You are on page 1of 15

Đề cương ôn tập môn các PP phân tích vật rắn 2021

1.Phương pháp XRD:

 Cách tạo tia X:

 Định luật nhiễu xạ Bragg:


 Nhiễu xạ điện tử là hiện tượng sóng điện tử nhiễu xạ trên các mạng tinh thể chất rắn,
thường được dùng để nghiên cứu cấu trúc chất rắn bằng cách dùng một chùm điện tử có động
năng cao chiếu qua mạng tinh thể chất rắn, từ đó phân tích các vân giao thoa để xác định cấu
trúc vật rắn.
 Tinh thể chất rắn có tính chất tuần hoàn, vì thế nó đóng vai trò như các cách tử nhiễu xạ.
Nếu như các mặt tinh thể có khoảng cách liên tiếp là d thì góc nhiễu xạ sẽ cho cực đại nhiễu xạ
tuân theo công thức Bragg: 2dsin=n

 là bước sóng,  là góc nhiễu xạ, n là số nguyên (n = 0, 1, 2...) cũng là bậc giao thoa.

 Nguyên lý hoạt động XRD ( dùng để phân tích cấu trúc tinh thể): khi chiếu 1 chùm tia X
tới bề mặt của vật liệu thì xuất hiện các hiện tượng tán xạ, giao thoa, phản xạ. Tập hợp các tán
xạ đàn hồi đặc biệt từ các điểm khác nhau của tinh thể đảm bảo điệu kiện giao thoa tăng
cường. Kết quả thu được các chùm tia nhiễu xạ theo các hường xác định, đặc trưng cho tinh
thể, các tia nhiễu xạ này có thể ghi được dưới dạng ảnh nhiễu trên phim hoặc vẽ được thành
giãn đồ nhiễu xạ.
 Ứng dụng XRD trong phân tích chất rắn:
 Xác định đặc tính của tinh thể vật liệu

 Xác định cấu trúc tinh thể sử dụng Rietveld

 Thực hiện đo đạc kết cấu, ví dụ như sự định hướng của các hạt, trong một mẫu đa tinh
thể

 Đo độ tinh khiết mẫu

 Xác định các thành phần của các khoáng chất (phân tích định lượng)

 Xác định các khoáng chất hạt mịn như đất sét và đất sét hỗn hợp (rất khó để xác định
bằng các phương pháp quang học)

 Xác định kích đơn vị tinh thể

Ứng dụng phân tích một số chất dựa trên phổ XRD thu được từ thực nghiệm:

Vết nhiễu xạ Laue của một tinh thể Al (FCC)

2.Phổ hấp thụ UV-vis:

Phổ UV-VIS là gì?

Phổ UV-VIS hay còn gọi phổ hấp thụ phân tử UV-VIS, là phổ sinh ra do sự tương tác giữa các
điện tử hóa trị trong các liên kết d, p và đôi điện tử n ở trong phân tử hay nhóm phân tử của các
chất với chùm tia sáng kích thích thích hợp tạo ra.

Máy quang phổ UV-VIS về cơ bản được cấu tạo từ các thành phần sau :

 Nguồn sáng : có nhiệm vụ cung cấp bức xạ tương thích với quá trình đo, thường là chùm
bức xạ đa sắc.
 Bộ phận đơn sắc hóa : gồm có kính lọc, lăng kính, cách tử, khe sáng.
 Buồng đo : khoang hấp thu quang phổ là vùng tối, nằm nơi cuối cùng của đường truyền, khi
tia bức xạ đơn sắc được phân tách sẽ đi đến đó.
 Detecter : là bộ phận đảm nhận vai trò ghi nhận và xử lý tín hiệu quang thành tín hiệu điện.
Bộ phận này có tác dụng cảm nhận bức xạ điện từ sau khi bị hấp thụ và chuyển dúng thành
dòng điện.

 Nguyên lý hoạt động phổ hấp thụ UV-vis,

Khi nguyên tử ở trạng thái hơi tự do, ta chiếu một chùm tia sáng có những bước sóng xác định
vào chúng, khiến chúng hấp thụ các bức xạ tương ứng với bức xạ chúng có thể phát ra.

Lúc này, nguyên tử được chuyển đến trạng thái kích thích, mang năng lượng cao hơn trạng thái
cơ bản.

Quá trình này gọi là quá trình hấp thụ năng lượng của nguyên tử hơi tự do và tạo ra phổ hấp thụ
nguyên tử của nguyên tố đó.

Ứng với mỗi giá trị năng lượng mà nguyên tử đã hấp thu, ta sẽ có 1 vạch phổ hấp thụ. Ta sử
dụng định luật Lambert – Beer để tính toán được độ hấp thụ.

Nằm ở vùng phổ UV-Vis là vùng nằm ở cận UV cho đến cận IR. Điểm này được xác định từ
khoảng 180-1100nm. Đây cũng chính là vùng phổ đã được nghiên cứu nhiều và được áp dụng
nhiều về mặt định lượng.

 ứng dụng
Máy quang phổ hấp thụ UV-VIS với thiết kế đơn giản, dễ sử dụng, giá thành không quá cao,
phù hợp với nhu cầu phân tích nhiều chất có hàm lượng nhỏ. Chính vì vậy mà máy quang phổ
UV-VIS được ứng dụng khá rộng rãi, dưới đây là một số lĩnh vực ứng dụng:

 Sử dụng trong y dược học.


 Dùng trong nông nghiệp.
 Sử dụng trong công nghiệp thực phẩm: máy quang phổ UV-VIS sử dụng để xác định hàm
lượng Fe có trong các mẫu bột mì, hoặc hàm lượng Nitrat, Nitrit trong thịt.
 Dùng trong phân tích môi trường, phân tích nguồn nước.
 Dùng cho công nghiệp hóa học: sử dụng để phân tích hàm lượng Photpho có trong phân
bón, hàm lượng Titan có trong sơn, hàm lượng Neodymi có trong thủy tinh.
 Ứng dụng phổ hấp thụ UV-vis xác định bờ rộng vùng cấm của một số chất bán dẫn
(dựa vào Tauc method)

 Phương pháp Tauc dựa trên giả định rằng hệ số hấp thụ α phụ thuộc năng lượng
có thể được biểu thị bằng phương trình sau (1):
(α.h v)1/𝛶 = B.(h𝑣 – Eg) (1)

trong đó: h là hằng số Planck

𝑣 là tần số của photon

Eg là năng lượng vùng cấm

B là hằng số

γ phụ thuộc vào bản chất của sự chuyển electron và bằng 1/2 hoặc 2 đối với bề
rộng vùng cấm trực tiếp hoặc gián tiếp.

 Năng lượng vùng cấm thường được xác định từ quang phổ phản xạ khuếch tán.
Theo lý thuyết của P. Kubelka và F. Munk đã trình bày vào năm 1931, các phổ
phản xạ có thể được chuyển đổi thành quang phổ hấp thụ bằng cách áp dụng hàm
Kubelka-Munk (F( R∞ ) :
2
K (1−R ∞ )
F( R∞ ) = S
= (2)
2 R∞

R sample
trong đó: R∞ = R là phản xạ của một mẫu vật dày vô hạn
standard

K là hệ số hấp thụ
S là hệ số tán xạ

Đặt F( R∞ ) = α vào phương trình (1) ta được:

( F.( R∞ . h𝑣)1/𝛶 = B.( h𝑣 – Eg ) (3)

 Theo định luật Beer-Lambert, phổ của bất kỳ hỗn hợp, bao gồm một chất bán dẫn
được biến đổi bởi một thuốc nhuộm hữu cơ, là sự kết hợp tuyến tính của quang
phổ của cả hai các thành phần:
α.(h𝑣) = a. αs.(h𝑣) + b. αm (h𝑣) (4)

trong đó: a và b xác định sự đóng góp của các thành phần (chúng phụ thuộc vào nồng
độ các thành phần)

αs(h𝑣) và αm(h𝑣) là hệ số hấp thụ của chất bán dẫn và thuốc nhuộm hữu cơ

 Phép biến đổi Tauc (1) không áp dụng được trực tiếp vào phổ của cả hai thành
phần với nhau, nhưng đối với phổ của chất bán dẫn tinh khiết thì được

 Khi 𝛶 = 1/2 (bề rộng vùng cấm trực tiếp) và hệ thống bao gồm hai thành phần,
phương trình Tauc (1), theo (4), có dạng sau:
((αs.(h𝑣) + αm (h𝑣)). h𝑣)2 = B.(h𝑣 – Eg)(5)

Khai triển bình phương tổng cho kết quả trong phương trình (6):

(as(h𝑣) h𝑣)2 + 2 as( h𝑣) am (h𝑣(h𝑣)2 + (am (h𝑣) h𝑣)2 = B.(h𝑣 – Eg) (6)

 Tương tự, khi 𝛶 = 2 ( bề rộng vùng cấm gián tiếp) và hệ thống là bao gồm hai
thành phần, phương trình Tauc (1), theo (4), có dạng:
((αs.(h𝑣) + αm (h𝑣)). h𝑣)1/2 = B.(h𝑣 – Eg) (7)

 Khai triển chuỗi Taylor của căn bậc hai của tổng:
1 1 1 1 1 1
((αs.(h𝑣)1/2 + 2 αm.(h𝑣)(α s .(h v ) )1/2 – 8 . αm.(h𝑣)2. (α s .(h v ) )3/2 + 16 αm.(h𝑣)2.(α s .(h v ) )5/2
+ …). (h𝑣)1/2 = B.(h𝑣 – Eg) (8)

 Khi h𝑣 → Eg, thì αs(h𝑣)> 0 và αm(h𝑣)> 0, và nó không loại bỏ ảnh hưởng αm(h𝑣)
trên bề rộng vùng cấm ước tính năng lượng từ (6) và (8).
 Để loại bỏ ảnh hưởng, αm(h𝑣) phải bằng 0, nghĩa là sử dụng αm(h𝑣) làm đường cơ
sở trong dải phụ vùng trống của (Hình 4).
 Khi αm(h𝑣) ≈ 0, (6) có dạng (αs(h𝑣) h𝑣)2 = B(h𝑣 – Eg), (8) có dạng (αs(h𝑣))1/2 = B
(hν – Eg).
⇒ Phân tích như vậy cho phép năng lượng vùng cấm thu được trực tiếp từ đồ thị.

 Một cách tiếp cận tối ưu hơn để xác định dải năng lượng vùng cấm dựa trên định
luật Lambert-Beer, cho phép chúng ta giải mã quang phổ của cả hai thành phần
dựa vào quang phổ của các thành phần riêng lẻ.
 Ứng dụng trực tiếp của Phương pháp Tauc chỉ thích hợp cho phổ của chất bán dẫn
tinh khiết.
Còn nếu giải mã của quang phổ thành quang phổ của các thành phần là không khả
thi, một ước tính chính xác hơn có thể thu được thông qua việc sử dụng đường cơ
sở đã nói trên.
3.Phương pháp hiển vi điện tử SEM, TEM:

 TEM
 Cách tạo chùm điện tử

- Điện tử được phát ra từ súng phóng điện tử

- Có hai cách để tạo ra chùm điện tử:

+ Sử dụng nguồn phát xạ nhiệt điện tử: Điện tử được phát ra từ một catốt được đốt nóng (năng
lượng nhiệt do đốt nóng sẽ cung cấp cho điện tử động năng để thoát ra khỏi liên kết với kim
loại. Do bị đốt nóng nên súng phát xạ nhiệt thường có tuổi thọ không cao và độ đơn sắc của
chùm điện tử thường kém. Nhưng ưu điểm của nó là rất rẻ tiền và không đòi hỏi chân không
siêu cao. Các chất phổ biến dùng làm catốt là W, Pt, LaB6...

+ Sử dụng súng phát xạ trường: Điện tử phát ra từ catốt nhờ một điện thế lớn đặt vào vì thế
nguồn phát điện tử có tuổi thọ rất cao, cường độ chùm điện tử lớn và độ đơn sắc rất cao, nhưng
có nhược điểm là rất đắt tiền và đòi hỏi môi trường chân không siêu cao.

 Nguyên lý hoạt động, ứng dụng

a. Nguyên lý hoạt động: Súng phóng điện từ phát ra chùm điện tử có năng lượng cao chiếu
xuyên qua mẫu vật rắn mỏng và sử dụng các thấu kính từ để tạo ảnh với độ phóng đại lớn (có
thể tới hàng triệu lần), ảnh được ghi nhận trên màn huỳnh quang, trên film quang học, hay máy
chụp kỹ thuật số.

- Hệ thấu kính bao gồm:

+Súng phóng điện tử: phát ra các electron

+Các hệ thấu kính và lăng kính: Thấu kính sử dụng trong TEM là thấu kính từ, thấu kính này
thực chất là một nam châm điện có cấu trúc là một cuộn dây cuốn trên lõi làm bằng vật liệu từ
mềm. Tiêu cự của thấu kính được điều chỉnh thông qua từ trường ở khe từ, có nghĩa là điều
chỉnh cường độ dòng điện chạy qua cuộn dây. Vì có dòng điện chạy qua cuộn dây sẽ bị nóng
lên do đó cần được làm lạnh bằng nước hoặc nitơ lỏng.

Gồm có:
Hệ kính hội tụ và tạo chùm tia song song: Đây là hệ thấu kính có tác dụng tập trung chùm
điện tử vừa phát ra khỏi súng phóng và điều khiển kích thước cũng như độ hội tụ của chùm tia.
Hệ hội tụ C1 có vai trò điều khiển chùm tia vừa phát ra khỏi hệ phát điện tử được tập trung vào
quỹ đạo của trục quang học. Khi truyền đến hệ C2, chùm tia sẽ được điều khiển sao cho tạo
thành chùm song song hoặc thành chùm hội tụ hẹp nhờ việc điều khiển dòng qua thấu kính
hoặc điều khiển độ lớn của khẩu độ hội tụ C2.

Vật kính: Là thấu kính ghi nhận chùm điện tử đầu tiên từ mẫu vật và luôn được điều khiển sao
cho vật sẽ ở vị trí có khả năng lấy nét khi độ phóng đại của hệ được thay đổi. Vật kính có vai
trò tạo ảnh, việc điều chỉnh lấy nét được thực hiện bằng cách thay đổi dòng điện chạy qua cuộn
dây, qua đó làm thay đổi tiêu cực của thấu kính.

Thấu kính nhiễu xạ: Có vai trò hội tụ chùm tia nhiễu xạ từ các góc khác nhau và tạo ra
ảnh nhiễu xạ điện tử trên mặt phẳng của thấu kính.

Thấu kính phóng đại: Là hệ thấu kính sau vật kính, và độ phóng đại của hệ được thay đổi
bằng cách thay đổi tiệu cự của thấu kính.

+ Các khẩu độ: Là hệ thống các màn chắn có lỗ với độ rộng có thể thay đổi nhằm thay đổi các
tính chất của chùm điện tử như khả năng hội tụ, độ rộng, lựa chọn các vùng nhiễu xạ của điện
tử...

Khẩu độ hội tụ: Là hệ khẩu độ được dùng cùng với hệ thấu kính hội tụ, có tác dụng điều khiển
sự hội tụ của chùm tia điện tử, thay đổi kích thước chùm tia và góc hội tụ của chùm tia.

Khẩu độ vật: 

Được đặt phía bên dưới vật có tác dụng hứng chùm tia điện tử vừa xuyên qua mẫu vật nhằm:
thay đổi độ tương phản của ảnh, hoặc lựa chọn chùm tia ở các góc lệch khác nhau (khi điện tử
bị tán xạ khi truyền qua vật).

Khẩu độ lựa chọn vùng: Được dùng để lựa chọn diện tích vùng mẫu vật sẽ ghi ảnh nhiễu xạ
điện tử, được dùng khi sử dụng kỹ thuật nhiễu xạ điện tử lựa chọn vùng.

 Ứng dụng:

- Dùng để nghiên cứu đặc tính, cấu trúc hóa học, hay cấu trúc điện từ của mẫu chất rắn. Ví dụ
như phổ tổn hao năng lượng điện tử (Electron Energy Loss Spectroscopy, viết tắt EELS) được
sử dụng nhiều trong phân tích hóa học dựa trên việc ghi nhận và phân tích phần năng lượng bị
mất mát của chùm điện tử do tán xạ không đàn hồi khi truyền qua mẫu vật rắn, hay chế độ
Lorentz microscopy có khả năng chụp ảnh cấu trúc từ với độ phân giải cực cao và tốc độ
nhanh.
 Tính vận tốc e- và bước sóng tương ứng khi cho biết hiệu điện thế tăng tốc

Công thức tính

Sau khi thoát ra khỏi catốt, điện tử di truyển đến anốt rỗng và được tăng tốc dưới thế tăng tốc V
(một thông số quan trọng của TEM). Lúc đó, điện tử sẽ thu được một động năng:

Và xung lượng p sẽ được cho bởi công thức:

Như vậy, bước sóng của điện tử quan hệ với thế tăng tốc V theo công thức:

Với thế tăng tốc V = 100 kV, ta có bước sóng điện tử là 0,00386 nm. Nhưng với thế tăng tốc cỡ
200 kV trở nên, vận tốc của điện tử trở nên đáng kể so với vận tốc ánh sáng, và khối lượng của
điện tử thay đổi đáng kể, do đó phải tính theo công thức tổng quát (có hiệu ứng tương đối tính):

 So sánh phương pháp ảnh SEM và TEM và hiển vi quang học

So sánh giữa kính hiển vi điện tử truyền qua và kính hiển vi điện tử quét

TEM SEM

+ Cung cấp thông tin về cấu trúc bên trong của + Cung cấp thông tin về bề mặt của mẫu và
mẫu, chẳng hạn như cấu trúc tinh thể, hình thái thành phần của nó.
và thông tin trạng thái ứng suất.
+ Độ phân giải không gian (dưới 50 pm đã + Độ phân giải SEM được giới hạn ở ~ 0,5
được báo cáo) nm
Hình ảnh 3D
Hình ảnh 2D

+ Điện áp sử dụng khoảng 60–300 kV. + Điện áp sử dụng: 30 kV

+ Độ phóng đại mà TEM cung cấp cao hơn + Đối với SEM, chỉ được giới hạn ở 1–2
nhiều so với SEM. Người dùng TEM có thể triệu lần.
phóng đại mẫu lên hơn 50 triệu lần.
+ Mẫu nằm ở giữa cột. Các điện tử truyền qua + Mẫu được định vị ở dưới cùng của cột
nó và qua một loạt thấu kính bên dưới mẫu điện tử, và các điện tử phân tán (phân tán
(thấu kính trung gian và thấu kính máy chiếu). ngược hoặc thứ cấp) được bắt bởi các máy
Hình ảnh được hiển thị trực tiếp trên màn hình dò điện tử. Sau đó các bộ phận quang được
huỳnh quang hoặc qua máy ảnh thiết bị tích sử dụng để chuyển tín hiệu này thành tín
điện (CCD) trên màn hình PC. hiệu điện áp, tín hiệu này được khuếch đại
để tạo ra hình ảnh trên màn hình PC

So sánh giữa kính hiển vi điện tử truyền qua và kính hiển vi quang học

Kính hiển vi quang học Kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM)
Nguồn chiếu sáng là đèn thông thường Nguồn chiếu sáng là chùm electron.
(Hallogen, Led)
Tụ quang, vật kính, mắt kính được chế tạo từ Tất cả các ống kính là điện từ.
thủy tinh
Nó có độ phân giải phấp (0.25µm tới 0.3µm). Độ phân giải không gian (dưới 50 pm đã
được báo cáo) nhỏ hơn khoảng 5000 lần so
với kính hiển vi quang học

Mẫu vật dày 5µm hoặc dày hơn. Mẫu vật có chiều dày dưới 500 nm

Không yêu cầu chân không. Chân không cần thiết cho sự vận hành kính.
Không cần nguồn điện thế cao Dòng điện với điện thế cao được yêu cầu
(50,000 Volts hoặc cao hơn).
Hình ảnh được nhìn bằng mắt qua thấu kính. Hình ảnh được ghi nhận trên màn hình
huỳnh quang
Độ tương phản trong kính hiển vi quang học Độ tương phản của TEM xuất phát từ khả
chủ yếu đem lại do hiệu ứng hấp thụ ánh sáng năng tán xạ điện tử
Phướng pháp kính hiển vi điện tử quét (SEM)

*Cách tạo chùm điện tử:


Điện tử được phát ra từ súng phóng điện tử(có thể là phát xạ nhiệt, hay phát xạ trường...), sau
đó được tăng tốc.
- Có hai cách để tạo ra chùm điện tử:
+ Sử dụng nguồn phát xạ nhiệt điện tử: Điện tử được phát ra từ một catốt được đốt nóng (năng
lượng nhiệt do đốt nóng sẽ cung cấp cho điện tử động năng để thoát ra khỏi liên kết với kim
loại. Do bị đốt nóng nên súng phát xạ nhiệt thường có tuổi thọ không cao và độ đơn sắc của
chùm điện tử thường kém. Nhưng ưu điểm của nó là rất rẻ tiền và không đòi hỏi chân không
siêu cao. Các chất phổ biến dùng làm catốt là W, Pt, LaB6...

+ Sử dụng súng phát xạ trường: Điện tử phát ra từ catốt nhờ một điện thế lớn đặt vào vì thế
nguồn phát điện tử có tuổi thọ rất cao, cường độ chùm điện tử lớn và độ đơn sắc rất cao, nhưng
có nhược điểm là rất đắt tiền và đòi hỏi môi trường chân không siêu cao.

 Nguyên lý hoạt động:

Các bước cơ bản trong Electron Microscopy (EM) là:

- Dòng electron được định dạng và gia tốc về phía mẫu bằng một điện thế dương.

- Dòng này sau đó bị hạn chế và tập trung lại bằng một khẩu độ kim lọai và thấu kính từ để tạo
ra dòng nhỏ, hội tụ và đơn sắc.

- Dòng sau đó được hội tụ vào mẫu bằng cách dùng thấu kính từ.

- Các sự tương tác xảy ra bên trong mẫu khi dòng đập vào, tác động đến sóng electron.

- Các sự tương tác này được nhận biết và chuyển đổi thành hình ảnh.

SEM tạo ra hình ảnh bằng electron thứ cấp phát xạ từ bề mặt mẩu do chùm sóng electron ban
đầu đập vào. Trong SEM, chùm electron nhỏ được quét ngang qua mẫu, đồng thời tín hiệu sinh
ra được thu nhận và hình ảnh sẽ được thể hiện lại bằng cách ánh xạ tín hiệu với vị trí của sóng
theo từng pixel (điểm) một. Tín hiệu được quan sát trên cùng vị trí của mẫu khi chùm electron
đến.

 Nguyên lý của SEM

- Việc phát các chùm điện tử trong SEM cũng giống như việc tạo ra chùm điện tử trong
kính hiển vi điện tử truyền qua, tức là điện tử được phát ra từ súng phóng điện tử (có thể là phát
xạ nhiệt, hay phát xạ trường...), sau đó được tăng tốc.

- Tuy nhiên, thế tăng tốc của SEM thường chỉ từ 10 kV đến 50 kV vì sự hạn chế của
thấu kính từ, việc hội tụ các chùm điện tử có bước sóng quá nhỏ vào một điểm kích thước nhỏ
sẽ rất khó khăn.
Ngoài ra, khi điện tử tương tác với bề mặt mẫu vật, sẽ có các bức xạ phát ra, sự tạo ảnh trong
SEM và các phép phân tích được thực hiện thông qua việc phân tích các bức xạ này. Các bức
xạ chủ yếu gồm:

- Điện tử thứ cấp (Secondary electrons): Đây là chế độ ghi ảnh thông dụng nhất của kính hiển
vi điện tử quét, chùm điện tử thứ cấp có năng lượng thấp.

- Điện tử tán xạ ngược (Backscattered electrons): Điện tử tán xạ ngược là chùm điện tử ban đầu
khi tương tác với bề mặt mẫu bị bật ngược trở lại, do đó chúng thường có năng lượng cao.

 Sơ đồ nguyên lý của một máy SEM cụ thể:

- Hiển vi điện tử sử dụng chùm tia điện tử để tạo ảnh mẫu nghiên cứu, ảnh đó khi đến
màng huỳnh quang có thể đạt độ phóng theo yêu cầu.

- Hiển vi điện tử quét thường được sử dụng để nghiên cứu bề mặt, kích thước, hình dạng
vi tinh thể do khả năng phóng đại và tạo ảnh rất rõ nét và chi tiết.

 Ứng dụng:

 KHVL, CNHH, công nghệ sinh học, khoa học sự sống…

 Cho phép ta xác định các thông số như:


 Thành phần hóa học.

 Cấu trúc điện tử.

 Tính vận tốc e- và bước sóng tương ứng khi cho biết hiệu điện thế tăng tốc

+Tính vận tốc e- : ta có √ 2 eV


, suy ra: v = m

Mặt khác ta có:

+bước sóng :

4. Phổ huỳnh quang tia X:

 Nguyên lý hoạt động

-Khi chùm electeron phát ra từ Catot (bị đốt nóng) sẽ được gia tốc bởi điện trường giữa 2 điện
cực trong buồng chân không tới và đập vào Anot (bia) và phát ra tia X.

1.Ống tia X tạo ra bức xạ X sơ cấp. Catốt bị đốt nóng phát ra êlectron. Được tăng tốc bởi điện
áp cao được đặt đến với tốc độ rất cao, các điện tử bắn phá vật liệu anốt. Điều này tạo ra bức xạ
X chính.

2. Màn trập đóng vai trò như một thiết bị an toàn và đóng sự tiếp cận của bức xạ X sơ cấp
vào buồng đo, nếu cần

3. Khẩu độ (ống chuẩn trực) giới hạn tiết diện của chùm tia sơ cấp để kích thích một điểm đo
có kích thước xác định

- Chùm tia X mang năng lượng lớn từ ống phóng tia X hoặc một nguồn phát xạ được chiếu vào
Mẫu kiểm tra. Năng lượng này được nguyên tử hấp thụ gần như hoàn toàn, đủ để làm lớp điện
tử trong cùng bay ra ( Hiện tượng quang điện).

Ở chế độ cơ bản, nguyên tử được cấu tạo bởi nhân và các lớp Electron ( điện tử) xung quanh
( K, L, M, N).

4. Khi bắn tia X mang năng lượng lớn vào mẫu – nguyên tử: Mức năng lượng này lớn hơn
nhiều so với năng lượng liên kết các lớp electron cấu tạo nên nguyên tử, xảy ra hiện tượng điện
tử các lớp điện tử bao quanh nhân K,M.. bị bắn ra.
- Sự phát xạ lớp điện tử lớp trong cùng sẽ để lại một lỗ trống, làm cho nguyên tử ở một trạng
thái không bền vững. Khi một nguyên tử ở trạng thái không bền vững, lớp điện tử lớp ngoài sẽ
tự động nhảy lên chiếm chỗ,…

- Sự chuyển dịch các photon mang năng lượng này sẽ phát ra năng lượng- phát sáng gọi là hiện
tượng Huỳnh quang.

Suy nghĩ đơn giản như sau: Mỗi một nguyên tố khi phát xạ sẽ có một phổ khác nhau, và cường
độ màu sẽ đặc trưng cho hàm lượng của nguyên tố trong mẫu .Từ đó sẽ định tính và định lượng
được nguyên tố có trong mẫu phân tích. Chính vì vậy, các nhà khoa học đã chế tạo ra máy
quang phổ huỳnh quang tia XRF, với ứng dụng xác định hàm lượn, thành phần nguyên tố kim
loại,phi kim.. tồn tại trong mẫu.

Do đó, năng lượng bị mất là duy nhất tùy thuộc vào nguyên tố mà nó phát ra. Năng lượng này
sau đó được phát hiện bởi máy dò trong máy phân tích XRF. Bởi vì lượng năng lượng bị mất
trong quá trình huỳnh quang là duy nhất cho mỗi nguyên tố (vì mỗi nguyên tố có khoảng cách
duy nhất giữa các vỏ quỹ đạo của nó), năng lượng huỳnh quang được phát hiện là dấu hiệu cho
thấy các nguyên tố nào có trong mẫu hợp kim. Các tỷ lệ trong đó các năng lượng kín đáo được
phát hiện là biểu thị mức độ của mỗi nguyên tố có trong mẫu, do đó cung cấp hóa học hợp kim
định lượng hoàn chỉnh.

6. Máy dò phân tán năng lượng,đo sự phân bố năng lượng của bức xạ huỳnh quang. Một
mạch điện tử nhiều tầng xử lý các tín hiệu đo.

7. Phổ đo được cho thấy các vạch hoặc các đỉnh đặc trưng cho các nguyên tố hóa học trong
mẫu.

8. Phần mềm WinFTM tính toán độ dày của (các) lớp phủ và / hoặc kết quả phân tích.
Hình ảnh video của mẫu được hiển thị trong cửa sổ WinFTM. Có thể định vị chính xác vị trí đo
và điểm đo do thiết kế đặc biệt của hệ thống hướng dẫn quang học và tia x.

 Ứng Dụng Phương Pháp Quang Phổ Huỳnh Quang

-Định tính định lượng nhanh chóng các nguyên tố, thành phần có trong mẫu như: Mẫu rắn, mẫu
lỏng, bột…. Cụ thể như trong lĩnh vực luyện kim, hóa chất: Kiểm soát chất lượng nguyên vật
liệu ,chất lượng của sản phẩm, Công nghiệp Sơn: Phân tích thành phần của Sơn, thực phẩm:
Xác định các kim loại nặng có trong thực phẩm như ( trong sản phẩm, trong hộp đựng mẫu,
trong sữa….).

phân tích trên toàn thế giới, cho các ứng dụng đa dạng như luyện kim, pháp y, polyme, điện tử,
khảo cổ, phân tích môi trường, địa chất và khai thác mỏ.
Quang phổ tia X là một phương pháp hiệu quả giúp hiểu sâu hơn về cấu trúc hóa học và điện tử
của các mẫu được nghiên cứu. Kể từ thế kỷ 20, nó đã được sử dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh
vực nghiên cứu bắt đầu từ vật lý trạng thái rắn [1, 2] và tiếp theo là hóa học [3] và khoa học
môi trường [4], nghiên cứu khảo cổ học và nghệ thuật [5], cũng như như các nghiên cứu sinh
học và sức khỏe

 Tương tác chùm tia X với vật chất

phương pháp phân tích – đo lường mà không khiến các mẫu vật đo bị phá hủy hay tổn hại trong
quá trình tiến hành.

Phân tích định tính và định lượng các nguyên tố (chủ yếu là kim loại) có TRÊN BỀ MẶT của
các mẫu vật cần nghiên cứu và Đo độ dày của hệ xi mạ đa lớp trên các chi tiết, vùng đo có kích
thước nhỏ xuống đến 15µm (kích thước của điểm đo, không phải độ dày nhé các bạn).

người ta cho chiếu tia lên trên bề mặt mẫu. Các electron, của các nguyên tố hóa học ở bề mặt,
sẽ nhận năng lượng từ chùm tia X chiếu tới bị kích thích và dẫn đến một loạt các hoạt động
khác nhau như bị đánh bật ra khỏi nguyên tố hoặc electron chuyển lên mức năng lượng cao
hơn, sau đó lại trở về mức năng lượng bền vững ban đầu, đồng thời phát xạ năng lượng đúng
bằng năng lượng K, L đặc trưng của các nguyên tố hóa học đó.

Như vậy, nhờ quá trình này, chúng ta thu được phổ tín hiệu năng lượng đặc trưng của dải
nguyên tố hóa học có trong mẫu vật từ đó có thể định tính (xác định nguyên tố gì có trong mẫu
vật) và định lượng (xác định hàm lượng của các nguyên tố hóa học, chủ yếu là kim loại, có trên
bề mặt mẫu vật).

XRF dựa trên nguyên tắc rằng các nguyên tử riêng lẻ, khi được kích thích bởi một nguồn năng
lượng bên ngoài, sẽ phát ra các photon tia X có năng lượng hoặc bước sóng đặc trưng. Bằng
cách đếm số lượng photon của mỗi năng lượng phát ra từ một mẫu, các phần tử có mặt có thể
được xác định và định lượng.

 Trình bày cấu tạo và nguyên lí hoạt động và ứng dụng của hiển vi đầu dò quét hiệu ứng
xuyên ngầm (STM) và hiển vi lực huyên tử (AFM)

You might also like