Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.

1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

Đề cương ôn tập cuối kỳ 2020.1

Chú ý: Bộ tài liệu do sinh viên tự biên soạn trong thời gian ngắn, sẽ còn rất nhiều thiếu sót.
Mong các bạn đóng góp và chỉnh sửa. Chúc các bạn đạt điểm cao! Mọi đóng gọp vui lòng liên
hệ qua email: phu.nnt185703@sis.hust.edu.vn

Giản đồ năng lượng của bán dẫn

Nồng độ hạt dẫn, điện trở suất của bán dẫn thuần và bán dẫn pha tạp

Phương pháp thực nghiệm xác định loại dẫn và nồng độ pha tạp của bán dẫn -

Chuyển tiếp p-n: cấu tạo, phương pháp chế tạo, giản đồ năng lượng, chiều rộng và điện dung
vùng nghèo, đặc trưng I-V

https://voer.edu.vn/c/chat-ban-dan/5ac39975/dfabe650

Diode tunnel: cấu tạo, nguyên lý hoạt động, đặc trưng I-V

Diode Schottky: cấu tạo, nguyên lý hoạt động, đặc trưng I-V

Transistor n-p-n và p-n-p: cấu tạo, phương pháp chế tạo, giản đồ năng lượng trạng thái cân bằng
và dưới chế độ làm việc bình thường, hệ số khuếch đại dòng trong sơ đồ B chung và sơ đồ E
chung

Diode (tụ) MOS lý tưởng, Diode MOS SiO2-Si, đặc trưng C-V (điện dung-điện áp)

Transistor MOSFET: cấu tạo, nguyên lý hoạt động, điện áp ngưỡng, đặc trưng ra ID-VD, đặc
trưng truyền đạt ID-VG. Các loại MOSFET.

Tế bào quang dẫn (photoconductor): cấu tạo, nguyên lý hoạt động, khuếch đại dòng quang

Diode phát quang (LED): cấu tạo, vật liệu sử dụng, giải thích nguyên lý hoạt động thông qua
giản đồ năng lượng, phương pháp tăng hiệu suất phát quang của LED. LED sử dụng trong chiếu
sáng.

Laser bán dẫn: cấu tạo, vật liệu sử dụng, các điều kiện để có phát xạ laser.

Photodiode: cấu tạo, giải thích nguyên lý hoạt động dựa trên giản đồ năng lượng, đặc trưng I-V
của diode.

Pin mặt trời: cấu tạo, vật liệu, nguyên lý hoạt động, các thông số cơ bản.

1
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

Chương 1: Vùng năng lượng và nồng độ hạt dẫn trong VLBD

1. Bán dẫn thuần: (giản đồ năng lượng, mật độ trạng thái, phân bố Fermi, nồng độ hạt tải)

2. Bán dẫn pha tạp:

 Tạp Donor (V): P/Sb/As (n-type). ở điều kiện OXH hoàn toàn n=ND

 Tạp Acceptors (III): B/Al/Ga,.. (p-type). Ở điều kiện OXH hoàn toàn p=NA

2
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

Chương 2: Các hiện tượng vận chuyển trong bán dẫn

1. Hiện tượng cuốn hạt dẫn

 Độ linh động: thể hiện mức độ tác động của E lên chuyển động của e. Chịu tác động
của 2 cơ chế tán xạ chính là tán xạ mạng (UL giảm ~ T -3/2 khi T cao)và tán xạ trên tạp
chất (phụ thuộc vào nồng độ tạp ion hóa- độ linh động lớn khi pha tạp thấp)

 Điện trở suất: phụ thuộc vào nồng độ tạp

 Hiệu ứng HALL: PP thực nghiệm xác định loại dẫn và nồng độ pha tạp

(đo hiệu ứng Hall cho bd p)

o Công cụ xác định sự tồn tại của holes - hạt dẫn tích điện dương

o VH (+) loại n, VH (-) loại p

o Chỉ số Hall: (p-type) và (n-type)

o Xác định nồng độ hạt tải:

