Chapter2 Diode

Chương 2: diode bán dẫn
CHƯƠNG 2: DIODE BÁN DẪN

2.1 VẬT LIỆU BÁN DẪN
2.4.1 Dải năng lượng
Nguyên tử (atom): là phần nhỏ nhất của một nguyên tố. 118 nguyên tố được
biểu diễn trong bảng tuần hoàn Mendeleev hình 2.1.
Hạt nhân (nucleus): bao gồm các hạt mang điện tích dương gọi là các hạt proton
(ký hiệu là p), và các hạt không tích điện được gọi là các hạt neutron (ký hiệu là n).
Số nguyên tử bằng với số hạt proton trong hạt nhân.
Điện tử (electron): là các hạt tích điện âm.
Hình 2.1: bảng tuần hoàn các nguyên tố
Hình 2.2: nguyên tử Hydro và Heli
23
Các mức năng lượng

Các điện tử di chuyển theo quỹ đạo quanh hạt nhân của một nguyên tử với
khoảng cách cố định. Các điện tử ở gần hạt nhân sẽ có năng lượng nhỏ hơn so với
các điện tử ở xa hơn. Các điện tử di chuyển theo quỹ đạo chỉ ở những khoảng cách
rời rạc từ hạt nhân.
Mỗi khoảng cách rời rạc (quỹ đạo) từ hạt nhân tương ứng với một mức năng
lượng nhất định. Trong một nguyên tử, các quỹ đạo được hợp thành nhóm các mức
năng lượng, được gọi là các lớp (shell). Mỗi nguyên tử có số lớp cố định, mỗi lớp
chứa số điện tử tối đa cố định.
Hình 2.3: minh hoạ mô hình Bohr của nguyên tử Silic
Số cực đại các điện tử trong mỗi lớp của một nguyên tử được tính theo công
thức,
𝑁𝑒 = 2. 𝑛2
n: là số lớp
Bảng 2.1: số điện tử tối đa từng lớp
Thứ tự lớp (n) Số điện tử tối đa của lớp tương ứng
n=1 𝑁𝑒 = 2
n=2 𝑁𝑒 = 8
n=3 𝑁𝑒 = 18
n=4 𝑁𝑒 = 32
24
Điện tử hoá trị: các điện tử ở quỹ đạo xa hơn từ hạt nhân sẽ có năng lượng càng
lớn hơn. Các điện tử có năng lượng cao nhất tồn tại ở lớp ngoài cùng của nguyên tử,
các điện tử này được gọi là các điện tử hoá trị. Khi điện tử hoá trị nhận được đủ mức
năng lượng từ nguồn bên ngoài cung cấp, nó có thể tách rời tự do với nguyên tử của
nó. Đây là cơ sở cho sự dẫn điện của vật liệu.
Sự iôn hoá
Khi nguyên tử hấp thu năng lượng, năng lượng các điện tử được nâng lên. Các điện
tử hoá trị có năng lượng nhiều hơn và bị hút lỏng hơn với nguyên tử, vì vậy chúng có
thể dễ dàng nhảy đến các lớp có mức năng lượng cao hơn.
Nếu một điện tử hoá trị có một năng lượng đủ mức, được gọi là năng lượng iôn
hoá, nó dễ dàng thoát khỏi từ lớp ngoài cùng và sự ảnh hưởng của nguyên tử. Sự rời
khỏi của điện tử hoá trị để lại một nguyên tử trung hoà làm cho sự thừa điện tích
dương (có nhiều proton hơn điện tử). Quá trình mất điện tử hoá trị được gọi là sự iôn
hoá, dẫn đến nguyên tử tích điện dương được gọi là iôn dương.
Các định đề của Bohr
Bohr đã đưa ra 3 định đề sau.
Định đề 1: các điện tử không thể chiếm giữa các trạng thái ở tất cả các mức
năng lượng như được cho bởi quy trình cổ điển; các điện tử có thể giữ các trạng thái
chỉ ở các mức năng lượng rời rạc cụ thể. Khi một điện tử chiếm giữ một trạng thái tại
một trong các mức năng lượng rời rạc này, thì điện tử không thể phát ra sự bức xạ và
nó được cho là ở trong trạng thái dừng hoặc không bức xạ (non-radiating).
Định đề 2: khi một điện tử di chuyển từ trạng thái dừng với năng lượng W2 tới
trạng thái dừng khác có mức năng lượng thấp hơn là W1, hệ quả dẫn đến sự phát ra
bức xạ tại tần số được xác định là
(𝑊2 −𝑊1 )
𝑓= [Hz] (2.1)
ℎ
trong đó: f là tần số bức xạ,

h là hằng số Planck: h = 6,62x10-34 J (Joule).
Định đề 3: bất kỳ trạng thái dừng (hay không bức xạ) được xác định bằng điều
kiện mà động lượng góc (angular momentum) của điện tử ở trạng thái này được lượng
tử hoá phải là bội số của h/2. Tức là,
𝑛.ℎ
𝑚. 𝑣. 𝑟 = (2.2)
2.𝜋
với n là số nguyên. Bán kính của các quỹ đạo dừng khác nhau được tính là
𝜀0 .ℎ 2 .𝑛2
𝑟𝑛 = (2.3)
𝜋.𝑚.𝑞2
25
𝑟𝑛 = 0,527𝑥10−10 𝑛2 [𝑚]
Tổng năng lượng của điện tử ở các trạng thái dừng được xác định là
−𝑚.𝑞4
𝑊𝑛 = [J] (2.4)
8.𝜀02 .ℎ 2 .𝑛2
Tổng năng lượng của điện tử ở các trạng thái dừng tính theo eV:
−𝑚.𝑞3 −13,6
𝑊𝑛 = = [eV] (2.5)
8.𝜀02 .ℎ 2 .𝑛2 𝑛2
Bước sóng của bức xạ được phát ra được tính là:

12400
𝜆= [𝐴]̇ (2.6)
𝑊2 −𝑊1
trong đó,
W1 và W2 được tính bằng đơn vị eV.
𝐴̇ là đơn vị Angstrom: 1𝐴̇ = 10-10 m
Ví dụ 2.1: từ công thức (2.5), để tách rời điện tử ở quỹ đạo đầu tiên (n = 1) của nguyên
tử Hydro, tức là thực hiện iôn hoá nguyên tử, năng lượng cần để tách rời điện tử là
13,3 eV.
Ví dụ 2.2: tìm bước sóng của ánh sáng phát ra khi nguyên tử Hydro di chuyển từ tầng
thứ 10 đến trạng thái nền (tầng 1).
Giải:
Bước sóng được tính trong trường hợp này là
12400
𝜆= [𝐴]̇
𝑊10 −𝑊1
−13,6
Năng lượng tầng thứ 10: 𝑊10 = = −0,136 𝑒𝑉
102
Năng lượng trạng thái nền: 𝑊1 = −13,6 𝑒𝑉

12400
⇒𝜆= = 920,97 [𝐴]̇
−0,136−(−13,6)
Dựa vào cấu trúc dải năng lượng người ta chia vật chất ra làm ba loại là chất
cách điện, chất bán dẫn và chất dẫn điện. Cấu trúc năng lượng của nguyên tử vật chất
được phân chia thành ba vùng năng lượng khác nhau là: vùng hóa trị, vùng dẫn và
vùng cấm. Mức năng lượng cao nhất của vùng hóa trị ký hiệu là 𝐸𝑣 ; mức năng lượng
thấp nhất của vùng dẫn ký hiệu là 𝐸𝑐 và độ rộng vùng cấm ký hiệu là 𝐸𝐺 . Trong hình
1.4a, kim cương có năng lượng cấm khoảng 6 eV.
26
Chất cách điện có dải năng lượng cấm rộng, nó không dẫn điện ở các điều kiện
thông thường. Các điện tử hoá trị bị liên kết chặt với các nguyên tử, vì thế có rất ít
các điện tử tự do. Số điện tử tự do của chất cách điện khoảng 107 điện tử/m3.
Chất dẫn điện là vật liệu có thể dẫn điện dễ dàng, nó không có dải cấm. Hầu hết
các kim loại đều dẫn điện tốt, chẳng hạn như đồng, bạc, vàng và nhôm, các nguyên
tử của các kim loại này có duy nhất một điện tử hoá trị có liên kết lỏng với nguyên
tử, và các điện tử hoá trị này sẽ trở thành các điện tử tự do. Số điện tử tự do có trong
chất dẫn điện tốt khoảng 1028 điện tử/m3.
Chất bán dẫn là vật liệu ở giữa chất dẫn điện và cách điện về khả năng dẫn điện,
dải năng lượng cấm của nó nhỏ khoảng 1 eV. Số điện tử tự do của chất bán dẫn
khoảng 107  1028 điện tử/m3.
Dải dẫn
Dải dẫn
Các điện
tử tự do
EG = 6eV
Dải cấm EG = 1eV

Dải hoá trị
Các lỗ
trống
Dải hoá
trị
(a) (b) (c)
Hình 2.4: cấu trúc dải năng lượng

(a- Chất cách điện b- Chất bán dẫn c- Kim loại)
2.4.2 Chất bán dẫn

2.1.2.1 Định nghĩa và đặc điểm chất bán dẫn
Chất bán dẫn là vật chất có điện trở suất nằm ở giữa trị số điện trở suất của chất
dẫn điện và chất điện môi khi ở nhiệt độ phòng: 𝜌 = 10−4 ÷ 107 Ω. 𝑚.
Trong kỹ thuật điện tử chỉ sử dụng một số chất bán dẫn có cấu trúc đơn tinh thể,
quan trọng nhất là hai nguyên tố Germani và Silic. Thông thường Germani và Silic
được dùng làm chất chính, còn các chất như Bo và Indi (nhóm III), Phosphor và Asen
(thuộc nhóm V) làm tạp chất cho các vật liệu bán dẫn chính.
2.1.2.2 Chất bán dẫn thuần
Chất bán dẫn mà ở mỗi nút của mạng tinh thể của nó chỉ có nguyên tử của một
27
loại nguyên tố thì chất đó gọi là chất bán dẫn thuần và được ký hiệu bằng chỉ số i
(Intrinsic).
Hạt tải điện trong chất bán dẫn thuần
Hạt tải điện trong chất bán dẫn là các điện tử tự do trong vùng dẫn và các lỗ
trống trong vùng hóa trị.
Xét cấu trúc của tinh thể Germani hoặc Silic biểu diễn trong không gian hai
chiều như trong hình 2.5: Germani (Ge) và Silic (Si) đều có 4 điện tử hóa trị ở lớp
ngoài cùng. Trong mạng tinh thể mỗi nguyên tử Ge (hoặc Si) sẽ góp 4 điện tử hóa trị
của mình vào liên kết cộng hóa trị với 4 điện tử hóa trị của 4 nguyên tử kế cận để sao
cho mỗi nguyên tử đều có hóa trị 4. Hạt nhân bên trong của nguyên tử Ge (hoặc Si)
mang điện tích +4. Như vậy các điện tử hóa trị ở trong liên kết cộng hóa trị sẽ có liên
kết rất chặt chẽ với hạt nhân. Do vậy, mặc dù có sẵn 4 điện tử hóa trị nhưng tinh thể
bán dẫn có độ dẫn điện thấp. Ở nhiệt độ 00K, cấu trúc lý tưởng như ở hình 2.5 là gần
đúng và tinh thể bán dẫn như là một chất cách điện.
Hình 2.5: cấu trúc tinh thể Ge
28
Hình 2.6: tinh thể Germani với liên kết cộng hóa trị bị phá vỡ
Tuy nhiên, ở nhiệt độ trong phòng một số liên kết cộng hóa trị bị phá vỡ do
nhiệt làm cho chất bán dẫn có thể dẫn điện. Hiện tượng này mô tả trong hình 2.6. Ở
đây, một số điện tử bứt ra khỏi liên kết cộng hóa trị của nó và trở thành điện tử tự do.
Năng lượng EG cần thiết để phá vỡ liên kết cộng hóa trị khoảng 0,72 eV cho Ge và
1,1 eV cho Si ở nhiệt độ trong phòng. Chỗ thiếu 1 điện tử trong liên kết cộng hóa trị
được gọi là lỗ trống. Lỗ trống mang điện tích dương và có cùng độ lớn với điện tích
của điện tử. Điều quan trọng là lỗ trống có thể dẫn điện như điện tử tự do.
Trong chất bán dẫn thuần, số lượng các lỗ trống đúng bằng số lượng các điện tử
tự do.
𝑝𝑖 = 𝑛𝑖 (2.7)
𝑝𝑖 : nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn thuần.
𝑛𝑖 : nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn thuần.
Tiếp tục tăng nhiệt độ thì từng đôi điện tử - lỗ trống mới sẽ xuất hiện, ngược lại
khi có hiện tượng tái hợp sẽ mất đi từng đôi điện tử - lỗ trống.
Độ dẫn điện của chất bán dẫn
Mật độ dòng điện qua chất bán dẫn J sẽ là:
𝐽 = (𝑛. 𝜇𝑛 + 𝑝. 𝜇𝑝 ). 𝑞. 𝐸 = 𝜎. 𝐸 (2.8)
n: nồng độ điện tử tự do (điện tích âm),
p: nồng độ lỗ trống (điện tích dương),
σ: độ dẫn điện,
μn : độ linh động của điện tử,
29
μp : độ linh động của lỗ trống.

Do đó độ dẫn điện:
𝜎 = (𝑛. 𝜇𝑛 + 𝑝. 𝜇𝑝 ). 𝑞 (2.9)
Bảng 2.2: các đặc tính của Ge và Si
Các đặc tính Ge Si
Số nguyên tử 32 14
Nguyên tử lượng 72,6 28,1
Tỷ trọng (g/cm3 ) 5,32 2,33
Hằng số điện môi 16 12
Số nguyên tử/ cm3 4,4.1022 5,0. 1022
EG0 , eV, ở 0°K,(năng lượng vùng cấm) 0,785 1,21
EG , eV, ở 300°K 0,72 1,1
ni ở 300°K, cm−3 (nồng độ hạt dẫn điện tử) 2,5. 1013 1,5. 1010
Điện trở suất thuần ở cở 300°K [Ω.cm] 45 230
μn , cm2 /V-sec 3800 1300
μp , cm2 /V-sec 1800 500

99 34
Dn , cm2 / sec = μn . VT
47 13
Dn , cm2 / sec = μp . VT
Khi tăng nhiệt độ, mật độ các đôi điện tử - lỗ trống tăng và do đó độ dẫn điện
tăng. Cho nên, nồng độ điện tử 𝑛𝑖 của bán dẫn thuần sẽ thay đổi theo nhiệt độ trong
quan hệ:
𝑛𝑖2 = 𝐴0 𝑇 3 𝑒 −𝐸𝐺0/𝐾𝑇 (2.10)
A0 : hằng số đo bằng A/(m2 . °K 2 ),
EG0 : độ rộng vùng cấm ở 0°K,
K: hằng số Boltzman = 1,38.10-23 [J/0K],
T: nhiệt độ tuyệt đối [0K].
T: nhiệt độ tuyệt đối [oK].
2.1.2.3 Chất bán dẫn tạp loại N
30
Ta thêm một ít tạp chất là nguyên tố thuộc nhóm V của bảng tuần hoàn
Mendeleev (chẳng hạn Antimon - Sb) vào chất bán dẫn Ge hoặc Si nguyên chất. Các
nguyên tử tạp chất (Sb) sẽ thay thế một số các nguyên tử của Ge (hoặc Si) trong mạng
tinh thể và nó sẽ đưa 4 điện tử trong 5 điện tử hóa trị của mình tham gia vào liên kết
cộng hóa trị với 4 nguyên tử Ge (hoặc Si) ở bên cạnh, còn điện tử thứ 5 sẽ thừa ra
nên liên kết của nó trong mạng tinh thể là rất yếu, xem hình 2.7. Muốn giải phóng
điện tử thứ 5 này thành điện tử tự do ta chỉ cần cấp một năng lượng rất nhỏ khoảng
0,01 eV cho Germani hoặc 0,05 eV cho Silic. Các tạp chất hóa trị 5 được gọi là tạp
chất cho điện tử hay tạp chất N.
Hình 2.7: mạng tinh thể Ge pha Hình 2.8: đồ thị vùng năng lượng
một nguyên tử Sb của bán dẫn loại N
Mức năng lượng mà điện tử thứ 5 chiếm đóng là mức năng lượng cho phép được
hình thành ở khoảng cách rất nhỏ dưới dải dẫn và gọi là mức cho, xem hình 2.8. Do
đó, ở nhiệt độ phòng, hầu hết các điện tử thứ 5 của tạp chất cho sẽ nhảy lên dải dẫn,
nhưng trong dải hóa trị không xuất hiện thêm lỗ trống. Các nguyên tử tạp chất cho
điện tử trở thành các ion dương cố định.
Ở chất bán dẫn tạp loại N: nồng độ hạt dẫn điện tử (𝑛𝑛 ) nhiều hơn nhiều nồng
độ lỗ trống 𝑝𝑛 và điện tử được gọi là hạt dẫn đa số, lỗ trống được gọi là hạt dẫn thiểu
số.
nn ≫ pn
nn : nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn tạp loại N.
pn : nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn tạp loại N.
2.1.2.4 Chất bán dẫn tạp loại P
Khi ta đưa một ít tạp chất là nguyên tố thuộc nhóm III của bảng tuần hoàn
Mendeleev (chẳng hạn Indi - In) vào chất bán dẫn thuần Ge (hoặc Si). Nguyên tử tạp
chất sẽ đưa 3 điện tử hóa trị của nó tạo liên kết cộng hóa trị với 3 nguyên tử Ge (hoặc
31
Si) bên cạnh còn mối liên kết thứ 4 để trống như hình 2.9. Điện tử của mối liên kết
gần đó có thể nhảy sang để hoàn chỉnh mối liên kết thứ 4 còn trống. Nguyên tử tạp
chất vừa nhận thêm điện tử sẽ trở thành ion âm và ngược lại ở nguyên tử chất chính
vừa có 1 điện tử chuyển đi sẽ tạo ra một lỗ trống trong dải hóa trị của nó.
Các tạp chất có hóa trị 3 được gọi là tạp chất nhận điện tử hay tạp chất loại P.
Mức năng lượng để trống của tạp chất trong chất bán dẫn chính sẽ tạo ra một
mức năng lượng cho phép riêng nằm ở bên trên dải hóa trị gọi là mức nhận (xem hình
2.10).
Hình 2.9: pha vào một nguyên tử In Hình 2.10: đồ thị vùng năng lượng
Nếu tăng nồng độ tạp chất nhận thì nồng độ của các lỗ trống tăng lên trong dải
hóa trị, nhưng nồng độ điện tử tự do trong dải dẫn không tăng. Vậy chất bán dẫn loại
này có lỗ trống là hạt dẫn đa số và điện tử là hạt dẫn thiểu số và nó được gọi là chất
bán dẫn tạp loại P.
PP ≫ Np
PP : nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn P.
Np : nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn P.
Kết luận: Sự pha thêm tạp chất vào bán dẫn thuần không những chỉ tăng độ dẫn
điện, mà còn tạo ra một chất dẫn điện có bản chất dẫn điện khác hẳn nhau: trong bán
dẫn tạp loại N điện tử là hạt dẫn điện chính, còn trong bán dẫn tạp loại P, lỗ trống lại
là hạt dẫn điện chính.
2.1.2.5 Mật độ điện tích trong chất bán dẫn
Quan hệ giữa nồng độ hạt dẫn điện tử n và nồng độ hạt dẫn lỗ trống p trong chất
bán dẫn theo công thức gọi là luật khối lượng tích cực như sau:
32
n. p = n2i (2.11)
Gọi 𝑁𝐷 là nồng độ các nguyên tử chất cho và chúng đều bị ion hóa. Do đó mật
độ tổng các điện tích dương sẽ là 𝑁𝐷 + 𝑝.
Tương tự 𝑁𝐴 là nồng độ các ion nhận và tổng mật độ điện tích âm sẽ là 𝑁𝐴 + n.
Do tính trung hòa về điện trong chất bán dẫn thì mật độ các điện tích dương bằng mật
độ các điện tích âm, nên ta có:
𝑁𝐷 + 𝑝 = 𝑁𝐴 + 𝑛 (2.12)
Xét một vật liệu bán dẫn loại N thì sẽ có NA = 0. Số lượng điện tử trong bán
dẫn N lớn hơn nhiều so với số lỗ trống, khi đó công thức (2.12) đơn giản còn:
𝑛 ≈ 𝑁𝐷 (2.13)
Như vậy, trong bán dẫn N nồng độ điện tử tự do xấp xỉ bằng mật độ các nguyên
tử tạp chất cho. Do đó công thức (2.13) được viết:
𝑛𝑛 = 𝑁𝐷 (2.14)
Nồng độ lỗ trống trong bán dẫn N được viết theo công thức (2.11) ta có:
𝑛𝑖2 𝑛𝑖2
𝑝𝑛 = = (2.15)
𝑛𝑛 𝑁𝐷
với 𝑛𝑛 ≫ 𝑝𝑛
Tương tự, đối với bán dẫn tạp loại P ta có:
𝑛𝑖2
𝑝𝑝 = 𝑁𝐴 và 𝑛𝑝 = (2.16)
𝑁𝐴
với 𝑃𝑝 ≫ 𝑛𝑝
2.1.2.6 Dòng điện trong chất bán dẫn
Trong chất bán dẫn có 2 thành phần dòng điện là dòng điện khuếch tán và dòng
điện trôi.
Dòng điện khuếch tán
Sự tồn tại gradient nồng độ hạt dẫn (dP/dx, dn/dx) sẽ dẫn đến hiện tượng khuếch
tán của các hạt dẫn từ nơi có nồng độ cao tới nơi có nồng độ thấp và tạo ra dòng điện
khuếch tán trong chất bán dẫn.
Hiện tượng khuếch tán các lỗ trống tạo nên mật độ dòng điện lỗ trống JP [A/m2]
được tính theo công thức sau:
𝑑𝑃
𝐽𝑃 = −𝑞. 𝐷𝑃 . (2.17)
𝑑𝑥
với 𝐷𝑃 [𝑚2 /𝑠𝑒𝑐] là hệ số khuếch tán của lỗ trống.
33
Tương tự, công thức tính mật độ dòng điện điện tử khuếch tán là:
𝑑𝑛
𝐽𝑛 = 𝑞. 𝐷𝑛 . (2.18)
𝑑𝑥
với 𝐷𝑛 là hệ số khuếch tán của điện tử.

Cả hai hiện tượng khuếch tán và dịch chuyển (hiện tượng trôi) đều là các hiện
tượng nhiệt động học thống kê, D và 𝜇 không độc lập, chúng quan hệ với nhau theo
công thức:
𝐷𝑝 𝐷𝑛
= = 𝑉𝑇 (2.19)
𝜇𝑝 𝜇𝑛
Trong đó điện thế nhiệt VT:

𝐾𝑇 𝑇
𝑉𝑇 = = (2.20)
𝑞 11600

q: điện tích = 1,6.10-19C,
Tại nhiệt độ phòng (300°𝐾) thì 𝜇 = 39. 𝐷. Trong đó, giá trị D cho Silic và
Germani cho ở bảng 1.5.
Mật độ dòng điện khuếch tán là:
𝐽𝑘𝑡 = 𝐽𝑃 + 𝐽𝑛 (2.21)
Dòng điện trôi
Dòng điện trôi là dòng chuyển động của các hạt dẫn dưới tác dụng của điện
trường:
𝐽 = 𝜎. 𝐸 = 𝑞(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑝 ). 𝐸 (2.22)
2.2 TIẾP XÚC P-N

Nếu trên một miếng bán dẫn đơn tinh thể, ta tạo ra hai vùng có bản chất dẫn
điện khác nhau: một vùng là bán dẫn tạp loại P và một vùng kia là bán dẫn tạp loại N
(hình 2.11). Như vậy, tại ranh giới tiếp xúc giữa hai vùng bán dẫn P và N này sẽ xuất
hiện một lớp tiếp xúc có đặc tính vật lý khác hẳn với hai vùng bán dẫn P và N, được
gọi là lớp tiếp xúc P-N (hình 2.11b).
Tại lớp tiếp xúc (hình 2.11b) có sự khuếch tán các điện tử từ vùng N sang vùng
P và các lỗ trống từ vùng P sang vùng N. Lỗ trống tái hợp với điện tử sẽ trở thành
điện tích âm, còn điện tử do nhường sẽ trở thành điện tích dương. Vì vậy, tại lớp tiếp
xúc P-N chỉ bao gồm hai khối điện tích trái dấu là các ion âm bên phía bán dẫn P và
34
ion dương bên phía bán dẫn N. Đây là các ion cố định, không dẫn điện, do vậy, lớp
tiếp xúc P-N còn gọi là vùng điện tích không gian (hay còn gọi là vùng nghèo hạt
dẫn) như hình 2.11c.
Sự thay đổi của điện thế tĩnh ở vùng điện tích không gian sẽ tạo ra hàng rào thế
năng, hàng rào thế năng sẽ ngăn cản sự khuếch tán tiếp theo của các lỗ trống từ vùng
P qua lớp tiếp xúc và các điện tử từ vùng N qua lớp tiếp xúc. Khi vùng điện tích
không gian này đủ lớn, nó sẽ ngăn không cho điện tử tự do từ vùng N sang P nữa,
dẫn đến không có dòng điện chạy qua tiếp xúc P-N.
Hình 2.11: sự hình thành tiếp xúc P-N

Phân cực thuận tiếp xúc P-N
Tiếp xúc P-N được phân cực thuận khi ta đặt một nguồn điện áp bên ngoài có
cực dương nguồn được nối vào bán dẫn P và cực âm nguồn nối vào bán dẫn N như
hình 2.12a. Điện tích dương của nguồn sẽ đẩy lỗ trống trong vùng P, và điện tích âm
của nguồn sẽ đẩy điện tử trong vùng N lại gần lớp tiếp xúc. Khi lực đẩy tĩnh điện đủ
lớn thì các điện tử ở vùng N sẽ dễ dàng vượt qua tiếp giáp để tái hợp với các lỗ trống
trong vùng P. Như vậy, sẽ có một dòng điện chạy từ P sang N, dòng điện này được
gọi là dòng điện thuận.
Khi tăng điện áp thuận lên, tiếp xúc P-N được phân cực thuận càng mạnh, hiệu
điện thế tiếp xúc càng giảm, vùng điện tích không gian càng giảm (hàng rào thế năng
giảm), đồng thời điện trở lớp tiếp xúc giảm, bề dày của lớp tiếp xúc cũng giảm, các
35
hạt dẫn đa số khuếch tán qua tiếp xúc P-N càng nhiều nên dòng điện thuận càng tăng
và nó tăng theo qui luật hàm số mũ với điện áp ngoài.
Phân cực ngược tiếp xúc P-N
Tiếp xúc P-N được phân cực ngược khi cực âm của nguồn được nối với P và
cực dương nguồn được nối tới N. Khi đó, các lỗ trống của vùng P bị hút bởi cực âm
và các điện tử của N bị hút bởi cực dương của nguồn. Do đó, bề dày của điện tích
không gian sẽ tăng lên, các hạt dẫn đa số khó khuếch tán qua vùng điện tích không
gian, làm cho dòng điện khuếch tán qua tiếp xúc P-N giảm xuống so với trạng thái
cân bằng ban đầu. Mặt khác, các hạt dẫn thiểu số sẽ chuyển động trôi qua vùng tiếp
giáp và tạo nên dòng điện trôi có chiều từ bán dẫn N sang bán dẫn P và được gọi là
dòng điện ngược.
Nếu tăng điện áp ngược lên sẽ làm cho dòng điện ngược tăng lên. Nhưng do
nồng độ các hạt dẫn thiểu số có rất ít nên dòng điện ngược nhanh chóng đạt giá trị
bão hòa và được gọi là dòng điện ngược bão hòa IS có giá trị rất nhỏ khoảng từ vài
nA đến vài chục µA.
Lỗ trống Điện tử
P N
a)
Vùng điện tích không gian
Lỗ trống Điện tử
P N
b)
Vùng điện tích không gian
Hình 2.12: phân cực tiếp xúc P-N

a) Phân cực thuận b) Phân cực ngược
2.3 CẤU TẠO VÀ HOẠT ĐỘNG CỦA DIODE BÁN DẪN
36
2.3.1 Cấu tạo - ký hiệu diode bán dẫn

Diode bán dẫn là linh kiện có một lớp tiếp xúc P-N và có hai chân cực gồm chân
anode (ký hiệu là A) được nối tới bán dẫn P và chân cathode (ký hiệu là K) được nối
với bán dẫn N được bọc trong vỏ bảo vệ bằng kim loại hoặc nhựa tổng hợp.
Hình 2.13: cấu tạo và ký hiệu của diode bán dẫn.

Một số hình dạng diode thực tế
Hình 2.14: hình dạng thực tế một số diode bán dẫn

2.3.2 Nguyên lý hoạt động của diode
Hình 2.15: phân cực cho diode bán dẫn

Nguyên lý vận hành của diode được giải thích dựa trên tiếp xúc P-N đã trình
bày ở phần trên.
Quan hệ giữa điện áp và dòng điện trên diode có phương trình:
37
𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂.𝑉𝑇 − 1) (2.23)
IS: dòng điện bảo hoà ngược (dòng điện rỉ),

VD: điện áp trên diode,
: hệ số hằng của diode,  = 1 là loại Germani và  = 2 là loại Silic,
𝑉𝑇 : điện thế nhiệt của tiếp xúc PN, được tính bằng công thức:
𝑘.𝑇 𝑇
𝑉𝑇 = = (2.24)
𝑞 11600

q: điện tích = 1,6.10-19C,
Ví dụ 2.3: tính điện thế nhiệt tại nhiệt độ phòng.
Ở nhiệt độ phòng t = 27oC  nhiệt độ tuyệt đối:
T = 300oK
𝑇
 𝑉𝑇 = ≈ 0,026𝑉 = 26𝑚𝑉
11600
Ví dụ 2.4: Tính dòng qua diode khi VD = 0V.

Thay VD vào (2.23), ta được:
I = IS.(e0 – 1) = 0 mA
2.3.3 Đặc tuyến Volt-Ampere (V-I) của diode bán dẫn
Đặc tuyến V-I của diode bán dẫn được biểu diễn theo phương trình:
𝑉𝐷
𝐼 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂.𝑉𝑇 − 1)
Trong hình 2.16 phân tích diode bán dẫn loại Silic và Germani, diode được phân
cực thuận có đặc tuyến ở góc phần tư thứ nhất. Dòng qua diode bắt đầu dẫn mạnh khi
điện áp đặt trên diode vượt qua điện thế ngưỡng V. Giá trị V đối với vật liệu Silic
và Germani:
Si: V = (0,4V ÷ 0,8V); thường chọn 0,6V hoặc 0,7V.
Ge: V = (0,1V ÷ 0,3V); thường chọn 0,2V hoặc 0,3V.
Diode được phân cực ngược có đặc tuyến ở góc phần tư thứ ba (hình 2.17).
Diode không dẫn điện (không có dòng điện thuận), chỉ có dòng điện ngược có giá trị
rất nhỏ (chạy theo chiều từ cathode sang anode của diode). Khi |𝑉𝐷 | lớn hơn vài lần
VT thì dòng điện ngược đạt giá trị bão hoà ngược Is. Khi VD = VB (Breakdown Voltage
38
– điện thế đánh thủng diode, giá trị này do nhà chế tạo cung cấp) thì dòng điện tăng
vọt, ta gọi đây là hiện tượng đánh thủng tiếp xúc P-N..
Hình 2.16: đặc tuyến V-I của diode bán dẫn
Hình 2.17: so sánh các đặc tuyến V-I của diode theo nhiệt độ
2.3.4 Các thông số của diode
Điện trở dc (điện trở tĩnh)
Là điện trở của diode khi làm việc ở chế độ một chiều (chế độ tĩnh).
𝑉𝐷
𝑅𝐷 = ; [Ω] (2.25)
𝐼𝐷
Điện trở ac (điện trở động)

Điện trở động của diode được tính theo công thức:
39
𝑑𝑉
𝑟𝑑 = ; [Ω] (2.26)
𝑑𝐼
Khi diode được phân cực thuận, diode có điện trở động rd tương đối nhỏ. Khi
phân cực ngược, do dòng qua diode gần như không có nên giá trị rd rất lớn.
Điện dung của diode (Cd)
Điện dung của diode là điện dung của tiếp xúc P-N, gồm có 2 thành phần là điện
dung rào thế 𝐶0 và điện dung khuếch tán 𝐶𝑘𝑡 . Điện dung rào thế là sự gia tăng các
điện tích khi đặt điện áp ngược lên tiếp xúc P-N. Điện dung khuếch tán chỉ xuất hiện
khi có hiện tượng khuếch tán xảy ra. Do đó khi diode được phân cực thuận thì Ckt >>
C0, còn khi diode được phân cực ngược thì 𝐶𝑘𝑡 = 0 và 𝐶𝑑 = 𝐶0 . Giá trị Cd sẽ gây ảnh
hưởng khi diode làm việc với tần số cao.
Cd = C0 + Ckt (2.27)
𝑑𝑄
𝐶0 = | | (2.28)
𝑑𝑉
Trong đó dQ là sự gia tăng của điện tích khi thay đổi dV của điện áp. Ngoài ra,
C0 cũng có thể được tính bằng công thức sau :
𝜀𝑟 .𝜀0 .𝑆
𝐶0 = (2.29)
𝑑
S : diện tích mặt tiếp xúc,

d : bề dày lớp tiếp xúc,
𝜀𝑟 : hằng số điện môi tương đối của chất bán dẫn,
𝜀0 : độ thẩm thấu điện của không khí.
Điện áp ngược cực đại cho phép:
Là giá trị điện áp ngược lớn nhất có thể đặt lên diode mà nó vẫn hoạt động bình
thường. Thông thường trị số này được chọn khoảng 0,8VB (VB: điện thế đánh thủng).
Giá trị điện áp ngược cực đại do nhà chế tạo cung cấp.
2.3.5 Các mô hình tương đương của diode
Sau đây phân tích một số mạch tương đương của diode bán dẫn khi nó được
phân cực thuận.
Diode lý tưởng
Diode lý tưởng giống như một công tắc mạch đơn giản. Khi nó được phân cực
thuận thì nó đóng mạch (dẫn điện) và điện áp trên diode VD = 0V. Khi nó được phân
cực ngược thì nó xem như hở mạch (không dẫn điện).
40
Hình 2.18: mô hình diode lý tưởng

