ĐỀ CƯƠNG PHƯƠNG PHÁP

Câu 1: Phún xạ

Phún xạ (Sputtering) hay Phún xạ catốt (Cathode Sputtering) là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý
truyền động năng bằng cách dùng các iôn khí hiếm được tăng tốc dưới điện trường bắn phá bề mặt vật liệu từ bia vật
liệu, truyền động năng cho các nguyên tử này bay về phía đế và lắng đọng trên đế.

Plasma: Được tạo ra do cơ chế sau : Khi ta bơm khí trơ vào buồng chân không, trong buồng vốn có sẵn một số ít
electron tự do, các e n ày va chạm với các nguyên tử khí trơ trung hòa làm ion hóa các nguyên tử này thành các ion
dương ( Ví dụ Ar +). Các ion này dưới tác dụng của điện trường gia tốc bay đến đập vào catot, ở đây là bia làm các
nguyên tử ở bia văng ra, đồng thời các e thứ cấp cung hình thành bay ra, các e thứ cấp tiếp tục ion hóa các nguyên tử
khí tạo thành khối plasma phát sáng giữa hai điện cực.

Phún xạ gồm 2 hiệu ứng vật lý:

– Sự va chạm (bắn phá) giữa các ion khí và các nguyên tử bề mặt, quá trình này
làm bật ra các nguyên tử của bia vật liệu;

– Sự truyền động năng: các nguyên tử vật liệu bị bật ra sẽ có một phần động
năng do va chạm, và bay về phía đế và lắng đọng tại đó tạo ra màng mỏng mà ta cần.

Để có thể tạo ra quá trình phún xạ, trước tiên bạn cần tạo ra một môi trường chân không đủ cao (càng cao càng tốt),
Sau đó, người ta sẽ dùng một dòng khí hiếm (thường là Ar, Ne, He, Kr) nạp vào buồng với áp suất thấp (cỡ 10-4
Torr tới 10-2 Torr) để dùng cho quá trình phún xạ.

2.2. Phún xạ một chiều (DC) và xoay chiều (RF) Với các vật liệu điện môi (ví dụ như các bia dạng gốm), nguồn một
chiều hoàn toàn không thể hoạt động do dòng điện một chiều không thể truyền qua điện môi. Lúc này, ta lại cần đến
một nguồn xoay chiều phát dòng điện cao tần và một bộ phối hợp trở kháng. Vai trò của bộ phối hợp trở kháng là tạo
ra công suất điện lớn nhất trên hệ cathode-anode. Và ta sẽ có phún xạ xoay chiều (viết theo thuật ngữ tiếng Anh là
Radio Frequency hay RF). Thường thì tần số phún xạ RF cỡ vài chục MHz

2.3. Phún xạ magnetron và phún xạ chùm ion Để tăng hiệu suất phún xạ, người ta tạo ra thêm các bẫy từ trường
(bằng cách sử dụng các nam châm đặt bên dưới các bia vật liệu) nhằm dùng từ trường bẫy các hạt mang điện, tập
chung chúng bắn phá vào trung tâm của bia vật liệu. Với hình thức này, ta sẽ có magnetron sputtering – kỹ thuật phổ
biến nhất hiện nay. Magnetron được bổ sung trong hầu hết các hệ sputtering nhằm tăng hiệu suất phún xạ

Các yếu tố ảnh hưởng lên tốc độ lắng đọng màng

+ Dòng và thế

+ Áp xuất: Áp suất khí quá lớn sẽ làm giảm khả năng phún xạ, áp suất quá nhỏ thì lại cho quá trình phún xạ quá
chậm và yếu.

+ Nhiệt độ đế:

+ Cách bố trí bia:

Caau2 : Phương pháp bốc bay bằng chùm điện tử (pulsed electron deposition) (PED)

Là Phương pháp chế tạo màng mỏng bằng các điện tử có năng lượng cao. Chùm xung điện tử công suất lớn bắn
xuyên vào bia vật liệu với độ sâu khoảng 1 mcr làm bốc bay vật liệu và hình thành trạng thái plasma
Tốc độ lắng đọng vào khoảng 0,01 - 0,1 nm/xung
Quá trình tạo màng
Trong khoảng thời gian này, phần lớn năng lượng chùm sáng được chuyển thành nội năng lượng (entanpi) của các
nguyên tử trong trạng thái plasma. Bao gồm năng lượng bay hơi, sự ion hóa và nhiệt năng của nguyên tử cũng như
năng lượng của các electron trong plasma
Thông thường, độ dày của lớp plasma gần bề mặt bia là dưới 0,1 mm trong giai đoạn này.
Dưới tác dụng của áp suất bên trong cao, lớp plasma tự đẩy ra theo một hướng vuông góc với bề mặt bia. Áp suất
plasma là lớn hơn bất kỳ áp suất khí nào trong buồng chân không. Vì vậy, sự phóng plasma không bị ảnh hưởng
bởi.
Plasma được gia tốc liên tục bởi gradient áp suất và được hỗ trợ thông qua sự tái kết hợp của nguyên tử và electron.
Trong giai đoạn này, phổ năng lượng ban đầu của dòng plasma được hình thành và mở rộng cỡ 10 mm
Nếu sự lắng đọng diễn ra trong môi trường khí nền, các nguyên tử bị bứt ra từ bia va chạm với các nguyên tử khí
đẩy hầu hết các nguyên tử khí về phía chất nền để lại vùng hiếm khí màu trắng phía gần bề mặt bia

Giai đoạn 4, vận tốc định hướng của dòng plasma có thể so sánh với vận tốc nhiệt của các phần tử của nó. Sự mở
rộng của plasma gần như dừng lại và gần như đẳng hướng.

Ưu điểm :
  Bộ phận tạo xung điện tử được sử dụng trên cùng hệ laser, tiết kiệm chi phí, diện tích đặt máy
 Năng lượng xung điện tử ổn định, với năng lượng xung tới 0.8J, điện áp cần dung khoảng 15-18kV.
 Có thể áp dụng cho nhiều vật liệu khác nhau như oxit kim loại nhiều thành phần, hợp kim hay polymer
 Màng có độ dày đồng đều, có thể tạo màng mỏng trên đế có kích thước lớn

Nhược điểm:

 Không thể tạo các màng quá mỏng, khả năng khống chế chiều dày của phương pháp này rất kém do tốc độ
bốc bay khó điều khiển. Đồng thời, việc chế tạo màng đa lớp là rất khó khăn với phương pháp này

1.1. Cấu tạo:

+Champer

+ Đế

+ Bia

+ Shutter

+ Súng điện tử

+ Bơm chân không

+ Hệ thống điều khiển nhiệt độ

+ Hệ thống điều khiển đế

+ Máy tính

Câu 3: Kỹ thuật Quang khắc

Khái niệm:

Lithography (quang khắc) là công nghệ tạo các chi tiết trên bề mặt (các phiến Si...) có kích thước và hình dạng
giống như thiết kế bằng cách sử dụng ánh sáng hoặc chùm điện tử có năng lượng cao để làm biến đổi các chất cản
quang phủ trên bề mặt phiến Si…Quang khắc được sử dụng rộng rãi trong công nghệ nanô, công nghệ bán dẫn để
tạo ra các chi tiết, các linh kiện có kích thước nhỏ với độ chính xác cực cao.

4.2. Quy trình chung

Cản quang (vật liệu hữu cơ nhạy quang, resist – photoresist, e-beam resist) phủ lên phiến đã có sẵn lớp màng mỏng
của vật liệu cần tạo linh kiện -> Bức xạ được chiếu qua mặt nạ mang hình dạng của linh kiện cần tạo -> Dùng một
dung dịch hữu cơ khác (gọi là chất tráng rửa – developer), cho phép rửa trôi những phần cản quang không mong
muốn để tạo thành mặt nạ bảo vệ trên phiến; -> Cuối cùng, linh kiện sẽ được tạo ra nhờ các quá trình ăn mòn

4.3. Phân loại

Quang khắc bằng ánh sáng (Photolithography là kỹ thuật sử dụng phổ biến nhất trong công nghiệp bán dẫn hiện nay
bằng cách sử dụng ánh sáng tử ngoại để chiếu hình trên cản quang.

Quang khắc chùm điện tủ (EBL) Chùm điện tử có bước sóng cực ngắn, vì thế chúng dễ dàng có thể hội tụ thành
điểm cực nhỏ, cho phép tạo ra độ phân giải siêu cao.

Photolithography có tốc độ xử lý nhanh hơn EBL rất nhiều, đồng thời dễ dàng sản xuất ở quy mô lớn, trong khi EBL
chậm và rất đắt tiền. Nhưng ngược lại, EBL lại cho chi tiết có độ phân giải cao gấp nhiều lần của photolithography
và là công nghệ then chốt cho các linh kiện điện tử nano.

4.4. Các loại chất cản quang sử dụng trong quang khắc
Cản quang là các chất hữu cơ có tác dụng bao phủ và bảo vệ vật liệu muốn tạo, là các chất không bị rửa trôi hoặc ăn
mòn dưới các dung môi như kiềm, axit... nhưng lại có thể bị rửa trôi trong các dung môi hữu cơ, các dung dịch tráng
rửa. Có hai loại cản quang được chia theo sự biến đổi về tính chất: Cản quang dương (positive resist):

Cản quang dương là chất sau khi bị chiếu bởi chùm điện tử sẽ bị hòa tan trong các dung môi rửa. Cản quang này
thường dùng cho kỹ thuật lift-off. Các cản quang dương điển hình là PMMA (PolyMethylMethAcrylat - Thủy tinh
hữu cơ), hay EBR-9, PBS (Poly Butene-1 Sulphone), ZEP (copolymer of a -chloromethacrylate and a -
methylstyrene).

Cản quang âm (negative resist): Là loại cản quang sau khi chiếu điện tử sẽ không bị hòa tan dưới các dung dịch
tráng rửa. Một số loại cản quang âm như COP (epoxy copolymer of glycidyl methacrylate and ethyl acrylate),
Shipley Sal... Cản quang âm có vai trò bảo vệ phần vật liệu bên dưới không bị phá hủy bởi quá trình ăn mòn

Kỹ thuật sử dụng trong quang khắc

Kỹ thuật lift-off: Từ lift-off có nghĩa là "loại bỏ". Phương pháp này tạo ra phần vật liệu sau khi được tạo hình. Có
nghĩa là người ta phủ trực tiếp cản quang dương lên đế, sau đó chiếu điện tử, cản quang này bị biến đổi tính chất, và
phần bị chiếu điện tử sẽ bị hòa tan trong dung dịch tráng rửa (developer), giống như quá trình tráng phim ảnh.

Kỹ thuật etching: Trong kỹ thuật ăn mòn (etching), cản quang sẽ có tác dụng bảo vệ phần vật liệu muốn tạo hình.
Trước tiên phải phủ vật liệu cần tạo lên đế, sau đó phủ chất cản quang rồi đem chiếu điện tử. Cản quang sử dụng là
cản quang âm, tức là thay đổi tính chất sao cho không bị rửa trôi sau khi qua dung dịch tráng rửa, có tác dụng bảo vệ
phần vật liêu bên dưới. Sau đó cả mẫu sẽ được đưa vào buồng ăn mòn, phần vật liệu không có cản quang sẽ bị ăn
mòn và giữ lại phần được bảo vệ, có hình dạng của cản quang.

Câu 6:

UV-VIS chính là từ viết tắt của ultravioliet – visible chỉ vùng ánh sáng tử ngoại và khả kiến. Vùng ánh sáng tử ngoại
có bước sóng từ 100 – 400 nm và vùng khả kiến (có thể nhìn thấy bằng mắt) có bước sóng từ 400 – 700 nm. Vùng
ánh sáng UV-VIS này được sử dụng trong phương pháp hấp thu quang và gọi là phương pháp quang phổ hấp thụ
phân tử UV-VIS.

Phổ UV-VIS là gì?

Phổ UV-VIS hay còn gọi là phổ hấp thụ phân tử UV-VIS. Đây là phổ sinh ra do tương tác giữa các điện tử hóa trị
trong các liên kết d, p và đôi điện tử n ở trong phân tử hay nhóm phân tử của các chất với chùm tia sáng kích thích
thích hợp tạo ra.

Nguyên tắc phép đo phổ UV-VIS

Khi chiếu một chùm sáng có bước sóng phù hợp đi qua một dung dịch chất màu, các phân tử hấp thụ sẽ hấp thụ một
phần năng lượng chùm sáng, một phần ánh sáng truyền qua dung dịch. Xác định cường độ chùm ánh sáng truyền
qua đó ta có thể xác định được nồng độ của dung dịch. Sự hấp thụ ánh sáng của dung dịch tuân theo định luật Bughe
– Lambert – Beer:

A = – lgT = lg (Io/It) = εbC với T = It/Io.

Máy quang phổ UV-VIS là gì?

Máy quang phổ UV-VIS hay còn có tên gọi đầy đủ hơn là máy quang phổ hấp thụ phân tử ngoại khả kiến UV-VIS,
được dùng để thu, phân li và ghi lại phổ của một vùng phổ quang học nhất định/ vùng UV/Vis

Có hai loại máy quang phổ UV-VIS:

  Máy quang phổ UV-VIS một chùm tia : ra đời đầu tiên với thiết kế đơn giản, giá thành khá thấp, lượng bức
xạ đi qua cao và độ nhạy cao.
 Máy quang phổ UV-VIS hai chùm tia : được sản xuất nhằm khắc phục nhược điểm của loại một chùm tia
đó là có độ trôi khi đo và cho kết quả đo chính xác hơn. Tuy nhiên giá thành của loại hai chùm tia này cao
hơn, độ nhạy thấp hơn do cấu trúc quang học phức tạp hơn.

Ứng dụng máy quang phổ UV-Vis

Thiết bị Uv-vis được sử dụng rộng rãi trong các nghiên cứu phân tích định tính và định lượng như: Nghiên cứu đo
cường độ ánh sáng, đo màu, nghiên cứu màu sắc của bước sóng cụ thể của ánh sáng khả kiến, xác định nồng độ của
hợp chất sinh hóa, ước tính các hợp chất trong một hỗn hợp phức tạp…

Cấu tạo của máy quang phổ UV/Vis Trong Thí Nghiệm

 Nguồn bức xạ: tạo ra bức xạ liên tục với cường độ cao trong quá trình thử nghiệm.
 Hệ Đơn sắc: Là thiết bị giúp phá vỡ các bức xạ đa sắc chuyển chúng thành bước sóng thành phần.
 Bộ chọn bước sóng (Slit): giúp bức xạ hạn chế hấp thụ bởi một mẫu.
 Hộp đựng mẫu (Cuvette): dụng cụ để chứa mẫu
 Thiết bị cảm quang: chuyển đổi năng lượng bức xạ thành tín hiệu điện.