TỔNG QUAN MÔN HỌC

v
KỸ THUÂT ĐIỆN TỬ

CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT BÁN DẪN

1
CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT BÁN DẪN

Sự dẫn trong tinh thể bán dẫn

Bán dẫn loai N và bán dẫn loại P

Mối nối P - N

Các loại diode

Transitor 2 cực tính BJT

Transistor trường FET

 CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT BÁN DẪN
• Sự dẫn trong tinh thể bán dẫn: Nhân

+14
Lớp ngoài cùng

Cấu tạo nguyên tử của Si

 CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT BÁN DẪN
• Sự dẫn trong tinh thể bán dẫn:
Năng lượng
Năng lượng

Vùng dẫn e-
Vùng dẫn

Vùng hóa trị e- Vùng hóa trị Lỗ trống

Năng lượng to
Khe năng lượng

Không có e-
Vùng 2 Vùng 2

Vùng 1 Vùng 1

Giản đồ năng lượng

 CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT BÁN DẪN
• Sự dẫn trong tinh thể bán dẫn: e-

Lỗ trống

Dòng e và lỗ trống: Dòng lỗ

trống Dòng e-

V
Năng lượng
Năng lượng Năng lượng

Vùng dẫn
Khe năng
lượng Vùng dẫn

Khe năng lượng

Vùng dẫn
Vùng hóa trị Vùng hóa trị Vùng hóa trị

Chất cách điện Chất bán dẫn Chất dẫn điện

 CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT BÁN DẪN
* Bán dẫn loại N
- Được tạo nên bằng cách pha chất bán dẫn tinh khiết với
As (đối với Ge) hoặc P (đối với Si).

- As/P có 5 điện tử ở lớp ngoài cùng. Điện

tử thứ 5 liên kết yếu hơn với các nguyên tử
xung quanh và hạt nhân nên dễ trở thành hạt
dẫn tự do. Nguyên tử tạp chất lúc này thành
ion dương.
- Khi có điện trường, các hạt dẫn sẽ chuyển
động có hướng tạo thành dòng điện. Tạp
chất nhóm 5 cung cấp điện tử cho chất bán
dẫn ban đầu nên được gọi là tạp chất cho.
- Trong chất bán dẫn loại N, ne > pe, điện tử
là hạt dẫn đa số và lỗ trống là hạt dẫn thiểu
số. 6
 CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT BÁN DẪN
* Bán dẫn loại P
- Được tạo nên bằng cách pha chất bán dẫn tinh khiết với In (
đối với Ge) hoặc B (đối với Si).
- B/In có 3 điện tử ở lớp ngoài cùng. Khi tham
gia liên kết với các nguyên tử khác, liên kết thứ 4
bị bỏ hở. Khi có kích thích 1 trong những điện tử
ở các mối liên kết hoàn chỉnh sẽ đến thế chỗ vào
liên kết nói trên. Nguyên tử tạp chất lúc này
thành ion âm và lỗ trống xuất hiện.
- Khi có điện trường, các hạt dẫn sẽ chuyển động
có hướng tạo thành dòng điện. Tạp chất nhóm 3
tiếp nhận điện tử từ chất bán dẫn ban đầu nên
được gọi là tạp chất nhận.
- Trong chất bán dẫn loại P, pe > n e , lỗ trống là
hạt dẫn đa số và điện tử là hạt dẫn thiểu số.
7
 CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT BÁN DẪN

• Bán dẫn loại N và bán dẫn loại P:

e- tự do
Si

Si P Si P
Bán dẫn loại
N:
Si Nguyên tử Phosphorus

Si Lỗ trống
Bán dẫn loại
P:
Si B Si B

Si Nguyên tử Boron
 CHƯƠNG 2: LÝ THUYẾT BÁN DẪN

• Mối nối P – N: P N

P N

Lỗ trống Điện tử

Mối nối P – N

Vùng nghèo
P N

- +

- +

- +

Vtx
 Chuyển động trôi và khuếch tán của hạt dẫn

* Chuyển động trôi

Chuyển động của hạt dẫn trong mạng tinh thể chất rắn dưới
tác dụng của điện trường gọi là chuyển động trôi.
Chuyển động trôi tạo thành dòng điện trôi.
* Chuyển động khuếch tán
- Dòng chuyển động khuếch tán xảy ra khi có sự phân bố không
đều nồng độ hạt dẫn trong một khối thể tích, khuếch tán từ nơi
có nồng độ cao –thấp. Dòng điện do chuyển động có hướng này
gây ra được gọi là dòng điện khuếch tán.

