Professional Documents
Culture Documents
Miền cấm W Sự phân bố trạng thái năng lượng
của e- , bề rộng của miền cấm W
wv quyết định tính chất điện của vật
rắn
Miền hóa trị
w = wc - wv
2.1. VẬT LIỆU BÁN DẪN
1. Khái niệm chung
W W W
W
Miền dẫn Miền dẫn Miền dẫn
Miền dẫn
Miền cấm W 5 – 10eV 0,2 – 0,5eV
W
Miền hóa trị Miền hóa trị
Miền hóa trị Miền hóa trị
2.1.Khái niệm.
• Bán dẫn thuần (tinh khiết) có cấu trúc mạng tinh thể, trong
đó liên kết giữa các nguyên tử được thực hiện nhờ các
electron hóa trị nằm ở lớp vỏ ngòai cùng của nguyên tử.
• Đối với các chất bán dẫn Ge, Si lớp vỏ ngòai cùng có 4
e-. Khi tạo thành mạng tinh thể, mỗi nguyên tử sẽ góp 2e-
với các nguyên tử xung quanh để tạo thành mạng liên kết
đồng hóa trị.
Mô hình mạng tinh thể Si
Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si Si
Si Si Si Si Si Si Si
Mô hình mạng tinh thể Si
Si Si Si
Si Si Si
Mô hình mạng tinh thể Si
Periodic Table
Periodic Table
BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ - ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP. HỒ CHÍ MINH
Mô hình nguyên tử Si
Si28
14
Pieces of Silicon
Pieces of Silicon
BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ - ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP. HỒ CHÍ MINH
Mô hình nguyên tử Ge
Ge73
32
BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ - ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP. HỒ CHÍ MINH
BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ - ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP. HỒ CHÍ MINH
Mô hình các nguyên tử Si và Ge
Ge 73
28 32
14Si
Ở độ 0 tuyệt đối (0K) trong bán dẫn thuần không có hạt tải
điện tự do. Các e- hóa trị nằm trong liên kết đồng hóa trị
của mạng tinh thể.
Khi nhiệt độ T>0K, chuyển động nhiệt (dao động) có thể
dẫn tới làm đứt gãy liên kết hóa trị ở một số nút mạng tinh
thể, e- được giải phóng khỏi liên kết trở thành tự do và trở
thành e- dẫn.
Tại nơi e- được giải phóng, xuất hiện lỗ trống (+) tương
đương hạt tải điện dương.
Lỗ trống (+)
e- bứt khỏi liên kết (Hole)
(Free Electron)
14 n 14 n
14 p 14 p
n=2 n=3 n=1 n=2 n=3
Si n=1
Si Si Si Si
Free
Electron
hole
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Cơ chế tạo cặp “e- - lỗ trống”
Nhiệt độ càng cao số e- được giải phóng càng nhiều,
cùng với việc tạo ra nhiều cặp “e- - lỗ (+)”.
Do chuyển động nhiệt, các electron tự do lại có thể bị
các lỗ (+) bắt lại khi đi ngang qua và xảy ra quá trình tái
hợp “e- + lỗ”, kết quả hủy cặp.
Ở nhiệt độ xác định xảy ra sự cân bằng động giữa quá
trình tạo cặp và quá trình tái hợp hủy cặp.
Ở trạng thái cân bằng động thiết lập một giá trị mật
độ trung bình electron dẫn n0 và mật độ lỗ trống p0.
Cơ chế tạo cặp “e- - lỗ trống”
Cơ chế tạo cặp “e- - lỗ trống”
Bảng giá trị NC và NV của các chất Ge, Si, GaAs ở 300K
Mật độ trung bình hạt tải điện riêng trong bán dẫn
W
kT
n 0 p 0 N C NV e ni2
Cơ chế tạo cặp “e- - lỗ trống”
Chú ý !
