BTTH VLBD Fulll Diode BJT Jfet Mosfet

ĐHBK Tp HCM – Khoa ĐĐT–BMĐT
Môn: Vật lý bán dẫn – HK172

GVPT: Hồ Trung Mỹ
Một số BT giải sẵn vè ứng dụng DCBD
Diode
Hình 1 Hình 2
1. Xét mạch ổn áp trong hình 1, để diode Zener hoạt động như trong miền ổn áp thì cần dòng qua diode IZ ≥
25 mA. Tìm giá trị R để diode Zener vẫn ờ miền ổn áp.
BG.
Gọi IR là dòng điện qua R và IL là dòng điện qua tải 100 Ω.
Ta có:
IR = IZ + IL ⇒ IZ = IR – IL
với IR = (20 – 10)/R = 10/R, IL = 10/100 = 0.1 A, và IZ ≥ 25 mA = 0.025 A = IZmin.
Suy ra
10/R – 0.1 ≥ 0.025 hay 10/R ≥ 0.125 ⇒ R ≤ 10/0.125 = 80 Ω.
Như vậy để cho Zener vẫn trong miền ổn áp thì R ≤ 80 Ω.
Thực tế còn có giới hạn dưới của R do IZmax quyết định.
2. Xét mạch xén trong hình 2, giả sử diode D và DZ có điện áp dẫn thuận là 0.7 V, DZ có có điện áp dẫn
ngược VZ = 3.3 V. Giá trị đỉnh của điện áp ra Vo ở bán kỳ dương và bán kỳ âm là bao nhiêu?
BG.
Biến đổi Thévenin cho nguồn áp vào và 2 điện trở, lúc này coi áp ra Vo ở 2 đầu DZ và D.
Mạch Thévenin có VT = Vi x 1k/(1k + 1k) = 0.5 Vi = 5sin ωt và RT = 1k//1k = 500 Ω.
Ta thấy các diode dẫn và tắt như sau:
Điện áp VT Điện áp VT đỉnh (V) Diode D Diode Zener DZ
Bán kỳ dương 5 Dẫn thuận (VD = 0.7 V) Dẫn ngược (VZ = 3.3 V)
Bán kỳ âm 5 Tắt Tắt
Như vậy giá trị đỉnh của Vo (Vop)
• Bán kỳ dương: Vop = 3.3 + 0.7 = 4 V (lúc này Vo = +4V)
• Bán kỳ âm: Vop = giá trị đỉnh của VT = 5 V (lúc này Vo = –5V)
Hình 3 Hình 4
3. Xét mạch ở hình 3, giả sử điện áp vào Vin = 10sin ωt và các diode là lý tưởng. Hãy tìm các giá trị cực
đại và cực tiểu của điện áp ra Vout?
BG.
• D1 dẫn khi Vin ≥ 4 V (lúc này D2 tắt) ⇒ Vout = 4 V
VLBD-172_BT giải sẵn về ứng dụng DCBD – trang 1/3

• D2 dẫn khi –4V – Vin ≥ 0 (lúc này D1 tắt) hay Vin ≤ –4 V
⇒ Vout = –4 –10k x (–4–Vin)/(10 k + 10 k) = –2 + 0.5Vin
Ở bán kỷ âm thì Vin có trị min là –10 ⇒ Vout = –2+0.5x(–10) = –7 V
Ở bán kỷ âm thì Vin có trị max là –4 (để D2 vẫn dẫn) ⇒ Vout = –2–0.5x(4) = 0 V
Như vậy Vout,max = 4 V và Vout,min = –7 V.
4. Xét mạch ở hình 4, giả sử các diode là lý tưởng. Hãy cho biết đặc tuyếm truyền đạt của mạch là hình nào
trong các hình sau:
(A) (B) (C) (D)

BG.
Vi (V) < 10 V ≥ 10
D1 OFF ON
D2 OFF OFF
Vo (V) 10 V Vi
Do đó đáp án là hình (A).
Hình 5 Hình 6
5. Xét mạch hình 5, giả sử diode có VON = 0.7 V.
1) Hãy cho biết dạng sóng Vo là hình nào trong các hình sau:
2) Nếu thay nguồn áp vào là 20sin ωt thì dạng sóng Vo là hình nào trong các hình trên.
BG.
Biến đổi Thévenin cho nguồn áp vào và 2 điện trở.
1) Mạch Thévenin có VT = Vi x 10k/(10k + 10k) = 0.5 Vi = 5sin ωt và RT = 10k//10k = 5 kΩ.
Khi đó mạch tương đương là mạch xén trên có giá trị xén trên là 5 + 0.7 = 5.7 V ⇒ khi VT ≥ 5.7 V thì D
dẫn, tuy nhiên VT = 5sin ωt ⇒ VTmax = 5V < 5.7 V ⇒ diode không bao giờ dẫn với trường hợp này!
Như vậy Vo = VT = 5sin ωt ⇒ đáp án là hình (A).
2) Mạch Thévenin có VT = 0.5 Vi = 10sin ωt

• Khi VT ≥ 5.7 V thì D dẫn ⇒ Vo = 5.7 V.
• Khi VT < 5.7 V thì D tắt ⇒ Vo = VT = 10sin ωt ⇒ Vo min = –10 V
Đáp án là hình (C).
6. Xét mạch hình 6, giả sử diode Zener có IZmin = 10 mA. Để duy trì sụt áp 5 V trên RL thì giá trị tối thiểu
của RL và định mức công suất tối thiểu của Zener là bao nhiêu?
BG.
Gọi IR là dòng điện qua R = 100Ω, IL = ILoad là dòng điện qua tải RL và IZ là dòng điện qua Zener.
Ta có: IR = IZ + IL ⇒ IZ = IR – IL
với IR = (10 – 5)/100 = 0.05 A, IL = 5/RL, và IZ ≥ IZmin = 10 mA = 0.01 A.
Suy ra: 0.05 – 5/RL ≥ 0.01 hay 5/RL ≤ 0.04 ⇒ RL ≥ 5/0.04 = 125 Ω ⇒ RLmin = 125 Ω
Định mức công suất tối thiểu của Zener tương ứng với Pm ≥ PZmax
Công suất định mức trên Zener là Pm = VZIZ ≥ VZIZmax
Trong mạch này IZmax = IZ (không tải, RL = ∞) = IR = 0.05A ⇒ Pm ≥ VZIZmax = 5x0.05 = 0.25 W = 250mW
Suy ra định mức công suất tối thiểu của Zener là 250 mW.
Hình 7 Hình 8
7. Xét mạch ở hình 7, giả sử các diode là lý tưởng. Hãy tìm
a) Các mức xén trên và xén dưới?
b) Các giá trị của điện áp vào để có xén trên, và xén dưới?
c) Điện áp vào trong dải trị nào thì ngõ ra không bị xén và áp ra lúc đó là bao nhiêu?
BG.
Biến đổi Thévenin cho nguồn áp vào và 2 điện trở.
Mạch Thévenin có VT = Vi x 10k/(10k + 10k) = 0.5Vi và RT = 10k//10k = 5 kΩ.
a) Mức xén trên là –1V và mức xén dưới là –2 V.
b) Để có xén trên: VT = 0.5Vi ≥ –1 V hay Vi ≥ –2 V.
Để có xén dưới: VT = 0.5Vi ≤ –2 V hay Vi ≤ –4 V.
c) Khi –4 V < Vi < –2 V thì ngõ ra không bị xén và Vo = VT = 0.5Vi
8. Xét mạch ở hình 8, giả sử diode Zener có IZmin = 5 mA và IZmax = 100 mA. Hãy tìm dải trị số có thể có
của IL, RL và công suất tối thiểu PR mà điện trở 12 Ω chịu được?
BG.
Ta có: IR = IZ + IL ⇒ IZ = IR – IL = (6.3–4.8)/12 – IL = 0.125 – IL
• Vì 0.005 A ≤ IZ ≤ 0.1 A ⇒ 0.005 A ≤ 0.125 A – IL ≤ 0.1 A ⇒ 0.025 A ≤ IL ≤ 0.12 A
• Vì IL = 4.8/RL ⇒ 0.025 ≤ 4.8/RL ≤ 0.12 ⇒ 40 Ω ≤ RL ≤ 192 Ω
• PR = (6.3 – 4.8)2/12 = 0.1875 W = 187.5 mW

Chương 5
Bài tập về BJT (AY1112-S1)
(Giả sử các BJT đều làm từ Si và điện áp để JE dẫn là 0.7V và bão hòa:VBEsat=0.8 và VCEsat=0.2V)
1. Với các trường hợp sau BJT hoạt động ở miền nào?
a) NPN: VCB = 0.7V, VCE = 0.2V d) PNP: VEB = 0.6V, VCE = –4V
b) NPN: VBE = 0.7V, VCE = 0.3V e) PNP: VCB = –0.6V, VCE = –5.4V
c) NPN: VCB = 1.4V, VCE = 2.1V f) PNP: VCB = 0.9V, VCE=0.4V
2. Hãy xác định xem các BJT trong hình 5.1 được phân cực ở miền hoạt động nào và tìm IB, IC, VCE (biết BJT có
β = 100)?
Hình 5.1 Hình 5.2 Hình 5.3 Hình 5.4
3. Mạch trong hình 5.2 với BJT có  = 150 và VCC = 12V, RC = 1.5K. Hãy xác định giá trị của RB để BJT làm
việc ở miền: a) tích cực thuận; b) bão hòa.
4. Mạch trong hình 5.3 với BJT có  = 150, VCC = 12V, RC = 1.5K và RE = 500. Hãy xác định giá trị của RB
để BJT làm việc ở miền: a) tích cực thuận; b) bão hòa.
5. Mạch trong hình 5.4 với BJT có  = 150 và VCC = 12V, RC = 1.5K. Hãy xác định giá trị của RB để BJT làm
việc ở miền: a) tích cực thuận; b) bão hòa.
6. Hình 5.5 cho thấy các điện thế đo được tại các chân B và E cùa các BJT. Hãy tìm  của mỗi BJT trong mạch,
biết các BJT đang ở chế độ tích cực thuận.
Hình 5.5
BT về BJT (2011) – 1
7. Xét BJT loại NPN ở chế độ tích cực thuận.
a) Hãy xác định IE,  và  cho BJT có IB = 5 µA và IC =0.62 mA
b) Hãy xác định IB, IC, và  cho BJT có IE = 1.2 mA và  =0.9915
8. Hãy xác định miền làm việc của BJT loại NPN có  = 100 cho các trường hợp sau:
a) IB = 50 µA và IC = 3 mA.
b) IB = 50 µA và VCE = 5 V.
c) VBE = –2 V và VCE = –1 V.
9. Mạch ở hình 5.6 thường dùng để xác định  và IS của BJT. Các diode trong mạch được phân cực thuận và có
sụt áp trên mỗi diode là 0.7V. Nếu người ta đo được IB = 6.28 µA và IE = 9.29 mA, hãy xác định  và IS.
Hình 5.6 Hình 5.7
10. Cho mạch ở hình 5.7 với BJT có  = 80 và IS = 5x10–14A. Hãy tìm các giá trị điện trở RB và RC sao cho BJT
làm việc ở chế độ tích cực với IC = 8mA và VCE = 5V (biết VCC = 12V).
11. Cho trước cấu tạo của 3 BJT ở hình 5.8. Giả sử các BJT này được chế tạo cùng vật liệu Si và có tham số chế
tạo giống nhau trừ các tham số có thay đổi như trong hình 5.8. Hãy so sánh giá trị hiệu suất phát e, hệ số vận
chuyển miền nền B, và  của BJT 1 với 2 BJT còn lại?
Hình 5.8
12. BJT có điện trở ra ro = 225 K ở IC = 0.8 mA. Hãy tìm:

a) Điện áp Early VA.
b) Áp dụng kết quả của a) để tìm điện trở ra ro ở IC = 0.08 mA và ở IC = 8 mA..
13. Xét BJT ở chế độ tích cực thuận có IC = 1 mA khi VCE = 1 V, và VBE được giữ không đổi. Hãy xác định IC khi
VCE = 10 V nếu:
a) VA = 75 V b) VA = 150 V
BT về BJT (2011) – 2
14. Hãy tìm hiệu suất phát e, hệ số vận chuyển miền nền B và  của BJT NPN với các tham số sau: NDE =
1x1018cm–3, NAB = 1x1016cm–3, Dn = Dp, WB = 100nm, và Lp= Ln = 1µm.
Hình 5.9 Hình 5.10 Hình 5.11 Hình 5.12

15. Các điện áp phân cực trong mạch hình 5.9 là V =3.3V và V = –3.3V. Điện thế đo được tại collector là
+ –
VC=2.27 V. Hãy xác định IB, IC, IE,  và .

16. Các điện áp phân cực trong mạch hình 5.10 là V+= 5V và V– = –5V. Giả sử BJT này có =85. Hãy xác định IB,
IC, IE và VEC.
17. Với mạch ở hình 5.11, hãy tìm RE và RC để BJT có IEQ=0.125 mA, VECQ=2.2V. Biết BJT có =110.
18. Với mạch ở hình 5.12, BJT có  = 0.992. Hãy tìm RE để IE = 1mA. Từ đó tìm tiếp IB, IC và VBC.
Hình 5.13 Hình 5.14 Hình 5.15
19. Cho mạch ở hình 5.13 với BJT có  =100, người ta muốn LED tắt khi VI = 0V và LED sáng với ILED= 15mA
và VLED = 1.5V khi VI=5V. Hãy tính các giá trị linh kiện RB1 và R1 cho các trường hợp sau:
a) LED sáng với BJT ở chế độ bão hòa.
b) LED sáng với BJT ở chế độ tích cực thuận.
20. Cho mạch ở hình 5.14 với BJT có  =150, hãy tìm IC, IE và VC cho các trường hợp sau: a) VB = 0.2V; b) VB =
0.9V; c) VB = 1.5V; và d) VB = 2.2V.
21. Cho mạch ở hình 5.15 với BJT có  =80, hãy xác định
a) VI để có VCEQ = 6V.
b) Dải trị số của VI để có: 3V  VCEQ  9V.
BT về BJT (2011) – 3
22. Cho mạch ở hình 5.16 với BJT có IS = 6 x 10–16A và  >> 1, hãy tìm VX trong trường hợp: a) không dùng xấp
xỉ VBE ; b) dùng xấp xỉ VBE=0.7V.
Hình 5.16 Hình 5.17

23. Cho mạch ở hình 5.17 với BJT có IS = 7 x 10 A và  =100, nếu R1 = 10K hãy tìm VB để cho IC = 1mA
–16
(biết collector được nối với tải lên nguồn dương vẫn duy trì BJT ở chế độ tích cực thuận) trong trường hợp:
a) không dùng xấp xỉ VBE ; b) dùng xấp xỉ VBE=0.7V.
24. Hãy xác định điểm hoạt động và mô hình tín hiệu nhỏ của Q1 cho các trường hợp trong hình 5.18. Giả sử BJT
có IS = 8 x 10–16A,  =100 và VA =.
Hình 5.18
BT về BJT (2011) – 4
25. Cho mạch ở hình 5.19 với BJT có IS = 5 x 10–17A , hãy tìm VX trong trường hợp: a) VA = ; b) VA =5V.
26. Cho mạch ở hình 5.20 với BJT có IS = 1 x 10–17A và VA=5V, hãy tìm sự thay đổi trong dòng IC nếu VCC thay
đổi từ 2.5V đến 3V.

27. Cho mạch ở hình 5.21 với RE = 600, RC = 5.6K, R1 = 250K, R2 = 75K,  = 120 và VA =.
a) Tính điểm tĩnh Q của BJT (ICQ và VCEQ).
b) Tính các tham số H của mô hình tín hiệu nhỏ.
c) Tính hỗ dẫn gm và độ lợi áp AC AV = v0/vS
d) Điện trở nhìn ở cực nền của BJT Rib.
28. Cho mạch ở hình 5.22 với BJT có  = 100 và VA =.
b) Tính các tham số H của mô hình tín hiệu nhỏ.
c) Tính hỗ dẫn gm và độ lợi áp AC AV = v0/vS
Hình 5.23
29. Cho mạch ở hình 5.23 với BJT có  = 100 và VA =. Hãy tìm mô hình tín hiệu nhỏ hỉnh  và hình T cho mỗi
trường hợp.
30. Cho mạch ở hình 5.24 với BJT có  = 100 và VA =. Hãy tìm mô hình tín hiệu nhỏ hỉnh  và hình T cho mỗi
trường hợp.
Hình 5.24
BT về BJT (2011) – 5
ĐHQG Tp HCM – ĐHBK
Khoa Điện-ĐT–Bộ môn Điện Tử
Môn học: Dụng cụ bán dẫn
Chương 5
Bài tập giải sẵn về BJT–AY1112-S1
(Giả sử các BJT Si có điện áp để JE dẫn là 0.7V, có điện áp bão hòa[NPN]: VBEsat=0.8V và VCEsat=0.2V)
a) NPN: VBE = 0.8 V, VCE = 0.4 V d) PNP: VCB = 0.9 V, VCE = 0.4 V
b) NPN: VCB = 1.4 V, VCE = 2.1 V e) PNP: VEB = 0.6 V, VCE = –0.4 V
c) NPN: VBE = −1.2 V, VCB = 0.6 V f) PNP: VBC = 0.6 V, VEC = 1.3 V
ĐS.
Qui tắc chung để giải loại bài toán này như sau:
i) Với BJT NPN, ta xét phân cực thuận/ngược của JE và JC theo:
JE: VBE = VB –VE = VBC + VCE = VCE – VCB = VBC–VEC > 0 : phân cực thuận
JC: VBC = VB –VC = VBE + VEC = VBE – VCE < 0 : phân cực ngược
ii) Với BJT PNP, ta xét phân cực thuận/ngược của JE và JC theo:
JE: VEB = VE – VB = VEC+VCB = VEC–VBC =VCB – VCE > 0 : phân cực thuận
JC: VCB = VC – VB = VCE + VEB = VEB –VEC < 0 : phân cực ngược
Áp dụng BJT NPN vào các câu a), b), và c), ta có kết quả sau:
Trường hợp VBE [V] JE VBC [V] JC Miền hoạt động
a) 0.8 > 0 thuận 0.8 – 0.4 = 0.4 > 0 thuận Bão hòa
b) 2.1 – 1.4 > 0 thuận –1.4 < 0 ngược Tích cực thuận
c) –1.2 < 0 ngược –0.6 < 0 ngược Tắt
Áp dụng BJT PNP vào các câu d), e), và f), ta có kết quả sau:
Trường hợp VEB [V] JE VCB [V] JC Miền hoạt động
d) 0.9 – 0.4 > 0 thuận 0.9 > 0 thuận Bão hòa
e) 0.6 > 0 thuận 0.6 – 0.4 > 0 thuận Bão hòa
f) 1.3 – 0.6 > 0 thuận –0.6 < 0 ngược Tích cực thuận
2. Hãy tìm IE, VCE và VBC của BJT trong mạch hình 1.
ĐS.
Với phân cực trong mạch ta thấy JE và JC đều bị phân cực ngược => BJT ở miền tắt => IE = IC = IB = 0
Như vậy (nếu chọn điện thế tại cực B là điện thế đất): VCE = VC – VE = 10V – 15V = –5V
Còn VBC = –10V
Hình 1 Hình 2
3. Hãy tìm IE, VEC và VCB của BJT trong mạch hình 1.
ĐS.
Với phân cực trong mạch ta thấy JE được phân cực thuận và JC được phân cực ngược => BJT ở miền tích cực
thuận => IE = (20V–0.7V)/39K = 0.495 mA
BT về BJT–1
Nếu chọn điện thế đất tại cực B thì ta có
VE = 0.7V và VC = –20V + 20K x IC  –20V + 20K x IE = –20V + 20K x0.495mA = –10.1V
Suy ra:
VEC = VE – VC = 0.7V – (–10.1V) = 10.8V
VCB = VC–VB = VC = –10.1V
4. Hãy tìm hiệu suất phát e, hệ số vận chuyển miền nền B và độ lợi dòng E chung  của BJT NPN với các
tham số sau: NDE = 1x1018cm–3, NAB = 1x1016cm–3, Dn = Dp, WB = 100nm, và Lp= Ln = 1µm.
ĐS.
a) Hiệu suất phát e
Theo LT ta có
I EP p D W
 e  1  1  e0 E B
I EN nb 0 DB LE
với pe0 = ni2/NDE ; nb0 = ni2/NAB
DE = hệ số khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại E = Dp
DB = hệ số khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại B = Dn
LE = chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại E= Lp
Thay các biểu thức trên vào e , ta có dạng biểu diễn khác của e như sau:
N AB D p WB
 e  1
N DE Dn L p
Từ đó tính được e = 1 – (1016/1018)(1)(100/1000) = 1 – 10-3 = 0.999
Như vậy e = 0.999
b) Hệ số vận chuyển miền nền B
Theo LT ta có
2
1 W 
B  1   Bn 
2  LB 
với WBn= bề rộng miền nền phần trung hòa  WB
LB = chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại B= Ln
Suy ra: B = 1 – (1/2)(100/1000)2 = 0.995
Như vậy B = 0.995
c) Độ lợi dòng E chung 

Ta có:  = Be = 0.995 x 0.999 = 0.994 =>  = /(1–) = 0.994/(1–0.994) 166
Như vậy  = 166
Hình 3 Hình 4 Hình 5
BT về BJT–2
5. Cho mạch lái LED ở hình 3, với BJT có  =100. LED này có điện áp dẫn VLED(on) = 1.5V và cần lái với
dòng ILED = 20mA. Điện áp điều khiển VI = 0V làm LED tắt, VI = 5V làm LED sáng. Hãy tìm:
a) Giá trị của RC để cho BJT ở miền bão hòa khi LED sáng nếu RB = 1K.
b) Dải giá trị của RC để cho BJT ở miền bão hòa khi LED sáng nếu RB = 1K.
c) Dải giá trị của RC để cho BJT ở tích cực thuận khi LED sáng nếu RB = 1K.
d) Dải giá trị của RB để cho BJT ở miền bão hòa khi LED sáng nếu RC có trị ở câu b).
e) BJT có  là bao nhiêu để cho BJT ở miền bão hòa khi LED sáng nếu RB = 1K và RC =170.
ĐS.
Khi bão hòa ta có:
VCC = 5V = RCIC + VLED + VCEsat với IC = ILED =20mA
Suy ra RC = (VCC–VLED– VCEsat)/ILED = ( 5V–1.5V–0.2V)/20mA = 3.3V/20mA = 165.
Như vậy RC =165
Cách 1: Xét 0  VCE  VCEsat = 0.2V
Ta có: VCE = VCC – RCILED – VLED hay 0  VCC – RCILED – VLED  VCEsat = 0.2V
Hay (VCC –VLED –VCEsat)/ILED  RC  (VCC –VLED)/ILED
(5V –1.5 –0.2)/20mA  RC  (5V –1.5V)/20mA
165  RC  175
Cách 2: JC được phân cực thuận, nghĩa là VBC > 0 hay VB > VC
Ta có: VB = VBEsat = 0.8V và VC = VCC–RCIC–VLED = VCC–RCILED–VLED
Hay 0.8V > VCC–RCILED–VLED = 5V –RCx20mA–1.5V
RC > (5V–1.5V–0.8V)/20mA = 135
RC > 135
Ngoài ra còn điều kiện VCE  0 => VCC–RCILED–VLED  0 => RC  (VCC –VLED)/ILED= 175
Tóm lại: 135 < RC  175
Chú ý:
 Cách 2 cho trị chính xác hơn vì VCEsat = 0.2V là trị tiêu biểu mà trong thực tế có thể thay đổi
nhiều.
 Thực tế thường phân cực cho JC dẫn thuận (VBC = 0.7V).
Khi tích cực thuận thì JC được phân cực ngược, nghĩa là VBC < 0 hay VB < VC
Hay 0.8V < VCC–RCILED–VLED = 5V –RCx20mA–1.5V
RC < (5V–1.5V–0.8V)/20mA = 135
RC < 135
Chú ý: Thực tế phân cực VCB > 0.4V
d) Dải giá trị của RB để cho BJT ở miền bão hòa khi LED sáng nếu RC có trị ở b)
Khi bão hòa thì IBsat > ICsat
Với IBsat = (VI – VBEsat)/RB và ICsat = ILED
Suy ra RB < (VI – VBEsat)/ ILED = 100(5V–0.8)/20mA = 21K
Như vậy: 0 < RB < 21K
Suy ra  > ICsat / IBsat = RB ILED/(VI – VBEsat)= 1K x 20mA/(5V–0.8V) = 4.76
Như vậy:  > 4.76 (các BJT thông dụng đều có  từ vài chục đến vài trăm => luôn thỏa)
BT về BJT–3
6. Thiết kế mạch nạp pin theo hình 4 có thể chỉnh được dòng nạp pin từ 10mA đến 100mA. Có nghĩa là ta
phải tìm các giá trị VCC, R1, R2 (biến trở) làm cho Q1 (có  = 100) hoạt động như nguồn dòng hằng chỉnh được
IC = 10mA đến 100mA.
ĐS.
Giả sử BJT ở miền tích cực thuận và dùng mô hình tín hiệu lớn với VBE=0.7V.
Khi đó IC =  IB với IB=(VCC–VBE)/(R1+R2) và thay vào yêu cầu với IC: 10mA  IC  100mA , ta có:
 V  VBE 
10mA    CC   100mA
 R1  R2 
Biến trở R2 có thể được chỉnh từ 0 đến R2, và IC max khi R2=0. Như vậy ta có thể chọn R1 bằng:
V  VBE
100mA   CC hay R1  10  VCC  VBE  []
R1
Ta có thể chọn VCC=12V (chỉ cần lớn hơn điện áp danh định của pin nạp được), suy ra R1=11.3K
Thực tế thì ta phải dùng điện trở với giá trị chuẩn, do đó nên chọn R1=12K (nghĩa là IC max hơi nhỏ hơn
100mA).
Giá trị của R2 được tìm như sau:
V  VBE
R2   CC  R1
10mA
Thay các trị số vào ta có R2 = 101.7K
Nếu dùng điện trở chuẩn thì chọn biến trở 100K cho R2, khi đó IC min hơi lớn hơn 10mA!
Chú ý: Thực tế thì các pin NiCd như loại 9V được làm từ 8 pin nhỏ 1.2V, nghĩa là điện áp danh định của nó là
9.6V. Khi pin được nạp đầy thì mỗi pin nhỏ có điện áp là 1.3V, dẫn đến điện áp nạp đầy là 10.4V. Như vậy
chỉ cần chọn VCC > 10.4V + VCEsat thì đạt yêu cầu!
7. Hãy tìm điểm tĩnh của BJT trong mạch ở hình 5. Cho trước các giá trị linh kiện: R1 = 100K; R2 = 50 K;
RC = 5 K; RE = 3 K; VCC = 15 V; VBE(on) = 0.7 V, và β = 100.
ĐS.
Để tiện tính toán ta sẽ biến đổi mạch ở cực nền thành mạch tương đương Thévenin như sau:
Với VBB=VCCR2/(R1+R2) và RB=R1R2/(R1+R2).

Giả sử BJT ở miền tích cực thuận, nếu tính ra không đúng thì ta phải đổi lại giả thiết BJT ở miền bão hòa và
tính lại! Tại mạch nền-phát ta có phương trình sau:
VBB = IBRB + VBE + IERE = [RB + (β + 1)RE ]IB + VBE
Suy ra dòng IB được tính theo công thức sau:
VBB  VBE
IB 
RB     1 RE
Từ đó suy ra: IC = βIB
Tại mạch cực thu, ta có:
VCC = ICRC + VCE + IERE = ICRC + VCE + (β + 1)ICRE/β
Suy ra:
  1 
VCE  VCC  I C  RC  R
  E 
BT về BJT–4
Nếu β >> 1 thì ta có VCE  VCC  I C  RC  RE 
Thay các giá trị vào ta có:
VBB = 5V; RB = 33.3 K; IB = 12.8 μA; IC = 1.28 mA; VCE = 4.78 V > VCEsat = 0.2V (đúng tích cực thuận)
Như vậy BJT có điểm tĩnh:
VCEQ = 4.78 V ICQ = 1.28 mA IBQ = 12.8 μA
Hình 6 Hình 7
8. Mạch ở hình 6 có 2 BJT giống nhau hoàn toàn và được phân cực ở miền tích cực thuận. Hãy tìm:
a) Dòng IX khi V1=V2
b) Hiệu số V1–V2 để cho IC1 = 10IC2
ĐS.
Ta có: IX = IC1 + IC2 với IC1 = IC2 = ISexp(V1/VT)
Hay IX = 2ISexp(V1/VT )=ISX exp(V1/VT )
Khi đó giống như tương đương 1 BJT có dòng bão hòa ngược là ISX và diện tích mặt cắt ngang gấp
đôi BJT ban đầu!

Lập tỉ số 2 dòng IC ta có
V1
V V
I C1 I S eVT 1 2
I 
 V2
 e VT
suy ra: V1  V2  VT ln  C1 
IC 2  IC 2 
I S eVT
V1–V2 = VT ln10 = 25mV x ln10  58mV ở 300oK
9. Xét mạch ở hình 7, trong đó V1 biểu diễn tín hiệu được tạo ra từ microphone, IS = 3 x 10–16A, β = 100, VA=
và Q1 hoạt động ở miền tích cực thuận.
a) Nếu V1= 0, hãy xác định các tham số tín hiệu nhỏ của BJT?
b) Nếu V1= 1mV, hãy tìm những thay đổi trong dòng thu và dòng nền?
ĐS.
a) Tính các tham số tín hiệu nhỏ. Cho V1 = 0 ta tìm điểm tĩnh của BJT
Ta có IC = IS exp(VBE/VT) = 3 x 10–16A exp(800mV/25mV) = 23.69 mA
Suy ra hỗ dẫn gm = IC/VT = 23.69mA/25mV =0.9476 mho
Và điện trở vào r = β/gm = 100/0.9476mho 103.53
Với mạch tương đương tín hiệu nhỏ ta thấy V1 = v, do đó ta có sự thay đổi ở dòng thu là:
IC = gmV1 = 0.9476 mho x 1mV = 0.9476 mA
Và sự thay đổi ở dòng nền là:
IB = IC / β = 0.9476 mA /100 = 9.476 µA
(có thể tính IB = v / r = 1mV/(100/0.9476) = 9.476 µA)
BT về BJT–5
Mạch tương đương tín hiệu nhỏ của hình 7
10. Hãy xác định điện áp ra Vo và dòng IC trong mạch sau. Và tính tiếp giá trị các tham số tín hiệu nhỏ của
BJT này. Giả sử BJT có  = 100 và VA = .
ĐS.
Để dễ tính toán ta sẽ vẽ lại mạch với tương đương Thévenin cho mạch phân cực tại cực nền:
Như vậy ta có:

Vo = 1.07V; IC = 1.93mA; gm = 0.072 mho ; và r =1.39K
BT về BJT–6
ĐHQG Tp HCM – ĐHBK
Khoa Điện-ĐT–Bộ môn Điện Tử
Môn học: Dụng cụ bán dẫn
Chương 5
Bài tập giải sẵn về BJT–AY1112-S1
(Giả sử các BJT Si có điện áp để JE dẫn là 0.7V, có điện áp bão hòa[NPN]: VBEsat=0.8V và VCEsat=0.2V)
a) NPN: VBE = 0.8 V, VCE = 0.4 V d) PNP: VCB = 0.9 V, VCE = 0.4 V
b) NPN: VCB = 1.4 V, VCE = 2.1 V e) PNP: VEB = 0.6 V, VCE = –0.4 V
c) NPN: VBE = −1.2 V, VCB = 0.6 V f) PNP: VBC = 0.6 V, VEC = 1.3 V
ĐS.
Qui tắc chung để giải loại bài toán này như sau:
i) Với BJT NPN, ta xét phân cực thuận/ngược của JE và JC theo:
JE: VBE = VB –VE = VBC + VCE = VCE – VCB = VBC–VEC > 0 : phân cực thuận
JC: VBC = VB –VC = VBE + VEC = VBE – VCE < 0 : phân cực ngược
ii) Với BJT PNP, ta xét phân cực thuận/ngược của JE và JC theo:
JE: VEB = VE – VB = VEC+VCB = VEC–VBC =VCB – VCE > 0 : phân cực thuận
JC: VCB = VC – VB = VCE + VEB = VEB –VEC < 0 : phân cực ngược
Áp dụng BJT NPN vào các câu a), b), và c), ta có kết quả sau:
Trường hợp VBE [V] JE VBC [V] JC Miền hoạt động
a) 0.8 > 0 thuận 0.8 – 0.4 = 0.4 > 0 thuận Bão hòa
b) 2.1 – 1.4 > 0 thuận –1.4 < 0 ngược Tích cực thuận
c) –1.2 < 0 ngược –0.6 < 0 ngược Tắt
Áp dụng BJT PNP vào các câu d), e), và f), ta có kết quả sau:
Trường hợp VEB [V] JE VCB [V] JC Miền hoạt động
d) 0.9 – 0.4 > 0 thuận 0.9 > 0 thuận Bão hòa
e) 0.6 > 0 thuận 0.6 – 0.4 > 0 thuận Bão hòa
f) 1.3 – 0.6 > 0 thuận –0.6 < 0 ngược Tích cực thuận
2. Hãy tìm IE, VCE và VBC của BJT trong mạch hình 1.
ĐS.
Với phân cực trong mạch ta thấy JE và JC đều bị phân cực ngược => BJT ở miền tắt => IE = IC = IB = 0
Như vậy (nếu chọn điện thế tại cực B là điện thế đất): VCE = VC – VE = 10V – 15V = –5V
Còn VBC = –10V
Hình 1 Hình 2
3. Hãy tìm IE, VEC và VCB của BJT trong mạch hình 1.
ĐS.
Với phân cực trong mạch ta thấy JE được phân cực thuận và JC được phân cực ngược => BJT ở miền tích cực
thuận => IE = (20V–0.7V)/39K = 0.495 mA
BT về BJT–1
Nếu chọn điện thế đất tại cực B thì ta có
VE = 0.7V và VC = –20V + 20K x IC  –20V + 20K x IE = –20V + 20K x0.495mA = –10.1V
Suy ra:
VEC = VE – VC = 0.7V – (–10.1V) = 10.8V
VCB = VC–VB = VC = –10.1V
4. Hãy tìm hiệu suất phát e, hệ số vận chuyển miền nền B và độ lợi dòng E chung  của BJT NPN với các
tham số sau: NDE = 1x1018cm–3, NAB = 1x1016cm–3, Dn = Dp, WB = 100nm, và Lp= Ln = 1µm.
ĐS.
a) Hiệu suất phát e
Theo LT ta có
I EP p D W
 e  1  1  e0 E B
I EN nb 0 DB LE
với pe0 = ni2/NDE ; nb0 = ni2/NAB
DE = hệ số khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại E = Dp
DB = hệ số khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại B = Dn
LE = chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại E= Lp
Thay các biểu thức trên vào e , ta có dạng biểu diễn khác của e như sau:
N AB D p WB
 e  1
N DE Dn L p
Từ đó tính được e = 1 – (1016/1018)(1)(100/1000) = 1 – 10-3 = 0.999
Như vậy e = 0.999
b) Hệ số vận chuyển miền nền B
Theo LT ta có
2
1 W 
B  1   Bn 
2  LB 
với WBn= bề rộng miền nền phần trung hòa  WB
LB = chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số tại B= Ln
Suy ra: B = 1 – (1/2)(100/1000)2 = 0.995
Như vậy B = 0.995
c) Độ lợi dòng E chung 

Ta có:  = Be = 0.995 x 0.999 = 0.994 =>  = /(1–) = 0.994/(1–0.994) 166
Như vậy  = 166
BT về BJT–2
5. Cho mạch lái LED ở hình 3, với BJT có  =100. LED này có điện áp dẫn VLED(on) = 1.5V và cần lái với
dòng ILED = 20mA. Điện áp điều khiển VI = 0V làm LED tắt, VI = 5V làm LED sáng. Hãy tìm:
d) Dải giá trị của RB để cho BJT ở miền bão hòa khi LED sáng nếu RC có trị ở câu b).
ĐS.
Khi bão hòa ta có:
VCC = 5V = RCIC + VLED + VCEsat với IC = ILED =20mA
Suy ra RC = (VCC–VLED– VCEsat)/ILED = ( 5V–1.5V–0.2V)/20mA = 3.3V/20mA = 165.
Như vậy RC =165
Cách 1: Xét 0  VCE  VCEsat = 0.2V
Ta có: VCE = VCC – RCILED – VLED hay 0  VCC – RCILED – VLED  VCEsat = 0.2V
Hay (VCC –VLED –VCEsat)/ILED  RC  (VCC –VLED)/ILED
(5V –1.5 –0.2)/20mA  RC  (5V –1.5V)/20mA
165  RC  175
Cách 2: JC được phân cực thuận, nghĩa là VBC > 0 hay VB > VC
Hay 0.8V > VCC–RCILED–VLED = 5V –RCx20mA–1.5V
RC > (5V–1.5V–0.8V)/20mA = 135
RC > 135
Ngoài ra còn điều kiện VCE  0 => VCC–RCILED–VLED  0 => RC  (VCC –VLED)/ILED= 175
Tóm lại: 135 < RC  175
Chú ý:
 Cách 2 cho trị chính xác hơn vì VCEsat = 0.2V là trị tiêu biểu mà trong thực tế có thể thay đổi
nhiều.
 Thực tế thường phân cực cho JC dẫn thuận (VBC = 0.7V).
Khi tích cực thuận thì JC được phân cực ngược, nghĩa là VBC < 0 hay VB < VC
Hay 0.8V < VCC–RCILED–VLED = 5V –RCx20mA–1.5V
RC < (5V–1.5V–0.8V)/20mA = 135
RC < 135
Chú ý: Thực tế phân cực VCB > 0.4V
d) Dải giá trị của RB để cho BJT ở miền bão hòa khi LED sáng nếu RC có trị ở b)
Suy ra RB < (VI – VBEsat)/ ILED = 100(5V–0.8)/20mA = 21K
Như vậy: 0 < RB < 21K
Suy ra  > ICsat / IBsat = RB ILED/(VI – VBEsat)= 1K x 20mA/(5V–0.8V) = 4.76
Như vậy:  > 4.76 (các BJT thông dụng đều có  từ vài chục đến vài trăm => luôn thỏa)
BT về BJT–3
6. Thiết kế mạch nạp pin theo hình 4 có thể chỉnh được dòng nạp pin từ 10mA đến 100mA. Có nghĩa là ta
phải tìm các giá trị VCC, R1, R2 (biến trở) làm cho Q1 (có  = 100) hoạt động như nguồn dòng hằng chỉnh được
IC = 10mA đến 100mA.
ĐS.
Giả sử BJT ở miền tích cực thuận và dùng mô hình tín hiệu lớn với VBE=0.7V.
Khi đó IC =  IB với IB=(VCC–VBE)/(R1+R2) và thay vào yêu cầu với IC: 10mA  IC  100mA , ta có:
 V  VBE 
10mA    CC   100mA
 R1  R2 
Biến trở R2 có thể được chỉnh từ 0 đến R2, và IC max khi R2=0. Như vậy ta có thể chọn R1 bằng:
V  VBE
100mA   CC hay R1  10  VCC  VBE  []
R1
Ta có thể chọn VCC=12V (chỉ cần lớn hơn điện áp danh định của pin nạp được), suy ra R1=11.3K
Thực tế thì ta phải dùng điện trở với giá trị chuẩn, do đó nên chọn R1=12K (nghĩa là IC max hơi nhỏ hơn
100mA).
Giá trị của R2 được tìm như sau:
V  VBE
R2   CC  R1
10mA
Thay các trị số vào ta có R2 = 101.7K
Nếu dùng điện trở chuẩn thì chọn biến trở 100K cho R2, khi đó IC min hơi lớn hơn 10mA!
Chú ý: Thực tế thì các pin NiCd như loại 9V được làm từ 8 pin nhỏ 1.2V, nghĩa là điện áp danh định của nó là
9.6V. Khi pin được nạp đầy thì mỗi pin nhỏ có điện áp là 1.3V, dẫn đến điện áp nạp đầy là 10.4V. Như vậy
chỉ cần chọn VCC > 10.4V + VCEsat thì đạt yêu cầu!
7. Hãy tìm điểm tĩnh của BJT trong mạch ở hình 5. Cho trước các giá trị linh kiện: R1 = 100K; R2 = 50 K;
RC = 5 K; RE = 3 K; VCC = 15 V; VBE(on) = 0.7 V, và β = 100.
ĐS.
Để tiện tính toán ta sẽ biến đổi mạch ở cực nền thành mạch tương đương Thévenin như sau:
Với VBB=VCCR2/(R1+R2) và RB=R1R2/(R1+R2).

Giả sử BJT ở miền tích cực thuận, nếu tính ra không đúng thì ta phải đổi lại giả thiết BJT ở miền bão hòa và
tính lại! Tại mạch nền-phát ta có phương trình sau:
VBB = IBRB + VBE + IERE = [RB + (β + 1)RE ]IB + VBE
Suy ra dòng IB được tính theo công thức sau:
VBB  VBE
IB 
RB     1 RE
Từ đó suy ra: IC = βIB
Tại mạch cực thu, ta có:
VCC = ICRC + VCE + IERE = ICRC + VCE + (β + 1)ICRE/β
Suy ra:
  1 
VCE  VCC  I C  RC  R
  E 
BT về BJT–4
Nếu β >> 1 thì ta có VCE  VCC  I C  RC  RE 
Thay các giá trị vào ta có:
VBB = 5V; RB = 33.3 K; IB = 12.8 μA; IC = 1.28 mA; VCE = 4.78 V > VCEsat = 0.2V (đúng tích cực thuận)
Như vậy BJT có điểm tĩnh:
VCEQ = 4.78 V ICQ = 1.28 mA IBQ = 12.8 μA
Hình 6 Hình 7
8. Mạch ở hình 6 có 2 BJT giống nhau hoàn toàn và được phân cực ở miền tích cực thuận. Hãy tìm:
ĐS.
Ta có: IX = IC1 + IC2 với IC1 = IC2 = ISexp(V1/VT)
Hay IX = 2ISexp(V1/VT )=ISX exp(V1/VT )
Khi đó giống như tương đương 1 BJT có dòng bão hòa ngược là ISX và diện tích mặt cắt ngang gấp
đôi BJT ban đầu!

Lập tỉ số 2 dòng IC ta có
V1
V V
I C1 I S eVT 1 2
I 
 V2
 e VT
suy ra: V1  V2  VT ln  C1 
IC 2  IC 2 
I S eVT
V1–V2 = VT ln10 = 25mV x ln10  58mV ở 300oK
9. Xét mạch ở hình 7, trong đó V1 biểu diễn tín hiệu được tạo ra từ microphone, IS = 3 x 10–16A, β = 100, VA=
và Q1 hoạt động ở miền tích cực thuận.
a) Nếu V1= 0, hãy xác định các tham số tín hiệu nhỏ của BJT?
ĐS.
a) Tính các tham số tín hiệu nhỏ. Cho V1 = 0 ta tìm điểm tĩnh của BJT
Ta có IC = IS exp(VBE/VT) = 3 x 10–16A exp(800mV/25mV) = 23.69 mA
Suy ra hỗ dẫn gm = IC/VT = 23.69mA/25mV =0.9476 mho
Và điện trở vào r = β/gm = 100/0.9476mho 103.53
Với mạch tương đương tín hiệu nhỏ ta thấy V1 = v, do đó ta có sự thay đổi ở dòng thu là:
IC = gmV1 = 0.9476 mho x 1mV = 0.9476 mA
Và sự thay đổi ở dòng nền là:
IB = IC / β = 0.9476 mA /100 = 9.476 µA
(có thể tính IB = v / r = 1mV/(100/0.9476) = 9.476 µA)
BT về BJT–5
Mạch tương đương tín hiệu nhỏ của hình 7
10. Hãy xác định điện áp ra Vo và dòng IC trong mạch sau. Và tính tiếp giá trị các tham số tín hiệu nhỏ của
BJT này. Giả sử BJT có  = 100 và VA = .
ĐS.
Để dễ tính toán ta sẽ vẽ lại mạch với tương đương Thévenin cho mạch phân cực tại cực nền:
Như vậy ta có:

Vo = 1.07V; IC = 1.93mA; gm = 0.072 mho ; và r =1.39K
BT về BJT–6
ĐHBK TpHCM–Khoa ĐĐT–BMĐT
Bài tập ôn thi môn Vật lý bán dẫn – AY1415-S2
1. Xác định xem diode nào được phân cực thuận hay phân cực ngược trong các hình BT.1 và BT.2
Hình BT.1 Hình BT.2
2. Cho mạch ở hình BT.3, giả sử VON=0.7V với diode Si và VON=0.3V với diode Ge. Áp dụng mô hình diode
sụt áp hằng, hãy tìm dòng điện I khi:
a) Cả hai diode D1 và D2 là diode Si.
b) D1 loại Si và D2 là loại Ge.
Hình BT.3 Hình BT.4 Hình BT.5
3. Với mạch hình BT.4, hãy tính I, VR và VD với mô hình diode:

a) lý tưởng
b) sụt áp hằng với VON=0.7V
c) đầy đủ với rF=50 và VON=0.7V
4. Cho mạch ở hình BT.5, hãy tìm dòng điện qua diode D1 và dòng điện qua D2, giả sử dùng mô hình diode
sụt áp hằng với VON=0.7V.
5. Hãy tìm IX và VX (điện thế so với điện thế đất) ở 2 trường hợp của mạch ở hình BT.6 với mô hình sụt áp
hằng có VON=V = 0.6V.
a) b)
6. Hãy xác định các tham số trong mạch IA và IB (hình BT.7) nếu VA có các giá trị: +2V, +1V, 0V, –0.1V, –
1V với: a)Vγ=0 ; b) Vγ=0.7V
7. Cho mạch ở hình BT.8, dùng mô hình diode sụt áp hằng để xác định IX và VX trong mạch
a) IX =2.15mA và VX =4.3V b) IX =2.5mA và VX =5V c) IX = 0mA và VX = –4V
d) IX =2.65mA và VX =5.3V e) cả 4 ĐS trên đều sai
8. Cho mạch ở hình BT.9, dùng mô hình diode sụt áp hằng để xác định IX và VX trong mạch
a) IX =0.86mA và VX =5V b) IX =0mA và VX =5V c) IX = 0.36mA và VX = 0V
d) IX =0mA và VX = –1.2V e) cả 4 ĐS trên đều sai
VLBD_AY1415-S2 – BT ôn thi HK – trang 1/7

9. Sụt áp trên diode Si ở nhiệt độ phòng 300K là 0.71V khi có dòng 2.5mA chạy qua nó. Nếu điện áp tăng lên
0.8V thì dòng diode mới là bao nhiêu? Biết diode này có  =2.
10. Một diode làm việc ở 300K có sụt áp là 0.4V và dòng qua nó là 10 mA. Khi sụt áp này được đổi thành
0.42V thì dòng diode tăng gấp đôi. Tính giá trị dòng bão hòa ngược và  của diode.
11. Dòng bão hòa ngược I0 của diode Si là 3 nA ở 27oC, biết dòng I0 tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng thêm 10oC
và diode có  =2. Hãy tìm:
a) Dòng bão hòa ngược ở 82oC.
b) Dòng điện thuận ở 82oC nếu sụt áp thuận trên nó là 0.25V.
a) NPN: VCB = 0.7V, VCE = 0.2V d) PNP: VEB = 0.6V, VCE = –4V
b) NPN: VBE = 0.7V, VCE = 0.3V e) PNP: VCB = –0.6V, VCE = –5.4V
c) NPN: VCB = 1.4V, VCE = 2.1V f) PNP: VCB = 0.9V, VCE=0.4V
13. Với hình 1 cho trước VCC = 12V và BJT có  = 100, hãy tìm RB và RC để cho BJT ở miền tích cực thuận
có điểm hoạt động DC (điểm tĩnh Q) là ICQ = 3mA và VCEQ = 6V. Giả sử giữ RB với giá trị vừa tìm được, hãy
tìm giá trị RC để mạch vẫn ở miền tích cực thuận.
Hình 1 Hình 2 Hình 3 Hình 4
14. Với hình 2, hãy tìm RB, RC và RE để cho BJT ở miền tích cực thuận có điểm hoạt động DC (điểm tĩnh Q)
là ICQ = 4 mA và VCEQ = 4V. Biết VCC = 12V, VE = 4V và BJT có  = 100.
15. Với hình 3, hãy tìm RB và RC để cho BJT ở miền tích cực thuận có điểm hoạt động DC (điểm tĩnh Q) là
ICQ = 2 mA và VCEQ = 4V. Biết VCC = 10V và BJT có  = 100.
16. Với hình 4, hãy tìm các giá trị của RC và RE để cho BJT ở chế độ tích cực thuận (biết β=100) với IC =
2mA và VC = 4.3 V.
17. Hãy tìm điểm làm việc DC (ICQ và VCEQ) của BJT trong các mạch sau và cho biết nó đang ở chế độ nào.
Giả sử các BJT có β = 50 và biết BJT nếu ở chế độ tích cực thuận có |VBE| = 0.7 V..

Hình 5
18. Xét BJT loại NPN ở chế độ tích cực thuận.
a) Hãy xác định IE,  và  cho BJT có IB = 5 µA và IC =0.62 mA
b) Hãy xác định IB, IC, và  cho BJT có IE = 1.2 mA và  =0.9915
19. Hãy xác định miền làm việc của BJT loại NPN có  = 100 cho các trường hợp sau:
a) IB = 50 µA và IC = 3 mA.
b) IB = 50 µA và VCE = 5 V.
c) VBE = –2 V và VCE = –1 V.
20. Hãy tìm hiệu suất phát e, hệ số vận chuyển miền nền B và  của BJT NPN với các tham số sau: NDE =
1x1017cm–3, NAB = 1x1015cm–3, Dn = Dp, WB = 120nm, và Lp= Ln = 2µm.
(a)
(b)
21. Cho mạch ở hình 6 với BJT có  =100, người ta muốn LED tắt khi VI = 0V và LED sáng với ILED = 20mA
và VLED = 2 V khi VI=5V. Hãy tính các giá trị linh kiện RB1 và R1 để cho LED sáng với BJT ở chế độ bão hòa.
22. Cho mạch ở hình 7 với BJT có  =100, hãy xác định VI để có VCEQ = 6V.
23. Cho mạch ở hình 8.a. với BJT có IS = 5 x 10–16A và  >> 1 (để có IE  IC), hãy tìm VX trong trường hợp:
a) không dùng xấp xỉ VBE ; b) dùng xấp xỉ VBE =0.7V.
24. Cho mạch ở hình 8.(b) với BJT có IS = 5 x 10–17A , hãy tìm VX trong trường hợp: a) VA = ; b) VA =5V.
25. Cho mạch ở hình 9 với VCC = 5V, RE = 600, RC = 5.6K, R1 = 250K, R2 = 75K,  = 120 và VA =.
Các tụ CC và CE đóng vai trò ghép và bypass tín hiệu AC, nghĩa là khi vẽ mô hình tín hiệu nhỏ ta sẽ nốt tắt
chúng và khi phân tích DC sẽ hở mạch chúng.
b) Tính các tham số h của mô hình tín hiệu nhỏ.
c) Tính hỗ dẫn gm và độ lợi áp AC AV = Vout/Vin
d) Điện trở vào nhìn ở cực nền của BJT.

Hình 9 Hình 10
26. Mạch gương dòng điện ở hình 10 với VCC = VEE = 6V và các BJT có cùng VBEQ = 0.7V, VA= ,  = 100.
Giả sử cả 2 BJT có cùng đặc tính.
a) Muốn có dòng điện chuẩn IR = 1mA thì R = ?
b) Nếu IR = 2 mA thì điện trở tải RL phải thỏa điều kiện gì đễ mạch trên vẫn là nguồn dòng?
c) Muốn có dòng ra IOUT có sai số so với IR không vượt quá 4% (nghĩa là (IR–IOUT)/IR  4%) thì  của
BJT phải thỏa điều kiện gì?
d) Trường hợp 2 BJT không có cùng đặc tính thì IOUT = ? Nếu IR = 1mA và diện tích miền phát của Q2
gấp 2 lần diện tích miền phát của Q1.
27. Hãy cho biết miền hoạt động của N-EMOS có VTN = 0.4V nếu người ta đo được các điện thế tại D, G và S
so với đất trong các trường hợp sau:
a) VD = 2 V, VG = 0.7 V, và VS = 0.5 V
b) VD = 0.5 V, VG = 1 V, và VS = 0.5 V
c) VD = 2 V, VG = 1.5 V, và VS = 0.5 V
28. Hãy cho biết miền hoạt động của P-EMOS có VTP = –0.4V nếu người ta đo được các điện thế tại D, G và S
so với đất trong các trường hợp sau:
a) VD = 0 V, VG = 2 V, và VS = 2 V
b) VD = 0.3 V, VG = 0 V, và VS = 1 V
c) VD = 3 V, VG = 0.6 V, và VS = 2 V
W
29. Tính ID và VDS của N-EMOS trong hình 15. Biết MOS có VTN = 1V và  n Cox = 0.5 mA/V2.
L

30. Tính ID và VDS của N-EMOS trong hình 16. Khi EMOS có
W W
a) VTN = 4 V và  n Cox = 2 mA/V2; b) VTN = 2 V và  n Cox = 4 mA/V2.
L L
W
31. Tính ID và VDS của N-EMOS trong hình 17. Biết EMOS có VTN = 1V và  n Cox = 0.5 mA/V2.
L

W
32. Tính ID và VDS của N-EMOS trong hình 18. Biết EMOS có VTN = 1V và  n Cox = 0.5 mA/V2.
L

33. Mạch ở hình 19 có VDD = 10V, R1 = 800K, R2 = 500K, RD = 4K, RS = 1K và dùng N-EMOS có
W
VTN=1V,  n Cox =100 A/V2 , và VA = 200V. Hãy tính điểm tĩnh Q (ID, VDS) và VGS của N-EMOS này (khi
L
tính IDQ ta tính gần đúng với =1/VA=0) và tìm các tham số gm và điện trở ra ro.
W
34. Xét mạch hình 20 với vi=0, N-EMOS có VTN = 2V,  n Cox = 0.5mA/V2, ta muốn có ID = 0.4mA khi đó
L
phải phân cực VGG bằng bao nhiêu? Hãy tìm giới hạn điện trở tải của mạch này để cho MOSFET vẫn ở miền
bão hoà với VGG vừa được tìm ra?

TD một số câu hỏi trắc nghiệm
Câu 35: Diode nào sau đây mà khi sử dụng người ta phải phân cực ngược cho nó:
a) Chỉnh lưu b) Schottky c) LED
d) Zener e) cả 4 ĐS trên đều sai
Câu 36: Một chuyển tiếp P-N (loại bước) có NA= 1017cm-3 và ND =1015cm-3. Khi đó bề rộng miền nghèo W
khi nó được phân cực ngược VR=5V là:
a) 0.275 m b) 0.300 m c) 0.325 m
d) 0.350 m e) cả 4 ĐS trên đều sai
Câu 37: Một diode ổn áp có điện áp đánh thủng VBR= –X1 Volt (X1 >0), khi nhiệt độ tăng thì VBR= –X2 Volt
(0<X2<X1). Từ đó ta suy ra diode này ổn áp dựa trên cơ chế đánh thủng:
a) thác lũ b) đường hầm c) do nhiệt
d) thác lũ và nhiệt e) cả 4 ĐS trên đều sai
Câu 38: Trong một mạch có diode, người ta thấy điện trở AC là rD = 2.5 , điểm tĩnh Q của diode này là:
(biết dòng bão hòa ngược I0 = 1.8 x10-12 A)
a) ID=10mA và VD=0.56V b) ID=12mA và VD=0.65V c) ID=10mA và VD=0.70V
d) ID=12mA và VD=0.56V e) cả 4 ĐS trên đều sai
Câu 39: Trong hình sau các diode được phân cực:
a)D1 thuận; D2 thuận b) D1 thuận; D2 ngược c) D1 ngược; D2 ngược
d)D1 ngược; D2 thuận e) cả 4 ĐS trên đều sai
Câu 40: Một diode biến dung có điện dung miền nghèo khi chưa phân cực là CJ0=100pF, ta muốn có CJ =
50pF thì dùng điện áp ngược VR (sụt áp đặt trên diode VD = –VR) là: (biết thế nội khuếch tán Vbi=0.7V)
a) 3.5 V b) 3.1 V c) 2.5 V
d) 2.1 V e) cả 4 ĐS trên đều sai
Câu 41: Cho mạch ổn áp ở hình sau với VS = 8V, R = 50 và Zener có VZ=5V, IZmin=10mA và IZmax = 50mA.
Để cho mạch vẫn còn ổn áp thì điện trở tải RL phải thuộc dải giá trị:
a) 125 < RL < 250 b) 125 < RL < 500 c) 100  < RL < 250
d) 100  < RL < 500 e) cả 4 ĐS trên đều sai
W
Câu 42: Hình 21 với N-EMOS có  n Cox =1000A/V2, VTN=0.7V, VG=5V và VD=0.2V. Mạch cho dòng điện
L
a) I = 840 A b) I = 800 A c) I = 760 A d) I = 720 A e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 43: Với mạch hình 22, giả sử λ=0, VTN=0.5V, n Cox = 2mA/V2, M1 vẫn ở miền bão hòa khi W/L có trị số
a) > 4.5 b)  1.3 c)  5.2 d)  4.8 e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 44: Hình 23 là mạch gương dòng điện với M1 và M2 có các tham số:  nCox M 1  2  nCox M 2 ;
VTN,M1=VTN,M2; M1=M2=0. Muốn có Ix=3Ibias thì (W/L)M2/(W/L)M1 bằng
a) 4 b) 6 c) 3/2 d) 2/3 e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 45: Mạch ở hình 24 có R1=800K, R2=500K, RD=4K, RS=1K và dùng N-EMOS có VTN=1V,
W
 n Cox =2mA/V2 , và VA=150V. MOSFET này có gm (khi tính IDQ cho =0) và điện trở ra ro là (gm; ro)
L
a) (3.5mS;94.3K) b) (3.2mS;80K) c) (2.85mS;53K) d) (2.52mS;94.34K) e) 4 ĐS trên đều sai

Câu 46: Mạch gương dòng điện ở hình 25 với các BJT có cùng VBEQ = 0.7V, VA= ,  = 100 và đặc điểm cấu
tạo giống nhau, chỉ khác về diện tích miền phát của Q2 gấp 2 lần diện tích miền phát của Q1. Giả sử giá trị RL
vẫn làm cho Q2 ở chế độ tích cực thuận, VCC =3V và RREF =2.3K, khi đó dòng qua RL là
a) 1.91mA b) 1.96mA c) 2.01mA d) 2.06mA e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 47: Với hình 26, người ta đo được các điện thế VB = 4.3V và VC = 1V. Từ đó suy ra BJT này có  là
a) 49 b) 50 c) 66 d) 70 e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 48: Hình 27 với R1=10K, R2=5K, RC =RE=1K, =100, VCC=15V và VBE=0.7V. BJT có trị số hie là
a)  601 b)  621 c)  646 d)  692 e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 49: Hình 27 với R1=10K,R2=5K,RE=1K,=100,VCC=15V và VBE=0.7V. BJT vẫn ở tích cực thuận
khi RC:
a) < 2255 b) < 2352 c) < 2453 d) < 2557 e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 50: Mạch ở hình 27 với R1=10K, R2=5K, RC =RE=1K, =100, VCC=15V và VBE=0.7V. Nếu BJT có
Cbe=20pF và Cbc=5pF thì tần số cắt fT có trị số là
a)  32.71MHz b)  30.15MHz c)  28.54MHz d)  26.49MHz e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 51: BJT trong hình 28 được phân cực ở chế độ

a) Tắt b) Tích cực ngược c) Tích cực thuận d) Bão hòa e) 4 ĐS trên đều sai
Câu 52: Mạch khuếch đại ở hình 29 dùng BJT có VBEQ=0.7V. Người ta chọn trị số R1 và R2 sao cho VCE=3V
và IC=1.5mA khi =150. Nếu =200 thì điểm tĩnh DC mới là (VCE; IC)
a) (1V; 2.5mA) b) (2.5V; 2mA) c) (2V; 2mA) d) (2V; 2.5mA) e) 4 ĐS trên đều sai
Hình 25 Hình 26 Hình 27 Hình 28 Hình 29

Chương 7
Bài tập về MOSFET
Chú ý: Trong các BT sau, ta giả sử các N-EMOS có nCox=200A/V2 và VTN=0.4V; các P-
EMOS có pCox=100A/V2 và VTP= -0.4V
1. Xác định miền hoạt động của M1 trong hình sau:
2. Xác định miền hoạt động của M1 trong hình sau:
3. Mạch ở hình 3 dùng 2 MOSFET giống nhau mắc nối tiếp. Giả sử 2 MOSFET này hoạt động ở
miền điện trở, chứng tỏ rằng chúng tương đương như 1 MOSFET Meq với Weq và Leq là bao
nhiêu?
Hình 3 Hình 4
BT về MOSFET–1
4. Mạch ở hình 4 dùng MOSFET làm R thay đổi được. Phải chọn W/L là bao nhiêu để mạch này
cho Vout= 95%Vin (giả sử độ lớn của Vin < 0.1V, RL=100 và VG=1.8V).
Hình 5 Hình 6 Hình 7 Hình 8 Hình 9

5. Với mạch hình 5, giả sử =0, tính W/L để cho M1 ở miền bão hòa? Từ đó xem có gì xảy ra
nếu M1 có độ dày lớp oxide gấp đôi giá trị cũ?
6. Với mạch hình 6, giả sử =0, hãy tìm giá trị tối thiểu của VDD để cho M1 không đi vào miền
triode?
7. Với mạch hình 7, giả sử =0, hãy tìm quan hệ giữa các tham số mạch để M1 hoạt động ở cạnh
miền bão hòa (VDS=VDSsat).
8. Với mạch hình 8, giả sử =0, tìm W/L để có dòng phân cực ID=I1.
9. Với mạch hình 9, giả sử =0, tìm dòng phân cực ID.
10. Với mạch sau, hãy vẽ đặc tuyến IX theo VX khi VX thay đổi từ 0 đến VDD=1.8V, giả sử =0.
Trên đặc tuyến xác định trị VX mà tại đó MOSFET thay đổi miền hoạt động.
Hình 10
11. Với mạch sau hãy vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ nếu các MOSFET có =0.01V-1 và
W/L=20/0.18.
Hình 11
BT về MOSFET–2
12. Hãy vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ của các mạch sau: (giả sử   0)
13. Tìm miền hoạt động của các P-EMOS trong các mạch sau:
14. Mạch ở hình 14 dùng các N-EMOS có VTN=1V, nCoxW/L=2A/V2, và  = 0. Hãy tìm các giá
trị của VS1, VD2 và IS.

15. Mạch ở hình 15 dùng 2 NMOS giống nhau và các tham số Iref=1mA, R=7K, và VTN=1V.
a) Nếu RL=2K, khi đó dòng I bằng bao nhiêu?
b) Giá trị của RL là bao nhiêu để dòng I giữ không đổi.
BT về MOSFET–3
ĐHQG Tp HCM – ĐHBK– Khoa Điện-ĐT–Bộ môn Điện Tử
Môn học: Dụng cụ bán dẫn – GVPT: Hồ Trung Mỹ
Chương 6
Bài tập về JFET (AY1112-S1)
1. N-JFET có IDSS = 10mA và VTH = –4V. Hãy cho biết miền hoạt động của JFET này nếu người ta đo được
các điện thế tại D, G và S so với đất trong các trường hợp sau:
a) VD = 5V, VG = 3.5V, và VS = 4V.
b) VD = 4V, VG = 1V, và VS = 5V.
c) VD = 5.5V, VG = 1V, và VS = 5V.
2. P-JFET có IDSS = 10mA và VTH = 4V. Hãy cho biết miền hoạt động của JFET này nếu người ta đo được các
điện thế tại D, G và S so với đất trong các trường hợp sau:
a) VD = –4V, VG = 3V, và VS = 2V.
b) VD = –4V, VG = 2V, và VS = 1V.
c) VD = –5V, VG = 1V, và VS = –2V.
3. Với mạch ở hình 1, các JFET trong miền bão hòa (miền nghẹt), hãy trả lời các câu hỏi sau và giải thích tại
sao có kết quả như vậy:
a) Trong hình (c), VG nhỏ hơn, bằng, hay lớn hơn VS?
b) So sánh dòng i trong hình (a) và (c)?
c) So sánh dòng i trong hình (c) và (d)?
d) Trong hình (d) điện trở nào quyết định dòng điện i và giới hạn của điện trở còn lại?
Hình 1
4. N-JFET có VTH = –4 V, IDSS = 10 mA và VA = ∞.
a) Với VGS = –2 V, hãy tìm VDS tối thiểu để dụng cụ hoạt động ở miền bão hòa. Tính ID với VGS = –2 V
và VDS = 3 V.
b) Cho VDS = 3 V, hãy tìm sự thay đổi trong ID tương ứng với sự thay đổi ở VGS từ –2 đến –1.6V.
c) Với VDS nhỏ, tính giá trị của rds ở VGS = 0 V và ở VGS = –3 V.
d) Nếu VA = 100 V, hãy tìm điện trở ra ro của JFET khi hoạt động trong miền bão hòa với dòng điện ID là
1 mA, 2.5 mA, và 10 mA.
5. JFET trong mạch ở hình 2 có VTH = –3 V, IDSS = 9 mA, và VA = ∞ V. Hãy tìm tất cả các giá trị điện trở để VG
= 5V, ID = 4 mA, và VD = 11V. Giả sử chọn dòng 0.05 mA chạy qua mạch chia áp và VDD = 15V.
6. Mạch ở hình 2 dùng kết quả có được từ câu 5 để mắc mạch khuếch đại CS. Các tụ trong mạch có giá trị lớn
dùng cho ghép tín hiệu và bypass (xem như nối tắt trong mạch tương đương tín hiệu nhỏ vì C>>). Tính gm và
ro (biết VA = 100 V). Từ đó tính điện trở vào Ri, độ lợi áp AV = vo/vi, và điện trở ra Ro.
BT về JFET–1
7. Mạch ở hình 4 có VTH = –4 V và IDSS = 12 mA. Hãy xác định VDD tối thiểu để mạch này vẫn còn chức năng
của nguồn dòng. Nếu dùng VDD = 5 V thì điện trở tải RD phải thuộc dải giá trị nào để cho JFET vẫn làm nguồn
dòng.
8. Với mạch hình 5 cả hai JFET đều có IDSS = 4mA và VTH = –2V. Các nguồn cấp điện có giá trị là VDD = –VSS
= 10V. Chứng minh rằng cả hai JFET ở miền bão hòa và xác định Vm.
9. Với mạch hình 6, cả hai JFET đều có IDSS = 16mA và VTH = –4V. Cho trước JFET ở trên trong miền triode
và JFET ở dưới trong miền bão hòa, hãy tìm ID và VDS của JFET ở trên. Kiểm chứng lại các miền hoạt động.
10. JFET trong hình 7 có IDSS = 1mA và VTH = –4V. Cho trước VDD = –VSS = 5V và RD= 0, hãy tìm ID và VS
với:
a) IQ = 0.5mA; b) IQ = 2mA
BT về JFET–2
11. Với mạch ở hình 7, JFET có các tham số VTH= –3.5 V, IDSS = 18 mA, và VA = ∞ V. Cho trước VDD = –VSS =
15V, IQ = 8mA và RD= 0.8K, hãy tìm VDS.
12. Tính các giá trị của RD và RS để cho JFET trong hình 8 có VD = VDD/2. Biết VDD = 12V, RG = 10M và
JFET có VTH = –3 V và IDSS = 12 mA.
13. Hãy tìm ID và VGS của JFET trong hình 8. Biết JFET có VTH = –6 V và IDSS = 4 mA và mạch có VDD = 12V,
RG = 10M, RD = 2.2 K và RS = 680 .
14. Hãy tìm điểm tĩnh và tham số tín hiệu nhỏ của JFET trong hình 2, biết VDD = 12V, R1 = 6.8M, R2 = 1M,
RD = 3.3 K, RS = 2.2 K và JFET có IDSS = 12 mA, VTH = –3 V và VA = 100V.
15. Tương tự câu 14 nhưng với R1 = R2 = 2.2 M, RD = 680 , và RS = 3.3 K.
16. JFET trong hình 9 có có IDSS = 0.5 mA và VTH = –3V. Hãy tìm điểm tĩnh Q cho JFET với
a) R = 0 và V = 5V; b) R = 0 và V = 0.25V; và c) R = 8.2 K và V = 5V;
17. JFET trong hình 10 có IDSS = 0.25 mA và VTH = –2V. Biết VDD = –VSS = 6V, hãy tìm điểm tĩnh Q cho
JFET với:
a) RD = 0 và RS = 100 K; b) .RD = 0 và RS = 10 K; c) RD = 22 K và RS = 100 K.
18. Xét P-JFET trong hình 11. Hãy xác định dải giá trị của VDD để phân cực cho JFET trong miền bão hòa.
Nếu IDSS = 6 mA và VTH = 2.5V, hãy tìm VS.
19. Xét 1 mạch theo nguồn với N-JFET trong hình 12. Điện trở vào Rin = 500 K. Ta muốn có IDQ= 5 mA,
VDSQ = 8V, và VGSQ = –1V. Xác định các giá trị RS, R1, và R2, và các giá trị IDSS và VTH của JFET.
20. Với mạch hình 4 có VDD = 10V, JFET có IDSS = 4 mA và VTH = –3 V. Tìm giá trị của RD để cho VDS = –VTH.
Giá trị của ID là bao nhiêu?
21. Thiết kế nguồn dòng chỉnh được từ 0 đến 10 mA bằng N-JFET 2N3819 có IDSS = 10 mA và VTH = –3 V.
Giới hạn của điện trở tải RD?
22. Thiết kế mạch chia áp chỉnh được bằng cách dùng N-JFET 2N3819 (có IDSS = 10 mA và VTH = –3 V) trong
miền tuyến tính. Điện áp vào Vi là AC 1KHz có biên độ đỉnh < 100 mV. Ta có thể chỉnh VGS để điện áp ra Vo
lấy giữa D và S (nối đất) thuộc khoảng [Vi/3, Vi].
BT về JFET–3
ĐHQG Tp HCM – ĐHBK– Khoa Điện-ĐT–Bộ môn Điện Tử
Môn học: Dụng cụ bán dẫn – GVPT: Hồ Trung Mỹ
Chương 6
Bài tập về JFET (AY1112-S1)
1. N-JFET có IDSS = 10mA và VTH = –4V. Hãy cho biết miền hoạt động của JFET này nếu người ta đo được
các điện thế tại D, G và S so với đất trong các trường hợp sau:
a) VD = 5V, VG = 3.5V, và VS = 4V.
b) VD = 4V, VG = 1V, và VS = 5V.
c) VD = 5.5V, VG = 1V, và VS = 5V.
2. P-JFET có IDSS = 10mA và VTH = 4V. Hãy cho biết miền hoạt động của JFET này nếu người ta đo được các
điện thế tại D, G và S so với đất trong các trường hợp sau:
a) VD = –4V, VG = 3V, và VS = 2V.
b) VD = –4V, VG = 2V, và VS = 1V.
c) VD = –5V, VG = 1V, và VS = –2V.
3. Với mạch ở hình 1, các JFET trong miền bão hòa (miền nghẹt), hãy trả lời các câu hỏi sau và giải thích tại
sao có kết quả như vậy:
a) Trong hình (c), VG nhỏ hơn, bằng, hay lớn hơn VS?
b) So sánh dòng i trong hình (a) và (c)?
c) So sánh dòng i trong hình (c) và (d)?
d) Trong hình (d) điện trở nào quyết định dòng điện i và giới hạn của điện trở còn lại?
Hình 1
4. N-JFET có VTH = –4 V, IDSS = 10 mA và VA = ∞.
a) Với VGS = –2 V, hãy tìm VDS tối thiểu để dụng cụ hoạt động ở miền bão hòa. Tính ID với VGS = –2 V
và VDS = 3 V.
b) Cho VDS = 3 V, hãy tìm sự thay đổi trong ID tương ứng với sự thay đổi ở VGS từ –2 đến –1.6V.
c) Với VDS nhỏ, tính giá trị của rds ở VGS = 0 V và ở VGS = –3 V.
d) Nếu VA = 100 V, hãy tìm điện trở ra ro của JFET khi hoạt động trong miền bão hòa với dòng điện ID là
1 mA, 2.5 mA, và 10 mA.
5. JFET trong mạch ở hình 2 có VTH = –3 V, IDSS = 9 mA, và VA = ∞ V. Hãy tìm tất cả các giá trị điện trở để VG
= 5V, ID = 4 mA, và VD = 11V. Giả sử chọn dòng 0.05 mA chạy qua mạch chia áp và VDD = 15V.
6. Mạch ở hình 2 dùng kết quả có được từ câu 5 để mắc mạch khuếch đại CS. Các tụ trong mạch có giá trị lớn
dùng cho ghép tín hiệu và bypass (xem như nối tắt trong mạch tương đương tín hiệu nhỏ vì C>>). Tính gm và
ro (biết VA = 100 V). Từ đó tính điện trở vào Ri, độ lợi áp AV = vo/vi, và điện trở ra Ro.
BT về JFET–1
7. Mạch ở hình 4 có VTH = –4 V và IDSS = 12 mA. Hãy xác định VDD tối thiểu để mạch này vẫn còn chức năng
của nguồn dòng. Nếu dùng VDD = 5 V thì điện trở tải RD phải thuộc dải giá trị nào để cho JFET vẫn làm nguồn
dòng.
8. Với mạch hình 5 cả hai JFET đều có IDSS = 4mA và VTH = –2V. Các nguồn cấp điện có giá trị là VDD = –VSS
= 10V. Chứng minh rằng cả hai JFET ở miền bão hòa và xác định Vm.
9. Với mạch hình 6, cả hai JFET đều có IDSS = 16mA và VTH = –4V. Cho trước JFET ở trên trong miền triode
và JFET ở dưới trong miền bão hòa, hãy tìm ID và VDS của JFET ở trên. Kiểm chứng lại các miền hoạt động.
10. JFET trong hình 7 có IDSS = 1mA và VTH = –4V. Cho trước VDD = –VSS = 5V và RD= 0, hãy tìm ID và VS
với:
a) IQ = 0.5mA; b) IQ = 2mA
BT về JFET–2
11. Với mạch ở hình 7, JFET có các tham số VTH= –3.5 V, IDSS = 18 mA, và VA = ∞ V. Cho trước VDD = –VSS =
15V, IQ = 8mA và RD= 0.8K, hãy tìm VDS.
12. Tính các giá trị của RD và RS để cho JFET trong hình 8 có VD = VDD/2. Biết VDD = 12V, RG = 10M và
JFET có VTH = –3 V và IDSS = 12 mA.
13. Hãy tìm ID và VGS của JFET trong hình 8. Biết JFET có VTH = –6 V và IDSS = 4 mA và mạch có VDD = 12V,
RG = 10M, RD = 2.2 K và RS = 680 .
14. Hãy tìm điểm tĩnh và tham số tín hiệu nhỏ của JFET trong hình 2, biết VDD = 12V, R1 = 6.8M, R2 = 1M,
RD = 3.3 K, RS = 2.2 K và JFET có IDSS = 12 mA, VTH = –3 V và VA = 100V.
15. Tương tự câu 14 nhưng với R1 = R2 = 2.2 M, RD = 680 , và RS = 3.3 K.
16. JFET trong hình 9 có có IDSS = 0.5 mA và VTH = –3V. Hãy tìm điểm tĩnh Q cho JFET với
a) R = 0 và V = 5V; b) R = 0 và V = 0.25V; và c) R = 8.2 K và V = 5V;
17. JFET trong hình 10 có IDSS = 0.25 mA và VTH = –2V. Biết VDD = –VSS = 6V, hãy tìm điểm tĩnh Q cho
JFET với:
a) RD = 0 và RS = 100 K; b) .RD = 0 và RS = 10 K; c) RD = 22 K và RS = 100 K.
18. Xét P-JFET trong hình 11. Hãy xác định dải giá trị của VDD để phân cực cho JFET trong miền bão hòa.
Nếu IDSS = 6 mA và VTH = 2.5V, hãy tìm VS.
19. Xét 1 mạch theo nguồn với N-JFET trong hình 12. Điện trở vào Rin = 500 K. Ta muốn có IDQ= 5 mA,
VDSQ = 8V, và VGSQ = –1V. Xác định các giá trị RS, R1, và R2, và các giá trị IDSS và VTH của JFET.
20. Với mạch hình 4 có VDD = 10V, JFET có IDSS = 4 mA và VTH = –3 V. Tìm giá trị của RD để cho VDS = –VTH.
Giá trị của ID là bao nhiêu?
21. Thiết kế nguồn dòng chỉnh được từ 0 đến 10 mA bằng N-JFET 2N3819 có IDSS = 10 mA và VTH = –3 V.
Giới hạn của điện trở tải RD?
22. Thiết kế mạch chia áp chỉnh được bằng cách dùng N-JFET 2N3819 (có IDSS = 10 mA và VTH = –3 V) trong
miền tuyến tính. Điện áp vào Vi là AC 1KHz có biên độ đỉnh < 100 mV. Ta có thể chỉnh VGS để điện áp ra Vo
lấy giữa D và S (nối đất) thuộc khoảng [Vi/3, Vi].
BT về JFET–3

BTTH VLBD Fulll Diode BJT Jfet Mosfet

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

BTTH VLBD Fulll Diode BJT Jfet Mosfet

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ĐHBK Tp HCM – Khoa ĐĐT–BMĐT

Môn: Vật lý bán dẫn – HK172

VLBD-172_BT giải sẵn về ứng dụng DCBD – trang 1/3

(A) (B) (C) (D)

2) Mạch Thévenin có VT = 0.5 Vi = 10sin ωt

VLBD-172_BT giải sẵn về ứng dụng DCBD – trang 3/3

Hình 5.1 Hình 5.2 Hình 5.3 Hình 5.4

Hình 5.6 Hình 5.7

12. BJT có điện trở ra ro = 225 K ở IC = 0.8 mA. Hãy tìm:

Hình 5.9 Hình 5.10 Hình 5.11 Hình 5.12

VC=2.27 V. Hãy xác định IB, IC, IE,  và .

Hình 5.13 Hình 5.14 Hình 5.15

Hình 5.16 Hình 5.17

Hình 5.19 Hình 5.20

Hình 5.21 Hình 5.22

c) Độ lợi dòng E chung 

Hình 3 Hình 4 Hình 5

Với VBB=VCCR2/(R1+R2) và RB=R1R2/(R1+R2).

b) Hiệu số V1–V2 để cho IC1 = 10IC2

Như vậy ta có:

c) Độ lợi dòng E chung 

Hình 3 Hình 4 Hình 5

Với VBB=VCCR2/(R1+R2) và RB=R1R2/(R1+R2).

b) Hiệu số V1–V2 để cho IC1 = 10IC2

Như vậy ta có:

Bài tập ôn thi môn Vật lý bán dẫn – AY1415-S2

Hình BT.1 Hình BT.2

Hình BT.3 Hình BT.4 Hình BT.5

3. Với mạch hình BT.4, hãy tính I, VR và VD với mô hình diode:

VLBD_AY1415-S2 – BT ôn thi HK – trang 1/7

Hình 1 Hình 2 Hình 3 Hình 4

VLBD_AY1415-S2 – BT ôn thi HK – trang 2/7

VLBD_AY1415-S2 – BT ôn thi HK – trang 3/7

Hình 15 Hình 16 Hình 17

VLBD_AY1415-S2 – BT ôn thi HK – trang 4/7

Hình 18 Hình 19 Hình 20

VLBD_AY1415-S2 – BT ôn thi HK – trang 5/7

VLBD_AY1415-S2 – BT ôn thi HK – trang 6/7

Câu 51: BJT trong hình 28 được phân cực ở chế độ

Hình 25 Hình 26 Hình 27 Hình 28 Hình 29

VLBD_AY1415-S2 – BT ôn thi HK – trang 7/7

2. Xác định miền hoạt động của M1 trong hình sau:

Hình 5 Hình 6 Hình 7 Hình 8 Hình 9

Hình 14 Hình 15 Hình 16

Hình 5 Hình 6 Hình 7 Hình 8

Hình 9 Hình 10 Hình 11 Hình 12

Hình 5 Hình 6 Hình 7 Hình 8

Hình 9 Hình 10 Hình 11 Hình 12

You might also like