ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG KHOA HỌC TỰ NHIÊN

VẬT LÝ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

Chap 6:
LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ

Trình bày: NGUYỄN THỊ THIÊN TRANG

 GIỚI THIỆU CHUNG
❖ Tổng quan

❖ Linh kiện biến đổi điện – quang

➢ Diode phát quang

➢ Laser bán dẫn

➢ LCD

❖ Linh kiện biến đổi quang – điện

➢ Điện trở quang

➢ Diode thu quang

2
➢ Transistor quang lưỡng cực
 TỔNG QUAN
1. Kỹ thuật quang điện tử - khái niệm:

a. Định nghĩa: Quang điện tử là những hiệu ứng tương hỗ giữa

bức xạ ánh sáng và mạch điện tử. Bức xạ ánh sáng là một
dạng của bức xạ điện từ có dải tầnsố dao động rất cao (λ =
50nm ÷ 100μm)

Các bức xạ quang được chia ra thành ba vùng:

• Vùng cực tím có λ =50nm ÷ 380nm.

• Vùng ánh sáng nhìn thấy có λ = 380nm ÷ 780nm.

3
• Vùng hồng ngoạicó λ = 780nm ÷ 100μm.
 TỔNG QUAN
1. Kỹ thuật quang điện tử - khái niệm:

b. Phân loại linh kiện quang điện tử:

➢ Linh kiện bán dẫn quang điện tử: là những linh kiện được chế
tạo từ vật liệu bán dẫn nhưđiện trở quang, điôt quang,
transistor quang, LED, LASER bán dẫn,v.v…

➢ Linh kiện không phải bán dẫn quang điện tử: sợi quang dẫn,
mặt chỉ thị tinh thể lỏng LCD, ống nhân quang v.v…

4
 TỔNG QUAN
2. Hệ thống truyền dẫn quang: Sơ đồ khối của các hệ thống
thông tin:

5
 TỔNG QUAN
3. Ưu điểm của hệ thống truyền dẫn quang:

✓ Sợi quang nhỏ, nhẹ hơn dây kim loại, dễ uốn cong, tốn ít vật liệu

✓ Sợi quang chế tạo từ thuỷ tinh thạch anh không bị ảnh hưởng của
nước, axit, kiềm nên không bị ăn mòn. Đồng thời, sợi là chất điện môi
nên cách điện hoàn toàn, tín hiệu truyền trong sợi quang không bị ảnh
hưởng của nhiễu bên ngoài tới và cũng không gây nhiễu ra môi trường
xung quanh

✓ Đảm bảo bí mật thông tin, không sợ bị nghe trộm

✓ Khả năng truyền được rất nhiều kênh trong một sợi quang có đường
kính rất nhỏ. Tiêu hao nhỏ và không phụ thuộc tần số nên cho phép
truyền dẫn băng rộng và tốc độ truyền lớn hơn nhiều so vớisợikim loại
6
✓ Giá thành rất rẻ
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
1. Sự tương tác giữa ánh sáng & vật chất: gồm 3 quá trình:
• Quá trình hấp thụ
• Quá trình phát xạ tự phát
• Quá trình phát xạ kích thích

7
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
1. Sự tương tác giữa ánh sáng & vật chất:

❖ Quá trình hấp thụ: quá trình mà tại đó khi có một photon tương tác
với vật chất thì một điện tử ở mức năng lượng cơ bản Ek sẽ nhận
thêm năng lượng của photon (quang năng) và nhảy lên mức năng
lượng kích thích Ei

❖ Quá trình phát xạ tự phát: quá trình mà các điện tử nhảy lên mức
năng lượng kích thích Ei, nhưng chúng nhanh chóng trở về mức
năng lượng cơ bản Ek và phát ra photon có năng lượng hν. Mỗi
một phát xạ tự phát ta thu được một photon. Hiện tượng này xảy
ra không có sự kích thích bên ngoài nào → gọi là quá trình phát
xạ tự phát. Phát xạ này đẳng hướng và có pha ngẫu nhiên 8
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
1. Sự tương tác giữa ánh sáng & vật chất:

❖ Quá trình phát xạ kích thích: Nếu có một photon có năng lượng hν
tới tương tác với vật chất mà trong lúc đó có một điện tử đang còn
ở trạng thái kích thích Ei, thì điện tử này được kích thích và ngay
lập tức nó di chuyển trở về mức năng lượng cơ bản Ek và phát xạ
ra một photon khác có năng lượng cũng đúng bằng. Photon mới
phát xạ ra này có cùng pha với photon đi đến và được gọi là phát
xạ kích thích (hay phát xạ cảm ứng)

9
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. Diode phát quang - LED: Diode phát quang là linh kiện bán dẫn
quang điện tử. Nó có khả năng phát ra ánh sáng khi có hiện tượng
tái hợp xảy ra trong tiếp xúc P-N.

• Tuỳ theo vật liệu chế tạo mà ta có ánh sáng bức xạ ra ở các vùng
bước sóng khác nhau

• LED bức xạ ra ánh sáng nhìn thấy gọi là LED chỉ thị.

• LED chỉ thị có ưu điểm là tần số hoạt động cao, kích thước nhỏ,
công suất tiêu hao nhỏ, không sụt áp khi bắt đầu làm việc. LED
không cần kính lọc mà vẫn cho ra màu sắc. LED chỉ thị rất rõ khi
trời tối. Tuổi thọ của LED khoảng 100 ngàn giờ

10
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. Diode phát quang - LED:

a. Định nghĩa: Vật liệu chế tạo diode phát quang đều là các liên kết
của các nguyên tố thuộc nhóm 3 & nhóm 5 của bảng tuần hoàn
Mendeleev như GaAs, hoặc liên kết 3 nguyên tố như GaAsP,
v.v.. Đây là các vật liệu tái hợp trực tiếp, có nghĩa là sự tái hợp
xảy ra giữa các điện tử ở sát đáy dải dẫn và các lỗ trống ở sát
đỉnh dải hóa trị.

Mô hình cấu tạo & ký hiệu:

11
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. Diode phát quang - LED:

b.Cấu tạo vật lý:

➢LED vòm và LED phẳng được sử dụng trong phần lớn các thiết bị
hiển thị với lợi ích là rút được lượng ánh sáng cực đại từ thiết bị đó =>
ánh sáng được phát ra theo tất cả các hướng và sử dụng các ống
kính được sắp xếp theo trật tự nhất định để hội tụ ánh sáng.

12
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. Diode phát quang - LED:
b.Cấu tạo vật lý:
➢Burrus LED và LED phát xạ cạnh chủ yếu được dùng trong các hệ
thống thông tin sợi quang

13
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. Diode phát quang - LED:
c.Nguyên lý hoạt động:
•Khi LED phân cực thuận, các hạt dẫn đa số khuếch tán ồ ạt qua tiếp
xúc P-N, chúng gặp nhau sẽ tái hợp và các photon được phát sinh.
•Tốc độ tái hợp trong quá trình bức xạ tự phát này tỉ lệ với nồng độ
điện tử trong phần bán dẫn P và nồng độ lỗ trống trong phần bán dẫn
N. Đây là các hạt dẫn thiểu số trong chất bán dẫn. Như vậy, để tăng số
photon bức xạ ra cần phải gia tăng nồng độ hạt dẫn thiểu số trong các
phần bán dẫn.
•Cường độ dòng điện của diode tỉ lệ với
nồng độ hạt dẫn được tăng cường thêm
vào các phần bán dẫn, do đó cường độ
phát quang của LED tỉ lệ với cường độ
dòng điện qua diode

14
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. Diode phát quang - LED:
c.Nguyên lý hoạt động:
•Điện áp phân cực cho LED gần bằng độ rộng vùng cấm của vật liệu
→ các LED bức xạ ở các bước sóng khác nhau sẽ được chế tạo từ
các vật liệu bán dẫn có độ rộng vùng cấm khác nhau và điện áp phân
cực cho chúng cũng khác nhau
•Tuy nhiên LED có điện áp phân cực thuận tương đối cao (1,6V ÷ 3V)
và có điện áp ngược cho phép tương đối thấp (3V ÷ 5V)
Đặctuyến Volt – Ampe của LED: biểu
diễn mối quan hệ giữa dòng điện
quang với điện áp đặt lên LED.

15
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. Diode phát quang - LED:
d.Một số loại LED phổ thông:
•LED đơn
•LED đôi
•LED 7 đoạn

16
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. LED hồng ngoại:
a.Cấu tạo: Cấu tạo của LED hồng ngoại cơ bản là giống các LED chỉ
thị. Để bức xạ ánh sáng hồng ngoại, LED hồng ngoại được chế tạo từ
vật liệu Galium Asenit (GaAs) với độ rộng vùng cấm EG = 1,43 eV
tương ứng với bức xạ bước
khoảng 900nm.
Hình bên mô tả cấu trúc của
một LED hồng ngoại bức xạ
ánh sáng 950nm.

•Trong phần epitaxy lỏng trong suốt GaAs (N) tạo một lớp tinh thể có
tính chất lưỡng tính với tạp chất Silic là GaAsSi (N) và một tiếp xúc P-
N được hình thành.
•Với sự pha tạp chất Silic ta có bức xạ với bước sóng 950nm. Mặt
dưới của LED được mài nhẵn tạo thành một gương phản chiếu tia 17
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. LED hồng ngoại:
b.Nguyên lý hoạt động & đặc điểm:
•Khi phân cực thuận, các hạt dẫn đa số sẽ khuếch tán qua tiếp xúc P-
N, chúng tái hợp với nhau và phát ra bức xạ hồng ngoại. Các tia hồng
ngoại bức xạ ra theo nhiều hướng khác nhau. Những tia hồng ngoại có
hướng đi vào trong các lớp chất bán dẫn, gặp gương phản chiếu sẽ
được phản xạ trở lại để đi ra ngoài theo cùng hướng với các tia khác
→ tăng hiệu suất của LED
•Ánh sáng hồng ngoại có đặc tính quang học giống như ánh sáng nhìn
thấy, nghĩa là nó có khả năng hội tụ, phân kỳ qua thấu kính, có tiêu cự
.... Tuy nhiên, ánh sáng hồng ngoại rất khác ánh sáng nhìn thấy ở khả
năng xuyên suốt qua vật chất, trong đó có chất bán dẫn. Điều này giải
thích tại sao LED hồng ngoại có hiệu suất cao hơn LED chỉ thị vì tia
hồng ngoại không bị yếu đi khi vượt qua các lớp bán dẫn để ra ngoài
•Tuổi thọ của LED hồng ngoại dài đến 100.000 giờ. LED hồng ngoại
không phát ra ánh sáng nhìn thấy nên rất có lợi trong các thiết bị kiểm
18
soát vì không gây sự chú ý
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
2. LED hồng ngoại:
c.Một số hình ảnh của LED:

19
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
3. LCD – Liquid Crystal Display:

a.Định nghĩa: Tinh thể lỏng sử dụng trong LCD là những hợp chất
hữu cơ đặc biệt. Các phân tử của tinh thể lỏng này được phân bố sao
cho các trục dọc của chúng nằm song song với nhau.

•Ở nhiệt độ thấp LCD ở trạng thái rắn, khi t0 tăng lên đến nhiệt độ nóng
chảy thì LCD chuyển sang trạng thái lỏng. Pha trung gian giữa hai
trạng thái này là trạng thái tinh thể lỏng

•LCD không phải là linh kiện bán dẫn quang điện tử. LCD được chế tạo
dưới dạng thanh và chấm - ma trận. LCD là linh kiện thụ động, không
phát sáng nên càng dễ đọc nếu xung quanh càng sáng

•LCD: dùng làm mặt chỉ thị cho đồng hồ, máy tính con, các thiết bị 20
đo
số, đồ chơi trẻ em, màn hình TV.
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
3. LCD – Liquid Crystal Display:

b.Đặc điểm:

•Khoảng nhiệt độ sử dụng: (-100C ÷ +600C)

•Điện áp: 3V ÷ 6V (chuẩn là 4,5V)

•Tầnsố: 30 Hz ÷200 Hz

•Thời gian đóng: 40 ms

•Thời gian ngắt: 80 ms

•Dòng điện tiêu hao khoảng 0,2 μA

•LCD có tuổi thọ khá cao từ 10.000 đến 100.000 giờ và ngày nay nó
thay thế dần các mặt chỉ thị loại LED hay huỳnh quang
21
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
3. LCD – Liquid Crystal Display:
c.Cấu tạo:
•Gồm có 2 tấm kính đặt cách nhau khoảng 10μm. Mặt phía trong của 2
tấm kính tráng một lớp oxit kẽm (ZnO) trong suốt làm hai điện cực.
•Xung quanh bên cạnh hai tấm kính được hàn kín, sau đó đổ tinh thể
lỏng vào khoảng giữa 2 tấm kính và gắn kín lại.
•Hai tấm nhựa có tính phân cực ánh sáng được dán bên ngoài hai tấm
kính sao cho hình ảnh phản chiếu của mặt chỉ thị được nhìn từ một
phía nhờ gương phản chiếu.

22
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
3. Laser bán dẫn – Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation:
a.Đặc điểm:
•Phổ phát sáng hẹp - Kích thước nhỏ
•Độ ổn định cao
•Có bước sóng ánh sáng trong các
cửa sổ quang 1, 2, 3
•Điều chế trực tiếp có thể lên đến
vài Gb/s -Bán kính bức xạ nhỏ
(ghép với sợi quang)

23
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
3. Laser bán dẫn – Light Amplification by Stimulated Emission of
Radiation:

a.Đặc điểm:

•Giảm dòng điện ngưỡng

•Tăng công suất tổng của ánh sáng ở đầu ra

•Tăng hiệu suất quantum mở rộng

24
=> Cải thiện chất lượng của thiết bị laser
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
3. Laser bán dẫn:

a.Các loại laser:

25
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI ĐIỆN - QUANG
3. Laser bán dẫn:

b.Các loại laser:

•Laser đa mode: Fabry-Perot Laser

•Laser đơn mode: dùng trong các hệ thống thông tin tiên tiến

- DFB Laser (Distributed Feedback)

- DBR Laser (Distributed Bragg Reflector)

- MQW Laser (Multi Quantum Well)

•Laser có thể điều chỉnh được: điều chỉnh bước sóng phát ra bằng
cách (i) thay đổi chiều dài hố (kéo dãn cơ học), (ii) thay đổi hệ số khúc
xạ (điều khiển nhiệt độ)
26
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
➢ Các bộ thu quang điện hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng
chuyển đổi quang điện. Ở đó sự hấp thụ photon bởi vật liệu bán
dẫn đã tạo ra các cặp điện tử - lỗ trống → tạo ra tín hiệu quang
điện dưới dạng dòng điện hay điện thế có thể đo được

➢ Thiết bị quan trọng nhất là diode quang bán dẫn (photodiode)

➢ Yêu cầu:

- Độ nhạy cao

- Nhiễu trong nhỏ

27
- Băng thông rộng
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
1. Quang trở (LDR – Light Dependent Resistor)
a. Cấu tạo & nguyên lý:
• Là bộ thu tín hiệu quang đơn giản nhất. Quang trở được làm
bằng chất Sunfit Cadimium (CdS), Selenid Cadimium (CdSe),
Sunfit chì (PbS)… trong đó loại quang trở CdS có độ nhạy phổ
gần với mắt người nên thông dụng nhất
• Quang trở được chế tạo bằng cách tạo 1 màn bán dẫn trên nền
cách điện nối ra 2 đầu kim loại đặt trong một vỏ nhựa, mặt trên
có lớp thuỷ tinh trong suốt để nhận ánh sáng bên ngoài tác động
vào

28
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
1. Quang trở (LDR – Light Dependent Resistor)
a. Cấu tạo & nguyên lý:
• Là bộ thu tín hiệu quang đơn giản nhất. Quang trở được làm
bằng chất Sunfit Cadimium (CdS), Selenid Cadimium (CdSe),
Sunfit chì (PbS)… trong đó loại quang trở CdS có độ nhạy phổ
gần với mắt người nên thông dụng nhất
• Quang trở được chế tạo bằng cách tạo 1 màn bán dẫn trên nền
cách điện nối ra 2 đầu kim loại đặt trong một vỏ nhựa, mặt trên
có lớp thuỷ tinh trong suốt để nhận ánh sáng bên ngoài tác động
vào

29
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
1. Quang trở (LDR – Light Dependent Resistor)
a. Cấu tạo & đặc điểm:
• Khi ánh sáng chiếu vào bề mặt quang trở, các cặp e-lỗ trống
được sinh ra và được điện trường cuốn ra phía các điện cực.
Phụ thuộc vào thông lượng ánh sáng chiếu vào, dòng điện bên
ngoài cũng thay đổi theo.
• Trị số điện trở của quang trở thay đổi theo độ sáng chiếu vào nó.
Khi bị che tối thì quang trở có trị số điện trở rất lớn (vài MΩ), khi
được chiếu sáng thì điện trở giảm nhỏ (vài chục Ω÷ vài trăm Ω).

30
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
1. Quang trở (LDR – Light Dependent Resistor)
a. Cấu tạo & đặc điểm:
• Ưu điểm: có khuếch đại trong, nghĩa là dòng quang điện thu
được có số điện tử (hay lỗ trống) lớn hơn số điện tử (hay lỗ
trống) do photon tạo ra
• Ứng dụng: dùng trong các mạch thu tín hiệu quang, trong báo
động, đóng ngắtcác mạch điện, trong đo đạc, điều khiển và tự
động hoá

31
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
1. Quang trở (LDR – Light Dependent Resistor)

b. Nguyên lý:

• Cung cấp một điện áp phân cực ngược phù hợp cho một
tiếp giáp PN đơn giản → tạo ra một điện trường → tách các
cặp e- - lỗ trống do ánh sáng tạo ra (do sự hấp thu ánh sáng
trong chất bán dẫn)

32
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
1. Quang trở (LDR – Light Dependent Resistor)

b. Nguyên lý:

• Tốc độ đáp ứng được xác định bởi điện dung của thiết bị →
bị chi phối bởi độ dày của vùng chuyển tiếp → thiết bị diện
tích nhỏ và các vùng tích cực có pha tạp thấp sẽ có điện
dung nhỏ, nghĩa là tốc độ cao

• Nhiễu: nhiễu thấp nếu giảm nhỏ dòng điện rò (chủ yếu là
dòng rò bề mặt) bằng cách dùng các vật liệu có vùng cấm
rộng ở bề mặt

33
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
2. PIN Diode (Photodiode có lớp bán dẫn thuần)

(a) Mô hình bộ thu quang PIN (b) Đáp ứng/bước sóng đối với bộ thu
quang InGaAs/InP
• Diode PIN bao gồm lớp P, lớp I và lớp N. Lớp I là lớp bán dẫn
thuần có điện trở rất cao để khi diode PIN được phân cực ngược,
lớp nghèo có thể lan ra rất rộng trong lớp I để hướng phần lớn
các photon rơi và hấp thụ trong đó
• Trong lớp I có điện trường cuốn rất cao để cuốn hạt tải nhanh
34
chóng về 2 cực tạo nên dòng quang điện ở mạch ngoài
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
2. PIN Diode (Photodiode có lớp bán dẫn thuần)
• Hấp thụ các photon → cặp e- - lỗ trống → dòng điện:

η = hiệu suất lượng tử < 1(vd: 0,95%), q = điện tích e-; h = hằng số
Planck (6,63.10-34 J/Hz)
Cấu trúc PIN có thời gian đáp ứng
rất nhanh và hiệu uất lượng tử cao.
• Nhược điểm: dòng tối và nhiễu
tương đối lớn, đặc biệt là đối với
các bán dẫn có vùng cấm nhỏ
như Ge
35
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
3. APD: Miền tăng tốc (miền hấp thụ ánh sáng) & miền nhân hạt tải
là tách biệt nhau
• Khi có ánh sáng chiếu vào, các hạt tải đi qua miền hấp thụ sẽ được
tăng tốc, chúng va đập mạnh vào các nguyên tử của bán dẫn gây
nên sự ion hoá và tạo ra các cặp e - lỗ trống mới. Quá trình được
lặp đi lặp lại nhiều lần → hiệu ứng thác lũ → tăng dòng quang
điện bên ngoài, tăng độ khuếch đại (tăng độ nhạycủa APD)

36
Mô hình APD với vùng nhân và vùng hấp thụ tách biệt
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
3. APD

• Điện áp phân cực ngược cao (>100V) → Photon tạo ra các cặp
e-/lỗ trống → các cặp e-/lỗ trống tăng thêm do hiệu ứng thác lũ

M = độ khuếch đại thác lũ (vd: 100)

Độ khuếch đại cao, nhưng băng thông thường thấp hơn, nhiều
nhiễu trong hơn so với diode PIN

37
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
Các đặc điểm của diode quang

38
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
4. Transistor quang

a. Cấu tạo & nguyên lý:

• Transistor quang có cấu trúc 3 lớp như BJT thông thường nhưng miền
cực gốc để hở, có một diện tích thích hợp để tiếp nhận ánh sáng chiếu
vào qua cửa sổ

• Khi Transistor quang ở chế độ hoạt động thì tiếp giáp BC được phân
cực ngược còn tiếp giáp BE phân cực thuận

• Khi ánh sáng chiếu vào Transistor quang, các hạt tải được sinh ra và
được khuếch tán tới tiếp giáp BC, tiếp giáp này sẽ tách điện tử và lỗ
trống để góp phần tạo nên dòng quang điện

• Tiếp giáp BC có vai trò như một diode quang, các hạt tải từ phía tiếp
giáp thuận BE được tiêm vào cực B. Dòng quang điện trong miền B 39
(dòng rò ICB) sẽ trở thành dòng IB và được khuếch đại lên (β+1) lần ở
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
4. Transistor quang

b. Đặc điểm:

Ký hiệu của Transistor quang 2 cực (a) và Transistor quang 3 cực (b)

• Độ khuếch đại: 100 ÷1000 lần và độ khuếch đại là không tuyến

tính theo cường độ ánh sáng chiếuvào mối nối giữa cực C và B

• Tốc độ làm việc chậm do tụ điện kí sinh Ccb gây hiệu ứng Miller

• Tầnsố làm việc max ∼vài trăm KHz

• Để tăng độ nhạy người ta chế tạo loại Transistor lắp theo kiểu
40
Darlington
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
4. Transistor quang

c. Ứng dụng:

Mạch điện a) dùng transistor quang lắp Darlington với transistor công
suất để điều khiển rơle RY. Khi được chiếu sáng transistor quang
dẫn làm transistor công suất dẫn cấp điện cho rơle 41
LINH KIỆN BIẾN ĐỔI QUANG – ĐIỆN
4. Transistor quang

c. Ứng dụng:

➢ Mạch điện hình (b) lấy điện áp Vc của transistor quang để phân cực
cho cực B của transistor công suất. Khi transistor quang được chiếu
sáng sẽ dẫn điện và làm điện áp Vc giảm, cực B transistor công suất
không được phân cực nên ngưng dẫn và rơle không đượccấp điện.

➢ Mạch điện hình (c) dùng transistor loại PNP nên có nguyên lý ngược
lại mạch điện hình (b) khi quang transistor được chiếu sáng được
dẫn điện tạo sụt áp trên điện trở để phân cực cho cực B của
transistor công suất loại PNP làm transistor công suất dẫn, cấp điện
cho rơle.
42
Hiện nay người ta còn chế tạo JFET quang và Thyristor quang
43