• Trong bán dẫn thuần, mỗi e- được giải phóng luôn kèm theo xuất
hiện một lỗ trống (+), hay một cặp “e- - lỗ (+)” được hình
thành.
• Như vậy, mật độ e- dẫn ni = mật độ lỗ (+) pi,
2kT
ni pi NC NV e W
dp
Mật độ dòng lỗ trống: J p e.D p
dx
Mật độ dòng điện tử:
dn
J n e.D n
dx
Với dn/dx và dp/dx là gradien nồng độ của điện tử và lỗ trống
Dp, Dn là hệ số khuếch tán của lỗ trống và điện tử
2.3. Dòng điện trong chất bán dẫn
2.3. Dòng điện trong chất bán dẫn
electron hole
Si Si Si Si Si
Si Si E Si Si Si
Si Si Si Si Si
Current I
Si Sb Si
Nguyên tử Sn thay
thế vị trí nguyên tử
Si Si trong mạng
Mỗi e- tự do xuất hiện không kèm theo lỗ (+) nên hạt tải
điện đa số trong bán dẫn là electron, bán dẫn được gọi là
bán dẫn N (Negative)
3.1. Bán dẫn N (Negative)
Việc xuất hiện ion dương không kèm theo e- tự do, kết quả hạt tải điện
đa số trong bán dẫn là các iôn (+), bán dẫn gọi là bán dẫn P (Positive)
3.2. Bán dẫn lọai P (Positive)
• Hình thành khi pha tạp nguyên tố nhóm III vào bán dẫn thuần.
• Ví dụ: pha Ga, In, B (nhóm III) vào Ge (nhóm IV)
• Nguyên tử tạp chất có 3 điện tử ở lớp ngoài cùng nhưng phải thiết
lập 4 mối liên kết cộng hoá trị với 4 nguyên tử Ge bên cạnh. Do
đó mối liên kết thứ 4 này sẽ có một lỗ trống. Các điện tử bên
cạnh sẽ dễ dàng nhảy sang để lấp đầy vào lỗ trống này và nguyên
tử tạp chất sẽ trở thành ion âm còn nguyên tử có điện tử vừa rời
đi trở thành ion dương cố định. Tạp chất thêm vào gọi là tạp chất
nhận (acceptor).
• Việc xuất hiện ion dương không kèm theo e- tự do, kết quả
hạt tải điện đa số trong bán dẫn là các iôn (+), bán dẫn gọi là
bán dẫn P (Positive)
4. Tiếp giáp P-N
4.1. Sự hình thành tiếp giáp P-N
P N
•Bán dẫn lọai P hạt tải điện đa số là lỗ trống (+), bán dẫn N
hạt tải điện đa số là electron.
•Tiếp giáp P-N được hình thành khi ghép 2 miếng bán dẫn lọai
P và N với nhau. Hiệu ứng điện trên chuyển tiếp giữa 2 bán dẫn
là cơ sở của nhiều loại linh kiện bán dẫn: Diode, Transistor, …
• Độ lớn hiệu thế tiếp xúc chính bằng chiều cao hàng rào thế VB có giá trị
với Ge: VB = 0,2 – 0,3V; với Si: VB = 0,6 – 0,7V.
• Với các hợp chất của Gallium như GaAs, GaP, GaAsP, VB thay đổi từ 1,2 V
đến 1,8V. Thường người ta lấy trị trung bình là 1,6 Volt.
4. Tiếp giáp P-N
- +
- +
- +
- +
- +
d
Bề dày của miền điện kép còn gọi là miền nghèo (depletion
region) phụ thuộc vào mật độ các nguyên tử tạp chất donor
và acceptor theo biểu thức:
d 20VB 1 1
e N D A
N
ND, NA - mật độ các nguyên tử donor và acceptor
- Hằng số điện môi của tinh thể
0 = 8,85.10-12 F/m – hằng số điện
VB – Hiệu điện thế tiếp xúc
4.2. Phân cực cho tiếp giáp P-N
4.2.1. Phân cực nghịch
V
- +
P Ei N
ES
d x
+
VB
V’ V’ = VB + V
V
Khi phân cực nghịch tiếp giáp P-N bằng nguồn áp V. Điện trường của nguồn
ES cùng chiều điện trường Ei. Điện trường tổng đẩy các hạt tải điện đa số làm
tăng bề dày của miền điện tiếp giáp. Qua mạch chỉ có dòng nhiệt rất nhỏ
BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ - ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP. HỒ CHÍ MINH
4.2.2. Phân cực thuận P-N
V
+ -
IF
P Ei N
E
S
x
V’ V’ = VB -
VB
V
V
Khi phân cực thuận tiếp giáp P-N bằng nguồn áp V. Điện trường của
nguồn ES ngược chiều điện trường Ei. Điện trường tổng gia tốc các hạt
tải điện đa số làm giảm bề dày của miền tiếp giáp. Chiều cao hàng rào
thế giảm mạnh V’ = VB - V. Qua tiếp giáp có dòng thuận If
4.2. Phân cực cho tiếp giáp P-N
a) Chưa phân cực (không có dòng, độ rộng của vùng nghèo không đổi)
b) Phân cực thuận nhỏ hơn điện áp ngưỡng (dòng thuận rất nhỏ, vùng
nghèo thu hẹp dần)
c)Phân cực thuận ở mức ngưỡng (dòng thuận lớn, vùng nghèo biến mất)
d). Phân cực ngược (không có dòng, vùng nghèo rộng ra)
4.2. Phân cực cho tiếp giáp P-N
4.2. Phân cực cho tiếp giáp P-N
4.2. Phân cực cho tiếp giáp P-N
4.2. Phân cực cho tiếp giáp P-N
4.2.4. Đặc tuyến V-A của tiếp giáp P-N
Đặc tuyến V-A ứng với 3 loại bán dẫn Ge, Si và GaAs
II. Diode bán dẫn
2.1. Cấu tạo và phân loai Diode bán dẫn.
Các diode tiếp điểm: Tạo ra bằng phương pháp khuếch tán
xung. Một xung dòng lớn chạy qua tiếp xúc giữa một mũi nhọn kim loại
gắn trên bề mặt của một tấm Ge hoặc Si loại N. Nhiệt lượng lớn tỏa ra
tại tiếp xúc làm nóng chảy mũi kim loại làm cho các nguyên tử kim loại
khuếch tán vào bán dẫn tạo ra một vi miền bán cầu có đặc tính dẫn
điện loại P.
Do tiết diện tiếp xúc rất bé nên dòng điện định mức cho phép nhỏ (cỡ
vài chục miliampe), điện áp ngược không vượt quá vài chục volt.
Điện dung tiếp xúc bé nên thích hợp cho tần số cao, tách sóng.
2.1. Cấu tạo và phân loai Diode bán dẫn
BÀI GIẢNG KHOA CÔNG NGHỆ ĐIỆN TỬ - ĐẠI HỌC CÔNG NGHIỆP TP. HỒ CHÍ MINH
Ký hiệu một số lọai Diode
3. Hệ số chỉnh lưu k
Hệ số chỉnh lưu là thông số đặc trưng cho độ phi tuyến
của diode và xác định bằng biểu thức sau:
2.2. ĐẶC TUYẾN V-A VÀ CÁC THÔNG ĐẶC TÍNH CỦA DIODE
C0 0 S pn
d p
n
Trong đó Sp-n và dp-n lần lượt là diện tích và bề rộng miền tiếp giáp P-N
Bề rộng của lớp tiếp giáp phụ thuộc vào chiều và độ lớn điện áp phân cực VAK,
Trong mạch phân cực Diode có điện dung tương đương CD là:
VB
CD C
0
VB VAK
VB – Thế hiệu tiếp xúc (~0,3V – Ge; 0,7V – Si)
2.2. ĐẶC TUYẾN V-A VÀ CÁC THÔNG ĐẶC TÍNH CỦA DIODE
2.2. ĐẶC TUYẾN V-A VÀ CÁC THÔNG ĐẶC TÍNH CỦA DIODE
Chú ý:
-Cả 2 đại lượng Cpn và Ckt đều gây ảnh hưởng lớn
tới đặc tính tần số và đặc tính quá độ của diode, đặc biệt
là ở miền tần số cao.
-Ở tần thấp điện dung có thể coi như không đáng kể
nhưng ở miền tần số cao dung kháng giảm nên diode sẽ bị
nối tắt.
-Người ta giảm điện dung bằng cách giảm diện tích
tiếp xúc, do vậy diode cao tần phải có tiết diện tiếp xúc bé
dùng diode tiếp điểm còn diode chỉnh lưu cần có mặt tiếp
xúc lớn để tăng khả năng chịu tải nên phải dùng diode tiếp
mặt.
2.2. ĐẶC TUYẾN V-A VÀ CÁC THÔNG ĐẶC TÍNH CỦA DIODE
: fmax.
2.2. ĐẶC TUYẾN V-A VÀ CÁC THÔNG ĐẶC TÍNH CỦA DIODE
A K A RF K
R I
E/R
u IQ + i
UQ + u Q2
+ IQ
Q
Q1
E
EVQ
VAK
Diode coi như một phần tử tuyến tính
III. Mô hình diode
-Ở chế độ tĩnh diode làm việc với nguồn một chiều E, còn
chế độ động diode làm việc với nguồn xoay chiều u~.
-Trong chế độ tĩnh diode là một phần tử phi tuyến vì điểm
làm việc Q có thể di chuyển theo các giá trị khác nhau trên
đặc tuyến Von-ampe.
-Trong chế độ động với sự biến thiên của tín hiệu nhỏ tần
thấp, điểm làm việc Q chỉ dịch chuyển trên đoạn nhỏ Q1Q2.
có thể xem như tuyến tính. Do đó, diode được coi là một
phần tử tuyến tính và điện trở động của diode được tính:
dV 26(mV )
r d dI I Q (mA) ()
III. Mô hình diode
Khi đặt một điện áp ngược nằm trong khoảng cho phép
(nhỏ hơn điện áp đánh thủng) lên diode, dòng qua diode lúc
này là dòng ngược bão hoà có giá trị gần như không đổi Is
nên có thể coi nó như một nguồn dòng lý tưởng.
III. Mô hình diode
IV. Ứng dụng Diode
1
1 2 D D1
4
4 4 - + 2
VAC +Vc
5 6 C1 c
D3 D
2
3
C2
-
Vcc
Hình 2.37. Hình dáng một số cầu chỉnh lưu
4. Chỉnh lưu bội áp
4. Chỉnh lưu bội áp
C1 D2
u1 u2
D1 C2
Rd
C3
D3
Dòng Dòng
Điện áp
Công ngược thuận tại
ngược
Tên gọi Vật liệu suất tiêu đo tại V=1V
cực đại
tán (W) điện áp
(V) (mA)
(A/V)
1N461 Si 0,2 30 0,50/25 15
1N461A Si 0,2 30 0,50/25 100
1N462 Si 0,2 70 0,50/60 5
1N463 Si 0,2 175 0,50/175 5
1N463A Si 0,2 175 0,50/175 100
1N914 Si 0,25 100 25/20 10
2. Diode Zener
Diode zener cũng được cấu tạo từ một chuyển tiếp P-N,
nhưng khác với Diode thông thường là các bán dẫn P và N
là loại pha tạp nhiều; do đó mật độ các hạt tải điện trong
chúng cao hơn nhiều lần và điều đó dẫn tới bề dày miền
chuyển tiếp mỏng hơn so với Diode thường.
Ký hiệu quy ước của Diode zener trên sơ đồ chỉ ra trên
hình vẽ.
2. Diode Zener
IF ( mA)
80
60
40
Điện áp ổn định 4 2
VZ 6
V AK (V)
0. 4 0 .8 1.
1 2
Vùng Zener 3
làm việc IR
ổn định 4
dI z
Iz Rz
Z
dV z rz
Vz
2. Diode Zener
2. Diode Zener
Tên gọi Vật liệu Công suất Điện áp ổn Dòng Điện trở
tiêu tán cực định VZ (V) ngược danh động (Ohm)
đại (W) định (mA)
1N702 Si 0,25 2,6 5 60
1N703 Si 0,25 3,4 5 55
1N706 Si 0,25 5,8 5 20
1N707A Si 0,25 8 5 10
1N708 Si 0,25 5,6 25 3,6
1N711A Si 0,25 7,5 25 5,3
1N714 Si 0,25 10 12 8
1N758 Si 0,40 10 20 12
1N1525 Si 1,00 13 13 5,4
2. Diode Zener
Từ sổ tay linh kiện ta có đặc tuyến V-A của diode 1N758 như hình vẽ bên.
Đoạn làm việc ổn định có thể chọn:
10mA
Izmin
40mA
Izmax Áp dụng ĐL Ôm ta có:
= IzminRs + Vz = (Izmin+ It)Rs + Vz
Vsmin
= (10 + 8,3).10-3.300 + 10 = 15,5V
= IzmaxRs + Vz = (Izmax+ It)Rs + Vz
Vsmax
= (40 + 8,3).10-3.300 + 10 = 15,5V = 24,5 V
Đk để mạch làm việc ổn định là điện áp vào phải giới hạn trong khoảng:
• Hướng dẫn
Vz
Rt min R 200
s
Vs Vz
I s Vs Vz 75mA
R
s
Vt
I t min I s I z max 10mA Rt max 1500
I t min
Diode biến dung được cấu tạo từ một chuyển tiếp P-N,
nhưng khác với Diode thông thường là các bán dẫn P và N
được pha tạp một cách đặc biệt để tạo ra hiệu ứng điện
dung chuyển tiếp P-N.
Ký hiệu Varicap như hình vẽ.
A K
2.5. Diode biến dung (Varicap)
Đặc tính điện dung của chuyển tiếp P-N được ứng dụng
khi phân cực nghịch. Lúc này bề rộng vùng điện tích không
gian (vùng nghèo) mở rộng làm cho điện dung tiếp giáp
giảm. Giá trị Cpn phụ thuộc vào điện áp ngược đặt lên
chuyển tiếp và được xác định theo công thức:
VB 0 S pn
C pn C0 Với C0
VB VAK d p n
VB – Thế hiệu tiếp xúc (~0,3V – Ge; 0,7V – Si)
Giá trị Cpn còn phụ thuộc vào tình trạng phân bố tạp chất ở
ở hai bên tiếp giáp. Đồ thị phụ thuộc C(V) chỉ ra trên hình
vẽ cùng với biến đổi tạp chất: (a) đột biến, (b) biến đổi
chậm.
Sự thay đổi mật độ tạp chất
P
+
N Na – Mật độ aceptor
+ Nd – Mật độ donor
Na
b) Na Nd
Thay đổi chậm
O
3. Diode biến dung (Varicap)
C (pF)
200
100
(b) Mật độ tạp chất biến thiên độ ngột a
Cmin
Cmax
Biến thiên của điện dung Varicap
Cmin
U
Ungmax
t
u(t)
Điện áp điều khiển
I
P +
+ N+
+
a)
A
Ip C
Wc
WVW
WFn
WFp
B Wc
IV
b) W WV
0 Vp VV V
R
Đặc tuyến V-A của Diode Tunel Giản đồ vùng năng lượng ở trạng thái
cân bằng
p p
p
p p WF
W F WF W F WF
W F
WF
WF n
WF n
n n
n
V=0 V>0 V>0
ID ID
IT ID
IT IT
IT = 0
I
p
A
WF I C p WF
p
WF
E n
W F
D
n
V<0 IV
B
IT 0 Vp VV V ID
Do đặc tuyến V-A có đoạn điện trở âm nên nó được dùng cho
các mạch tạo dao động, mạch khuếch đại ở dải tần số rất lớn
(GHz), các bộ chuyển mạch tốc độ cao.
Máy thu vệ tinh Intelsat V đã sử dụng bộ khuếch đại diode
đường hầm (TDA) trong dải tần số từ 14 GHz đến 15,5 GHz
5. LED (Light Emitting Diode)
a) b)
A
Cấu tạo (a) và ký hiệu LED (b)
K
LED – Light Emitting Diodes
5. LED (Light Emitting Diode)
R
VD C VD -VDC VD
ID
ID
a (b)
VDC VD
R
ID
LED 7 ĐOẠN
(a)
a) (b)
b)
Common Cathode R/H Decimal point Common Anode R/H Decimal point
(c)
c) (dd
a a a a a a a a )) a a
f b f b f b f b f b f b f b f b f b f b
g g g g g g g g g g
e c e c e c e c e c e c e c e c e c e c
d DP DP DP DP DP d DP DP DP d d
DP
DP
d d d d d d
Hình 2.61. Sơ đồ nguyên lý các LED màu
2
1 3
R G
G R G
R
Y
1 2
1 1 1 3
2 2
2 3 3
(a) LED 2 màu 2 chân (b) LED màu (c) LED màu
chân K chung chân chung
mắc ngược nhau 2
1 3 4
R G B R G B
1 4
1
1 3 4 2
2
(d) LED 3 màu 4 chân A chung (e) LED 3 màu 4 chân K chung
7. Photo diode
• Photo diode là một diode bán dẫn có thể hoạt động ở
2 chế độ: chế độ quang – ganvanic như một pin quang
điện và chế độ photo diode khi mắc với nguồn ngoài.
A
nn
R R
pp
E
B
-
a) b) +
c)
Chế độ photo-ganvanic
• Khi không có mắc nguồn điện áp ngoài. Nếu được chiếu
sáng 2 đầu photo diode sẽ có một hiệu điện thế U và qua
tải R sẽ có dòng:
eU
U
I
R I Iosat e kT 1
Cho mạch điện sau. Xác định dòng phân cực tĩnh qua
diode IDQ:
A. 43 mA
B. 4.3 mA
C. 5 mA
D. 10mA
Ge
E
+
C
12V R 0.47F
2.7k
A. 12 V
B. 10.6V
C. 11 V
D. 10 V
Vi R1 D (Si)
V0
12V
2.7k R2
2.2k
V2 = -5V
Cho mạch điện dùng diode Si như hình vẽ. Xác định điện áp
ra Vo
A. V0 = 2 V
B. V0 = -2,99V
C. V0 = 5,197 V
D. V0 = 0,197 V
Thực hành đo kiểm tra diode
Hướng dẫn:
Bật thang đo ôm về vị trí X1. Kẹp que đo vào hai đầu diode, sau đó
đảo chiều que đo, quan sát kim đồng hồ trong hai trường hợp sẽ thấy
một lần kim đồng hồ lên (phân cực thuận), một lần kim đồng hồ
không lên (phân cực nghịch).
Kim đồng hồ lên: anode nối với que đen (cực (+) pin đồng hồ),
cathode nối với que đỏ (cực (-) pin đồng hồ).
Nếu cả hai lần đo kim đều không lên, diode bị đứt hoặc cháy.
Nếu cả hai lần đo kim đều về 0, diode bị chập (thủng tiếp giáp).
Thực hành đo kiểm tra diode