10
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 1: Chất bán dẫn và cơ chế dẫn điện
 Chuyển tiếp P – N ở trạng thái cân bằng

- Trước tiếp xúc, mỗi khối bán dẫn cân bằng về điện
tích.

- Khi tiếp xúc, do chênh lệch nồng đồ nên lỗ trống

khuếch tán từ P sang N, điện tử khuếch tán N -> P.

- Trên đường khuếch tán, các hạt dẫn trái dấu tái hợp
làm tại bề mặt ranh giới, nồng độ hạt giảm rất thấp:
bên P chỉ còn lại các ion âm, N còn lại các ion dương.
Xuât hiện hiệu điện thế và điện trường tiếp xúc.
Vùng hẹp gọi là vùng nghèo.

- Do tác dụng của điện trường tiếp xúc nên lỗ trống từ

N chạy sang P và điện tử từ P chạy sang N tạo thành
dòng điện trôi, ngược chiều với dòng khuếch tán.
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 2: Chuyển tiếp P – N và đặc tính chỉnh lưu 11
 Chuyển tiếp P – N ở trạng thái cân bằng

- Nồng độ hạt dẫn đa số trong 2 khối càng chênh lệch

thì hiện tượng khuếch tán và tái hợp càng nhiều =>
điện trường tiếp xúc càng tăng nên dòng điện trôi cũng
tăng. Sau 1 thời gian dòng khuếch tán và dòng trôi cân
bằng nhau, triệt tiêu nhau và dòng qua mặt ranh
giới bằng 0. Chuyển tiếp P – N đạt trạng thái cân bằng.

- Ứng với trạng thái cân bằng thì hiệu điện thế tiếp xúc
giữa P và N có giá trị nhất định. Thông t hường
là 0.3 V đối với Ge và 0.7V đối với Si. Hiệu điện
thế này ngăn không cho hạt dẫn tiếp tục chuyển
động qua mặt ranh giới, duy trì trạng thái cân bằng
gọi là “hàng rào điện thế”.

Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 2: Chuyển tiếp P – N và đặc tính chỉnh lưu 12
 Chuyển tiếp P – N khi phân cực nghịch

-Giả thiết điện trở chất bán dẫn ở vùng trung hoà là không
đáng kể. Khi đó điện áp V gần như đặt toàn bộ lên vùng
nghèo, chồng lên hiệu điện thế tiếp xúc. Tình trạng cân
bằng không còn. Điện trường E do V gây ra cùng chiều
Etx làm hạt dẫn đa số của 2 bán dẫn xa khỏi mặt ranh giới
đi về 2 phía. => Vùng nghèo bị mở rộng và điện trở
vùng nghèo tăng.

- Hàng rào điện thế trở thành V + Vtx khiến dòng khuếch
tán của hạt dẫn đa số giảm rất nhỏ còn dòng trôi của hạt
dẫn tăng theo V. Nhưng nồng độ hạt dẫn thiểu số rất nhỏ
nên trị số dòng này rất thấp. Nó nhanh chóng đạt trạng
thái bão hoà khi V còn rất thấp. Dòng điện qua chuyển
tiếp P – N rất bé và mang dấu âm I = -Is. Is là dòng ngược
bão hoà.

13
Chuyển tiếp P – N khi phân cực thuận
- Trong trường hợp này hàng rào điện thế chỉ còn
Vtx – V nên hạt dẫn đa số của 2 bán dẫn sẽ tràn
qua hàng rào sang miền đối diện . Tình trạng
thiếu hạt dẫn bị giảm bớt nên bề dày vùng nghèo
bị thu hẹp và điện trở vùng nghèo giảm. Dòng
khuếch tán tăng nhanh theo V còn dòng điện
trôi giảm theo V. Dòng điện trôi rất bé và coi như
không đổi. Dòng qua chuyển tiếp P – N lúc này
là dòng điên thuận và lớn hơn rất nhiều so với
dòng điện ngược.

- Khi V càng tăng, bề dày vùng nghèo càng giảm

và hàng rào thế càng giảm. Khi V = Vtx thì dòng
thuận vô cùng lớn, phá hỏng miền tiếp xúc. Đây là
hiện tượng cần tránh.
14
 CHƯƠNG IV: LÝ THUYẾT BÁN DẪN

• Phân cực tiếp xúc P – N: P

Vùng nghèo
N

Phân cực thuận:

Dòng lỗ trống Dòng e-

+ -

Phân cực thuận

P N

Phân cực nghịch:

- +

Phân cực nghịch

 Đặc tính chỉnh lưu

- Chuyển tiếp P – N là bộ phận quan

trọng nhất của 2 bán dẫn khác loại. Khi
phân cực thuận, vùng nghèo nhỏ, điện trở
thấp và dòng điện lớn và tăng nhanh
theo điện áp. Khi phân cực ngược, điện
trở rất lớn, dòng rất nhỏ và hâu như
không thay đổi theo V.

- Khi có điện áp xoay chiều đặt vào thì

nó chủ yếu dẫn điện theo 1 chiều. Đó là
đặc tính chỉnh lưu.

16
 DIODE CHỈNH LƯU

• Diode:

Ký hiệu và hình
Cấu tạo của Diode:
dáng của Diode:
 DIODE CHỈNH LƯU
IF
• Diode chỉnh lưu: Phân cực
thuận
IF, VF: điện áp thuận và dòng
điện thuận

IR, VR: điện áp nghịch và dòng

VR VBR VF điện nghịch

Vtx hoặc V
Phân cực VBR: điện áp đánh thủng
nghịch ngược
Ký
hiệu:
Vtx hay V: điện áp rào thế
IR
V V
+ - - +

R
IF
R
I ≈ 0A
Đặc tuyến làm việc của
diode
+ - - +

VBB VBB

Phân cực thuận Phân cực nghịch

 DIODE CHỈNH LƯU

* Đặc tuyến Volt - Ampere

-Khi điện áp thuận nhỏ hơn V = 0.7V (đối với

Ge là 0.3V) thì dòng điện thuận còn bé, chưa
đáng kể. Chỉ khi điện áp vượt quá điện áp mở
V thì dòng điện mới tăng nhanh theo điện
áp. Đoạn đặc tuyến này gần như 1 đường thẳng
có độ dốc không đổi.

- Dòng điện ngược có giá trị rất nhỏ. Khi điện

áp ngược thực tế tăng dần và khi đạt đến điện
áp đánh thủng VB thì dòng điện ngược tăng rất
nhanh.

19
 CHƯƠNG IV: LÝ THUYẾT BÁN DẪN

• Các loại Diode:

Diode chỉnh Diode zener

lưu

Diode Diode biến dung Diode phát quang

 DIODE ZENER

* Cấu tạo:

- Vẫn là chuyển tiếp P – N nhưng được chế tạo bằng vật liệu
chịu nhiệt và toả nhiệt tốt, do đó khi có điện áp ngược đủ lớn
để xảy ra quá trình đánh thủng về điện (không xảy ra quá trình
đánh thủng về nhiệt) vẫn không phá hỏng diode.

* Đặc tuyến Volt – Ampere

- Điện áp trong quá trình đánh thủng gần như song song với
trục dòng điện nên diode zener thường được dùng để ổn định
áp.
21
 DIODE ZENER

- Giới hạn trên của phạm vi làm việc

là trị số dòng ngược tối đa cho phép,
xác định bởi công suất tiêu hao cực
đại của diode Pmax.

- Mạch ổn áp dùng zener:

22
 DIODE CHỈNH LƯU

• Phương pháp kiểm tra diode:

Đặt đồng hồ ở thang đo 1 Ohm, đặt 2 que đo vào 2 đầu diode.

- Đo chiều thuận: kim lên; đo chiều ngược: kim không lên 

diode tốt.

- Đo cả 2 chiều kim chỉ 0 Ohm  diode bị chập

- Đo chiều thuận kim không lên  diode bị đứt

 CÁC ỨNG DỤNG CỦA DIODE

• Các ứng dụng của diode:

D
t

Vi R Vo
V0

t
Mạch chỉnh lưu bán kỳ:

Vi

D
t

Vi
Vi
R t
D

VL

Mạch chỉnh lưu toàn kỳ:

t
 CÁC ỨNG DỤNG CỦA DIODE

• Các ứng dụng của diode:

+

Chỉnh lưu Vi

cầu:
-
R

VL

Vi
R
D

Mạch lọc:
 CÁC ỨNG DỤNG CỦA DIODE

• Các ứng dụng của diode:

Mạch xén
trên:
D

Vi Vo t

Mạch xén
dưới:
D
t
Vi Vo
PHẦN 5: TRANSISTOR

27
 TRANSISTOR

Cấu tạo và nguyên lý hoạt

động

Các thông số cơ bản

TRANSISTOR
Các dạng ghép nối cơ bản

Mục đích phân cực

FET và MOSFET
 TRANSISTOR

• Cấu tạo và nguyên lý hoạt động:

C C
Cấu tạo: Collector Collector

B N B P JC

P N
Base Base JE
N P

E Emitter E Emitter

Loại NPN Loại PNP

Ký hiệu: C
C
2

B B
1 2 3

E E
1
3

Loại NPN Loại PNP

 TRANSISTOR

• Phân cực transistor:

IE IC IE IC
N P N P N P

IB IB

IE IC IE IC
Dòng của
3 2 1 3
transistor:
IB IB IB

2
1
 TRANSISTOR

• Xác định chân Transistor bằng VOM:

- Bước 1: Đặt VOM ở thang đo R*10. cố định 1 đầu que đo, que
đo còn lại lần lượt chạm vào 2 chân kia nếu kim đều lên cả hai
lần thì chân có que cố định là chân B. Nếu que cố định là đỏ
(+) thì transistor là PNP. Nếu cố định là đen (-) thì là loại NPN.

- Bước 2: Đặt 2 que đo vào 2 chân E và C đang cần xác định, sau
đó dùng một điện trở nhỏ (hoặc một dây dẫn điện, có thể dùng
ngón tay trỏ) nối cực B lần lượt với 2 cực E và C. Trong 2 lần
đo đó, lần nào kim lên nhiều (có điện trở bé) thì cực đo trong
lần đó là cực C, còn lại là cực E.
 TRANSISTOR

• Các thông số cơ bản:

IC
Tỷ số độ lợi dòng Collector (IC) và dòng Base :   , hay còn gọi
IB là hfe

Tỷ số độ lợi dòng Collector va emitter : IC


IE
RC IC

Quan hệ giữa α và β:    VCC

1 RB

2
+
1
-
IB
VBB IE

3
 TRANSISTOR

• Phân tích DC: RC IC

Phân cực thuận BE: VBE = 0.7 V (Si), VCC

2
RB
0.3 V (Ge) +
1

Điện áp trên V RB  V BB  V BE VBB

IB
-

RB IE

3
VBB  VBE
Dòng Ib IB 
RB

Điện áp trên VRC  I C .RC  VCC  VCE và VCB  VCE  VBE

RC
100
RC

VCC
2

VD: RB
1
10V

VBB 10K
5V
3
 TRANSISTOR

• Đặc tuyến Collector:

RC IC
IC
IB4>IB3
VCC
Vùng
2

RB + IB3>IB2
bão
1
hòa IB2>IB1
-
IB
VBB IB1>IB
IE
3

IB = 0

VCE
Vùng tắt

Họ đặc tuyến Collector

IB IC

Khi VCE = 0.7V, BC phân cực ngược, IC đạt cực đại và IC = IB, VCE tiếp tục tăng
nhưng IC không tăng nữa.
Khi VCE = 0.2V, BC phân cực thuận, IB tăng và IC = constant.
 TRANSISTOR

• Chế độ hoạt động: RC

ICEO

2
v IB= 0, Transistor tắt và JC phân cực 1 VCC
ngược IB = 0

3
RC
RB

2
v IB tăng, Transistor dẫn và IC tăng 1 VCC
Khi IC =constant, transistor ở chế độ bão VBB
hoà

3
 TRANSISTOR

• Cách mắc transistor:

Dòng điện ngõ ra

Độ lợi dòng điện: β =
Dòng điện ngõ vao
 TRANSISTOR

Mạch base chung

Dòng điện vào: IE.

Dòng điện ra: IC.

Điện áp vào: VEB.

Điện áp ra: VCB.

Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực tính
(BJT) 37
 TRANSISTOR
Mạch emitter chung

Dòng điện vào: IB.

Dòng điện ra: IC.

Điện áp vào: VBE.

Điện2:áp
Chương Cácra:
linhV
kiện .bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực tính
CE
(BJT)
38
 TRANSISTOR

Mạch collector chung

Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực tính
(BJT)
39
 TRANSISTOR

• Mục đích của việc phân cực: RC IC

VCC

2
RB +
1
-
IB
Khuếch đại tuyến tính  phân cực thích hợp VBB
IE

3
Phân cực ngõ ra bị méo điểm tĩnh quá gần vùng tắt Đường tải DC

Phân cực ngõ ra bị méo điểm tĩnh quá gần vùng bão hòa
 TRANSISTOR
+10V IC
A
• Ví dụ: RC 200 ICQ Q
B

2
RB VCE
1
10K
vi VCEQ

3
3.7V

IBQ

Bão hòa IC IC IBQ

A
ICQ
Q A
B Q
ICQ VCE
VCE
VCEQ 0 VCEQ B

tắt
 TRANSISTOR

• Phân cực cho transistor:

+VCC
VCC VCC
VCC
VCC
RC
RC
RB
VC
RC

2
RB
1

2
RB VB
2

VE 1

3
1
RE

3
3

-VVCC
EE

Phân cực định dòng IB Phân cực Emitter Phân cực hồi tiếp
Collector
 TRANSISTOR

• Phân cực cho transistor:

VCC

IB + I2
Điện trở tương
RC VCC VCC đương nhìn
R1 vào cực B

R1
IB R1
2

A 1 A
I2

R2 R2
3

R2 RE RIN

Hình a. Hình b. Hình c.

Phân cực kiểu phân áp

Field – Effect Transistor (FET)
Field – Effect Transistor (FET)
Drain Drain

N P
Gate Gate
P P N N
- Cấu tạo
Kênh dẫn Kênh dẫn
JFET:
Source Source

Kênh dẫn loại N Kênh dẫn loại P

Drain Drain
SiO2 SiO2
N P
Gate Gate
P N
- Cấu tạo MOSFET:
N P

Source Source
Kênh dẫn loại N Kênh dẫn loại P
 JFET
Junction Field – Effect Transistor (JFET) D +

- Nguyên tắc hoạt N

động: D G
P P VDS
G N +
VDD
VGG
VGG
S
- S -

D D
G G
2

3 2
- Ký
hiệu: S S
1

Loại N Loại P
 JFET

Phân cực JFET và các thông số:

VGS +VDD
• Điện trở RIN 
vào: IG VCC +10V

RD
IG là dòng ngược qua mối nối G-S, có giá 1K
trị rất nhỏ

2
3

VDS RG
RS

1
• Điện trở kênh rDS 
dẫn: I D 500

• Hỗ dẫn: I D
gm  Tự phân cực JFET
VGS
 CẤU TẠO CỦA JFET

Xét JFET loại N: Thỏi bán dẫn Si có nồng độ tạp tương đối thấp, gắn với 2
sợi dây kim loại: đáy trên – cực D; đáy dưới – cực S. Bao quanh hỏi bán
dẫn loại N là lớp bán dẫn loại P, hình thành chuyển tiếp P – N. Phần thể
tích còn lại của thỏi Si là kênh dẫn. Lớp bán dẫn loại P được gắn 1 sợi dây
kim loại – cực G.
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực tính
(BJT)
47
 NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG JFET

- ED, thông qua RD, đặt điện áp VDS giữa

cực D và cực S, gây ra dòng chuyển
động qua kênh dẫn của điện tử, tạo nên
dòng máng ID.

- EG tạo điện áp giữa cực G và cực S,

làm chuyển tiếp P – N bị phân cực
nghịch, bề dày vùng nghèo tăng lên, thu
hẹp diện tích kênh dẫn.

- Nếu giữ ED không đổi, tăng giá trị EG,

tình trạng phân cực nghịch P – N sẽ
ngày càng tăng: vùng nghèo mở rộng,
kênh dẫn thu hẹp, ID càng giảm.
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực tính
(BJT)
48
 Đặc tuyến Volt - Ampere của JFET

* Đặc tuyến ra * Đặc tuyến truyền

đạt

Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực tính
(BJT)
49
 Sơ đồ tương đương của JFET

gm: hỗ dẫn  : hệ số khuếch đại

Nếu có tải mắc giữa 2 cực D – S thì dòng điện tải là:
vDS
iD  g m vGS  => VDS = - VDS + iDrD
rD
50
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 5: Transistor trường (FET)
 MOSFET

MOSFET: KÊNH CÓ SẴN Drain Drain

SiO2 SiO2
N P

Gate Gate
P N
Cấu tạo:
N P

Source Source
Kênh dẫn loại N Kênh dẫn loại P

D D

1
G G
Ký hiệu: 3 3

2 S S

2
Loại N Loại P

MOSFET coù theå hoaït ñoäng trong cheá ñoä ngheøo hoaëc cheá ñoä giaøu. Vì cöïc cöûa caùch ly so
vôùi keânh daãn baèng lôùp SiO2 neân coù theå cung caáp ñieän aùp VG döông hoaëc aâm vaøo cöïc G
(Gate).
 MOSFET

Chế độ hoạt động của MOSFET kênh có sẵn loại N

D
RD
N +
- +
G - +
+ P VDD
- +
- + -
- N Chế độ nghèo VGS<0 và
VG VGS<VGS(off)
+
S

Lôùp SiO2 laø lôùp ñieän moâi caùch ñieän. Do ñoù cöïc G ñöôïc xem nhö laø 1 baûn cöïc cuûa tuï
ñieän vaø maët ñoái dieän cuûa lôùp SiO2 laø baûn cöïc coøn laïi.
Khi VGS aâm, ñieän tích aâm tích tuï treân cöïc G vaø ñieän tích döông tích tuï trong keânh daãn
loaïi N. Caùc ñieän tích döông naøy seõ taùi hôïp vôùi caùc e- coù saün trong keânh daãn, neáu VG
caøng aâm thì e- bò taùi hôïp caøng nhieàu  caùc e- töï do trong keânh daãn giaûm neân coøn goïi
laø cheá ñoä laøm ngheøo keânh daãn hay cheá ñoä ngheøo.
Khi VGS =VGS(off) thì keânh daãn khoâng coøn haït daãn neân ID = 0  MOSFET taét.
 MOSFET

Chế độ hoạt động của MOSFET kênh có sẵn loại N

D
RD
N
+ - -
G + -
- P VDD
+ -
+ + - +
N
VG Chế độ giàu VGS>0
-
S

Khi VG > 0, ñieän tích döông seõ tích tuï treân cöïc G vaø ñieän tích aâm tích tuï trong keânh
daãn, vì theâ e- trong keânh daãn taêng leân neân coøn goïi laø cheá ñoä laøm giaøu haït daãn hay cheá
ñoä giaøu.
 MOSFET

• Đặc tuyến và thông số của MOSFET

ID
ID
IDSS
IDSS

VGS VGS

VGS(off) 0 0 VGS(off)

VGS 2
Phöông trình ñaëc tuyeán: I D  I DSS (1  )
VP
 MOSFET

MOSFET KÊNH CẢM ỨNG Drain

Drain
SiO2
SiO2
Loaïi naøy chæ hoaït ñoäng trong cheá N
P
ñoä giaøu vaø khoâng coù cheá ñoä ngheøo. Gate
P Gate
N
Cấu tạo:
MOSFET keâ n h caû m öù n g coù caá u N
P
taïo gioán g nhö MOSFET keâ n h coù
saün nhöng noù khoâng coù keânh daãn Source
Source
vaät lyù. Kênh cảm ứng loại N
Kênh cảm ứng loại P

D D

2
G G
Ký hiệu: 2 1

1
S S

3
Loaïi N Loaïi P
 MOSFET

• MOSFET KÊNH CẢM ỨNG

Kênh dãn D
cảm ứng RD

+ N
+ - +
G -
-P VDD
+ -
+ - -
+ N
VGG
-
S

VGG lôùn hôn giaù trò ngöôõng (VT) thì seõ hình thaønh keânh daãn baèng caùch taïo 1
lôùp moûng ñieän tích aâm trong lôùp baùn daãn loaïi P. khi VGG­ caøng taêng thì
keânh daãn caøng taêng do taêng cöôøng theâm e- töï do trong keânh daãn .
Vôùi VGG nhoû hôn giaù trò ngöôõng thì khoâng coù keânh daãn.
 MOSFET

• Đặc tuyến truyền đạt:

ID ID

VT

VGS VGS
0 VT VT 0

Loaïi N Loaïi P

ID = 0 khi VGS < VT. (VGS(OFF))

ID # 0 khi VGS ≥ VT (ñieän theá ngöôõng).

I D  K VGS  VT 
Phöông trình ñaëc tuyeán: 2
 MOSFET

• Phân cực MOSFET: +VDD

VCC

RD

IDSS
MOSFET keânh coù saün:

3
  IG ≈ 0
Ta coù IG ≈ 0  VG ≈ 0 +2
VGS -
RG

1
VDS = VDD – IDSS.RD RE
 MOSFET
+VDD
• Phân cực MOSFET: +VDD
VCC
VCC

RD RD
R1
MOSFET keânh cảm ứng:
RG
 
Coù hai caùch phaân cöïc ñeå VGS > 0.

3
3
2
Tính maïch phaân cöïc döïa vaøo
phöông trình: 2 R2

1
1
I D  K VGS  VT 
2

VDS  VDD  I D RD
 Thank you

Further question?