Tính Chất Quang, Điện và Từ của Vật Liệu

Chương 3
Lý Thuyết Hiện Đại Chất Rắn
1. L{ thuyết vùng năng lượng chất rắn
2. Vùng năng lượng kim loại
3. Vùng năng lượng chất bán dẫn
4. Khối lượng hiệu dụng
5. Mật độ trạng thái
6. Hàm phân bố
7. Độ linh động và độ dẫn điện
8. L{ thuyết lượng tử về kim loại
9. Ý nghĩa năng lượng Fermi
10.Thiết bị phát xạ nhiệt và đèn chân không
Khi các nguyên tử Li xích lại gần nhau từ vô cùng, các obitan nguyên tử xen phủ
nhau và tạo ra các vùng năng lượng.
Các obitan ngoài xen phủ nhau trước. Các obitan 3s tạo ra vùng 3s, obitan 2p hình
thành vùng 2p, v.v.
Trong trường hợp kim loại, các vùng khác nhau chồng lên nhau để tạo ra một vùng
duy nhất trong đó năng lượng gần như liên tục.
(a) Biểu diễn quy ước của cấu trúc vùng năng lượng đối với chất
rắn ở sự phân tách cân bằng giữa các nguyên tử.
(b) Vùng năng lượng ở khoảng cách cân bằng giữa các nguyên tử
(hằng số mạng tinh thể) do xen phủ các obitan trong chất rắn.
 1. L{ thuyết vùng năng lượng chất rắn
1. 1 Điện tử tự do
-Trường hợp đặc biệt: U (r) = 0, không có thế năng ảnh hưởng đến
chuyển động của êlectron.

-Xét bài toán một chiều.

3.1

-Nghiệm tổng quát cho phương trình này là sự kết hợp tuyến tính
của hai sóng truyền chuyển động theo phương x theo chiều dương
và âm:
ψ (x) = A+eikx ± A−e−ikx 3.2

trong đó A+ và A- là biên độ của hai sóng và k = 2π / λ là số sóng

của sóng electron có bước sóng λ.
 Do d2ψ(x)/dx2 = k2ψ(x)

3.3

từ đó, động năng:

3.4

Ψ (x) được gọi là hàm riêng và năng lượng là giá trị năng lượng
riêng.

Biểu đồ năng lượng phụ thuộc vào động lượng

của một điện tử tự do
 1.2 Các electron gần như tự do trong một thế năng tuần hoàn
- Hành vi của electron gần như tự do: U (r) không bằng không hoặc
không đổi nhưng thay đổi yếu theo vị trí. U (r), thế năng tuần hoàn,
không quá lớn
- Electron được giả thiết đang truyền theo hướng thuận dọc theo
x đi qua một mạng tinh thể tuyến tính với một hàm sóng truyền
 k ( x)  A exp( jkx) 3.5

Một sự truyền sóng điện tử qua một mạng tinh thể tuyến tính. Đối với giá trị k nhất định,
sóng phản xạ tại các mặt phẳng nguyên tử liên tiếp tăng cường lẫn nhau, làm phát sinh
sóng phản xạ truyền theo hướng ngược lại. Khi đó electron không thể truyền qua tinh thể.
-Tại mỗi nguyên tử, một số sóng này sẽ bị phản xạ: Phản xạ Bragg
-Nếu các sóng phản xạ A ’, B’, C ’,… giao thoa tăng cường lẫn nhau,
một sóng phản xạ toàn phần sẽ được tạo ra, sẽ truyền theo
hướng ngược lại.
-Điều kiện giao thoa tăng cường: hiệu quang lộ giữa các sóng này
là n
Trong đó  là bước sóng và n = 1,2,3,… là số nguyên

Hiệu quang lộ giữa A’ và B’ là 2a

Điều kiện giao thoa tăng cường:
2a=n 3.6
Thay =2/k vào 3.6 ta có:
n
k 3.7
a
Bất cứ khi nào k thỏa mãn điều kiện này, tất cả các sóng phản xạ
tăng cường lẫn nhau và tạo ra một sóng truyền ngược lại
Sóng phản xạ truyền theo chiều ngược lại:
 k ( x)  A exp( jkx) 3.8

Sóng này cũng có thể bị phản xạ và quá trình này sẽ tiếp tục.
Tinh thể sẽ chứa các sóng truyền theo hướng tiến và hướng
ngược lại
Các sóng này sẽ giao thoa để tạo ra sóng đứng bên trong tinh thể
Do đó, bất cứ khi nào k = n/a thì sóng không thể truyền qua
mạng tinh thể.
-Sóng đứng:
 n x 
 c ( x)  A exp( jkx)  A exp( jkx)  A c cos   3.9
 a 
 n x 
 s ( x)  A exp( jkx)  A exp( jkx)  A s sin   3.10
 a 

-Phân bố mật độ xác suất cho hai sóng đứng

Sóng tới và sóng ngược trong tinh
thể có k   / a làm phát sinh hai
sóng đứng là c và s. Phân bố mật
độ xác suất của chúng |c |2 và |s|2
lần lượt có cực đại tại các ion hoặc
giữa các ion.

Cực đại của sóng đứng đầu tiên c nằm trên các lõi ion và sóng
kia ở vị trí giữa các lõi ion
Electron càng gần hạt nhân dương thì thế năng của nó càng thấp,
–e2/4 or
Như vậy, thế năng phân bố electron trong c thấp hơn trong s vì
cực đại của c gần các ion dương hơn
Do đó năng lượng của electron trong c thấp hơn năng lượng của
electron trong s: Ec < Es
Lưu {: động năng của electron là như nhau đối với c và s:
Ek  ( k )2 / 2me 3.11
 c ( x) dx
2
Do là xác suất tìm thấy electron tại x trong khoảng dx.
Khi đó , Vc là V (x) được tính trung bình trên toàn bộ chiều dài L
của tinhLthể
1
Vc   V ( x)  c ( x) 2dx  Vn 3.12
L0
Tại k = n/a, năng lượng chỉ có hai giá trị Ec
Vs  Vn 3.13
và Es. Không có giá trị năng lượng nào khác
( k )2 được phép ở giữa. Hai năng lượng này
Ec   Vn 3.14
2me cách nhau 2 Vn.
( k )2
Es   Vn 3.15 Vn phụ thuộc vào k, k=n/a
2me
 Cách xa giá trị k tới hạn
(n/a), e- truyền như
sóng chạy, không phản
xạ.
Năng lượng :
( k )2
Ek  3.16
2me

Năng lượng của electron là một hàm của

vectơ sóng k trong tinh thể 1D.
Năng lượng không liên tục tại k  n  , sóng bị phản xạ Bragg trong tinh
a
thể.

Có một số dải năng lượng ở k  n không được phép đối với điện tử
a
Các dải năng lượng này tạo thành khe năng lượng/vùng cấm tại các
điểm tới hạn k  n 
a
Không thể có giá trị năng lượng được phép cho electron giữa Ec và
Es. Do đó, Es-Ec là khe năng lượng/vùng cấm tại: k   
a
Ở xa các giá trị k tới hạn, đặc trưng E-k giống như của một
electron tự do, với E tăng theo k : E  k 2 / 2me

Trong chất rắn, những năng lượng này nằm trong một vùng năng
lượng được phép.

Vùng giá trị k từ 0 đến khe năng lượng đầu tiên tại k  gọi là
a
vùng Brillouin đầu tiên

Vùng giữa khe năng lượng thứ nhất và thứ hai là vùng Brilouin
thứ hai, v.v.
1.3 Phương trình sóng của electron trong thế năng tuần
hoàn

- Trong một tinh thể, khoảng cách giữa các nguyên tử được xác định
bởi các vectơ tịnh tiến của mạng tinh thể Bravais (T)

- Vị trí của các nguyên tử được phân cách bởi vectơ tịnh tiến T:
T=n1a1+n2a2+n3a3 ni: số nguyên 3.17
Trong đó: a1 , a2 & a3 là các vectơ cơ sở
được xác định theo trục tinh thể

a3
c

-Thế năng của một e- sẽ thay đổi tuần hoàn 

a2
b
như mạng tinh thể:

U(r) = U(r+T). 3.18 a1
a

-Tính tuần hoàn của các hàm sóng: Hàm sóng phải có cùng giá trị tại
các vị trí tương đương trong vật rắn:
3.19
ψ(r) = ψ(r+T).
(a) Một mạng tinh thể vuông đơn giản. Ô đơn vị là hình vuông có cạnh a.
(b) Cơ sở có hai nguyên tử.
(c) Tinh thể = Mạng tinh thể + Cơ sở. Ô đơn vị là một hình vuông đơn
giản có hai nguyên tử.
(d) Vị trí của các nguyên tử cơ bản trong ô đơn vị tinh thể.
 Lập phương:
đơn giản , tâm
mặt , tâm khối

Tứ giác/ Bốn
phương: đơn giản ,
tâm khối

Trực thoi: đơn

giản, tâm đáy, tâm
khối, tâm mặt
Mặt thoi/Ba
Lục giác: đơn giản phương:
đơn giản

Đơn tà/ Một

nghiêng: đơn
giản, tâm đáy

Tam tà/Ba nghiêng:

đơn giản

7 hệ tinh thể khác nhau với 14 kiểu mạng tinh thể Bravais
 F. Block: nghiệm của phương trình Schorodinger cho một thế tuần
hoàn phải là tích của sóng phẳng exp (ikr) nhân với một hàm uk(r)
có tính tuần hoàn của mạng tinh thể
3.20

Trong đó uk(r)=uk(r+T) có tính tuần hoàn như mạng tinh thể tuần hoàn
P/t Schrodinger:
3.21

U (x) biểu thị thế năng của electron trong mạng tinh thể 1D có
hằng số mạng là a; p là toán tử động lượng: i d
dx

Thế năng được biểu diễn trong chuỗi Fourier, trong đó G là

vectơ mạng đảo của tinh thể
3.22
Mạng đảo của tinh thể được xác định bởi tập hợp các điểm
(hb1, kb2 , lb3) với các vectơ cơ sở được xác định bởi :

a2 xa3
b1  2 3.23
a1.a2 xa3
a3 xa1
b2  2 3.24
a1.a2 xa3
a1 xa2
b3  2
a1.a2 xa3 3.25

a1,a2,a3 là các vectơ cơ sở của mạng tinh thể không gian (mạng
thuận)
b1,b2.b3 là các vectơ cơ sở của mạng đảo
Véc tơ mạng đảo: G
G  hb1  kb2  lb3 3.26
  
Tán xạ đàn hồi: ki  k0
Việc xây dựng không gian mạng đảo dựa trên khái niệm hình cầu
Ewald cho thấy rằng nhiễu xạ xảy ra khi Δk bắt đầu và kết thúc
trên một điểm mạng đảo.

- Đối với nhiễu xạ tia X trong tinh thể, bất kz sự thay đổi nào của k,
Δk, đều phải bằng một vectơ của mạng đảo
Phương trình laue trình bày điều kiện nhiễu xạ:
k  G 3.27
 Hàm sóng có thể được biểu thị dưới dạng chuỗi Fourier là tổng theo
tất cả các giá trị của vectơ sóng cho phép bởi các điều kiện biên:

3.28

Thay hàm sóng này vào phương trình sóng ta được một tập
phương trình đại số tuyến tính hoặc phương trình trung tâm

3.29

Trong đó
 
Tại biên vùng: điều kiện nhiễu xạ  
  2 2  
k  G  k '  2k .G  G  0 ; k  k '
2

Vectơ sóng có hai giá trị:

3.30
T/h k=1/2G
3.31
T/h k=-1/2G

3.32

Hai phương trình này có nghiệm không tầm thường đối

với hai hệ số C nếu năng lượng ɛ thỏa mãn định thức:
3.33

3.34

Năng lượng có hai giá trị, một mức năng lượng thấp hơn động
năng electron tự do một giá trị là U và một mức năng lượng cao
hơn động năng electron tự do một giá trị là U. Như vậy thế năng
2UcosGx đã tạo ra khe năng lượng là 2U ở biên vùng.
Bây giờ chúng ta giải bài toán cho hàm sóng với vectơ sóng k gần
biên vùng (1/2G).
Chúng ta sử dụng cùng một phép gần đúng hai thành phần, với
hàm sóng có dạng
3.35
Các P/t trung tâm:
3.36

Với k =  2 k 2 / 2m . Các phương trình này có nghiệm không tầm

thường nếu năng lượng ɛ thỏa mãn định thức:
3.37

3.38
Năng lượng có hai nghiệm:
3.39

Mỗi nghiệm đặc trưng cho một vùng năng lượng

Biểu diễn hai nghiệm trên ở dạng đồ thị:

k
Giản đồ năng lượng thể hiện mối quan hệ ɛ-k
gần biên vùng.
 G=n2π/a

Vùng năng lượng mở rộng.

Vùng năng lượng rút gọn.

Biểu đồ E phụ thuộc vào k cho thấy 2 sự dịch chuyển của một số
phần của vùng năng lượng cho phép trong vùng năng lượng mở
rộng vào vùng Brilouin thứ nhất thông qua vectơ mạng đảo G.
Kết quả là ta nhận được vùng năng lượng rút gọn.
2. Vùng năng lượng kim loại

Trong kim loại, các vùng năng lượng khác nhau chồng lên nhau
để tạo ra một vùng năng lượng chỉ chứa đầy một phần các
electron.
Trạng thái ứng với năng lượng cỡ mức chân không, ở đó electron
tự do.
Cu(4s1): một nửa vùng 4s được điền bởi e-
Mg(3s2): xen phủ hai vùng 3s và 3p. e- điền đầy vùng 3s
 Giản đồ vùng năng lượng kim loại Li.

Tất cả các electron hóa trị đều nằm trong một vùng năng lượng,
chúng chỉ lấp đầy một phần.
Đỉnh của vùng năng lượng là mức chân không, tại đây electron có
thể tự do đi khỏi chất rắn (PE = 0)
Mức Fermi có thể x/đ so với mức chân không hoặc đáy vùng năng
lượng
 Ở nhiệtđộ không tuyệt đối, tất cả các mức năng lượng lên đến
mức Fermi đều được điền đầy bởi e-.

Công thoát Φ của kim loại: Năng lượng cần thiết để kích thích
một electron từ mức Fermi lên mức chân không

Năng lượng Fermi và công thoát của một số kim loại

 Sự dẫn điện trong kim loại

e- nhận năng
lượng và dịch lên

e- giảm năng lượng

và dịch xuống

Lực tĩnh điện -eEx

E=
(a) Giản đồ vùng năng lượng của một kim loại; (b) Giản đồ E-px trong t/h không
có điện trường (c) Giản đồ E-px trong t/h có điện trường theo hướng −x.

E=0: Đối với mỗi electron trên mỗi mức năng lượng đang chuyển
động sang phải (chẳng hạn a), có một electron khác (chẳng hạn b)
có cùng năng lượng nhưng chuyển động sang trái với cùng độ
lớn động lượng. Do đó, động lượng trung bình bằng 0 và dòng
điện tổng cộng bằng không.
-Khi đặt một điện trường Ex theo hướng −x, điện tử a tại EFO chuyển
động lên mức Ea′ do các trạng thái năng lượng ngay trên mức Fermi là
trống. Các điện tử ở mức thấp hơn sẽ điền đầy ngay mức trống để lại
bởi a. Điện tử ở Ea’ bị tán xạ bởi dao động mạng tinh thể và chuyển
xuống trạng thái trống xung quanh EFO. Trạng thái trống này được tạo
ra do b chuyển xuống trạng thái b’ do mất năng lượng bởi điện trường
- Tất cả các e- ở mức năng lượng trên Eb’ sẽ ch/đ cuốn theo hướng
ngược chiều điện trường.
- Đối với các mức năng lượng thấp hơn Eb′, cứ mỗi êlectron chuyển
động sang phải thì có một êlectron khác chuyển động sang trái với
cùng độ lớn động lượng nên động lượng tổng cộng sẽ bằng 0. Do đó,
các điện tử dưới mức năng lượng Eb′ không góp phần vào quá trình
dẫn điện.
- Như vậy, dòng điện chạy theo hướng −x dọc theo E, được xác định
bởi động lượng trung bình pav> 0.
- Sự dẫn điện trong kim loại xảy ra do chuyển động cuốn của các
electron phân bố ở mức Fermi bởi ΔE=Ea’-Eb’ <<EFO
- ΔE cỡ ∼10−6 eV đối với kim loại có EFO trong khoảng 1–10 eV.
Dẫn điện trong kim loại dựa trên cấu
trúc vùng năng lượng

Khi một điện áp V được đặt vào mẫu,

PE tĩnh điện của electron tại x là −eV(x),
vùng năng lượng bị uốn cong thấp
xuống ở cực dương. Khi đó thế năng
của electron giảm khi nó di chuyển về
phía cực dương.

Sự dẫn điện trong kim loại là do chuyển động cuốn của các
electron xung quanh mức Fermi.
Vì chỉ các điện tử ở gần EFO mới đóng góp vào sự dẫn điện,
chúng ta có thể biểu diễn các điện tử ở mức EFO chuyển vận
theo chiều dốc xuống của vùng năng lượng.
3. Vùng năng lượng của bán dẫn

Giản đồ vùng năng lượng của chất bán dẫn

CB là vùng dẫn và VB là vùng hóa trị.
Ở nhiệt độ 0 K, VB được điền đầy bởi các điện tử hóa trị.
Eg < 3 eV
Ec: mức năng lượng đáy vùng dẫn
Ev: mức năng lượng đỉnh vùng hóa trị
Bán dẫn Si
Nguyên tử Si có 14 electron; Lớp con 3s được điền đầy; lớp con 3p
được điền đầy một phần
Mỗi ô lượng tử biểu diễn 1 obitan  n ,l ,m
Vùng 3p chỉ điền đầy một phần Si
là kim loại?
Một nguyên tử Si cô lập có 2
electron ở obitan 3s và 2 electron
ở obitan 3p.

Cấu hình điện tử của Si

(a) Si nằm trong Nhóm IV trong Bảng tuần hoàn. Một nguyên tử Si cô lập có 2 electron ở
obitan 3s và 2 electron ở obitan 3p.
(b) Khi Si liên kết ( trong tinh thể), một obitan 3s và ba obitan 3p bị trộn lẫn để tạo thành
bốn obitan lai hóa, hyb, được gọi là obitan sp3, hướng về các góc của một tứ diện.
Obitan hyb có một thùy chính lớn và một thùy sau nhỏ.
Mỗi obitan hyb chứa một trong bốn electron hóa trị.
  B   sp  sp
3 3

1 2

 A   sp  sp
3 3

1 2

(a) Sự hình thành vùng năng lượng trong tinh thể Si trước hết liên quan đến sự lai
hóa các obitan 3s và 3p thành bốn obitan hyb giống hệt nhau tạo ra góc 109,5o với
nhau (b). (c) Các obitan hyb của hai nguyên tử Si lân cận có thể xen phủ nhau để
tạo thành B hoặc A. B là obitan liên kết . Mức năng lượng ứng với trạng thái
liên kết được điền đầy. A là obitan phản liên kết. Mức năng lượng ứng với trạng
thái phản liên kết là trống. Trong tinh thể, sự xen phủ B sẽ hình thành vùng hóa
trị được điền đầy bởi ác điện tử và sự xen phủ A sẽ tạo ra vùng dẫn còn trống.
 Các hàm sóng là sự kết hợp tuyến tính của hai quỹ đạo sp3:
 B  sp3
1
 2
sp3

3.40
 A  sp3
1
 2
sp3

trong đó ψB (năng lượng EB) là tổ hợp đối xứng của các hàm sóng
lai hóa sp3 của các nguyên tử riêng lẻ và ψA (EA) là tổ hợp phản
đối xứng
Mỗi liên kết Si-Si tương ứng với hai electron ghép đôi trong một
obitan phân tử liên kết B. Trong chất rắn có N số nguyên tử Si.
Có N số hàm sóng B
Sự tương tác xen phủ giữa N số B này dẫn đến tách mức năng
lượng EB thành N mức để tạo thành một vùng năng lượng gọi là
là vùng hóa trị. Vùng này chứa đầy các electron
Tương tác xen phủ giữa N số A dẫn đến tách mức năng lượng EA
thành N mức để tạo thành một vùng năng lượng hoàn toàn trống
gọi là vùng dẫn.
Kim loại có một electron Kim loại có hai
hóa trị s electron hóa trị s

Các loại cấu trúc vùng năng lượng trong chất rắn ở 0 K. (a) Cấu trúc vùng năng
lượng trong các kim loại như đồng, trong đó có các trạng thái trống phân bố ở trên
và lân cận với các trạng thái bị điền đầy, trong cùng một dải. (b) Cấu trúc vùng năng
lượng của các kim loại như magiê, trong đó có sự xen phủ các vùng ngoài cùng
được lấp đầy và trống. (c) Cấu trúc vùng năng lượng của chất điện môi; vùng hóa trị
điền đầy được ngăn cách với vùng dẫn trống bởi một vùng cấm tương đối lớn (> 3
eV). (d) Cấu trúc vùng năng lượng trong chất bán dẫn, giống như đối với chất điện
môi ngoại trừ vùng cấm tương đối hẹp (<3eV).
36
 4. Khối lượng hiệu dụng

Khi có lực ngoại lực (lực điện trường) Fext tác dụng vào điện tử trong
chân không thì điện tử sẽ tăng tốc. Gia tốc của e-:
Fext
avac  3.41
me
Khi cùng một ngoại lực Fext tác dụng lên một điện tử bên trong tinh
thể, gia tốc của điện tử sẽ có giá trị khác bởi vì nó còn chịu một nội
lực Fint do tán xạ với các sai hỏng trong tinh thể (nguyên tử tạp chất,
chỗ trống, nguyên tử tự xen kẽ, lệch mạng, biên hạt) và với dao động
nhiệt của nguyên tử. Fext  Fint
acrys  3.42
me
Điện tử dường như có một khối lượng quán tính khác, vì gia tốc của
nó khác với gia tốc của e- tự do trong chân không.
Khuyết tật điểm trong cấu trúc tinh thể. Các vùng xung quanh
khuyết tật điểm trở nên bị biến dạng; mạng tinh thể bị ứng suất
xung quanh khuyết tật.
Khuyết tật điểm trong tinh thể ion
Sự lệch mạng trong tinh thể là một khuyết tật đường đi kèm với
sự méo mạng tinh thể và do đó biến dạng mạng tinh thể xung
quanh nó
Lệch mạng xoắn liên quan đến sự trượt một phần của tinh thể
so với phần khác theo một đường (AB)
Các biên hạt có các liên kết đứt gãy, khoảng trống, chỗ trống, liên
kết biến dạng và các nguyên tử điền kẽ. Cấu trúc của biên hạt bị
biến dạng và các nguyên tử trong biên hạt có năng lượng cao hơn
các nguyên tử bên trong hạt.
(a) Một êlectron dẫn chuyển động ngẫu nhiên trong kim loại (với tốc độ trung
bình là u) bị tán xạ liên tục và ngẫu nhiên bởi dao động nhiệt của nguyên tử.
Trong trường hợp không có điện trường, không có chuyển động cuốn theo
bất kỳ hướng nào.
(b) Khi có điện trường tác dụng, Ex, có chuyển động cuốn dọc theo hướng x.
Sự chuyển động cuốn tổng cộng dọc theo lực điện trường được chồng lên
chuyển động ngẫu nhiên của electron. Sau nhiều lần tán xạ, electron đã bị
dịch chuyển một khoảng bằng thực, x, từ vị trí ban đầu của nó về phía cực
dương
 - Năng lượng của một êlectron tự do trong tinh thể liên quan đến vectơ sóng
là:

Lấy vi phân cả hai vế theo k 3.43

1
 d 2E 
Lấy vi phân bậc hai:  m    2 
 2
3.44
 dk 
- Khối lượng hiệu dụng của điện tử tỷ lệ nghịch với độ cong của
giản đồ E (k).
Độ cong mạnh có nghĩa là khối lượng hiệu dụng nhỏ và ngược lại.
Khối lượng hiệu dụng thường được biểu thị bằng đơn vị khối
lượng electron trong chân không, tức là m*/m0.
- Khái niệm khối lượng hiệu dụng chỉ được xác định gần cực đại
hoặc cực tiểu của vùng năng lượng trong đó năng lượng có thể được tính
gần đúng như một hàm bậc hai của vectơ sóng k.
Gần mức cực tiểu của vùng năng lượng, hàm E (k) bị lõm lên và
1/m *> 0
Gần mức cực đại, hàm E (k) bị lõm xuống ,1/m * <0.
Khối lượng hiệu dụng gần cực đại đối với điện tử có giá trị âm.
Khi đó hạt tải điện có gia tốc cùng chiều với điện trường, hạt có điện tích
dương: Lỗ trống!
VD: Cấu trúc vùng năng lượng của Si
-Vùng hóa trị có ba nhánh; cực đại
nhánh 1 và 2 trùng nhau và nằm ở tâm 1
vùng Brillouin; cực đại nhánh 3 cũng ở
tâm vùng B. nhưng thấp hơn cỡ 0,035 2
eV do tương tác spin-quỹ đạo
Nhánh 1 gọi là nhánh lỗ trống nặng có
khối lượng hiệu dụng
mph  0,52m

Nhánh 2 là nhánh lỗ trống nhẹ có khối

lượng hiệu dụng 
mpl  0,16m

Nhánh 3 là nhánh lỗ trống trung bình

có khối lượng hiệu dụng
mp 3  0, 24m

-Vùng dẫn có cực tiểu nằm trên phương

[100] trong vùng Brillouin thứ 1.
5. Mật độ trạng thái
-Mật độ các trạng thái, g(E): số trạng thái trên một đơn vị năng
lượng trong vùng năng lượng và trên một đơn vị thể tích.
Số trạng thái trên một đơn vị thể tích có năng lượng lên tới E ′ là

-Đối với một electron tự do trong không gian ba chiều, năng lượng
E:
3.45

trong đó kx, ky và kz là các thành phần của vectơ sóng k dọc
theo ba hướng tọa độ.

Đối với tinh thể có kích thước Li, giá trị vectơ sóng:
ki=niπ/Li. 3.46
 -Năng lượng của một electron trong một giếng thế năng lập
phương kích thước L được cho bởi
h2
E   2 (n12  n22  n32 )  n2 E0 3.47
8me L
Trong đó n1, n2 và n3 là các số nguyên:
1,2,3.. và là chỉ số của các điểm của mạng
đảo bên trong một hình cầu bán kính n’:
n  (n12  n22  n32 )1/ 2 3.48
Mỗi tổ hợp của n1, n2 và n3 ứng với một
trạng thái obitan electron.
Ví dụ, ψn1, n2, n3 = ψ1,1,2 là một trạng thái
obitan.
-Xét kích thước không gian L là của toàn bộ chất rắn, và electron bị giới
hạn ở bên trong chất rắn đó.
Chúng ta sẽ sử dụng phương trình 3.47 để mô tả năng lượng của các
electron tự do bên trong vật rắn (như trong kim loại).
Do L rất lớn so với kích thước nguyên tử, khoảng cách giữa các mức
năng lượng là rất nhỏ.
 Trạng thái năng lượng thấp nhất:
3.49

Mỗi tổ hợp n1, n2, n3 là một trạng thái obitan của electron
Cần xác định xem có bao nhiêu tổ hợp n1, n2, n3 cho năng lượng nhỏ
hơn E’
Số trạng thái obitan trong thể tích hình cầu, bán kính n’:
1 4 3 1
  n    n3
8 3  6
Số lượng electron có thể chứa ở trạng thái có năng lượng E’:
3/ 2
1  4 3    E' 
N ( E ' )  2  n'     4.50
83  3  E0 
Ở đây thừa số hai là do mỗi trạng thái có thể có hai spin điện tử và
1/8 là do chúng ta chỉ phải lấy các giá trị dương của n1, n2 và n3.
 Mật độ trạng thái g(E)

g(E)= (1/V)(dN/dE), 3.51

trong đó V = L3 là thể tích tinh thể (đối với vật rắn hình lập phương)

3.52

Mật độ trạng thái này sẽ áp dụng cho bất kz điểm cực trị của vùng
năng lượng, trong vùng đó có sự phụ thuộc bậc hai của năng lượng
vào động lượng/ vectơ sóng. Có nghĩa là cho khu vực gần biên vùng .
Từ đáy của vùng năng lượng, g (E) tăng theo năng lượng tỷ lệ với E1/2.
Đến gần đỉnh của vùng NL, g (E) giảm theo năng lượng (Etop-E) ½
Khi đó E → Etop, g(E) → 0
Số lượng electron trên một đơn vị thể tích trong một vùng năng lượng:

f (E) là xác suất để trạng thái có năng lượng E bị chiếm bởi e-

(a) Trong chất rắn có N nguyên tử. N phương trình sóng electron từ 1 tới N.
Có nhiều hàm sóng, trạng thái với năng lượng tập trung phân bố ở vùng
trung tâm của dải năng lượng.
(b) Sự phân bố các trạng thái trong vùng năng lượng; các vùng tối hơn có số
lượng trạng thái cao hơn.
(c) Giản đồ của mật độ của trạng thái g (E) là hàm của năng lượng E.
6. Thống kê các hạt: hàm phân bố
Thống kê cổ điển Boltzmann
Phân bố Boltzmann theo năng lượng mô tả
thống kê của các hạt, chẳng hạn như electron,
khi số trạng thái được phép nhiều hơn số lượng
hạt.
.
Giả sử: Không có hạn chế đối với năng lượng
electron; chúng ta có thể bỏ qua nguyên lý loại
trừ Pauli (chỉ một hạt trên mỗi trạng thái ở năng N2 N1
lượng E); Bất kz số lượng hạt nào cũng có thể có
một năng lượng nhất định. Phân bố Boltzmann

Xác suất để một êlectron có năng lượng E là:

 E 
P( E )  Aexp    Trong đó k là hằng số Boltzmann
 kT  3.53
Xác suất tìm thấy một hạt ở năng lượng E giảm theo hàm mũ .
 Giả sử có N1 hạt ở E1 và N2 hạt ở E2, từ phương trình trên ta có
N2  E2  E1 
 exp    Thống kê
N1  kT  Boltzmann
3.54

Tỉ số này tăng khi nhiệt độ tăng

VD: thống kê Boltzmann cho các êlectron trong vùng dẫn của
chất bán dẫn số trạng thái nhiều hơn số êlectron

b. Thống kê Fermi-Diract
Xét trường hợp chỉ có một electron ở trạng thái lượng tử n,l,ml,ms
(kể cả spin) với năng lượng E. Hệ hạt tuân thủ nguyên l{ loại trừ
Pauli.
Xác suất để một êlectron ở trạng thái có năng lượng E:
1
f (E)  Thống kê
 (E  E f ) 
1  exp   Fermi–Dirac 3.55
 kT 
Khi T tăng, f (E) tăng dịch lên ở mức năng lượng cao hơn
Khi năng lượng cao hơn Ef cỡ vài kT (0,026 eV) , E-Ef >> kT, f (E)
gần giống như hàm Boltzmann
 (E  E f ) 
f ( E )  exp    3.56
 kT 

-Ở nhiệt độ không tuyệt đối, tất cả các

mức năng lượng lên đến Ef đều được
điền đầy bởi electron
f (E) có dạng bậc tại Ef
f (E) = 1 khi E <Ef
f (E) = 0 khi E> Ef
- Trên độ không tuyệt đối:
tại E=Ef ta có f(Ef)=1/2
7. Độ linh động và độ dẫn điện
-Sự dẫn điện trong chất rắn có thể xảy ra do chuyển động của các electron
hoặc ion:
Dẫn điện bởi điệntử
Dẫn điện bởi ion.
Sự dẫn điện ion xảy ra bởi sự khuếch tán các ion, thường là ở nhiệt độ
cao.
Chất dẫn điện ion nhanh được sử dụng làm chất điện phân rắn
trong pin nhiên liệu (thay thế cho pin) và cảm biến.
Dẫn điện điện tử: chuyển động của các electron và lỗ trống

-Khi một vật liệu được đặt trong một điện trường, E, mật độ dòng điện, J:
J = σE, 3.57
Độ dẫn điện σ của chất bán dẫn riêng:
σ = n|q|(μe + μh) = p|q|(μe + μh) 3.58

Trong đó| q | là điện tích hạt tải điện, μn và μp là độ linh động electron và lỗ
trống, và n và p là nồng độ hạt tải điện của e- và lỗ trống.
-Trong kim loại, số hạt tải điện phụ thuộc vài số hạt tải điện gần năng
lượng Fermi.
- Nồng độ hiệu dụng của hạt tải điện trong kim loại: số hạt tải điện trong
khoảng kBT lân cận năng lượng Fermi trong 1 đv thể tích; cỡ 1 hạt tải
ứng với một nguyên tử hay nồng độ hạt tải cỡ 1022 cm-3.
-Khi đặt một êlectron trong điện trường thì nó tăng tốc.
Gia tốc của e- : a = qE/m* 3.59
trong đó m* là khối lượng hiệu dụng của hạt tải điện.

-Tốc độ chuyển động cuốn: vd = a 3.60

 : thời gian trung bình giữa các lần va chạm
3.61

- Đại lượng q /m* là độ linh động của hạt tải điện, μn hoặc μp.
- Độ linh động phụ thuộc vào hai thành phần :
Thời gian trung bình giữa các va chạm
Khối lượng hiệu dụng của hạt tải điện.
- Thời gian trung bình giữa các va chạm phụ thuộc vào cơ chế tán
xạ.
- Ba loại tâm tán xạ chính
Các điện tử,
Các nguyên tử của chất rắn (dao động nhiệt),
Các sai hỏng trong một tinh thể.
-Hai loại tâm đầu tiên thường được xác định bởi các thuộc tính cơ
bản của vật liệu
-Loại tâm thứ ba được kiểm soát bởi mật độ sai hỏng trong tinh thể
- Độ linh động liên quan với hệ số khuếch tán của hạt tải điện .
Einstein đã chỉ ra rằng độ linh động nhân với năng lượng
nhiệt (kBT) sẽ bằng điện tích nhân với hệ số khuếch tán.

Đối với điện tử: 3.62

8. L{ thuyết lượng tử về kim loại
Xét biểu đồ vùng năng lượng của một kim loại và mật độ của các trạng
thái g (E)

n0

(a) Trên 0K, do bị kích thích nhiệt, một số electron có năng lượng trên EF.
(b) Mật độ trạng thái, g (E) là hàm của E trong vùng NL.
(c) Xác suất chiếm một trạng thái ở mức năng lượng E là f(E).
(d) Tích của g (E)f (E) là số electron trên một đơn vị năng lượng trên một
đơn vị thể tích, hoặc nồng độ electron trên một đơn vị năng lượng.
Diện tích dưới đường cong trên trục năng lượng là nồng độ điện tử n0
trong vùng NL.
Số electron trên một đơn vị năng lượng trên một đơn vị thể tích,
hoặc nồng độ electron trên một đơn vị năng lượng:
nE  g ( E ) f ( E ) 3.63

Tổng số electron hóa trị trên một đơn vị thể tích:

top of band top of band

n 0
nE dE  0
g ( E ) f ( E )dE


8 21/ 2 me3/ 2 E1/ 2 dE
n
h3 0  E  Ef 
1  exp  
 kT  3.64
Sau khi tích phân ở điều kiện T=0 K, chúng ta có thể xác định năng
lượng Fermi :
 h   3n 
2 2/3
3.65
EF 0   
 e   
8m
  2  kT 2 
Năng lượng Fermi tại T: EF (T )  EF 0 1    
 12  F 0  
E

EF(T) chỉ phụ thuộc không đáng kể vào nhiệt độ , vì EFO ≫ kT.
-Xét sự dẫn điện trong kim loại
Trong kim loại, chỉ những electron có năng lượng trong một phạm
vi nhỏ E xung quanh năng lượng Fermi Ef mới góp phần vào sự
dẫn điện.
Nồng độ e- ở mức Fermi: g(EF).E
Do ta có

Mật độ dòng điện Jx :

Do đó, độ dẫn điện là 3.66

1
Độ dẫn điện trong kim loại (3D):   e2v 2f  g ( E f )
3
Trong đó vf là vận tốc của electron ở mức năng lượng Fermi;  là
thời gian tán xạ, e- chuyển từ mức đỉnh xuống mức đáy của E.
 -Tại sao tính dẫn điện của Mg kém hơn Cu mặc dù Cu và Mg lần
lượt là các kim loại có hoá trị 1 và 2.
Đối với Mg, mức Fermi là nơi đuôi trên cùng của dải 3s chồng
lên đuôi dưới của dải 3p, nơi mật độ trạng thái nhỏ
Đối với Cu, Ef gần ở giữa dải 4s nơi mật độ trạng thái cao
- Tại sao dẫn điện của Ni kém hơn Cu ?
Trong Ni: Sự chồng lấn giữa vùng 3d và 4s

Do khối lượng hiệu dụng của e- trong vùng 3d là rất lớn, nên
điện tử trong vùng đó không đóng góp vào sự dẫn điện.
Thời gian tán xạ từ đáy tới đỉnh của E của e- trong vùng 4s là
nhỏ nên độ dẫn điện của Ni kém hơn so với đồng
 Đối với trường hợp mô hình electron tự do cho g (Ef), và mối quan
hệ giữa Ef và n, độ dẫn điện được x/đ : e 2 n
 3.67
me
9. Ý nghĩa năng lượng Fermi
a. Tiếp xúc kim loại-kim loại: hiệu điện thế tiếp xúc Drude model

- Xét tiếp xúc giữa hai KL, Mo và Pt

(a) Các electron trong Mo có năng lượng

cao hơn, vì vậy chúng di chuyển đến
bề mặt của Pt bằng cách xuyên hầm.
(b) Trạng thái cân bằng đạt được khi các
mức Fermi được xếp thẳng hàng.
-Bề mặt Mo ở chỗ tiếp xúc: tích điện
dương; Pt: tích điện âm.
- Như vậy, khi đưa hai kim loại lại gần nhau
thì xuất hiện một hiệu điện thế tiếp xúc V
gọi là hiệu thế tiếp xúc ngoài.
Điện áp tiếp xúc này không sinh công; nghĩa là, nó không thể tạo
dòng điện trong mạch bên ngoài.
Ta có thể đóng mạch kim loại Pt – Mo để tạo thành vòng

Khi đó, một tiếp xúc khác có điện áp tiếp xúc bằng và ngược
chiều với tiếp xúc thứ nhất.
Điện áp tiếp xúc tổng cộng bằng không và do đó dòng điện bằng
không.
+ Lý thuyết dòng phát xạ nhiệt: Khi hai kim loại M1 và M2 tiếp xúc
với nhau, giữa hai KL có sự trao đổi điện tử.
Phương trình phát xạ nhiệt Richardson – Dushman:
 
j  AT 2 exp    A là hằng số Richardson – Dushman
 kT 
Nếu M1 < M2: dòng phát xạ nhiệt điện tử từ M1 sang M2 lớn hơn
dòng dòng phát xạ nhiệt điện tử từ M2 sang M1.
Ở vùng tiếp xúc M1 tích điện dương và M2 tích điện âm dẫn tới
hình thành hiệu thế tiếp xúc V
Ở điều kiện cân bằng, mật độ dòng phát xạ nhiệt bằng nhau:
AT 2e1 / kT  AT 2e(2 V ) / kT
Hiệu điện thế tiếp xúc V được xác định bởi sự khác biệt công thoát:
V   2  1 
1
3.68
e
T/h tiếp xúc Mo-Pt:
eV  ( Pt )  ( Mo)  5.36eV  4.20eV  1.16 eV
V  1.16 V
-Năng lượng Fermi đặc trưng cho năng lượng tự do trên mỗi
electron hay gọi là thế điện hóa μ.
-Năng lượng Fermi là thước đo khả năng của một điện tử thực hiện
công điện trường (e x V) hoặc công phi cơ học, thông qua các quá
trình hóa học hoặc vật lý.
- Xét hai kim loại có mức Fermi khác nhau tiếp xúc với nhau .
Các electron ngay lập tức được chuyển từ kim loại này sang
kim loại khác, cho đến khi năng lượng tự do trên mỗi electron μ
trong toàn hệ thống là cực tiểu và đồng đều trong hai kim loại, do
đó: Δμ = 0 hay ΔEF = 0.
Nếu mức Fermi trong một kim loại có thể được duy trì ở mức cao
hơn kim loại kia, bằng cách sử dụng nguồn năng lượng bên ngoài (ví
dụ: ánh sáng hoặc nhiệt), thì sự khác biệt mức Fermi có thể được
sử dụng để thực hiện công.
b. Hiệu ứng Seebeck và cặp nhiệt điện

Hiệu ứng Seebeck. Một gradient nhiệt độ dọc theo một vật
dẫn làm phát sinh hiệu điện thế.
-Xét một gradient nhiệt độ dọc theo vật dẫn
-Các êlectron ở vùng nóng có năng lượng lớn hơn và do đó có vận
tốc lớn hơn các êlectron ở vùng lạnh
-Sự khuếch tán của êlectron từ đầu nóng sang đầu lạnh để lại
các ion dương kim loại ở vùng nóng và tích tụ các electron ở
vùng lạnh
- Hình thành điện trường nội: trường nhiệt điện
-Hiệu ứng Seebeck: Sự xuất hiện hiệu điện thế V trên một
mẫu vật liệu do chênh lệch nhiệt độ T
dV
Hệ số Seebeck S 3.69
dT

Dấu của S được xác định bởi điện thế của đầu lạnh so với đầu
nóng
Cu : S>0
Al : S<0
 -Xét hai vùng lân cận, H (nóng) và C (lạnh) có độ rộng tương ứng
với quãng đường tự do trung bình l và l‘ trong vùng H và C .
Khi đó, một nửa số electron trong vùng H chuyển vào vùng C
(1/2nl), và một nửa trong vùng C chuyển vào vùng H (1/2nl ’).
-Sự khuếch tán tổng cộng từ vùng nóng sang lạnh tỷ lệ với 1/2n (l-l ’),
trong đó n là nồng độ electron
S>0 khi l > l’;
S<0 khi l < l’
-Sự khác biệt điện thế ở các đầu nóng và lạnh phụ thuộc vào sự
khác biệt trong quãng đường tự do trung bình của các vùng nóng
và lạnh
- Quãng đường tự do trung bình của điện tử phụ thuộc vào sự tán xạ
do dao động mạng tinh thể, tạp chất và khuyết tật tinh thể
T

- Hiệu điện thế/suất nhiệt điện động: V   SdT 3.70

 2 k 2T 3.71
0T

- Phương trình Mott và Jones đối với S: S   x

3eE f 0
Trong đó x là tham số đặc trưng cho sự phụ thuộc vào năng lượng
của quãng đường tự do trung bình của electron. Nếu quãng đường
tự do trung bình giảm theo năng lượng của electron thì x là âm; Ef0
là năng lượng Fermi ở 0K
kT/Ef0 : chỉ những electron trong khoảng kT xung quanh mức Fermi
mới tham gia vào quá trình chuyển vận và tán xạ
 Hệ số Seebeck S phụ thuộc vào nhiệt độ:
- Đóng góp bởi khuếch tán electron.
- Đóng góp bởi h/t kéo phonon do va chạm của electron với phonon

Cu

Al

Khi có gradien T, tồn tại một dòng phonon, từ vùng nóng sang vùng lạnh.
Khi các phonon va chạm với các electron (hoặc ngược lại), chúng đẩy e- dọc theo
gradient nhiệt độ.
Do đó, sự va chạm của các phonon với các điện tử có thể khiến các điện tử bị kéo
theo các phonon và do đó góp phần vào sự khác biệt về điện thế giữa hai đầu .
Hiện tượng này được gọi là hiện tượng kéo phonon, và thường trở nên quan trọng
ở nhiệt độ thấp.
Hệ số Seebeck S của kim loại nguyên chất phụ thuộc vào nhiệt độ

trong đó a và b là hằng số, đặc trưng cho từng kim loại nguyên chất.
Số hạng thứ nhất thể hiện sự đóng góp khuếch tán điện tử
Số hạng thứ hai thể hiện sự đóng góp kéo phonon
Cặp nhiệt điện : hai tiếp xúc của hai kim loại khác nhau; một tiếp
xúc được duy trì ở nhiệt độ tham chiếu T0, điểm tiếp xúc kia được
sử dụng để cảm nhận/đo nhiệt độ T

VD: Al và Ni có hệ số Seebeck khác

nhau. Do đó tồn tại suất điện động
emf trong mạch Al-Ni giữa hai
đầu nóng và lạnh.
T T0

Suất điện động (emf) giữa hai dây:

T T
VAB  VA  VB   ( S A  S B )dT   S AB dT
T0 T0

Trong đó SAB = SA-SB. được định nghĩa là suất nhiệt điện động 3.72

của cặp nhiệt điện A-B

Cặp nhiệt điện kiểu K (chromel-alumen): SAB=40V/K ở 300K
Hệ số Seebeck S phụ thuộc vào nhiệt độ của một số hợp kim
kim loại được sử dụng trong cặp nhiệt điện thương mại.
(Chromel: 90%Ni-10%Cr, Alumel: 95%Ni-2%Al-2%Mn-1%Si, và
constantan: 57%Cu-43%Ni.)
Sử dụng biểu thức của S và VAB, chúng ta có thể nhận được phương
trình cặp nhiệt điện
VAB  aT  b(T ) 2
3.73
Trong đó a và b là các hệ số của cặp nhiệt điện, T=T-T0 là nhiệt
độ so với nhiệt độ chuẩn T0
Tiếp xúc tham chiếu ở To là 0°C. Nhiệt độ
của cả hai đầu DVM là T1 và không ảnh
hưởng đến emf đo được. Emf chỉ phụ
thuộc vào T và To.
(Trong trường hợp này, kim loại X là Al, và
T = 100 ° C và DVM chỉ thị giá trị +0,42 mV.)
10. Thiết bị phát xạ nhiệt và đèn chân không
1. Phát xạ nhiệt
-Khi một kim loại bị đốt nóng, các điện tử sẽ có năng lượng lớn
hơn do hàm phân bố Fermi-Diract mở rộng đến vùng nhiệt độ
cao hơn. Một vài điện tử có năng lượng đủ lớn để rời khỏi kim
loại và trở nên tự do. Hiện tượng này là sự phát xạ nhiệt

Xét hàm Fermi-Dirac f (E) và nồng độ

của điện tử trên một đơn vị năng
lượng n (E) ( số điện tử trên một
đơn vị năng lượng và trên một đơn
vị thể tích) ở ba nhiệt độ khác nhau.
Nồng độ điện tử mở rộng đến vùng
năng lượng cao hơn khi nhiệt độ
tăng.
Các điện tử có năng lượng vượt quá
EF +  có thể rời khỏi kim loại (phát
xạ nhiệt)
-Sự phát xạ nhiệt được ứng dụng trong đèn chân không. Các điện
tử phát ra được thu bởi anôt có điện thế dương

(a) Sự phát xạ nhiệt điện tử

trong đèn chân không.
(b) Đặc trưng dòng điện-điện
áp của một đèn điốt chân
không.

-Dòng điện do dòng các điện tử phát xạ ra từ catốt đi đến anốt tăng
theo hiệu điện thế và đạt tới trạng thái bão hòa. Khi đó tất cả các điện
tử phát xạ ra đều chuyển tới anốt .
- Đèn chân không đóng vai trò chỉnh lưu: không có dòng điện chạy
qua khi anốt phân cực âm. Dòng điện hình thành khi anốt phân cực
dương. Các điện tử chuyển vận dưới tác dụng của E.
- Đối với sự phát xạ e-, chỉ những điện tử có năng lượng lớn hơn Ef +
(năng lượng Fermi + công thoát) mới có thể chuyển động về phía bề
mặt và rời khỏi kim loại.
- Để phát xạ điện tử , động năng của nó phải lớn hơn hàng rào thế
năng Ef+ 
1 3.74
me vx2  E f  
2
- Mật độ dòng nhiệt điện: Phương trình Richardson-Dushman
  
J  B0T 2 exp    3.75
 kT 
4me k 2
Trong đó B0  2.83
h3
Bo là hằng số Richardson-Dushman có giá trị 1.2x106Am-2K-2
-Ảnh hưởng phản xạ: Bản chất sóng của điện tử có nghĩa là chúng
có xác suất phản xạ trở lại kim loại khi tiếp cận bề mặt của nó.
Khi  rất lớn, chúng hoàn toàn bị phản xạ, không có phát xạ
- Khi tính đến ảnh hưởng của phản xạ, phương trình phát xạ
nhiệt có dạng:   
J  BeT exp  
2
 3.76
 kT 
Trong đó, hệ số phát xạ: Be  (1  R) B0 3.77
2. Hiệu ứng Schottky và phát xạ trường
-Hiệu ứng Schotty: điện trường tại catốt làm tăng cường quá trình phát
xạ nhiệt bằng cách hạ thấp hàng rào thế năng  khi một điện thế dương
được đặt vào anốt so với catốt.
-Điện tử vừa chuyển ra khỏi bề mặt kim loại bị kéo lại bởi lực tĩnh điện
do điện tích dương hiệu dụng /điện tích ảnh trong kim loại.
-Điện tử này ở khoảng cách x từ bề mặt vật dẫn có thế năng là:
e2
PEimage ( x)  ( E f   )  3.78
16 0 x

(a) PE của e- gần bề mặt của vật

dẫn.
(b) PE của e- gây bởi điện trường
giữa cực âm và cực dương.
(c) PE tổng cộng
- Thế năng của điện tử do điện trường giữa catốt và anốt :
PEapplied ( x)  exE 3.79
Hiệu ứng hạ thấp công thoát do điện trường ngoài gọi là hiệu ứng
Schottky.
Thế năng tổng cộng của e- bên ngoài KL:
3.80
Điện trường ngoài tác dụng lên mẫu làm giảm công thoát.
Điều này có nghĩa là rào thế năng (Ef + ) chống lại sự phát xạ
nhiệt được giảm xuống và có giá trị là (Ef + eff). Trong đó eff
là công thoát hiệu dụng.
Công thoát hiệu dụng có thể được xác định bằng cách vi phân
phương trình PE (x) và cho nó bằng 0 (xác định giá trị cực đại
của PE (x))  eE 
3
1/ 2

- Công thoát hiệu dụng của e-: eff      3.81

 4 0 
 Khi đó, mật độ dòng điện
    s E1/ 2 
J  BeT exp  
2
 3.82
 kT 
Trong đó s là hệ số Schottky
1/ 2
 e3 
s    3.83
 4 0 
-Khi điện trường này rất lớn, chẳng
hạn E > 107 Vcm-1, PE bên ngoài bề mặt
kim loại có thể uốn cong mạnh và có
dạng hẹp.
-Điện tử ở mức Fermi sẽ đi xuyên qua
rào thế và thoát vào chân không (a) Phát xạ trường là phát xạ gây bởi sự
xuyên hầm của một điện tử ở năng
-Xác suất xuyên hầm lượng EF đi qua hàng rào PE hẹp
gây ra bởi một điện trường đặt lên
mẫu.
(b) Rào thế năng có dạng hình chữ nhật.
Do
(c) Điện cực catốt dạng đầu nhọn có điện
trường cực đại ở đầu nhọn, ở đó xảy
3.84
ra sự phát xạ trường của e-.
-Mật độ dòng điện là thông lượng điện tử (số điện tử di chuyển
về phía bề mặt trên một đơn vị thời gian và đơn vị diện tích)
nhân với xác suất chúng đi xuyên hầm ra ngoài.
 E 
Phương trình Fowler-Nordheim: J field emission  CE 2 exp   c  3.85
 E
Trong đó C và Ec là các hằng số không phụ thuộc nhiệt độ mà
chỉ phụ thuộc vào công thoát C
e3
3.86
8 h
8 (2me 3 )1/ 2
Ec  3.87
3eh
(a) Catốt kiểu hình nón (spindt) và
cấu trúc cơ bản của một trong
các pixel trong FED.
(b) Dòng điện phát xạ (cực dương)
phụ thuộc vào điện áp cổng.
(c) Đồ thị Fowler-Nordheim khẳng
định phát xạ trường

Dòng phát xạ hoặc dòng anốt IA

Màn hình phát xạ trường (Field
Emission Display-FED)