Chương 6 :

TRANSISTOR BJT
(Bipolar Junction Transistor)

A. CẤU TẠO, NGUYÊN LÝ VÀ ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT :

6.1. Cấu Tạo, Ký Hiệu :
Transistor là linh kiện bán dẫn gồm 3 lớp bán dẫn tiếp giáp nhau tạo thành hai
mối nối P-N nên còn được gọi là BJT (Bipolar Junction Transistor)
Tùy theo cách xếp thứ tự các vùng bán dẫn, ta chia Transistor thành 2 loại : loại
NPN và PNP. Có cấu tạo và ký hiệu như sau :

Hình 6.1 : Cấu tạo và ký hiệu của BJT

Với :
E : cực phát (Emitter)
B : cực nền (Base)
C : cực thu (Collector)
N+, P+ : vùng bán dẫn nối với cực E, gọi là vùng phát, pha với nối nồng độ tạp
chất cao nhất.
N, P : vùng bán dẫn nối với cực C, gọi là vùng thu, pha với nồng độ tạp chất thấp
hơn vùng phát.
P, N : lớp giữa nối với cực B, gọi là vùng nền, pha với nồng độ tạp chất rất thấp.
JE, JC : mối nối tiếp P-N, JE và JC rất gần nhau nên lớp giữa có kích thước rất bé
(cỡ 10-3mm).

6.2. Nguyên Lý Hoạt Động :

(1) Loại NPN :
Xét mạch hình 6.2 :

64
 Hình 6.2 Mạch thí nghiệm và sơ đồ diode tương đương

Với VC > VE . Ta chia làm 2 trường hợp sau :

a. Cực B để hở :
Giữa cực B và E không có lực tĩnh điện nên không có sự tái hợp giữa điện tử và
lỗ trống do đo không có dòng điện qua Transistor.
b. Nối cực B với nguồn VB sao cho :
VC > VB > VE
Trường hợp này 2 vùng bán dẫn P và N+ giữa cực B và E giống như 1 diode (gọi
là diode B-E hay mối nối tiếp P-N : JE) phân cực thuận nên dẫn điện, điện tử từ vùng
N+ qua JE chia làm 2 phần :
- Một ít è kết hợp với lỗ trống (hole) của vùng P, vùng P nhận è nên có điện tích
âm, bị hút về nguồn (+) của VB tạo thành dòng IB có trị số nhỏ (vùng P có nồng độ tạp
chất rất thấp).
- Đa số è từ vùng N+ qua JE đến JC bị hút về cực (+) của nguồn VC (có trị số rất
lớn so với VB) tạo thành dòng IC có trị số lớn.
Trở lại vùng N+ bị mất è nên có điện tích (+). Cực E lại được nối vào nguồn âm,
nên sẽ hút điện tử từ nguồn âm lên thế chỗ, tạo thành dòng I E .
Chiều của dòng điện sẽ ngược với chiều của luồng điện tử và có ký hiệu như hình
6.2 (a).
Tất cả số lượng điện tử bị hút từ cực E đều chạy sang cực B và C nên :
IE = I B + IC

c. Sơ đồ diode tương đương :

Về cấu tạo, trasistor NPN được xem như 2 diode ghép ngược (H 6.2 b), với :
- Diode BE hay JE phân cực thuận (vì VB > VE)
- Diode BC hay JC phân cực nghịch (vì VB < VC)
(2) Loại PNP :

65
 Xem mạch hình 6.3 (a) với | VC | > | VB |
Hình 6.3: Mạch thí nghiệm và sơ đồ diode tương đương

a. Cực B để hở :
Với transistor PNP thì điện thế các chân ngược lại với transistor NPN như
hình 6.3 (a) hạt tải di chuyển trong loại NPN là điện tử, trong lúc hạt tải di chuyển trong
loại PNP là lỗ trống xuất phát từ cực E.
Giữa cực B - E không có lực hút tĩnh điện nên không có sự kết hợp giữa lỗ trống
và điện tử, do đó không có dòng điện qua transistor.
b. Nối cực B vào nguồn VB sao cho : VE > VB > VC
Trường hợp này 2 vùng N và P+ giữa cực B và cực E giống như 1 diode phân cực
thuận (gọi là diode BE hay mối nối tiếp JE phân cực thuận) nên dẫn điện. Lỗ trống từ
vùng P+ qua JE chia làm 2 phần :
- Một ít lỗ trống kết hợp với điện tử của vùng N, vùng N nhận lỗ trống nên có
điện tích dương, bị hút về nguồn (–) của VB , tạo thành dòng IB có trị số nhỏ (vùng N
có nồng độ tạp chất rất thấp).
- Đa số lỗ trống từ vùng P+ qua JE đến JC bị hút về cực (–) của nguồn VC (hiệu thế
rất âm so với VB) tạo thành dòng IC có trị số lớn.
Trở lại với vùng P+ bị mất lỗ trống nên có điện tích (–). Cực E lại nối với nguồn
(+) nên sẽ hút các điện tích dương của nguồn lên thế chỗ.
Chiều của dòng điện sẽ cùng chiều với luồng lỗ trống di chuyển (có điện tích
dương) có ký hiệu như hình 6.3 a.
Tất cả lỗ trống xuất phát từ E đều đi sang cực B và C. Nên : I E = IB + IC
c. Sơ đồ diode tương đương :
Về cấu tạo, transistor PNP được xem như 2 diode chép ngược nhau (H 6.3 b).
- Diode BE hay JE phân cực thuận (vì VB < VE)
- Diode BC hay JC phân cực nghịch (vì VB < VC)
6.3. Hình dáng và cách thử :
1. Hình dáng :

66
 Ta khảo sát hình dáng 3 loại thông dụng như ở hình 6.4
Hình 6.4 Hình dáng các loại transistor

2. Đo điện trở thuận nghịch :

Ta có thể dùng Ohm kế thang đo R x 100 để đo các cặp chân BE, BC và CE. Có
hai phép đo :
- Đo điện trở thuận hay phép đo thuận là phân cực thuận bằng pin nội với diode
BE, BC. Riêng với 2 cực CE, đo thuận là đặt đúng đầu cực tính của pin nội với chiều
dòng điện đi từ C đến E (loại NPN) và đi từ E đến C (loại PNP). (h. 6-5 b và h. 6-5 c)
- Đo điện trở nghịch hay phép đo nghịch là đổi đầu 2 que đo so với phép đo thuận
ở trên.
Lưu ý là pin nội (internal battery) của Ohm kế là nguồn điện DC thường là pin
tiểu 1,5v, đầu dương của pin lại nối ra đầu âm (que đen) và đầu âm của pin lại nối ra
đầu dương (que đỏ) như hình 6.5a.

Cặp chân Transistor Si Trasistor Ge

Thuận Nghịch Thuận Nghịch
BE Vài k  Vài trăm  Vài trăm 
BC Vài k  Vài trăm  Vài trăm 
CE   Vài chục  Vài trăm 

6.4. Đặc Tính Kỹ Thuật Của Transistor :

(1) Đặc tuyến ngõ vào: IB / VBE :
Lập mạnh thí nghiệm như hình 6.6 (a) với nguồn điện thế VBB có thể điều chỉnh
được.
Hình 6.6 (b) là đặc tuyến chỉ sự quan hệ giữa dòng điện IB theo điện thế VBE .
Đặc tuyến IB / VBE có dạng giống như đặc tuyến của diode, sau khi điện thế VBE
tăng đến trị số điện thế VY thì bắt đầu có dòng điện IB cũng tăng lên theo hàm số mũ
như dòng điện ID của diode.
Ở mỗi điện thế VBE thì dòng điện IB có trị số khác nhau ví dụ như sau:

67
 VBE  0,45v , IB  10 A
VBE  0,5v, IB  20 A
VBE  0,55v, IB  30 A
VBE  0,6v, IB  40 A

Hình 6.6 Đặc tuyến ngỏ vào

Đặc tuyến trên được vẽ ứng với điện thế VCE = 2V, khi điện thế VCE lớn hơn 2V
thì đặc tuyến thay đổi không đáng kể.

(2) Đặc tuyến truyền dẫn : IC / VBE

Bây giờ cùng với mạch thí nghiệm hình 6.6a nhưng lại xét dòng điện I C theo điện
thế VBE.
Đặc tuyến IC / VBE có dạng giống như đặc tuyến I B/ VBE nhưng dòng điện IC có
trị số lớn hơn IB nhiều lần.
Ở mỗi điện thế VBE thì dòng điện IC có trị số khác nhau ví dụ như sau :
VBE  0,45v, IC  1 mA
VBE  0,5v, IC  2 mA
VBE  0,55v, IC  3 mA
VBE  0,6v, IC  4 mA
Người ta tạo tỷ số :  = IC / IB = độ khuếch đại dòng điện của Transistor

H 6-7 Đặc tuyến truyền dẫn H 6-8 Đặc tuyến ngỏ ra

Thí dụ : Ở điện thế VBE  0,5v thì IB  20 A, IC  2 mA

68
 IC 2mA
Suy ra :     100
I B 20A
Độ khuếch đại dòng điện  thường có trị số lớn vài chục đến vài trăm lần. Trong
phần nguyên lý vận chuyển của Transistor ta đã có :
IE = I B + IC
Thay : IC = .IB vào công thức trên ta có :
IE = IB +  . IB = ( + 1)IB
Do  > > 1 nên trong tính toán gần đúng ta có thể lấy:

IE   . IB IE  IC
(3) Đặc tuyến ngõ ra: IC / VCE :
Cùng với mạch thí nghiệm hình 6.6 (a) nhưng thay đổi điện thế V CE bằng cách
điều chỉnh nguồn VCC.
Nếu ở cực B không có điện thế phân cực đủ lớn (VB < V) thì dòng điện IB = 0 và
IC = 0. Do đó, đầu tiên phải tạo điện thế phân cực VBE, để tạo dòng IB sau đó tăng điện
thế VCE để đo dòng điện IC.
Khi tăng VCE từ 0V lên thì dòng điện IC tăng nhanh và sau khi đạt trị số IC = .IB
thì gần như IC không thay đổi mặc dù VCE tiếp tục tăng cao. Muốn dòng điện IC tăng
cao hơn thì phải tăng phân cực ở cực B để có I B tăng cao hơn. Khi đó dòng IC sẽ tăng
theo VCE trên đường đặc tuyến cao hơn.
(4) Các thông số kỹ thuật của Transistor :
Đặc tính kỹ thuật của Transistor ngoài ba đặc tính quan trọng vừa xét trên còn có
một số các thông số kỹ thuật có ý nghĩa giới hạn mà cần phải biết khi sử dụng Transistor.
a. Độ khếch đại dòng điện  :
Độ khếch đại dòng điện  của Transistor thật ra không phải là một hằng số mà 
có trị số thay đổi theo dòng điện IC .
Hình 6.9 cho thấy dòng điện IC nhỏ thì  thấp, dòng điện IC tăng thì  tăng đến
giá trị cực đại MAX nếu tiếp tục tăng IC đến mức bão hòa thì  lại giảm.
Trong các sách tra đặc tính kỹ thuật của Transistor thường chỉ ghi giá trị max hay
ghi  trong một khoảng từ mức thấp nhất đến tối đa.
Thí dụ :  = 80 đến 200.
b. Điện thế giới hạn :
Điện thế đánh thủng BV (Breakdown Voltage) là điện thế ngược tối đa đặt vào giữa
các cặp cực, nếu quá điện thế này thì Transistor sẽ bị hư. Có ba loại điện thế giới hạn :
- BVCEO điện thế đánh thủng giữa C và E khi cực B hở.
- BVCBO điện thế đánh thủng giữa C và B khi cực E hở.
- BVEBO điện thế đánh thủng giữa E và B khi cực C hở.
c. Dòng điện giới hạn :

69
 Dòng điện qua transistor phải được giới hạn ở một mức cho phép, nếu quá trị số
này thì Transistor sẽ bị hư.
Ta có:
IC max là dòng điện tối đa ở cực C và IB max là dòng điện tối đa ở cực B.
d. Công suất giới hạn :
Khi có dòng điện qua transistor sẽ sinh ra một công suất nhiệt làm nóng transistor,
công suất sinh ra được tính theo công thức :
PT = IC x VCE .
Mỗi Transistor đều có một công suất giới hạn được gọi là công suất tiêu tán tối
đa PD max (dissolution). Nếu công suất sinh ra trên transistor lớn hơn công suất P D max thì
transistor sẽ bị hư.
e. Tần số cắt (thiết đoạn) :
Tần số thiết đoạn (f cut-off) là tần số mà Transistor hết khả năng khuếch đại, lúc
đó điện thế ngõ ra bằng với điện thế ngõ vào.
Thí dụ:
Transistor 2SC458 có các thông số kỹ thuật như sau :
 = 230 . BVCEO = 30v, BVCEO = 30V, BVCEO = 6V, PD max = 200mV
f cut-off = 230 MHz, IV max = 100mA, loại NPN chất Si.

(5) Xét Transistor PNP:

Ta đã biết Transistor PNP được phân cực với các điện thế ngược đối với transistor
NPN, đồng thời các Transistor loại PNP thông thường làm bằng chất Si trong khi
transistor PNP thông thường làm bằng chất Ge.
Mạch điện hình 6.10 là mạch thí nghiệm đặc tính kỹ thuật của transistor PNP với
các nguồn điện thế âm phân cực cho cực B và cực C.
Transistor PNP cũng có các đặc tuyến ngõ vào đặc tuyến truyền dẫn, đặc tuyến
ngõ ra và các thông số kỹ thuật tương tự như transistor NPN nhưng các giá trị điện thế
và dòng điện đều là trị số âm.

H 6-9 Đặc tuyến  theo VCE H 6-10 Mạch thí nghiệm transistor PNP

70
B. PHÂN CỰC TRANSISTOR :
Transistor có rất nhiều ứng dụng trong các thiết bị điện tử, tùy theo từng ứng dụng
cụ thể mà Transistor cần phải được cung cấp điện thế và dòng điện cho từng chân một
cách thích hợp. Việc chọn điện thế nguồn và điện trở ở các chân Transistor gọi là phân
cực cho Transistor.
6.5. Phân Cực Bằng Hai Nguồn Điện :
Xét mạch điện h- 6.11 là mạch phân cực cho Transistor có:  = 100; VBE = 0,6V.

H 6-11 H 6-12

Ở ngõ vào ta có :
VBB = IB . RB + VBE + IE . RE
Thay: IE  . IB vào công thức trên ta có :
VBB = IB . RB + VBE +  . IB . RE
 VBB = IB (RB +  . RE) + VBE
VBB  VBE 3V  0,6V 2,4V
 IB     20A
R B  .R E 70K  (100  0,5K) 120K
Suy ra : IC  IE =  . IB = 100 x 20 A = 2 mA
Ta có thể tính điện thế mỗi chân của transistor so với điểm 0V theo công thức
sau:
VE = IE . RE = 2mA x 0,5k = 1V
VB = VE +VBE = 1V + 0,6V = 1,6V
VC = VCC – (IC . RC) = 12V – (2mA x 2,5k) = 7V
Xét mạch ngõ ra để tìm phương trình đường tải tĩnh :
VCC = (IC . RC) + VCE + (IE . RE) (Với: IE  IC)
Suy ra : VCC = IC (RC . RE) + VCE
Phương trình đường tải tĩnh là :
VCC  VCE
IC 
RC  RE

71
  Nếu IC = 0 thì VCE = VCC
VCC
 Nếu VCE = OV thì : I C   I C max
RC  RE
VCC
Nối liền hai điểm VCE = VCC và I C max  ta có đường tải tĩnh như ở
RC  RE
hình 6-12
Điện thế VCE ở điểm làm việc Q được tính theo công thức:
VCE = VCC – IC (RC + RE) = 12V – 2mA (2,5k + 0,5k) = 6V
Hay có thể tính trực tiếp từ điện thế VC và VE đã có:
VCE = VC – VE = 7V – 1V = 6V
Điểm là việc của Transistor là điểm nằm trên đường tải tĩnh và có tọa độ :
Q (VCE = 6V, IC = 2 mA).

VCC  VCE
IC 
RC  RE
-Nếu: Ic = 0 thì VCE = Vcc
VCC
-Nếu: VCE = 0 V thì : I C   I C max
RC  RE
VCC
Nối liền 2 điểm VCE = Vcc và I C max  ta có đường tải tĩnh như hình 6-12
RC  RE
Điện thế VCE ở điểm làm việc Q được tính theo công thức
VCE = Vcc – IC(Rc+RE) = 12V – 2mA(2,5K + 0,5K) = 6V
Hay có thể tính trực tiếp từ VC và VE đã có:
VCE = Vc – VE = 7V – 1V = 6V
Điểm làm việc của transitor là điểm nằm trên đường tải tĩnh và có tọa độ:
Q (VCE = 6V, Ic = 2mA)
6.6 Phân cực bằng 1 nguồn điện
(1) phân cực cho cực B bằng điện trở R B

RB 520K RC IC
2,5K

12V VCC
IB

IE RE
0,5K

Hình 6-12

72
Trong mạch điện hình 6.12 cực B dung nguồn VCC giảm thế bằng điện trở RB nên dòng điện ngõ vào
được tính theo công thức:
Vcc = IBRB + VBE + IERE
Vcc = IBRB + VBE +  .IB.RE
Vcc = IB(RB +  . RE) + VBE
Suy ra:
VCC  VBE 12V  0, 6V
IB    20 A
RB   RE 520 K  (100  0,5K )

Dòng điện cực thu ngõ ra:

IC =  .IB = 100 x 20 µA = 2mA

IE = IC = 2mA
Tính điện thế các chân:
VE = IERE = 2mA x 0,5K = 1V
VB = VE + VBE = 1V + 0,6V = 1,6V
Vc = Vcc – (IcRc) = 12V – (2mA x 2,5K) = 7V
Điện thế VB còn có thể tính theo công thức xét ở ngõ vào:
VB = Vcc - IBRB = 12V - 20µA x 520K = 1.6V
Phuơng trình đường tải tĩnh là:
VCC  VCE
IC 
RC  RE
Trong mạch điện hình 6.12 có điện trở RE và RC giống như điện trở trong mạch điện hình 6.10 nên
mạch này cũng có đường tải tĩnh và điểm làm việc như hình 6-11
(2) Phân cực cho cực B bằng cầu phân thế:

RC 2,5K
RB1 56K RC IC
2,5K RB IC
12V VCC 12V VCC
IB IB
RE
RB 2 10K VBB 0,5K
IE RE IE
0,5K

Hình 6-13 Hình 6-14

Trong mạch điện hình 6-13 cực B được phân cực bằng nguồn Vcc giảm thế qua cầu phân thế
RB1,RB2 .
Ở ngõ vào có dòng điện là IB từ nguồn Vcc đi qua hai điện trở RB1,RB2 vào transitor. Việc tính
toán dòng điện và điện thế ở các chân của trasitor sẽ phức tạp hơn các mạch trên.
Để tính toán phân cực cho transitor trong mạch này người ta dung định lý Thevenin để đổi nguồn
điện ngõ vào từ Vcc và cầu phân thế RB1 , RB2 thành nguồn VBB và RB như mạch điện hình 6-14
Công thức đổi nguồn theo định lý Thevenin là:
RB 2 10 K
VBB  VCC .  12V   1,8V
RB1  RB 2 56 K  10 K

RB 2. RB1 56 K 10 K
RB    8,5K
RB1  RB 2 56 K  10 K

73
Sau khi đổi nguồn ở ngõ vào, mạch điện hình 6-13 được đổi thành 6-14 và cách tính giống như trường
hợp bằng 2 nguồn riêng
Ta vẫn tính dòng điện ngõ vào IB theo cong thức
VBB  VBE 1,8V  1, 6V
IB    20 A
RB   .RE 8,5K  (100  0,5 K

Từ dòng điện IB ta có thể suy ra IC, IE và các điện thế VE,VB,VC và vẽ đường tải tỉnh tương tự như các
mạch trên.

6.7 ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ ĐỐI VỚI CÁC THÔNG SỐ CỦA TRANSITOR:
Hầu hết các thông số của transitor đều bị thay đổi theo nhiệt độ, trong đó có 3 thông số chịu ảnh
hưởng lớn nhất là dòng điện rỉ ICBO, độ khuếch đại  , điện thế phân cực VBE
(1)Ảnh hưởng đối với ICBO :
Dòng điện rỉ ICBO là dòng các hạt tải thiểu số, khi nhiệt độ tăng thì dòng ICBO sẽ tăng theo hàm mũ.
Thường đối với transitor Germanium, nhiệt độ tăng 12oC thì dòng ICBO tăng gấp đôi, đối với transutor
Silicon, nhiệt đo tăng 80C thi dòng ICBO tăng gấp đôi. Tuy độ tăng dòng rỉ ICBO của Silicon lớn hơn
Germanium nhưng dòng rỉ ở nhiệt độ xác định của Silicon lại rất nhỏ so với so với dòng rỉ Germanium.
Do đó đối với transitor Germanium yếu tố nhiệt độ ảnh hưởng lên dòng rỉ quan trọng hơn loại transitor
Silicon
(2) Ảnh hưởng đối với độ khuếch đại  :
Như đã biết độ khuếch đại  thay đổi theo dòng điện IC . Khi nhiệt độ tăng làm dòng IC tăng và
 tăng theo.
(3) Ảnh hưởng đối với phân cực VBE :
Điện thế phân cực VBE khoảng 0.5V đến 0,7V cho transitor Si và khoảng 0.1V đến 0,3V cho
transitor Ge. Khi nhiệt độ tăng, VBE sẽ bị giảm thông thương khi nhiệt độ tăng 10C thì VBE giảm khoảng
2,4mV
Trong ba thông số trên dòng điện rỉ ICBO có ảnh hưởng quan trọng nhất.
6.8 CÁC BIỆN PHÁP ỔN ĐỊNH NHIỆT
Để tránh ảnh hưởng của nhiệt độ lên các thông số của transitor có thể làm sai điểm làm việc
tĩnh Q người ta dùng các biện pháp phân cực cho transitor như sau:

VCC

RC IC
RC IC RB RB1 RC IC
RB1
IB
VCC VCC
IB IB
RB 2 RB 2 RTh
IE RE IE RE IE RE

(a) (b) (c)

Hình 6-15

(1) Dùng điện trở RE để ổn định nhiệt:

Theo mạch điện hình 6-15(a), khi nhiệt độ tăng thì dòng Ic tăng lên làm dòng điện IE tăng theo.
Khi IE tăng sẽ làm VE tăng (VE = IE.RE ) trong khi điện thế phân cực VB gần như không thay đổi nhờ cầu
phân thế. Lúc đó điện thế VBE sẽ bị giảm xuống (VBE = VB - VE) làm cho dòng điện IB giảm xuống theo
đặc tuyến ngõ vao IB/VBE. Dòng điện IB giảm sẽ kéo IC giảm xuống và nhiệt độ transitor sẽ được ổn định.
(2)Dùng điện trở RB hồi tiếp từ cục C:
Theo mạch điện hình 6-15 (b) điện thế phân cực VB được lấy từ cực C giảm thế qua điện trở
RB. trong mạch này dòng điện ngõ vào IB được tính theo công thức:

74
 VC  VBE
IB 
RB   .RE

Khi nhiệt độ tăng làm IC tăng và Vc bị giảm (vì Vc = Vcc – Ic.Rc). theo công thức trên khi Vc
giảm sẽ làm cho IB bị giảm xuống và kéo theo Ic giảm xuống, nhiệt độ transitor được ổn định. Trong
mạch này điện trở RE vẫn có tác dụng ổn định nhiệt
(3) Dùng cầu phân thế có điện trở nhiệt:
Mạch điện hình 6-15(c) có điện trở nhiệt Th ghép song song điện trở RB2 là loại điện trở nhiệt
có hệ số nhiệt âm. Điện trở này được đặt gần vào vỏ của transitor nên khi nhiệt độ của transitor tăng lên
thì điện trở nhiệt bị nóng và giảm trị số điện trở làm giảm thấp điện thế phân cực VB. Lúc đó dòng điện
IB giảm xuống kéo IE giảm theo.
Trong mạch này điện trở RE vẫn có tác dựng ổn định nhiệt. Mạch hình 6-15(c) thường chỉ
dung cho các transitor khuếch đại công suất lớn.

6.9 ĐỘ BẤT ỔN ĐỊNH CỦA TRANSITOR DO ẢNH HƯỞNG NHIỆT ĐỘ:

1.Các hệ số lien quan đến hạt dẫn của transitor:
Ic
Nếu ta gọi   (Số hạt dẫn đến cực C)/(Số hạt dẫn phát ra từ cực E)=
IE
Như ta biết vì IB rất nhỏ nên IC  IE Vì vậy:  = 0,95 ÷ 0,99
Vậy: IC =  .IE (1)
Ta lại có: Ic =  .IB (2)
Lien hệ giữa  và  :
Với : IE = IB + Ic
(1) IC =  (IB + Ic) Ic(1-  ) =  . IB
  
Hay: I C    IB (3)
 1 
  
 
So sánh (2) và (3) ta được:  (4)
 1 
  
(4)   -  .  =       (5)
 1  
2. Độ bất ổn định
C Khảo sát transitor NPN:
IC Ta có: IC =  . IE + ICBO
IB I cbo PCT Với :
ICBO: dòng điện rỉ bảo hòa của diode phân cực nghịch giữa
C-B
B
I PCN
Khi nhiệt độ
E tăng dòng I
CBO tăng theo hàm số mủ nên IC tăng, điều này làm cho điểm làm việc Q
bị trôi theo nhiệt độ không
E ổn định. Nguời ta định nghĩa độ bất ổn định S của transitor như sau:
 IC
S
 I CBO
Nếu S = 1 (lý tưởng)  transitor làm việc ổn định nhất
Nếu S càng lớn so với 1  transitor làm việc càng mất ổn định.
Xét mạch như hình 6-16 sau:

75
 RC

RB IC
VCC
IB
VBB
IE RE

Hình 6-16
Ngõ vào: VBB = IBRB + VBE + IERE  VBB - VBE = IBRB + IERE (1)
IC  ICBO
IC 

Với : Ic =  IE + ICBO (2)

I C  I CBO
Và IB = IE – IC = - IC (3)

Thế (2) và (3) vào(1) :

 I C  I CBO  I I 
VBB – VBE =   I C  RB   C CBO  RE
     

  (VBB  VBE )  ( I C  I CBO ) RB  I C RB  ( I C  I CBO ) RE

 I C ( RB   RB  RE )  I CBO ( RB  RE )

 (VBB  VBE )  I CBO ( RB  RE )

Hay: I C  (4)
RB (1   )  RE

 IC RE  RB
Vậy: S 
 I CBO RB (1   )  RE
(5)

    1  1
Ta có:     1-  = 
 1    1  1

Thế vào (5):

RE  RB
 S  (   1) (6)
RB  (   1) RE
3.Cách chọn điện trở để mạch ổn định nhiệt:
a. Chọn RB
Từ( 6 ) nếu RB << (  +1)RE
RE  RB R
S   1  B sẽ ổn định nhiệt, nếu: RB << RE.
RE RE
Để thỏa mãn cả 2 điều kiện này, ta thường chọn
RB = (1/5 ÷ 1/10) (  +1)RE

76
b. Chọn RE
Như ta biết RE được dùng để ổn định nhiệt, RE càng lớn càng tốt,nhưng vì:
Vcc= I C RC + VCE + I E R E
Nếu RE quá lớn để VCE không đổi (ổn định),ta cần phải chọn Vcc thật lớn.
Trong thực tế Vcc chỉ khoãng mười mấy volt,nên ta chọn RE sao cho:
Vcc = IERE=(1/5 ÷ 1/10)Vcc

C.CÁC MẠCH RÁP CƠ BẢN VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG

6.10 Mạch khuếch đại dùng transitor :
1. Mạch khuếch đại đơn giản
Khảo sát transitor NPN, Si có VBE = 0,6V và  = 100
Mạch được khảo sát như sau:

RB1 RC
56K IC 2,5K
10uF
Vout
10uF
C2 VCC
12V
C1 IB
RS
RB 2 10K CE
IE 0,5K 50uF
VS RE

Hình 6-17
Với: VS = nguồn xoay chiều cần khuếch đại,biên độ đỉnh ± 22mV (biên độ nhỏ)
Và tần số f = 1KHz  Vs=0,022sin2000  t
RS : nội trở của nguồn VS
C1,C2 : tụ điện liên lạc (cho dòng AC qua, ngăn dòng DC lại)
CE: tụ phân dòng( lọc bỏ tín hiệu AC từ cực E xuống đất)

2. Trạng thái DC (tĩnh)

Đây là mạch giống như ở bài phân cực.
Do đó:
VBB  VBE
IB   20 A
RB   RE
Với : VBB = 1,8V
RBB = (56K//10K)= 8,5K 
VB = 1,6V,VE = 1V,Vc = 7V
VBE = 0.6V, VCE = 6V
Phương trình đường tải tĩnh:
VCC  VCE
IC 
RC  RE
3. Trạng thái AC (động)
a. Với f = 1KHz:
Ta tính toán dunh kháng của các tụ liên lạc C1,C2 và tụ phân dòng CE như sau:
1 1
XC1 = XC2 =   16
2 fC1 2  3.14 103 106

77
 1
XCE = # 3,2 
2 fCE
- Các trị số này nhỏ so với các điện trở trong mạch  coi như nối tắt
- Các nguồn Vcc trong mạch ở thực tế có tụ lọc nguồn có trị số điện dung lớn  coi như nối tắt
b. Tổng trở ngõ vào:

C
C rc ic
C ib
B PCN B
B PCT rb
E E re ie
(a) (b) (c) E
Hình 6-18
Với rb = điện trơ từ cực B đến vùng bán dẫn lớp P ( rb tương đương vài chục đến vài trăm ohm)
26mV 26mV
re =  = 13 
E 2mA
re = điện trở thuận ở trạng thái xoay chiều
Vậy: điện trở tương đương giữa B-E của transitor:

VBE VBE rbib  rcic

ri ( BE )   
ii vb ib
ib (rb   rc )
=  (rb   rc )  1.5k 
ib
Vậy trong chế độ AC mạch tương đương sẽ là:

ib C
B
ic
M
RS
E
RB1 RB 2 ri RC
VS
N

Hình 6-19
Vậy: nếu ta gọi Ri là tổng trở nhìn từ M-N = RB1//RB2//ri
Ri = (56K//10K//1.5K)  1.28K 
c.Đường tải động
Như ta đã biết đường tải tĩnh là tập hợp các điểm làm việc Q ở ngõ ra có từng cặp (Ic,V CE) thoả với yêu
cầu của định luật mạch kín ở ngõ ra theo phương trình:
VCC  VCE
IC  (1)
RC  RE
Như ở hình 6-20 sau:

78
 I C (mA)
VCC / RC

IB
VCC / RC  RE đường tải động

Q
đường tải tĩnh

0 VCC VCE
Hình 6-20
Với trạng thai động AC, ta cũng có 1 khái niệm tương tự. Khi có nguồn VS tác động, ta sẽ có mỗi cặp
iC(t) và vCE(t) trên ngõ ra. Lúc này tín hiệu xoay chiều vS(t) xếp chồng lên trạng thái tĩnh là trạng thái
được phân cực vốn có ở tình trạng DC, làm điện áp và dòng điện ở ngõ vào và ngõ ra tăng giảm theo
thời gian sau:

ic (t ) Ic iac

I CQ I CQ

0 0 0
t t t

v VCE vac

VCQ VCQ

0 0 0
t t t
Tổng hợp Thành phần DC Thành phần AC

Hình 6-21
Với: VCE(t) = Vcc - RCiC(t)Vậy trong trạng thái này mỗi cặp i C(t) và vCE(t) tương ứng sẽ xác định
một điểm làm việc Q tương ứng và tập hợp các điểm Q này sẽ là đường tải động thỏa định luật mạch
kín ở ngõ ra theo phương trình:

VCC  vCE (t )
iC (t ) 
RC
Ở trạng thái động CE sẽ nối tắt RE nên đường tải này sẽ cắt trục IC tại VCC/RC và
đi qua điểm hoạt động Q (trạng thái tĩnh là một trường hợp đặc biệt khi nguồn V S = 0)
d) Biến thiên tín hiệu:
Hiệu thế đưa vào 2 cực B-E của tín hiệu AC là: vi = vBE
Với :
Ri 1,28
vi  v S .  vA.  0,68 v S
Ri  RS 1,28  0,6k
Vậy, nếu biên độ đỉnh vào là  22mV thì biên độ đỉnh của vi là: 15mV
Xét đường biểu diển sau:

79
 Từ đồ thị ở hình 6-22, ta có:
Với: vs =  22mV, nghĩa là có biên độ đỉnh-đỉnh VP-P = 44 mV, qua mạch
khuyếch đại ta đã tạo ra: Vout = 5V (biên độ đỉnh-đỉnh) .
Vậy nếu ta gọi AV là hệ số khuyếch đại toàn mạch thì :
V 5000
AV  out   113
VS 44
e) Góc pha :
- Ở ngõ vào : vS,vi đồng pha vbe, ib
- Ơ ngõ ra : ic đồng pha với ib, mà v0 nghịch pha với ic
Vậy :
- v0 nghịch pha với vs,vi

f. Tính độ khuếch đại :

+ Độ khuếch đại dòng điện:
Độ khuếch đại dòng điện là tỉ số giữa dòng điện xoay chiều ở ngõ ra và ngõ vào.

I 0 I C ic
AI       100
I i I B ib
+ Độ khuếch đại điện thế:
Độ khuếch đại điện thế là tỷ số giữa điện thế xoay chiều ở ngõ ra và ngõ vào.
- Xét độ khuếch đại điện thế riêng của transistor :

V0 VC vce i R   ib  RC R

AV     c C    C
Vi VB vbe ib  ri ib  ri ri

Thay số vào ta có: AV = - 166 lần

Dấu (-) trong công thức có ý nghĩa tín hiệu ở ngõ ra và ngõ vào đảo pha nhau
- Xét độ khuếch đại điện thế chung của mạch :
v v v v
AVS  0  o  o  i
v S v s vi v s

80
 Ri v Ri
Ta đã có: vi  v S   i 
Ri  RS v S Ri  RS
Thay vào AVS ta có:

Ri
AVS  AV 
Ri  RS
Thay số vào ta có: AVS = -113 lần
Kết luận:
Trong mạch điện tử transistor có tác dụng khuếch đại tín hiệu xoay chiều từ biên
độ nhỏ lên biên độ cao hơn nhiều lần cả về điện thế và cường độ dòng điện.
Từ độ khuếch đại điện thế AV và độ khuếch đại dòng điện AI ta có thể tính được
độ khuếch đại công suất transistor theo công thức:

AP  AV  AI

6.11 CÁC MẠCH CƠ BẢN VÀ MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG :

Transistor là một linh kiện có tính phi tuyến nhưng nếu xét ở mức tín hiệu nhỏ thì
ảnh hưởng của tính phi tuyến không quan trọng. Trong điều kiện này người ta có thể
phân tích mạch khuếch đại dùng transistor bằng lý thuyết tuyến tính trong đó transistor
được đổi thành mạch tương đương gồm các phần tử như điện trở, nguồn dòng điện và
nguồn điện thế như hình 6-23 sau:

Hình 6-23

Mạch tương đương của transistor có thể vẽ như hình 6.24 (a) trong đó r b là điện
trở từ cực B vào giữa vùng bán dẫn của cực B, r e là điện trở thuận ở trạng thái xoay
chiều của diode BE, rc là điện trở nghịch của diode BC.
Điện trở rb có trị số nhỏ khoảng vài chục ohm đến vài trăm ohm. Điện trở r e là
điện trở động của diode BE nên được tính theo công thức : r e = 26 mV / IE (mA)

81
 Điện trở rc là điện trở nghịch của dòng diode BC có trị số rất lớn khoảng trăm
kilo-ohm được coi như cách điện giữa C và B, do đó, không có dòng điện từ C qua
diode BC ra ở cực B nhưng có dòng điện I C qua mối nối và ra ở cực E. như vậy ở ngõ
ra mạch tương đương được đổi lại là cực C không dính vào cực B và có nguồn dòng
điện IC đi từ C qua E như hình 6.24 (b)
Mạch tương đương của transistor dùng thông số Hybrid ( lai, gọi là thông số lai )
nên các thông số có ký hiệu chữ h như:
- hie = tổng trở ngõ vào kiểu E chung (I: input)
- hfe = độ khuếch đại dòng điện thuận kiểu E chung (f: forward)
- hoe = tổng dẫn ngõ ra (nghịch đảo của tổng trở ngõ ra) kiểu E chung (0: output)

1) Mạch Tương Đương Kiểu E Chung:

a) Mạch E chung :

Mạch khuyếch đại ở hình 6-25 (a) có tín hiệu vào ở cực B và tín hiệu ra ở cực C,
cực E có tụ phân dòng CE xuống đất nên ở cực này không có tín hiệu AC được gọi là
cực chung .

b) Tính toán các thông số :

Mạch tương đương kiểu E chung được vẻ ở hình 6-25 (b)

- Tính tổng trở ngõ vào:

vi ib  rb  ie  re ib  rb   ib  re
hie  ri   
ii ib ib
Hay:
hie  rb   re (khoảng vài kilo ohm)

82
 - Tổng trở ngõ ra:
r0 = 1/hoe = vài chục kilo-ohm đến vài trăm kilo-ohm
Do r0 có trị số rất lớn nên nhiều trường hợp có thể bỏ r 0 không vẻ trong mạch
tương đương
- Tính độ khuếch đại dòng điện :
ic (vài chục đến vài trăm)
Ai     h fe
ib

- Tính độ khuếch đại điện thế:

vce i R   ib  RC R
AV   c C    C
vbe ib  ri ib  ri ri

Hay : AV    
Rc (vài trăm lần)
hie

- Xét góc pha: điện thế của tín hiệu vào và ra đảo pha.

2) Mạch Tương Đương Kiểu B Chung:

a) Mạch B chung :
Trong mạch transistor ráp kiểu B chung có tụ điện phân dòng CB nối đất, nên cực
B không có tín hiệu AC . Tín hiệu đưa vào cực E và lấy ra ở cực C, được vẽ như hình
6.26 (a)
b) Tính toán các thông số :
Mạch tương đương được vẻ ở hình 6-26 (b)

- Tính tổng trở ngõ vào :

vi ib  rb  ie  re ib  rb   ib  re rb   re
ri    
ii ie  ib 
Hay :
hie
ri  (vài chục ohm)

- Tổng trở ngõ ra :

r0 = vài trăm kilo-ohm vì diode BC phân cực ngược

- Tính độ khuếch đại dòng điện :

83
 io ic  ib 
Ai     1 Ai  1
ii ie   1 ib   1

- Tính độ khuếch đại điện thế :

v  ic  RC   ib  RC R
AV  o    C
vi  ib  rb  ie  re  ib rb    re  ri
Hay:
R
Av  c (vài trăm lần)
hie
- Xét góc pha: Điện thế của tín hiệu vào và ra đồng pha

3) Mạch Tương Đương Kiểu C Chung:

a) Mạch C chung :
Trong mạch transistor ráp kiểu C chung thì cực C được nối thẳng lên nguồn V CC
, với tín hiệu AC nguồn VCC coi như được nối đất, gọi là đất (masse) xoay chiều nên ở
cực C không có tín hiệu AC . Tín hiệu vào ở cực B và lấy ra ở cực E được vẽ như H 6-
27 (a)
b) Tính toán các thông số :
Mạch tương đương được vẻ ở hình 6-27 (b)

- Tính tổng trở ngõ vào:

vi ib  rb  ie  re  ie  RE
ri    rb    re    RE
ii ib
Hay:
ri = hie +  .RE (  vài trăm kilo-ohm)

- Tính tổng trở ngõ ra:

Điện trở RB là điện trở của cầu phân thế RB1 song song RB2

84
 Khi đứng từ ngõ ra nhìn vào mạch thì ta thấy điện trở R B song song nội trở của
nguồn RS. Thường điện trở RB rất lớn so với Rs nên điện trở tương đương của R B song
song Rs cũng chính là Rs. Mạch tương đương được vẽ lại như hình 6-27 (c).

Tổng trở ngõ ra là:

v v
ro  o  e
io ie
Theo mạch tương đương thì có điện trở rs,rb
và  re ghép nối tiếp nhau và song song với điện
trở tải RE.
Ta có:
ve = ie . RE = Ib (rs + rb + .re )
Suy ra:

ve ib rs  rb    re  rs  rb   re
ro   
ie  ib 
Hay:

ro  re 
1
rb  rs  (vài chục ohm)


- Tính độ khuếch đại dòng điện :

Ai 
io ie
 
  1 ib    1
ii ib ib

AI    1 (vài trăm lần)

- Tính độ khuếch đại điện thế :

vo v e ie  R E   RE
AV    
vi vb ib  rb  ie  re  ie  RE  rb    re     RE
Vậy:
Av  1 (vì rb +  .re << .RE)

- Xét góc pha : Khi VB tăng làm IB và IE tăng nên VE cũng tăng theo do đó điện
thế của tín hiệu vào và ra đồng pha.

@ NHẬN XÉT:
1. Transistor ráp kiểu E chung có độ khuếch đại mạnh nhất vì AI và AV đều lớn.
2. Transistor ráp kiểu B chung có ri rất nhỏ ( ri = hie/  ) và r0 rất lớn nên dùng để
đổi tổng trở từ nhỏ ra lớn.
3. Transistor ráp kiểu C chung có ri rất lớn và r0 rất nhỏ nên dùng để đổi tổng trở
từ lớn ra nhỏ.

6.12 BA TRẠNG THÁI CỦA TRANSISTOR:

85
 Mạch tương đương của transistor như vừa xét là trường hợp transistor ở trạng thái
khuếch đại tuyến tính. Thật ra tuỳ theo mức phân cực mà transistor có thể làm việc ở
một trong ba trạng thái là: ngưng dẫn, khuếch đại tuyến tính và bảo hòa.
Xét mạch phân cực cho transistor như hình 6-28 (a)

1) Trạng thái ngưng dẫn :

Nếu phân cực cho transistor có VBE < Vy (VBE = 0 V  0,4 V) thì transistor ngưng
dẫn, dòng điện IB = 0, IC = 0 và VCE  + VCC , lúc đó chỉ có dòng điện rỉ qua transistor
rất nhỏ không đáng kể
Lúc này điểm làm việc Q nằm trên đường tải tĩnh đoạn CD
2) Trạng thái khuếch đại :
Nếu phân cực cho transistor có VBE = 0,5 V  0,7 V thì transistor dẫn điện và có
dòng điện IB, dòng điện IC tăng theo IB qua hệ số khuếch đại . Lúc đó điểm làm việc
của transistor sẽ nằm trên đường tải tĩnh và khi I B tăng thì IC tăng và VCE giảm
Lúc này điểm làm việc Q nằm trên đường tải tĩnh đoạn BC
3) Trạng thái bão hòa :
Nếu phân cực cho transistor có VBE  0,8V thì transistor sẽ dẫn rất mạnh gọi là
bão hòa. Lúc đó IB tăng cao làm IC tăng cao đến mức gần bằng VCC/RC và điện thế VCE
giảm còn rất nhỏ ( 0,2v) gọi là điện thế VCE sat ( saturation ) hay là VCE bão hòa
Lúc này điểm làm việc Q nằm trên đường tải tĩnh đoạn AB
Ba trạng thái của transistor trên đặc tuyến ngõ ra của transistor như ở hình 6-
28(b)

86


87