Chapter5 SmallAmplificationCircuit

Chương 5: mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng transistor
CHƯƠNG 5: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG

TRANSISTOR
5.1 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT

Khi transistor làm việc với tín hiệu vào đủ nhỏ để các tham số của chúng như
hfe, hfb, …của BJT không thay đổi, hay thay đổi không đáng kể, thì transistor phải
làm việc ở chế độ tín hiệu nhỏ. Ở chế độ này, transistor được thay bằng mô hình mạch
tương đương tín hiệu nhỏ. Sau khi thay thế các transistor bằng các mô hình mạch
tương đương của chúng, bài toán phân tích mạch điện tử trở thành bài toán lý thuyết
mạch (tuyến tính). Tuy nhiên, nếu sử dụng đầy đủ các tham số mô hình mạch tương
đương của transistor, bài toán sẽ phức tạp. Trong thực tế, việc tính toán chính có thể
bỏ qua một số tham số, để việc tính toán bằng tay thuận tiện, giúp việc đánh giá mạch
nhanh, dễ thiết kế, thì việc hoàn chỉnh mạch thiết kế có thể thực hiện bằng thực
nghiệm.
Quy ước ký hiệu
IB: dòng điện dc tại cực nền (còn được gọi là IBQ)
ib: dòng điện ac tại cực nền
Ib: dòng điện hiệu dụng tại cực nền
iB: thành phần dòng điện tổng hợp tại cực nền
iB = IB + ib (5.1)
VB: điện thế dc tại cực nền (còn được gọi là VBQ)
vb: điện thế ac tại cực nền
Vb: điện thế hiệu dụng tại cực nền
vB: thành phần điện thế tổng hợp tại cực nền
vB = V B + v b (5.2)
Bất kỳ linh kiện tích cực hai cửa như transistor đều có thể biểu diễn mạng hai
cửa như hình 5.1.
147
i1 i2
Mạng hai
v1 v2
cửa
Hình 5.1: hệ thống mạng hai cửa

Mô hình tham số h này có hệ phương trình:
v = h11 i1 + h12 v2
{ 1 (5.3)
i2 = h21 i1 + h22 v2
Bốn tham số h11, h12, h21, h22 được gọi là các tham số hỗn hợp, hoặc được gọi
tắt là tham số h. Hai tham số h11 và h21 là các tham số khi ngắn mạch, h12 và h22 là hai
tham số khi hở mạch:
𝑣1
h11 = | (5.4)
𝑖1 𝑣 =0
2
𝑣1
h12 = | (5.5)
𝑣2 𝑖 =0
1
𝑖
h21 = 2 | (5.6)
𝑖1 𝑣 =0
2
𝑖2
h22 = | (5.7)
𝑣2 𝑖 =0
1
Theo chuẩn IEEE thì các tham số h được ký hiệu như sau:
h11 = hi : điện trở ngõ vào
h12 = hr : tỷ lệ áp truyền ngược
h21 = hf : độ lợi dòng truyền thuận
h22 = ho : điện dẫn ngõ ra
Như vậy, hệ phương trình (5.3) sẽ được viết lại như sau:
v = hi i1 + hr v2
{ 1 (5.8)
i2 = hf i1 + ho v2
Mạch tương đương của BJT được đặc trưng bằng hệ (5.8) được biểu diễn theo
hình 5.2.
148
+
i1
hi . i2
+
v1 hr v2 + hf i1 1/h0 v2
-
- . . . -
Hình 5.2: mô hình tham số h của BJT

Khi phân tích mạch, một cách gần đúng có thể xem hr = ho = 0. Khi đó hệ
phương trình đặc tính (5.8) được viết lại:
v1 = hi i1
{ (5.9)
i2 = hf i1
i1 i2 +
+
v1 hi hfi1 v2
- -
Hình 5.3: mô hình tham số h đơn giản của BJT

Mô hình E chung
Từ hình 5.4a, hệ phương trình (5.8) biểu diễn theo cấu hình E chung như sau:
v = hie ib + hre vce

{ be (5.10)
ic = hfe ib + hoe vce
i ∆iC
hfe = c | = | =β (5.11)
ib Q ∆iB Q
vbe VT VT
hie = | = = hfe = hfe ∗ hib (5.12)
ib Q IBQ ICQ
ib hie ic
C B C
ic
+
ib hrevce -
hfeib 1/hoe
B vce vce
vbe
vbe
E
E
(a) (b)
149
Hình 5.4: cấu hình E chung

(a) BJT mắc mạch kiểu E chung
(b) Mô hình tham số h kiểu E chung
Mô hình B chung
v = −hib ie + hrb vcb
{ eb (5.13)
ic = −hfb ie + hob vcb
ic ∆iC
hfb = | = | = −α (5.14)
−ie Q ∆iE Q
veb ∆vBE
hib = = | (5.15)
−ie ∆iE Q
1
hib = ∗ hie (5.16)
1+hfe
VT
hib ≈ (5.17)
ICQ
i1 = -ie i2 = i c -ie hib ic

E E C
C
veb = -vbe vcb veb = -vbe hrbvcb + -hfbie 1/hob vcb

-
B B B B
(a) (b)
Hình 5.5: cấu hình B chung

(a) BJT mắc mạch kiểu B chung
(b) Mô hình tham số h kiểu B chung
Mô hình C chung
v = hic ib + hrc vec

{ bc (5.18)
−ie = hfc ib + hoc vec
Các tham số hfc và hoc được tính toán tại điểm làm việc tĩnh:
∂iC ∆iC
hfc = = | (5.19)
∂iB ∆iB V =const
CE
∂iC ∆iC
hoc = = | (5.20)
∂vCE ∆vCE I =const
B
150
ib hic i2 = -ie
ib B E
B
ie +
vbc E vbc hrcvec hfcib 1/hoc vec
-
vec
C C C
(a) (b)
Hình 5.6: cấu hình C chung

(a) BJT mắc mạch kiểu C chung
(b) Mô hình tham số h kiểu C chung
Một số hãng chế tạo cho biết tất cả các tham số h chỉ đối với kiểu E chung. Vì
vậy, bảng 5.1 biểu diễn các công thức chuyển đổi để tính các tham số h cho các kiểu
mắc BJT khác nhau.
Bảng 5.1: quy đổi tham số h từ CE sang các kiểu mắc khác
Thứ tự Kiểu mắc Công thức chuyển đổi

chuyển đổi
1 CE sang CC hic = hie ;
hrc = 1 − hre ≈ 1 (do hre có giá trị rất
nhỏ, khoảng 2.5x10-4)
hfc = −(1 + hfe ) ; hoc = hoe
2 CE sang CB hie hie ∗hoe
hib = ; hrb = − hre
1+hfe 1+hfe
hfe hoe
hfb = − ; hob =
1+hfe 1+hfe
5.1.1 Mô hình tương đương của BJT ở tần số thấp

Sau đây sẽ phân tích chi tiết các mạch khuếch đại sử dụng BJT với các kiểu mắc
E chung (CE), C chung (CC), B chung (CB). Khi phân tích mạch trong phần này, các
tụ được xem có dung kháng không ảnh hưởng (được ký hiệu C   trên sơ đồ mạch).
5.1.2 Mạch khuếch đại E chung (CE)
151
VCC
R2 RC RL
C
C
RL vl
rS (b)
vS R1 RE iin ib B C ic
+ +
-
hfeib il
rS hie
(a) vin RB RC RL vl
vS E
+
- RE
-
zin (c) zo
Hình 5.7: chuyển đổi mạch tương đương xoay chiều của mạch khuếch đại CE
(a) Mạch nguyên lý khuếch đại CE

(b) Mô hình tham số h kiểu C chung
(c) Mạch tương đương ở chế độ xoay chiều
Xác định tổng trở vào của mạch CE
Ta có :
z in 
vin
iin

1 i iR i
 in  B  b
rin vin vin vin

; vin  ib .hie  1  h fe ib .RE  ib hie  1  h fe RE 
ib 1 iRB 1
  ; vin  i R B . R B  
v in hie  1  h fe RE v in RB

1

1

1
z in R B h ie  1  h fe RE
Hay : zin  RB hie  1  h fe RE   (5.21)
Thay hie = (1+hfe)hib vaø löu yù hfe >> 1, suy ra:
RB hib  RE 
  
zin  RB 1  h fe hib  RE   RB h fe hib  RE    RB
(5.21' )
 hib  RE
h fe
Xác định tổng trở ra của mạch CE
Để xác định điện trở ra, có thể dùng phương pháp ngắn mạch, hở mạch:
152
𝑣𝑜𝑝𝑒𝑛
𝑧0 = 𝑣ớ𝑖: 𝑣𝑜𝑝𝑒𝑛 = −ℎ𝑓𝑒 ∗ 𝑖𝑏 ∗ 𝑅𝐶 (𝑑𝑜 𝑘ℎ𝑖 ℎở 𝑚ạ𝑐ℎ 𝑛𝑔õ 𝑟𝑎 𝑅𝐿 → ∞)
𝑖𝑠ℎ𝑜𝑟𝑡
𝑣à: 𝑖𝑠ℎ𝑜𝑟𝑡 = −ℎ𝑓𝑒 ∗ 𝑖𝑏 (𝑑𝑜 𝑘ℎ𝑖 𝑛𝑔ắ𝑛 𝑚ạ𝑐ℎ 𝑛𝑔õ 𝑟𝑎 𝑅𝐿 → 0)
Nên 𝑧0 = 𝑅𝐶 (5.22)
Xác định độ lợi dòng điện
iin ib B C ic
+
hfeib il
hie
iS rS RB RC RL vl
E
RE
-
zin zo
Hình 5.8: chuyển đổi mạch tương đương xoay chiều theo nguồn dòng tín hiệu
𝑖𝑜
Độ lợi dòng: 𝐴𝑖 = (5.23)
𝑖𝑖
RC RB
i l  h fe .ib . i b  i in
RC  RL 
R B  hie  1  h fe RE 
rs  rs  RB  RC 
i in  is  il  h fe is    
rs  zin  
 rs  zin  R B  hie  1  h fe RE   R  R 
 C L 
Độ lợi dòng toàn mạch khuếch đại:
il  rs  RB  RC 
Ai     h fe   (5.24)
i
s  rs  zin 
 
R B  hie  1  h fe RE   R  R 
 C L 
Từ công thức (5.24) có thể dễ dàng thấy độ lợi dòng của mạch bằng độ lợi dòng
của BJT, nhưng bị giảm do: hệ số phân dòng giữa nội trở nguồn tín hiệu và điện
trở vào mạch khuếch đại rs/(rs+zin); hệ số phân dòng do nhánh điện trở mạch cực
B và nhánh điện trở ở mạch cực E phản ảnh về mạch cực B
RB/{RB+[hie+(1+hfe)RE}, hệ số phân dòng giữa điện trở ra mạch khuếch đại RC và
điện trở tải RL. Như vậy, để tính độ lợi dòng của mạch, từ mạch điện ở hình 5.7,
có thể đưa về mô hình mạch khuếch đại tương đương theo hình 5.9.
153
Aio
iin
il
iS rS zin io=Aioiin +
zo
RL vl
-
Hình 5.9: mô hình để tính toán độ lợi dòng cho một tầng khuếch đại CE
Độ lợi dòng hở mạch:
h fe RB
A io  

RB  hie  1  h fe RE  (5.25)
Dấu ‘-‘ trong các công thức tính độ lợi dòng cho thấy dòng trên tải và nguồn
ngược pha nhau. Trong trường hợp có tụ by-pass CE, độ lợi dòng sẽ tăng.
Trường hợp không có tụ CE và giá trị RE>>hib thì Ai ít phụ thuộc vào linh kiện.
Xác định độ lợi áp

𝑣𝑜
Độ lợi áp: 𝐴𝑣 = (5.26)
𝑣𝑖
vl il RL R
v l  il .RL v s  is .rs   .  Ai L
vs is rs rs
vl  1  RB  RC RL 
  h fe    
vs  
 rs  zin  R B  hie  1  h fe RE   R  R 
 C L 
vl  z  1  RC RL   zin  RC RL 
 h fe  in       
 rs  zin  hie  1  h fe RE
  R  R   
vs  C L   rs z in  hib  RE 
v l  zin  RC  RL 
     
v s  rs  zin  hib  RE  CR  R L 
Độ lợi áp toàn mạch khuếch đại:
𝑣𝑙  zin  RC  RL 
𝐴𝑣 = =      (5.27)
𝑣𝑠
 rs  zin  hib  RE  CR  RL 
Từ công thức (5.27) nếu xem độ lợi áp của BJT là -RC/(hib+RE), nhưng độ lợi
áp của mạch bị giảm do: hệ số phân áp giữa nội trở nguồn tín hiệu và điện trở
154
vào mạch khuếch đại rin/(rs+rin); hệ số phân áp giữa điện trở ra mạch khuếch đại
RC và điện trở tải RL. Như vậy, để tính độ lợi áp của mạch, từ mạch điện ở hình
5.7, có thể đưa về mô hình mạch khuếch đại tương đương như hình 5.10.
Avo
rS zo
+
vS + vin zin + vo=Avovin
- - +
-
RL vl
-
Hình 5.10: mô hình để tính toán độ lợi áp cho một tầng khuếch đại CE
Độ lợi áp hở mạch:
RC
A vo   (5.28)
hib  RE
Điều kiện đối xứng tốt nhất (Max-Swing)

Một trong những điều kiện đầu tiên liên quan đến việc thiết kế một mạch khuếch
đại E chung là lựa chọn điểm làm việc Q thích hợp. Trong chương 4 đã biểu diễn
phương trình đường tải tĩnh được suy ra từ ngõ ra mạch điện hình 5.11.
VCC
R2 RC
C
ic
C
RL vl ib
rS
RL
vS R1 RE
+
- ic
(a) (b)
Hình 5.11:
VCC = VCE + ICRC +IERE  VCE + IC(RC + RE)
155
1 1
⟹ 𝐼𝐶 = − 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐶𝐶 (5.29)
𝑅𝑑𝑐 𝑅𝑑𝑐
trong đó 𝑅𝑑𝑐 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Đường tải này đi ngang điểm phân cực tĩnh (VCEQ, ICQ), vì vậy:
1 1
𝐼𝐶𝑄 = − 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝑉 (5.30)
𝑅𝑑𝑐 𝑅𝑑𝑐 𝐶𝐶
Đường tải tĩnh, độ dốc 1/Rdc

Đường biến thiên ac, độ dốc 1/Rac Đường tải động
(a) (b)
Hình 5.12: phân tích đường tải tĩnh và động
Nếu chỉ xét về phương diện ac, từ hình 5.11 suy ra:
0 = vce+ieRE+ic(RC//RL)  vce+ic[RE+(RC//RL)
1
⟹ 𝑖𝑐 = − 𝑣 (5.31)
𝑅𝑎𝑐 𝑐𝑒
trong đó: Rac = RE+(RC//RL) (5.32)
Ngoài ra, vì : ic = iC - ICQ và vce = vCE - VCEQ, thay vào (5.31):

1
⟹ 𝑖𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 = − (𝑣𝑐𝑒 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 )
𝑅𝑎𝑐
1 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝑖𝐶 = − 𝑣𝑐𝑒 + + 𝐼𝐶𝑄 (5.33)
𝑅𝑎𝑐 𝑅𝑎𝑐
(5.33) là phương trình đường tải ac. Vì Rac < Rdc nên đường tải ac dốc hơn
đường tải dc. Cần lưu ý rằng trong trường hợp RE bị by-pass bởi tụ CE, thì RE không
xuất hiện trong biểu thức tính Rac, nhưng vẫn có trong biểu thức tính Rdc.
Để thoả điều kiện Max-swing phải phân cực sao cho Q nằm giữa đường tải ac.
Nghĩa là phải xác định V’C (là giao điểm đường tải ac với trục vCE) rồi phân cực VCEQ
=V’C/2, hoặc xác định I’C (là giao điểm đường tải ac với trục iC) rồi phân cực ICQ
=I’C/2.
156
Đường tải ac (5.33) lần lượt sẽ cắt trục iC và vCE tại:

𝑉𝐶𝐸𝑄
𝐼𝐶′ = 𝐼𝐶𝑄 + 𝑣à 𝑉𝐶′ = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝐼𝐶𝑄 ∗ 𝑅𝑎𝑐
𝑅𝑎𝑐
Để thoả điều kiện Max-swing, phải phân cực sao cho:

𝐼𝐶′ 𝑉𝐶𝐸𝑄
𝐼𝐶𝑄 = ⇒ 𝐼𝐶𝑄 = (5.33)
2 𝑅𝑎𝑐
Từ (5.30) và (5.33) dẫn tới,

𝑉𝐶𝐸𝑄 𝑉𝐶𝐸𝑄 𝑉𝐶𝐶
=− +
𝑅𝑎𝑐 𝑅𝑑𝑐 𝑅𝑑𝑐
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑅
1+ 𝑑𝑐
𝑅𝑎𝑐
𝑉𝐶𝐶
⇒ 𝐼𝐶𝑄 = (5.34)
𝑅𝑎𝑐 +𝑅𝑑𝑐
Do đó khi thiết kế mạch tùy thuộc vào RL, RC và RE phải xác định được giá trị
ICQ sao cho thoả điều kiện Max-swing bằng công thức (5.34), từ đó suy ra giá trị IBQ
thích hợp.
Chú ý vì thoả điều kiện Max-swing, nên giá trị ICQ và VCQ tính được, lần lượt là
biên độ biến đổi dòng ic và biên độ biến đổi điện áp vce.
Sau khi đã tính toán mạch thoả điều kiện Max-swing, có thể suy ra điện áp tối
đa đỉnh đỉnh trên tải:
Vl(p-p) = 2 ICQ .(RL //RC) (5.35)
(5.35) chỉ là biểu thức tính gần đúng, thực tế không đạt giá trị như vậy.
 Thieát keá maïch.
V CC
Dòng qua BJT, như đã biết trong bài giảng cấu kiện điện
R2 RC tử:
IC
V BB  V BE
IC  (5.36)
RB
IB  RE
h fe
IE
R1 RE R1
Với: VBB  VCC RB = R1 // R2 (5.37)
R1  R 2
Từ các biểu thức tính VBB và RB dễ dàng suy ra:
VCC 1
R2  RB R1  RB (5.38)
VBB V
1  BB
VCC
157
Trường hợp RB/hfe >> RE tức là hfeRE >> RB, thì IC không phụ thuộc vào hfe, nghĩa
là mạch hoạt động ổn định hơn (do các tham số hfe, VBE,… của BJT thay đổi theo
nhiệt độ). Thường để thỏa điều kiện ổn định chỉ cần chọn:
hfeRE  10RB (5.39)
VBB  VBE
Nếu chọn hfeRE = 10 RB, thay vào (5.36) suy ra: I C  (5.40)
1,1RE
Như vậy nếu biết RE, và dòng phân cực tĩnh ICQ (suy từ yêu cầu Max-swing) có
thể tính VBB từ (5.40) và suy ra RB từ (5.39). Sau khi có được VBB và RB, có thể
tính được R1, R2 từ (5.38).
Ví dụ 5.1: Thiết kế mạch khuếch đại như hình 5.13. Biết tải RL=2K, sử dụng BJT có
hfe = 200 loại PNP(si), nguồn VCC = -24V, yêu cầu độ lợi áp của mạch là:
AV =vl/vin = -10.
Sau khi đã thiết kế, tính toán độ lợi dòng Ai = il/iin, điện trở vào rin của mạch, điện
áp vl ra tối đa mà tín hiệu không bị méo (thỏa điều kiện Max-swing)
Giaûi: Trong thieát keá coù thöôøng coù söï choïn löïa phuï thuoäc
V CC yeâu caàu thieát keá, ôû ñaây do khoâng coù yeâu caàu ñieän
R2 RC
trôû ra cuûa maïch, neân coù theå choïn RC  ro = RL =
iin
vl 2k ñeå thoûa ñieàu kieän phoái hôïp trôû khaùng.
il RL
Töø coâng thöùc tính ñoä lôïi aùp:
v in
RC // RL R // RL 1K
AV    10  RE  hib   C   100 
R1 RE RE  hib 10 10
Giaû söû RE>>hib (seõ kieåm tra laïi giaû thieát naøy sau
Hình 5.13 khi tính ICQ), choïn RE = 100.
Ñeå thoûa ñieàu kieän Max-swing, choïn:

 VCC  24V
VCC 
I CQ   Rdc  R E  RC  2 K  100   2,1K
Rdc  Rac 
 Rac  RC // R L  RE  1K  100   1,1K
24V 24V 0,026V
 I CQ    7,5mA  h ib   3,5  R E
2,1K  1,1K 3,2 K 7,5mA
158
𝑅𝐵 𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
Chọn = 0,1 ∗ 𝑅𝐸 ⇒ 𝐼𝐶𝑄 =
ℎ𝑓𝑒 1,1∗𝑅𝐸
⇒ 𝑉𝐵𝐵 = 1,1 ∗ 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐵𝐸 = 1,525 𝑉
Vì R B  0,1h fe RE  0,1.200 .100  2 K

RB 2 K
 R1    2,14 K
VBB 1,525
1 1 
VCC 24
VCC 24
R2  .RB  .2 K  31,5K
VBB 1,125
Điện áp ngõ ra tối đa mà chưa méo dạng:
v l(p-p)  2.I CQ .( RC RL )  15V
Độ lợi dòng:
 RB  2 K
RB RC 
A i   h fe .  RC  RL  2 K
RB  h fe hib  RE  RC  RL 
h fe  200; hib  RE  100 
 Ai  9
Tổng trở vào của mạch khuếch đại:
z in  RB // h fe (hib  RE )  2K // 200.100  1,8K
5.1.3 Mạch khuếch đại C chung
VCC
rS B hie E hfeib C
R2
ib
C
il
vS + +
rS C -
+ RB RE RL vl
R1 RE
+ RL vl -
-
-
zi
(a) (b)
Hình 5.14: mạch khuếch đại CC và mạch tương đương xoay chiều
159
 Tổng trở vào zin.

 iin  in vì v in  ib .hie  1  h fe  ib RE // RL   ib  vin .
vin v 1
z in 
iin z in hie  1  h fe RE // RL 
i RB 
vin
RB
 i in  ib  i RB 
vin v
hie  1  h fe RE // RL  RB

 in  rin  RB // hie  1  h fe RE // RL  
 
Do h fe  1  z in  RB // hie  1  h fe RE // RL   RB // h fe hib  RE // RL 
z in  RB // h fe RE // RL  (5.41)
Dạng mạch C chung cho phép thực hiện mạch khuếch đại có tổng trở vào lớn.
 Độ lợi dòng Ai.

i RB RB  hie  1  h fe RE // RL 
Ai  l i b  iin .  iin  ib .
iin RB  hie  1  h fe RE // RL  RB
i l  1  h fe .ib .  Ai  1  h fe 
RE RE RB
(5.41)
RE  RL RB  hie  1  h fe RE // RL 
.
RE  RL
 Ai  i l
 h fe
RE
.
RB

RB
.
RE
(5.41’)
RE  RL RB  hie  h fe RE // RL  RB 
i  hib  RE // RL 
in
R E R L
h fe
Có thể thấy độ lợi dòng của mạch là độ lợi dòng của BJT bị suy giảm do
mạch phân dòng ở ngõ vào và ngõ ra của BJT. Thường hfe >>1:
RB R
Neáu , hib  RE // RL  Ai  B
h fe RL
 Ñoä lôïi aùp Av.

vl iL .RL R
Av    Ai . L
vin iin .zin zin
RB  hie  1  h fe RE // RL 
 1  h fe 
RE RB
R E  RL R B  hie  1  h fe RE // RL 
. .R L .
 
R B . hie  1  h fe RE // RL 
 1  h fe 
RE // RL
 
hie  1  h fe RE // RL 
vl RE // RL
Av   (5.42)
vin hib  RE // RL
Từ (5.42), có thể thấy độ lợi áp của mạch C chung nhỏ hơn 1.
160
 Tổng trở ra zo.

Để tìm tổng trở ra của mạch có thể sử dụng mô hình B chung thay vì E chung như
đã trình bày.
rS ib ie il
hib
+
vS + RB hfeib RE RL vl
-
-
zo
Hình 5.15: mạch tương đương C chung sử dụng mô hình BJT B chung.
Để tính zo có thể dùng phương pháp ngắn mạch-hở mạch tải, hay đặt ở ngõ ra 1
điện áp thử vT thay cho RL với điều kiện điện áp vào bằng 0 (vs= 0). Lúc này
nguồn vT sẽ tạo nên dòng ngõ vào iT, và zo được tính theo công thức zo=vT/iT. Gọi
v1 là điện áp hạ trên RB, suy ra:
v1  vT  1  h fe ib .hib
v1
ib  
rs // RB 
v1  ib rs // R B  
vT  v1  1  h fe ib .hib  v T  ib rs // R B   1  h fe .hib 
v1 rs // RB  v 1  h fe .hib vT
   1 1  vì z o 
vT rs // R B   1  h fe .hib vT rs // R B   1  h fe .hib iT
vT vT  v1 vT 1 1
iT    zo   
RE hib vT vT  v1

1 1  v1 / vT

1 1  h fe .hib 1

R E rs // R B   1  h fe .hib hib
.
RE hib RE hib
1  r R 
 zo   RE hib  s B  (5.43)
1

1  1  h fe 
RE rs // RB  h
1  h fe  ib
Từ biểu thức (5.43) cho thấy tổng trở ra của mạch C chung rất bé.
Ví dụ 5.2: Thiết kế tầng khuếch đại C chung như hình 5.14 dùng BJT silicon, hfe=60,
VCC =12V, sao cho Ai=10 với tải RL =100, sau đó tính AV, zin, zo biết rs=1K.
Giải:
161
Chọn RE = RL=100  Rdc = RE= 100, Rac= RE // RL = 50
Để thỏa điều kiện Max-swing:

VCC  12V
VCC  12V
I CQ   Rac  50  I CQ   80mA  VCEQ  VCC  I CQ .R E  4V
Rac  Rdc  150
 Rdc  100
0,026 0,026V
h ib    0,33
I CQ 80mA
Vì h ib  0,33  RE // RL   50 suy ra :
RB RE RB
Ai  .  10   RB  1,5 K

 RE // RL 
RB R R R
E L B
 50
h fe 60
VBB  VBE R   1,5 K 
I CQ   VBB  I CQ  B  RE   VBE  80 mA  100   0,7V  10,7V
RB h   60 
 RE  fe 
h fe
RB V 12V
 R1   1,38 5K R 2  CC .RB  .1,5 K  1,68 K
V VBB 10,7V
1  BB
VCC
RE // RL
Av  ; h ib  RE // RL  Av  1
hib  RE // RL
z in  RB // h fe hib  RE // RL   RB // h fe RE // RL   1,5K//3K   1K
 r // RB 
z o  RE // hib  s
 1  h fe   0,33  10  // 100  9,36
VL(p-p)  2 I CQ RE // RL   2.80 mA.50  8V
5.1.4 Mạch khuếch đại B chung
rS C C
vl
iin il
vS + RE RC RL
- R1 R2
VCC
Hình 5.16: mạch khuếch đại CB
162
rS (1+hfe)ib E hfeib
C
vl
il
iin hie
vS + vin RE B RC RL
- RB ib
zin zo
Hình 5.17: mạch tương đương xoay chiều CB
1  h fe vin
iin  i RE  1  h fe ib
vin vin v
i RE  ib    iin  in 
RE hie  RB RE hie  RB
1 i 1 1  R 
  in    zin  RE //  hib  B 
zin vin RE h  RB  h fe 
ib

h fe
Tổng trở vào của mạch khuếch đại:
 R 
 zin  RE //  hib  B  (5.44)
 h fe 

𝑅𝐵
Vì thường và hib rất nhỏ nên tổng trở vào của mạch B chung cũng rất nhỏ.
ℎ𝑓𝑒
Nếu cực B được nối tắt xoay chiều xuống đất (có tụ by-pass) thì trong công thức trên
RB = 0, nghĩa là:
zin  RE // hib (5.45)
 Độ lợi dòng Ai
RC
il  h fe ib .
RC  R L
 R 
 h fe ib  RE  hib  B 
ib hie  RB   RB   h fe 
iin 
vin
 RE  hib   
zin  R   h fe  RE
RE  hib  B 
 h fe 

RE RC
 Ai  . (5.46)
RB RC  RL
RE  hib 
h fe
163
Trường hợp không tải (RL), sẽ tính được độ lợi dịng hở mạch:
RE (5.47)
Aio 
RB
RE  hib 
h fe
 Độ lợi áp Av
RB
RE  hib 
vl i R R RE RC h fe
Av   l . L  Ai L  . .RL .
vin iin .z in z in RB RC  RL  R 
RE  hib  RE  hib  B 
h fe  h fe 

RC // RL
 Av  (5.48)
R
hib  B
h fe
Nếu hở mạch tải, độ lợi p hở mạch:
RC
Av 0  (5.49)
R
hib  B
h fe
Nếu cĩ tụ by-pass CB, độ lợi p:
RC // RL
Av  (5.50)
hib
 Điện trở ra ro.

Dùng phương pháp ngắn mạch, hở mạch:
ishort = -hfeIb, vopen = -hfeIbRC
 ro = vopen/ishort = RC (5.51)
Ví dụ 5.3: Thiết kế mạch B chung như hình 5.16 dng BJT silicon với hfe = 100, VCC
= 24V, RL=2KΩ, RE = 400Ω, sao cho Av = vl/vin = 20.
Giải:
R C  R L  2K
R // R L R R // R L  R
Av  C  h ib  B  C A V  20  h ib  B  50
R h fe AV h  100 h fe
h ib  B  fe
h fe
164
Để thỏa điều kiện Max-swing:
VCC  24V
VCC  24V
I CQ   Rdc  RC  RE  2,4 K  I CQ   6,3 mA
Rac  Rdc  2,4 K  1,4 K
 Rac  RC // RL  RE  1,4 K
0,026 R R
hib   4,13 vì hib  B  50  B  50  4,13  45,87   RB  4,59 K
6,3 100 100
VBB  VBE R 
Maët khaùc : I CQ   VBB  I CQ  B  RE   VBE
RB
 RE   

 VBB  6,3mA45,9  400   0,7  3,51V
 RB  4,59 K
RB  VCC
 R1  VBB  3,51V  R1  5,38 K R2  RB  31,4 K
V v  24V VBB
1  BB
VCC  CC
Giaù trò ñieän aùp toái ña (p - p) khoâng bò meùo :
V0 ( p  p )  2 I CQ RC // RL   2 . 6,3mA . 2 K // 2 K   12,6V
Tương tự như mạch khuếch đại E chung, mạch khuếch đại B chung cĩ thể đưa về
mơ hình để thuận tiện trong việc tính tốn mạch khuếch đại nhiều tầng.
Ví dụ 5.4: Phân tích mạch khuếch đại B chung ở hình 5.18.
20V
R 1  5k
R B  R 1 //R2    R B  4,7k
R 2  80k
80k 5k
C
vl R1
VBB  VCC VCC  20V  VBB  1,18V
C
5k R1  R 2
VBE  0,7V
V  VBE 
I CQ  BB R E  200
RB h  200
5k 200  RE  fe
h fe
C
vin
Hình 5.18
0,026 0,026V
 I CQ  2,14 mA  VCEQ  8,87V hib    12,15
I CQ 2,14 mA
 R 
z in  RE //  hib  B   RE // hib  200  // 12,15  11,4
 h fe 

RE RC RE RC 200 5K
Ai  .  .  .  0,47
RB RC  RL RE  hib RC  RL 200  12,15 5K  5K
RE  hib 

165
200
Aio   0,94
200  12,15
R // RC RL // RC 5K // 5K
Av  L    205 A v0  410
R hib 12,15
hib  B

z o  R C  5K
Điện áp ngõ ra tối đa chưa méo:
Vo  2.I CQ .RC // RL   10,7V
Mô hình mạch:
iin
Aio = 0,94
il
zin=
io=A ioiin
11,4 RL=5k
zo=5k
vin Avo = 410

zo=5k
zin=
vl
vL=Aiovin
11,4 RL=5k
Hình 5.19: mô hình mạch một tầng khuếch đại B chung

5.2 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG FET
5.2.1 Mô hình tương đương của FET ở tần số thấp
Sau đây sẽ phân tích mô hình xoay chiều tín hiệu nhỏ ở tần số thấp của FET,
vấn đề chính phân tích mô hình này để xem ảnh hưởng của điện áp xoay chiều cung
cấp cho cực G  S sẽ điều khiển đến dòng cực máng. Đối với FET, sự thay đổi dòng
điện cực máng phụ thuộc vào điện áp trên G-S tác động. Sự thay đổi này được xác
định dựa vào hệ số điện dẫn gm:
166
∆𝐼𝐷
𝑔𝑚 = (5.52)
∆𝑉𝐺𝑆
Xác định gm bằng phương pháp đồ thị

Xem xét đặc tuyến truyền đạt hình 5.20, gm thật sự là độ dốc của đặc tuyến tại
điểm hoạt động Q, nghĩa là:
∆𝑦 ∆𝐼𝐷
𝑔𝑚 = =
∆𝑥 ∆𝑉𝐺𝑆
Hình 5.20: định nghĩa hệ số gm dùng đặc tuyến truyền đạt

Ví dụ 5.5: xác định gm của JFET có IDSS = 8 mA, VP = -4 V tại các điểm phân cực
tĩnh sau:
a) VGS = -0,5 V.
b) VGS = -1,5 V.
c) VGS = -2,5 V.
Giải:
Tại mỗi điểm hoạt động, ta vẽ một đường tiếp tuyến tương quan tốt nhất với độ
dốc của đường cong tại vùng của điểm đó. Độ gia tăng của VGS phản ánh sự thay
đổi cả hai bên của mỗi điểm Q.
𝑉𝐺𝑆 2 −0,5 2
a) 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) = (8𝑚𝐴) (1 − ) ≈ 6,1 𝑚𝐴
𝑉𝑃 −4
∆𝐼𝐷 2,1
𝑔𝑚 = ≅ = 3,5 𝑚𝑆
∆𝑉𝐺𝑆 0,6
−1,5 2
b) 𝐼𝐷 = (8𝑚𝐴) (1 − ) ≈ 3,1 𝑚𝐴
−4
∆𝐼𝐷 1,8
𝑔𝑚 = ≅ = 2,57 𝑚𝑆
∆𝑉𝐺𝑆 0,7
167
−2,5 2
c) 𝐼𝐷 = (8𝑚𝐴) (1 − ) ≈ 1,1 𝑚𝐴
−4
∆𝐼𝐷 1,5
𝑔𝑚 = ≅ = 1,5 𝑚𝑆
∆𝑉𝐺𝑆 1
Hình 5.21: xác định gm dùng đồ thị của ví dụ 5.5

Xác định gm bằng tính toán
Việc xác định gm bằng phương pháp đồ thị sẽ giới hạn độ chính xác. Vì thế, ta
có thể xác định gm chính xác hơn bằng phương pháp tính toán như sau:
∆𝐼𝐷 𝑑𝐼𝐷 𝑑 𝑉𝐺𝑆 2
𝑔𝑚 = | = | = [𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) ]
∆𝑉𝐺𝑆 𝑄 𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑄 𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑃
2.𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = |𝑉𝑃 |
[1 − ] (5.53)
𝑉𝑃
Độ dốc của đường cong đạt cực đại khi VGS = 0, nên:
2.𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚0 = |𝑉𝑃 |
(5.54)
𝑉𝐺𝑆
⟹ 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 [1 − ] (5.55)
𝑉𝑃
168
Hình 5.22: mối liên hệ giữa gm và VGS

Ví dụ 5.6: JFET có đặc tuyến truyền đạt như ví dụ 5.5.
a) Tìm giá trị cực đại của gm.
b) Tính các giá trị gm tại các điểm hoạt động của ví dụ 5.5.
Giải:
2.𝐼𝐷𝑆𝑆 2𝑥(8𝑚𝐴)
a) 𝑔𝑚0 = |𝑉𝑃 |
= = 4 𝑚𝑆
4𝑉
b) Tại VGS = -0,5 V,

𝑉𝐺𝑆 −0,5
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 [1 − ] = (4𝑚𝑆) [1 − ] = 3,5 𝑚𝑆
𝑉𝑃 −4
Tại VGS = -1,5 V,

−1,5
𝑔𝑚 = (4𝑚𝑆) [1 − ] = 2,5 𝑚𝑆
−4
Tại VGS = -2,5 V,

−2,5
𝑔𝑚 = (4𝑚𝑆) [1 − ] = 1,5 𝑚𝑆
−4
Sự liên hệ giữa gm và dòng ID

𝑉𝐺𝑆 𝐼𝐷
1− =√ (5.56)
𝑉𝑃 𝐼𝐷𝑆𝑆
Thế (5.56) vào (5.55) dẫn đến:

𝐼𝐷
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚0 √ (5.57)
𝐼𝐷𝑆𝑆
169
Trở kháng vào Zi của FET

Thường trở kháng vào của FET có giá trị rất lớn và có thể xem Zi = ∞ Ω. Với
JFET có Zi khoảng 109 Ω , MOSFET có trở kháng vào khoảng từ 1012  1015 Ω.
Trở kháng ra Z0 của FET
1
𝑍0 = 𝑟𝑑 = (5.58)
𝑦𝑜𝑠
∆𝑉𝐷𝑆
𝑟𝑑 = | (5.59)
∆𝐼𝐷 𝑉 =𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡
𝐺𝑆
Trong đó, yos là độ dẫn nạp ngõ ra của FET

Mạch tương đương xoay chiều của FET
G D id G D id
+ +
vgs gmvgs rd vgs gmvgs
- -
S S
(a) (b)
Hình 5.23: mô hình tương đương của JFET
(a) Mô hình tương đương đầy đủ
(b) Mô hình tương đương khi rd rất lớn
Ví dụ 5.7: FET có có gm = 3,8 mS và dẫn nạp ngõ ra yos = 20 µS, hãy vẽ mạch tương
đương xoay chiều.
Giải:
1 1
𝑟𝑑 = = = 50 𝑘Ω
𝑦𝑜𝑠 20
Mạch tương đương ac như hình 5.21.
Hình 5.24: mạch tương đương ac của ví dụ 5.7
170
5.2.2 Mạch khuếch đại S chung
VDD iin G D
vin +
R2 RD il +
gmvgs
vl RG RD RL
il vgs vl
iin
vin RS
RL
- -
R1 RS
S
zin zo
Hình 5.25: mạch khuếch đại CS và mạch tương đương CS
 Tổng trở vào zin zin = RG = R1//R2. (5.60)

 vin  1  g m RS v gs
vl vin
AV  v gs  vin  vs  vin  g m .v gs .RS  v gs 
vin 1  g m RS
vl   g m v gs RD // RL 
g m RD // RL 
 Av   (5.61)
1  g m RS
Trường hợp có tụ by-pass điện trở RS (RS = 0):
Av = -gm(RD//RL) (5.61’)
Trường hợp hở tải (RL), độ lợi áp hở mạch:

gmR D
A vo   (5.62)
1 gmRS
Độ lợi dòng Ai
vl
i R z g R // RL  RG
A i  l  L  Av . in   m D .
iin vin RL 1  g m RS  RL
zin
RG RD
 Ai   g m (5.63)
1  g m RS RD  RL
Trường hợp RS bị by-pass:

RD
A i  g m R G (5.63’)
RD  RL
171
Trường hợp hở tải (RL) chỉ có dòng qua RD, độ lợi dòng hở mạch:
RG RL RG
Aio   g m  gm (5.64)
1  g m RS RD  RL 1  g m RS
 Tổng trở ra zo
Dùng phương pháp ngắn mạch hở mạch:
vopen
zo  ishort   g m .v gs vopen   g m .v gs .RD
ishort
 zo  RD (5.65)
5.2.3 Mạch khuếch đại D chung

VDD D
R2
gmvgs
iin G il
iin + S
vin +
vl vin RG vgs RS rd R L vl
- -
il
R1 RS RL
zin zo
Hình 5.26: mạch khuếch đại CD và mạch tương đương xoay chiều CD
 Tổng trở vào zin
zin = RG = R1//R2. (5.66)
vL
Av  v l  g m .v gs R S // rD // R L 
v in
Xét vòng kín qua RG, điểm G, S, điện trở RS như hình 5.27.
G S
+ +
vin vl
- -
Hình 5.27
Áp dụng định luật Kirchhoff về áp: vin - vgs - vl = 0
172
 vgs = vin - vl = vin - gmvgs(RS//rD//RL) vin = [1+gm(RS//rD//RL)]vgs
g m RS // rD // RL  g m RS // RL 
 Av   (5.67)
1  g m RS // rD // RL  1  g m RS // RL 
Trường hợp hở tải:

gmRS
A vo  (5.68)
1 gmRS
Mạch D chung có độ lợi áp 1.
il v /R z R
Ai   l L  Av . in  Av . G
iin vin / zin RL RL
g m R S // R L  R G gmR G RS
Ai  .  . (5.69)
1  g m R S // R L  R L 1  g m R S // R L  R S  R L
Trường hợp hở tải (RL  ), độ lợi dòng hở mạch:
gmRG RL g R
A io  .  m G (5.70)
1  g m R S // R L  R S  R L 1  g m R S
Áp dụng phương pháp đặt nguồn điện áp thử vT ở ngõ ra như hình 5.28, nguồn
điện áp thử này tạo ra dòng iT.
gmvgs
iin G iT
+ S
rS RG vgs RS rd + v
- T
zo
Hình 5.28
173
vT
zo 
iT vs  0
Vì vs  0  v gs  v g  vs  0  vs  vT
vT  iT  g m v gs RS // rd   iT  g m v gs .RS  iT .RS  g m v gs .RS  iT .RS  g m vT .RS
RS
 vT  iT
1  g m RS
RS 1
zo   RS // (5.71)
1  g m RS gm
5.2.4 Mạch khuếch đại G chung

G D
gmvgs rd
iin +
S il
RD RL
VDD vl
vin
R2 RD RS
-
vl
CG il
zin zo
RL (b)
i1 rd gmvgsrd
G
+
-
R1 RS
D
iin iin +
vin S il
RD RL
(a) vl
vin
RS
-
zin zi zo
(c)
Hình 5.29: mạch khuếch đại CG và mạch tương đương xoay chiều CG
(a) Mạch nguyên lý khuếch đại CG
(b) và (c) là các mạch biến đổi tương đương khi rd rất
lớn
 Tổng trở vào zin
174
vin vin  g m v gs .rD

z in  RS // z i ; zi  i1  vin  v sg  v gs
i1 rD  RD // RL 
vin .1  g m .rD  v r  RD // RL 
 i1   z i  in  D
rD  RD // RL  i1 1  g m rD
 r  RD // RL  
 zin  RS //  D  (5.72)
 1  g m rD 
Đặt:   g m rD
 r  RD // RL 
 zin  RS //  D  (5.73)
 1  
AV 
vl
vl  il RD // RL   vin
1  g m rD  R // R 
rD  RD // RL 
D L
vin
1  g m rD
 Av  RD // RL  (5.74)
rD  RD // RL 
Trường hợp không tải, độ lợi áp hở mạch:

1  g m rD
Avo  RD (5.75)
rD  RD
rD  RD // RL 
RS
1  g m rD 1  g m rD
i v /R z
Ai  l  l L  Av . in  Ai  RD // RL . r  RD // RL  RL
.
1
iin vin / zin RL rD  RD // RL  RS  D
1  g m rD
 Ai 
RD RS

1  g m rD RS RD
(5.76)
RL  RD R  rD  RD // RL  RS 1  g m rD   rD  RD // RL  RD  RL
. .
1  g m rD
S
Vì thường rD >> RD//RL, gmrD >> 1, do đó:
g m rD R S RD gmRS RD
Ai  .  Ai  . (5.76’)
R S g m rD  rD R D  R L 1 gmRS R D  R L
175
vT
zo  Vì vin  0  v gs  v g  vs  0
iT vin 0
zo  rD // RD (5.77)
Đối với các mạch khuếch đại sử dụng MOSFET loại tăng cũng phân tích tương
tự như FET, chỉ khác ở giá trị gm:
iD 1
gm  ; iD  0,5 vGS  vT   g m   vGS  vT    (5.78)
2
vGS 
5.3. BÀI TẬP

1) Từ mạch điện hình 5.30, hãy thực hiện:
a. Vẽ mạch tương đương xoay chiều ở tín hiệu nhỏ.
b. Tính tổng trở ngõ vào.
c. Tính tổng trở ngõ ra.
d. Tính độ lợi áp.
e. Tính độ lợi dòng.
Hình 5.30: mạch BT-1

f. Tính lại từ câu (b đến e) khi rc = 20 k.
176

f. Tính lại từ câu (b đến e) khi rc = 25 k.

f. Tính lại từ câu (b đến e) khi có tụ bypass.
177

178

Chapter5 SmallAmplificationCircuit

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Chapter5 SmallAmplificationCircuit

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Chương 5: mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng transistor

CHƯƠNG 5: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG

5.1 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT

ib: dòng điện ac tại cực nền

Ib: dòng điện hiệu dụng tại cực nền

vb: điện thế ac tại cực nền

Vb: điện thế hiệu dụng tại cực nền

Hình 5.1: hệ thống mạng hai cửa

h11 = hi : điện trở ngõ vào

h12 = hr : tỷ lệ áp truyền ngược

h21 = hf : độ lợi dòng truyền thuận

h22 = ho : điện dẫn ngõ ra

Hình 5.2: mô hình tham số h của BJT

Hình 5.3: mô hình tham số h đơn giản của BJT

v = hie ib + hre vce

Hình 5.4: cấu hình E chung

i1 = -ie i2 = i c -ie hib ic

veb = -vbe vcb veb = -vbe hrbvcb + -hfbie 1/hob vcb

Hình 5.5: cấu hình B chung

v = hic ib + hrc vec

Hình 5.6: cấu hình C chung

Thứ tự Kiểu mắc Công thức chuyển đổi

5.1.1 Mô hình tương đương của BJT ở tần số thấp

(a) Mạch nguyên lý khuếch đại CE

Thay hie = (1+hfe)hib vaø löu yù hfe >> 1, suy ra:

Độ lợi dòng toàn mạch khuếch đại:

Độ lợi dòng hở mạch:

Xác định độ lợi áp

Độ lợi áp toàn mạch khuếch đại:

Điều kiện đối xứng tốt nhất (Max-Swing)

Đường tải tĩnh, độ dốc 1/Rdc

Hình 5.12: phân tích đường tải tĩnh và động

trong đó: Rac = RE+(RC//RL) (5.32)

Ngoài ra, vì : ic = iC - ICQ và vce = vCE - VCEQ, thay vào (5.31):

Đường tải ac (5.33) lần lượt sẽ cắt trục iC và vCE tại:

Để thoả điều kiện Max-swing, phải phân cực sao cho:

Từ (5.30) và (5.33) dẫn tới,

Từ các biểu thức tính VBB và RB dễ dàng suy ra:

hfeRE  10RB (5.39)

Ñeå thoûa ñieàu kieän Max-swing, choïn:

⇒ 𝑉𝐵𝐵 = 1,1 ∗ 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐵𝐸 = 1,525 𝑉

Vì R B  0,1h fe RE  0,1.200 .100  2 K

Điện áp ngõ ra tối đa mà chưa méo dạng:

v l(p-p)  2.I CQ .( RC RL )  15V

Tổng trở vào của mạch khuếch đại:

z in  RB // h fe (hib  RE )  2K // 200.100  1,8K

5.1.3 Mạch khuếch đại C chung

 Tổng trở vào zin.

 Độ lợi dòng Ai.

 Ñoä lôïi aùp Av.

Từ (5.42), có thể thấy độ lợi áp của mạch C chung nhỏ hơn 1.

 Tổng trở ra zo.

Chọn RE = RL=100  Rdc = RE= 100, Rac= RE // RL = 50

Để thỏa điều kiện Max-swing:

5.1.4 Mạch khuếch đại B chung

Tổng trở vào của mạch khuếch đại:

zin  RE // hib (5.45)

Nếu hở mạch tải, độ lợi p hở mạch:

Nếu cĩ tụ by-pass CB, độ lợi p:

 Điện trở ra ro.

ishort = -hfeIb, vopen = -hfeIbRC

Để thỏa điều kiện Max-swing:

Điện áp ngõ ra tối đa chưa méo: