I.

GIỚI THIỆU

Thiết bị thu quang (hay còn gọi là bộ thu quang) là một phần quan trọng trong hệ thống truyền dẫn
quang. Nhiệm vụ của nó là biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện.

Bộ thu quang cần đạt độ nhạy cao, đáp ứng nhanh, giảm nhiễu, giá thành hợp lý và đảm bảo độ tin cậy.

Tín hiệu quang từ bộ phát đi vào sợi quang sẽ bị suy hao và méo dần theo độ dài truyền dẫn.

Bộ thu quang phải làm việc trong điều kiện nhiều yếu tố tác động.

Để có tuyến truyền dẫn dài với tốc độ bit lớn, bộ thu quang cần đảm bảo tỷ số tín hiệu trên nhiễu.

II. BỘ TÁCH SÓNG PHÔ-TÔ-ĐIỐT

Bộ Tách Sóng Phô-tô-điôt p-i-n:

- Bộ tách sóng quang p-i-n là một thiết bị quang được sử dụng rộng rãi.
- Cấu trúc của nó bao gồm các vùng p và n cách nhau bởi một vùng i.
- Bộ tách sóng này hoạt động trong chế độ cấp thiên áp ngược để đảm bảo vùng nghèo hoàn toàn trôi
được các hạt mang.
- Vùng nghèo trong diode tách quang p-i-n bao gồm toàn bộ lớp i.
- Ưu điểm quan trọng của p-i-n diode là cải thiện đáp ứng tần số do điện dung của diode rất bé.
- Cấu trúc p-i-n diode có đáp ứng nhanh nhất so với các diode khác.
 Hình 1 :Mạch điện và sơ đồ vùng năng lượng cho phô-tô- đi ôt p-i-n

Cấu trúc cơ bản của bộ tách sóng phô-tô-điôt p-i-n là một phần quan trọng trong hệ thống truyền dẫn
quang. Dưới đây là mô tả chi tiết:
 Lớp i nằm ở giữa có trở kháng cao và hầu hết điện áp đặt vào phần ngang của nó:
o Lớp i (vùng nghèo) trong bộ tách sóng phô-tô-điôt p-i-n có trở kháng cao.
o Điện áp được đặt vào phần ngang của lớp i.
o Kết quả là có một điện trường lớn tồn tại trong lớp i.
 Phản ứng khi có photon đi tới với năng lượng lớn hơn hoặc bằng năng lượng vùng cấm của
vật liệu bán dẫn:
o Photon có thể kích thích một điện tử từ vùng hóa trị sang vùng dẫn.
o Quá trình này tạo ra các cặp điện tử-lỗ trống tự do, chủ yếu được phát ra trong vùng trôi,
và được gọi là các hạt mang photo hoặc các điện tử photo.
 Sự phát ánh sáng được hấp thụ trong vật liệu tương ứng với hàm mũ:
o Công suất phát ánh sáng được hấp thụ trong vật liệu có thể được mô tả bằng hàm mũ:

P(x) = Pin(1-e-αs (λ)x) (2.1)

Hệ số hấp thụ αs tại bước sóng λ, công suất quang tới Pin và công suất quang được hấp thụ P(x) có ý
nghĩa như sau:

 αs (hệ số hấp thụ): Đây là hệ số mô tả khả năng hấp thụ ánh sáng của vật liệu. Nó phụ thuộc
vào bước sóng λ.
 Pin (mức công suất quang tới): Đây là công suất ánh sáng đến tại điểm đầu vào của phô-tô-
điôt.
 P(x) (công suất quang được hấp thụ ở cự ly x): Đây là công suất ánh sáng được hấp thụ tại
một khoảng cách x từ phô-tô-điôt.

Bước sóng cắt phía trên αc (tại đó α bằng không) được gọi là bước sóng cắt. Khi λ < λc (bước sóng
cắt), vật liệu có thể được sử dụng cho bộ tách sóng. Bước sóng cắt trên được xác định từ năng lượng
dải cấm Eg của vật liệu. Khi Eg được diễn giải bằng đơn vị điện-Von (eV) và λc được tính bằng
micrômet (μm), ta có:

λc=hc/Eg = 1.24/Eg

Trong đó:

 Eg là năng lượng dải cấm của vật liệu (đơn vị eV).

 λc là bước sóng cắt (đơn vị μm).

Với c là vận tốc ánh sáng và h là hằng số Planck, bước sóng cắt của vật liệu Si vào khoảng 1,06 μm và
của vật liệu Ge vào khoảng 1,6 μm. Khi bước sóng dài hơn, năng lượng của photon không đủ để kích
thích điện tử từ vùng hóa trị sang vùng dẫn. Đối với bước sóng ngắn hơn, đáp ứng photo sẽ giảm
xuống, vì vậy các giá trị của αs tại bước sóng ngắn hơn là rất lớn. Trong trường hợp này, các photon
được hấp thụ gần bề mặt của bộ tách sóng, nơi thời gian tái hợp của các cặp điện tử-lỗ trống rất ngắn.

Nếu vùng trôi có độ rộng w, công suất tổng được hấp thụ ở cự ly w sẽ là:

P(x)=Pin(1−e−αs(λ)x)

Trong đó:

 P(x) là công suất quang được hấp thụ ở cự ly x.

 Pin là mức công suất quang tới.
 αs là hệ số hấp thụ tại bước sóng λ.

Khi tính đến sự phản xạ Rf tại lối vào bề mặt phô-tô-điôt, dòng photo ban đầu Ip có từ sự hấp thụ công
suất ở công thức 2.3 được viết như sau:

Ip=e⋅Pin⋅(1−e−αs(λ)x)

Trong đó:

 Ip là dòng photo ban đầu.

 e là điện tích điện tử.
  Pin là mức công suất quang tới.
 αs là hệ số hấp thụ tại bước sóng λ.
 x là khoảng cách từ bề mặt phô-tô-điôt.

Ngoài ra, mỗi phô-tô-điôt có một hiệu suất lượng tử η. Hiệu suất lượng tử là tỷ số giữa các cặp điện
tử-lỗ trống được phát ra và số photon mang năng lượng hv đi tới:

Giải thích chi tiết về hiệu suất lượng tử và đáp ứng của photodiode
1. Hiệu suất lượng tử (η)

Hiệu suất lượng tử (η) là tỷ lệ giữa số lượng cặp electron-lỗ trống được tạo ra bởi
photodiode và số lượng photon tới. Dòng photo trung bình (Ip) được phát ra từ công suất
quang trung bình Pin của photodiode. Khi có 100 photon đến photodiode, nó có thể tạo ra từ
40 đến 95 cặp electron-lỗ trống. Điều này tương ứng với hiệu suất lượng tử từ 40% đến
95%.

2. Yếu tố ảnh hưởng đến hiệu suất lượng tử:

 Độ dày vùng trôi: Vùng trôi là nơi xảy ra quá trình tạo ra cặp electron-lỗ trống. Để đạt hiệu
suất lượng tử cao, vùng trôi phải đủ dày để hầu hết các photon đi tới được hấp thụ trong vùng
này.
 Bước sóng ánh sáng: Hiệu suất lượng tử thay đổi tùy theo bước sóng của ánh sáng.
Photodiode có hiệu suất lượng tử cao nhất ở bước sóng gần với bước sóng năng lượng cấm
của vật liệu bán dẫn được sử dụng.
 Chất lượng vật liệu: Chất lượng vật liệu bán dẫn ảnh hưởng đến hiệu suất lượng tử. Vật liệu
có độ tinh khiết cao và ít tạp chất sẽ có hiệu suất lượng tử cao hơn.

3. Hệ số chuyển đổi dòng photo (R) hay đáp ứng (R)

Hệ số chuyển đổi dòng photo (R) hay đáp ứng (R) là tỷ lệ giữa dòng photo (Ip) và công suất
quang (Pin) chiếu vào photodiode.

Công thức:

R = Ip / Pin = ηe / hv

 Ip: Dòng photo trung bình

 Pin: Công suất quang trung bình
 η: Hiệu suất lượng tử
 e: Điện tích electron
 h: Hằng số Planck
 v: Tần số ánh sáng

4. Đặc tính của photodiode:

Đặc tính của photodiode được đặc trưng bởi đáp ứng R. Đáp ứng R cho biết độ nhạy của
photodiode đối với ánh sáng. Photodiode có đáp ứng R cao sẽ tạo ra dòng photo lớn hơn khi
được chiếu sáng bởi cùng một công suất quang.

5. Tóm tắt:

 Hiệu suất lượng tử là tỷ lệ giữa số lượng cặp electron-lỗ trống được tạo ra và số
lượng photon tới.
 Hiệu suất lượng tử cao yêu cầu vùng trôi dày, bước sóng ánh sáng phù hợp và chất
lượng vật liệu tốt.
 Hệ số chuyển đổi dòng photo hay đáp ứng là tỷ lệ giữa dòng photo và công suất
quang.
 Đáp ứng R cao cho biết độ nhạy cao của photodiode đối với ánh sáng.
Phân tích và giải thích nội dung về hiệu suất lượng tử và đáp ứng của
photodiode
1. Mối liên hệ giữa hiệu suất lượng tử (η) và hệ số chuyển đổi dòng photo (R)

 Tham số R được sử dụng phổ biến vì nó thể hiện dòng photo sinh ra trên một đơn vị công
suất quang.
 Cả η và R đều phụ thuộc vào:
o Dải cấm vật liệu
o Bước sóng công tác
o Độ dày vùng p, n, i của photodiode

2. Ảnh hưởng của độ dày vùng trôi:

 Vùng trôi dày giúp tăng η nhưng giảm tốc độ đáp ứng.
 Đối với Si và Ge (vùng cấm gián tiếp): w = 20-50μm để cân bằng η và tốc độ.
 Đối với InGaAs (vùng cấm trực tiếp): w = 3-5μm, cải thiện độ rộng băng.

3. Tính tuyến tính của R:

 η không đổi với mức công suất đổ vào bộ tách sóng tại năng lượng photon nhất định.
 R là hàm tuyến tính của công suất quang: IP ∝ Pin, R = hằng số tại bước sóng/hv nhất định.

4. Phụ thuộc của R vào bước sóng và vật liệu:

 R thay đổi theo bước sóng do η thay đổi theo năng lượng photon.
 R là hàm của bước sóng và vật liệu photodiode.

5. Cải thiện hiệu suất bằng cấu trúc dị thể kép:

 Sử dụng lớp i kẹp giữa lớp p và n với dải cấm khác nhau.
 Lớp i hấp thụ ánh sáng, thường sử dụng InGaAs (λ = 1.3-1.6μm).
 Hiệu suất lượng tử gần 100% với InGaAs dày 4-5μm.

6. Ứng dụng:

 Photodiode InGaAs phù hợp cho bộ thu quang trong hệ thống thông tin quang.

Tóm tắt:

 Hiệu suất lượng tử và hệ số chuyển đổi dòng photo là hai thông số quan trọng của
photodiode.
 Vùng trôi ảnh hưởng đến hiệu suất lượng tử và tốc độ đáp ứng.
 Hệ số chuyển đổi dòng photo là hàm tuyến tính của công suất quang.
 Hiệu suất lượng tử và hệ số chuyển đổi dòng photo phụ thuộc vào bước sóng và vật liệu
photodiode.
  Cấu trúc dị thể kép giúp cải thiện hiệu suất lượng tử của photodiode.

Lưu ý:

 Nội dung này chỉ tập trung vào một số khía cạnh quan trọng của hiệu suất lượng tử và đáp
ứng của photodiode.
 Có nhiều yếu tố khác ảnh hưởng đến hiệu suất và độ nhạy của photodiode.

