1.

Trình bày cấu trúc cơ bản của sợi quang và các tham số cơ bản của sợi
quang.
• Cấu trúc sợi quang:
– Ống dẫn sóng điện môi hình trụ tròn đóng vai trò kênh truyền dẫn
– Bao gồm:
. Lõi (n1) và vỏ (n2; d = 125 m), chế tạo từ vật liệu trong suốt.
. Lớp phủ bảo vệ (vỏ bọc sơ cấp) d = 250 m
– Nguyên lý truyền tín hiệu quang: phản xạ nội toàn phần  n1 > n2
 Tham số truyền dẫn đặc trưng:
. Suy hao giới hạn khoảng cách truyền dẫn
. Tán sắc giới hạn dung lượng truyền dẫn
. Các hiệu ứng phi tuyến làm méo tín hiệu và giới hạn hiệu năng hệ thống

2. Trình bày cấu tạo và nguyên lý phát quang của LED cấu trúc dị thể kép.
- Cấu trúc p-n đơn: các hạt tải không bị giam hãm 7 hiệu suất phát xạ kém.
> Sử dụng cấu trúc dị thể kép: gồm 3 lớp cơ bản
• Thêm 1 lớp bán dẫn mỏng ở giữa có Eg nhỏ (lớp tích cực)
• Hai lớp bán dẫn p và n ở hai bên có Eg lớp hơn (các lớp hạn chế).
- Ưu điểm:
• Giam hãm hạt tải
• Giam hãm photon
- Hđ: Dựa trên cơ chế phát xạ tự phát. Khi có điện trường phân cực thuận: e từ lớp n và h từ lớp p
được đưa vào vùng tích cực, tái hợp — phát xạ ánh sáng

3. Trình bày cấu tạo và nguyên lý phát quang của Laser diode (LD) cấu trúc dị
thể kép.
- Cấu trúc cơ bản LD
• Cấu trúc dị thể kép được phân cực thuận
• Lớp tích cực được cấu trúc dưới dạng một khoang cộng hưởng F-P (khuyếch đại)
- Nguyên lý hoạt động cơ bản của LD
+ Hoạt động chủ yếu dựa trên 2 hiện tượng:
• Phát xạ kích thích
• Hiện tượng cộng hưởng: sóng AS thỏa mãn điều kiện về pha của khoang F-P mới lan truyền
và cộng hưởng trong khoang.
+ Vai trò của khoang cộng hưởng F-P
• Tạo hồi tiếp dương của các photon
 • Chọn lọc bước sóng
+ Điều kiện để có phát xạ kích thích:
(1) Phải tạo nghịch đảo mật độ (nồng độ e- ở t/thái kích thích > nhiều so với nồng độ e- ở t/thái nền)
→ phải phun một lượng lớn các e, h vào vùng hoạt tính (dòng bơm đủ lớn: I>lth)
(2) Phải có quá trình hồi tiếp photon dương

4.

4, So sánh sự giống nhau và khác nhau về cấu tạo,nguyên lý hoạt động của
LED và laser diode LD (bài 2,3).
Nguyên tắc cấu tạo cơ bản của LED và LD: cùng là sử dụng tiếp giáp bán dẫn pn => Trình
bầy khái niệm lớp tiếp giáp ph
Khi đã có được hai chất bản dẫn là P và N, nếu ghép hai chất bán dẫn theo một tiếp giáp P
- N ta được một Diode, tiếp giáp P-N có đặc điểm : Tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa
trong bản dẫn N khuyếch tản sang vùng bản dẫn P để lấp vào các lỗ trống => tạo thành một
lớp lon trung hoà về điện => lớp Ion này tạo thành miền cách điện giữa hai chất bản dẫn.
Khối bán dẫn loại P chứa nhiều lỗ trống tự do mang điện tích dương nên khi ghép với khối
bản dẫn N (chứa các điện tử tự do) thì các lỗ trống này có xu hướng chuyển động khuếch tản
sang khối N. Cùng lúc khối P lại nhận thêm các điện tử (điện tích âm) từ khối N chuyển sang.
Kết quả là khối P tích điện âm (thiếu hụt lỗ trống và dư thừa điện tử) trong khi khối N tích
điện dương (thiếu hụt điện tử và dư thừa lỗ trống).
Ở biên giới hai bên mặt tiếp giáp, một số điện tử bị lỗ trống thu hút và khi chúng tiến lại gần
nhau, chúng có xu hướng kết hợp với nhau tạo thành các nguyên tử trung hòa. Quá trinh này
có thể giải phóng năng lượng dưới dạng ảnh sáng (hay các bức xạ điện từ có bước sóng gần
đó) Điện áp tiếp xúc hình thành.
Sự tích điện âm bên khối P và dương bên khối N hình thành một điện áp gọi là điện áp tiếp
xúc (UTX). Điện trường sinh ra bởi điện áp có hướng từ khối n đến khối p nên cản trở
chuyển động khuếch tán và như vậy sau một thời gian kể từ lúc ghép 2 khối bản dẫn với nhau
thì quá trình chuyển động khuếch tán chấm dứt và tồn tại điện áp tiếp xúc. Lúc này ta nói tiếp
xúc P-N ở trạng thái cân bằng. Điện áp tiếp xúc ở trạng thái cân bằng khoảng 0.6V đối với
điốt làm bằng bản dẫn Si và khoảng 0.3V đối với điốt làm bằng bản dẫn Ge. Điệp áp ngoài
ngược chiều điện áp tiếp xúc tạo ra dòng điện.
Hai bên mặt tiếp giáp là vùng các điện tử và lỗ trống dễ gặp nhau nhất nên quá trình tải
hợp thường xảy ra ở vùng này hình thành các nguyên tử trung hòa. Vì vậy vùng biên giới ở
hai bên mặt tiếp giáp rất hiếm các hạt dẫn điện tự do nên được gọi là vùng nghèo. Vùng nảy
không dẫn điện tốt, trừ phi điện áp tiếp xúc được cân bằng bởi điện áp bên ngoài. Đây là cốt
lõi hoạt động của điốt Điệp áp ngoài cùng chiều điện áp tiếp xúc ngăn dòng điện. Nếu đặt
điện áp bên ngoài ngược với điện áp tiếp xúc, sự khuyếch tán của các điện tử và lỗ trống
không bị ngăn trở bởi điện áp tiếp xúc nữa và vùng tiếp giáp dẫn điện tốt. Nếu đặt điện áp
bên ngoài cùng chiều với điện áp tiếp xúc, sự khuyếch tán của các điện tử và lỗ trống cảng bị
ngăn lại và vùng nghèo cảng trở nên nghèo hạt dẫn điện tự do. Nói cách khác điốt chỉ cho
phép dòng điện qua nó khi đặt điện áp theo một hướng nhất định
- Khi chưa có điện trường ngoài tác động:
Tại vùng tiếp giáp pn của cả LED và LD đều không có hạt mang điện tự do. Khi đó, ở lớp
tiếp giáp pn của cả LED và LD đều không có hiện tượng tái hợp điện tử và lỗ trống, nên
không có sự phát xạ ánh sáng.
- Khi có điện trường ngoài tác động:
Cả LED và LD đều được đấu với nguồn điện để tạo nên tiếp giáp p-n của cúng là phân cực
thuận, tức là cực dương của nguồn điện nối với bán dẫn p và cực âm của nguồn điện nối với
bán dẫn n.
- Quá trình phát xạ ánh sáng:
Cả LED và LD đều có các quá trình đảo lộn mật độ, tái hợp và phát xạ tự phát
=> Trình bầy tóm tắt các quá trình đảo lộn mất dộ, tái hợp và phát xạ tự phát

5. Trình bày cấu tạo và nguyên lý tách sóng quang của photodiode PIN.

6. Trình bày cấu tạo và nguyên lý tách sóng quang của của diode
quang thác APD.
Cấu tạo và nguyên lý hoạt động:
- Bổ sung thêm 1 lớp p có điện trở suất cao giữa i và n
- Điện trường cao ở vùng tiếp m giáp pn* (~3.105 V/cm) — vùng nhân
- Điện trường thấp ở vùng i (vùng hấp thụ)
- Quá trình nhân được thực hiện trong vùng điện trường cao bằng hiện tượng ion hóa do va chạm :
• Tốc độ sinh các hạt tải mới được đặc trưng bởi các hệ số ion hóa do va chạm anpha e, anpha n
• Giá trị của de, an phụ thuộc vào loại vật liệu bán dẫn và cường độ điện trường tăng tốc.

7. Trình bày các tham số đặc tính của photodiode PIN.

8. Trình bày các tham số đặc tính của diode quang thác APD.

9. Trình bầy sự giống nhau về đặc tính nhiễu của PIN-Photodiode và APD
Cả PIN - Photodiode và APD đều có các loại nhiễu:
- Nhiễu dòng điện tối
Nhiễu dòng tối là do dòng điện tối của photodiode sinh ra.
Cũng tương tự như PIN-Photodiode, khi không có ánh sáng tới APD, nhưng vẫn xuất hiện
một dòng điện nhỏ chảy qua tải. Dòng điện tối gồm rất nhiều xung không có quy luật. Người
ta chỉ xác định được trị hiệu dụng của nó, phổ biên độ của chúng bằng phẳng ở mọi tần số.
- Nhiễu dòng rò
Nhiễu dòng rò Nhiễu dòng rò là do dòng điện rò của photodiode tạo ra. Dòng điện rò là do
các tia sáng phía trong và ánh sáng bên cạnh tạo ra. Trên thực tế người ta chỉ xác định được
giá trị trung bình của dòng điện rò.
- Nhiễu nhiệt
Trong Photodiode luôn tồn tại: điện trở lớp chắn và điện trở tải. Nhiễu nhiệt của Photodiode
là nhiễu xuất hiện trong điện trở lớp chắn, điện trở tải, do chuyển động nhiệt của các điện tử
trong điện trở tạo ra.
- Nhiễu lượng tử tín hiệu
Tương tự như PIN-Photodiode, nhiễu lượng tử tín hiệu của APD sinh ra trong quả trình giải phóng ra
các cặp điện tử – lỗ trống do các photon chiếu vào APD. Tức là có ánh sáng chiếu vào photodiode và
do đó có quá trình giải phóng ra các cặp điện tử — lỗ trống là có nhiễu xuất hiện.
Khác nhau

PIN – Photodiode không có nhiễu do hiệu ứng quang thác, còn APD có nhiễu do hiệu ứng
quang thác.
- Nhiễu do hiệu ứng quang thác
 Nguồn gốc xuất hiện
Đối với APD, trong quá trình quang thác xuất hiện một loại nhiễu. Nhiễu này phụ thuộc vào
hệ số khuyếch đại và tỷ lệ với tỷ số giữa hệ số ion hoá lỗ trống và hệ số ion hoá điện tử trong
vùng khuyếch đại quang thác.
 Đại lượng đặc trưng
Tạp âm do hiệu ứng quang thác được đặc trưng qua hệ số nhiễu F(M)

10, So sánh sự giống nhau và khác nhau về dòng ra sau tách sóng quang và đặc
tính nhiễu của PIN photodiode và diode quang thác APD.
Sự giống nhau và khác nhau về dòng ra sau tách sóng quang và đặc tính nhiễu của Pin
photodiode và Avalanche Photodiode (APD) như sau:

1. Dòng ra sau tách sóng quang:

- Pin photodiode: Pin photodiode tạo ra dòng ra tương ứng với lượng ánh sáng đã được hấp
thụ. Dòng ra này tỷ lệ thuận với công suất ánh sáng đầu vào và đáp ứng tần số tuyến tính.
- APD: APD cũng tạo ra dòng ra tỷ lệ thuận với lượng ánh sáng đã được hấp thụ. Tuy
nhiên, với lớp tăng cường ion hóa, APD cung cấp mức đầu ra dòng cao hơn so với Pin
photodiode. Điều này cho phép APD cung cấp độ nhạy quang cao hơn và khả năng phát hiện
tín hiệu yếu hơn.

2. Đặc tính nhiễu:

 - Pin photodiode: Pin photodiode có đặc tính nhiễu thấp hơn so với APD. Điều này đồng
nghĩa với việc nó có khả năng đo lường chính xác và giảm thiểu nhiễu trong quá trình thu
thập dữ liệu ánh sáng.
- APD: APD có đặc tính nhiễu cao hơn so với Pin photodiode. Việc tăng cường ion hóa
trong APD có thể tạo ra nhiễu gia tăng trong quá trình tăng độ nhạy. Tuy nhiên, đặc tính
nhiễu cao này cũng đi kèm với khả năng phát hiện tín hiệu yếu hơn và cung cấp độ nhạy
quang cao hơn.

Tóm lại, Pin photodiode và Avalanche Photodiode (APD) cung cấp dòng ra tỷ lệ thuận với
lượng ánh sáng đã được hấp thụ. Tuy nhiên, APD có dòng ra cao hơn và độ nhạy quang cao
hơn so với Pin photodiode. Điều này đồng nghĩa với việc APD có đặc tính nhiễu cao hơn,
trong khi Pin photodiode có đặc tính nhiễu thấp hơn. Lựa chọn giữa hai loại này phụ thuộc
vào yêu cầu cụ thể của ứng dụng và trade-off giữa độ nhạy và nhiễu.
Câu1

Câu 2
Vẽ hình

- Chức năng bộ phát quang

Biến đổi tín hiệu điện tử bộ ghép kênh điện i, (t) thành tín hiệu ánh sáng Po (t) để ghép vào sợi
quang.

Quá trình này gọi là điều biến quang hay điều chế quang.

- Chức năng sợi quang

Truyền dẫn ánh sáng từ đầu phát đến đầu thu.

Trong quá trình truyền trong sợi quang, tín hiệu bị suy hao và méo

- Chức năng bộ thu quang.

Biến đổi ánh sáng tới Pr(t) đầu vào trở thành tín hiệu điện ux(t) đầu ra có dạng giống như tín hiệu
truyền dẫn ban đầu.

Có thể có nhiễu và méo kèm theo (đối với truyền dẫn analog) hoặc lỗi bít (đối với truyền dẫn số).
Câu 3. Hệ thống thông tin quang đơn kênh hoạt động ở tốc độ bit 40Gbps, mã NRZ 50% ,
sử dụng nguồn phát quang đơn mode ở bước sóng 1550 nm với độ rộng phổ 1nm truyền trên
sợi đơn mode tiêu chuẩn SMF có hệ số tán sắc d = 2 ps/nm.km. Hãy tính khoảng cách tối đa
mà tại đó bắt đầu xảy ra hiện tượng xuyên nhiễu giữa các tín hiệu ISI.

Câu 4. Cho mô hình hệ thống thông tin quang (không sử dụng khuếch đại trên đường
truyền) đơn hướng điểm-điểm sử dụng bước sóng ở băng C. Khoảng cách truyền tin giữa hai

điểm là 120 km. Hệ thống sử dụng sợi quang đơn mốt có hệ số suy hao 0,15 dB/km tại băng
C.

- Hãy vẽ mô hình hệ thống trên và cho biết chức năng các khối.

- Nếu công suất phát là 1 mW, chiều dài cuộn cáp là 20 km, suy hao tại các mối hàn là 0,08
dB, suy hao mối nối là 0,8 dB, hãy tính công suất tại phía thu theo đơn vị mW.

Câu 5. Cho mô hình hệ thống thông tin quang đơn hướng điểm-điểm sử dụng bước sóng ở
băng C. Khoảng cách truyền tin giữa hai điểm là 120 km. Hệ thống sử dụng sợi quang đơn
mốt có hệ số suy hao 0,3 dB/km tại băng C và 1 bộ khuếch đại quang EDFA được đặt ở vị trí
cách nguồn phát 60 km.
- Hãy vẽ sơ đồ khối của hệ thống. Cho biết chức năng các khối trong sơ đồ khối.
- Nếu công suất phát là 1 mW và bộ khuếch đại có hệ số khuếch đại là 16 dB, chiều dài cuộn
cáp là 20 km, bỏ qua nhiễu của bộ khuếch đại, suy hao tại các mối hàn là 0,08 dB, suy hao
mối nối là 0,76 dB, hãy tính công suất tại phía thu theo đơn vị mW.
Câu 6. Cho mô hình hệ thống WDM (không sử dụng khuếch đại trên đường truyền) đơn
hướng điểm-điểm sử dụng 5 bước sóng ở băng C. Mỗi bước sóng hoạt động ở tốc độ 10
Gbit/s. Khoảng cách giữa các kênh bước sóng là 50 GHz. Khoảng cách truyền tin giữa hai
điểm là 100 km. Hệ thống sử dụng sợi quang đơn mốt có hệ số suy hao 0,2 dB/km tại băng C.
- Hãy vẽ mô hình hệ thống trên và cho biết chức năng các khối.
- Nếu bước sóng λ1có giá trị 1548.52 nm, hãy tính các bước sóng λ2, λ3, λ4, λ5 biết λ5> λ4>
λ3> λ2> λ1.
- Nếu công suất phát tại bước sóng λ1 là 1 mW, bỏ qua các suy hao tại các thiết bị ghép/tách
bước sóng và các mối hàn nối, hãy tính công suất của bước sóng λ1 tại phía thu theo đơn vị
mW.
Các bước sóng:
λ2 = λ1 + (2 - 1) * Δλ = 1548.52 + 50 GHz = 1553.02 nm
λ3 = λ1 + (3 - 1) * Δλ = 1548.52 + 2 * 50 GHz = 1557.52 nm
λ4 = λ1 + (4 - 1) * Δλ = 1548.52 + 3 * 50 GHz = 1562.02 nm
λ5 = λ1 + (5 - 1) * Δλ = 1548.52 + 4 * 50 GHz = 1566.52 nm
Công suất bước sóng 1:
Pout = Pin * 10^(-α * L/10)
Pout = 1 mW * 10^(-0.2 * 100 km/10) = 0.8 mW
Câu 7. Cho mô hình hệ thống WDM (không sử dụng khuếch đại trên đường truyền) đơn
hướng điểm-điểm sử dụng 5 bước sóng ở băng C. Mỗi bước sóng hoạt động ở tốc độ 40
Gbit/s. Khoảng cách giữa các kênh bước sóng là 100 GHz. Khoảng cách truyền tin giữa hai
điểm là 100 km. Hệ thống sử dụng sợi quang đơn mốt có hệ số suy hao 0,2 dB/km tại băng C.
- Hãy vẽ mô hình hệ thống trên và cho biết chức năng các khối.
- Nếu bước sóng 1 có giá trị 1549.32 nm, hãy tính các bước sóng 2, 3, 4, 5 biết 5> 4> 3> 2>
1.
- Nếu công suất phát tại bước sóng 1 là 1 mW, bỏ qua các suy hao tại các thiết bị ghép/tách
bước sóng và các mối hàn nối, hãy tính công suất của bước sóng 1 tại phía thu theo đơn vị
mW.
Dung lượng của hệ thống N x B:4*40=160 Gbit/s
Tổng băng thông: 4*100=400 GHz = 3.2nm
Công suất:
Pout = Pin * 10^(-α * L/10) * K
Pout = 1 mW * 10^(-0.3 * 60 km/10) * 10^(16 dB/10)
Pout = 1.4 mW

Câu 8. Cho hệ thống WDM đơn hướng điểm-điểm sử dụng 4 bước sóng ở băng C. Mỗi bước
sóng hoạt động ở tốc độ 40 Gbit/s. Khoảng cách giữa các kênh bước sóng là 100 GHz.
Khoảng cách truyền tin giữa hai điểm là 120 km. Hệ thống sử dụng sợi quang đơn mốt có hệ
số suy hao 0,3 dB/km tại băng C và 1 bộ khuếch đại quang pha trộn Erbium (EDFA) được
đặt ở vị trí cách nguồn phát 60 km.
- Hãy vẽ sơ đồ khối của hệ thống WDM. Cho biết chức năng các khối trong sơ đồ khối.
- Hãy tính tổng dung lượng của hệ thống theo đơn vị Gbit/s, tính tổng băng thông sử dụng
của hệ thống theo đơn vị nm.
- Nếu công suất phát tại bước sóng 1 là 1 mW và nếu bộ khuếch đại có hệ số khuếch đại là 16
dB, bỏ qua nhiễu của bộ khuếch đại, các suy hao tại các thiết bị ghép/tách bước sóng và các
mối hàn nối, hãy tính công suất của bước sóng 1 tại phía thu theo đơn vị mW.

Câu 9. Cho mô hình hệ thống WDM đơn hướng điểm-điểm sử dụng 5 bước sóng ở băng C.
Mỗi bước sóng hoạt động ở tốc độ 10 Gbit/s. Khoảng cách giữa các kênh bước sóng là 100
GHz. Khoảng cách truyền tin giữa hai điểm là 120 km. Hệ thống sử dụng sợi quang đơn mốt
có hệ số suy hao 0,3 dB/km tại băng C và 1 bộ khuếch đại quang pha trộn Erbium (EDFA)
được đặt ở vị trí cách nguồn phát 60 km.
- Hãy vẽ sơ đồ khối của hệ thống WDM. Cho biết chức năng các khối trong sơ đồ khối.
- Hãy tính tổng dung lượng của hệ thống theo đơn vị Gbit/s, tính tổng băng thông sử dụng
của hệ thống theo đơn vị nm.
- Nếu công suất phát tại bước sóng 1 là 1 mW và nếu bộ khuếch đại có hệ số khuếch đại là 16
dB, bỏ qua nhiễu của bộ khuếch đại, các suy hao tại các thiết bị ghép/tách bước sóng và các
mối hàn nối, hãy tính công suất của bước sóng 1 tại phía thu theo đơn vị mW.

10. Cho mô hình hệ thống WDM đơn hướng điểm-điểm sử dụng 5 bước sóng ở băng C. Mỗi
bước sóng hoạt động ở tốc độ 10 Gbit/s. Khoảng cách giữa các kênh bước sóng là 100 GHz.
Khoảng cách truyền tin giữa hai điểm là 120 km. Hệ thống sử dụng sợi quang đơn mốt có hệ
số suy hao 0,2 dB/km tại băng C và 1 bộ khuếch đại quang pha trộn Erbium (EDFA) được
đặt ở vị trí cách nguồn phát 60 km.
- Hãy vẽ sơ đồ khối của hệ thống WDM. Cho biết chức năng các khối trong sơ đồ khối.
- Hãy tính tổng dung lượng của hệ thống theo đơn vị Gbit/s, tính tổng băng thông sử dụng
của hệ thống theo đơn vị nm.
- Nếu công suất phát tại bước sóng 1 là 1 mW và nếu bộ khuếch đại có hệ số khuếch đại là 16
dB, bỏ qua nhiễu của bộ khuếch đại, các suy hao tại các thiết bị ghép/tách bước sóng và các
mối hàn nối, hãy tính công suất của bước sóng 1 tại phía thu theo đơn vị mW.