You are on page 1of 47

Khi đọc qua tài liệu này, nếu phát hiện sai sót hoặc nội dung kém

chất lượng
xin hãy thông báo để chúng tôi sửa chữa hoặc thay thế bằng một tài liệu
cùng chủ đề của tác giả khác.

Bạn có thể tham khảo nguồn tài liệu được dịch từ tiếng Anh tại đây:

http://mientayvn.com/Tai_lieu_da_dich.html

Thông tin liên hệ:

Yahoo mail: thanhlam1910_2006@yahoo.com

Gmail: frbwrthes@gmail.com
GIỚI THIỆU

Trường ĐH KHTN TPHCM, 01/2011

GVHD: TS. Lê Vũ Tuấn Hùng


HV: Nguyễn Thị Thúy Hằng
Lưu Mai Loan
Nguyễn Thị Tố Nhi
KHÁI QUÁT VỀ SỰ RA ĐỜI
CỦA PHƯƠNG PHÁP XPS

Albet Einstein

-1887, Heinrich Rudolf Hertz đã phát Heinrich Rudolf Hertz

hiện ra hiệu ứng quang điện


-1907, P.D.Innes đã làm thí nghiệm
với một ống Röntgen, cuộn dây
Helmholtz và các tấm ảnh để ghi phổ
XPS đầu tiên ra đời dựa trên hiệu ứng
quang điện
LỊCH SỬ VỀ XPS
- Sau chiến tranh thế giới thứ 2
nhóm của Kai Siegbahn tiếp tục
nghiên cứu và đã ghi nhận được phổ
phân giải năng lượng cao đầu tiên của
NaCl (1954).

- 1967 Siegbahn công bố một Kai Siegbahn

nghiên cứu toàn diện về XPS và được


công nhận ngay lập tức với các tiện
ích của XPS.

- 1981, Siegbahn đã được tặng giải


Nobel.
Máy XPS
GIỚI THIỆU VỀ XPS

• X - ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) - phổ quang điện


tử tia X.
• XPS là kĩ thuật phân tích tính chất trên bề mặt vật liệu
thông qua phổ.
• Được dùng để xác định thành phần cơ bản, trạng thái hóa
học, trạng thái điện tử của các nguyên tố trên bề mặt của
vật liệu.
CƠ SỞ LÝ THUYẾT

Trong phân tích phổ XPS,


năng lượng liên kết của các
electron với nguyên tử trong
mẫu vật được phản ánh thông
qua các đỉnh phổ năng lượng
trong hệ trục tọa độ Oxy
CƠ SỞ LÝ THUYẾT
HIỆU ỨNG QUANG ĐIỆN

• XPS hoạt động dựa trên nguyên tắc hiệu ứng quang điện.
• Theo định luật bảo toàn năng lượng:
hv = EB + EK + Wf
CƠ SỞ LÝ THUYẾT
HIỆU ỨNG QUANG ĐIỆN
ĐIỆN TỬ AUGER
VÀ ĐIỆN TỬ QUANG ĐIỆN

- Do sự tương tác của điện tử với


chùm photon ( hoặc electron) năng
lượng cao điện tử phát xạ cấp 1
(điện tử quang điện).
- Một điện tử khác ở mức cao hơn
nhảy vào lỗ trống giải phóng năng
lượng, truyền cho điện tử khác điện
tử Auger
ĐIỆN TỬ AUGER
VÀ ĐIỆN TỬ QUANG ĐIỆN

• Động năng của quang điện tử là


tùy theo tính chất nguồn.
• Động năng của điện tử Auger
độc lập với bản chất nguồn.
CƠ SỞ LÝ THUYẾT
TIA X

• Tia X:

• Tia X là bức xạ điện từ có năng lượng cao. Năng lượng của nó


nằm trong khoảng từ 200eV – 1MeV. Bước sóng của nó nằm
trong khoảng giữa tia gamma và vùng tử ngoại (10nm
1pm), tuy nhiên không có ranh giới rõ ràng giữa các vùng khác
nhau trong thang sóng điện từ
CƠ SỞ LÝ THUYẾT
TIA X

Cách tạo tia X:


• Điện cực catot được làm bằng
sợi dây mảnh tungsten, khi đốt
nóng nó sẽ tạo ra các electron.
Các electron sẽ được gia tốc
hướng về anot.
• Khi các electron với vận tốc rất
cao va chạm với anot và nó sẽ bị
mất năng lượng đồng thời sẽ
sinh ra tia X.
SƠ ĐỒ TẠO TIA X
SƠ ĐỒ TẠO TIA X
CẤU TẠO

1) Buồng chân không


2) Nguồn tia X
3) Bộ phận phân tích năng
lượng
4) Detector
NGUYÊN TẮC HOẠT ĐỘNG
CẤU TẠO
BUỒNG CHÂN KHÔNG

Gồm 2 buồng:
1) Buồng nối với bên ngoài và
được bơm để tạo chân không
thấp.
2) Buồng thứ 2 có chân không
siêu cao (10-9 Torr)
Chức năng:
-Tránh làm bẩn bề mặt mẫu
-Tránh sự va chạm giữa điện tử
quang và nguyên tử khí
CẤU TẠO
NGUỒN TIA X

- Được tạo ra bằng cách sử dụng electron đập vào bản kim loại
làm phát ra bức xạ tia X.
- Tùy theo kim loại mà bức xạ phát ra mang năng lượng khác
nhau.
- Nguồn tia X thường sử dụng là nguồn ALKα ( 1486,6 eV )
hoặc MgKα (1253,6 eV)
CẤU TẠO
NGUỒN TIA X – 2 ANODE

- 2 anode làm bằng Cu


phủ Mg và Al được làm
lạnh bằng nước.
- 2 cathode đặt về 2 phía
CẤU TẠO
MÁY ĐƠN SẮC

- Dựa trên sự nhiễu xạ


trên tinh thể thạch anh.
- Anode, mẫu và tinh thể
được sắp đặt sao cho các
tia X thỏa mãn điều kiện
nhiễu xạ Bragg và tiêu tụ
đúng trên mẫu.
ƯU ĐIỂM
MÁY ĐƠN SẮC

- Loại bỏ các peak phụ không mong muốn trên phổ XPS.
- Thu hẹp bề rộng phổ XPS.
- Máy đơn sắc có thể tập trung tia X vào một phần nhỏ trên mẫu, vì
vậy
* đối với 1 mẫu, có thể phân tích nhiều vị trí khác nhau.
* có thể cho nhiều mẫu vào máy mà không bị tia X làm hỏng
trong khi chờ phân tích.
ƯU ĐIỂM
MÁY ĐƠN SẮC

So sánh phổ năng lượng liên kết


khi có và không sử dụng máy đơn
sắc
CẤU TẠO HỆ THẤU KÍNH

- Trước khi tới bộ phân tích các


electron sẽ đi qua hệ thấu kính
từ.
- Hệ thấu kính này có nhiệm vụ
tiêu tụ các electron đến khe vào
của bộ phân tích năng lượng.
CẤU TẠO
BỘ PHẬN PHÂN TÍCH BÁN CẦU ĐỒNG TÂM
(CHA- Concentric Hemispherical analyser )

- Gồm 2 bán cầu đồng


tâm được tích điện trái
dấu.
- Bán cầu ngoài được áp
thế âm và bán cầu trong
được áp thế dương.
- Giữa 2 bán cầu là
khoảng trống cho
electron đi qua.
CẤU TẠO
BỘ PHẬN PHÂN TÍCH BÁN CẦU ĐỒNG TÂM
(CHA- Concentric Hemispherical analyser )

S F

- Lực điện trường lái các electron đi theo quĩ đạo


cong.
- Các e có cùng động năng đi theo quĩ đạo có bán
kính giống nhau
DETECTOR
Channel electron multiplier
( channeltrons)

- Ống có một đầu hình nón, đầu kia là anode kim loại.
- Hiệu điện thế lớn ( 2kV - 4kV) được đặt vào 2 đầu ống
* đầu hình nón mang thế âm
* đầu kia mang thế dương
- Mặt trong ống được phủ lớp vật liệu có thể sản sinh lượng lớn điện tử
khi có một điện tử đập vào.
- Hệ thống máy tính thu nhận tín hiệu và cho ra hình ảnh phổ
PHÂN TÍCH HÓA HỌC

Quy ước trong XPS là sử dụng kí hiệu hóa


học chỉ mức năng lượng liên kết cho thông
tin về đặc trưng nguyên tố.
PHÂN TÍCH HÓA HỌC
PHÂN TÍCH HÓA HỌC
PHÂN TÍCH HÓA HỌC
PHÂN BIỆT
ĐIỆN TỬ AUGER VÀ ĐIỆN TỬ QUANG

* Động năng của quang điện tử phụ


thuộc vào năng lượng kích thích.
* Động năng của điện tử Auger độc lập
với năng lượng kích thích.
PHÂN BIỆT
ĐIỆN TỬ AUGER VÀ ĐIỆN TỬ QUANG

Sử dụng nguồn năng lượng kép giúp phân biệt giữa các peak điện tử
quang và peak điện tử Auger. Các đỉnh Auger sẽ dịch chuyển một
lượng năng lượng đúng bằng chênh lệch giữa hai nguồn trong phép
biểu diễn phổ theo năng lượng liên kết, các đỉnh quang điện tử vẫn
tại vị trí năng lượng liên kết xác định.
PHÂN BIỆT
ĐIỆN TỬ AUGER VÀ ĐIỆN TỬ QUANG
HIỆN TƯỢNG NÂNG CAO NỀN PHỔ

Điện tử rời khỏi vật liệu mà


không thực hiện va chạm (hoặc
va chạm hoàn toàn đàn hồi)
được ghi nhận dưới dạng các
đỉnh phổ.
Điện tử bị tiêu hao năng lượng
trên đường xuyên qua lớp vật
liệu, liên quan tới độ dày lớp vật
chất phải vượt qua góp phần
hình thành nền phổ. Kết quả là
cường độ nền tăng lên ở phía
động năng thấp.
HIỆN TƯỢNG NÂNG CAO NỀN PHỔ

Cường độ phổ được ghi


nhận từ các điện tử thoát
ra khỏi bề mặt vật liệu
tuân theo định luật
Lambert - Beer
PHÂN TÍCH ĐỊNH LƯỢNG

I A /ASFA
[A] atomic% n
.100%
I i /ASFi
i 1
HỆ SỐ ASF CỦA MỘT SỐ NGUYÊN TỐ

Z Name Level ASF Level ASF Level ASF


6 C 1s 0.25
7 N 1s 0.42
8 O 1s 0.66 2s 0.025
9 F 1s 1 2s 0.04
10 Ne 1s 1.5 2s 0.07
11 Na 1s 2.3 2s 0.13
12 Mg 1s 3.5 2s 0.2 2p 0.12
13 Al 2s 0.23 2p 0.185
14 Si 2s 0.26 2p 0.27
15 P 2s 0.29 2p 0.39
PROFILE CHIỀU SÂU

Các thông tin nguyên tố theo chiều sâu trên bề


mặt mẫu có thể nhận biết được nhờ thiết bị
XPS theo cách bắn phá bề mặt bằng chùm ion
argon để bóc dần từng lớp nguyên tử và ghi
nhận phổ XPS tương ứng.
PHƯƠNG PHÁP GÁ MẪU NGHIÊNG
PHƯƠNG PHÁP GÁ MẪU NGHIÊNG
ỨNG DỤNG
XPS thường xuyên được ứng dụng để xác định:
• các yếu tố và số lượng của những yếu tố đó được thể hiện trên
của bề mặt mẫu.
• những ô nhiễm, nếu có, tồn tại trên bề mặt mẫu.
• tác dụng của môi trường đối với bề mặt kim loại và hợp kim.
• trạng thái hóa học của một hoặc một số các yếu tố trong mẫu
(ESCA).
• năng lượng liên kết của một hay nhiều điện tử có trong mẫu.
• độ dày của một hoặc nhiều lớp mỏng (nm) của các vật liệu khác
nhau trên bề mặt mẫu.
...
ĐÁNH GIÁ

ƯU ĐIỂM
• Có khả năng phân tích các hợp chất vô cơ, các hợp kim kim
loại, chất bán dẫn, các polyme (các vật liệu dẫn điện và cách
điện)…
• Ít phá hủy mẫu hơn so với AES, SIMS vì bắn phá bề mặt bằng
photon.
ĐÁNH GIÁ

NHƯỢC ĐIỂM
• Nguồn tia X đơn sắc.
• Môi trường chân không siêu cao.
• Hóa chất hữu cơ không thường xuyên được phân tích bởi XPS.
• Mẫu cần phân tích phải có độ sạch bề mặt cao (vì các liên kết trên bề
mặt mẫu cũng cho các đỉnh phổ XPS).
• Không ghi nhận được các nguyên tố có Z = 1 và Z = 2.
• Độ phân giải không gian kém.
• Tích điện cho mẫu.
CÁM ƠN THẦY VÀ CÁC BẠN
ĐÃ CÙNG THEO DÕI
BÀI THUYẾT TRÌNH

You might also like