CKDT Chuong 2 BJT

BÀI GIẢNG MÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ
CHƯƠNG 2. CẤU KIỆN BÁN DẪN VÀ

ỨNG DỤNG
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

Trang 1
BỘ MÔN: ĐIỆN TỬ MÁY TÍNH - KHOA KTĐT1
2.1. Vật liệu bán dẫn

2.2. Chuyển tiếp PN
2.3. Đi ốt bán dẫn và ứng dụng
2.4. Transistor lưỡng cực – BJT
2.5. Transistor trường – JFET
2.6. Transistor trường - MOSFET

Trang 2
2.4. Transistor lưỡng cực - BJT

2.4.1. Cấu tạo
2.4.2. Nguyên lý hoạt động
2.4.3. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến
2.4.4. Phân cực cho BJT

Trang 3
Giới thiệu chung về transistor
- Transistor (Transfer Resistor)

- Là linh kiện cơ bản xây dựng nên cấu trúc
mạch ở các thiết bị điện tử.
- Có đáp ứng nhanh, chính xác.
- Ứng dụng: khuếch đại, đóng ngắt, điều chỉnh
điện áp, điều khiển tín hiệu, tạo dao động, …
- BJT (Bipolar Junction Transistor – Transistor lưỡng cực)
- BJT gồm hai chuyển tiếp PN cùng được chế tạo trên một
phiến tinh thể.
- BJT gồm hai loại: BJT thuận (pnp) và BJT ngược (npn).

Trang 4
2.4.1. Cấu tạo BJT
IC + IE
VEB
Collector (N)
IB + Emitter (P+) +
−
+ VCE VEC
Base (P) Base (N)
VBE −
IE
IB −
− Collector (P) IC
Emitter (N+)
- Transistor gồm có 2 tiếp giáp PN do 3 lớp bán dẫn tạo nên.

- 3 lớp bán dẫn tương ứng với 3 miền: phát, gốc, góp.
- Có 3 điện cực nối tới 3 miền: Cực Phát-E (Emitter), Cực Gốc - B (Base),
Cực Góp-C(Collector).
- Chuyển tiếp PN giữa miền E-B là chuyển tiếp Emitter TE, giữa B-C là
chuyển tiếp collector TC
Trang 5
2.4.1. Cấu tạo BJT (tiếp)
Transistor npn
- Miền E có nồng độ pha tạp khá cao, miền B có nồng độ vừa phải, miền C có
nồng độ pha tạp thấp.
- Miền phát (E) có khả năng phát xạ các hạt dẫn sang miền gốc (B), miền góp
(C) có khả năng thu nhận tất cả các hạt dẫn được phát xạ từ miền phát (E) qua
miền gốc (B) tới.
- Miền C thường được nuôi trên phiến bán dẫn đế, có lớp bán dẫn vùi sâu có
nồng độ cao (Buried layer n++) để giảm trị số điện trở nối tiếp.
- Độ rộng của miền B nhỏ hơn độ dài khuếch tán trung bình rất nhiều.
Trang 6
2.4.1. Cấu tạo BJT (tiếp) – Ký hiệu BJT và các dạng đóng vỏ

Trang 7
2.4.1. Cấu tạo BJT (tiếp) – Ký hiệu vỏ BJT
- BJT thường được ký hiệu là A..., B..., C..., D...
VD: A564, B733, C828, D1555
A và B: Transistor thuận PNP
C và D: Transistor ngược NPN.
Loại A và C thường có công suất nhỏ và tần số làm việc cao; loại
B và D thường có công suất lớn và tần số làm việc thấp hơn.
- Transistor do Mỹ sản xuất. thường ký hiệu là 2N...
VD: 2N3055, 2N4073, …
- Transistor do Trung quốc sản xuất: Bắt đầu bằng số 3, tiếp theo là
hai chữ cái. Chữ cái thứ nhất cho biết loại bóng : BJT thuận (A,
B), BJT ngược (C, D); chữ thứ hai cho biết đặc điểm: BJT âm tần
(X, P), BJT cao tần (A, G). Các chữ số ở sau chỉ thứ tự sản phẩm.
VD: 3CP25, 3AP20, …
Trang 8
2.4.2. Nguyên lý hoạt động của BJT
- Ở trạng thái cân bằng nhiệt, dòng điện qua các cực bằng 0.
- Muốn cho Transistor làm việc, phải cung cấp điện áp một chiều thích
hợp cho các chân cực.
- Tuỳ theo điện áp đặt vào các cực mà Transistor làm việc ở các chế độ
khác nhau:
+ Chế độ ngắt (Cut – off): Hai tiếp giáp PN đều phân cực ngược.
Transistor có điện trở rất lớn và dòng điện qua các cực rất nhỏ.
+ Chế độ dẫn bão hòa (Saturation): Hai tiếp giáp PN đều phân cực
thuận. Transistor có điện trở rất nhỏ và dòng điện qua nó là rất lớn.
+ Chế độ tích cực (Forward Active): Tiếp giáp BE phân cực thuận,
tiếp giáp BC phân cực ngược. Transistor làm việc như một phần tử
tích cực, có khả năng khuếch đại, phát tín hiệu, ... Đây là chế độ thông
dụng nhất của Transistor.
+ Chế độ tích cực đảo (Reverse - Chế độ đảo): Tiếp giáp BE phân
cực ngược, tiếp giáp BC phân cực thuận. Đây là chế độ không mong
muốn.
Trang 9
2.4.2. Nguyên lý hoạt động của BJT (tiếp)
BJT - npn BJT - pnp
VBC VCB
Tích cực Tích cực
Bão hòa Bão hòa
đảo đảo
VBE VEB
Ngắt Ngắt
Tích cực Tích cực
- Transistor pnp và npn có nguyên lý làm việc giống hệt nhau, chỉ có
chiều nguồn điện cung cấp là ngược dấu nhau. Chỉ cần xét với BJT
npn, với loại BJT pnp tương tự.
- Ở chế độ ngắt và chế độ dẫn bão hòa, BJT làm việc như một phần tử
tuyến tính trong mạch điện. Trong BJT không có quá trình điều khiển
dòng điện hay điện áp. Transistor làm việc ở chế độ này như một khóa
điện tử và được sử dụng trong các mạch xung, các mạch logic.
Trang 10
2.4.2. Nguyên lý hoạt động của BJT (tiếp) – Chế độ tích cực
E TE B TC C E TE B TC C
n p n p n p
VBE VBC VBE VBC
- Tiếp giáp BE
phân cực thuận.
- Tiếp giáp BC
phân cực ngược.

Trang 11
2.4.2. Nguyên lý hoạt động của BJT (tiếp) – Chế độ tích cực (npn)
- TE phân cực thuận nên hạt
dẫn đa số (điện tử) từ miền
E được khuếch tán sang
miền B qua chuyển tiếp TE,
trở thành hạt dẫn thiếu số.
Do sự chênh lệch nồng độ
chúng tiếp tục khuếch tán
đến miền chuyển tiếp TC, tại
đây nó được cuốn sang miền
- Hạt dẫn đa số (lỗ trống) tại miền B
C (vì điện trường của tiếp
cũng khuếch tán ngược lại miền E
giáp TC phân cực ngược có
nhưng không đáng kể so với dòng
tác dụng cuốn hạt thiểu số).
khuếch tán điện tử, do nồng độ lỗ
trống ở miền B ít hơn rất nhiều (vì
nồng độ pha tạp miền B ít hơn
nhiều).
Trang 12
2.4.2. Nguyên lý hoạt động của BJT (tiếp) – Chế độ tích cực (npn)
- Điện tử khuếch tán từ E
sang B làm cho điện tử ở
miền B tại vị trí gần với tiếp
giáp TE có mật độ rất cao. Ở
đây điện tử và lỗ trống sẽ tái
hợp với nhau.
- Để các điện tử bị tái hợp ít,
người ta chế tạo miền E có
nồng độ pha tạp lớn hơn rất
nhiều so với miền B. Do đó
thành phần dòng điện cực
phát do các điện tử tạo nên
lớn hơn nhiều so với thành
phần dòng điện do các lỗ
trống tạo nên.

Trang 13
- Hiệu suất của cực phát:  - là tỉ số giữa thành phần dòng điện của hạt đa
số với dòng điện cực phát:
InE InE 1
BJTnpn : = = =  0,98  0,995
IE I pE + I nE 1+ I pE I nE
- Hệ số chuyển dời: * - là tỉ số giữa thành phần dòng điện do các hạt

dẫn khuếch tán qua tiếp giáp TE đến được tiếp giáp TC với dòng điện
của các hạt dẫn khuếch tán qua tiếp giáp TE :
I nC
BJTnpn :  =
*
= 0,98  0,995
I nE

Trang 14
- Hệ số khuếch đại dòng điện cực phát :  (0)
I nC I nC I nE
 = 0 = = = *
I E I nE I E
IC
hay  =  0 =  1
IE
- Hệ số khuếch đại dòng cực gốc:  (0)
IC
 = 0 =  1
IB

Trang 15
Mối quan hệ giữa  và 
IC IC 1 1
I E = IC + I B  = IC +  = 1+
   
  =  +  = ( + 1)
  1
= ; = ;  +1 = ;
( + 1) (1 − ) (1 − )
IC = I B
I E = IC + I B = I B + I B
= ( + 1)IB

Trang 16
2.4.2. Nguyên lý hoạt động của BJT (tiếp) – Chế độ ngắt
E TE B TC C Sơ đồ phân cực BJT npn Sơ đồ tương đương đơn giản

trong chế độ ngắt của BJT npn ở chế độ ngắt
n p n C
VBE VBC EC ICBo RC

C
ICBo
B UCE B
E TE B TC C EB E E
p n p
- Cấp nguồn sao cho hai tiếp xúc PN đều được
VBE VBC phân cực ngược. Điện trở của các chuyển tiếp rất
lớn, chỉ có dòng điện ngược bão hòa rất nhỏ của
tiếp giáp góp ICB0. Còn dòng điện ngược của tiếp
giáp phát IEB0 rất nhỏ so với ICB0 nên có thể bỏ
qua. Như vậy, mạch cực E coi như hở mạch. Dòng
điện trong cực gốc B: IB= -I CB0
Trang 17
2.4.2. Nguyên lý hoạt động của BJT (tiếp) – Chế độ bão hòa
E TE B TC C Sơ đồ phân cực BJT npn Sơ đồ tương đương đơn
trong chế độ bão hòa giản của BJT npn ở chế
n p n RC độ bão hòa
EC
VBE VBC IC
C EC
IC RC
B
E TE B TC C
C
UCE B
EB UBE E
E
p n p
EC
IC 
VBE VBC UCE  0V RC
- Cấp nguồn điện một chiều vào các cực của Transistor sao cho hai tiếp xúc PN
đều phân cực thuận. Khi đó điện trở của hai tiếp xúc phát TE và tiếp xúc góp TC
rất nhỏ nên có thể coi đơn giản là hai cực phát E và cực góp C được nối tắt. Dòng
điện qua Transistor IC khá lớn và được xác định bởi điện áp nguồn cung cấp EC
và không phụ thuộc gì vào Transistor đang sử dụng, thực tế UCE  0,2V.
Trang 18
2.4.3. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến
- Trong các mạch điện, BJT được xem như một mạng 4 cực, tín hiệu
được đưa vào hai chân cực và tín hiệu cũng được lấy ra trên hai chân
cực.
- BJT có 3 cực (E, B, C) nên khi sử dụng phải dùng một cực làm cực
chung cho cả đầu vào và đầu ra.
- Có 3 cách mắc BJT cơ bản:
+ Mạch cực phát chung (CE – Common Emitter)
+ Mạch cực gốc chung (CB – Common Base)
+ Mạch cực góp chung (CC – Common Collector).