2. Khuếch tán hạt dẫn: Mật độ dòng khuếch tán,

 hệ thức Enstein: hệ số khuếch tán => mật độ dòng Khuếch tán

 Biểu thức mật độ dòng (tổng mật độ dòng cuốn + dòng khuếch tán)

(n-type) (p-type)

 Tổng mật độ dòng dẫn J=Jn+Jp

3
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

Chương 3: chuyển tiếp P-N

Chuyển tiếp p-n: cấu tạo, phương pháp chế tạo, giản đồ năng lượng, chiều rộng và điện dung
vùng nghèo, đặc trưng I-V

 Cấu tạo: Một vùng là bán dẫn tạp loại P còn vùng kia là bán dẫn tạp loại N ghép tiếp xúc
với nhau

 Phương pháp chế tạo: Planar process (Oxi hóa, Quang khắc, khuếch tán và câý ion, mạ
kim loại). 1 tấm silic mỏng (n) - phủ lớp cách điện SiO2 - phủ lớp resist- quá trình quang
khắc dùng mask – vùng không có mask (p) - phủ kim loại

4
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

 Giản đồ năng lượng: (n=ND, p=NA – đk oxh hoàn toàn)

o Khi mà P-N nối với nhau xuất hiện hiện tượng khuếch tán hạt dẫn do sự chênh
lệch nồng độ hạt dẫn. h (từ p sang n), e (từ n sang p). Nếu tiếp tục, ở p còn lại NA-,
ở n còn lại ND+. Từ đo hình thành nên một vùng không gian điện tích âm ở P và
vùng không gian điện tích dương ở N. (vùng nghèo)

o Ở TTCB: mức Fermi của p và n bằng nhau, nên các MNL bị uốn cong

 Vùng nghèo: Chuyển tiếp đột ngột và chuyển tiếp nồng độ giảm tuyến tính

(công thức tính chiều rộng vùng nghèo và điện dung trong từng trường hợp)

Bề rộng vùng nghèo và giản đồ năng lượng trong các TH: CBN, PCT, PCN
5
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

 Đặc trưng I-V:

o ở điều kiện phân cực thuận (đặt điện áp dương vào p, âm vào n): dòng tăng nhanh
khi mà điện áp tăng

o Ở điều kiện phân cực ngược: ban đầu gần như không có dòng, sau đó có dòng nhỏ
cỡ uA, tới điểm tới hạn (VB) dòng tăng đột ngột và đánh thủng chuyển tiếp

Chương 4: Transistor lưỡng cực

Transistor n-p-n và p-n-p: cấu tạo, phương pháp chế tạo, giản đồ năng lượng trạng thái cân
bằng và dưới chế độ làm việc bình thường, hệ số khuếch đại dòng trong sơ đồ B chung và sơ
đồ E chung

Cấu tạo: 3 lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp PN, nếu ghép PNP ta được
transistor thuận, NPN ta được Transistor ngược (tương đương 2 diode nối ngược nhau).
Transistor gồm 3 cực: cực phát (E), cực góp C, cực gốc B

(BJT vì dòng điện chạy trong cấu trúc này bao gồm điện tích âm và dương - cả e va h tham gia
quá trình dẫn)

PP chế tạo:

1. Transistor p-n-p:

6
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

GDNL ở trạng thái cân bằng nhiệt GĐNL ở trạng thái làm việc bình thường

 Chế độ hoạt động:

7
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

o E-B phân cực thuận: h phun từ p+(E) sang B; e phun từ n(B) sang E tạo dòng phát

o C-B phân cực ngược (nếu B hẹp- để hạn chế sự tái hợp): h phun từ E vượt qua B
đến mép vùng nghèo B-C và sau đó bị kéo về C (dòng thu)

 Khuếch đại dòng

o Các tham số: IEP, ICP, IBB, IEN,ICN

o Hệ số khuếch đại dòng B chung, hiệu suất Emitter, hệ số vẫn chuyển Base

o Tăng hs E, giảm tỷ số giữa tạp Base (NB) và tạp Emitter (NE): pha E > pha B

 Đặc trưng tĩnh cuẩ transistor lưỡng cực – Phân bố hạt dẫn

o Hole phun từ E -B-C: khi xác định được phân bố hạt dẫn không cơ bản (h trong
B(n)) ta có thể tìm được dòng từ gradien nồng độ hạt không cơ bản.

 Các chế độ phân hoạt động của Transistor dựa trên sự phân cực điện áp ở EB và CB
(SACI)

o Active mode: EB pct, BC pcn

o Saturation mode: EB BC pct

o Cut off: EB, BC pcn

o Inverted mode: EB pcn, BC pct

 Sơ đồ E chung và sơ đồ B chung

E chung B chung

8
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

Đặc trưng IV của C chung pnp Đặc trưng IV của B chung pnp

2. Transistor n-p-n:

Chương 8 MOSFET và các linh kiện liên quan

1. Diode MOS

9
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

Diode MOS: (Metal-Oxide-Semiconductor)

giản đồ NL tại V=0

 Các đại lượng quan trọng: ái lực điện tử, chênh lẹch năng lượng mức Fermi và chân
không (work function – công thoát), khoảng cách giữa mức Ef và mức Ei

 MOS Lý tưởng (3dk): tại V=0, hiệu công thoát bằng 0; dưới các ddkpc chỉ có điện
tích ở bán dẫn và trái dấu với điện cực kim loại; không có dòng ở oxide

 MOS phân cực: V<0 (tích tụ- dải NL cong lên), V>0 (nghèo - dải NL cong xuống),
V>>0 (đảo- dải NL cong Ei<Ef)

 Đặc trưng CV:

(Đăc trưng CV cao tần- loại p)

o Tổng điện dung C = Cj (lớp nghèo) nt Coxide (F/m2)

o Khi V<0 (tích tụ) chỉ có Cox ; V>0 xuất hiện lớp nghèo. Giảm tới khi nào bề
rộng vùng nghèo đạt cực đại thì Cmin

o Vt điện áp ngưỡng, là điện áp khi mà bắt đầu V >> 0 đảo

o Tương tự cho loại n thì đặc trưng ngược lại

 Diode MOS SiO2-Si

10
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

o Hiệu công thoát khác 0, phụ thuộc vào nồng độ tạp đế với điện cực cổng là Al
Si đa tinh thể loại n+, p+

o Khi chưa tiếp xúc KL-BD: dải NL rải phẳng

o Khi tiêp xúc (ĐK CBN, EF=const, mức CK liên tục) dải NL bị uốn cong,
KL+, bề mặt BD -. Muốn rải phẳng cần đặt điện áp VFB = work function

o C-V bị ảnh hưởng do điện tích Oxide và bẫy bề mặt

2. MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)

 Cấu tạo: là cấu trúc bán dẫn cho phép điều khiển điện áp với dòng điện cực nhỏ, Cực
cổng G, cực nguồn S, cực máng D

 Nguyên lý hoạt động: Đặt điện áp lên cực cổng G

o Vg=0, S và D như 2 diode nối ngược nhau không có dòng, Vg>0 cấu trúc
MOS bị đảo, S và D nối với nhau qua kênh, có dòng chạy qua

 Các loại MOSFET 4 loại: tùy thuộc vào lớp đảo

o Nếu độ dẫn kênh thấp, ta đặt điện áp dương vào cổng để tạo ra kênh n, dgl
loại tăng cương (thường OFF)

o Nếu kênh n tồn tại ở phân cực 0, đặt điện áp âm vào để làm giảm độ dẫn kênh,
loại cạn kiệt (thường ON)

o Tương tự có 2 loại p

Chương 10: Linh kiện quang tử

11
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

1. LED: là chuyển tiếp P-N có khả năng phát bức xạ tự phát trong vùng tử ngoại (UV),
vùng khả kiến và vùng hồn ngoại (IR)

Tăng hiệu suất LED: tăng hiệu suất lượng tử nội (n): sử dụng chuyển tiếp dị thể kép và giếng
lượng tử

Nguyên lý hoạt động dựa trên giản đồ năng lượng:

Khi phân cưc thuận, rào thế của chuyển tiếp nhỏ hơn, do đó có sự bơm hạt dẫn thieuer số (điển
tử bào P và lỗ trống vào N) và khi di chuyển một phần như vậy chúng sẽ xảy ra quá trình tái hợp
bức xạ ở vùng nghèo và lân cận để thạo nên photon

LED khả kiến:

 Vật liệu: A3-B5 (GaAs1-yPy), bề rộng vùng cấm lớn, thẳng

 Hiệu suất lượng tử: số photon phát ra khi một cặp e-h tái hợp

 Ứng dụng: màn hình màu, hiển thì màu, đèn màu với hiệu suất và độ tin cậy cao

 từ đặc trưng IV của LED, để tăng công suất đầu ra cần giảm Ir và Rs

OLED:

 Cấu tạo: Nhiều lớp mỏng trên đế trong suốt: anode dẫn điện trong suốt (ITO), lớp
dẫn lỗ trống (diamine), lớp vận chuyển điện tử (AlQ3) và điện cực cathode

12
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

 Nguyên lý: Điện tử được phun từ cathode đến chuyển tiếp dị thể (AlQ3 Diamine)
trong khi lỗ trống được phun từ anode đến chuyển tiếp. Do các hàng rào năng
lượng dentaEv, dentaEc, các hạt sẽ tích tụ trên mặt phân cách để tăng xác suất tái
hợp và phát xạ

 Vật liệu: AlQ3 (lục), chọn các bán dẫn hữu cơ có vùng cấm khác nhau có thể chế
tạo led đỏ, vàng blue

 Ứng dung: hiển thị màn hình phẳng đa màu

 Tiêu chuẩn: các lớp mỏng để giảm điện áp, chiều cao rào thế nhỏ để có dòng phun
e-h lớn, chiều rộng vùng cấm thích hợp để có màu mong muốn

LED hồng ngoại:

 Cấu tạo: I-LED trên GaAs cho bước sóng ~ 0.9um; I-LED sử dụng III-V như
GaxIn1-xAsyP1-y cho bước sóng ~ 1.1 đến 1.6 um

 Ứng dụng:

o cách quang (I-LED + photodiode): Tín hiệu đầu vào đặt lên LED tạo ra
ánh sáng, được phát hiện bởi photodiode, ánh sáng biến đổi lại thành tín
hiệu điện dưới dạng dòng I qua tải R

o Thông tin quang: Sợi quang (fiber optic)

 Sợi quang được chế tạo từ thủy tinh có đường kĩnh cỡ 100 um, có
thể dẫn tín hiệu ở khoảng cách nhiều km,

 Có 2 loại sợi quang:

Sợi có n thay đổi đột ngột: lớp bọc ngoài SiO2 khá tinh khiết (n=1,475)
~100 um, lõi là thủy tinh pha Ge có n lớn hơn vỏ(n=1,480) ~ 10um, tuân
theo ĐL PXTP với theta©=79o, ánh sáng truyền dọc theo chiều dài của sợi
quang bằng PXTP

Sợi có n thay đổi từ từ tuần theo hàm parabol từ tâm lõi, các tia gần lớp
bọc ngoài sẽ có tốc độ lớn hơn do n nhỏ hơn, tín hiệu ánh sáng truyền
trong sợi quang là tắt dần. SiO2 siêu tk (0.8-1.6 um) độ suy giảm cỡ λ-4
(0.8 um thì độ suy giảm cỡ 3 dB/km

 Hệ thống thông tin quang:

13
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

 Ứng dụng trong Thông tin quang sợi: LED hồng ngoại phát xạ bề
mặt trên InGaAsP. Sử dụng chuyển tiếp dị chất có thể tăng hiệu
suất do hạt dẫn bị giam giữ bởi InP có Eg lỡn, là cửa sổ quang học
do không hấp thụ ánh sáng bới NL nhỏ hơn Eg

 Tốc độ hoạt động LED phụ thuọc bào thời gian sống hạt dẫn. Băng thông điều
biến dentaF là tần số tại đó P(w) giảm xuống 1/sqrt(2) so với P(o)

o với P(w) là công suất đầu ra, t là thời gian sống

o bằng thông điều biến

2. LASER

Vật liệu: dùng để chế tạo laser bán dẫn: là bán dẫn có vùng cấm thẳng, dải bước sóng 0,3 đến
30um, Vật liệu quan trọng nhất III-V: Galium arsenide và các hợp chất

(khi điện tử từ đáy CB - xuống đỉnh VB, xác suất chuyển dời bức xạ trong bán dẫn vùng cấm
thẳng cao hơn nhiều so với bán dẫn vùng cấm xiên

Cấu trúc laser cơ bản:

 Laser chuyển tiếp đồng chất

 Laser chuyển tiếp dị chất kép (DH): toàn bộ diện tích dọc theo mặt phẳng chuyển tiếp
đều có thể phát xạ laser

 Laser DH dạng dải: diện tích phát xạ giới hạn, giảm I hoạt động, cải thiện độ tin cậy

Nguyên lý hoạt động:

 Đảo nồng độ - Để tăng cường phát xạ cưỡng bức (điều kiện cần để laser hạt động)

o Xem xét chuyển tiếp P-N và chuyển tiếp dị chất tạo ra từ bán dẫn suy biến

o Khi điện áp lớn đặt vào, lượng lớn nồng độ h và e được bơm vào vùng chuyển
tiếp (transition region) – vùng d chứa một nồng độ e lớn trong CB và một
nồng độ h lớn trong VB
14
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

o Điều kiện đảo nồng độ:

 Giam hãm hạt dẫn và giam hãm quang:

o DH laser bị giam giữ từ cả 2 phía vùng hoạt động bởi các rào thế

o Trường quang cũng bị giam hãm trong vùng hoạt động, khi chiết suất lớp hoạt
động lớn hơn lớp bao quanh, việc truyền bức xạ quang se được dẫn hướng
theo phương // với phân biên các lớp

o Hệ số giam hãm:

 Hốc quang và phản hồi

o khuếch đại quang: photon được phát ra do phát xạ cưỡng bức lại tiếp tục kích
thích phát xạ khi sự đảo nồng độ còn tồn tại

o Để tăng độ khuếch đại: điều khiển sóng qua lại nhiều lần (đặt gương ở 2 đầu
hốc – đối với laser bán dẫn: bề mặt bóc tách tinh thể có được dùng làm gương
hoặc mạ kim lại – tăng độ phản xạ)

o Độ phản xạ:

o Để có phản xạ kích thích, chiều dài của hộp phải thỏa mãn

(laser đồng chất và laser dị chất)

15
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

3. PHOTODETECTOR: LKBD có khả năng chuyển đổi tín hiệu quang thành tín hiệu
điện. Có 3 bước hoạt động: Phát sinh hạt tải do ánh sáng truyền tới, vận chuyển or nhân
hạt tải bằng cơ chế khuếch đại dòng, tương tác dòng và mạch ngoài để cho tín hiệu đầu
ra. Ứng dụng trong cảm biến hồng noại trong bộ cách quang và detector trong thông tin
quang sợi (quang dẫn=quang trở, photodiode, photodiode thác lũ APD

Tế bào quang dẫn:

 Cấu tạo: là thanh bán dẫn với 2 đầu là 2 tiếp xúc ohmic

 Nguyên lý: khi ánh sáng chiếu trên bề mặt TBQD, tạo ra cặp e-h thì độ dẫn tăng.
Với BD thuần độ dẫn tăng khi chiếu sáng do số cặp hạt dẫn tăng, đối với BD pha
tạp quang kích thích có thể xảy ta giữa bờ vùng và các MNL trong vùng cấm

 Các thông số cơ bản: n hiệu suất lượng tử, Popt công suất quang tới, tr thời gian
hạt đi qua tế bào, E điện trường, t thời gian sống hạt tải. Popt/hv= số photon/s

o Dòng quang giữa 2 điện cực:

o Dòng quang ban đầu:

o Hệ số khuếch đại:

Photodiode:

 Là chuyển tiếp PN hay tiếp xúc KL-BD phân cực ngược. Khi chiếu sáng cặp e-h
sẽ tách về 2 phía của vùng nghèo. Để làm việc ở f cao vùng ngheo phải mỏng
16
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

giảm thời gian hạt tải vượt qua vùng nghèo. Nhưng lớp ngheo phải đủ dày để hấp
thụ một phần lớn ánh sáng nhăm tăng hiệu suất lượng tử.

 Tốc độ đáp ứng giới hạn: Khuếch tán hạt tải, thời gian cuốn trong vùng nghèo,
điện dung vùng nghèo

 Nguyên lý hoạt động: Diode quang p-i-n có bề rộng lớp nghèo có thể điều chỉnh
để tối ưu hóa hiệu suất lượng tử và đáp ứng tần số

Giản đồ NL khi phân cực ngược

Ánh sáng hấp thụ trong BD tạo ra e-h. Các cặp e-h tạo ra trong vùng nghèo và lân
cận bị phân tách bởi điện trường. Dòng chạy mach ngoài khi các hạt dẫn cuốn qua
vùng nghèo.

 Đặc trưng hấp thụ hạt dẫn

17
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

 Photodiode KL-BD: để giảm thiểu phản xạ và hấp thụ trong lớp KL, màng KL
phải rất mỏng và có lớp chống phản xạ. Sử dụng tốt trong vùng UV và khả kiến

 APD: hoạt động dưới điện áp ngưỡng đủ cao để tạo sự nhân hạt tải. Việc nhân hạt
tải dẫn đến kđ dòng nội và APD có thể làm việc ở f cao (tần số vi sóng)

4. SOLAR CELL: chuyển đổi trực tiếp ánh sáng mặt trời thành điện ăng với hiệu suất
tương đối cao.

Solar radiation: Bức xạ điện từ trong vùng tử ngoại đến vùng hồng ngoại (0,2-3 um), suywj
suy giảm chủ yếu đến từ quãng đường ánh sáng đi qua khí quyển, AM

PMT P-N:

 Cấu tạo: Bao gồm chuyển tiếp P-N nông được hình thành trên bề mặt, vạch tiếp
xúc ohmic phía trước và các fingers, một điểm tiếp xúc ohmic phía sau bao phủ
bề mặt sau và một lớp phản xạ phủ trên bề mặt

 Vật liệu: thường là silic tinh khiết

 Nguyên lý: (giản đồ năng lượng PMT dưới búc xạ MT):

18
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

o Khi E<Eg không đóng góp cho việc tạo công suất của pin, E=Eg có, E>Eg
năng lượng thừa tỏa nhiệt (IL)

 Đặc trưng IV lý tưởng: trong đó nguồn IL là do hạt

dẫn dư sinh ra dưới dạng BXMT, IS là dòng BH, RL điện trở tải

o ISC dòng bắng mạch = IL; VOC điện áp hở mạch PMT, Im Vm ứng với Pm

o Điện áp hở mạch (I=0):

o Công suất đầu ra:

o Công suất cực đại:

o Chú ysL Is và IL dòng ngược nên cần có dấu “-“

 Hiệu suất chuyển đổi PMT

o Hiệu suất lý tưởng: Pin là công suất tới

or

o Hệ số điền đầy FF (tỷ lệ giữa HCN ứng cới Pm và HCN(VOCxISC)

19
Vật Lý và Linh kiện bán dẫn 2020.1 Nguyễn Ngô Tiến Phú K63

o Điện trở nối tiếp Rs là nguyên nhân giảm hiệu suất do tổn hao Ohmic ở
trên. Rs càng lớn H càng nhỏ

o Đặc trưng IV khi tính đến Rs:

(đặc trưng IV và mạch tương đương PMT khi có R nối tiếp

o Dòng đầu ra

o Công suất đầu ra

20