Chương 3 - Transistor

Điện tử cho Công nghệ thông tin
IT3420
Điện tử cho CNTT
• Chương 1: RLC và ứng dụng

• Chương 2: Diode và ứng dụng
• Chương 3: Transistor và ứng dụng
• Chương 4: Khuếch đại thuật toán
• Chương 5: Cơ sở lý thuyết mạch số
• Chương 6: Các cổng logic cơ bản
• Chương 7: Mạch tổ hợp
• Chương 8: Mạch dãy
Tài liệu tham khảo:
Microelectronics circuit analysis and design, 4th edition, Donal A.Neamen (Chapter 5, 6)
2
Chương 3 Transistor và ứng dụng
3.1 Cấu tạo và phân loại

3.2 Chế độ hoạt động
3.3 Phân tích một chiều
3.4 Phân tích xoay chiều
3.5 Ứng dụng của transistor
4
3.1 Cấu tạo và phân loại transistor BJT
• Transistor lưỡng cực BJT (Bipolar junction transistor) có hai tiếp xúc p-n được
tạo nên bởi 3 miền bán dẫn loại p và n xếp xen kẽ nhau.
• Transistor BJT có 3 cực như sau:
• B (base - cực nền)
• C (collector - cực thu)
• E (emitter - cực phát)
• Transistor BJT là một thiết bị có 3 cực, hoạt động với nguyên lý sử dụng điện
áp giữa 2 cực để điều khiển dòng qua cực còn lại.
• Theo sự phân bố của các miền bán dẫn, transitor BJT được chia thành 2 loại:
• Transistor npn
• Transistor pnp
5
• Transistor là một loại linh kiện bán dẫn chủ động, đóng vai trò vô cùng quan
trọng trong kỹ thuật điện tử, là một trong các đơn vị cơ bản cấu thành các
mạch điện của máy tính và các thiết bị điện tử khác.
• Ngoài ra, do khả năng đáp ứng nhanh và chính xác, transistor được sử dụng
trong nhiều ứng dụng tương tự và số như mạch khuếch đại, đóng cắt, điều
chỉnh điện áp, điều khiển tín hiệu, và tạo dao động.
• Transistor có thể được tích hợp trên một diện tích rất nhỏ để tạo thành các
mạch tích hợp (IC), giúp thu nhỏ kích thước máy tính, thiết bị.
• Tuỳ thuộc theo công nghệ chế tạo, transistor có nhiều loại khác nhau, phổ
biến nhất bao gồm:
• Transistor lưỡng cực (BJT)
• Transistor hiệu ứng trường (JFET, MOSFET)
6
• Transistor npn
E C
Cực phát Cực thu
B
Cực nền
• Transistor pnp
E C
Cực phát Cực thu
B
Cực nền
7

8
• Các chế độ hoạt động của transistor BJT

• Chế độ hoạt động tích cực thuận
• Các dòng điện trong transistor được điều khiển bởi yếu tố nào
• Mối quan hệ giữa các dòng điện của transistor ở chế độ tích cực thuận
• Ký hiệu và quy ước
9
Các chế độ hoạt động của transistor BJT
• Transistor BJT được cấu thành từ 2 lớp tiếp giáp pn, mỗi lớp có thể hoạt động
ở vùng tích cực thuận/ngược tuỳ theo điện áp đặt trên 2 cực
E C
B
• Do đó, có 4 khả năng kết hợp phân cực → 4 vùng hoạt động
Tích cực
Bão hòa
ngược
Khóa Tích cực thuận
10
Chế độ hoạt động tích cực thuận
• Xét transistor npn: ở chế độ tích cực thuận VBE>0 và VBC<0

Khi VBE>0: Lớp tiếp giáp Lớp tiếp giáp Khi VBC<0:
B-E phân cực thuận B-E B-C B-C phân cực ngược
n p n
Dòng
phóng
electron
11
Chế độ hoạt động tích cực thuận
• B-E phân cực thuận: dòng electron • Lớp tiếp giáp E-B và B-C
từ n phóng sang p → mật độ hạt
dẫn thiểu số tăng mạnh ở p.
• B-C phân cực ngược: mật độ
electron ở vùng tiếp giáp ≈ 0.
• Dòng electron được phóng từ E,
khuếch tán qua B, bị quét qua vùng Lỗ trống
tiếp giáp B-C, và được thu lại ở vùng

C.
• Từ đó xuất hiện 3 dòng điện:
TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

School of Information and Communication Technology
12
Dòng IE transistor npn được điều khiển bởi?
• Do lớp tiếp giáp B-E phân cực thuận • Xét dòng

→ dòng qua lớp tiếp giáp B-E tỉ lệ với
điện áp phân cực B-E.
→ Dòng cực phát IE được tính theo
công thức:
Lỗ trống
• Bởi vì:
Dòng iE được điều khiển bởi áp
đặt trên 2 cực B-E (vBE)
Với:
Tham số điện của lớp tiếp giáp
13
Dòng IC transistor npn được điều khiển bởi?
• Số lượng electron tới cực C trong 1 • Xét dòng

đơn vị thời gian tỉ lệ với số lượng
electron được phóng ra cực B (tỉ lệ
với điện áp phân cực đặt trên B-E)
• Do đó, dòng IC tỉ lệ với điện áp
phân cực đặt trên B-E và độc lập với
Lỗ trống
điện áp phân cực đặt trên B-C như
sau:
Dòng iC được điều khiển bởi áp

đặt trên 2 cực B-E (vBE)

14
Dòng IB transistor npn được điều khiển bởi?
• IB1 : Dòng lỗ trống từ B sang E tỉ lệ • Xét dòng

với điện áp phân cực B-E vì p-n
phân cực thuận
• IB2 : Dòng lỗ trống kết hợp với

electron từ cực E phát sang, tỉ lệ với
điện áp phân cực B-E Lỗ trống
• Dòng IB là tổng của IB1 và IB2 do đó

cũng tỉ lệ với điện áp phân cực B-E:
Dòng iB được điều khiển bởi
áp đặt trên 2 cực B-E (vBE)
15
Mối quan hệ giữa các dòng điện ở chế độ tích cực thuận
Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor npn:

• Ở chế độ tích cực thuận:
• Từ đó tính được:
• Hay:
• Đặt:

16
Mối quan hệ giữa các dòng điện ở chế độ tích cực thuận
Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor pnp:

• IE tỉ lệ với điện áp phân cực đặt
trên B-E
• IC tỉ lệ với điện áp phân cực đặt

trên B-E, hướng ra ngoài
• IB cũng tỉ lệ với điện áp phân cực

đặt trên B-E
Điện áp đặt trên cực E (+) hơn so với điện áp đặt trên cực B
17
Ký hiệu và quy ước
• Transistor npn • Transistor pnp

18
Ký hiệu và quy ước
Transistor npn Transistor pnp
Cho cả hai loại transistor
19
Các chế độ hoạt động của transistor BJT
E C
B
Tích cực ngược

Bão hòa Chế độ khoá và bão hoà
sẽ được giải thích trong
Khóa Tích cực thuận phần tiếp theo
20

21
Mục đích
• Tìm điểm làm việc của transistor (tìm giá trị các dòng điện transistor tại điểm
làm việc)
• Phân cực 1 chiều transistor là một phần quan trọng trong thiết kế các bộ
khuếch đại lưỡng cực.
• Sử dụng mô hình tuyến tính từng đoạn lớp tiếp giáp p-n để phân tích 1 chiều
cho các mạch transistor.
• Transistor trong 1 bộ khuếch đại tuyến tính phải được phân cực ở chế độ tích
cực thuận.
• Sử dụng mạch E chung và đường tải cho mạch E chung.
22
Nội dung
• Giải thích một số khái niệm

• Phân tích một chiều mạch E chung
• Các chế độ hoạt động bão hoà và khoá
• Tổng kết phương pháp phân tích một chiều mạch transistor
• Đặc tính truyền điện áp của transistor
• Phân cực cho transistor
• Nhắc lại định lý Thevenin và phương pháp tính điện trở, điện áp tương đương
Thevenin
• Thiết kế điểm làm việc cho transistor
23
Giải thích một số khái niệm
• Nguồn áp
• Nguồn dòng
• Mạch E chung
27
Giải thích một số khái niệm - Nguồn áp
• Nguồn áp: là linh kiện hai cực có • Nguồn áp lý tưởng: cung cấp một
thể cung cấp một điện áp cố điện áp không đổi cho bất kỳ
định, bao gồm: tải/dòng điện đầu ra nào mà mạch
– Nguồn áp một chiều điện yêu cầu.
– Nguồn áp xoay chiều Điện áp không đổi cho
bất kỳ dòng điện nào
Thực tế
Nguồn áp Nguồn áp
một chiều (DC) xoay chiều (AC)
28
Giải thích một số khái niệm - Nguồn dòng
• Nguồn dòng: là linh kiện hai cực • Nguồn dòng lý tưởng: cung cấp một
có thể cung cấp một dòng điện dòng điện không đổi cho bất kỳ
không đổi, được ký hiệu như tải/điện áp đầu ra nào mà mạch
sau: điện yêu cầu.
Dòng điện không đổi cho
bất kỳ điện áp nào
Thực tế
Nguồn dòng

29
Giải thích một số khái niệm - Mạch E chung
• Mạch E chung là mạch có chung • Mạch E chung transistor npn

thành phần tín hiệu xoay chiều
• Tín hiệu vào được đưa vào từ B-E
• Tín hiệu ra lấy từ C-E Ra
• Tín hiệu vào và ra: Vào
– Có chung thành phần tín hiệu xoay

chiều • Mạch E chung transistor pnp
– Ngược pha
– Khuếch đại về mặt biên độ.
Ra
Vào

30
Phân tích một chiều mạch npn E chung
• Xét mạch E chung npn sau: • Xét vòng mạch ①:
2
• Xét vòng mạch ②:
1
• Nếu tính được:

• Giả thiết B-E phân cực thuận B-C phân cực ngược, transistor ở
chế độ tích cực thuận
31
Phân tích một chiều
• Xét mạch E chung npn: • Mạch tương đương 1 chiều
• B-E: tương đương diode phân cực

thuận, điện áp hạ trên B-E là
VBE(on)
• C-E: tương đương nguồn dòng có • Công suất tiêu thụ:
giá trị bằng
32
• Xét mạch E chung pnp sau: • Xét vòng mạch ①:
2
1
• Nếu tính được:

• Giả thiết B-E phân cực thuận B-C phân cực ngược, transistor ở chế
độ tích cực thuận
33
• Xét mạch E chung pnp: • Mạch tương đương 1 chiều
• E-B: tương đương diode phân cực

thuận, điện áp hạ trên E-B là
VEB(on)
• C-E: tương đương nguồn dòng có • Công suất tiêu thụ:
giá trị bằng
34
Ví dụ 3.1
• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ①

– VBE (on)= 0.7V
– β = 200
• Tìm: 1
– IB, IC , IE
– VCE , công suất tiêu thụ PT
35
Ví dụ 3.1
• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ②

– VBE (on)= 0.7V
– β = 200
• Công suất tiêu thụ transistor PT tính

được như sau:
2
• Tìm: 1
– IB, IC , IE
– VCE , công suất tiêu thụ PT
36
Ví dụ 3.2
• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ①:

– VEB (on) = 0.6V
– RB = 580kΩ
– β = 100
1
• Tìm:
– IB, IC , IE
1 +
– RC sao cho 𝑉𝐸𝐶 = 𝑉
2

37
Ví dụ 3.2
• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ②:

– VEB (on) = 0.6V
– RB = 580kΩ
– β = 100
1 • RC tính được như sau:
• Tìm:
– IB, IC , IE
1 +
– RC sao cho 𝑉𝐸𝐶 = 𝑉
2

38
Các chế độ hoạt động khác
E C
B
Tích cực ngược Bão hòa Sử dụng đặc tính V-A

để quan sát chế độ
Khóa Tích cực thuận khoá và bão hoà.
39
• Đặc tính V-A biểu diễn mối quan hệ • Đặc tính V-A mạch E chung
giữa dòng iC và điện áp VCE ứng với các Chế độ tích cực thuận
giá trị iB khác nhau.
• Với
Transistor ở chế độ tích cực thuận:
• Với
Transistor không còn ở chế độ tích
cực thuận, dòng iC nhanh chóng giảm
về 0.
vCE(V) npn hoặc vEC (V) pnp
40
• Xét transistor npn mạch E chung: • Đặc tính V-A (tuyến tính từng đoạn
lớp tiếp giáp B-E)
Dòng IB và điện áp VBE
tại điểm làm việc
Đặc tính lớp Đường tải

tiếp giáp BE
• Từ phương trình dòng điện IB: • VBB<VBE(on): B-E phân cực ngược → IB=0
• VBB>VBE(on): B-E phân cực thuận → VBB
tăng → IB tăng
→ IC thay đổi?
41
• Đặc tính V-A lớp B-E 𝑽BB tăng • Đặc tính V-A mạch E chung
Dòng IB và điện áp VBE Chế độ tích cực thuận
IB tăng
tiếp giáp BE IC tăng
Xét vòng mạch ①

2
Xét vòng mạch ②
Phương trình đường tải đầu 1
vào lớp B-E
Phương trình đường tải lớp C-E
42
Chế độ bão hoà • Đặc tính V-A mạch E chung

• 𝑽BB tăng → IB tăng → IC tăng Chế độ tích cực thuận
• IB tăng → IC không tăng Bão

Bãohoà
hoà
Đường tải
Trạng thái bão hoà Đường tải
• Vùng bão hoà: Điểm

Điểm làmlàm
việcviệc
Q
𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) 0.1 − 0.3𝑉

43
• Chế độ khoá • Đặc tính V-A mạch E chung

Dòng IB và điện áp VBE Chế độ tích cực thuận
Bão hoà
Đường tải
tiếp giáp BE
Đặc tính V-A tuyến tính từng đoạn lớp

tiếp giáp B-E và đường tải Điểm làm việc
𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸 𝑜𝑛 ; 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0

Transistor khoá Khoá
𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = 0; 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
44
Tổng kết các chế độ hoạt động của transistor BJT
Transistor npn Transistor pnp

• Chế độ tích cực thuận • Chế độ tích cực thuận
– VCE>VBE (on) – VEC>VEB (on)
–c –c
• Chế độ bão hoà • Chế độ bão hoà
– VCE (sat)=0.1-0.3V – VEC (sat)=0.1-0.3V
–c –c
• Chế độ khoá • Chế độ khoá
– C𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸 𝑜𝑛 –C𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐸B 𝑜𝑛
– c𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0 – c𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0

45
Phương pháp phân tích một chiều
• Phân tích đáp ứng 1 chiều mạch transistor BJT cần biết chế độ hoạt động của
transistor
1. Giả thiết transistor ở chế độ tích cực thuận với:
VBE = VBE on , IB > 0, IC = 𝛽IB
2. Phân tích mạch “tuyến tính” với các giả thiết này
3. Đánh giá kết quả
• Nếu các giá trị tham số giả định ban đầu đúng và VCE > VCE sat , thì giả thiết ban đầu
là đúng
• IB < 0, transistor có thể ở trạng thái khoá
• VCE < 0, transistor có thể ở trạng thái bão hoà
4. Nếu giả thiết ban đầu không đúng, thực hiện giả thiết mới, phân tích mạch
tuyến tính mới và lặp lại từ bước 3.
46
Ví dụ 3.3
• Cho mạch điện như hình sau, giả

thiết nếu transistor phân cực ở
trạng thái bão hoà, VCE=VCE (sat)
– VBE (on) = 0.7V
– β = 100
– VCE (sat) = 0.2V
• Tính:
– Dòng và áp bão hoà
– Công suất tiêu thụ trên transistor

47
Ví dụ 3.3
• Cho mạch transistor với các thông

số sau:
– VBE (on) = 0.7V
– β = 100
– VCE (sat) = 0.2V
VCE<0
Transistor ở Không thể

trạng thái bão hoà
xảy ra
48
Ví dụ 3.3 – Nhận xét
• Khi transistor ở trạng thái bão hòa:
49
Bài tập 3.1
• Cho mạch E chung pnp như sau: 3.3V

– VEB (on) = 0.7V
– VEC (sat) = 0.2V
– β = 110
• Tìm: IB, IC , IE , 𝑉𝐸𝐶 với:
• VBB=2V 150kΩ
• VBB=1V VBB
Đáp án:
• Với VBB=2V • Với VBB=1V
• IB =4μA • IB =10.7μA
• IC =0.44mA • IC =0.62mA 5kΩ
• VEC =1.1V • VEC =0.2V
50
Bài tập 3.2
• Cho mạch điện như hình vẽ có: Đáp án:

– VBE (on) = 0.7V • Với VI=0.2V
– VCE (sat) = 0.2V – IB = IC = 0A
– β = 50 – VO =5V
• Với – P =0W
– VI =0.2V • Với VI=3.6V
– VI =3.6V
– IB = 4.53mA
• Tìm: – IC = 10.9mA
– VO, IB , IC, P
– 𝑉𝑂 = 0.2V
• Tìm: – 𝑃 = 5.35mW
– VI để VBC = 0V
– Tính công suất P của transistor • Với VBC=0V
– VI =0.825V
– P =6.98mW
51
Bài tập 3.3
• Cho mạch điện như hình vẽ:

– VBE (on) = 0.7V
– β = 75
• Tính toán các đặc tính của mạch điện
• Vẽ phương trình đường tải VCE
Đáp án:
• Đặc tính của mạch điện
– IB = 2.665µA
– IC = 0.2mA
– IE = 0.203mA
– VCE = 1.59V
• Phương trình đường tải:
55
Ví dụ 3.4
• Thiết kế mạch B chung như hình vẽ để:

• IEQ = 0.5mA
• VECQ = 4.0V
• Giả thiết:
• β= 120
• VEB (on) = 0.7V
58
Ví dụ 3.4
• Áp dung định luật Kirchoff cho vòng B-E (giả • Mạch điện có:
thiết ở trạng thái tích cực thuận): • IEQ = 0.5mA
• VECQ = 4.0V
• β= 120
• Từ đó tính được: • VEB (on) = 0.7V
• Mặt khác:
• Áp dụng định luật Kirchoff cho vòng C-E:

59
Ví dụ 3.4
• Thiết kế mạch B chung như hình vẽ • Đáp án:

để:
– IEQ = 0.5mA
– VECQ = 4.0V

60
Bài tập 3.4
• Cho mạch như hình vẽ, biết:

• VBE (on) = 0.7V
•
• Tìm:
• Đáp án:
IB = 2.5μA
IC = 0.2575mA
IE = 0.26mA
β = 103
α = 0.9903846154
61
Bài tập 3.5
• Cho mạch như hình vẽ, biết:

• VEB (on) = 0.7V
• β= 85
• Tìm:
• Đáp án:
• IB = 6.25μA
• IC = 0.531mA
• IE = 0.5375mA
• VEC = 3.575V
63
Bài tập 3.6
• Thiết kế mạch B chung như hình vẽ

để:
– IEQ = 0.125mA
– VECQ = 2.2V
– β= 110
– VEB (on) = 0.7V
• Đáp án:
– RE =18.4kΩ
3V 3V
– RC =12.1kΩ

64
Bài tập 3.7
• Thiết kế mạch điện transistor pnp • Mạch transistor pnp

như hình, sao cho:
• Có thể chọn:
– Điện trở
– Transistor có:
• Đáp án:
– RB =185kΩ

65
Đặc tính truyền điện áp
• Đặc tính truyền điện áp biểu diễn • Đặc tính truyền điện áp transistor npn
mối quan hệ giữa điện áp đầu ra Khoá
ứng với điện áp đầu vào.
• Đặc tính truyền điện áp của
transistor giúp quan sát được trạng
thái hoạt động của transistor khi
biết điện áp vào. Tích cực
thuận
transistor bao gồm:
– Trạng thái tích cực thuận Bão hoà
– Bão hoà
VCE(sat)
– Khoá
VBE(on)
67
• Đặc tính truyền điện áp biểu diễn • Đặc tính truyền điện áp transistor pnp
mối quan hệ giữa điện áp đầu ra
ứng với điện áp đầu vào. Bão hoà
transistor giúp quan sát được trạng
thái hoạt động của transistor khi
biết điện áp vào. Tích cực
• Đặc tính truyền điện áp của thuận
transistor bao gồm:
– Trạng thái tích cực thuận
Khoá
– Bão hoà
– Khoá
68
Ví dụ 3.5 Vẽ đặc tính truyền điện áp transistor npn
• Vẽ đặc tính truyền điện áp cho mạch • Xét mạch transistor npn:
như hình vẽ:
– VBE (on) = 0.7V
– VCE (sat) = 0.2V
– β = 120
• Cần xét đối với trường hợp điện áp đầu

vào sao cho:
– Transistor khoá
– Transistor tích cực thuận
– Transistor bão hoà

69
• Xét vòng mạch ①: • Xét mạch transistor npn:
• Nếu: Transistor khoá
• Nếu:
Transistor ở trạng thái
tích cực thuận hoặc bão hoà 2
• Xét vòng mạch ② 1
• Điện áp đầu ra:

70
• Ở trạng thái khoá: • Đặc tính truyền điện áp transistor npn

VO = 5V Khoá
• Ở trạng thái bão hoà:
VO = VCE(sat) = 0.2V
• Như vậy, khi transistor tích cực thuận,
điện áp đầu ra nằm trong dải: Tích cực
thuận
• Với:
Bão hoà
• Lần lượt thay vào:
VCE(sat)
VBE(on)
71
• Đặc tính truyền điện áp • Transistor npn
Khoá Khoá
Tích cực thuận
Bão hoà
Tích cực thuận
Bão hoà

72
Ví dụ 3.6 Vẽ đặc tính truyền điện áp transistor pnp
• Vẽ đặc tính truyền điện áp cho mạch • Xét mạch transistor pnp:
như hình vẽ:
– VEB (on) = 0.7V
– VEC (sat) = 0.2V
– β = 80
• Cần xét đối với trường hợp điện áp đầu

vào sao cho:
– Transistor khoá
– Transistor tích cực thuận
– Transistor bão hoà

73
• Xét vòng mạch ①: • Xét mạch transistor pnp:
• Nếu: Transistor khoá 1
2
• Nếu:
Transistor ở trạng thái
tích cực thuận hoặc bão hoà
• Điện áp đầu ra:

74
• Ở trạng thái khoá: • Đặc tính truyền điện áp transistor npn

VO = 0V
Bão hoà
• Ở trạng thái bão hoà:
VO = 5-VEC(sat) = 5-0.2V = 4.8V
• Như vậy, khi transistor tích cực thuận,
điện áp đầu ra nằm trong dải: Tích cực
thuận
• Với:
• Lần lượt thay vào: Khoá

75
• Đặc tính truyền điện áp • Transistor pnp

Bão hoà
Bão hoà
Tích cực thuận
Khoá
Tích cực thuận
Khoá

76
Vai trò của đặc tính truyền điện áp: Phân cực transistor
• Xét phân cực transistor ở điểm bắt • Đặc tính truyền điện áp:
đầu vùng bão hòa, có điểm làm việc
tại Q.
– Nửa dương của tín hiệu vào:
transistor ở vùng bão hòa, điện áp
đầu ra không đổi.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor ở
vùng tích cực, đáp ứng điện áp đầu ra Điểm làm việc Q
xuất hiện.
Thời gian

Thời gian
77
• Xét phân cực transistor ở điểm bắt • Đặc tính truyền điện áp:
đầu vùng khoá, có điểm làm việc tại Điểm làm
Q. việc Q
transistor ở vùng tích cực, đáp ứng
điện áp đầu ra xuất hiện.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor ở Thời gian
vùng khoá, điện áp đầu ra không đổi.
Thời gian

Thời gian
78
• Xét phân cực transistor ở giữa vùng • Đặc tính truyền điện áp:
tích cực, có điểm làm việc tại Q:
transistor ở vùng tích cực, đáp ứng
điện áp đầu ra xuất hiện.
– Nửa âm của tín hiệu vào: transistor ở Điểm làm
vùng tích cực, đáp ứng điện áp đầu ra việc Q
xuất hiện.
Thời gian
Cần phân cực đúng để tín hiệu đầu ra không
bị sai khác so với tín hiệu đầu vào
Phân cực bằng 1 điện trở Phân cực bằng 2 điện trở
Thời gian
79
Phân cực transistor bằng một điện trở cực B
• Xét mạch transistor npn phân cực • Mạch tương đương:

như sau:
• Tụ CC ngăn dòng tín hiệu vào 1

chiều và dẫn tín hiệu xoay chiều
• Dòng IB tại điểm làm việc được
→ Đối với tín hiệu vào 1 chiều, có quyết định bởi điện trở RB
thể coi tụ CC là hở mạch
80
Ví dụ 3.7 Tính điểm làm việc Q đối với mạch phân cực bằng 1 transistor
• Thiết kế mạch như hình vẽ để: • Mạch transistor npn phân cực bằng
1 transistor RB:
• Giả thiết:

81
• Với: • Mạch transistor npn phân

cực bằng 1 transistor RB:
• Tính được:
• Nhận xét: RC = 6kΩ Xác lập điểm

RB = 1.13MΩ làm việc Q
82
• Xét đặc tính VA lớp tiếp giáp CE • Mạch transistor npn phân cực bằng
1 transistor RB:
• Với: RC = 6kΩ Thoả mãn điểm

RB = 1.13MΩ làm việc Q
83
• Thiết kế mạch như hình vẽ để: • Mạch transistor npn phân cực bằng
1 transistor RB:
• Giả thiết:
Note: Trên thực tế, hệ số khuếch đại β

không phải là 1 giá trị cố định mà biến đổi
trong 1 dải, ví dụ:
Điểm làm việc Q thay đổi như thế nào?
84
• Xét đặc tính VA lớp tiếp giáp CE: • Xét mạch transistor npn phân cực
Điểm làm việc thay đổi bằng 1 transistor RB:
lớn khi β thay đổi
(Không đổi)
• Giữ nguyên RB → nếu β thay đổi →

điểm làm việc Q?
85
Phân cực transistor bằng hai điện trở
• Xét mạch transistor phân cực bằng • Mạch tương đương đối
R1, R2 như sau: với tín hiệu vào 1 chiều
Tụ CC ngăn dòng tín hiệu

vào 1 chiều và dẫn tín
hiệu xoay chiều
→ Đối với tín hiệu vào 1

chiều, có thể coi tụ CC là
hở mạch

86
• Mạch tương đương đối với tín hiệu • Mạch tương đương Thevenin
vào 1 chiều
Để giải mạch tương

đương, cần chuyển sang
mạch tương đương
Thevenin.

87
Định lý Thevenin
• Là một phương pháp phân tích được sử dụng để biến một mạch phức tạp
thành mạch tương đương đơn giản chứa một điện trở đơn mắc nối tiếp với
một nguồn áp.
• Phát biểu định lý: Bất kỳ một mạch tuyến tính nào có chứa vài điện trở và
nguồn áp có thể được thay thế bằng mạch chỉ có duy nhất 1 điện trở và 1
nguồn áp mắc nối tiếp với nhau qua tải.
• Các bước phân tích mạch:
• Tính điện áp tương đương Thevenin VTH
• Tính điện trở tương đương Thevenin RTH
• Vẽ lại mạch tương đương với VTH và RTH mắc nối tiếp với điện trở tải
88
Tính điện áp tương đương Thevenin
• Xét mạch điện sau: • Điện áp tương đương

Thevenin:
Điện áp Thevenin
Khép
kín vòng
Hở tương đương là
mạch
mạch điện áp hạ trên • Vẽ lại mạch tương đương:
hai đầu A và B.
• Mở điện trở tải VTH = VAB = VR3

• Tính toán, đo lường điện
áp mạch hở.

89
Tính điện trở tương đương Thevenin
• Xét mạch điện với nguồn điện • Điện trở tương đương
áp ngắn mạch: Thevenin:
Điện trở Thevenin
tương đương là điện
Ngắn trở nhìn vào từ hai
mạch đầu A và B sau khi • Mạch tương đương
nguồn áp
ngắn mạch các nguồn Thevenin:
áp và hở mạch các
nguồn dòng.
• Mở dòng điện nguồn và ngắn
mạch nguồn áp.
RTH=R2 nối tiếp R1//R3
• Tính toán, đo lường điện trở
mạch hở.
90
• Xét mạch transistor phân cực bằng • Mạch tương đương đối
R1, R2 như sau: với tín hiệu vào 1 chiều
Tụ CC ngăn dòng tín hiệu

vào 1 chiều và dẫn tín
hiệu xoay chiều
→ Đối với tín hiệu vào 1

chiều, có thể coi tụ CC là
hở mạch

91
• Cách phân tích mạch tương đương

92
• Cách phân tích mạch tương đương: cắt tải tại A-B
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑇ℎ𝑒𝑣𝑒𝑛𝑖𝑛 = 𝑉𝐴𝐵 = 𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇ℎ𝑒𝑣𝑒𝑛𝑖𝑛 = 𝑅1 𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
93
• Mạch transistor phân cực bằng R1, • Mạch Thevenin tương đương:
R2

94
• Mạch tương đương Thevenin • Giá trị tại điểm làm việc 1 chiều:

95
Ví dụ 3.7 Phân tích một chiều mạch transistor phân cực bằng 2 điện trở
• Cho mạch điện có:
• Tìm
• Điểm làm việc Q khi 𝛽=100?
• Điểm làm việc Q khi 𝛽 thay đổi

96
• Mạch Thevenin tương đương: • Tính điện trở và điện áp mạch

Thevenin tương đương:

97
• Tính dòng transistor:
98
Điểm làm
việc Q
Điểm làm việc Q ổn định hơn
99
Nhận xét
• Điện trở R1 và R2 có thể phân cực transistor trong vùng tích cực bằng cách sử
dụng các giá trị điện trở thấp cỡ kΩ.
• Ngược lại, phân cực bằng 1 điện trở đơn cần giá trị điện trở lớn cỡ MΩ
• Phân cực bằng điện trở R1 và R2, khi 𝛽 thay đổi, sự thay đổi của ICQ và VCE đã
giảm.
• Bổ sung điện trở RE cũng có khuynh hướng ổn định điểm làm việc Q hơn.
100
Nhận xét
• Để thiết kế điểm làm việc Q ổn • Nếu:

định:
• Bởi vì:
• Có thể chọn RTH sao cho:

101
Ví dụ 3.8 Thiết kế mạch phân cực ổn định
• Thiết kế mạch phân cực điện áp • Cho:

như mạch như hình sau:
• Thiết kế mạch (chọn RE và điện trở
phân cực R1 và R2) sao cho mạch
phân cực ổn định.
• Chọn transistor có các giá trị:
• Giả thiết transistor có hệ số khuếch

đại nằm trong dải:

102
• Nhận xét:
• Nếu điện áp hạ trên RE lớn thì sẽ phải tăng nguồn VCC để giữ VCE theo yêu cầu.
• Do đó, có thể chọn điện áp hạ trên RE cỡ VBE(on).
• Với hệ số khuếch đại lớn:
• Chọn một giá trị tiêu chuẩn cho RE:

• Tính được:
𝑉𝑅𝐸 =
103
• Sử dụng mạch tương đương • Với:

Thevenin:
• Để mạch phân cực ổn định: • Tính được:
• Hay:

104
• Mặt khác:
• Suy ra:
• Thu được:
• Có thể chọn:
105
• Với:
• Tính được:
• Dòng qua cực B:
• Với:
• Tính được:

106
• Nhận xét:
• Điểm làm việc Q được coi là ổn định với sự thay đổi của 𝛽
• Điện trở phân cực R1 và R2 có giá trị hợp lý trong dải kΩ
• IC thay đổi từ -8.2%÷+3% khi 𝛽 giảm/tăng 60 từ giá trị 120.
Điểm làm
việc Q

107
Ví dụ 3.9 Thiết kế mạch đáp ứng yêu cầu điểm làm việc
• Thiết kế mạch điện như hình bên • Mạch transistor npn

sao cho điểm làm việc có các giá trị
như sau:
– VECQ=7V
– ICQ ≅ 0.5mA
– VRE ≅ 1V

108
• Thực hiện phân tích 1 chiều với mạch • Mạch tương đương Thevenin
tương đương Thevenin:
• Giả thiết:
• Điện trở và điện áp tương đương

Thevenin tính được như sau:
• Với: Có thể chọn:

109
• Để mạch ổn định:
• Điện áp tương đương Thevenin có thể tính được:
• Phương trình điện áp vòng E-B:
110
• Transistor phân cực ở chế độ tích cực thuận, do đó:
• Thay vào phương trình điện áp vòng E-B thu được:
• Với:
• Thay vào phương trình điện áp vòng E-B được:

111
• Điện trở Thevenin tương đương đã tính được:
• Thay giá trị R1 tính được:

• Phương trình điện áp vòng E-C tính được như sau:
• Thay:
• Thu được:

112
Ví dụ 3.9 Nhận xét:
• Các giá trị đã tính được bao gồm: • Mạch được thiết kế như sau:
• Các giá trị điện trở tìm được là giá trị

chuẩn, trừ , do đó, có
thể chọn
• Vì điểm làm việc được thiết kế ổn
định nên điện trở R2 thay đổi không
ảnh hưởng nhiều đến điểm làm việc.

113
Bài tập 3.8
• Cho mạch điện có: • Mạch điện:

– VBE (on) = 0.7V
– β = 150
– RE=2kΩ
– RC=10kΩ
• Thiết kế mạch ổn định điểm làm
việc sao cho điện áp đầu ra tại
điểm làm việc = 0V.
• Tìm giá trị ICQ và VCEQ? • Đáp án
• ICQ =0.5mA
• VCEQ =3.99V
• R1 = 167kΩ
• R2 = 36.9kΩ
114
Bài tập 3.9
• Cho mach điện như hình vẽ: • Mạch điện:

– β = 120, VBE (on) = 0.7V
• Thiết kế mạch sao cho:
– ICQ = 0.15mA
– RTH = 200kΩ
• Tìm giá trị VCEQ?
• Đáp án
– IBQ = 1.25µA
– IEQ = 0.15125mA
– VCEQ = 1.30V
115
Bài tập 3.10
a. Thiết kế mạch phân cực ổn định có: • Cho mạch điện như hình vẽ:
b. Sử dụng kết quả phần a,

Với
Tìm sự thay đổi của ICQ
c. Làm lại phần a và b
Với

117
Bài tập 3.10 – Đáp án
a. Câu a c. Câu c
b. Câu b
118

123
• Một mạch điện tử có các tín hiệu đầu vào bao gồm các thành phần một chiều
và xoay chiều.
Nguồn cấp
một chiều
Tín hiệu Mạch Tín hiệu

Tín hiệu
đầu vào điện tử đầu ra
đầu vào
xoay chiều

124
• Khái niệm tín hiệu nhỏ

• Mạch tương đương xoay chiều
• Các bước thực hiện Phân tích xoay chiều
• Cách tính hệ số khuếch đại điện áp xoay chiều
• Giới thiệu hiện ứng Early và ảnh hưởng của nó đến hệ số khuếch đại tín hiệu
• Ví dụ tính hệ số khuếch đại điện áp xoay chiều trong trường hợp xét và không
xét đến hiệu ứng Early.

125
Khái niệm về tín hiệu nhỏ
• Xét mạch npn mắc như hình bên có: • Mạch npn mắc kiểu E chung:
– Nguồn 1 chiều VBB
– Nguồn xoay chiều vs
• Dòng xoay chiều vs ở cực B sẽ tạo ra một
dòng xoay chiều ở cực C.
• Dòng xoay chiều ở cực C sẽ lại tạo ra một
điện áp xoay chiều hạ trên RC, từ đó, tạo
ra một điện áp CE xoay chiều.
• Từ đó, tín hiệu đầu ra sẽ chứa thành phần
xoay chiều và thành phần một chiều
(điểm làm việc).

126
• Tại điểm làm việc Q trên đặc tính • Xét đặc tính truyền điện áp:
truyền điện áp, với tín hiệu đầu vào
xoay chiều có thể tìm được đầu ra xoay Q vùng khoá
chiều như sau:
• Thông qua đặc tính truyền điện áp, tại Q vùng tích cực thuận
điểm làm việc Q với đầu vào xoay Điểm làm việc Q
chiều vs: Q vùng bão hoà
– Nửa chu kỳ dương của tín hiệu đầu vào,
ứng với nửa chu kỳ âm của tín hiệu đầu ra
– Nửa chu kỳ âm của tín hiệu đầu vào, ứng
với nửa chu kỳ dương của tín hiệu đầu ra.

127
• Nhận xét: • Xét đặc tính truyền điện áp:

– Tín hiệu đầu ra ngược pha so với tín hiệu
đầu vào. Q vùng khoá
– Tín hiệu đầu ra có biên độ lớn hơn tín
hiệu đầu vào →Mạch khuếch đại.
– Thành phần xoay chiều của tín hiệu đầu Q vùng tích cực thuận
ra dao động xung quanh điểm làm việc → Điểm làm việc Q
Tín hiệu đầu ra có thành phần xoay chiều Q vùng bão hoà
xếp chồng lên điểm làm việc Q (hay
thành phần một chiều).
Thành phần xoay chiều phải đủ nhỏ so
với thành phần một chiều (để giữ tín Thành phần
hiệu đầu ra không bị mất) tín hiệu nhỏ

128
• Phân tích mạch khuếch đại transistor:

– Phân tích một chiều (DC): xác định điểm làm việc và phân cực
– Phân tích xoay chiều (AC): xác định tín hiệu xoay chiều đầu ra
• Phương pháp phân tích
– Phân tích riêng rẽ một chiều và xoay chiều
– Phân tích một chiều (DC): phân tích theo mô hình xấp xỉ tuyến tính, thực hiện ngắn
mạch tín hiệu xoay chiều
– Phân tích xoay chiều (AC): phân tích theo mô hình tín hiệu nhỏ, thực hiện ngắn mạch
tín hiệu một chiều
– Xếp chồng kết quả

129
Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
Xét transistor npn: • Mạch tương đương tín hiệu nhỏ:

• Coi transistor npn như một mạng Mạch tương đương  lai
tín hiệu nhỏ 2 cổng
𝑉𝑇 𝐼𝐶𝑄
B-E tương đương C-E tương đương 𝑟𝜋 = 𝑔𝑚 =
điện trở tín hiệu nguồn dòng có hệ số 𝐼𝐵𝑄 𝑉𝑇
nhỏ r điện dẫn truyền gm Điện trở đầu vào BE Hệ số điện dẫn truyền
𝑉𝑇 = 0.026V (điện trở nhiệt ở nhiệt độ phòng)
130
Xét transistor npn: • Mạch tương đương tín hiệu nhỏ:

• Coi transistor npn như một mạng Mạch tương đương  lai
tín hiệu nhỏ 2 cổng
𝑉𝑇 𝐼𝐶𝑄
B-E tương đương C-E tương đương 𝑟𝜋 = 𝑔𝑚 =
điện trở tín hiệu nguồn dòng có hệ số 𝐼𝐵𝑄 𝑉𝑇
nhỏ r điện dẫn truyền gm Điện trở đầu vào BE Hệ số điện dẫn truyền
𝑉𝑇 = 0.026V (điện trở nhiệt ở nhiệt độ phòng)
131
Mạch tương đương 𝜋 lai
• Xét mạch transistor npn phân cực • Mạch tương đương 𝜋 lai:
tại RB:
• BE tương đương điện trở r𝜋

• CE tương đương nguồn dòng
132
Mạch tương đương 𝜋 lai
• Mạch tương đương 𝜋 lai: • Điện áp đầu ra (điện áp hạ trên RC):
• Điện áp điều khiển (điện áp hạ trên r𝜋):
• Hệ số khuếch đại điện áp:

• Tìm điện áp đầu ra và hệ số khuếch
đại điện áp?
133
Ví dụ 3.10 Tính hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ
• Cho mạch khuếch đại như hình bên • Xét mạch khuếch đại npn sau:
có các giá trị:
• Tính hệ số khuếch đại điện áp tín

hiệu nhỏ.

134
Phân tích 1 chiều: • Mạch tương đương 1 chiều

• Xét vòng mạch ① và ②:
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 (𝑜𝑛) Transistor ở chế độ
𝐼𝐵𝑄 = tích cực thuận
𝑅𝐵
1.2 − 0.7
= = 10 𝜇𝐴
50 2
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵
= 100 ∗ 0.01 = 1𝑚𝐴 1
𝐼𝐵𝑄 = 10 𝜇𝐴
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 𝐼𝐶𝑄 = 1𝑚𝐴
= 12 − 1 ∗ 6 = 6𝑉 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6𝑉
135
• Mạch tương đương xoay chiều:
Hệ số khuếch đại:
136
• Phân tích xoay chiều mạch tương đương 𝜋 lai:
137
• Xét điện áp vào dạng hình sin:
• Dòng điện xoay chiều tại cực B tính được như sau:
• Dòng điện xoay chiều tại cực C tính được như sau:
• Điện áp xoay chiều tại cực C-E tính được như sau:
138
• Tín hiệu vào – ra mạch E chung
139
Các bước thực hiện Phân tích xoay chiều
• Bước 1: Phân tích mạch chỉ với nguồn một chiều DC, thu được điểm làm việc
một chiều Q. Transistor cần phải được phân cực trong vùng tích cực thuận để
tạo ra bộ khuếch đại tuyến tính.
• Bước 2: Thay thế các phần tử với mô hình tương đương tín hiệu nhỏ. Sử dụng
mô hình tín hiệu như hình  cho transistor.
• Bước 3: Phân tích mạch tín hiệu nhỏ tương đương với việc thiết lập các thành
phần DC bằng 0 để tính ra đáp ứng của mạch với tín hiệu đầu vào thay đổi
theo thời gian.
• Bước 4: Xếp chồng kết quả.
140
Mối quan hệ
Thành phần dòng điện – điện áp Mô hình DC Mô hình AC
Điện trở
Tụ điện Hở mạch
Cuộn cảm Ngắn mạch
Diode
Nguồn áp Ngắn mạch

Không đổi
Hở mạch
Nguồn dòng Không đổi
141
• Xếp chồng kết quả:

Biến Ý nghĩa
Tổng giá trị tức thời
Giá trị 1 chiều
Giá trị tức thời xoay chiều
Giá trị pha

142
• Tổng dòng điện tức thời tại cực B được tính như sau:
= 10 + 4.75𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝜇𝐴
• Tổng dòng điện tức thời tại cực C được tính như sau:
= 1 + 0.475𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑚𝐴
• Tổng điện áp tức thời tại cực C-E được tính như sau:
= 6 − 2.85𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑉
143
Mạch tương đương 𝜋 lai có hiệu ứng Early
• Kéo dài đặc tuyến Volt-Ampere ở vùng tích cực thuận sẽ hội tụ tại 1 điểm.
Điểm này gọi là điểm điện thế Early VA.
Điện áp Early
• VA thường có giá trị nằm trong dải:
144
Mạch tương đương 𝜋 lai có hiệu ứng Early
• Mạch tín hiệu nhỏ tương đương với • Mạch tín hiệu nhỏ tương đương với
hệ số điện dẫn có hiệu ứng Early hệ số khuếch đại dòng có hiệu ứng
Early
Khi xét đến hiệu ứng Early, trong mạch tương đương xoay chiều xuất hiện điện trở r0 giữa
hai cực C-E.
𝑉𝑨
𝑟𝒐 = Trở kháng đầu ra tín hiệu nhỏ
𝐼𝑪𝑄
145
Ví dụ 3.11 Tính hệ số khuếch đại có xét hiệu ứng Early
• Cho mạch khuếch đại có: • Mạch khuếch đại E chung:
• Hệ số khuếch đại điện áp ( khi không

xét hiệu ứng Early) đã tính được Av = -
11.4
• Tìm hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu
nhỏ có tính đến hiệu ứng Early?

146
• Mạch tín hiệu nhỏ tương đương với trở kháng đầu ra ro:
147
• Trở kháng đầu ra tín hiệu nhỏ tính được như sau:
• Từ đó tính được hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ:
Hệ số khuếch đại điện áp giảm khi xét hiệu ứng Early

148
Bài tập 3.11
• Cho mạch khuếch đại hình bên với các • Mạch khuếch đại transistor npn:
thông số transistor như sau:
– β = 150, VBE(on)=0.7V, VA =150V
– VCC =5V, VBB = 1.025 V
– RB = 100 kΩ , RC = 6 kΩ
• Tìm các tham số tính hiệu nhỏ mạch π
lai: gm , rπ , và ro.
nhỏ Av =Vo/Vs.
• Đáp án: (a) gm =18.75mA/V, rπ =8kΩ, ro
=308kΩ; (b) Av = −8.17

149

3.2 Chế độ làm việc
151
• Điều khiển
• Phần tử logic số
• Bộ khuếch đại
152
Điều khiển
• Mạch transistor hoạt động bằng • Mạch lưỡng cực dùng làm bộ đảo:
cách chuyển giữa hai trạng thái:
khoá - bão hoà khi thay đổi .
• Tải: có thể là động cơ, đèn led hoặc
các thiết bị điện khác. Tải
• Với: Transistor khoá
Tải không hoạt động
• Với: Transistor bão hoà
Không đổi
Tải hoạt động ổn định.

153
Ví dụ 3.12: Thiết kế mạch điều khiển đèn
• Thiết kế mạch điều khiển đèn LED • Mạch điều khiển LED
như hình bên biết để đèn sáng thì
• Giả thiết:
* Đèn LED được chế tạo từ vật liệu bán dẫn

hợp chất (từ hai hoặc nhiều nguyên tố
hóa học) nên có điện áp kích hoạt lớn
hơn. TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
154
• Với: Transistor khoá • Mạch điều khiển LED

Đèn LED tắt
Để đèn LED sáng *

155
• Với: • Mạch điều khiển LED

• Thiết lập:
• Công suất tiêu thụ của transistor

156
Ví dụ 3.13 Thiết kế mạch điều khiển động cơ
• Thiết kế mạch điều khiển động cơ • Mạch điều khiển động cơ:
như hình bên biết dòng điều khiển
động cơ cần
• Giả thiết:
Động
cơ

157
• Với: Transistor khoá • Mạch điều khiển LED

Điện áp hạ trên tải = 0
• Điện áp hạ trên động cơ:

Động cơ
Động
cơ
• Dòng qua động cơ:
Động cơ
• Trở kháng động cơ hiệu dụng Động cơ
158
• Thiết lập: • Mạch điều khiển LED
• Công suất của transistor: Động

cơ

159
Nhận xét
• Khi thiết kế các mạch điện tử, thường sẽ phải đặt các giả thiết.
• Trong cả hai ví dụ trên, giả thiết IC/IB = (1/2)β để đảm bảo transistor sẽ chuyển
sang chế độ bão hoà ngay khi có sự thay đổi các thông số mạch điện.
• Ưu điểm: có thể sử dụng dòng IB tương đối nhỏ để điều khiển dòng tải lớn.
• Khi transistor phân cực ở trạng thái bão hoà, mối quan hệ IB và IC không phải
là mối quan hệ tuyến tính.
• Chế độ hoạt động này chủ yếu được sử dụng để tạo ra những sự thay đổi lớn
ở đầu ra, được ứng dụng rất nhiều trong các mạch logic số.

160
Bài tập 3.13
• Thiết kế mạch điều khiển đèn, đèn sáng • Mạch điều khiển đèn:
khi IC1 =15mA
• Khi vI1 = 5 V thì IC1/IB1 = 50
• Sử dụng transistor có các thông số:

Đáp án: R1 = 220𝛀, RB1 = 14.3k𝛀
161
Bài tập 3.14
• Thiết kế mạch điều khiển động cơ, • Mạch điều khiển động cơ
động cơ chạy khi IC2 = 2A
• Khi vI2 = 0V thì IC2/IB2 = 25
• Giả thiết sử dụng transistor có các

thông số:
Động
cơ
Đáp án: RB2 = 141𝛀

162
Phần tử logic số
• Trong mạch logic số, tín hiệu số • Xét cổng logic với đầu vào VI:
sử dụng các mức logic 0-1 để
biểu thị trạng thái của tín hiệu,
0 có thể biểu thị mức điện áp
thấp, 1 có thể biểu thị mức
điện áp cao, và ngược lại.
• Transistor được sử dụng để Cổng NOT
thiết kế các cổng logic cơ bản
như: AND, OR, NOT, NOR…, chủ
yếu dựa trên hai chế độ hoạt
động: khoá – bão hoà Q bão hoà:
Vo=VCE(sat)=0.2V
Q khoá: Vo=Vcc = 5V
163
Phần tử logic số
• Tín hiệu số sử dụng các mức • Xét cổng logic với 2 đầu vào V1 V2 :
logic 0-1 để biểu thị trạng thái
của tín hiệu, 0 có thể biểu thị
mức điện áp thấp, 1 có thể biểu
thị mức điện áp cao, và ngược
lại.
• Transistor được sử dụng để
thiết kế các cổng logic cơ bản
như: AND, OR, NOT, NOR…, chủ
yếu dựa trên hai chế độ hoạt
động: khoá – bão hoà Q bão hoà:
Vo=VCE(sat)=0.2V Cổng NOR
Q khoá: Vo=Vcc = 5V 2 đầu vào
164
Ví dụ 3.14 Tính toán với phần tử NOR
• Cho mạch điện như hình bên: • Xét mạch sau:
• Tìm dòng và áp đầu ra khi:

(a) V1 = V2 = 0
(b) V1 = 5V, V2 =0
(c) V1 = 0V, V2 = 5 V
(d) V1 =V2 =5 V
165
Ví dụ 3.14 Tính toán với phần tử NOR
• Các kết quả thu được

Đầu vào

166
Bài tập 3.15
• Cho mạch điện như hình bên: • Xét mạch sau:

– β = 40,
– VBE(on)=0.7V
– VCE(sat)=0.2V
– RC =600
– RB =950
Tìm dòng và áp đầu ra khi:
(a) V1 = V2 = 0
(b) V1 = 5V, V2 =0
(c) V1 = 0V, V2 = 5 V
(d) V1 =V2 =5 V

167
Bộ khuếch đại
• Bộ khuếch đại transistor có điểm làm • Xét mạch khuếch đại E chung sau:
việc trong vùng tích cực thuận.
• Khi hoạt động ở vùng tích cực thuận,
điện áp đầu ra được khuếch đại so với
tín hiệu đầu vào.
• Xét mạch khuếch đại E chung như hình
vẽ, để tìm hệ số khuếch đại điện áp
cần:
• Thực hiện phân tích 1 chiều tìm điểm làm
việc Q
• Thực hiện phân tích xoay chiều tìm mối
quan hệ giữa tín hiệu vào và ra bằng
mạch tương đương xoay chiều.
168
Mạch khuếch đại E chung cơ bản
• Mạch khuếch đại E chung: • Mạch tương đương xoay chiều:
Bộ khuếch đại
Tín hiệu
nguồn
Điện áp đầu ra:
Điện áp điều khiển:
Hệ số khuếch đại điện áp:

169
• Mắc thêm điện trở RE có tác dụng ổn • Mạch tương đương xoay chiều khi
định điểm làm việc. mắc thêm điện trở RE ở cực E:

170
• Mạch xoay chiều tương đương: Xét vòng mạch ②:

• Điện trở đầu vào Ri:
• Với điện trở đầu vào bộ khuếch đại

2 Rib tính được như sau:
1
Xét vòng mạch ①: • Dòng Ib tính được như sau:

• Điện áp đầu ra VO tính được:

171
• Mạch tương đương xoay chiều: • Điện áp vào bộ khuếch đại:
• Suy ra:
2
• Hệ số khuếch đại điện áp tính

• Dòng Ib: được:

172
• Mạch tương đương xoay chiều: • Hệ số khuếch đại điện áp:
• Thay Ib và VS vào thu được:

2
• Nếu: và
• Dòng Ib:
• Hệ số khuếch đại có thể xấp xỉ:

173
Ví dụ 3.15 Tính hệ số khuếch đại điện áp mạch E chung
• Cho mạch điện như hình vẽ: • Mạch khuếch đại E chung cơ bản:
• Tìm hệ số khuếch đại điện áp

• Tìm giá trị điện trở đầu vào bộ
khuếch đại.

174
Thực hiện phân tích 1 chiều: • Mạch tương đương 1 chiều:

• R TH = R1 ∥ R 2 = 56 ∥ 12.2 = 10kΩ
R2 12.2
Transistor phân cực
• VTH = V = 10 = 1.79V tích cực thuận
R1 +R2 CC 56+12.2
VCC −VBE (on) 1.79−0.7
• IBQ = = = 0.0216𝜇A
RTH +(1+𝛽)RE 10+ 1+100 0.4
• ICQ = 𝛽IBQ = 100 ∗ 0.0216 = 2.16mA
• VCEQ = VCC − IC R C − IE R E
100 + 1
= 10 − 2.16 ∗ 2 − 2.16 ∗ ∗ 0.4
100
= 4.81V > 0

175
• Mạch xoay chiều tương đương tín hiệu nhỏ:
176
• Các tham số mạch 𝜋 lai: • Mạch tương đương xoay chiều:

177
• Điện trở đầu vào cực B: • Mạch tương đương xoay chiều:
• Điện trở đầu vào bộ khuếch đại:

178
• Hệ số khuếch đại điện áp: • Mạch tương đương xoay chiều:
• Sử dụng công thức xấp xỉ:

• Tính được:

179
Nhận xét:
• Hệ số khuếch đại điện áp giảm nhẹ khi thêm vào điện trở RE vì có thành phần
(1 + 𝛽)R E dưới mẫu số.
• Có thể sử dụng công thức xấp xỉ để tính hệ số khuếch đại điện áp khi thiết kế
mạch khuếch đại E chung có điện trở RE
• Hệ số khuếch đại điện áp gần như độc lập với sự thay đổi của hệ số 𝛽.
180
Ví dụ 3.16 Tính hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ
Cho mạch khuếch đại pnp như hình • Mạch khuếch đại:
có:
• VEB(on)=0.7V
• β=80
• VA =∞
• Tìm điểm làm việc

• Tính toán hệ số khuếch đại tín hiệu
nhỏ.

181
Phân tích 1 chiều: • Mạch tương đương 1 chiều:

• Tính điện trở và điện áp tương đương
Thevenin:
• Phương trình điện áp vòng E-B:
• Transistor phân cực ở chế độ tích cực

thuận, do đó:
182
• Phân tích xoay chiều: • Mạch tương đương xoay chiều:
• Suy ra:
• Phương trình điện áp vòng B-E:

183
• Hệ số khuếch đại điện áp: • Mạch tương đương xoay chiều:
• Tính được:
• Sử dụng công thức xấp xỉ:
Gần với giá trị thực tế

184
Bài tập 3.16
• Cho mạch như hình vẽ:
a. Vẽ điểm làm việc Q trên đường tải 1 chiều

b. Tìm hệ số khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ
c. Tìm dải hệ số khuếch đại điện áp nếu R1 và R2
thay đổi ±5%
Đáp án:
a. b.
c.
185
Bài tập 3.17
• Cho mạch điện như hình vẽ:
• Tìm R1 và R2 để mạch ổn định điểm làm

việc với điểm làm việc nằm giữa đường
tải.
nhỏ:
• Đáp án:
• R1＝20.1kΩ
• R2＝ 3.55kΩ
• Av = -5.75
190
Bài tập 3.18
• Thiết kế mạch điện như hình sau để • Mạch khuếch đại:

ổn định điểm làm việc và có hệ số
khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ:
• Biết:
Đáp án:

193
Bài tập 3.19
• Cho mạch như hình vẽ: • Mạch khuếch đại:
a. Tìm hệ số khuếch đại điện áp Av

b. Tìm trở kháng ra Ro
• Đáp án:

Bài tập 3.20
Đáp án
• Cho mạch điện như hình vẽ có: • Mạch khuếch đại:
– RE = 0.3 kΩ • Câu a:
– RC = 4kΩ 12V – ICQ = 1.6 mA
– R1 = 14.4kΩ – VECQ = 5.11 V
– R2 = 110kΩ • Câu b:
– RL = 10kΩ
– gm =61.54mA/V
• Transistor có các thông số: – rπ =1.625kΩ
– β = 100,
– ro =∞
– VEB (on) = 0.7 V
– VA = ∞ • Câu c:
a. Tìm điểm làm việc ICQ và VECQ – Av = −8.95
b. Tìm các thông số tín hiệu nhỏ: gm,

rπ và ro
c. Tìm hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ

Hết chương 3
196

Chương 3 - Transistor

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chương 3 - Transistor

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Điện tử cho Công nghệ thông tin

• Chương 1: RLC và ứng dụng

3.1 Cấu tạo và phân loại

3.1 Cấu tạo và phân loại

• Các chế độ hoạt động của transistor BJT

Khóa Tích cực thuận

• Xét transistor npn: ở chế độ tích cực thuận VBE>0 và VBC<0

tiếp giáp B-C, và được thu lại ở vùng

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Do lớp tiếp giáp B-E phân cực thuận • Xét dòng

• Số lượng electron tới cực C trong 1 • Xét dòng

Dòng iC được điều khiển bởi áp

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• IB1 : Dòng lỗ trống từ B sang E tỉ lệ • Xét dòng

• IB2 : Dòng lỗ trống kết hợp với

• Dòng IB là tổng của IB1 và IB2 do đó

Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor npn:

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

Coi transistor là 1 nút đơn: • Transistor pnp:

• IC tỉ lệ với điện áp phân cực đặt

• IB cũng tỉ lệ với điện áp phân cực

• Transistor npn • Transistor pnp

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

Transistor npn Transistor pnp

Cho cả hai loại transistor

Tích cực ngược

3.1 Cấu tạo và phân loại

• Giải thích một số khái niệm

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Mạch E chung là mạch có chung • Mạch E chung transistor npn

• Tín hiệu vào và ra: Vào

– Có chung thành phần tín hiệu xoay

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Xét mạch E chung npn sau: • Xét vòng mạch ①:

• Nếu tính được:

• Xét mạch E chung npn: • Mạch tương đương 1 chiều

• B-E: tương đương diode phân cực

• Xét mạch E chung pnp sau: • Xét vòng mạch ①:

• Nếu tính được:

• Xét mạch E chung pnp: • Mạch tương đương 1 chiều

• E-B: tương đương diode phân cực

• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ①

• Cho mạch E chung npn như sau: • Xét vòng mạch ②

• Công suất tiêu thụ transistor PT tính

• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ①:

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Cho mạch E chung pnp như sau: • Xét vòng mạch ②:

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

Tích cực ngược Bão hòa Sử dụng đặc tính V-A

Đặc tính lớp Đường tải

Xét vòng mạch ①

Chế độ bão hoà • Đặc tính V-A mạch E chung

• IB tăng → IC không tăng Bão

• Vùng bão hoà: Điểm

𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) 0.1 − 0.3𝑉

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Chế độ khoá • Đặc tính V-A mạch E chung

Đặc tính V-A tuyến tính từng đoạn lớp

𝑉𝐵𝐵 < 𝑉𝐵𝐸 𝑜𝑛 ; 𝐼𝐵 = 𝐼𝐶 = 0

Transistor npn Transistor pnp

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Cho mạch điện như hình sau, giả

TRƯỜNG CÔNG NGHỆ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG

• Cho mạch transistor với các thông