Trang 19
2.4.3. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến (tiếp)
i1 i2
IB IC IE IC IB IE
UEB
u1 4C u2 UCE UCB UEC
UBE UBC
IE IB IC
(CE) (CB) (CC)
- Đặc trưng của mạng 4 cực dùng hệ phương trình trở kháng, dẫn nạp, hỗn
hợp. Hệ phương trình hỗn hợp:
u1 = f (i1 , u2 )

 i2 = f (i1 , u2 )

Trang 20
I1 I2 IB IC IE IC IB IE
UEB
U1 4C U2 UCE UCB UEC
UBE UBC
u1 = f (i1 , u2 )
IE IB IC

 i2 = f (i1 , u2 ) (CE) (CB) (CC)
Đặc tuyến Tổng quát CE CB CC
Đặc tuyến
u1 = f (i1 ) |u2 U BE = f (I B ) |U CE U EB = f (I E ) |U CB U BC = f (I B ) |U EC
vào
Đặc tuyến u1 = f (u2 ) |i1 U BE = f (U CE ) |I B U EB = f (U CB ) |I E U BC = f (U EC ) |I B
phản hồi
Đặc tuyến
i2 = f (i1 ) |u2 I C = f (I B ) |U CE I C = f (I E ) |U CB I E = f (I B ) |U EC
truyền đạt
Đặc tuyến i2 = f (u2 ) |i1 I C = f (U CE ) |I B I C = f (U CB ) |I E I E = f (U EC ) |I B
ra
Trang 21
- Các họ đặc tuyến đặc trưng cho tham số, đặc tính của BJT ở mỗi cách
mắc, chúng có vai trò quan trọng trong việc xác định các điểm làm
việc, định thiên, chế độ làm việc của BJT.
- Để vẽ các họ đặc tuyến này thường dùng mô hình BJT lý tưởng, với
những điều kiện là:
+ Đặc tuyến V-A của mỗi chuyển tiếp PN đều được mô tả bằng biểu
thức: I= IS [exp(U/Uth) – 1].
+ Cường độ điện trường trong chuyển tiếp PN nếu phân cực ngược phải
nhỏ hơn nhiều điện trường gây ra đánh thủng.
+ Điện trở suất của các miền E, B, C coi như là rất nhỏ. Ngoài điện
trường tồn tại ở các chuyển tiếp PN không có điện trường tồn tại ở các
nơi khác.
+ Nồng độ phun các hạt dẫn thấp.
- Trong BJT lý tưởng, đặc tuyến của mỗi chuyển tiếp PN chịu ảnh hưởng
tuyến tính của dòng điện đi qua chuyển tiếp kia.
Trang 22
2.4.3. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến (tiếp) – Các tham số
- Độ hỗ dẫn S : biểu thị mối quan hệ giữa dòng điện ra trên mạch và
điện áp vào.
dI ra
S= khi U ra = const
dU Vao
- Điện trở ra vi phân rra : biểu thị quan hệ giữa dòng điện trên mạch ra
với điện áp trên mạch ra.
dU ra
rra = khi I vào = const
dI ra
- Điện trở vào vi phân rvào : biểu thị quan hệ giữa dòng điện trên mạch
vào với điện áp trên mạch vào
dU vao
rvào = khi U ra = const
dI Vao

Trang 23
2.4.3. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến (tiếp) – Các tham số
I ra
- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh: KI KI =
I vào
dU ra
- Hệ số khuếch đại điện áp: Ku KU =
dU vào
Pra
- Hệ số khuếch đại công suất: KP KP =
Pvào

Trang 24
2.4.3. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến (tiếp) – npn CE
* Xác định họ đặc tuyến ra tĩnh:
IC = f ( VCE ) |I B
IC UCE
IB
+ Giữ IB ở một trị số cố định,
thay đổi UCE và ghi lại giá trị
tương ứng của IC, vẽ được đặc UBE IE
tuyến IC=f(UCE).
+ Thay đổi IB đến giá trị khác
nhau và thực hiện tương tự, kết
quả thu được họ đặc tuyến ra
tĩnh của BJT mắc CE.

Trang 25
- Gọi ICB0 là dòng bão hòa ngược của tiếp giáp TC, ta có:
IC = IE + ICB0 = (IC + IB ) + ICB0
I B ICB0
IC = +
1−  1− 
- Cho IB = 0,  = 0.996, ta được:
0.996(0A) ICB0 ICB0
IC = + = = 250ICB0
1 − 0.996 1 − 0.996 0.004
- Cho ICB0 = 1A, ta có: IC = 0.25mA. Vẽ được đường đặc tuyến ra
IC = f ( VCE ) |I =0
B

Trang 26
- Thay đổi IB , ta được họ đặc tuyến ra tĩnh:

Trang 27
* Xác định họ đặc tuyến vào tĩnh:
IB = f ( VBE ) |V
CE
+ Giữ UCE ở một trị số

cố định, thay đổi UBE
và ghi lại giá trị tương
ứng của IB, vẽ được
đặc tuyến IB=f(UBE).
+Thay đổi UCE đến giá
trị khác nhau và thực
hiện tương tự, kết quả
thu được họ đặc tính
vào tĩnh của BJT mắc
CE.
Trang 28
* Xác định họ đặc tuyến truyền đạt: IC = f ( IB ) |VCE
Đặc tuyến ra
Đặc tuyến khuếch đại
Tăng tuyến tính
UCE=5V
UCE=2V Vùng đánh thủng
-Bão hòa
IB =0A
IB(A) IB =-ICB0
2 1 0
chế độ ngắt chế độ tích cực
(Trở kháng ra rất cao)

Trang 29
* Các tham số đặc trưng:
- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh: KI

I ra IC
KI = = = DC  1
I vào I B
- Hệ số khuếch đại điện áp: KU

dU ra
KU = = − S ( R C / / rCE )  1
dU vào
- Hệ số khuếch đại công suất: KP
Pra
KP =  1
Pvào

Trang 30
* Đặc điểm của sơ đồ mắc cực phát chung:
+ Tín hiệu vào và tín hiệu ra ngược pha nhau.
+ Trở kháng vào nhỏ:
I ra IC
Zvào = rBE = 200   2000 KI = = = DC
I vào I B
+ Trở kháng ra lớn:
Zra = RC // rCE = 20K  100K KU =
dU ra
 1
+ Dòng điện rò cực góp ICE0 nhỏ. dU vào
+ Tần số làm việc giới hạn tương đối cao. Pra
KP =  1
+ Sơ đồ mạch CE được sử dụng rộng rãi, do Pvào
có hệ số khuếch đại , Ku, Kp rất lớn. Đồng
thời mạch khá ổn định về nhiệt độ.

Trang 31
2.4.3. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến (tiếp) – npn CB
IC = f ( U CB ) |IE IE IC
UEB
UCB
+ Giữ IE ở một trị số cố định, thay

IB
đổi UCB và ghi lại giá trị tương ứng
của IC, vẽ được đặc tuyến (CB)
IC=f(UCB).
+ Thay đổi IE đến giá trị khác nhau và
thực hiện tương tự, kết quả thu
được họ đặc tính ra tĩnh của BJT
mắc CB.

Trang 32

Trang 33
+ Tại phía dưới cùng
của miền tích cực
có IE = 0, do vậy
IC=ICB0. Dòng này
rất nhỏ so với IC
nên IC=0.
+ Đối với các đường
lớn hơn IE = 0, do
dòng IB rất nhỏ nên
IEIC.
Họ đặc tuyến ra mạch mắc CB + Tại vùng ngắt, có
IC = 0

Trang 34
VEB = f ( IE ) |V CB
+ Giữ UCB ở một trị số cố định, thay đổi UEB và ghi lại giá trị tương
ứng của IE, vẽ được đặc tuyến IE=f(UEB).
+ Thay đổi UCB đến giá trị khác nhau và thực hiện tương tự, kết quả
thu được họ đặc tính vào tĩnh của BJT mắc CB.
* Xác định hệ số truyền đạt:
+ Có thể được xác định từ đặc tuyến ra.
IC = f ( IE ) |V
CB

Trang 35
Họ đặc tuyến vào mạch mắc CB

Trang 36
* Các tham số đặc trưng:
- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh: KI
I ra IC
KI = = =  1
I vào I E
- Hệ số khuếch đại điện áp: KU
U ra IC Zganh Zganh
KU = = 
U vao IE Zvao Zvao
Hệ số khuếch đại điện áp phụ thuộc vào điện trở gánh.
Khi Zgánh  Zra thì Ku có trị số khoảng từ vài trăm  vài nghìn
lần.

Trang 37
* Đặc điểm của sơ đồ mắc cực gốc chung:

- Hệ số khuếch đại công suất: có thể đạt tới trị số hàng trăm lần.
- Dòng điện rò ICB0 nhỏ.
- Tần số làm việc giới hạn cao.
- Mạch thường được dùng ở dải tần số làm việc cao như các tầng
dao động nội của máy thu thanh, các tầng tiền khuếch đại âm
tần của máy tăng âm, hoặc ở tầng khuếch đại công suất đẩy kéo
của máy tăng âm.

Trang 38
2.4.3. Các cách mắc BJT và các họ đặc tuyến (tiếp) – npn CC
Sơ đồ BJT npn mắc cực góp chung còn được
gọi là mạch lặp Emitter.
IB IE
UEC
IE = f ( U EC ) |IB UBC
IC
U BC = f ( IB ) |UEC
(CC)
* Xác định đặc tuyến truyền đạt:

IE = f ( IB ) |UEC

Trang 39
* Đặc điểm của sơ đồ mắc cực góp chung:
+ Tín hiệu vào và tín hiệu ra đồng pha.
+ Trở kháng vào lớn.
+ Trở kháng ra nhỏ.
+ Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh: K I = I ra = I E = 1 = 1 +   
I vào I B 1-
dU ra U ra U BC − U BE
+ Hệ số khuếch đại điện áp: KU = = = 1
dU vào U BC U BC
+ Hệ số khuếch đại công suất Kp có trị số từ vài chục lần đến vài
trăm lần.
+ Dòng điện rò nhỏ.
+ Mạch này ít được dùng, thường chỉ sử dụng để phối hợp trở
kháng giữa một mạch có Zra cao với một mạch có Zvào thấp.
Trang 40
* Sơ đồ Dacling- tơn
IC=IC1+IC2
IC1
IB=IB1
T1 IC2
T2
IE=IE2
 = 1 .  2

Trang 41
Phân cực cho BJT
2.4.4. Phân cực (định thiên) cho BJT
2.4.4.1. Khái niệm định thiên cho BJT
2.4.4.2. Định thiên bằng dòng cố định
2.4.4.3. Định thiên Emitter
2.4.4.4. Định thiên bằng hồi tiếp âm
2.4.4.5. Định thiên phân áp

Trang 42
2.4.4.1. Khái niệm định thiên cho BJT
- Tùy theo mạch ứng dụng, BJT có thể làm việc theo 2 chức năng:
+ Phần tử khuếch đại: BJT làm việc ở chế độ tích cực.
+ Phần tử chuyển mạch: BJT làm việc như một chuyển mạch điện
tử, có trạng thái làm việc là đóng (dẫn) hoàn toàn (BJT ở chế độ
bão hòa) và trạng thái ngắt hoàn toàn (BJT ở chế độ ngắt).

Trang 43
2.4.4.1. Khái niệm định thiên cho BJT (tiếp)
* Phân cực (định thiên – Biasing) cho các chế độ làm việc của
BJT:
+ Muốn BJT làm việc như một phần tử tích cực thì các tham số
của BJT phải thỏa mãn điều kiện thích hợp, những tham số này
phụ thuộc nhiều vào điện áp phân cực các chuyển tiếp TE và TC.
Như vậy các tham số của BJT phụ thuộc nhiều vào điện áp định
thiên ban đầu (điểm làm việc tĩnh) của nó.
+ Muốn BJT làm việc ở chế độ tích cực thì chuyển tiếp TE phân
cực thuận, chuyển tiếp TC phân cực ngược.
(BJT npn: VE<VB<VC, BJT pnp: VE>VB>VC).

Trang 44
* Đường tải tĩnh, điểm làm việc tĩnh:
+ Đường tải tĩnh (đường tải 1 chiều) được vẽ trên đặc tuyến ra
tĩnh của BJT để nghiên cứu mối quan hệ giữa dòng điện ra và
điện áp ra của BJT ở chế độ một chiều.
+ Điểm làm việc tĩnh (điểm phân cực 1 chiều) là điểm nằm trên
đường tải tĩnh xác định dòng điện, điện áp 1 chiều trên BJT khi
không có tín hiệu xoay chiều đặt vào.

Trang 45
* Đường tải tĩnh, điểm làm việc tĩnh (tiếp):
VCC
+ VD: Xét mạch BJTnpn
mắc CE, xác định
đường tải tĩnh và điểm
làm việc tĩnh. RB RC
C2
IC
C1 IB V0
T1
VI VCE
- Phương trình đường tải tĩnh:

VCE = VCC - IC.RC

Trang 46
+ Tùy theo các giá trị phân cực mà điểm làm việc tĩnh có tọa độ
khác nhau, điểm làm việc tĩnh Qi(UCEi,ICi,IBi) là giao điểm của
đường tải tĩnh và đặc tuyến ra tương ứng với dòng phân cực
IB=IBi.
+ Khi có tín hiệu đặt vào, IB biến đổi, dẫn tới IC biến đổi, kết quả
là điện áp ra trên tải biến đổi. Cần phải chọn điểm làm việc tĩnh
Q để điện áp ra trên tải không bị méo. Thông thường để biên độ
điện áp ra cực đại, không làm méo dạng tín hiệu, điểm làm việc
tĩnh thường được chọn ở giữa đường tải tĩnh, khi đó VCE=VCC/2.

Trang 47
IC(mA)
ICmax
Điểm làm việc tĩnh Qi(UCEi,ICi,IBi)
EC/Rt0
IB
Q3 3
IC
Pmax
3
IB2
EC/Rt02 Đường tải tĩnh
Điểm bão hòa Q2 IB2
IC
2
Q1 IB1 IB1
IC -IB2
1 -IB1
IB0=0
UCE3 UCE2 UCE1 E UCEmax UCE(V)
C
-UCE2 UCE2
Điểm cắt
UCE1
-UCE1

Trang 48
- Chú ý khi chọn điểm làm việc tĩnh cần quan tâm đến các giá trị danh
định của BJT như: PCmax, UCmax, ICmax, UBEmax, dải nhiệt độ làm việc
TminTmax.
- Công suất tỏa nhiệt của BJT ra môi trường ngoài: Pheat-out=K.T trong
đó: (T=Tdevice- Tm.t)
- Công suất điện tiêu thụ trên BJT: Pelec-in=iC.uCE+iB.uBE
- Nhiệt độ trên BJT tăng đến khi thỏa mãn điều kiện cân bằng trao đổi
nhiệt: Pelec-in= Pheat-out. Vậy: Pelec-in<Pmax= Pheat-outmax=K.(Tmax- Tm.t).
- Vậy điểm làm việc tĩnh phải lựa chọn nằm trong giới hạn đường Pmax.

Trang 49
* Ổn định điểm làm việc tĩnh và ổn định nhiệt:
- BJT rất nhạy cảm với nhiệt độ, nhất là UBE và ICB0, nên khi nhiệt độ
thay đổi điểm làm việc tĩnh cũng thay đổi. Như vậy điểm làm việc cũng
nhạy cảm với nhiệt độ.
- Độ ổn định nhiệt được định nghĩa như sau: S = dIC
dICB0
- Ta đã có IC = .IE + ICBo = .(IB+IC) + ICBo
<=> IC= . IB/(1-)+ICB0/(1-)
<=> IC= .IB+ICB0/(1-)
1
=  +1  IC = .I B + ( + 1)ICB0
1− 

Trang 50
* Ổn định điểm làm việc tĩnh và ổn định nhiệt (tiếp):
- Đạo hàm 2 vế phương trình trên theo IC, rút gọn ta có:
 IC = .I B + ( + 1)ICB0
dIC .dI B ( + 1).dICB0
= +
dIC dIC dIC
dI B 1
1 = . + ( + 1).
dIC S
1+ 
S=
dIB
1 − .
dIC
- Giá trị của S càng nhỏ, độ ổn định của điểm làm việc càng tăng.
Trang 51
* Các bước để tính toán phân cực cho BJT:
+ Từ yêu cầu về độ ổn định, yêu cầu về chế độ hoạt động AC, trở
kháng vào, trở kháng ra, độ khuếch đại…,chọn cách mắc mạch
định thiên hợp lý.
+ Xác định đặc tuyến vào tĩnh, đặc tuyến ra tĩnh tương ứng của
BJT.
+ Từ yêu cầu hoạt động của mạch dùng BJT (yêu cầu về chế độ
làm việc, yêu cầu điện áp, dòng điện vào ra khi hoạt động, yêu
cầu điểm làm việc…), chọn vị trí điểm làm việc hợp lý và vẽ
đường tải một chiều ví dụ Q(UCE0, IC0, IB0).
+ Tính toán mạch định thiên để có điểm làm việc theo yêu cầu.
+ Tính toán lại các tham số khác và đánh giá độ ổn định điểm làm
việc…
Trang 52
* Mô hình tương đương một chiều:
- Khi tính toán phân cực cho BJT có thể sử dụng mô hình tương
đương một chiều. Để đơn giản có thể sử dụng các công thức sau:
+ Chế độ tích cực: IC = I B
VBE  const
( npnSi = 0,7V ; pnpSi = − 0,7V )
IC
+ Chế độ bão hòa: VCE  0 IB 

+ Chế độ ngắt: IC  0 IB  0 VCE  VCC

Trang 53
2.4.4.2. Định thiên bằng dòng cố định (mạch định thiên cực gốc)
a. Mạch một nguồn: - Xác định điểm làm việc tĩnh:

IB = ?
VCC
IC = ?
RB RC
VCE = ?
C2 - Phương trình đường tải tĩnh ?
IC
C1 - Tính hệ số ổn định nhiệt:
IB V0
T1 S=?
VI VCE

Trang 54
a. Mạch một nguồn (tiếp):

VCC
VCC = IB R B + VBE
VCC − VBE
 IB =
RB RC
C2
C1 IB
IC RB
V0
T1
IC = I B
VI VCE
VCC = IC R C + VCE
 VCE = VCC − IC R C

Trang 55

- Phương trình đường tải tĩnh: IC
VCE = VCC − IC R C VCC/RC
Khi IC = 0  VCE = VCC

VCC ICQ Q
Khi VCE = 0  IC = ICsat =
RC
VCEQ VCC VCE

Trang 56

- Hệ số ổn định nhiệt: 1+ 
S=
dIB
1 − .
dIC
VCC − VBE
IB = = const  S =  + 1
RB
+ Như vậy, S phụ thuộc vào hệ số KĐ dòng Emitter tĩnh .
+ Vậy S phụ thuộc vào từng loại BJT và thường lớn.
+ Mạch định thiên bằng dòng cố định có độ ổn định kém.

Trang 57
b. Mạch hai nguồn: - Xác định điểm làm việc tĩnh:

VCC
IB = ?
IC = ?
VCE = ?
IC RC
IB
- Phương trình đường tải tĩnh ?
V0
T1 C2 - Tính hệ số ổn định nhiệt:
+ RB
VI C1
S=?
VBB

Trang 58
b. Mạch hai nguồn (tiếp):

VCC VBB = IB R B + VBE
VBB − VBE
IC RC
 IB =
IB RB
T1 C2 V0
+
IC = I B
C1 RB
VI
VBB
VCC = IC R C + VCE
- Phương trình đường tải tĩnh và hệ số ổn định nhiệt S giống trường
hợp mạch một nguồn.

Trang 59
Ví dụ 1: Cho mạch khuếch đại dùng BJTnpn loại Si có: 0 =50,

phân cực bằng mạch định thiên cố định (mạch một nguồn),
EC=12V, RB=240k , RC= 2,2k.
- Tính điểm làm việc của mạch Q(IB,IC,VCE)
- Tính VB, VC, VBC.
- Xác định hệ số ổn định nhiệt S.
Ví dụ 2: Cho mạch khuếch đại dùng BJTnpn loại Si có: 0 =50,

phân cực bằng mạch định thiên cố định (mạch một nguồn),
EC=15V, điểm làm việc tĩnh có IB=30A, UBE=0,6V.
- Tính toán mạch định thiên (UCE, RB, RC).

Trang 60
2.4.4.3. – Mạch định thiên Emitter
VCC - Xác định điểm làm việc tĩnh:

IB = ?
RB RC IC = ?
IC
C2
VCE = ?
C1 IB V0 - Phương trình đường tải tĩnh ?
T1 VCE
VI - Tính hệ số ổn định nhiệt:
RE S=?

Trang 61
2.4.4.3. – Mạch định thiên Emitter (tiếp)
- Xác định điểm làm việc tĩnh:
VCC VCC = IB R B + VBE + IE R E
= IB R B + VBE + (1 + )IB R E
RB RC = IB R B + (1 + )R E  + VBE
C2
IC
VCC − VBE
 IB =
C1 IB V0
VI
T1 VCE
R B + (1 +  ) R E
RE
IC = I B
VCC = IC R C + VCE + IE R E
Do IC IE  VCE = VCC − IC (R C + R E )

Trang 62
- Phương trình đường tải tĩnh: VCE = VCC − IC (R C + R E )
VCC
RC + RE
IC
VCC
VCC/RC
(R C + R E )
ICQ Q
VCEQ VCC VCE

Trang 63
- Tính hệ số ổn định nhiệt S: S = 1+  VCC
dI
1 − . B
VCC = IB R B + VBE + IE R E dI C RB RC
C2
IC
= IB R B + VBE + ( IB + IC ) R E C1 IB
T1 VCE
V0
VI
 VCC = IB (R B + R E ) + VBE + IC R E RE
Đạo hàm hai vế pt theo IC, ta được:

dI B dIC dI B RE
0= (R B + R E ) + 0 + RE  =−
dIC dIC dIC RB + RE
1+  S   +1
S=
RE Khi R B  R E  S → 1
1 + .
RB + RE Khi R B  R E  S → ( + 1)

Trang 64
2.4.4.4. Định thiên bằng hồi tiếp âm
- Mạch hồi tiếp: khi tín hiệu đầu ra thay đổi cũng sẽ tác động đến đầu
vào làm thay đổi tín hiệu đầu vào.
- Mạch hồi tiếp âm: tín hiệu ra tăng lại làm tín hiệu đầu vào giảm.
- Với mạch phân cực cho BJT nếu giả sử khi nhiệt độ thay đổi làm cho
dòng điện ra IC và IE tăng lên, sự tăng này nếu làm giảm điện áp đặt
trên tiếp giáp BE hoặc CE thì sẽ làm cho IB giảm, như vậy IC và IE
giảm, điểm làm việc được ổn định.
- Tùy theo phương pháp dùng hồi tiếp âm điện áp mà có các loại mạch
phân cực hồi tiếp âm khác nhau:
a. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector.
b. Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector và Emitter.

Trang 65
2.4.4.4. – Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector
VCC
IB+IC RC
IB = ?
IC = ?
C2
RB IC VCE = ?
C1 IB V0
VCE - Phương trình đường tải tĩnh ?
VI
- Tính hệ số ổn định nhiệt:
S=?

Trang 66
2.4.4.4. – Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector (tiếp)
VCC
VCC = (IB + IC )R C + IB R B + VBE
IB+IC RC
= (1 +)IB R C + IB R B + VBE
= IB  R B + (1 + )R C  + VBE
C2 VCC − VBE
RB IC  IB =
C1 IB V0 R B + (1 +  ) R C
VCE
IC = I B
VI
VCC = (IB + IC ) R C + VCE

Do IC IE
Trang 67
- Phương trình đường tải tĩnh: VCE = VCC − IC R C
VCC
Khi VCE = 0  IC = I Csat =
RC IC
V CC
VCC/R C
RC
ICQ Q
VCEQ VCC VCE

Trang 68
- Tính hệ số ổn định S: S = 1+  VCC
dI B IB+IC
1 − .
dI C RC
C2
RB IC
VCC = (IB + IC ) R C + IB R B + VBE C1 IB V0
VCE
 VCC = IB (R C + R B ) + IC R C + VBE VI
Đạo hàm hai vế theo IC, ta có:

dI B dIC dI B RC
 0= (R C + R B ) + RC + 0  =−
dIC dIC dIC RC + RB
1+  S   +1
S=
RC Khi R B  R C  S → 1
1 + .
RC + RB Khi R B  R C  S → ( + 1)

Trang 69
* Phương pháp loại bỏ hiện tượng hồi tiếp âm tín hiệu xoay chiều:
VCC VCC
IB+IC IB+IC RC
RB1 RB2
RC
C2 C C2
RB IC IC
C1 IB C1
V0 V0
VCE VCE
VI VI IB
- RB giảm thì độ ổn định tăng nhưng hệ số khuếch đại giảm.

