Chapter 2 - Bán dẫn và diode

BÀI GIẢNG CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ
CHƯƠNG 2
CHẤT BÁN DẪN VÀ DIODE BÁN DẪN

GV: GVC-TS. Trần Anh Vũ
Khoa Điện tử,
Trường Điện- Điện tử
Email: vu.trananh@hust.edu.vn
TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 1
Nội dung chương
1. Vật liệu bán dẫn
2. Diode bán dẫn
3. Một số ứng dụng của diode

Nội dung chương
• Những khái niệm cơ bản
• Nồng độ hạt dẫn
• Dòng điện trong chất bán dẫn
2. Diode bán dẫn

Những khái niệm cơ bản
• Độ dẫn điện của vật rắn
– Tùy thuộc loại vật liệu, đặc trưng bởi điện trở suất – ρ
– Thay đổi theo tác nhân bên ngoài:
ü Nhiệt độ, ánh sáng, áp suất
ü Điện trường, từ trường
ü Tạp chất...

Những khái niệm cơ bản
• Bán dẫn = bán (semi) + dẫn (conductor) = semiconductor
Vật liệu ρ (Ω.cm) Loại hạt dẫn
Dẫn điện 10-6 – 10-3 Electron
Cách điện 10+9 – 10+18 Electron và ion
Bán dẫn 10-4 – 10+10 Electron và hole (lỗ trống)
Si - Silic (Silicon), Ge - Gcmani (Germanium) : bán dẫn đơn chất

GaAs - Gali Asenic (Gallium Arsenide) : bán dẫn hợp chất
Cấu trúc vùng năng lượng
• Cấu tạo của nguyên tử

• Nguyên tử đơn lẻ: Năng lượng của
electron phân bố theo mức: s, p, d, ...
• Khi liên kết cộng hóa trị: mức biến
thành dải năng lượng
W
Vùng dẫn
Vùng hoá trị

Vùng cấm
Vùng 2
Vùng 1
TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST)

Wc là mức năng lượng đáy vùng dẫn
Wv là mức năng lượng đỉnh vùng hóa trị
Wg là độ lớn của vùng cấm
• Cấu trúc năng lượng của vật rắn gồm ba vùng:
Ø Vùng hóa trị (valence band): 0<W<Wv, tạo bởi những mức năng lượng sát
ngoài cùng, đó là những mức đã bị chiếm đầy tượng trưng cho các điện tử nằm
trong liên kết cộng hoá trị bền vững => không có khả năng dẫn điện.
Ø Vùng dẫn (conduction band): W > Wc gồm những mức năng lượng của lớp
ngoài cùng trong đó còn nhiều mức trống, tại đây điện tử có thể tự do dịch
chuyển trong toàn bộ mạng tinh thể => sẵn sàng tham gia dẫn điện khi có điện
trường.
Ø Vùng cấm (bandgap): Wv < ΔWg < Ec không có mức năng lượng nào để điện
tử có thể tồn tại được.

W W
Vùng dẫn
Vùng dẫn Điện tử
Vùng hoá trị
Wc
Vùng cấm
DWg
Vùng 2
Wv
Vùng hoá trị Lỗ trống

Vùng 1
• Mức năng lượng của e tạo thành nhiều vùng

• Vùng 1, 2 bên trong rất bền vững => Chỉ quan tâm đến 2 lớp ngoài

• Giản đồ vùng năng lượng của vật rắn (cách điện, bán dẫn, dẫn điện)
Vùng dẫn Vùng dẫn Vùng dẫn

Phần vùng dẫn
WV
và vùng hoá trị
WC WC WC chồng lên nhau
DWg
DWg
WV
Vùng hoá trị

WV Vùng hoá trị
Vùng hoá trị
a) Chất cách điện, b) Chất bán dẫn, c) Chất dẫn điện,

DWg > 5eV 0eV < DWg < 5eV DWg = 0eV

Các loại chất bán dẫn
• Bán dẫn đơn chất và bán dẫn hợp chất
• Ví dụ các nhóm dạng AIVBIV như cácbit silic SiCX với tỉ lệ là
70,045%Si + 29,955%C, được dùng để chế tạo các điện trở có trị số
biến đổi theo điện áp (Varistor-VDR).
• Hoặc nhóm hợp chất AIIIBV sự kết hợp một nguyên tử nhóm III với
một nguyên tử nhóm V như AlP, GaP; GaAs; InAs; GaSb; InSb,
những bán dẫn này được dùng để chế tao ra các linh kiện đặc biệt như
LED, LASER, Photodiot, phototransistor v.v...
• Nhóm hợp chất AIIBV kết hợp nhóm II với nhóm V như Sulfua chì
PbS; Sulfua Bismit Bi2S3; Sulfua Cadmi CdS có thể được dùng sản
xuất các dụng cụ cảm biến quang điện, ví dụ quang trở

Các dạng hạt dẫn của bán dẫn
• Dựa vào bản chất của các hạt tải điện (hay còn gọi là hạt dẫn) mà
người ta có thể chia ra thành 3 dạng dẫn của bán dẫn:
ØNếu hạt tải điện gồm 2 loại hạt với số lượng bằng nhau là điện tử và lỗ trống,
đồng thời độ dẫn phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ thì đó là bán dẫn thuần (Bán
dẫn loại I – viết tắt của từ Intrinsic).
ØNếu hạt tải điện chủ yếu là điện tử thì là bán dẫn dạng N.
ØNếu hạt tải điện chủ yếu là lỗ trống thì là bán dẫn dạng P.

Bán dẫn thuần (Intrisic)
• Độ sạch có thể đạt tới 1 phần 10 tỷ trong 1cm3 bán dẫn
(1/10.000.000.000)
• Si: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
• Ge: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p2
+14
+32
a) Cấu trúc nguyên tử của Si

b) Cấu trúc nguyên tử của Ge
Mạng tinh thể
Si
Si Si Si
Cấu trúc đơn tinh thể của Si và Ge Si
Các đôi điện tử hoá trị dùng chung

Vùng năng lượng của bán dẫn thuần
• Với vật liệu bán dẫn loại Si, GaAs và Ge, độ lớn vùng cấm như sau:
• DWg = 1,1eV (Si) ; DWg = 0,67eV (Ge)
• DWg = 1,41eV (GaAs);
• Đơn vị năng lượng tính bằng eV (electron Volt)
W = e x U (eV) ( 2-1)
• Vì điện tích của điện tử e = 1,6 x 10-19 C
nên 1eV = 1,6 x 10-19J ( 2-2)
• Với nhiệt độ 250C, trong 1cm3 của Si thuần có khoảng 1,5 x 1010 điện
tử tự do, còn của Ge tương ứng là 2,3 x 1013

Điện tử và lỗ trống trong bán dẫn thuần
• Electron (e) có thể nhảy lên vùng dẫn khi nhận được năng lượng đủ
lớn => tạo cặp e tự do và lỗ trống (h)

• Electron (e) có thể nhảy lên vùng
dẫn khi nhận được năng lượng
đủ lớn => tạo cặp e tự do và lỗ
trống (h)
• Nếu ký hiệu ni và pi là nồng độ
điện tử và lỗ trống tương ứng
trong chất bán dẫn sạch thì luôn
luôn tồn tại sự cân bằng sau:
ni = pi

• Link: https://www.youtube.com/watch?v=gRV-KDy4sHQ
Bán dẫn pha tạp: 2 loại
Loại n Loại p
Chất pha tạp có hóa trị V Chất pha tạp có hóa trị III
Þ Thừa 1 e, dễ thành e tự do Þ Thiếu 1 e, dễ lấy 1 e bên cạnh tạo ra 1 h
Þ Chất pha tạp gọi là tạp chất (hole-lỗ trống)
cho (donor) Þ Chất pha tạp gọi là tạp chất nhận (acceptor)

Bán dẫn tạp chất loại n
• Đưa một lượng rất nhỏ một chất khác có hoá trị 5 (tức là có 5 điện tử
ở lớp ngoài cùng) vào mạng tinh thể của chất bán dẫn thuần như chất
Sb-(Antimon), hoặc As-(Asen), hoặc P-(Photpho)
• Mối liên kết cộng hoá trị thừa một điện tử và dễ mất đi một điện tử
này, tức là hình thành một điện tử tự do tham gia quá trình dẫn điện
• Ở nhiệt độ trong phòng (250C), số lượng điện tử tự do của loại bán dẫn
có tạp chất Donor lớn hơn 105 lần bán dẫn thuần.
• Tạp chất loại này được gọi là tạp chất cho (Donor)
• Loại bán dẫn có pha tạp chất Donor gọi là bán dẫn loại n

Bán dẫn tạp chất loại n
W
Điện tử Vùng dẫn
Si tự do
Wc WD
Si Sb Si
Wv
Si Vùng hoá trị
• Hạt dẫn điện chủ yếu là điện tử tự do e: nn>>pn

• Vẫn có quá trình tạo các cặp điện tử và lỗ trống trong bán dẫn thuần
ni = pi

Bán dẫn tạp chất loại p
• Đưa tạp chất có hoá trị 3 (tức là có 3 điện tử ở lớp ngoài cùng) vào
mạng tinh thể của bán dẫn, ví dụ chất B-Bo (Boron), hoặc In-Indi
(Indium), hoặc Al-Nhôm (Aluminium), hoặc Ga- Gali (Gallium)
• Mối liên kết cộng hoá trị mất một điện tử và dễ nhận thêm một điện tử,
tức là hình thành một lỗ trống
• Tạp chất để tạo nên hiệu ứng này có tên là tạp chất nhận (Acceptor).
• Loại bán dẫn có pha tạp chất Acceptor gọi là bán dẫn loại p

Bán dẫn tạp chất loại p
W
Vùng dẫn
Lỗ
Si Wc
trống
Si B Si Wv WA
Si
Vùng hoá trị
• Hạt dẫn điện chủ yếu là lỗ trống: pp>>np

• Vẫn có quá trình tạo các cặp điện tử và lỗ trống trong bán dẫn thuần
ni = pi

Hạt dẫn đa số và thiểu số
• Nếu ký hiệu ni và pi, nn và pn, np và pp, là nồng độ điện tử và lỗ trống
tương ứng trong bán dẫn thuần, bán dẫn loại n, bán dẫn loại p
• Trong chất bán dẫn thuần thì luôn luôn tồn tại sự cân bằng sau:
ni = pi
• Đối với hai loại bán dẫn n và p luôn thoả mãn bất đẳng thức:
nn >> ni = pi >> pn
và
pp >> pi= ni >> np

