Transistor BJT - FET

Chương 4.
Transistor BJT và FET
Bipolar Junction Transistor

& Field Effect Transistor
Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Trường Đại học Công nghệ, ĐHQGHN Electronics Engineering
Nội dung
 Cấu trúc và nguyên lý hoạt động
 Các đặc trưng I-V
 Hoạt động khuếch đại và chuyển mạch
 Phân tích mạch DC có lắp transistor
 Thiết kế các mạch thiên áp

Trường Đại học Công nghệ, ĐHQGHN 2 Electronics Engineering
Transistor lưỡng cực BJT

4.1. Cấu tạo và hoạt động của BJT
 Cấu tạo BJT
 Gồm 3 vùng bán dẫn
xen kẽ, tạo nên 2 tiếp
giáp EBJ và CBJ.
 Các vùng hoạt động

 Tùy vào định thiên cho 2
lớp tiếp giáp mà có 4
vùng hoạt động khác
nhau:
Bảng 4.1 Các chế độ hoạt động của BJT

Chế độ Tiếp giáp EB (EBJ) Tiếp giáp CB (CBJ)
Cấm (cutoff) Phân cực ngược Phân cực ngược
Tích cực (Active) Phân cực thuận Phân cực ngược
Tích cực ngược (Reverse active) Phân cực ngược Phân cực thuận
Thông bão hòa (Saturation) Phân cực thuận Phân cực thuận
 Một số dạng thực của BJT

 3 kiểu mắc BJT trong mạch điện
 Transistor BJT tương đương như một nguồn dòng được điều khiển bằng thế VCCS (hoặc điều khiển
bằng dòng CCCS) gồm 4 điện cực, trong khi BJT chỉ có 3 điện cực. Nếu được lắp trong mạch điện thì
sẽ phải có 1 trong 3 điện cực đó là được mắc chung cho cả lối vào và lối ra.
 Như vậy, có 3 kiểu mắc BJT trong mạch điện (tạm gọi là 3 cấu hình), tùy thuộc vào đầu nào là
chung cho cả lối vào và lối ra tín hiệu.

 Nguyên lý hoạt động trong chế độ tích cực
Transistor npn
iC  I SevBE / VT IS : dòng bão hòa
i
iB  C  : hệ số khuếch đại dòng (sơ đồ cực phát chung) (100÷200)

iC   i E  : hệ số khuếch đại dòng (sơ đồ cực gốc chung) (≤1)
i E  iC  i B  
  
1   1

 Sơ đồ tương đương
Sơ đồ tương đương với tín hiệu lớn của

transistor loại npn.
Mặt cắt của một BJT thực tế cho thấy hai cực E
và C là không đối xứng.
Nếu tráo đổi giữa emitter và collector, R (0,01 đến 1) và R

(0,01 đến 0,5) sẽ rất khác F (100 đến 200) và F (0,98-0,99).
Vậy cần thêm sơ đồ

 Mô hình Ebers-Moll (EM)
I 
i E   S  evBE / VT  1  I S evBC / VT  1
 F 
I 
iC  I S evBE / VT  1   S  evBC / VT  1
 R 
I  I 
i B   S  evBE / VT  1   S  evBC / VT  1
 F   R 
F R
F  R 
1  F 1  R
vBE dương nằm trong dải (0,5-0,8V) và vBC <0 nên có thể bỏ qua số hạng
chứa vBC :
I  vBE / VT  1 
iE   S  e  I S 1  
 F   F 
 1  Giữ lại các số hạng e mũ:
iC  I SevBE / VT  I S   1
 R 
I  vBE / VT  1 1
iB   S  e  I S  
 F   F R 
Vùng thông bão hòa (cả hai tiếp giáp BEJ và BCJ phân cực thuận)
 IS  vBC / VT
iC  I Se
vBE / VT
 e
 R 
Vùng tích cực (BEJ phân cực thuận, BCJ phân cực ngược)
iC  I S  vBE / VT iC  I S  vBE / VT
iE    e iC  I SevBE / VT iB     e
   
Vùng tích cực ngược (BEJ phân cực ngược, BCJ phân cực thuận)
Vùng cấm (cả hai BEJ và BCJ phân cực ngược)

Tóm lược các mối quan hệ I-V trong vùng tích cực

 Với transistor pnp
Nguyên lý hoạt động
Sơ đồ tương đương tín hiệu lớn trong vùng tích

cực

4.2. Các đặc trưng I-V của BJT
 Phân cực thế và dòng điện trong vùng tích cực

 Đặc trưng iC - vBE
iC  I SevBE / VT
-2 mV/C

 Đặc trưng iC – vCB (trong kiểu mắc base chung)
iC  f (vCB ) i
E  const
 1 
Trong vùng bão hòa: iC   F I E  I S    F  evBC / VT
 R 

 Đặc trưng iC - vCE (trong kiểu mắc emitter chung)
Quan sát vùng bão hòa với dãn rộng thang đo

thế vCE

 Sự phụ thuộc của iC vào thế vCE – Hiệu ứng Early
 v 
iC  I S evBE / VT  iC  I S (evBE / VT ).  1  CE 
 VA 
1 i VA
 C ro 
ro vCE vBE const
IC

4.3. Khuếch đại và chuyển mạch dùng BJT
 Khi BJT hoạt động trong vùng tích cực, nó tương đương với một nguồn dòng được điều khiển bằng thế
VCCS. Thế lối vào vBE biến thiên làm thay đổi dòng ra iC. Như vậy ta có một bộ khuếch đại hỗ dẫn. Cho
dòng này chảy qua một trở gánh RC ta có bộ khuếch đại thế. Sơ đồ cơ bản với emitter chung CE,khi bỏ qua
hiệu ứng Early :
Nếu BJT hoạt động trong vùng tích cực có sụt thế VBE  VBE (on )
Nếu VBB  VBE (on ) thì I B  0,VBB  VBE (on ) transitor cấm và IB  0
VBB  VBE (on )
IB  I C  I B VCC  I C RC  VCE VCE  VCC  I C RC
RB
Công suất tiêu tán trên BJT PT  I BVBE (on )  I CVCE
Thường IC I B ,VCE  VBE (on) nên PT  I CVCE

 Phân tích bằng đồ thị - Đường tải và điểm Q
Các điểm làm việc của BJT là các điểm
giao nhau của các đường:
Đặc trưng I-V:
iC  f vCE  |i B const
 Đường tải, tuân theo luật KVL của
vòng CE:
1 V
iC   vCE  CC
RC RC
Điểm làm việc tĩnh (Q point) là điểm làm
việc khi không có tín hiệu xoay chiều ac
(hay gọi là điểm thiên áp một chiều - dc
bias point).
Qpo int   I C ,VCE  hay (I B ,VBE )
Điểm Q quyết định các thông số của

mạch BJT : chế độ khuếch đại,
chuyển mạch, hệ sô khuếch đại,
méo dạng tín hiệu, …
 Đặc trưng truyền đạt vCE – vBE . BJT ở chế độ KĐ

 BJT ở chế độ chuyển mạch điện tử
Khi hoạt động luân phiên ở 2 vùng bão hòa và cấm, BJT là một chuyển mạch điện tử .
• Khi vI <0.5V, transistor cấm:

iB = 0  iC = 0 và vC = Vcc.
Nút C ngắt khỏi đất, BJT ở trạng thái cấm.
• Khi vI ≥ 0,7V ; BJT thông bão hòa:
vI  VBE
iB  iC   i B
RB
vC  vB  0.4V vC  VCC  RC iC
VCC  0.3
Điểm bão hòa (Edge-Of- Saturation) I C EOS 
RC
I C EOS
I B  EOS   VI ( EOS)  I B (EOS)RB  VBE

VCC  VCEsat I Csat
I Csat   forced 
RC IB

4.4. Phân tích mạch DC với transistor BJT
 Các ví dụ

4.5. Định thiên cho BJT
 Định thiên (thiên áp) cho transistor là việc đặt một thế hoặc dòng một chiều dc lên nó với một giá trị nào
đó nhằm cho phép tín hiệu vào ac có thể được xử lý như mong muốn.
 Điểm hoạt động tĩnh (Q-point) là thế và dòng một chiều, ví dụ cặp (IB, VBE) hay (IC, VCE); khi transistor ở
trạng thái tĩnh với tín hiệu xoay chiều ac bằng 0.
 Do dòng điện trong transistor bán dẫn chịu ảnh hưởng nhiều của biến thiên nhiệt độ môi trường, dẫn đến
điểm Q dễ bị biến đổi theo nhiệt độ, làm cho bộ khuếch đại không ổn định. Vì vậy một trong những yêu
cầu thiết kế mạch tạo thiên áp là phải có được sự ổn định điểm Q theo nhiệt độ.
Hai sơ đồ giữ cố định V (a) và giữ cố định I (b), làm cho Q không ổn định, IC (và do đó VCE)
Khoa Điện tử - Viễn thông BE B
Kỹ thuật Điện tử
sẽ
Trường Đại học Công nghệ, ĐHQGHN
bị biến đổi theo nhiệt
27 độ phòng. Electronics Engineering
 Sơ đồ dùng bộ chia thế và trở phản hồi RE
• A single power supply and resistors are needed

• Mạch tương đương Thenevin:
• Dòng IE xác định bởi luật Kirchhoff qua vòng base-emitter-đất .
• RC được chọn sao cho BJT

hoạt động trong vùng tích
cực :
(VCE > VCEsat  0.2 V)
• Ổn nhiệt nhờ có trở RE phản

hồi âm về dòng

 Sơ đồ dùng 2 nguồn cung cấp
• Điện trở RB chỉ cần nếu tín hiệu vào ghép với base, còn không base được nối trực tiếp với đất.

 Sơ đồ dùng trở phản hồi âm từ collector về base
• RB được chọn sao cho Q nằm ở vùng tích cực (VCE > VBE  0.7 V)
 RB là trở phản hồi âm về

thế giúp ổn nhiệt cho
điểm Q. Nó làm giảm hệ
số khuếch đại tín hiệu
nhỏ.

 Sơ đồ dùng nguồn dòng không đổi.
• Mạch gương dòng điện: cả hai Q1 và Q2 ở mode active, Q1 được mắc như một diode. Dong qua Q1
xấp xỷ với IREF.
• Vì Q1 và Q2 có cùng thế VBE, dòng collector của chúng bằng nhau và bằng I.
• Bỏ qua hiệu ứng Early trong Q2, dòng collector sẽ không đổi chừng nào Q2 còn trong vùng tích cực.

Transistor trường FET

4.6. Giới thiệu về transistor trường FET
• Khác với BJT, transistor trường FET là dụng cụ điện tử đơn cực, tức là chúng chỉ hoạt động với 1
loại điện tích mang (hoặc điện tử hoặc lỗ trống).
• Thuật ngữ “hiệu ứng trường” (field-efect) liên quan đến “vùng nghèo” (deplete region) được hình
thành do thế áp đặt lên cực cửa (gate) của FET.
• FET có 2 loại:
- Loại có lớp tiếp giáp pn gọi là JFET (Junction field-effect transistor)
- Loại có lớp cách điện oxide gọi là MOSFET (Metal Oxide Semiconductor field-
effect transistor)
• Khác với BJT được điều khiển bằng dòng, FET được điều khiển bằng thế.
• Ưu điểm của FET là có trở vào rất cao.

 Phân loại các transistor trường FET

4.7. Cấu trúc và hoạt động của JFET
 Cấu trúc
• JFET là loại FET hoạt động với một lớp
tiếp giáp pn được phân cực ngược
cho phép điều khiển dòng trong một
kênh dẫn drain-source DS.
• Tùy vào cấu trúc, JFET có 2 loại:

kênh-n và kênh-p.
• 3 cực của JFET :

S cực nguồn (source)
D cực máng (drain)
G cực cửa (gate)

 Hoạt động của JFET với thiên áp cực cửa khác nhau
Thế bias bằng 0, vùng Thế bias tăng, vùng Thế bias lớn hơn thế
nghèo mỏng : hình nghèo rộng ra : Kênh pinch-off : không còn
thành một kênh dẫn có điện trở hẹp lại. kênh dẫn giữa D và S.
điện trở thấp giữa 2 cực
D và S.

 Thế pinch-off VP
• Với VGS=0 V, tăng giá trị VDS đến khi dòng ID trở nên không đổi, thì thế đó được gọi là thế pinch-off VP.
FET kênh-n với vGS = 0

4.8. Các đặc trưng I-V của JFET
 Đặc trưng iD - vDS

 Vùng Triode (Ohmic)
 Vùng bão hòa
Kn
v GS v P  VP là thế pinch-off. Phân tích thừa số (-VP)2 :
2
iD 
2
VP điển hình từ 0 đến – 25 V, và giá trị IDSS trong dải từ 10 A tới hơn 10 A.

 Điều chế độ rộng kênh :
Đặc tuyến I-V trong vùng bão hòa vẫn có một độ dốc nhỏ. Các đường ngoại suy cắt nhau tại điểm –
VA = 1/ trên trục vGS. Đó là do hiệu ứng điều chế độ rộng kênh. Lúc này dòng ID phụ thuộc cả vào
thế vDS :
 được gọi là tham số điều chế độ rộng kênh.
 Thế pinch-off và thế cutoff :
Thế VGS ứng với dòng ID = 0 gọi là thế cutoff VGS(off). Như vậy, JFET phải hoạt động trong dải từ VGS=0 đến
VGS(off) , ID biến thiên từ IDSS đến giá trị cực tiểu gần bằng 0.
Hiện tượng pinch-off xảy ra với

VDS<Vp cả khi VGS≠0, do đó giá trị VDS
mà từ đó ID=const sẽ biến đổi theo
VGS.
Như vậy, VGS(off) và Vp luôn bằng
nhau về độ lớn và trái dấu:
VGS(off) = -Vp
40

 Đặc trưng truyền đạt iD = f(vGS)
2
 V 
I I 1  GS  IDSS
DS DSS 
 V 
 P 
VGS (off)= -VP

4.9. Thiên áp cho JFET
 Mạch thiên áp cố định
Áp dụng luật KCL ở mạch cửa:
 Mạch tự thiên áp
Vì IG = 0 và IS = ID

4.10. Cấu trúc và hoạt động của MOSFET
 Cấu trúc
 NMOS loại tăng dẫn
(a)
(b) (c)
Khoa Điện(a)tử - Viễn

Cấu thông tăng dẫn; (b) mặt cắt; (c) Ký hiệu.
trúc NMOSFET Kỹ thuật Điện tử
 P-MOSFET
 Complementary MOS
CMOS

 DMOS loại giảm dẫn. Kênh dẫn được hình thành ngay khi VGS = 0, tạo ra lớp nghèo với giá trị điển hình VTN
trong dải từ -1 V tới -4 V.
 EMOS loại tăng dẫn. Không có kênh dẫn khi VGS = 0. Như vậy, kênh dẫn cần được tăng cường bởi VGS > VTN.

4.11. Các đặc trưng I-V của MOSFET
 Đặc trưng iD - vDS

 Vùng Triode (Ohmic)
 v  Kn được gọi là hỗ dẫn và có đơn vị là A/V2

iD  Kn  vGS  VTN  DS  vDS
 2 
Điện trở ON :
Với các thế vDS nhỏ vDS / 2   vGS  VTN 
iD  Kn  vGS  VTN  vDS
MOSFET giống như một điện trở nối giữa cực

máng và cực nguồn và giá trị điện trở có thể điều
chỉnh được bởi thế cực cửa vGS.
1 VDS 1
Ron   
iD / vDS Q po int
I D Kn  VGS  VTN 

 Vùng bão hòa
Kn
 vGS  VTN  for vDS   vGS  VTN   0
2
iD 
2
Khi VDS tăng, điểm pinch-off tiến tới cuối vùng

máng và dòng ID tăng chậm lại.
Cuối cùng vDS > (vGS –VTN ), ID trở nên không
đổi.
Độ hỗ dẫn :
diD 2I D
gm   Kn  vGS  VTN  
dvGS Q po int
vGS  VTN
2I D
gm 
VGS  VTN

 Điều chế độ rộng kênh
Trong vùng bão hòa, dòng máng không thực sự không đổi, do đó đường cong I-V có một độ dốc nhỏ. Kết quả
này do hiệu ứng điều chế độ rộng kênh. Khi tính tới đó, biểu thức cho iD sẽ phụ thuộc vào vDS như sau:
Kn
 vGS  VTN  1  vDS 
2
iD 
2

 Đặc trưng truyền đạt iD - vGS
i D  f vGS 

 Hiệu ứng Body (substrate sensitivity)
Thường đế B được nối với cực nguồn S (vSB = 0) để không xảy ra hiệu ứng body.
Trong trường hợp B không nối với S (vSB  0), ví dụ khi cần duy trì trạng thái cấm, B phải được nối với
nguồn âm hơn S. Lúc này xảy ra hiệu ứng body, đế B giống như một cực cửa thứ hai (backgate) làm thay đổi
thế ngưỡng VTN, ảnh hưởng đến đặc tính của MOS.
VTN  VT 0    vSB  2F  2F 

Ở đây,
-VT0 : thế ngưỡng khi vSB = 0
- , 2F : các tham số vật liệu

4.12. Thiên áp cho NMOS-FET
 Cố định VGS  Dùng trở phản hồi DG
Trở phản hồi RG (trong dải mega-

ohm) làm thế dc ở cực cửa bằng
với thế ở cực máng (vì dòng IG =
0).
Vậy :
VGS  VDS  VDD  RD I D

or
VDD  VGS  RD I D
Cả 2 mạch đều có chức năng ổn nhiệt cho Q-point.

 Tóm lược về MOSFET

 Ký hiệu theo chuẩn IEEE


Transistor BJT - FET

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Transistor BJT - FET

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương 4.

Transistor BJT và FET

Bipolar Junction Transistor

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

 Cấu trúc và nguyên lý hoạt động

 Các đặc trưng I-V

 Hoạt động khuếch đại và chuyển mạch

 Phân tích mạch DC có lắp transistor

 Thiết kế các mạch thiên áp

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

 Các vùng hoạt động

Bảng 4.1 Các chế độ hoạt động của BJT

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

iC  I SevBE / VT IS : dòng bão hòa

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Sơ đồ tương đương với tín hiệu lớn của

Nếu tráo đổi giữa emitter và collector, R (0,01 đến 1) và R

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Vùng cấm (cả hai BEJ và BCJ phân cực ngược)

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Nguyên lý hoạt động

Sơ đồ tương đương tín hiệu lớn trong vùng tích

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Quan sát vùng bão hòa với dãn rộng thang đo

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Điểm Q quyết định các thông số của

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

• Khi vI <0.5V, transistor cấm:

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

• A single power supply and resistors are needed

• Dòng IE xác định bởi luật Kirchhoff qua vòng base-emitter-đất .

• RC được chọn sao cho BJT

• Ổn nhiệt nhờ có trở RE phản

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

 RB là trở phản hồi âm về

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

• Ưu điểm của FET là có trở vào rất cao.

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

• Tùy vào cấu trúc, JFET có 2 loại:

• 3 cực của JFET :

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

FET kênh-n với vGS = 0

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

 Vùng bão hòa

Khoa Điện tử - Viễn thông Kỹ thuật Điện tử

 được gọi là tham số điều chế độ rộng kênh.

 Thế pinch-off và thế cutoff :

Hiện tượng pinch-off xảy ra với