- Để khắc phục, RB được chia thành hai thành phần RB1 và RB2 và dùng
tụ C nối đất điểm nối giữa hai điện trở này.
- Tụ C hở mạch đối với tín hiệu định thiên một chiều và ngắn mạch tín
hiệu xoay chiều, không cho phản hồi trở lại đầu vào.
Trang 70
2.4.4.4. – Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector và Emitter
VCC
IB+IC
IB = ?
RC IC = ?
RB IC
C2 VCE = ?
C1 IB V0 - Phương trình đường tải tĩnh ?
VCE
VI - Tính hệ số ổn định nhiệt:
RE S=?

Trang 71
2.4.4.4. – Mạch định thiên hồi tiếp âm Collector và Emitter (tiếp)
VCC VCC = (IB + IC )R C + IB R B + VBE + IE R E
IB+IC = (1 +)IB (R C + R E ) + IB R B + VBE
RC = IB (1 + )(R C + R E ) + R B  + VBE
C2
RB IC VCC − VBE
C1 IB V0  IB =
VI
VCE R B + (1 +  )(R C + R E )
RE
IC = I B
VCC = (IB + IC ) R C + VCE + IE R E

Do IC I E  VCE = VCC − IC (R C + R E )
Trang 72
VCC
(R C + R E ) IC
VCC
VCC/RC
(R C + R E )
ICQ Q
VCEQ VCC VCE

Trang 73
- Tính hệ số ổn định S: S = 1 + 
VCC
IB+IC
dI B
1 − . RC
dI C RB IC
C2
C1 IB V0
VCE
VI
RE
VCC = (IB + IC ) R C + IB R B + VBE + (IB + IC ) R E

 VCC = IB (R C + R B + R E ) + IC (R C + R E ) + VBE
Đạo hàm hai vế theo IC, ta có:
dI B dIC
 0= (R C + R B + R E ) + (R C + R E ) + 0
dIC dI C
1+ 
dI B RC + RE S=
 =− RC + RE
dIC RC + RB + RE 1 + .
RC + RB + RE
Trang 74
2.4.4.5. Định thiên phân áp
- Mạch định thiên phân áp: còn gọi là mạch định thiên tự cấp,
mạch phân cực bằng dòng Emitter, mạch phân cực bằng hồi tiếp
âm dòng điện.
Vth
Vth
Vth
a. Sơ đồ mạch định thiên phân áp b. Sơ đồ tương đương Thevenin

. .
Trang 75
2.4.4.5. Định thiên phân áp (tiếp)
Vth
Vth
Vth
- Sử dụng mạch phân áp R1, R2 để tạo điện áp phân cực trên cực B, RE
tạo ra điện áp hồi tiếp âm về đầu vào để tăng độ ổn định.
- Cần chọn R1, R2 thế nào để đảm bảo Vth ổn định và Vth <<EC, nhưng
RB không lớn hơn nhiều RE, nếu không thì sự phân cực của mạch giống
như trường hợp phân cực dòng cố định. (Thông thường chọn RB=RE).

Trang 76
VCC
IB = ?
R1 RC
IC C2
IC = ?
C1
V0
VCE = ?
VCE
VI - Phương trình đường tải tĩnh ?
IB
- Tính hệ số ổn định nhiệt:
R2 RE
S=?

Trang 77
Có hai cách để tính toán mạch này:

- Cách 1: tính chính xác. Cách này có thể áp dụng cho bất kỳ
mạch phân áp nào.
- Cách 2: tính theo phương pháp xấp xỉ. Cách này chỉ sử dụng
trong một vài trường hợp cụ thể. Nó đặc biệt hữu ích khi thiết
kế mạch.

Trang 78
2.4.4.5. Định thiên phân áp (tiếp) – Cách 1: Tính chính xác
- Có thể vẽ lại mạch phân áp thành mạch sau:
VCC
R1 RC
IC C2
C1
V0
VCE
VI IB
R2 RE

Trang 79
- Tính điện trở tương đương RB=Rthvà điện áp tương đương Vth=Eth.
R 1R 2
R B = R th = R1 / /R 2 =
R1 + R 2
R 2 .VCC
Vth = E th =
R1 + R 2

Trang 80
- Mạch trở thành:
VCC
VCC
IC RC
R1 RC
IC C2 IB
C1 T1 C2 V0
V0
VCE C1 + RB
VI VI
IB VVthB RE
R2 RE
R 2 .VCC R 1R 2
Vth = R B = R th =
R1 + R 2 R1 + R 2

Trang 81
VCC Vth = IB R B + VBE + IE R E
IC RC
= IB R B + (1 +)R E  + VBE
VC
Vth − VBE
 IB =
IB
R B + (1 +  ) R E
T1 C2 V0
C1 + RB VB VE
VI
VVthB RE
IC = I B
VCC = IC R C + VCE + IE R E
VB = VBE + I E R E
VC = VCE + I E R E Do IC IE
VE = I E R E  VCE = VCC − IC (R C + R E )
Trang 82
VCC
(R C + R E ) IC
VCC
VCC/RC
(R C + R E )
ICQ Q
VCEQ VCC VCE

Trang 83
VCC
- Tính hệ số ổn định S: 1+ 
S=
dI B
1 − . IC RC
dI C VC
IB
Vth = IB R B + VBE + IE R E T1 C2 V0
C1 + RB VB VE
 Vth = IB R B + VBE + (IB + IC )R E
VI
VVthB RE
= IB (R B + R E ) + VBE + IC R E
dI B dIC dI B RE
 0= (R B + R E ) + RE + 0  =−
dIC dIC dIC RB + RE
1+ 
S=
RE
1 + .
RB + RE
Trang 84
2.4.4.5. Định thiên phân áp (tiếp) – Cách 2: Tính xấp xỉ
- Gọi Ri là điện trở tương đương giữa Base và đất với trở Emitter. Điện
trở này được xác định như sau:
 R i = (1 + )R E
- Nếu RE >> R2 thì dòng IB << I2 → I2  I1.
- Nếu cho IB  0 → I1 = I2; R1 và R2 coi như là mắc nối tiếp
- Lúc đó tính được Vth , RB như sau:

I1 R1
IB
R 2 .VCC
VCC Vth =
R1 + R 2
I2 Ri Ri>>R2
R2
VVB th (I1=I2)
R 1R 2
RB =
R1 + R 2

Trang 85
2.4.4.5. Định thiên phân áp (tiếp) – Cách 2: Tính xấp xỉ
- Kiểm tra điều kiện: R E  10 R 2
- Nếu thỏa mãn điều kiện trên thì mạch được tính toán với độ chính
xác cao. V CC
- Các tham số của mạch được tính như sau:

VE = VB − VBE R1 RC
IC C2
VE
IE =
C1
V0
VCE
RE VI IB
IC I E R2 RE
VCE = VCC − IC R C − IE R E VCC − IC (R C + R E )

1+ 
S=
RE
1 + .
RB + RE

Trang 86
2.4.4.5. Định thiên phân áp (tiếp) – Nhận xét
1+  S   +1
S=
1 + .
RE Khi R B  R E  S → 1
RB + RE
Khi R B  R E  S → ( + 1)
- S không phụ thuộc vào Rt0=RC.
- Trong thực tế 0 cũng thay đổi theo nhiệt độ, do đó cũng ảnh hưởng đến
độ ổn định của điểm làm việc tĩnh, để đánh giá sự ảnh hưởng này dùng
công thức sau:
IC .S
=
IC ( + 1)

Trang 87
2.4.4.5. Định thiên phân áp (tiếp) – Nhận xét
- Bản chất của sự ổn định nhiệt của mạch định thiên tự cấp chính là dòng
phản hồi âm qua điện trở RE.
- Tăng RE nghĩa là tăng phản hồi âm, do đó làm giảm hệ số khuếch đại
tín hiệu xoay chiều của mạch.
- Có thể loại trừ phản hồi âm của tín hiệu xoay chiều bằng cách mắc
thêm tụ điện CE ngắn mạch đối với tín hiệu xoay chiều như hình vẽ.

Trang 88
2.4.4.5. Định thiên phân áp (tiếp) – Một số luật khi thiết kế
- Bài toán thiết kế (xác định các giá trị điện trở phân cực để BJT làm
việc ở điểm làm việc tĩnh nào đó Q(IB,UCE,IC)), Cần chú ý một số
luật sau:
+ Tính R1, R2 sao cho Ipa1, Ipa2 >>IB => Ipa Ipa1  Ipa2  VCC/(R1+R2)
+ Thường chọn Ipa 20IB – Luật 20:1
+ Chọn RB  0,01RE => R2  0,01RE – Luật 100:1
+ Chọn UE=0,1VCC – Luật 10:1
+ Dựa vào các điện trở đã được chọn theo luật chọn, tính các điện trở
còn lại: VCC − VCE − VE VE
RC = RE =
IC I B + IC
+ Chọn R2, tính R1 dựa vào phương trình sau:
Vth = VBE+VE+IB[R1R2/(R1+R2]= VCC.R2/(R1+R2)
+ Kiểm tra lại xem có thỏa mãn điều kiện Ipa  20IB không?

Trang 89
Tổng kết sự cải thiện độ ổn định S trong các mạch định thiên cho BJT
(1) : BB – Base Bias Độ ổn định tăng dần
(2) : EFB – Emitter-Feedback Bias

(3) : CFB – Collector-Feedback Bias
(4) : CEFB – Collector- and Emitter- Feedback Bias
(5) : VDB – Voltage – Divider Bias

Trang 90
Mạch định thiên cho BJT pnp
Chú ý: Mạch phân cực cho BJTpnp cũng tương tự, chỉ khác nhau về
chiều của nguồn cung cấp, và chú ý chiều dòng điện của các cực cũng
ngược lại. Sinh viên về tự tìm các biểu thức tính toán cho các mạch
đinh thiên này.

Trang 91

CKDT Chuong 2 BJT

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

CKDT Chuong 2 BJT

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

BÀI GIẢNG MÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

CHƯƠNG 2. CẤU KIỆN BÁN DẪN VÀ

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

2.1. Vật liệu bán dẫn

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

2.4. Transistor lưỡng cực - BJT

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

- Transistor (Transfer Resistor)

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

- Transistor gồm có 2 tiếp giáp PN do 3 lớp bán dẫn tạo nên.

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

VBE VBC VBE VBC

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

- Hệ số chuyển dời: * - là tỉ số giữa thành phần dòng điện do các hạt

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

- Hệ số khuếch đại dòng điện cực phát :  (0)

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

E TE B TC C Sơ đồ phân cực BJT npn Sơ đồ tương đương đơn giản

VBE VBC EC ICBo RC

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

(CE) (CB) (CC)

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

Đặc tuyến Tổng quát CE CB CC

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

+ Giữ UCE ở một trị số

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh: KI

- Hệ số khuếch đại điện áp: KU

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

+ Giữ IE ở một trị số cố định, thay

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

Họ đặc tuyến vào mạch mắc CB

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

* Đặc điểm của sơ đồ mắc cực gốc chung:

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

* Xác định đặc tuyến truyền đạt:

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

2.4.4. Phân cực (định thiên) cho BJT

2.4.4.1. Khái niệm định thiên cho BJT

2.4.4.2. Định thiên bằng dòng cố định

2.4.4.3. Định thiên Emitter

2.4.4.4. Định thiên bằng hồi tiếp âm

2.4.4.5. Định thiên phân áp

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

* Đường tải tĩnh, điểm làm việc tĩnh:

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

- Phương trình đường tải tĩnh:

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO

www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: VŨ ANH ĐÀO