Nội dung chương
2. Diode bán dẫn

Nồng độ hạt dẫn ☞ xem giáo trình
• Mức năng lượng Fecmi
ØMức Fecmi là mức năng lượng lớn nhất mà điện tử có thể tồn tại ở 0°K, hay
ØMức Fecmi là mức năng lượng có xác suất điện tử chiếm giữ luôn bằng 1/2 ở
bất cứ nhiệt độ nào lớn hơn 0°K. Xác suất mất e ở vùng
F(W)
hoá trị (lỗ trống)
F(W) T=0
1
T1 > 0
1 1/ 2 T2 > T 1
0
0 W W
Wf Wf
Xác suất có mặt e ở
Hàm F(W) ở 0oK Hàm F(W) ở các
vùng dẫn
nhiệt độ khác nhau

Sự phát xạ và tái hợp
• Sự phát xạ là quá trình làm xuất hiện hạt dẫn trong chất bán dẫn
• Nếu sự phát xạ tạo ra số e=h:
ü Gọi là phát xạ cặp điện tử-lỗ trống
ü Xảy ra trong bán dẫn thuần, khi có bị nung nóng, chiếu tia,...
ü Lượng phát xạ phụ thuộc cường độ của tác nhân gây ra
• Nếu sự phát xạ chỉ tạo ra e hoặc h
ü Đây chính là quá trình ion hóa tạp chất, xảy ra trong bán dẫn loại n hoặc p
ü Xảy ra ngay sau khi pha tạp, không cần tác động ngoài
ü Số lượng phát xạ phụ thuộc nồng độ pha tạp

Sự phát xạ và tái hợp
• Sự tái hợp là quá trình làm mất đi các hạt dẫn trong chất bán dẫn
• Tái hợp trực tiếp: • Tái hợp gián tiếp:
ü Hạt e từ vùng dẫn xuống gặp h ü Hạt e từ vùng dẫn rơi xuống một
vùng hóa trị tâm tái hợp trong vùng cấm rồi mới
ü Giải phóng năng lượng dạng xuống gặp h ở vùng hóa trị
photon ánh sáng => chế tạo dụng ü Tâm tái hợp: do tạp chất
cụ phát quang ü Giải phóng năng lượng dạng nhiệt
W
W
Wc Wc
WD Ion âm tạp chất nhận
WA
Ion dương tạp chất cho
Wv Wv
Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P

Nội dung chương
2. Diode bán dẫn

Cơ chế dẫn điện bằng lỗ trống

Dòng điện trong chất bán dẫn

Nội dung chương
2. Diode bán dẫn
• Chuyển tiếp/tiếp giáp P-N (P-N junction)
• Diode bán dẫn

Tiếp giáp P-N
https://www.youtube.com/watch?v=4SlfaocMfdA
Tiếp giáp P-N
• Trước khi ghép, bán dẫn P và N bao gồm các hạt dẫn đa số và thiểu số.
e tự do vùng N gần vùng tiếp giáp bắt đầu khuếch tán sang vùng P và
kết hợp với lỗ trống gần vùng tiếp giáp.
• Sau khi ghép, e khuếch tán kết hợp với lỗ trống, tạo vùng tích điện
dương bên bán dẫn N và tích điện âm bên bán dẫn P, tạo thành hàng
rào thế. Mũi tên màu xanh ở vùng nghèo thể hiện điện trường
Tiếp giáp P-N
Ø Trước khi ghép:
• Phiến N: rất nhiều e, rất ít h
• Phiến P: rất nhiều h, rất ít e
Ø Sau khi ổn định:
• Dòng khuếch tán (Ikt):
ü e từ N sang P • Do chênh lệch nồng độ hạt
ü h từ P sang N dẫn giữa hai phía của khu vực
• Ikt lúc đầu rất lớn rồi nhỏ dần
mặt ghép PN: pp >> pn và nn
>> np nên xảy ra quá trình
• Hình thành vùng nghèo (dẫn điện kém) và khuếch tán lỗ trống từ P ➠ N
Utx (khoảng 0.7 V với Si, 0.3 V với Ge) và điện tử từ N ➠ P, tạo thành
• Có dòng trôi (Itr): ngược Ikt ⇒ rất nhỏ dòng khuếch tán Ikt
• Khi chưa có điện trường ngoài: |Ikt|= |Itr| • Ikt = Ipkt + Inkt : dòng của hạt
⇒ cân bằng động dẫn đa số
Tiếp giáp P-N
• Mức năng lượng
Lúc bắt đầu ghép Sau khi ổn định
• Minority carriers: Hạt mang điện thiểu số

• Majority carriers: Hạt mang điện đa số
dtxp dtxn
Điện thế tiếp xúc Utx dtx Lớp tiếp xúc
Sự hình thành lớp tiếp P N
xúc (lớp nghèo) A K a)
• Do tồn tại lớp điện tích kép Q, • Điện tử
Lỗ trống
hình thành một điện thế tiếp xúc Ion dương Utx
Utx tại vùng tiếp giáp. Giá trị Utx Ion âm Ikt
tính theo công thức sau: Itr
KT p# KT n# pp
nn
U!" = ln = ln Phân bố nồng độ hạt b)
q p$ q n$ dẫn đa số và thiểu số np
pn
• Với chất bán dẫn: điện áp mở UDo W

DWtx=Wcp-Wcn
Ge: Utx≃0,3V Si: Utx ≃ 0,7V W fp = Wfn
c)
• Itr = In trôi + Ip trôi: dòng của hạt dẫn Sự hình thành điện tích Q
thiểu số + x d)
khối tại lớp tiếp xúc
-
• I𝜮 = Ikt - Itr = 0 Sự hình thành điện

U
Utx
x
e)
thế tiếp xúc
Nội dung chương
2. Diode bán dẫn
• Chuyển tiếp/tiếp giáp P-N (P-N junction)
• Diode bán dẫn
ü Cấu tạo và hoạt động
ü Đặc tuyến U-I (đặc tuyến vôn-ampe)
ü Sơ đồ tương đương của diode
ü Các thông số quan trọng của diode

Ký hiệu các loại diode
Các loại diode trong thực tế

Mặt cắt một diode
Tiếp xúc bán dẫn
Chân diode (quan trọng nhất) Chân diode
Vỏ

Phân loại diode
Diode bán dẫn
Diode chỉnh Diode tần số Diode chuyển Diode hiệu Diode có các tính
lưu tần số thấp cao và siêu cao mạch ứng quang năng đặc biệt
- Diode công - Diode tiếp - LED - Varicap (Varator)

suất nhỏ điểm - Photo Diode - Diode Zener
- Diode công - Diode trôi
- Laser Diode - Diode Shottky
suất trung bình - Diode Tunnel
- Diode PIN
- Diode công - Diode Gunn
suất lớn - SRD (Step
- Diode Impatt Recovery diode)
Cấu tạo và hoạt động
• Cấu tạo: là một chuyển tiếp bán dẫn, phổ biến nhất là PN

Cấu tạo và hoạt động
• Chưa phân cực

Phân cực cho diode
• Có 2 cách mắc diode
trong mạch:
Ø Phân cực ngược
Ø Phân cực thuận

Phân cực thuận cho diode

Phân cực thuận

Phân cực thuận
• Điện thế P cao hơn N Hạt dẫn Hạt dẫn
(P+, N-) đa số đa số
üEng và Etx ngược chiều Dòng khuếch tán tạo

→ E = Eng − Etx bởi hạt dẫn đa số
üDòng điện phụ thuộc
vào E
üThường E > 0 → thúc
đẩy Ikt → dòng lớn,
vùng nghèo nhỏ E Etx
Điện trường ngoài (Eng)

Phân cực thuận
Chưa phân cực Phân cực thuận
• Diode gây một sụt áp đúng bằng Utx, ~ 0.7 V với Si, ~0.3 V với Ge
ü Thực tế 1: Utx phụ thuộc độ rộng vùng nghèo ➞ phụ thuộc Ikt
ü Thực tế 2: UAK =Utx +sụt áp do điện trở thuần

Phân cực thuận cho diode

Phân cực ngược

• Điện thế P thấp hơn N Hạt dẫn Hạt dẫn
(P-, N+) đa số đa số
üEng và Etx cùng chiều
→ E = Eng + Etx
üE cản mạnh Ikt, vùng
nghèo mở rộng
☞Về cơ bản là không có
dòng điện chạy qua
diode Điện trường ngoài (Eng) Etx

Hạt dẫn
Hạt dẫn thiểu số
thiểu số
Dòng trôi
Điện trường ngoài (Eng) Etx
• Thực tế có dòng trôi rất nhỏ của các hạt dẫn thiểu số
• Itr ít phụ thuộc Eng, nhưng tăng mạnh theo nhiệt độ
Đặc tuyến V-I (Vôn-Ampe)
• Vùng thuận
ü Dòng tăng nhanh khi vượt qua ngưỡng Utx
ü Tốc độ tăng không đều => rD không cố định (r động)
r!" = ∆V# /∆I#

Điện áp Dòng ngược
• Vùng ngược đánh thủng cực nhỏ
ü Dòng ngược (Itr) cỡ nA
üU đt cỡ vài chục đến hàng
nghìn vôn
üĐánh thủng (Break-down)
do điện: không làm hỏng
diode và có thể có ích Vùng đánh thủng do
Điện
üĐánh thủng do nhiệt: Hỏng!
Vùng đánh thủng do

Nhiệt

Ảnh hưởng của nhiệt độ: Khi T tăng dòng ngược tăng, sụt áp thuận giảm???

• Phương trình Shockley
$!
I" = I# e%$" −1
IS: dòng ngược bão hòa Dòng ngược
UD: điện áp trên diode (UAK) bão hoà IS
m: 1-2 (lý tưởng là 1)
UT: điện thế nhiệt
'&
U& = (
≈ 0.026V (tại 25oC)
K=1,38.10-23J/oK
q= 1,6.10-19 C
T: Nhiệt độ Kenvin (oK) = oC+273
üMô tả dòng điện qua diode
üKhi nhiệt độ không đổi, ID là hàm 1 biến của UD

Nội trở của diode
• Nội trở 1 chiều r! = V# /I#
IF
U%
r% = r!" = ∆V# /∆I#
I%
• Nội trở xoay chiều (vi phân của nội trở)

VF
ΔU%
r%& =
ΔI%

Sơ đồ tương đương của Diode
• Mô hình diode lý tưởng:
• Không có sụt áp do tiếp giáp PN
• Không có nội trở r’D (có thể ghi là rD)
• Không phụ thuộc tần số, nhiệt độ

• Mô hình tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản (r'D = 0)
üCó tính đến sụt áp do tiếp xúc PN: UD0 = Utx (Si: 0.7V; Ge: 0.3V)
üBỏ qua nội trở của diode

• Mô hình tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ)
üCó tính đến sụt áp do tiếp xúc PN: UD0 = Utx (Si: 0.7V; Ge: 0.3V)
üCó tính đến sụt áp do nội trở của diode (r’D)

Ø Điều kiện áp dụng
• Lý tưởng:
ü r'D << (R + nội trở của nguồn U)
ü UD0 << U
• Tuyến tính hóa từng đoạn đơn giản (r'D = 0):
ü r'D << (R + nội trở của nguồn U)
ü UD0 có giá trị tương đương so với U
• Tuyến tính hóa từng đoạn (đầy đủ):
ü r'D có giá trị tương đương với (R + nội trở của nguồn U)
ü UD0 có giá trị tương đương so với U
Ø Chú ý: Điều kiện chung là tần số (của nguồn U) thấp
Bài tập áp dụng
Cho: R = 10 Ω, U = 5 V
UD0 = 0.7 V, rD = 1 Ω, IS = IR = 1 μA
– Hãy chọn mô hình tương đương phù hợp?
– Tính dòng điện và điện áp của điện trở R trong hai trường hợp sau:
☞Mô phỏng trên Multisim

Bài tập áp dụng
Tính các giá trị điện áp và dòng điện trên R1 và RL
☞Mô phỏng trên Multisim

So sánh kết quả mô phỏng và tính toán

• Sơ đồ tương đương tần số cao

Các thông số quan trọng của diode
• Thông số giới hạn
• Thông số điện
• Thông số cơ khí

Tên gọi Ký hiệu Định nghĩa
Điện áp đánh thủng (Voltage Uđt Là điện áp ngược, tại đó diode bị đánh thủng (dòng ngược tăng
Breakdown) đột ngột)
Điện áp ngược cực đại Ung max Là điện áp ngược cực đại cho phép sử dụng ở chế độ làm việc để
diode chưa bị đánh thủng (thường Ung max ≃ 80% Uđt)
Dòng chỉnh lưu trung bình cực I0 max Là giá trị trung bình lớn nhất cho phép của dòng chỉnh lưu qua
đại (Average Rectified Current) diode
Dòng thuận đỉnh cực đại (Peak IP max Là giá trị tức thời cực đại cho phép đối với dòng thuận
Repetitive Forward Current)
Dòng thuận đỉnh cực đại ở thời IPS max Là giá trị tức thời cực đại cho phép ở thời điểm đóng mạch
điểm chuyển mạch (Peak (xung). Dòng này thường xảy ra ở khoảng thời gian ngắn khi
Forward Surge Current) đóng mạch cấp điện áp cho diode nên thường có giá trị lớn. Khi
xung càng ngắn giá trị IPS max càng cao.
Công suất tiêu tán cực đại PD max Là công suất cực đại mà diode phải tiêu tán sao cho không bị
nung nóng quá giới hạn cho phép

Tên gọi Ký hiệu Định nghĩa
Điện áp thuận trên diode UD Là điện áp hạ trên diode khi phân cực thuận. Điện áp này phụ
thuộc vào dòng thuận. Dòng thuận tăng thì UD cũng tăng theo.
Dòng ngược bão hoà IS Là dòng điện khi diode phân cực ngược. Dòng này thường rất nhỏ
và phụ thuộc vào nhiệt độ, nhiệt độ tăng dòng IS tăng. Đối với
diode loại Si có dòng IS nhỏ hơn nhiều so với diode loại Ge
Điện trở một chiều RD= UD/ID Là điện trở đối với thành phần dòng một chiều
Điện trở xoay chiều (vi phân) rD= dUD/dID Là điện trở diode đối với thành phần tín hiệu xoay chiều
Điện dung khuếch tán Ckt Là điện dung sinh ra ở khu vực tiếp xúc khi có sự khuếch tán hạt
dẫn ở chế độ phân cực thuận
Điện dung hàng rào (barrier) Cbar Là điện dung của lớp tiếp xúc khi diode phân cực ngược
Thời gian hồi phục 𝜏hp Là khoảng thời gian diode trở lại trạng thái không dẫn khi diode
chuyển từ trạng thái phân cực thuận (UD>0) sang trạng thái phân
cực ngược (UD<0)
Tần số làm việc cực đại fmax Là tần số cực đại của tín hiệu mà chưa làm mất tính chỉnh lưu của
diode.
TS. Trần Anh Tần sốDept.
Vũ (Electronics nàySEEE,
phục thuộc vào giá trị điện dung của diode 71
HUST)
Tên gọi Giải thích
Hình dáng cơ khí của diode Cho biết kiểu và các chất liệu khác nhau làm vỏ (bằng hình vẽ và chú
giải)
Kích thước của diode Bao gồm kích thước vỏ, chân nối
Ký hiệu cực (Anot hay Katot) trên vỏ Có nhiều phương pháp: như dùng một dải màu bao quanh một đầu vỏ
diode, hoặc dùng hình dáng chế tạo để đánh dấu…
Trọng lượng của diode Cho biết trọng lượng của diode
Nhiệt độ cực đại tại chân nối khi hàn Cho biết nhiệt độ cực đại cho phép tại chân của diode khi hàn vào mạch.
Thường cho biết khoảng cách từ chỗ hàn đến vỏ ứng với nhiệt độ và
thời gian hàn

Nội dung chương
2. Diode bán dẫn
• Mạch chỉnh lưu dòng điện xoay chiều
• Mạch hạn chế
• Mạch dịch mức
• Mạch ổn áp sử dụng diode Zenner

Mạch chỉnh lưu dòng điện xoay chiều
• Bộ nguồn 1 chiều cơ bản
ü Nhiệm vụ: tạo ra điện DC áp thấp từ điện AC áp cao
ü Mức điện áp AC đầu vào:
• Mỹ: 120V, 60Hz Nhật: 100V, 50 hoặc 60Hz
• Châu Âu: 220V, 50Hz Nga: 220V, 50Hz
• Điện áp DC đầu ra: 1.8, 2.5, 3.3, 5, 12, 24,... (V)

Mạch chỉnh lưu dòng điện xoay chiều
• Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
• Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ
• Mạch chỉnh lưu cầu
• Mạch chỉnh lưu nhân đôi điện áp
• Mạch chỉnh lưu cho điện áp ra đối xứng

Mạch chỉnh lưu một nửa chu kỳ
Giả thiết Diode lý tưởng VD=0V
https://instrumentationtools.com
/half-wave-rectifier-principle/

Giả thiết Diode lý tưởng VD=0V
- Điện áp ra trung bình:
V+
U'( = V()* = = 31,8%V#
𝜋
- Dòng điện ra trung bình: I=Ura/Rt
Ví dụ: xác định điện áp ra trung bình của chỉnh lưu nửa chu kỳ như hình
V+
V()* = = 0,318x50 = 15,9V
𝜋

Diode thực tế (Si: VD=0,7V)
V 0,7V ☞Mô phỏng trên Multisim

Vin
Vout=Vin-VD=Vin-0.7V
t
Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ https://instrumentationtools
.com/center-tapped-full-
wave-rectifier-operation/
Dùng biến áp với cuộn thứ cấp có điểm giữa

Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ
Điện áp đầu ra = ½ điện áp cuộn sơ cấp (phụ thuộc tỷ lệ giữa cuộn sơ
cấp và thứ cấp)
Điện áp ra trung bình:
,
U'( = U. = 0,636 U.
-

V 0,7V
Vin
t
Vout=Vin-VD=Vin-0.7V
Mạch chỉnh lưu cầu
Xuất phát từ mạch cầu Wheatstone (cầu điện trở)
– Mạch chỉnh lưu tạo bởi 4 diode
– Có thể chỉnh lưu cả chu kỳ

https://instrumentationtools.com/bridge-full-wave-rectifier-operation/

Vout=Vin-2VD
V 2VD=1,4V
Vin
t
Vout=Vin-2VD=Vin-1,4V

Mạch chỉnh lưu cầu v.s mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ
Tiêu chí so sánh Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ Mạch chỉnh lưu cầu
Số lượng diode 2 4
Biến áp Dùng biến áp thứ cấp có điểm giữa Biến áp thường và cầu
Số vòng cuộn thứ cấp N+N diode
Hao hụt điện áp ra UDo 2UDo
Điện áp ngược đặt lên 2Um Um
diode (trong quá trình
diode phân cực ngược
Ứng dụng Cồng kềnh, tốn kém => ít dùng Gọn, rẻ => phổ biến

Lọc sau chỉnh lưu
Không tụ lọc Có tụ lọc
Khi có tụ lọc, Ura tăng đáng kể

Nếu tụ đủ lớn: Ura ≈ Um

Lọc sau chỉnh lưu
(a) Initial charging of the capacitor (diode
is forward-biased) happens only once
when power is turned on.
(b) The capacitor discharges through RL

after peak of positive alternation when the
diode is reverse-biased. This discharging
occurs during the portion of the input
voltage indicated by the solid dark blue
curve.
(c) The capacitor charges back to peak of

input when the diode becomes forward-
biased. This charging occurs during the
portion of the input voltage indicated by
the solid dark blue curve.
Bài tập mô phỏng Mạch chỉnh lưu cầu

Mạch chỉnh lưu bội áp (nhân điện áp)
• Nhân đôi, một nửa chu kỳ (Half-Wave Voltage Doubler)
Điện áp ra
dương?

• Nhân đôi, cả chu kỳ (Full-Wave Voltage Doubler)

• Nhân ba và nhân bốn (Voltage tripler/Quadrupler), nửa chu kỳ

Nội dung chương
2. Diode bán dẫn

Mạch hạn chế (Diode limiter/ clipper)
• Chức năng: giới hạn biên độ tín hiệu
• Có 3 loại:
ü Mạch hạn chế mức dưới
ü Mạch hạn chế mức trên
ü Mạch hạn chế mức trên và dưới
• Với diode, có 2 loại mạch thực hiện:
ü Mạch hạn chế nối tiếp
ü Mạch hạn chế song song

Mạch hạn chế nối tiếp
• Hạn chế mức dưới (dương) Diode lý tưởng VD=0 VD=0.7V
D
Vout Vout 0.7
R E tE t
Vin Vout
E Vin Vin
Vout Vout
Khi Vin ≥ E+VD =>D thông
=> Vout=Vin-VD E E
Khi Vin ≤ E+VD =>D khoá 0 E Vin 0 0.7 E+0.7 Vin
=> Vout=E
Đặc tuyến liên hệ giữa Vin và Vout

• Hạn chế mức dưới (âm) Diode lý tưởng VD=0 VD=0.7V
D
Vout Vout 0.7
R t t
Vin Vout E
Vin -E Vin
E
Vout Vout
Khi Vin ≥ -E+VD =>D thông
=> Vout=Vin-VD
-E -E+0.7
Khi Vin ≤ -E+VD =>D khoá 0 Vin 0 0.7 Vin
=> Vout=-E -E -E

• Hạn chế mức trên (dương) Diode lý tưởng VD=0 VD=0.7V
D
Vout Vout
R E t E t
Vin Vout
E Vin Vin
0.7
Vout Vout
Khi Vin ≤E-VD =>D thông
E
=> Vout=Vin+VD E 0.7
Khi Vin ≥ E-VD =>D khoá 0 E Vin 0 E-0.7 Vin
=> Vout=E

• Hạn chế mức trên (âm) Diode lý tưởng VD=0 VD=0.7V
D
Vout Vout
R t t
Vin Vout E
Vin -E Vin
E 0.7
Vout
Vout
Khi Vin ≤-E-VD =>D thông
=> Vout=Vin+VD -E 0
Vin -E-0.7
Khi Vin ≥ -E-VD =>D khoá -E 0 Vin
=> Vout=-E -E

Mạch hạn chế song song
• Hạn chế mức dưới (dương) Diode lý tưởng VD=0 VD=0.7V
R
Vout Vout
E 0.7
D tE t
Vin Vout
E Vin Vin
Vout Vout
Khi Vin ≤ E-VD =>D thông
=> Vout=E-VD E
E
E
Khi Vin ≥E-VD =>D khoá => 0 E Vin 0 Vin
E-0.7
Vout=Vin

• Hạn chế mức dưới (âm) Diode lý tưởng VD=0 VD=0.7V
R
Vout Vout
D t t
Vin Vout -E 0.7
Vin -E Vin
E
Vout Vout
Khi Vin ≤ -E-VD =>D thông
=> Vout=-E-VD
-E -E 0
Khi Vin ≥-E-VD =>D khoá 0 Vin Vin
=> Vout=Vin -E -E
-E-0.7

• Hạn chế mức trên (dương) Diode lý tưởng VD=0 VD=0.7V
R
Vin Vin
0.7
E t E t
D
Vin Vout
E Vout
Vout
Vout Vout
Khi Vin ≥E+VD =>D thông E+0.7
=> Vout=E+VD E E
Khi Vin ≤E+VD =>D khoá 0 E Vin 0 E+0.7 Vin
=> Vout=Vin

• Hạn chế mức trên (âm) Diode lý tưởng VD=0 VD=0.7V
R
Vin Vout
D t t
Vin Vout -E 0.7
-E Vin
E Vout
Vout Vout
Khi Vin ≥-E+VD =>D thông
=> Vout=-E+VD -E 0 -E 0
Khi Vin ≤-E+VD =>D khoá Vin Vin
-E -E+0.7
=> Vout=Vin -E

• Hạn chế trên-dưới
R
Vout
D1 D2
Vout E1
Vin t
E1 E2 -E2
Vin

Ví dụ
• Hạn chế mức trên (dương) Diode lý tưởng VD=0
R VA
VA
D E t
Vout
Vin
Rt
E
Vout
VA=Vin Rt/(R+Rt) Vout
Khi VA ≥E=>D thông => E

Vout=E
0 VA Vin
Khi VA ≤E=>D khoá =>
Vout=VA
Nội dung chương
2. Diode bán dẫn

Mạch dịch mức
• Chức năng: Cộng thành phần DC vào điện áp AC
• Đồ thị tín hiêu AC được:
ü Dịch lên nếu cộng giá trị dương
ü Dịch xuống nếu cộng giá trị âm
• Có 2 loại mạch thực hiện:
ü Dịch mức dương
ü Dịch mức âm

Mạch dịch mức (Diode Clampers)
• Dịch mức dương

Mạch dịch mức (Diode Clampers)
• Dịch mức âm

Nội dung chương
2. Diode bán dẫn

Diode ổn áp (zener)
• Phát huy tác dụng chính khi:
üĐược phân cực ngược, và
üTrong vùng đánh thủng do điện
(IZ(min) < IZ < IZ(max))
• Trong suốt quá trình đánh thủng do
điện, điện áp diode không đổi
=> có thể làm phần tử ổn áp
• Thông số quan trọng:
UZ, IZ(min), IZ(max), rZ
• Thông số phụ: IZ0 = (IZ(min) + IZ(max))/2,
PZ(max) = IZ(max) × UZ

ID
Các tham trong đó: Vùng cắt dòng
UZ
UD
• UZ: Điện áp danh định - là điện áp trung bình IZmin
Vùng Zener
tiêu biểu của Diode Zener ở vùng làm việc. (Vùng đánh thủng
IZ0
Thông thường đối với các loại Diode Zener UZ do điện)
nằm trong khoảng từ 1,8V đến 200V, công suất IZmax
(Vùng đánh thủng
tiêu tán ở chế độ Zener từ 0,25W đến 50W do nhiệt)
• IZ min: Dòng điện tối thiểu - là dòng đủ để Diode duy trì được ở chế độ Zener.
• IZ max: Dòng điện tối đa cho phép - nếu I > IZ max Diode sẽ chuyển sang vùng đánh thủng về
nhiệt, tiếp giáp bị nóng cục bộ và Diode bị phá huỷ không hồi phục được.
• IZ0: Dòng danh định - là dòng ứng với 1/4 công suất cực đại và được tính bằng công thức
I# %&' + I# %()
𝐼#$ =
2
• RZ: Điện trở tĩnh
• rZ: Điện trở xoay chiều (điện trở động)
Diode ổn áp (zener): Sơ đồ tương đương

Chế độ ổn áp ⬄ Ura ổn định (IZ(min) < IZ < IZ(max))
Điện áp: Ura=UZ + IZ.rZ ≈ UZ
Các trường hợp đặc biệt:
ü Diode lý tưởng (rZ = 0)
ü Mạch hở tải (Rt =∞)
Công thức tổng quát cho mạch:

Các dạng bài toán: R
U*à, − U) 1 +
ü Biết mạch và tải => tính dải Uvào R-
I) =
ü Biết dải Uvào và Rtải=> tính dải R R. r)
R + r) + R
-
ü Biết dải Uvào và R=> tính dải Rtải

VD1: Cho UZ = 10 V, rZ = 0, IZmin =1mA, IZmax=100mA,
R=100Ω, Rt =1kΩ. Mạch đang ổn áp.
Hỏi: Điện áp vào có thể biến thiên trong dải nào?
U)
U*à, = I. R + U) = + I) R + U)
R-
VD2: Cho UZ =10V, rZ =0, IZmin =1mA, IZmax =100mA,

R= 100 Ω. Mạch đang ổn áp.
Hỏi: Dòng tải It tối đa và tối thiểu khi Uvào = 20 V?
U*à, − U)
I- = I − I) = − I)
R

VD3: Xác định giá trị cực tiểu và cực đại của điện áp vào:
Uv min, Uv max nếu biết IZmin = 1mA, IZmax = 15mA,
UZ =5V, rZ =10Ω, R =1KΩ, Rt =1KΩ.

Mạch hạn chế sử dụng Diode zener

Tổng kết chương
• Nội dung đã học
ü Vật liệu bán dẫn
ü Diode bán dẫn
ü Một số ứng dụng của diode
• Nội dung quan trọng (tăng GPA, CPA):
ü Nguyên lý hoạt động của diode (tiếp giáp PN)
ü Đặc tuyến vôn-ampe, phương trình Shockley
ü Ba (3) sơ đồ tương đương của diode
ü Mạch chỉnh lưu, mạch hạn chế, và mạch dịch mức
ü Tính toán mạch ổn áp bằng diode zener


Chapter 2 - Bán dẫn và diode

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chapter 2 - Bán dẫn và diode

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

BÀI GIẢNG CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

CHẤT BÁN DẪN VÀ DIODE BÁN DẪN

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 2

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 3

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 4

Si - Silic (Silicon), Ge - Gcmani (Germanium) : bán dẫn đơn chất

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 6

Vùng hoá trị

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST)

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 8

Vùng hoá trị Lỗ trống

• Mức năng lượng của e tạo thành nhiều vùng

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 9

Vùng dẫn Vùng dẫn Vùng dẫn

Vùng hoá trị

Vùng hoá trị

a) Chất cách điện, b) Chất bán dẫn, c) Chất dẫn điện,

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 10

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 11

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 12

a) Cấu trúc nguyên tử của Si

Cấu trúc đơn tinh thể của Si và Ge Si

Các đôi điện tử hoá trị dùng chung

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 14

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 15

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 16

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 17

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 19

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 20

• Hạt dẫn điện chủ yếu là điện tử tự do e: nn>>pn

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 21

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 22

• Hạt dẫn điện chủ yếu là lỗ trống: pp>>np

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 23

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 24

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 25

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 26

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 27

Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 29

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 30

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 31

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 33

• Minority carriers: Hạt mang điện thiểu số

tính theo công thức sau: Itr

• Với chất bán dẫn: điện áp mở UDo W

• I𝜮 = Ikt - Itr = 0 Sự hình thành điện

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 39

Các loại diode trong thực tế

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 41

Diode bán dẫn

- Diode công - Diode tiếp - LED - Varicap (Varator)

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 45

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 46

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 47

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 48

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 49

üEng và Etx ngược chiều Dòng khuếch tán tạo

Điện trường ngoài (Eng)

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 50

Chưa phân cực Phân cực thuận

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 51

TS. Trần Anh Vũ (Electronics Dept. SEEE, HUST) 52