Nguồn áp lý tưởng
Diode tương đương nguồn áp VD = 0,7V đối với diode Si (hình 2.19) hoặc VD = 0,3V
đối với diode Ge.
Hình 2.19: diode tương đương nguồn áp lý tưởng

Nguồn áp thực
Diode được xem như một nguồn áp thực gồm có nguồn áp và nội trở của nó chính là
điện trở động 𝑟𝑑 .
Hình 2.20: diode tương đương nguồn áp thực

Mạch tương đương với tín hiệu nhỏ ở tần số thấp
Ở chế độ động thì điểm làm việc M nằm trên đoạn thẳng 𝑀1 𝑀2 (hình 2.12) và diode
được coi như một phần tử tuyến tính là điện trở động rd.
Hình 3.11: mô hình tương đương ở tần số thấp

Mạch tương đương với tín hiệu nhỏ ở tần số cao
Ở chế độ này diode được xem như một điện trở thuận 𝑟𝑑 mắc song song với một điện
dung khuếch tán 𝐶𝑘𝑡 . Điện dung 𝐶𝑘𝑡 xuất hiện trong khoảng thời gian τ, là khoảng thời gian
lệch pha giữa dòng và áp.
41
𝜏
𝐶𝑘𝑡 = 𝑟
𝑑
trong đó τ có giá trị khoảng vài ns đến μs.
Hình 2.12: mô hình tương đương ở tần số cao

2.3.6 Khái niệm đường tải (load-line)
Từ sơ đồ mạch hình 2.13, ta có:
𝑉𝐷𝐶 = 𝑉𝐷 + 𝐼𝐷 . 𝑅
𝑉𝐷 𝑉𝐷𝐶
⟹ 𝐼𝐷 = − + (2.30)
𝑅 𝑅
Phương trình (2.30) được gọi là phương trình đường tải tĩnh (DCLL), đường tải
có độ dốc là (-1/R). Điểm giao nhau giữa đường tải với đặc tuyến V-I được gọi là
điểm tĩnh Q (Quiescent), IDQ và VDQ là dòng và áp tĩnh tại điểm Q.
Hình 2.13: đồ thị đường tải tĩnh
Hình 2.14: thay đổi các điểm hoạt động
42
(a) Thay đổi VDC từ V1 đến V4, giữ R cố định.

(b) Thay đổi R (R1 < R2 < R3 < R4), VDC không đổi.
Từ mạch nguyên lý hình 2.13, nếu thay đổi điện thế VDC (R giữ không đổi) và
thay đổi giá trị R (VDC không đổi), ta sẽ thấy đường tải tĩnh thay đổi như hình 2.14.
Lưu ý, khi VD thay đổi nhỏ tương ứng từ V1 đến V2, điểm Q sẽ dịch từ Q1 đến Q2 thì
đặc tuyến diode có thể xem như là tuyến tính (đường thẳng). Nếu VD thay đổi lớn
tương ứng V1 đến V4 thì đặc tuyến diode giữa Q1 và Q4 là phi tuyến (đường cong).
Ví dụ 2.5: tìm điểm Q của mạch hình 2.13, biết sụt áp trên diode VD = 0,7V và VDC
= 5 V. Điện trở R = 1 kΩ.
VD = 0,7V = VDQ.
Dòng chạy qua diode:
𝑉𝐷𝐶 − 𝑉𝐷 5−0,7
𝐼𝐷 = = = 4,3𝑚𝐴
𝑅 1000
 IDQ = 4,3mA
 Điểm Q = (VDQ = 0,7V; IDQ = 4,3mA)
Ví dụ 2.6: tìm dòng qua diode của mạch hình 3.13, biết sụt áp trên diode VD = 0,7 V,
R = 2 kΩ và VDC = 10 V.
𝑉𝐷𝐶 − 𝑉𝐷 10−0,7
𝐼𝐷 = = = 4,65 𝑚𝐴
𝑅 2.103
2.3.7 Mô hình diode tín hiệu lớn

Phân cực thuận diode
Trong hình 2.15, diode được phân cực thuận khi VD > V (điện thế ngưỡng) và
tương ứng dòng qua diode có phương trình:
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂.𝑉𝑇 − 1)
Đối với tín hiệu lớn thì diode được phân cực thuận, chung ta lấy xấp xĩ đường
cong số mũ của ID thành đường thẳng AB (hình 2.15). Khi đó, mạch tương đương
của hình 2.15a sẽ trở thành hình 2.15c, bằng cách thay thế đường cong đặc tuyến V-
I của diode bằng mô hình tuyến tính (gồm đoạn 0A có ID = 0 cho tới giá trị V và
đường thẳng AB khi VD > V). Rf là điện trở thuận của diode và thường có giá trị từ
5 Ω đế 50 Ω. Mô hình hình 2.15c còn được gọi là mô hình tĩnh (dc) của diode.
43
Hình 2.15: mô hình tĩnh của diode phân cực thuận

Phân cực ngược diode
Xét mạch phân cực ngược diode ở hình 2.16a, đặc tuyến V-I thực tế của diode
là đường cong trong hình 2.16b và dòng ID có giá trị rất nhỏ và hầu như có giá trị
không đổi là IS. Đoạn thẳng OB trong hình 2.16b có được từ tuyến tính hoá đường
cong V-I thực tế và có độ dốc là 1/Rr, với Rr là điện trở ngược của diode và có giá trị
rất lớn (hình 2.16c), nên có thể xem độ dốc gần bằng 0. Hình 2.16d biểu diễn mô hình
tương đương của diode được phân cực ngược.
Hình 2.16: mô hình tĩnh của diode phân cực ngược
Ví dụ 2.7 : tính điện áp ngõ ra V0 ở hình 2.17a trong các trường hợp sau:
a) V1 = V2 = 5 V.
b) V1 = 5 V, V2 = 0 V.
c) V1 = V2 = 0 V.
D1 và D2 là hai diode Silic có V = 0,6 V, Rf  0, Rr  ∞ và dòng bão hoà ngược
IS = 0.
44
Giải:
Hình 2.17a được vẽ lại tương đương thành hình 2.17b.
(a) Khi V1 = V2 = 5 V thì cả D1 và D2 ngưng dẫn nên không có dòng chạy
trong mạch và mạch tương đương như hình 2.17c. Vì vậy, V0 = 5 V.
(b) V1 = 5 V, V2 = 0 V: D1 ngưng dẫn và D2 dẫn, mạch trở thành tương đương

như hình 2.17d.
Dòng qua D2:
5−0,6
𝐼𝐷2 = = 0,88 𝑚𝐴
4700+300
 V0 = 5 – ID2 x (4,7kΩ) = 5 – (0,88mA) x (4,7kΩ) = 0,864 V

(c) V1 = V2 = 0 V: D1 và D2 đều dẫn, mạch tương đương như hình 2.17e. Áp
dụng KVL cho vòng có D2:
5 − 2𝐼 ∗ (4,7) − 0,6 − 𝐼 ∗ (0,3) = 0
⇒ 𝐼 = 0,454 𝑚𝐴
Điện áp ngõ ra:
𝑉0 = 5 − 2𝐼 ∗ (4,7)
⇒ 𝑉0 = 5 − 2 ∗ (0,454) ∗ (4,7) = 0,736 𝑉
45
Hình 2.17e
2.3.8 Mô hình diode tín hiệu nhỏ
Xét mạch điện như hình 2.18a, nguồn xoay chiều có biểu thức:
𝑣𝑆 (𝑡 ) = 𝑉𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔. 𝑡, 𝑣ớ𝑖 𝑉𝑚 < 𝑉𝐴𝐴
𝑣𝑡 (𝑡 ) = 𝑉𝐴𝐴 + 𝑣𝑆 (𝑡 ) = 𝑉𝐴𝐴 + 𝑉𝑚 𝑠𝑖𝑛𝜔. 𝑡, 𝑣ớ𝑖 𝑉𝑚 < 𝑉𝐴𝐴
𝑉𝐴𝐴 𝐾ℎ𝑖 𝑣𝑆 = 0
⇒ 𝑣𝑡 (𝑡 ) = { 𝑉𝐴𝐴 + 𝑉𝑚 𝐾ℎ𝑖 𝑣𝑆 = 𝑉𝑚
𝑉𝐴𝐴 − 𝑉𝑚 𝐾ℎ𝑖 𝑣𝑆 = −𝑉𝑚
Hình 2.18: phân tích diode với tín hiệu nhỏ

Đường tải tương ứng với 𝑣𝑡 (𝑡) = 𝑉𝐴𝐴 và có điểm làm việc tĩnh Q như trong
hình 2.18b. Do RL >> Rf, nên bỏ qua điện trở thuận của diode, điểm Q sẽ chuyển dịch
trên đặc tuyến giữa hai điểm Q1 và Q2. Khi Vm có giá trị nhỏ thì đoạn Q1Q2 được xem
như đoạn thẳng. Đoạn tuyến tính Q1Q2 của đặc tuyến diode cho phép ta dễ dàng phân
tích hơn.
Dòng tổng chạy qua mạch hình 2.18a:
𝑖𝐷 = 𝐼𝐷𝑄 + 𝑖𝑑 (𝑡) (2.31)
46
Trong đó:
IDQ: dòng dc khi 𝑣𝑡 (𝑡) = 𝑉𝐴𝐴 và 𝑣𝑆 (𝑡 ) = 0
𝑖𝑑 (𝑡) : dòng ac được tạo từ nguồn 𝑣𝑆 (𝑡 ).
𝑉𝐴𝐴 −𝑉𝛾 𝑉𝐴𝐴 −𝑉𝛾
𝐼𝐷𝑄 = = (2.32)
𝑅 𝑅𝐿 +𝑅𝑓
𝑉𝐴𝐴 −𝑉𝛾
ℎ𝑜ặ𝑐 𝐼𝐷𝑄 ≈
𝑅𝐿
Hình 2.19: phân tích mạch tương đương ac

Để tìm được dòng 𝑖𝑑 trong hình 2.19, đầu tiên ta phải xác định được giá trị điện
dẫn động gd hoặc điện trở động rd.
𝜕𝑖𝑑
𝑔𝑑 = | ; [𝑆]
𝜕𝑣𝑑 𝑄
𝑑𝑖𝑑
ℎ𝑎𝑦 𝑔𝑑 = | ; [𝑆] (2.33)
𝑑𝑣𝑑 𝑄
1 𝑑𝑣𝑑
⇒ 𝑟𝑑 = = | ; [Ω] (2.34)
𝑔𝑑 𝑑𝑖𝑑 𝑄
Dòng tĩnh qua diode:

𝑉𝐷𝑄 𝑉𝐷𝑄
𝐼𝐷𝑄 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂.𝑉𝑇 − 1) ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝜂.𝑉𝑇 (2.35)
𝑣𝐷
Mà 𝑖𝐷 = 𝐼𝐷 + 𝑖𝑑 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂.𝑉𝑇 − 1) (2.36)
Lấy vi phân (2.36), ta có điện dẫn:

𝑣𝐷
𝑑𝑖𝑑 1
𝑔𝑑 = = . 𝐼𝑆 . 𝑒 𝜂.𝑉𝑇 (2.37)
𝑑𝑣𝑑 𝜂.𝑉𝑇
Từ (2.35) ta sẽ tìm được giá trị điện động hay điện trở động tại Q:
47
𝑉𝐷𝑄
1 1
𝑔𝑑 = . 𝐼𝑆 . 𝑒 𝜂.𝑉𝑇 = . 𝐼𝐷𝑄
𝜂.𝑉𝑇 𝜂.𝑉𝑇
{ (2.38)
1 𝜂.𝑉
𝑟𝑑 = = 𝑇
𝑔𝑑 𝐼𝐷𝑄
Tóm tắt phương pháp phân tích mạch dùng diode có cả dc và ac:
 Vẽ mô hình dc tương đương như hình 2.20b bằng cách cho 𝑣𝑆 = 0 và thay thế
diode bằng điện trở Rf, tính dòng tĩnh IDQ theo công thức (2.35).
Hình 2.20: phân tích mạch tương đương

 Tính giá trị điện trở động rd theo công thức (2.38).
 Vẽ mô hình ac tương đương hình 2.20c bằng cách thay thế diode bằng điện trở
động rd đã được tính ở bước hai, chỉ tính thành phần xoay chiều của tín hiệu.
Dòng xoay chiều 𝑖𝑑 trong hình 2.19c được tính bằng công thức:
𝑣𝑆
𝑖𝑑 = = (2.39)
𝑟𝑑 +𝑅𝑓
 Tính dòng tổng qua diode: 𝑖𝐷 = 𝐼𝐷𝑄 + 𝑖𝑑

Ví dụ 2.8: diode silic có dòng bão hoà ngược IS = 1µA tại nhiệt độ 3000K. Tính điện
trở động và tĩnh của diode khi được phân cực thuận có điện áp 200mV ở 3000K.
Giải:
Diode silic có hệ số  = 2, dòng tổng qua diode:
𝑣𝐷
𝑖𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂.𝑉𝑇 − 1)
T = 3000K  VT = 26 mV
200
 𝑖𝐷 = 1𝑥10−6 𝑥 (𝑒 2𝑥26 − 1) ≈ 10−6 𝑥(𝑒 3,85 − 1)
 𝐼𝐷𝑄 = 𝑖𝐷 | 𝑇=3000 𝐾 =
Điện trở động của diode:
48
𝜂.𝑉𝑇 2𝑥(26𝑚𝑉)
𝑟𝑑 = = = Ω
𝐼𝐷𝑄 ()
Điện trở tĩnh diode:

𝑉𝐷𝑄 200𝑚𝑉
𝑅𝐷 = = = Ω
𝐼𝐷𝑄 𝑚𝐴
Ví dụ 2.9: cho mạch điện như hình 2.21a hoạt động ở

200C, diode có điện thế ngưỡng V = 0,6V, điện trở
thuận Rf = 10Ω và  = 2. Hãy xác định:
a) Điện áp xoay chiều trên tải.
b) Điện áp tổng trên tải.
c) Dòng tổng trong mạch.
Hình 2.21a
Giải:
Từ hình 2.21a, ta có mô hình tương đương dc và ac như hình 2.21b và 2.21c.
(a) Tính điện áp xoay chiều trên tải:

𝑉𝐴𝐴 −𝑉𝛾 9−0,6
𝐼𝐷𝑄 = = = 4,18 𝑚𝐴
𝑅𝐿 +𝑅𝑓 2000+10
𝑇 293
𝑉𝑇 = = ≈ 25 𝑚𝑉
11600 11600
𝜂.𝑉𝑇 2𝑥(25𝑚𝑉)
 𝑟𝑑 = = ≈ 12 Ω
𝐼𝐷𝑄 4,18𝑚𝐴
𝑅𝐿
𝑣𝑑 = . 𝑣𝑆 (𝑡)
𝑅𝐿 +𝑟𝑑
2000
𝑣0𝑎𝑐 = 𝑥0,2𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 = 0,199𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 (𝑉)
2000+12
(b) Tính điện áp tổng trên tải

𝑣0 (𝑡 ) = 𝑉𝐷𝑄 + 𝑣0𝑎𝑐
Với 𝑉𝐷𝑄 = 𝐼𝐷𝑄 . 𝑅𝐿 = (4,18𝑚𝐴)𝑥 (2𝑘Ω) = 8,36 𝑉
49
 𝑣0 (𝑡 ) = (8,36 + 0,199𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡) 𝑉
(c) Tính dòng tổng trong mạch
𝑖𝐷 = 𝐼𝐷𝑄 + 𝑖𝑑
𝑣𝑆 (𝑡) 0,2𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡
Với 𝑖𝑑 = = = 0,099𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 (𝑚𝐴)
𝑅𝐿 +𝑟𝑑 2000+12
𝑖𝐷 = (4,18 + 0,099𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 )𝑚𝐴

2.4 GIỚI THIỆU CÁC LOẠI DIODE
Trong phần này, sẽ giới thiệu đặc điểm cấu tạo một số loại diode khác: diode
chỉnh lưu, diode ổn áp, Schottky diode, diode biến dung.
2.4.1 Diode chỉnh lưu
Diode chỉnh lưu có đặc điểm cấu tạo, nguyên lý hoạt động giống như diode bán
dẫn đã trình bày ở trên. Nó thường được chế tạo bằng vật liệu Silic, sử dụng tính dẫn
điện một chiều để chỉnh lưu dòng điện xoay chiều thành một chiều, nên được gọi là
diode chỉnh lưu.
Bảng 2.3 giới thiệu các thông số kỹ thuật của một số diode chỉnh lưu thông
dụng.
Bảng 2.3: thông số kỹ thuật của diode chỉnh lưu họ 1N400x
Thông số kỹ ĐƠN
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
thuật VỊ
PIV 50 100 200 400 600 800 1000 V
Điện thế hiệu

35 75 140 280 420 560 700 V
dụng cực đại
Dòng thuận
trung bình cực 1,0 A
đại
Điện áp thuận
cực đại tại 1 A 1,1 V
và 250C
2.4.2 Zener diode

Khi điện áp ngược trên diode tiếp xúc PN đạt tới giá trị điện thế đánh thủng,
dòng qua tiếp xúc và công suất tiêu tán tại tiếp xúc sẽ rất lớn. Vì thế, sẽ gây hư hại
cho diode. Tuy nhiên, dựa vào đặc điểm này, người ta thiết kế một loại diode có khả
năng tiêu tán công suất thích hợp để hoạt động tại vùng điện áp đáng thủng. Diode
này được gọi là Zener diode hay còn gọi là diode ổn áp.
50
Hình 2.22: ký hiệu Zener diode
Nguyên lý hoạt động

Từ hình 2.23a và 2.23b, phân tích hoạt động của Zener diode sẽ xây dựng được
đặc tuyến như hình 2.24.
- Khi phân cực thuận theo hình 2.23a: Zener diode hoạt động giống diode chỉnh
lưu.
- Khi phân cực ngược theo hình 2.23b:
 Khi VD < VZ: IZ = 0.
 Khi VD ≥ VZ: IZmin ≤ IZ ≤ IZmax.
Khi điện áp đặt trên hai đầu diode ≥ VZ thì điện áp trên diode cũng luôn duy
trì VD = VZ.
Do đặc tính này, Zener diode được sử dụng trong mạch ổn áp, mạch xén và
kẹp điện áp.
Hình 2.23: phân cực Zener diode
Hình 2.24: đặc tuyến của Zener diode
51
2.4.3 Schottky diode

Diode schottky sử dụng tiếp xúc bán dẫn – kim loại thay vì giữa bán dẫn – bán
dẫn như diode thông thường. Sự khác nhau quan trọng giữa diode P-N và Schottky
diode là thời hồi phục ngược, đó là thời gian mà diode chuyển mạch từ dẫn sang
không dẫn. Đối với các diode P-N có thời gian hồi phục ngược khoảng hàng trăm ns,
nhưng Shottky diode không có thời gian hồi phục ngược này. Điện áp rơi trên Shottky
diode khoảng 0,15 V  0,45 V, tần số làm việc cao đến 100 GHz.
Ký hiệu của diode schottky trong các sơ đồ mạch điện:
2.4.4 Diode biến dung

Diode biến dung còn được gọi là varactor hay varicap, đây là diode có một lượng
nhỏ tạp chất ở tiếp xúc PN. Vì vậy, điện dung tiếp xúc của nó sẽ dễ dàng thay đổi
theo điện áp tác động vào tiếp xúc.
Sự phân bố điện tích dương và âm trong vùng hiếm thay đổi khi điện thế phân cực
ngược thay đổi giữa hai đầu diode một giá trị điện dung:
∆𝑄
𝐶0 = | |
∆𝑉
Đặc tính này được ứng dụng để chế tạo diode biến dung mà trị số điện dung
thay đổi theo điện áp phân cực ngược. Điện dung có thể thay đổi từ 5 pF đến 100 pF
khi điện thế phân cực ngược thay đổi từ 3 V÷25 V.
Hình 2.25: ký hiệu và đặc tuyến của diode biến dung

Diode biến dung thường được dùng trong các mạch dao động cần điều khiển
tần số cộng hưởng bằng điện áp ở lĩnh vực siêu cao tần.
2.5 ỨNG DỤNG DIODE BÁN DẪN
Giới thiệu các ứng dụng: các mạch chỉnh lưu sử dụng diode chỉnh lưu, đây là
loại diode sử dụng tính dẫn điện một chiểu để chỉnh lưu dòng điện xoay chiều thành
một chiều, nó thường được chế tạo bằng Silic; các mạch nhân áp sử dụng diode chỉnh
lưu; mạch ổn áp dùng zener diode (diode ổn áp, hay gọi tắt zener), do zener có đặc
52
tính ghim áp không thay đổi khi được phân cực thích hợp; các mạch xén, kẹp dùng
diode và zener.
2.5.1 Mạch chỉnh lưu
Mạch chỉnh lưu bán kỳ (half wave rectifier)
Hình 2.26: mạch chỉnh lưu bán kỳ
Hình 2.27: dạng sóng chỉnh lưu bán kỳ

- Ở bán kỳ dương của vi: diode được phân cực thuận nên dẫn điện  vL = vi (bỏ
qua sụt áp trên diode).
- Ở bán kỳ âm của vi: diode bị phân cực ngược nên không dẫn điện  vL = 0.
- Điện áp trung bình trên tải:
1 2𝜋 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑖𝑚 . 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡. 𝑑𝜔𝑡 = −|𝑐𝑜𝑠𝜔𝑡 | 0 . 𝑉𝑖𝑚
2𝜋 0
𝑉𝑖𝑚
𝑉𝐷𝐶 = = 0,318. 𝑉𝑖𝑚 (2.40)
𝜋
- Dòng trung bình qua tải:

𝐼𝑖𝑚
𝐼𝐷𝐶 = = 0,318. 𝐼𝑖𝑚 (2.41)
𝜋
- Khi chọn diode cho mạch chỉnh lưu bán kỳ phải thoả:
 Dòng đỉnh thuận ID ≥ Iim. (2.42)
 Điện áp ngược đỉnh diode (PIV = Peak Inverse Voltage):
53
PIV ≥ Vim. (2.43)

Mạch chỉnh lưu toàn kỳ (full wave rectifier)
Mạch chỉnh lưu toàn kỳ có thể sử dụng cách mắc hai diode như hình 2.28, hoặc
sử dụng cách mắc bốn diode như hình 2.31. Kiểu mắc hình 2.31 còn gọi là mạch
chỉnh lưu cầu.
Phân tích mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode
iD1
D1
1:2
iL + D1
* * iL +
vi
1 vL
vL
RL
1 1
RL
_ D2 _
vi
vi
D2
iD2
Hình 2.28: mạch chỉnh lưu toàn kỳ
Hình 2.29: dạng sóng chỉnh lưu toàn kỳ

- So hình 2.29 với hình 2.27, ta thấy độ gợn sóng trên tải ở chỉnh lưu toàn kỳ giảm
nhiều so với chỉnh lưu bán kỳ.
- Điện áp trung bình trên tải:
𝑉𝑖𝑚
𝑉𝐷𝐶 = 2. = 0,636. 𝑉𝑖𝑚 (2.44)
𝜋
- Dòng trung bình qua tải:

𝐼𝑖𝑚
𝐼𝐷𝐶 = 2. = 0,636. 𝐼𝑖𝑚 (2.45)
𝜋
- Khi chọn diode cho mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode phải thoả:
54
 Dòng đỉnh thuận ID ≥ Iim. (2.46)

 Điện áp ngược đỉnh diode (PIV = Peak Inverse Voltage):
PIV ≥ 2.Vim. (2.47)
- Để giảm độ gợn trên tải, dùng thêm tụ lọc mắc như hình 2.30:
vL
vL
Hình 2.30: dùng tụ lọc để giảm độ gợn sóng

Đầu tiên, tụ sẽ nạp nhanh đến giá trị Vmax của vL. Khi 𝑣𝐿 giảm thì tụ sẽ
phóng điện qua RL theo quy luật:
−𝑡
𝑣𝐿 (𝑡) = 𝑉𝑚𝑎𝑥 . 𝑒 𝑅𝐿 𝐶 (2.48)
Phân tích mạch chỉnh lưu cầu
D4 D1 IL
vi
+
D3 D2 RL vL
-
Hình 2.31: mạch chỉnh lưu cầu
Tín hiệu vi
Hình 2.32: dạng sóng mạch chỉnh lưu cầu

- Ở mỗi bán kỳ của vi sẽ có hai diode dẫn và hai diode không dẫn. Ví dụ, ở vị trí
số 1 trên cầu diode là bán kỳ dương thì D1 và D3 sẽ dẫn (D2 và D4 không dẫn).
55
- Công thức tính điện áp trung bình và dòng trung bình trên tải tương tự mạch
dùng hai diode, chỉ khác chọn điện áp ngược:
PIV ≥ Vim. (2.49)
2.5.2 Mạch nhân áp
Có thể sử dụng diode kết hợp tụ điện để thực hiện các mạch nhân áp có thể là
nhân 2, nhân 3, nhân 4,…
Mạch nhân đôi áp
Từ mạch nhân đôi áp hình 2.33a, trong bán kỳ dương thì D1 dẫn (D2 không dẫn)
sẽ làm tụ C1 nạp điện tới giá trị Vm như hình 2.33b. Ở bán kỳ âm, D2 dẫn (D1 ngưng
dẫn) nạp điện cho C2 theo hình 2.33c. Áp dụng KVL mạch vòng hình 2.33c, ta được:
-Vm – VC1 + VC2 = 0
Mà VC1 = Vm
 VC2 = 2Vm
Hình 2.33a: mạch nhân đôi áp
Hình 2.33b: D1 dẫn – D2 không dẫn
Hình 2.33c: D1 không dẫn – D2 dẫn
56
Mạch nhân ba và bốn lần áp

Mạch điện hình 2.34 thực hiện nhân ba và bốn lần điện áp Vm. Tụ C1 nạp điện
tới giá trị đỉnh Vm nhờ D1 dẫn trong thời gian bán kỳ dương đầu tiên. C2 tích hai lần
giá trị đỉnh là 2Vm do D2 dẫn trong thời gian bán kỳ âm đầu tiên.
Trong suốt bán kỳ dương kế tiếp, D3 dẫn và tụ C2 sẽ phóng điện và nạp cho tụ
C3 với điện áp 2Vm. Ở bán kỳ âm kế tiếp, D2 và D4 dẫn, tụ C4 được nạp đến 2Vm.
Như vậy, điện áp lấy trên tụ C2 có giá trị là 2Vm, lấy trên hai tụ C1 và C3 là 3Vm,
và giữa C2 và C4 là 4Vm.
Hình 2.34: mạch thực hiện nhân ba và bốn lần áp

2.5.3 Mạch ổn áp dùng zener
Mạch ổn áp dc dùng Zener diode
Tổng quát mạch ổn áp dc có sơ đồ khối như hình 2.35
CHUYỂN CHỈNH
220VAC LỌC ỔN ÁP RL
ĐỔI ÁP LƯU
Hình 2.35: sơ đồ khối mạch ổn áp dc
Vì nguồn cung cấp điện áp vào có thể biến đổi, hoặc tải có thể biến đổi, hoặc cả
hai đều biến đổi, nhưng điện áp ra cấp cho tải phải ổn định. Do đó, để thiết kế mạch
ổn áp ứng với các trường biến đổi thì ta hãy phân tích các trường hợp sau:
Vdc biến đổi nhưng RL không đổi: xem hình 2.36
57
Hình 2.36: mạch ổn áp với Vdc biến đổi – RL không đổi

Ta có IR = IZ + IL. (2.50)
𝑉𝐿 𝑉𝑍
Với 𝐼𝐿 = = = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡 (2.51)
𝑅𝐿 𝑅𝐿
Và 𝑉𝑑𝑐 = 𝑅. 𝐼𝑅 + 𝑉𝑍 (2.52)
 Khi Vdc = Vdcmin  để IL = const thì IR = IRmin và IZ = IZmin.
IRmin = IZmin + IL. (2.53)
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍
𝑅= (2.54)
𝐼𝑅𝑚𝑖𝑛
 Khi Vdc = Vdcmax  để IL = const thì IR = IRmax và IZ = IZmax.

IZmax = IRmax – IL. (2.55)
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 . 𝑅 + 𝑉𝑍
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑍
𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 = (2.56)
𝑅
IZmax = ?
2
𝑃𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝑅. 𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥
PZmax = VZ.IZmax.
Ví dụ 2.10: trong hình 2.36 biết Vdc = 15V ÷ 20V; VZ = 10V; IZmin = 5mA;
và RL = 500Ω.
Hãy xác định R, PRmax, PZmax để VL = VZ.
Giải:
Ta có IR = IZ + IL.
Để IL không thay đổi thì :
𝐼𝑅𝑚𝑖𝑛 = 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝐿
{
𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝐿
 Khi Vdc = Vdcmin :
Ta có VL = VZ = 10V ; IZmin= 5mA
58
𝑉𝐿 10
⇒ 𝐼𝐿 = = = 0,02𝐴 = 20𝑚𝐴
𝑅𝐿 500
⇒ 𝐼𝑅𝑚𝑖𝑛 = 5 + 20 = 25𝑚𝐴
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍 15−10
Và 𝑅= = = 250Ω
𝐼𝑅𝑚𝑖𝑛 25.10−3
 Khi Vdc = Vdcmax :

𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥− 𝑉𝑍 20−10
𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 = = = 40𝑚𝐴
𝑅 250
⇒ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐿 = 40 − 20 = 20𝑚𝐴

𝑃𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝑅. (𝐼𝑅𝑚𝑎𝑥 )2 = 250. (40. 10−3 )2 = 0,4𝑊
𝑃𝑍𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝑍 . 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 10.20. 10−3 = 0,2𝑊
Vdc cố định nhưng RL thay đổi: xem hình 2.37
Hình 2.37: mạch ổn áp với Vdc không đổi – RL thay đổi

Ta có IR = IZ + IL
𝑉𝑍
Với 𝐼𝐿 =
𝑅𝐿
𝑉𝑑𝑐 − 𝑉𝑍
Và 𝐼𝑅 = = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡 (2.57)
𝑅
 Khi RL = RLmin  để VL = const thì IL = ILmax và IZ = IZmin.

𝑉𝑍
Với 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 = (2.58)
𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛
IR = IZmin + ILmax.
𝑉𝑑𝑐 − 𝑉𝑍
𝑅= (2.59)
𝐼𝑅
𝑃𝑅 = ?
 Khi RL = RLmax  để VL = const thì IL = ILmin và IZ = IZmax.
𝑉𝑍
Với 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 = (2.60)
𝑅𝐿𝑚𝑎𝑥
59
IZmax = IR - ILmin. (2.61)

𝑃𝑍𝑚𝑎𝑥 = ?
Ví dụ 2.11: trong hình 3.37 biết Vdc = 12 V; VZ = 9 V; IZmin = 50 mA;
và IL = 100 mA ÷ 1 A.
Hãy xác định R, PR, PZmax để điện áp trên tải luông không thay đổi.
Giải:
Ta có IR = IZ + IL.
Để IR không thay đổi thì :
𝐼𝑅 = 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥
{
𝐼𝑅 = 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 + 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛
 Khi RL = RLmin :
Ta có VL = VZ = 10V ; IZmin= 50mA ; ILmax = 1A
⇒ 𝐼𝑅 = 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 + 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 = 50 + 1000 = 1050𝑚𝐴 = 1,05𝐴
𝑉𝑑𝑐 − 𝑉𝑍 12−9
⇒𝑅= = ≈ 2,86Ω
𝐼𝑅 1,05
⇒ 𝑃𝑅 = 𝑅. 𝐼𝑅 = 2,86𝑥1,05 ≈ 3𝑊
 Khi RL = RLmax :
Ta có IL = ILmin = 100mA
⇒ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑅 − 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 = 1050 − 100 = 0,95𝐴
⇒ 𝑃𝑍𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝑍 . 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 = 10𝑥0,95 = 9,5𝑊
Vdc và RL thay đổi: xem hình 2.38
Hình 2.38: mạch ổn áp với Vdc thay đổi – RL thay đổi
Ta có IZ = IR - IL ; và IZmin ≤ IZ ≤ IZmax.
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍 𝑉𝑑𝑐 −𝑉𝑍 𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥−𝑉𝑍
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 ≤ − 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 ≤ 𝐼𝑍 = − 𝐼𝐿 ≤ − 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 ≤ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥
𝑅 𝑅 𝑅
60
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍
𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 ≤ − 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥
𝑅
{ 𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥−𝑉𝑍
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ≥ − 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛
𝑅
Dòng qua diode cực đại:

𝑃𝑍𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 =
𝑉𝑍
Dòng IZmin thường chọn :

IZmin = 0,1xIZmax. (2.62)
Như vậy, điều kiện của R :
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥 −𝑉𝑍 𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍
≤𝑅≤ (2.63)
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 +𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 +𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥 −𝑉𝑍 𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍
𝐻𝑎𝑦 ≤
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 +𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 𝐼𝑍𝑚𝑖𝑛 +𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥
Như vậy, chọn diode zener sao cho:

𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 .(𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥 −𝑉𝑍 )− 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 .(𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 −𝑉𝑍 )
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ≥
𝑉𝑑𝑐𝑚𝑖𝑛 − 0,9.𝑉𝑍 −0,1.𝑉𝑑𝑐𝑚𝑎𝑥
{𝐼 ≥ 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 (2.64)
𝑍𝑚𝑎𝑥
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ≤ 10. 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛
Ví dụ 2.12: trong hình 3.38 biết Vdc = 14 V ÷ 20 V; VZ = 10 V; IL = 100 mA ÷ 200

mA.
Hãy xác định R, PRmax, PZmax để VL = VZ.
Giải :
Từ (2.64), ta có :
200𝑚𝐴. (20𝑉 − 10𝑉 ) − 100𝑚𝐴. (14𝑉 − 10𝑉)
𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 ≥ = 0,533𝐴
14𝑉 − 0,9. (10𝑉 ) − 0,1. (20𝑉)
⇒ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 > 𝐼𝐿𝑚𝑎𝑥 = 0,2𝐴
⇒ 𝐼𝑍𝑚𝑎𝑥 < 10. 𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛 = 1𝐴
Như vậy IZmax = 0,533A  IZmin = 0,0533A
Chọn điện trở R theo điều kiện (2.63) :
20−10 14−10
≤𝑅≤
0,533+0,1 0,0533+0,2
15,8Ω ≤ 𝑅 ≤ 15,8Ω
 R = 15,8Ω
61
2.5.4 Mạch xén (Clipper)

Mạch xén nối tiếp
Mạch xén nối tiếp có dạng như hình 2.39a, hình 2.39b biểu diễn dạng sóng ngõ
ra khi ngõ vào là sóng vuông và tam giác.
Hình 2.39a: mạch xén nối tiếp
Hình 2.39b: dạng sóng vào ra của mạch xén nối tiếp
Mạch xén nối tiếp xen nguồn dc
Nếu diode trong mạch xén hình 2.40 là lý tưởng thì điểm chuyển trạng thái của
nó tương ứng có 𝑣𝑑 = 0 𝑣à 𝑖𝑑 = 0, khi đó diode dẫn, thay diode bằng mô hình diode
lý tưởng sẽ trở thành hình 2.41.
Hình 2.40: mạch xén nối tiếp xen nguồn dc
62
Hình 2.41: mạch tương đương của xén nối tiếp xen nguồn dc
Từ hình 2.41, điện áp ngõ ra :

𝑣0 = 𝑣𝑖 − 𝑉
Khi 𝑣𝑖 ≥ 𝑉 thì diode dẫn và điện áp vào có giá trị đỉnh tương ứng 𝑣𝑖 = 𝑉𝑚 thì
𝑣0 = 𝑉𝑚 − 𝑉 . Ngược lại, khi 𝑣𝑖 < 𝑉 thì diode không dẫn. Đáp ứng ngõ ra là hình
2.42.
0 T/2 T t
(Diode chuyển trạng thái)
Hình 2.42: đáp ứng ngõ ra của mạch xén nối tiếp xen nguồn dc
Mạch xén song song
Xét mạch xén song song đơn giản như hình 2.43, giả sử diode là lý tưởng. Tín
hiệu ngõ vào là sóng vuông và tam giác thì đáp ứng ngõ ra được biểu diễn như hình
2.43.
63
Hình 2.43: mạch và đáp ứng của kiểu xén song song
Ví dụ 2.13: vẽ dạng sóng ngõ ra của mạch xén hình 2.44, cho diode loại lý tưởng.
Hình 2.44: mạch xén song song có nguồn dc
Do diode lý tưởng có sụt áp và dòng qua nó bằng 0, nên điểm chuyển tiếp
trạng thái là 𝑣𝑖 = 𝑉 = 4. Ở bán kỳ dương, khi 𝑣𝑖 < 4𝑉 thì diode dẫn xem như nối
tắt diode và điện áp ngõ ra 𝑣0 = 4𝑉, khi 𝑣𝑖 ≥ 4𝑉 thì diode bị phân cực ngược nên
𝑣0 = 𝑣𝑖 . Ở bán kỳ âm, do có 𝑣𝑖 < 4𝑉 nên diode dẫn và làm cho 𝑣0 = 4𝑉. Hình
2.45a là mô hình tương đương khi diode dẫn, hình 2.45b là mô hình tương đương
khi diode ngưng dẫn và hình 2.46 biểu diễn đáp ứng ngõ vào và ngõ ra của mạch
xén.
Hình 2.45: mô hình mạch tương đương khi diode dẫn và ngắt
64
Hình 2.46: đáp ứng ngõ ra của ví dụ 2.13.

2.5.5 Mạch kẹp áp (Clamper)
Mạch kẹp là mạch thực hiện kẹp tín hiệu đến một mức dc khác. Mạch kẹp phải
có các linh kiện tụ điện, diode và điện trở, ngoài ra có thể thêm nguồn dc để dịch
thêm mức dc. Giá trị điện trở và tụ được chọn sao cho thời hằng 𝜏 = 𝑅𝐶 đủ lớn để
điện áp trên tụ không được xả trong suốt khoảng thời gian diode không dẫn. Thực tế,
tụ sẽ nạp đầy hoặc xả hết trong thời gian 5𝜏.
Mạch hình 2.47 sẽ kẹp tín hiệu ngõ vào đối với mức 0 (đối với diode lý tưởng).
Trong thời gian từ 0  T/2 diode dẫn và mạch tương đương như hình 2.48a. Do diode
dẫn nên thời hằng nạp cho tụ rất nhỏ và tụ sẽ tích điện đến giá trị V rất nhanh. Trong
khoảng thời gian này, điện áp ngõ ra xem như ngắn mạch và 𝑣0 = 0𝑉.
Trong khoảng thời gian T/2  T diode bị phân cực ngược xem như hở mạch và
lúc này mạch sẽ tương đương hình 2.48b. Điện áp ngõ ra là tổng điện áp của nguồn
tín hiệu có biên độ là -V và điện áp tích trên tụ là -V, tức là :
𝑣0 = −2𝑉.
Như vậy, dạng sóng ngõ ra sẽ đồ thị như hình 2.49.
Hình 2.47: mạch kẹp đơn giản
65
Hình 2.48: mạch tương đương hình 2.47
Hình 2.49: dạng sóng ngõ ra của mạch kẹp hình 2.47
Ví dụ 2.14: xác định và vẽ dạng sóng 𝑣0 từ hình 2.50.
Hình 2.50: ví dụ 2.14

Giải:
Thời gian bắt đầu phân tích từ t1 đến t2, diode dẫn ngắn mạch và mạch tương
đương hình 2.51a. Áp dụng KVL sẽ được
66
−20𝑉 + 𝑉𝐶 − 5𝑉 = 0
⇒ 𝑉𝐶 = 25 𝑉
Vì vậy, tụ được nạp đến 25 V. Thời gian từ t2 đến t3, điện áp trên cathode của
diode là 10 V + 25 V = 35 V, dương hơn nhiều so với chỉ 5 V trên anode nên diode
không dẫn và xem như hở mạch, mạch tương đương hình 2.51b. Áp dụng KVL
hình 2.51b sẽ có,
10𝑉 + 25𝑉 − 𝑣0 = 0
⇒ 𝑣0 = 35𝑉
Thời hằng tụ xả :
𝜏 = 𝑅𝐶 = (100 𝑘Ω)(1𝜇𝐹 ) = 100 𝑚𝑠
Tổng thời gian tụ xả hết : 5𝜏 = 5(100 𝑚𝑠) = 500 𝑚𝑠
Khoảng thời gian t2 đến t3 là 0,5 ms, vì vậy tụ sẽ giữ điện áp của nó trong suốt
thời gian tụ xả giữa các xung của tín hiệu ngõ vào. Dạng sóng ngõ ra 𝑣0 trong hình
2.52.
Hình 2.51: phân tích mạch ví dụ 2.14
Hình 2.52: dạng sóng ngõ ra của ví dụ 2.14
67
Ví dụ 2.15: làm lại ví dụ 2.14 với sụt áp trên diode là 0,7V.
Hình 2.53: phân tích mạch ví dụ 2.15

Hình 2.53a tương ứng diode dẫn trong khoảng thời gian từ t1 đến t2, xét hai mạch
vòng :
5 − 0,7 − 𝑣0 = 0
{
−20 + 𝑉𝐶 + 0,7 − 5 = 0
𝑣0 = 4,3 𝑉
⟺{
𝑉𝐶 = 24,3 𝑉
Xét mạch vòng hình 3.52b :
10 + 24,3 − 𝑣0 = 0
⇒ 𝑣0 = 34,3 𝑉
Như vậy, dạng sóng của mạch được biểu diễn trong hình 2.53c.
Hình 2.53c: dạng sóng ra của ví dụ 2.15

2.6 HƯỚNG DẪN MÔ PHỎNG DIODE BÁN DẪN
Sử dụng trình mô phỏng PSpice trong Orcad Capture 9.2 của Cadence có thể
phân tích các chế độ hoạt động của mạch: các điểm phân cực dc của mạch, đặc tuyến
của linh kiện, khảo sát mạch hoạt động ở chế độ dc và ac.
68
2.6.1 Phân tích đặc tuyến của diode

Vẽ mạch nguyên lý hình 2.54 dùng Orcad Capture CIS 9.2. Lưu ý, chọn tất cả
các phần tử của mạch đều ở trong thư viện PSpice.
Hình 2.54: mạch nguyên lý thực hiện mô phỏng

Tìm điểm phân cực dc
Thực hiện từng bước như sau:
- Xác thực các kết nối cho Orcad: nhấn vào biểu tượng “Create Netlist” trên
thanh công cụ như hình 2.55.
- Để xác nhận các thông số của linh kiện trong mạch, ta chọn nút “PSpice” trên
thanh lựa chọn trong hình 2.56.
- Nhấn OK.
Hình 2.55: vị trí biểu tưởng xác thực kết nối
Hình 2.56: chọn thẻ Pspice
69
- Chọn biểu tượng “New Simulation” theo hình 2.57.

- Lúc này, sẽ xuất hiện cửa sổ hình 2.58, ví dụ đặt tên file mô phỏng là
“PhanCucTinh_Diode”  nhấn Create  xuất hiện cửa sổ hỉnh 2.59.
- Chọn “Bias Point” trong hình 2.59  nhấn OK.
Hình 2.57: chọn tạo mô phỏng mới
Hình 2.58: đặt tên cho mô phỏng
70
Hình 2.59: chọn kiểu phân tích mô phỏng

- Kế tiếp, nhấn biểu tượng để bắt đầu thực hiện mô phỏng “Run PSpice” trong
hình 2.60. Kết quả mô phỏng sẽ hiện thị như hình 2.61.
Hình 2.60: chỉ dẫn chạy mô phỏng
Hình 2.61: kết quả mô phỏng các thông số dc

- Lưu ý: nếu các giá trị điện áp và dòng dc chưa được hiển thị sau bước ở trên,
ta phải chọn các công cụ đo áp và dòng dc là và trong hình 3.60.
71
Vẽ đặc tuyến phân cực của diode

Để vẽ tự động đặc tuyến phân cực thuận và ngược của diode, tiến hành trình tực
các bước sau:
- Chọn biểu tượng “New Simulation”, đặt tên file là “DacTuyen_Diode” 
nhấn Create  xuất hiện cửa sổ hình 2.62.
- Trong phần lựa chọn kiểu phân tích Analysis type, chọn “DC Sweep”.
- Chọn nguồn V1 có giá trị điều chỉnh từ -8V đến 8V, bước điều chỉnh là 0.01V.
- Nhấn OK.
- Nhấn nút Run để thực hiện mô phỏng làm xuất hiện cửa sổ hình 2.63.
Hình 2.62: chọn cấu hình phân tích đặc tuyến
72
Hình 2.63: hiển thị các giá trị điện thế trên trục x
- Thiết lập trục hoành: lấy trục hoành là các giá trị điện áp trên hai đầu diode.
Chọn “Axis Settings…” trong Plot trên menu của hình 2.63 làm xuất hiện hình
2.64.
- Nhấn vào nút “Axis Variable…” sẽ tạo ra cửa sổ hình 2.65.
- Nhập vào biểu thức tính sụt áp trên hai đầu diode là (V(D1:1) – V(D1:2)) ở
dòng cho phép nhập biểu thức là “Trace Expression” trên hình 2.65.
- Nhấn OK.
- Nhấn OK lần nữa.
Hình 2.64: chọn giới hạn của trục x
73
Hình 2.65: nhập vào biểu thức tính sụt áp trên diode
- Thực hiện vẽ đặc tuyến V-I của diode:
 Chọn “Add Trace…” trong Trace trên menu của hình 2.63 làm xuất hiện
hình 2.66.
 Chọn “I(D1)” trong hình 2.66, chính là dòng qua diode cần mô phỏng.
 Nhấn OK sẽ cho kết quả mô phỏng là đặc tuyến phân cực thuận và ngược
của diode trong hình 2.67.
Hình 2.66: chọn dòng qua diode là I(D1)
74
Hình 2.67: đặc tuyến mô phỏng diode

2.6.2 Mô phỏng mạch ổn áp
các phần tử của mạch đều ở trong thư viện PSpice. Với Zener có giá trị VZ = 3 V.
Hình 2.68: mạch nguyên lý mô phỏng

Thực hiện mô phỏng theo từng bước sau:
- Sau khi vẽ xong sơ đồ nguyên lý, thực hiện chạy Netlist.
- Chọn biểu tượng “New Simulation”, đặt tên file chẳng hạn là “OnAp_1”.
- Trong phần lựa chọn kiểu phân tích Analysis type, chọn “DC Sweep”.
- Chọn nguồn V1 có giá trị điều chỉnh từ 2V đến 15V, bước điều chỉnh là 0.01V.
- Nhấn OK.
- Nhấn nút Run để thực hiện mô phỏng.
- Chọn “Add Trace…”, chọn vẽ trục tung là điện áp trên zener. Nhập biểu thức
là (V(D1:K) – V(D1:A)).
75
- Nhấn OK sẽ có kết quả mô phỏng mạch ổn áp dc dùng zener theo hình 2.69.
Hình 2.69: dạng sóng ngõ ra trên Zener

2.6.3 Mô phỏng mạch xén
các phần tử của mạch đều ở trong thư viện PSpice. Zener có giá trị VZ = 3 V.
Hình 2.70: mạch nguyên lý mô phỏng

Cách tiến hành cũng tương tự như các mô phỏng ở trên. Nhưng ở đây, chọn kiểu
phân tích trong miền thời gian, tức là chọn “Time Domain” và các thông số của
nguồn tín hiệu theo hình 2.71. Sau đó, chọn hiển thị tín hiệu áp của ngõ vào và ngõ
ra như hình 2.72. Kết quả mô phỏng thực hiện xén tín hiệu ở hình 2.73.
76
Hình 2.71: chọn cấu hình thực hiện mô phỏng
Hình 2.72: định các đầu đo ngõ vào và ra
77
Hình 2.73: dạng sóng mô phỏng ngõ vao và ra

2.7 BÀI TẬP
1) Tìm giá trị điện thế nhiệt của bán dẫn ở 400C.
2) Khi điện thế nhiệt của diode VT = 36 mV thì nhiệt độ hoạt động tương ứng là
bao nhiêu?
3) Một diode có dòng điện rỉ là 500 nA khi có điện áp phân cực ngược trên diode
là 8 V. Tính dòng qua diode hoạt động ở nhiệt độ phòng.
4) Diode Ge có dòng rỉ là 10 A, hãy tìm dòng qua nó (ở nhiệt độ phòng) trong
các trường hợp sau:
a. Có điện áp phân cực ngược trên diode là 24 V.
b. Có điện áp phân cực ngược trên diode là 0,02 V.
c. Có điện áp phân cực thuận trên diode là 0,3 V.
5) Xác định dòng qua diode trong hình 2.74, với E = 10 V, R = 1500 Ω và VD =
0,6 V.
Hình 2.74: mạch bài tập 5
78
6) Từ bài tập (5) hãy xác định điện trở tĩnh của diode.
7) Từ bài tập (5) hãy xác định điện trở động của diode đang hoạt động tại nhiệt độ
phòng.
8) Giả sử sụt áp trên diode khi được phân cực thuận là 0,7 V (Si) hoặc 0,3 V (Ge).
Tính dòng trong hình 2.75 tương ứng với các trường hợp sau:
a. Hai diode cùng loại Si.
b. Hai diode cùng loại Ge.
I R D1
1kΩ
6V D2

9) Cho mạch chỉnh lưu như hình 2.76, vẽ dạng sóng ngõ ra và xác định PIV của
diode.
220Vrms v2
50Hz vL

10) Cho mạch chỉnh lưu như hình 2.77, vẽ dạng sóng ngõ ra và xác định PIV của
diode.

11) Cho mạch điện như hình 2.78, cả hai diode đồng nhất với nhau. Hai diode có
dòng qua nó là 10 mA khi sụt áp trên nó là 0,7 V và có dòng qua nó là 100 mA
khi sụt áp trên nó là 0,8 V. Tìm giá trị R để có điện áp rơi trên điện trở là 50
mV.
79

12) Cho mạch ổn áp như hình 2.79. Với Vdc = 12 V ÷ 16 V; VZ = 9 V; IZmin = 50
mA ; RL = 9 Ω. Xác định R và PZmax để điện áp trên tải VL = VZ.
13) Cho mạch ổn áp như hình 2.80. Với Vdc = 15 V; VZ = 9 V; IZmin = 20 mA; RL =
9 Ω ÷ 20 Ω. Xác định R và PZmax để điện áp trên tải VL = VZ.
14) Cho mạch ổn áp như hình 2.81. Biết Vdc = 8 V ÷ 10 V; VZ = 5 V; IL = 20 mA ÷
100 mA. Xác định công suất tiêu tán tối đa trên zener và tìm giá trị R thoả điều
kiện ổn áp.
IZ IL
Vdc VZ
RL

15) Cho Vdc = 10,2 V ÷ 14 V; VZ = 10 V; IL = 20 mA ÷ 200 mA, với các giá trị này
có thể thiết kế mạch ổn áp như hình 3.81 được không?
16) Từ mạch ổn áp như hình 2.81. Biết Vdc = 8 V ÷ 10 V; VZ = 12 V; RL = 9 Ω ÷
20 Ω. Xác định công suất tiêu tán tối đa trên zener và tìm giá trị R thoả điều
kiện ổn áp.
80
17) Từ mạch ổn áp như hình 2.81. Biết Vdc = 8 V ÷ 10 V; VZ = 12 V; IZmin = 20 mA;

RL = 100 Ω ÷ 500 Ω. Xác định công suất tiêu tán tối đa trên zener và tìm giá trị
R thoả điều kiện ổn áp.
18) Cho mạch điện như hình 2.82, giả sử diode là lý tưởng. Tính dòng điện đỉnh
chạy qua điện trở với nguồn Vac có điện áp hiệu dụng là 120 V. Xác định PIV.

19) Từ bài tập (18), tính điện áp trung bình trên tải.
20) Làm lại bài tập (18), sụt áp trên diode là 0,7 V.
21) Cho mạch xén như hình 2.83, diode dẫn có sụt áp trên nó là 0,6 V. Hãy vẽ dạng
sóng ngõ ra.

22) Cho mạch xén như hình 2.84, diode loại lý tưởng. Hãy vẽ dạng sóng ngõ ra.

23) Cho mạch xén như hình 2.85, giả sử sụt áp trên zener bằng 0 khi nó được phân
cực thuận. Hãy vẽ dạng sóng ngõ ra.
81

24) Cho mạch và tín hiệu ngõ vào như hình 2.86.
a. Tính giá trị 5𝜏.
b. So sánh giá trị 5𝜏 với T/2 của tín hiệu.
c. Vẽ dạng sóng ngõ ra.

25) Hãy thiết kế mạch kẹp theo yêu cầu của hình 2.87.
82

Chapter2 Diode

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chapter2 Diode

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương 2: diode bán dẫn

CHƯƠNG 2: DIODE BÁN DẪN

Hình 2.1: bảng tuần hoàn các nguyên tố

Hình 2.2: nguyên tử Hydro và Heli

Các mức năng lượng

Hình 2.3: minh hoạ mô hình Bohr của nguyên tử Silic

Thứ tự lớp (n) Số điện tử tối đa của lớp tương ứng

trong đó: f là tần số bức xạ,

Bước sóng của bức xạ được phát ra được tính là:

Năng lượng trạng thái nền: 𝑊1 = −13,6 𝑒𝑉

Dải cấm EG = 1eV

(a) (b) (c)

Hình 2.4: cấu trúc dải năng lượng

2.4.2 Chất bán dẫn

Hình 2.5: cấu trúc tinh thể Ge

μp : độ linh động của lỗ trống.

Các đặc tính Ge Si

μp , cm2 /V-sec 1800 500

với 𝐷𝑃 [𝑚2 /𝑠𝑒𝑐] là hệ số khuếch tán của lỗ trống.

với 𝐷𝑛 là hệ số khuếch tán của điện tử.

Trong đó điện thế nhiệt VT:

K: hằng số Boltzman = 1,38.10-23 [J/0K],

2.2 TIẾP XÚC P-N

Hình 2.11: sự hình thành tiếp xúc P-N

Vùng điện tích không gian

Vùng điện tích không gian

Hình 2.12: phân cực tiếp xúc P-N

2.3 CẤU TẠO VÀ HOẠT ĐỘNG CỦA DIODE BÁN DẪN

2.3.1 Cấu tạo - ký hiệu diode bán dẫn

Hình 2.13: cấu tạo và ký hiệu của diode bán dẫn.

Hình 2.14: hình dạng thực tế một số diode bán dẫn

Hình 2.15: phân cực cho diode bán dẫn

IS: dòng điện bảo hoà ngược (dòng điện rỉ),

K: hằng số Boltzman = 1,38.10-23 [J/0K],

Ví dụ 2.4: Tính dòng qua diode khi VD = 0V.

Hình 2.16: đặc tuyến V-I của diode bán dẫn

Điện trở ac (điện trở động)

S : diện tích mặt tiếp xúc,

Hình 2.18: mô hình diode lý tưởng

Hình 2.19: diode tương đương nguồn áp lý tưởng

Hình 2.20: diode tương đương nguồn áp thực

Hình 3.11: mô hình tương đương ở tần số thấp

trong đó τ có giá trị khoảng vài ns đến μs.

Hình 2.12: mô hình tương đương ở tần số cao

Hình 2.13: đồ thị đường tải tĩnh

Hình 2.14: thay đổi các điểm hoạt động

(a) Thay đổi VDC từ V1 đến V4, giữ R cố định.

2.3.7 Mô hình diode tín hiệu lớn

Hình 2.15: mô hình tĩnh của diode phân cực thuận

Hình 2.16: mô hình tĩnh của diode phân cực ngược

(b) V1 = 5 V, V2 = 0 V: D1 ngưng dẫn và D2 dẫn, mạch trở thành tương đương

 V0 = 5 – ID2 x (4,7kΩ) = 5 – (0,88mA) x (4,7kΩ) = 0,864 V

Hình 2.18: phân tích diode với tín hiệu nhỏ

Hình 2.19: phân tích mạch tương đương ac

Dòng tĩnh qua diode:

𝐼𝐷𝑄 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝜂.𝑉𝑇 − 1) ≈ 𝐼𝑆 𝑒 𝜂.𝑉𝑇 (2.35)

Lấy vi phân (2.36), ta có điện dẫn:

Hình 2.20: phân tích mạch tương đương

 Tính dòng tổng qua diode: 𝑖𝐷 = 𝐼𝐷𝑄 + 𝑖𝑑

Điện trở tĩnh diode:

Ví dụ 2.9: cho mạch điện như hình 2.21a hoạt động ở

(a) Tính điện áp xoay chiều trên tải:

(b) Tính điện áp tổng trên tải

𝑖𝐷 = (4,18 + 0,099𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡 )𝑚𝐴