Câu 1: Điện tử công suất là gì?

- là công nghệ biến đổi điện năng từ dạng này sang dạng khác trong đó các phần tử bán dẫn công suất đóng
vai trò trung tâm
Câu 2:

Câu 3: trình bày cấu tạo của diode, SCR, Triac, BJT,MOSFET,IGBT công suất
I. ĐIỐT BÁN DẪN
1. Công dụng:Dùng chỉnh lưu, tách sóng, ổn định điện áp nguồn 1 chiều
2. Cấu tạo:
Điôt bán dẫn là linh kiện bán dẫn có một tiếp giáp P-N, có vỏ bọc bằng thủy tinh, nhựa hoặc kim loại. Có hai
dây dẫn ra là hai điện cực: anốt (A) và katốt (K).
3. Phân loại:
- Theo công nghệ chế tạo: 2 loại
+ Điôt tiếp điểm: Chỗ tiếp giáp P-N là một tiếp điểm rất nhỏ, chỉ cho dòng điện rất nhỏ đi qua, dùng để tách
sóng và trộn tần
+ Điôt tiếp mặt : Chỗ tiếp giáp P-N có diện tích tiếp xúc lớn, cho dòng điện lớn đi qua, dùng để chỉnh lưu.
- Theo chức năng: 2 loại
+ Điôt ổn áp (điốt zêne) dùng để ổn định điện áp một chiều.
+ Điốt chỉnh lưu: dùng để biến đổi dòng điện xoay chiều thành một chiều
II/ TRANSISTOR
1. Công dụng:
Dùng khuyếch đại tín hiệu
2. Cấu tạo:
Tranzito là linh kiện bán dẫn có 2 tiếp giáp P-N, có vỏ bọc bằng nhựa hoặc kim loại. Tranzito có 3 dây dẫn
là 3 điện cực
3. Phân loại:
Tuỳ theo cấu tạo chia 2 loại
- Tranzito PNP: Chất N xen giữa, chất P hai đầu
- Tranzito NPN: Chất P xen giữa, chất N hai đầu
III/ TIRIXTO (SCR)
1. Cấu tạo, kí hiệu, công dụng:
a) Cấu tạo
Trixto là linh kiện bán dẫn có 3 lớp tiếp giáp P-N, có vỏ bọc bằng nhựa hoặc kim loại, có 3 dây dẫn ra là ba
điện cực: anốt (A); catốt (K) và cực điều khiển (G)

c)Công dụng
Được dùng trong mạch chỉnh lưu có điều khiển
2. Nguyên lí làm việc và số liệu kĩ thuật
a) Nguyên lí làm việc
- Khi chưa có điện áp dương UGK vào cực G, tirixto không dẫn điện dù UAK> 0
- Khi đồng thời có và UAK> 0 và UGK > 0 thì tirixt dẫn điện. Khi tirixto dẫn điện UGK không còn tác
dụng, dòng điện chỉ dẫn theo một chiều từ A sang K và sẽ ngưng khi UAK = 0
b) Số liệu kĩ thuật
- IAK định mức: Dòng điện định mức qua 2 cực A, K
- UAK định mức:Điện áp định mức đặt lên hai cực A, K
- UGK định mức: Điện áp định mức hai cực điều khiển GK
- IGK định mức:Dòng điện định mức qua 2 cực G, K .

IV/ TRIAC VÀ ĐIAC

 1. Cấu tạo, kí hiệu, công dụng:

a)Cấu tạo:Triac và điac là linh kiện bán dẫn.

+ Triac có 3 điện cực A1,A2và G,
+ Điac có cấu tạo hoàn toàn giống triac nhưng không có cực điều khiển.
b)Kí hiệu: Hình vẽ trên
c)Công dụng
Dùng để điều khiển các thiết bị điện trong các mạch điện xoay chiều.
2. Nguyên lí làm việc và số liệu kĩ thuật
a) Nguyên lí làm việc
+ Khi G và A2có điện thế âm so với A1thì triac mở cho dòng điện đi từ A1sang A2
+ Khi G và A2có điện thế dương so với A1thì triac mở dòng điện đi từ A2sang A1
Do điac không có cực điều khiển nên được kích mở bằng cách nâng cao điệp áp ở hai cực.
b)Số liệu kĩ thuật:Giống tristo
❖ Diode
- Cấu tạo: diode là một linh kiện điện tử bán dẫn chỉ cho phép dòng điện đi qua nó một chiều duy nhất (đi từ A
sang K) mà không chạy ngược lại. Diode bán dẫn thường đều có nguyên lý cấu tạo chung là một khối bán dẫn 2
lớp loại P ghép với 1 khối bán dẫn loại N và được nối 2 chân ra là anode (A) và cathode (K).Tiếp giáp P – N có
đặc điểm: tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa trong bán dẫn N khuếch tán sang vùng bán dẫn P để lấp vào
các lỗ trống => tạo thành một lớp ion trung hòa về điện => lớp ion này tạo thành miền cách điện giữa hai chất
bán dẫn.
- Kí hiệu:

- Đặc tuyến Volt – Ampere:

 Hoạt động: lúc cấp nguồn cho diode thì điện tích dương cấp vào chân anode, điện tích âm cấp vào chân cathode.
Khi nguồn cấp lớn hơn 0,7V với chấn bán dẫn loại Si và 0,2 với loại Ge thì diode dẫn hay phân cực thuận và
cho dòng điện đi qua
Ngược lại khi cấp nguồn âm vào anode và dương vào cathode thì diode phân cực ngược và không cho dòng
điện đi qua
Vak > 0,7V -> diode phân cực thuận
Vak < 0,7V -> diode phân cực ngược
❖ BJT
- Cấu tạo:

Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau, hình thành hai tiếp giáp P – N nằm ngược chiều nhau, vì thế
có thể nói transistor giống như hai diode nối ngược chiều nhau.

Chúng chia thành 2 loại:

- NPN: Nếu hai diode có chung nhau vùng bán dẫn loại P, thì ta có transistor loại NPN, gọi là
transistor loại nghịch

- PNP: Nếu hai diode có chung nhau vùng bán dẫn loại N thì ta có transistor loại thuận.

Ba vùng bán dẫn được nối ra ba chân gọi là ba cực:

• Cực gốc Base: Phần giữa của transistor là cực gốc, nhẹ và mỏng về kích thước, có nồng độ tạp
chất rất ít. Do vậy mà có ít hạng mang điện. Cực gốc tạo thành 2 mạch, mạch đầu vào với cực
phát và mạch đầu ra với cực thu. Trong đó mạch đầu vào có trở kháng thấp, còn mạch đầu ra có
trở kháng cao.
• Cực phát Emitter: Đây là một vùng rộng và nồng độ tạp chất cao, do vậy là phần cung cấp một
lượng lớn điện tích. Cực phát sẽ được nối với cực gốc vì nó cung cấp các phần tử mang điện tích
đến cực gốc. Đoạn nối giữa cực phát và cực gốc sẽ cung cấp một lượng lớn các phần tử mang
điện tích vào cực gốc.
• Cực thu Collector: Là phần thu lượng lớn các phần tử mang điện cung cấp bởi cực phát. Cực thu
có kích thước lớn hơn các cực còn lại để có thể thu được các phần tử mang điện từ cực phát.
Vùng bán dẫn E và C có cùng loại bán dẫn (loại N hay P) nhưng có kích thước và nồng độ tạp chất khác
nhau nên không hoán vị cho nhau được.
- Kí hiệu:

- Đặc tuyến volt – ampere: mắc theo kiểu cực phát chung
 Nguyên lý hoạt động của transistor NPN

• Ta cấp một nguồn một chiều UCE vào hai cực C và E. Trong đó (+) là nguồn vào cực C, (-) là
nguồn vào cực E.
• Cấp nguồn một chiều UBE đi qua công tắc và trở hạn dòng vào hai cực B và E. Trong đó cực (+)
vào chân B và cực (-) vào chân E.
• Khi công tắc mở, ta thấy rằng mặc dù hai cực C và E đã được cấp điện nhưng vẫn không có dòng
điện chạy qua. Lúc này dòng IC = 0.
• Khi công tắc đóng, mối P – N được phân cực thuận. Khi đó có dòng điện chạy từ nguồn (+) UBE
qua công tắc tới R hạn dòng. Sau đó qua mối BE về cực (-) tạo thành dòng IB.
• Ngay khi dòng IB xuất hiện, lập tức dòng IC chạy qua mối CE làm bóng đèn phát sáng. Khi đó
dòng IC mạnh gấp nhiều lần dòng IB.
• Dòng IC hoàn toàn phụ thuộc vào dòng IB, khi đó có công thức
IC = β.IB
Trong đó:
• IC là là dòng chạy qua mối CE
• IP là dòng chạy qua mối BE
• β Là hệ số khuếch đại của transistor
Khi có điện UCE nhưng các điện tử và lỗ trống không thể vượt qua mối tiếp giáp P-N để tạo thành dòng điện.
Khi xuất hiện dòng IBE do lớp bán dẫn P tại cực rất mỏng và nồng độ pha tạp thấp. Vì vậy số điện tử tự do
từ lớp bán dẫn nhỏ trong số các điện tử đó thế vào lỗ trống tạo thành dòng IB. Còn lại phần lớn số điện tử bị
hút về phía cực C dưới tác dụng của điện áp UCE tạo thành dòng ICE chạy qua transistor.
Đối với hoạt động của PNP:
Transistor PNP có hoạt động tương tự transistor NPN. Nhưng cực tính của các nguồn điện UCE và UBE
ngược lại. Dòng IC từ E sang C còn dòng IB đi từ E sang B.

❖ MOSFET
- Cấu tạo:

Hiện nay các loại mosfet thông dụng bao gồm 2 loại:

• N-MOSFET: chỉ hoạt động khi nguồn điện Gate là zero, các electron bên trong vẫn tiến hành hoạt
động cho đến khi bị ảnh hưởng bởi nguồn điện Input.

• P-MOSFET: các electron sẽ bị cut-off cho đến khi gia tăng nguồn điện thế vào ngỏ Gate
 Cấu tạo của Mosfet ngược Kênh N

G (Gate): cực cổng. G là cực điều khiển được cách lý hoàn toàn với cấu trúc bán dẫn còn lại bởi lớp điện môi
cực mỏng nhưng có độ cách điện cực lớn dioxit-silic

S (Source): cực nguồn

D (Drain): cực máng đón các hạt mang điện

Mosfet có điện trở giữa cực G với cực S và giữa cực G với cực D là vô cùng lớn, còn điện trở giữa cực D và
cực S phụ thuộc vào điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S (UGS)

Khi điện áp UGS = 0 thì điện trở RDS rất lớn, khi điện áp UGS > 0 do hiệu ứng từ trường làm cho điện trở
RDS giảm, điện áp UGS càng lớn thì điện trở RDS càng nhỏ.

- Ký hiệu:

- Đặc tuyến volt – ampere:

VGs = 0
Cut off

Hoạt động của MOSFET có thể được chia thành 3 chế độ khác nhau:

Chế độ Cut-off – chế độ dưới ngưỡng giới hạn: Thiết bị luôn được đặt ở chế độ Tắt (OFF) và không có dòng
điện chạy qua nó. Thiết bị sẽ hoạt động như là một công tắc cơ bản và chỉ sử dụng khi cần thiết.

Chế độ bão hòa (Saturation): Ở chế độ này, cực máng sẽ đảm bảo điện áp được giữ ổn định, dù điện áp giữa cực
máng và cực muốn tăng lên. Cơ chế này chỉ diễn ra khi điện áp chạy giữa cực máng và cực nguồn vượt quá định
mức cho phép. Trong trường hợp này, thiết bị sẽ hoạt động như là một công tắc khép kín với dòng điện được bão
hòa.

Chế độ tuyến tính (Linear/Ohmic Region): Đây là chế độ mà dòng điện giữa cực máng đến cực nguồn tăng lên
theo mức gia tăng của điện áp. MOSFET loại này thường thực hiện chức năng khuếch đại.
 ❖ IGBT
Cấu tạo
Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên
cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là
n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều
khiển bởi một MOSFET.
Về cấu trúc, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với Collector tạo nên cấu trúc
bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n
như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng cực B được điều
khiển bởi một MOSFET. IGBT kết hợp điện áp bão hòa thấp của bóng bán dẫn với trở kháng đầu vào cao và
tốc độ chuyển mạch của MOSFET. Kết quả thu được từ sự kết hợp này mang lại các đặc tính chuyển mạch
và việc dẫn dòng đầu ra của bóng bán dẫn lưỡng cực, nhưng điện áp được điều khiển giống như MOSFET.
IGBT là gì – IGBT là linh kiện có ba cực được gắn vào ba lớp kim loại khác nhau, lớp kim loại của cực cổng
(G) được cách điện với các chất bán dẫn bằng một lớp silicon dioxide (SIO2). IGBT được cấu tạo với 4 lớp
bán dẫn kẹp vào nhau. Lớp gần cực C là lớp p + chất nền ở trên là lớp n- , một lớp p khác được giữ gần cực
E hơn và bên trong lớp p, chúng ta có các lớp n + . Phần tiếp giáp giữa lớp p + và lớp n được gọi là phần
tiếp giáp J2 và phần tiếp giáp giữa lớp n và lớp p được gọi là phần tiếp giáp J1. Các cấu trúc của
IGBT được thể hiện trong hình bên dưới.
- Ký hiệu:

- Đặc tuyến volt – ampere

Cutoff mode - Vùng nghịch: VGE < VTh đặc tính ra với thông số ID = 0. Nằm trong vùng này. IGBT ở chế
độ ngắt. Trong đó VTh là điện áp đóng của MOSFET
Triode mode or Linear Active -Vùng tích vực: VCE < VGE - VTh; VGE > VTh là vùng mà IGBT dẫn, dòng
điện chạy từ cổng Drain đến cổng Source. Dòng IC tỷ lệ với điện áp VCE. Dòng điện IC lớn và điện áp C-E
nhỏ, IGBT hoạt động như khóa đóng ngắt.
 Saturation -Vùng bão hòa: VCE > VGE - VTh; VGE > VTh Dòng điện IC hầu như không đổi khi điện áp
VCE tăng và IGBT hoạt động như một khâu khuếch đại.
IGBT trong ĐTCS chỉ sử dụng hai trạng thái Triode mode và Cutoff mode
Để ngắt IGBT, cực G được nối tắt với cổng E làm cho dòng điện trong transistor pn-p ngưng. Dòng IC đột
ngột giảm nguyên nhân là vì kênh điện tử bị gỡ bỏ, đồng thời hạt điện tích dương dư thừa trong vùng n-
khuyếch tán bị suy giảm vì kết hợp lại với điện tử.
❖ THYRISTOR (SCR)
- Cấu tạo:

Thyristor có cấu tạo gồm có 3 cực như sau : Anode (A), cathode (K), cực điều khiển (G), Thyristor đóng vai
trò như một khóa điện tử có điều khiển bằng điện. Đặc tính của Thyristor chỉ cho phép dẫn điện từ Anode (A)
sang Cathode (K) khi cho một dòng điện kích thích vào chân G.
Thyristor được cấu tạo gồm 4 lớp bán dẫn nối xen kẽ và được nối ra 3 chân như sau :
• A : anode — cực dương
• K : Cathode — cực âm
• G : Gate — cực điều khiển (cực cổng)
- Ký hiệu:

- Đặc tuyến:

Trường hợp 1: Cực G để hở hay VG = OV

Trong trường hợp khi cực G và VG = OV có nghĩa là transistor T1 không có phân cực ở cực B nên T1 ngưng
dẫn. Khi T1 ngưng dẫn IB1 = 0, IC1 = 0 và T2 cũng ngưng dẫn. Như vậy trường hợp này Thyristor không dẫn
điện được, dòng điện qua Thyristor là IA = 0 và VAK ≈ VCC.
Tuy nhiên, khi tăng điện áp nguồn VCC lên mức đủ lớn là điện áp VAK tăng theo đến điện thế ngập
VBO (Beak over) thì điện áp VAK giảm xuống như diode và dòng điện IA tăng nhanh. Lúc này Thyristor
chuyển sang trạng thái dẫn điện, dòng điện ứng với lúc điện áp VAK giảm nhanh gọi là dòng điện duy trì
IH (Holding). Sau đó đặc tính của Thyristor giống như một diode nắn điện.
 Trường hợp 2: đóng khóa K
Trường hợp đóng khóa K thì VG = VDC – IGRG và Thyristor dễ chuyển sang trạng thái dẫn điện. Lúc này
transistor T1 được phân cực ở cực B1 nên dòng điện IG chính là IB1 làm T1 dẫn điện, cho ra IC1 chính là dòng
điện IB2 nên lúc đó I2 dẫn điện, cho ra dòng điện IC2 lại cung cấp ngược lại cho T1 và IC2 = IB1. Nhờ đó mà
Thyristor sẽ tự duy trì trạng thái dẫn mà không cần có dòng IG liên tục.
IC1 = IB2 ; IC2 = IB1
Theo nguyên lý này dòng điện qua hai transistor sẽ được khuếch đại lớn dần và hai transistor chạy ở trạng
thái bão hòa. Khi đó điện áp VAK giảm rất nhỏ (≈ 0,7V) và dòng điện qua Thyristor là:

Thực nghiệm cho thấy khi dòng điện cung cấp cho cực G càng lớn thì áp ngập càng nhỏ tức Thyristor càng
dễ dẫn điện.

Trường hợp 3: phân cực ngược Thyristor

Phân cực ngược Thyristor là nối A vào cực âm, K vào cực dương của nguồn VCC. Trường hợp này giống
như diode bị phân cực ngược. Thyristor sẽ không dẫn điện mà chỉ có dòng rất nhỏ đi qua. Khi tăng điện áp
ngược lên đủ lớn thì Thyristor sẽ bị đánh thủng và dòng điện qua theo chiều ngược lại. Điện áp ngược đủ để
đánh thủng Thyristor là VBR, thông thường trị số VBR và VBO bằng nhau và ngược dấu.
IG= 0 ; IG2>IG1>IG
Câu 4: So sánh các linh kiện
Một số điểm khác nhau có thể kể đến giữa transistor và thyristor là:
• Số lớp chất bán dẫn khác nhau: Thyristor sẽ có 4 lớp còn transistor chỉ có 3 lớp
• Về công suất sử dụng: thyristor có khả năng chuyển một lượng điện năng lớn hơn transistor nhiều
lần.
• Ứng dụng cụ thể: Transistor có thể làm thiết bị chuyển mạch hoặc bộ khuếch đại còn thyristor thì
không có khả năng này.
• Trong việc duy trì dòng điện: Transistor cần có dòng đầu vào hoạt động liên tục còn thyristor thì
không nhất thiết phải vậy.
Ưu điểm của IGBT so với Transistor và MosFet:
+ Tín hiệu điều khiển là kích áp. Điều này giảm tổn hao do đóng ngắt.
+ Hoạt động với công suất lớn.
- Khi nào cần kích xung đảm bảo? Giải thích?
+ Khi góc kích bằng và lớn hơn 60 độ .
+ Đối với SCR khi kích sẽ duy trì suốt quá trình hoạt động, chỉ bị ngắt khi điện áp VA < Vk. Mặt khác đối với
cấu hình chỉnh lưu cầu 3 pha, trong một quá trình hoạt động có 2 SCR cùng dẫn, 60 độ chuyển mạch một lần.
Vì vậy, để duy trì không mất điện áp trên tải, SCR cần kích xung đảm bảo.
Sự giống nhau và khác nhau giữa SCR và TRIAC
Sự giống nhau và khác nhau giữa Diode và SCR
- Giong nhau: cùng là các linh kiện bán dẫn và dẫn điện một chiều từ A tới K
- Khác nhau:
+ về cấu trúc: diode gồm 2 bán dẫn P N ghép với nhau, SCR gồm 4 lớp bán dẫn PNPN ghép với nhau
+ về khả năng đóng ngắt điều khiển: diode là linh kiện không điều khiển, trạng thái dẫn ngắt phụ thuộc vào
điện áp nguồn- dẫn điện khi được PCT , ngưng dẫn khi bị PCN; SCR là linh kiện chỉ điều khiển dẫn không
điều khiển ngắt
+ về ứng dụng: diode dùng trong các mạch chỉnh lưu không điều khiển; SCR dùng trong các mạch chỉnh lưu
có điều khiển
Câu 5: tín hiệu xung kích của từng linh kiện( dòng, áp, biên độ)
Câu 6: Điều kiện dẫn dòng của từng linh kiện
- Đk dẫn dòng SCR

- ĐK dẫn dòng diode

Khi đặt điện áp lên Anode lớn hơn điện áp Kathode mối nối P-N phân cực thuận,
diode dẫn dòng thuận và điện áp rơi trên diode (Vd) là rất nhỏ. Ngược lại khi đặt lên A-K điện áp âm, diode bị
phân cực nghịch và dòng điện chạy qua nó là rất bé, có thể nói diode ngắt.
- ĐK dẫn dòng triac
Hiện hữu điện áp giữa T1 và T2. Dòng kích vào chân G đủ lớn
- ĐK dẫn dòng BJT
- ĐK dẫn dòng MOSFET
- ĐK dẫn dòng IGBT

Câu 7: giải thích một số mạch tạo xung cơ bản

Câu 8: ứng dụng của ĐTCS
Điện tử công suất được ứng dụng rộng rãi trong hầu hết các ngành công nghiệp hiện đại có thể kể đến
các ngành kĩ thuật mà trong đó có những ứng dụng tiêu biểu của các bộ biến đổi bán dẫn công suất như:
truyền động điện, giao thông đường sắt, nấu luyện thép, gia nhiệt cảm ứng, điện phân nhôm từ quặng mỏ,
các quá trinh điện phân trong công nghiệp hóa chất, trong rất nhiều các thiết bị công nghiệp và dân dụng
khác….
Câu 9: mạch điều khiển có vai trò gì trong điện tử công suất?
- có chức năng tạo ra các tín hiệu điều khiển cho phép các linh kiện bán dẫn trong bộ biến đổi đóng hay ngắt
theo một quy trình nhất định hoặc theo một giải thuật đã được thiết kế trước để thực hiện nhiệm vụ biến đổi
và điều tiết dòng năng lượng từ nguồn tới tải.
Câu 10: vẽ sơ đồ khối mạch điện tử công suất của các mạch ứng dụng cơ bản như UPS, SMPS, HVDC,
hệ thống năng lượng mặt trời, hệ thống năng lượng gió, xe điện, mạch sạc acqui
Câu 11: để cải thiện hệ số cosphi nhà sản xuất sử dụng phương pháp nào?
- Phương pháp nâng cao hệ số Cosphi tự nhiên:
Nâng cao cosφ tự nhiên có nghĩa là tìm các biện pháp để hộ tiêu thụ điện giảm bớt được lượng CSPK mà
chúng cần có ở nguồn cung cấp:
• Thay đổi và cải tiến quá trình công nghệ để các thiết bị điện làm việc ở chế độ hợp lý nhất.
• Thay thế các động cơ làm việc non tải bằng những động cơ có công suất nhỏ hơn.
• Hạn chế động cơ chạy không tải.
• Ở những nơi công nghệ cho phép thì dùng động cơ đồng bộ thay cho động cơ không đồng bộ.
• Thay biến áp làm việc non tải bằng máy biến áp có dung lượng nhỏ hơn.

- Phương pháp nâng cao hệ số Cosphi nhân tạo:

Phương pháp này được thực hiện bằng cách đặt các thiết bị bù CSPK ở các hộ tiêu thụ điện. Các thiết bị bù
CSPK bao gồm :
a. Máy bù đồng bộ: chính là động cơ đồng bộ làm việc trong chế độ không tải.
* Ưu điểm: máy bù đồng bộ vừa có khả năng sản xuất ra CSPK, đồng thời cũng có khả năng tiêu thụ CSPK
của mạng điện.
* Nhược điểm: máy bù đồng bộ có phần quay nên lắp ráp, bảo dưỡng và vận hành phức tạp. máy bù đồng bộ
thường để bù tập trung với dung lượng lớn.
b. Tụ bù điện: làm cho dòng điện sớm pha hơn so với điện áp do đó, có thể sinh ra CSPK cung cấp cho mạng
điện.
* Ưu điểm:
- Công suất bé, không có phần quay nên dễ bảo dưỡng và vận hành.
- Có thể thay đổi dung lượng bộ tụ theo sự phát triển của tải.
- Giá thành thấp hơn so với máy bù đồng bộ.
* Nhược điểm:
-Nhạy cảm với sự biến động của điện áp và kém chắc chắn, đặc biệt dễ bị phá hỏng khi ngắn mạch hoặc điện
áp vượt quá định mức.
- Khi đóng tụ vào mạng điện sẽ có dòng điện xung, còn lúc cắt tụ điện khỏi mạng trên cực của tụ vẫn còn
điện áp dư có thể gây nguy hiểm cho nhân viên vận hành.
- Sử dụng tụ điện ở các hộ tiêu thụ CSPK vừa và nhỏ (dưới 5000 kVAr).

3 phase
AC in AC-DC DC-DC DC-AC
Load

Hình 5.5. Bộ AC - AC.

AC-DC: bộ chỉnh lưu. Chức năng: biến đổi năng lượng điện xoay chiều thành năng lượng điện một chiều
DC-DC: bộ biến đổi điện áp một chiều. Chức năng: chuyển đổi điện áp một chiều thành một mức điện áp
một chiều khác ( tăng hoặc giảm áp)
DC-AC: bộ ngịch lưu. Chức năng: Chuyển đổi năng lượng từ nguồn năng lượng điện một chiều không đổi
sang dạng năng lượng điện xoay chiều để cung cấp cho tải xoay chiều hoạt động.
AC-AC: bộ biến đổi điện áp xoay chiều. Chức năng: biến đổi điện áp xoay chiều ngõ vào thành điện áp
xoay chiều có biên độ tần số công suất phù hợp cung cấp cho tải
Trình bày ký hiệu, Đặt tính V- A giải thích đặc điểm của đặt tuyến V – A của các linh kiện Diode, SCR,
IGBT, Triac
1. Diode

- Ký hiệu: Đặc tịnh V- A:

- Đặt điểm của đặt tuyến: VA > VB mối nối P-N phân cực thuận, diode dẫn dòng thuận và điện áp rơi trên
diode (Vd) là rất nhỏ. VA < VB diode bị phân cực nghịch và dòng điện chạy qua nó là rất bé, có thể nói diode
ngắt. Khi vượt quá giới hạn điện áp ngược Vb diode bị phá hủy.
2. SCR:

- ký hiệu: - Đặt tuyến:

- Đặt điểm của đặt tuyến: khi điện áp VAK tăng đến điện áp chuyển mạch chiều thuận (VFBO) SCR sẽ dẫn.
Giá trị VFBO giảm dần khi tăng IG. Ở vùng phân cực nghịch sẽ có dòng ngược khá bé chạy qua SCR (IR).
Đến một giá trị xác định của UZ sẽ làm phá hủy SCR.
3. IGBT
- Ký hiệu: Đặc tuyến:
- Đặt điểm của đặt tuyến:
• Khi VGE > 0 IGBT dẫn
• Khi VCE càng tăng thì IGBT chuyển điểm làm việc qua vùng chế độ tuyến tính để sang vùng bão hòa
• Khi VGE quá lớn IGBT dẫn dòng điện qua nó là IC lớn hơn giá trị dòng chốt giữ ICL thì IGBT sẽ
không thể ngắt được nữa.
4. Triac

Ký hiệu: Đặc tính:

• Đặt điểm của đặt tuyến: Đặc tính volt-ampere của triac gồm 2 đoạn ở góc phần tư thứ nhất và thứ ba
trong hệ trục tọa độ, mỗi đoạn đều tương tự như đặc tính thuận của SCR.
• Dòng kích triac (dòng cực cổng) có thể là dòng âm hoặc dương