là 2SD468 và các thông số:
(a) Biết điện trở phân cực Rb = 10kΩ, Rc = 1kΩ, Vcc = 6V, Vbb = 3.3V
(b) Biết điện trở phân cực Rb = 100kΩ, Rc = 1kΩ, Vcc = 6V, Vbb = 3.3V
3. Lặp lại bài tập 1 với transistor sử dụng trong mạch là TIP122 và các thông số:
(a) Biết điện trở phân cực Rb = 10kΩ, Rc = 100Ω, Vcc = 12V, Vbb = 5V
(b) Biết điện trở phân cực Rb = 220kΩ, Rc = 100Ω, Vcc = 12V, Vbb = 5V
4. Lặp lại bài tập 1 với transistor sử dụng trong mạch là 2N3055 và các thông số:
(a) Biết điện trở phân cực Rb = 120Ω, Rc = 10Ω, Vcc = 24V, Vbb = 5V
(b) Biết điện trở phân cực Rb = 330Ω, Rc = 10Ω, Vcc = 24V, Vbb = 5V
5. Cho mạch phân cực transistor như hình 1.3 và 1.4. Tính giá trị IB, IC, công suất qua transistor, hiệu
suất (công suất tải / công suất toàn mạch). Transistor sử dụng trong mạch là 2SA1015
(a) Biết điện trở phân cực Rb = 10kΩ, Rc = 1kΩ, VEE = 5V, Vbb = 3.3V
(b) Biết điện trở phân cực Rb = 100kΩ, Rc = 1kΩ, VEE = 5V, Vbb = 3.3V
6. Lặp lại bài tập 5 với Transistor sử dụng trong mạch là 2SA564
(a) Biết điện trở phân cực Rb = 10kΩ, Rc = 1kΩ, VEE = 6V, Vbb = 3.3V
(b) Biết điện trở phân cực Rb = 100kΩ, Rc = 1kΩ, VEE = 6V, Vbb = 3.3V
7. Lặp lại bài tập 5 với Transistor sử dụng trong mạch là TIP127
(a) Biết điện trở phân cực Rb = 10kΩ, Rc = 1kΩ, VEE = 12V, Vbb = 5V
(b) Biết điện trở phân cực Rb = 220kΩ, Rc = 1kΩ, VEE = 12V, Vbb = 5V
8. Lặp lại bài tập 5 với Transistor sử dụng trong mạch là MJ2955
(a) Biết điện trở phân cực Rb = 120Ω, Rc = 10Ω, VEE = 24V, Vbb = 5V
(b) Biết điện trở phân cực Rb = 330Ω, Rc = 10Ω, VEE = 24V, Vbb = 5V
9. Trong mạch hình 9.1, transistor sử dụng là 2SC828, Rb=68kΩ; Rc=1kΩ; Vcc=6V; tín hiệu
Vin=3.sin(120πt) [V]. Vẽ đồ thị ngõ vào – ngõ ra của điện áp trên cùng một trục thời gian.

TRANSISTOR 7 / 15
 VCC VCC VEE VEE
Vin Vbb
Rb Q2
Q1 Re
Rc
Vbb Rb
Vout Vout Vout
Vin
Rb
Vout
Rb Q2
Q1 Re Re

(9.2) (9.3) (9.4)

(9.1)

10. Lặp lại bài tập 9 với mạch 9.2

11. Lặp lại bài tập 9 với mạch 9.3 sử dụng BJT 2SA1015 VEE =6V.
12. Lặp lại bài tập 9 với mạch 9.4 sử dụng BJT 2SA1015 VEE =6V.
13. Bài tập thiết kế (4 dạng phân cực) trong miền đóng ngắt
Cho mạch kích tải RC như hình 1.1, 1.2. Điện áp cấp cho tải 6V, dòng qua tải 100mA. Tín hiệu điều
khiển VBB được cấp từ một mạch số có thông số như trong bảng.
(a) Tính toán RB và chọn lựa BJT để BJT hoạt động ở chế độ bão hòa với hệ số bão hòa a = 2.5.
Tính toán phải đảm bảo hệ số an toàn n = 1.2
(b) Với mạch đã chọn ở câu (a), mạch kích VBB dạng xung với thời gian chuyển mạch khi đóng và
mở là 1mS, thời gian đóng bão hòa TSAT = T/2 . Hỏi BJT đóng ngắt ở tần số tối đa bao nhiêu ?
14. Bài tập thiết kế (4 dạng phân cực) trong miền đóng ngắt
Cho mạch kích tải RC như hình 1.3, 1.4. Điện áp cấp cho tải 6V, dòng qua tải 100mA. Tín hiệu điều
khiển VBB được cấp từ một mạch số có thông số như trong bảng.
(a) Tính toán RB và chọn lựa BJT để BJT hoạt động ở chế độ bão hòa với hệ số bão hòa a = 2.5.
Tính toán phải đảm bảo hệ số an toàn n = 1.2
(b) Với mạch đã chọn ở câu (a), mạch kích VBB dạng xung với thời gian chuyển mạch khi đóng và
mở là 1mS, thời gian đóng bão hòa TSAT = T/2 . Hỏi BJT đóng ngắt ở tần số tối đa bao nhiêu ?
15. Thiết kế mạch lái động cơ DC (có thông số như trong bảng 1) sử dụng BJT. Với tín hiệu điều khiển
VBB được cấp từ một mạch số có thông số trong bảng 2.1. Yêu cầu điều khiển cho trong bảng 3.1. Hệ số
bão hòa 2.5 và hệ số an toán n=1.3
(a) Vẽ mạch nguyên lý
(b) Chọn lựa, tính toán giá trị linh kiện, dòng, áp trong mạch nguyên lý để chứng tỏ mạch hoạt
động tốt, không hư hỏng linh kiện.
(c) Tính toán tần số đóng ngắt tối đa của mạch nếu thời gian chuyển mạch khi đóng và khi mở là
10µs, thời gian dẫn bão hòa TSAT = T/2
(d)* Mô phỏng lại mạch đã thiết kế bằng phần mềm để kiểm chứng.

TRANSISTOR 8 / 15
 Bảng 1 – Thông số động cơ

Bảng 2.1 – Thông số chân điều khiển 1 Bảng 2.2 – Thông số chân điều khiển 2

Giá trị Giá trị

Thông số Thông số
MIN TYP MAX MIN TYP MAX
Điện áp ngõ ra mức cao Điện áp ngõ ra mức cao
2.4V 4.5V - 2.4V 4.5V -
VOH VOH
Điện áp ngõ ra mức thấp Điện áp ngõ ra mức thấp
- 0.2V 0.4V - 0.2V 0.4V
VOL VOL
Dòng điện ngõ ra mức Dòng điện ngõ ra mức
- - 10mA - - 2mA
cao IOH cao IOH
Dòng điện ngõ ra mức Dòng điện ngõ ra mức
- - 16mA - - 10mA
thấp IOL thấp IOL
Dòng điện ngõ ra khi Dòng điện ngõ ra khi
20mA - 55mA 20mA - 55mA
ngắn mạch IOS ngắn mạch IOS
Bảng 3.1 – Yêu cầu điều khiển 1 Bảng 3.2 – Yêu cầu điều khiển 2

Thông số Giá trị Thông số Giá trị

Nguồn cấp động cơ 24V Nguồn cấp động cơ 12V

Chân điều khiển mức cao Động cơ quay Không có điện qua
Chân điều khiển mức cao
động cơ
Không có điện qua
Chân điều khiển mức thấp
động cơ Chân điều khiển mức thấp Động cơ quay

Chân điều khiển thả nổi Không có điện qua Chân điều khiển thả nổi Không có điện qua
(tổng trở cao) động cơ (tổng trở cao) động cơ

TRANSISTOR 9 / 15
16. Lặp lại câu 12 với mạch số có thông số trong bảng 2.2.
17. Lặp lại câu 12 với yêu cầu điều khiển trong bảng 3.2.
18. Lặp lại câu 12 với mạch số có thông số trong bảng 2.2 và yêu cầu điều khiển trong bảng 3.2

2. Transistor MOSFET
2.1. Giới thiệu và đặc tính hoạt động
Được giới thiệu vào những năm 1970 [1], MOSFET ngày nay (2013) vẫn còn được sử dụng rộng rãi
trong các ứng dụng điện tử công suất. Transistor MOSFET1 là linh kiện 3 chân (D, S, G) đóng ngắt tải
bằng điện áp. Giữa hai chân D và S là một khóa điện tử mà “chìa khóa” là tín hiệu điện áp tại chân G:
- Khi có tín hiệu “khóa đóng” từ chân G, dòng điện chạy từ D qua S được thông thương (lúc này
giữa D và S chỉ có một “cách trở” nhỏ RDS(ON) dưới 0.2 Ω).
- Còn khi có tín hiệu “khóa mở” tại G, giữa D qua S là một điện trở rất lớn ( ≈ 20MΩ) làm dòng
điện không đi qua được.
Tín hiệu “mở-đóng khóa” của MOSFET là bao nhiêu thì tùy loại và tùy nhà sản xuất. Có 4 loại
MOSFET với kí hiệu và đặc tính đóng – ngắt2 được cho trong hình bên dưới.

Hình 3.11 - Kí hiệu và đặc tính của MOSFET

Hình 3.11 (a) (b) là MOSFET loại D có đặc tính đóng ngắt âm (nghĩa là điện áp đóng VGS(th) nhỏ hơn
0V). Trong khi đó MOSFET loại E ở (c) và (d) có đặc tính đóng ngắt dương, nghĩa là điện áp đóng
VGS(th) lớn hơn 0.

1
MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect transistor : Transistor bán dẫn ô-xít kim loại hiệu ứng trường 
2
Đặc tính truyền , transfet characteristics

TRANSISTOR 10 / 15
Ví dụ:

Tên MOSFET Đặc trưng Hình dáng Kí hiệu Đặc tính

IRF540 RDS(on) = 0.055Ω ; V(BR)DSS= 100V

Loại E, kênh N ID=22A ; VGS(th)=3V …

IRF9540 VDSS = - 100V ; RDS(on) = 0.117 Ω

Loại E, kênh N ID = - 23A ; VGS(th) = -3V

Để hiểu rõ hơn hoạt động của MOSFET, người ta khảo sát đặc tính ngõ ra1: Đặt một nguồn áp vào cực G
và S, một nguồn áp khác vào D và S. Lần lượt thay đổi VGS và VDS để đo dòng điện IDS. Đồ thị thu được
có dạng như trên 3.12.

3.12 – Đặc tính ngõ ra của MOSFET

Dựa trên đặc tính ngõ ra, MOSFET có 3 miền hoạt động:
- Vùng điện trở: Là vùng có đường thẳng nghiên từ gốc 0. Giữa D và S chỉ là một điện trở rất bé
(≤0.2Ω). Rơi áp giữa D và S gần như bằng 0. Đây là vùng “khóa đóng”.
- Vùng bão hòa: Là vùng mà dòng điện ID không đổi (nằm ngang) khi VDS thay đổi. ID chỉ thay đổi khi
VGS thay đổi và sự thay đổi này không tuyến tính mà là một đường bậc 2:

I D  K V GS  V GS  2
( th )

Trong đó VGS(th) là điện áp ngưỡng đóng khóa, còn K là hằng số phụ thuộc vào nhiều
yếu tố 
- Vùng ngưng dẫn: Là vùng mà điện áp VGS nhỏ hơn VGS(th). Giữa D và S là điện trở rất lớn làm cho
MOSFET không dẫn điện.
2.2. Một số thông số quan trọng của MOSFET:
Trong thiết kế sử dụng MOSFET đóng ngắt tải, ta cần lưu ý một số thông số sau:
1
Output characteristics

TRANSISTOR 11 / 15
* Điện trở RDS(ON): Là điện trở giữa cực D và S khi MOSFET đóng. Khi nhiệt độ tăng, RDS(ON) tăng
2 .3
 T 
theo quan hệ R DS ( ON )
 R DS ( ON )
( 25
o
C )  . Đặc tính hệ số nhiệt dương này giúp việc ghép nối song
 300 
song MOSFET thuận lợi, không cần thêm mạch điều chỉnh.
* Điện áp ngưỡng VGS(th): Điện áp giữa chân G và S để MOSFET bắt đầu dẫn điện. Giá trị VGS(th) thông
thường là 2V-4V đối với MOSFET cho ứng dụng cần điện áp cao và 1V-2V đối với MOSFET cho ứng
dụng cần điện áp thấp. VGS(th) có hệ số nhiệt âm.
* Độ lợi dòng-áp1 gfs: là độ tăng của ID so với VGS ở một giá trị VDS nào đó. Giá trị gfs càng lớn thì
MOSFET khả năng đóng ngắt ở tần số càng cao. gfs có hệ số nhiệt âm.

  I DS 
g fs
  
  V GS  V DS

 2 .3
o  T 
g fs
 g fs
( 25 C ) 
 300 

* Điện áp đánh thủng BVDSS: Là điện áp giữa cực D và S lớn nhất mà MOSFET không bị đánh thủng
(cháy) khi MOSFET ở trạng thái mở (OFF). BVDSS có hệ số nhiệt dương, nhưng ảnh hưởng ít: Khi nhiệt
độ MOSFET tăng lên 100oC, BVDSS chỉ tăng 10% (từ 25oC).
* Dòng rò IDSS: Dòng điện chạy từ D qua S khi MOSFET ở trạng thái mở (OFF). IDSS có hệ số nhiệt
dương.
* Đặc tính đóng ngắt (td(ON), tr, td(OFF), tf): Đặc tính đóng – ngắt của tải điện trở được cho trong đồ thị

1
Transconductance

TRANSISTOR 12 / 15
 3.13 – Đáp ứng VDS, ID, IG, VGS khi đóng (ON) MOSFET.
* Độ tăng dv/dt của cực D và S: Do trong
MOSFET có tụ điện và transistor kí sinh, nên
tốc độ tăng điện áp giữa cực D và S quá
nhanh có thể gây ra hiện tượng kích dẫn
MOSFET không mong muốn. Để phân tích
ảnh hưởng của dv/dt, ta xét mạch tương
đương của MOSFET (loại kênh N) như
3.14. Tại cực G, điện lượng Q nạp vào
tụ CGD là:
Q  C GD .V

Đạo hàm hai vế, lưu ý đạo hàm của Q theo

thời gian t chính là dòng điện i:
dQ dv
i   C GD . 3.14 – Mô hình tương đương của MOSFET kênh
dt dt
N
dv
Cuối cùng ta được: V GS  Z GS
.C GD
.
dt

Ngoài ra, khi ở trạng thái mở (OFF), độ tăng dv/dt làm tụ CDB nạp điện, và dòng điện nạp chạy qua RB.
Khi dòng qua RB đủ lớn để rơi áp qua nó lớn hơn áp kích dẫn của BJT kí sinh (VBE ≈0.7V). BJT kí sinh
sẽ bị kích dẫn. Điện áp đánh thủng lúc này là BVCEO (áp đánh thủng của transistor) thay vì BVCBO
(BVCEO chỉ bằng 50% ~60% của BVCBO).

TRANSISTOR 13 / 15
Tài liệu tham khảo
[1] Power MOSFET Basics, Vrej Barkhordarian, International Rectifier, El Segundo, Ca.
[2] Datasheet IFF540, ST semiconductor, 02.2003
[3] Datasheet IRF9540, International IOR Rectifier, 05.1998
[4] MOSFET Basics, K.S.Oh, Fairchild Semiconductor, 07.2000

Bài tập: Tìm thông số các loại MOSFET và điền vào bảng sau

Loại MOSFET Tên MOSFET VGS(th) RDS(ON)

Loại D kênh n

Loại D kênh p

Loại E kênh n

Loại E kênh p

Project 2: Sử dụng MOSFET

1. Sử dụng MOSFET làm cầu H điều khiển động cơ.

2. Mạch công suất điều khiển động cơ bước.

TRANSISTOR 14 / 15
Đọc thêm:
[1] The power supply Designer Guide to High Voltage Transistors - Philips Semiconductors (12 trang)
Hướng dẫn thiết kế đóng ngắt Transistor điện áp lớn
[2] Base Circuit Design for High Voltage BJT in Power Converter - Philips Semiconductors (12 trang)
Hướng dẫn thiết kế mạch lái cực B cho transistor lưỡng cực (BJT) trong mạch nguồn
[3] Datasheet Ratings for MOSFET – Semikron (13 trang)
[4] Drive Circuits For Power MOSFETs And IGBTs, B. Maurice, L. Wuidart (10trang)
[5] Power Semiconductors: The BJT, MOSFET, and IGBT ; Reid L. Sprite, Member, IEEE

Từ bài [6] trở đi có yêu cầu: - Đọc hiểu và dịch lại bài báo
- Phân tích mạch tìm các đặc trưng mạch dòng, áp của mạch
- Mô phỏng kiểm chứng.
[6] Circuit multiplexes automotive sensors – EDN.com (1 trang)
[7] High side driver feeds IGBTs and MOSFETs – EDN.com (1 trang)
[8] EDN - Circuit forms constant Current SCR (1 trang)
[9] EDN - MOSFET switch provides efficient AC-DC conversion (1 trang)

TRANSISTOR 15 / 15