1.0
A/W

90
0.8
InGaAs
Si 70 %
0.6

Ga
50 %
0.4

30 %
0.2
10 %

0
0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 µ
Buoc

Tham số Đơn vị Si Ge InGaAs

Bước sóng λ μm 0,4-1,1 0,8-1,8 1,0-1,7
Đáp ứng R A/W 0,4-0,6 0,5-0,7 0,6-0,9
Hiệu suất lượng tử η % 79-90 50-55 60-70
Dòng tối Id Thời nA 1-10 50-500 1-20
gian lên Tr Băng ns 0,5-1 0,1-0,5 0,05-0,5
tần deltaf Thiên GHz 0,3-0,6 0,5-3 1-5
áp Vb V 50-100 6-10 5-6

Bảng 4.1 Các đặc tính của các phô-tô-điôt p-i-n tiêu biểu

Phân tích, giải thích và tóm tắt đoạn văn về photodiode p-i-n tốc độ
cao:
1. Phát triển photodiode p-i-n tốc độ cao:
  Nỗ lực nghiên cứu từ 1990 đến nay tập trung vào phát triển photodiode p-i-n tốc độ cao cho
phép hoạt động trên 10Gbit/s.
 Năm 1995, photodiode có băng tần 110GHz đã được ra mắt.

2. Kỹ thuật cải thiện hiệu suất:

 Hốc cộng hưởng Fabry-Perot (FP):

o Tăng hiệu suất lượng tử, hiện nay có thể đạt gần 100%.
o Tạo gương trong hốc FP bằng dải phản xạ Bragg trong lớp AlGaAs/AlAs.
o Cho phép tạo photodiode băng tần rất cao trên 100GHz với hiệu suất lượng tử cao.

 Ống dẫn sóng quang:

o Ghép cạnh tín hiệu quang.
o Hỗ trợ các mode ngang để cải thiện hiệu suất ghép.
o Hiệu suất lượng tử gần 100% với lớp hấp thụ cực mỏng.
o Băng tần đạt tới 110GHz bằng cấu trúc "mushroom-meza".

3. Photodiode sóng chạy:

 Cải thiện đặc tính bằng cấu trúc điện cực hỗ trợ sóng điện lan truyền với trở kháng
phù hợp.
 Tránh phản xạ.
 Băng tần trên 170GHz và hiệu suất lượng tử trên 50% với ống dẫn sóng rộng 1μm, trở
kháng 50 ohm.

Thời gian đáp ứng

 Hình 4.3a): Mô tả thời gian lên và xuống của photodiode.

 Hình 4.3b): Mô tả thời gian đáp ứng của photodiode nghèo một phần.
Vai trò:

 Yếu tố quan trọng của bộ tách sóng quang để xác định khả năng làm việc với các tốc
độ khác nhau của hệ thống truyền dẫn.

Yếu tố ảnh hưởng:

1. Thời gian chuyển dịch của các hạt mang photon trong vùng trôi:
o Hệ số hấp thu (αs): ảnh hưởng đến số lượng hạt mang photon được tạo ra.
o Độ rộng vùng trôi (w): ảnh hưởng đến thời gian di chuyển của hạt mang
photon.
2. Thời gian khuếch tán của các hạt mang photon được phát ra bên ngoài vùng
trôi.
3. Hằng số thời gian RC của photodiode và các mạch điện liên quan.

Tính toán thời gian chuyển dịch:

 Tt: Thời gian chuyển dịch

 Vd: Vận tốc trôi hạt mang
 w: Độ rộng vùng trôi

Công thức:

Tt = w / Vd

Giới hạn thời gian đáp ứng:

 Phô-tô-điôt Silic tốc độ cao có độ rộng vùng trôi 10 μm:

o Electron: Tt ≈ 0.1 ns
o Lỗ trống: Tt ≈ 0.2 ns

Quá trình khuếch tán:

 Ảnh hưởng đến tốc độ đáp ứng của photodiode.

 Để có photodiode tốc độ cao, cần giảm thiểu thời gian khuếch tán.

Thời gian đáp ứng photodiode:

 Thời gian lên (Tr): thời gian từ 10% đến 90% của sườn lên của xung đầu ra.
 Thời gian xuống (Tf): thời gian từ 90% đến 10% của sườn xuống của xung đầu ra.

Photodiode nghèo hoàn toàn:

 Tr ≈ Tf

Photodiode nghèo một phần:

 Tr < Tf
  Hạt mang nhanh: đầu ra đạt 50% giá trị lớn nhất trong 1 ns.
 Hạt mang chậm: gây ra trễ trước khi đầu ra đạt giá trị lớn nhất.

Hình 4 :Đáp ứng xung của phô-tô-điot với các tham số tách sóng khác nhau

 Để đạt hiệu suất lượng tử cao, vùng trôi của phô-tô-điôt cần phải đủ rộng để hấp thụ hầu hết ánh
sáng.
 Thời gian đáp ứng của phô-tô-điôt phụ thuộc vào điện dung phô-tô-điôt và thời gian đáp ứng RC
của hệ thống.
 Nếu vùng trôi quá hẹp, bất kỳ hạt mang nào được tạo ra trong vật liệu không nghèo sẽ phải khuếch
tán trở lại vùng trôi trước khi chúng được thu nhận.
 Thiết bị có các vùng trôi rất mỏng sẽ có thành phần đáp ứng chậm và nhanh.
 Điện dung tiếp giáp Cj được tính bằng công thức:
Cj = εs A/ w (2.8)
Với εs là hằng số điện môi của vật liệu bán dẫn, bằng, trong đó ε0ks là
hằng số cách điện bán dẫn,ε0 = 8.8542 x 10-12 F/m là hằng số điện môi ở
không gian tự do, và A là diện tích vùng khuếch tán.
- Sự vượt quá mức này sẽ làm tăng hằng số thời gian RC giới hạn thời
gian đáp ứng bộ tách song. Với độ dày vùng hấp thụ nằm trong khoảng giữa
1 / αs và 2 / αs thì sẽ dung hòa được đáp ứng tần số cao với hiệu suất lượng tử
cao. Nếu RT là tổng của các điện trở đầu vào và tải bộ khuyếch đại, và CT là
tổng các điện dung phô-tô-điôt và bộ khuyếch đại, mà sẽ được mô tả trong
sơ đồ phần phân tích về nhiễu sau này, thì bộ tách sóng có thể được coi như
một bộ lọc thông thấp RC với băng thông là:
Bc = 1/ 2πRT CT (2.9)
a. Dòng photo vùng trôi

Khi thảo luận về bộ tách sóng quang, phô-tô-điôt phải thu tín hiệu quang rất yếu để biến đổi nó thành
tín hiệu điện. Tín hiệu quang đi vào thiết bị thông qua lớp p và tạo ra các cặp điện tử-lỗ trống vì nó
được hấp thụ trong vật liệu bán dẫn. Các cặp điện tử-lỗ trống ấy mà đã được phát trong vùng trôi hoặc
trong độ dài khuyếch tán của nó, sẽ được phân cách bởi môi trường điện áp ngược, từ đó dẫn đến dòng
điện chảy trong mạch ngoài vì có sự trôi hạt mang ngang qua vùng trôi.

Vì các hạt mang điện tích chảy qua vật liệu, một số các cặp điện tử-lỗ trống sẽ tái hợp và rồi biến mất.
Trung bình thì các hạt mang điện tích sẽ chuyển động với một cự ly là Ln đối với các điện tử và Lp
đối với các lỗ trống. Cự ly này được gọi là độ dài khuyếch tán. Thời gian để hoàn thành sự tái hợp
giữa điện tử và lỗ trống được gọi là tuổi thọ của hạt mang và được ký hiệu tương ứng bằng τ. Các
tuổi thọ và độ dài khuyếch tán có mối quan hệ như sau:

Trong đó:

 τ là tuổi thọ của hạt mang.

 L là độ dài khuyếch tán.
 D là hệ số khuyếch tán.

Ở các điều kiện trạng thái bền vững, mật độ dòng tổng Jtot chảy qua vùng trôi
là:
 Jtot = Jdr + Jdi (2.11)
Với Jdr là mật độ dòng trôi sinh ra từ các hạt mang ở bên trong vùng trôi,
và Jdi là mật độ dòng khuyếch tán có từ các hạt mang được tạo ra ở ngoài
vùng trôi trong khối bán dẫn (trong các vùng p và n) và khuyếch tán vào
tiếp giáp phân cực ngược. Vì lớp p bề mặt của phô-tô-điôt p-i-n thường là
rất mỏng,
dòng khuyếch tán được xác định chủ yếu bởi sự khuyếch tán lỗ trống từ
vùng n. Cuối cùng, G. Keiser đã đưa ra kết quả như sau:

TỶ SỐ TÍN HIỆU TRÊN NHIỄU CỦA BỘ TÁCH SÓNG QUANG

Tỷ số tín hiệu trên nhiễu SNR (Signal – to – Noise Ration) là tham số
rất quan trọng trong bộ tách sóng quang. Nó xác định chất lượng bộ thu
quang tương tự và là yếu tố chủ yếu quyết định độ nhạy thu của bộ thu
quang số. Sau khi lan truyền dọc theo sợi quang, mức công suất tín hiệu
quang thường là rất yếu tại bộ thu quang. Tín hiệu quang bị suy hao trong
khi lan truyền dọc theo sợi quang. Sợi quang càng dài thì tín hiệu quang
càng bị suy hao nhiều. Vì vậy trong các hệ thống thông tin quang, các bộ
tách sóng quang được yêu cầu là phải tách được tín hiệu quang rất yếu. Để
có được một bộ thu quang tốt, bộ tách sóng quang và các mạch điện khuếch
đại sau nó phải được kết hợp tối ưu để cho ra được tín hiệu trên nhiễu SNR
cao. Điều này có nghĩa là:
- Bộ tách sóng quang cần có hiệu suất lượng tử cao để phát ra công suất
tín hiệu lớn.
- Nhiễu của bộ tách sóng quang và bộ khuếch đại điện phải càng thấp
càng tốt.

Trước hết, ta hãy xem xét các nguồn nhiễu trong bộ tách sóng quang.
1. Các nguồn nhiễu trong bộ tách sóng quang
a. Các nguồn nhiễu của bộ tách sóng p-i-n
a. Các nguồn nhiễu của bộ tách sóng p-i-n
Trong bộ tách sóng quang, có hai nguồn nhiễu quan trọng cần xem xét:
1. Nhiễu bộ tách sóng (Shot Noise): Nhiễu này xuất phát từ tính thống kê của quá trình biến đổi
photon thành điện tử trong phô-tô-điốt. Khi photon bắn vào phô-tô-điốt, số lượng điện tử được
 tạo ra không đều và có biến động ngẫu nhiên. Điều này tạo ra nhiễu bộ tách sóng, ảnh hưởng
đến hiệu suất của bộ tách sóng.
2. Nhiễu nhiệt (Thermal Noise): Nhiễu này liên quan đến các mạch khuếch đại điện trong bộ
thu. Các mạch này có nhiệt độ và tạo ra nhiễu ngẫu nhiên. Điều này gây ảnh hưởng đến tỷ số
tín hiệu trên nhiễu SNR.
Để tối ưu hóa tỷ số tín hiệu trên nhiễu, chúng ta cần giảm thiểu cả hai loại nhiễu này. Bộ tách sóng
phô-tô-điốt p-i-n thường có hiệu suất lượng tử cao, nhưng việc kết hợp với các mạch khuếch đại điện
phải được thực hiện cẩn thận để đảm bảo SNR cao.

Hình 8. Mô hình đơn giản của một bộ thu tách sóng quang và mạch tương đương
của nó.
Khi có một công suất quang đã được điều chế P(t) đi vào phô tô-điốt,
dòng photo được phát ra tương ứng với tín hiệu quang được hiểu như sau:

Dòng photo này bao gồm dòng một chiều Ip là dòng photo trung bình có
được từ công suất tín hiệu quang, và dòng tín hiệu is(t) có liên quan tới nhiễu
lượng tử (hay còn gọi là nhiễu bắn) có dòng tín hiệu trung bình bình phương
<Is^2> = <Ip^2(t)>. Quan hệ Ip = Rpin sẽ vẫn còn được duy trì nếu như Ip là một
dòng trung bình. Tuy nhiên, nhiễu điện được sinh ra từ sự biến động dòng đã làm
ảnh hưởng tới đặc tính bộ thu. Để thu được tỷ số từ sự biến động dòng đã làm ảnh
hưởng tới đặc tính bộ thu. Để thu được tỉ số tín hiệu trên nhiễu SNR của bộ thu
quang, việc xem xét các dạng nhiễu khác nhau là một vấn đề quan trọng để xác
định xem SNR là cao hay thấp. Trong bộ tách sóng quang, các nhiễu cơ bản là
nhiễu lượng tử, nhiễu dòng tối và nhiễu rò bề mặt
- Nhiễu lượng tử phát sinh do bản chất thống kê của quá trình tách sóng và tính
lựa chọn của các điện tử photo khi có tín hiệu quang đi tới bộ tách sóng quang.
Nhiễu lượng tử bắt nguồn từ sự không chắc chắn về thời gian đến của các điện tử
hoặc các photon tại bộ tách sóng. Tính thống kê này được thể hiện theo một quá
trình Poisson. Đối với bộ tách sóng p-i-n, sự biến đổi nhiễu lượng tử trong băng
tần hiệu dụng Be (hoặc còn gọi là băng tần điện) là giá trị bình phương trung bình
của dòng nhiễu lượng tử được cho bởi:

Giá trị này tỷ lệ với giá trị bình phương của dòng photo Ip.
- Nhiễu dòng tối được phát ra từ vật liệu khối của phô tô-điốt. Nhiễu dòng tối
phô tô-điốt là dòng mà nó luôn xuất hiện ngay cả khi không có ánh sáng đi tới phô
tô-điốt. Dòng tối này chảy qua mạch thiên áp của thiết bị. Vì nó được phát ra từ
vật liệu khối cho nên nó tăng theo các điện tử và (hoặc) lỗ trống được phát theo
nhiệt trong tiếp giáp pn của phô tô-điốt, và nó cũng được gọi là dòng tối khối idb.
Sự biến đổi nhiễu của dòng này được viết như sau:

Với Id là dòng tối khối ban đầu của bộ tách sóng.

- Dòng rò bề mặt phô tô-điốt isl cũng được xem như là dòng tối bề mặt,
hoặc để cho đơn giản thì gọi là dòng rò. Dòng này phụ thuộc vào sự khiếm
khuyết, điện tích bề mặt, mức độ sạch của bề mặt và điện áp định thiên. Biến
đổi nhiễu của dòng rò như sau:

Với Il là dòng rò rỉ ban đầu. Để làm giảm dòng rò, cách tốt nhất là sử
dụng cấu trúc mắc “ring” bảo vệ, điều này làm rẽ các dòng rò cho điện trở
tải.
- Một nguồn nhiễu nữa mà nó tham gia vào nhiễu tổng trong bộ thu
quang là dòng nhiễu nhiệt ir. Dòng nhiễu này có một ảnh hưởng đáng kể tới
tỷ số tín hiệu trên nhiễu của bộ thu quang. Để đơn giản, chúng ta giả thiết trở
kháng đầu vào của mạch khuếch đại điện bộ thu là lớn hơn nhiều so với điện
trở tải. Điều này dẫn tới nhiễu nhiệt của nó nhỏ hơn nhiều nhiễu nhiệt từ
điện trở tải RL. Nó có nghĩa rằng dòng nhiễu nhiệt được phát từ điện trở tải
bộ tách sóng là chính. Biến đổi nhiễu được cho như sau:

Với kB là hằng số Boltzman, T là nhiệt độ tuyệt đối (Kenvil). Ký hiệu Fη là hệ số

nhiễu được khuếch đại, nó thể hiện một hệ số mà ở đó nhiễu nhiệt tăng do sử dụng
các điện trở khác nhau trong mạch tiền khuếch đại và khuếch đại chính.Từ những
thành phần nhiễu ở trên, công suất nhiễu tổng được viết là: