Bài 1: CÁC KHÁI NIỆM CƠ BẢN

1.Vật liệu dẫn điện và vật liệu cách điện :

1.1. Vật liệu dẫn điện
Vật liệu dẫn điện là vật chất ở trạng thái bình thường có khả năng dẫn điện. Nói
cách khác, là chất ở trạng thái bình thường có sẵn các điện tử tự do để tạo thành dòng
điện. Trong tự nhiên, vật liệu dẫn điện có thể là chất rắn, lỏng hoặc khí. Thông thường, ở
thể rắn là kim loại và hợp kim, ở thể lỏng là các kim loại nóng chảy và dung dịch điện
phân.
- Tính chất của chất dẫn điện:
+ Điện trở suất : đặc trưng cho độ dẫn điện của vật liệu. Điện trở suất càng nhỏ
thì dẫn điện càng tốt và ngược lại nếu điện trở suất lớn thì dẫn điện càng yếu.

Trong đó: S - tiết diện ngang của dây dẫn [mm2; m2]
l - chiều dài dây dẫn [mm; m]
R - trị số điện trở của dây dẫn [Ω]
Điện trở suất của chất dẫn điện khoảng từ: ρ = 0,016 μΩ.m đến ρ = 10 μΩ.m
Vật liệu dẫn điện được chia làm 2 loại:
- Vật liệu dẫn điện có điện trở suất thấp (hay độ dẫn điện cao): thường dùng làm
vật liệu dẫn điện (Ag, Cu, Al, Pb…).
- Vật liệu dẫn điện có điện trở suất cao: Các hợp kim có điện trở suất cao dùng để
chế tạo các dụng cụ đo điện, các điện trở, biến trở, các dây may so, các thiết bị nung nóng
bằng điện (Nicrôm, Cacbon…).

1.2. Vật liệu cách điện ( chất điện môi ) :

Là những vật liệu không cho dòng điện truyền qua. Chúng được dùng chủ yếu là để
cách ly những phần dẫn điện.Chất cách điện được phân thành các loại như:
+ Vật liệu cách điện là chất khí như: không khí, acgon, nê-ông,...
+ Vật liệu cách điện là chất lõng như: dầu biến thế, dầu tụ điện, dầu cáp điện...
+ Vật liệu cách điện là chất rắn như: thủy tinh, sứ, mica,..
- Tính chất của chất cách điện:
+ Độ bền: độ bền càng cao thì vật liệu cách điện càng tốt và sử dụng lâu.
+ Điện trở suất: điện trở suất càng cao thì chất lượng cách điện của vật liệu càng tốt.
+ Tính chất cơ lý: là độ bền cơ học ( chịu kéo, nén và va đập), độ chịu ẩm và độ
chịu nóng.
+ Tính chất hoá học: là mức độ chịu đựng những tác dụng hoá học của môi trường.
1.3 Vật liệu từ:
Vật liệu từ là vật liệu khi đặt vào trong một từ trường thì nó bị nhiễm từ. Quá trình
nhiễm từ của các vật liệu sắt từ dưới tác dụng của từ trường ngoài dẫn đến sự tăng nguồn
nhiễm từ và quay các vectơ mômen từ theo hướng của từ trường ngoài.
Phân loại và ứng dụng của vật liệu từ:
Dựa vào vòng từ trễ người ta chia vật liệu từ làm 2 loại:

1
 - Vật liệu từ mềm: có độ từ thẩm cao và lực kháng từ nhỏ (μ lớn và Hc nhỏ).
- Vật liệu từ cứng: có độ từ thẩm nhỏ và lực kháng từ cao (μ nhỏ và Hc lớn).
Vật liệu từ mềm:
- Vật liệu từ mềm dùng ở tần số thấp: thường được dùng rộng rãi là sắt, hợp kim
sắt - silic, sắt - niken, lá thép kỹ thuật điện... để làm lõi biến áp, nam châm điện. Vật liệu
sắt dùng trong các cuộn dây và biến áp thường ở dạng tấm mỏng.
- Vật liệu từ mềm dùng ở tần số cao: (thường ở tần số vài trăm  vài ngàn KHz).
+ Ferit: là vật liệu từ được dùng rộng rãi nhất ở tần số cao, gồm bột oxyt sắt và
một số bột kim loại khác như nicken, kẽm, mangan trộn với chất keo kết dính. Ferit được
dùng trong các cuộn dây có hệ số phẩm chất cao, các biến áp có dải thông tần rộng, các
cuộn dây trung tần, thanh anten, các cuộn làm lệch tia điện tử, các biến áp xung, v.v…
Ferit có nhiều loại nhưng thông dụng nhất là Ferit-Mangan - Kẽm và Ferit - Niken - Kẽm.
+ Pecmaloi: là hợp kim gồm có 50% ÷ 80% là Niken, 18% ÷ 18,5% là Fe còn lại
là Mangan, Crôm, Đồng, Silic và còn lại là Moliden. Pecmaloi thường được dát mỏng.
Chúng thường được dùng làm biến áp Micrô, đầu từ, biến áp kích thước nhỏ, chất lượng
cao. Nhược điểm của Pecmaloi rất dễ vỡ, dễ biến dạng nên khi sử dụng và gia công chế
tạo phải cẩn thận.
Vật liệu từ cứng:
Vật liệu từ cứng được dùng để chế tạo các nam châm vĩnh cửu. Hợp kim thường
dùng nhiều là alni, alnisi, alnico gồm: nhôm, nicken, silic, côban(Co) với hàm lượng 25%
lµ niken, 10% 15% là nhôm, 3% 6% là đồng còn lại là s¾t, silic.
Vật liệu từ cứng dùng trong các dụng cụ điện thanh, hợp kim, hợp kim alnisi,
alnico có trọng lượng nhỏ. Các hợp kim này rất giòn, dễ gãy, vỡ.

2. Các hạt mang điện và dòng điện trong các môi trường
2.1. Dòng điện trong kim loại
Do kim loại ở thể rắn cấu trúc mạng tinh thể bền vững nên các nguyên tử kim loại liên
kết bền vững, chỉ có các e- ở trạng thái tự do. Khi có điện trường ngoài tác động các e - sẽ
chuyển động dưới tác dụng của lực điện trường để tạo thành dòng điện.
 Dòng điện trong kim loại là dòng chuyển dời có hướng của các e - dưới tác dụng
của điện trường ngoài.
Trong kỹ thuật điện, chiều dòng điện quy ước là chiều chuyển động của các hạt
mang điện dương nên dòng điện trong kim loại thực tế ngược với chiều của dòng điện quy
ước.
2.2. Dòng điện trong chất lỏng và chất điện phân
Chất điện phân là chất ở dạng dung dịch có khả năng dẫn điện. Trong thực tế, chất
điện phân thường là các dung dịch muối, axit, bazơ.
Khi ở dạng dung dịch (hòa tan vào nước) chúng dễ dàng tách ra thành các ion
trái dấu. (VD: phân tử NaCl khi hòa tan trong nước chúng tách ra thành Na + và Cl- riêng
rẽ). Quá trình này gọi là sự phân li của phân tử hòa tan trong dung dịch.
Khi không có điện trường ngoài, các ion chuyển động hỗn loạn trong dung dịch
gọi là chuyển động nhiệt tự do. Khi có điện trường một chiều ngoài bằng cách cho hai
điện cực vào trong bình điện phân các ion chịu tác dụng của lực điện chuyển động có
hướng tạo thành dòng điện trong chất điện phân.

2
 + -
m
A

+ -

Các ion+ chuyển động cùng chiều điện trường để về cực âm, các ion - chuyển
động ngược chiều điện trường về cực dương và bám vào bản cực. Dựa vào tính chất này
của chất điện phân để mạ kim loại, đúc kim loại.
 Dòng điện trong chất điện phân là dòng chuyển dời có hướng của các ion + và
ion- dưới tác dụng của điện trường ngoài.
2.3. Dòng điện trong chân không
Chân không là môi trường hoàn toàn không có nguyên tử khí hoặc phân tử khí, có
nghĩa áp suất không khí trong môi trường = 0at. Trong thực tế không thể tạo ra được môi
trường chân không lí tưởng. Môi trường chân không thực tế có áp suất khoảng 0,001at,
lúc này số lượng nguyên tử, phân tử khí trong môi trường còn rất ít có thể chuyển động tự
do trong môi trường mà không xảy ra sự va chạm lẫn nhau. Tạo ra môi trường này bằng
cách hút chân không của một bình kín nào đó, bên trong đặt sẵn hai bản cực gọi là anot và
katot.
Khi đặt một điện áp bất kì vào hai cực thì không có dòng điện đi qua vì môi
trường chân không là môi trường cách điện lí tưởng.
Khi sưởi nóng katot bằng một nguồn điện bên ngoài thì trên bề mặt katot xuất
hiện các e- bức xạ từ katot.
Khi đặt điện áp DC khoảng vài trăm volt vào hai cực của bình chân không với
điện áp âm đặt vào anot và điện áp dương đặt vào katot thì không xuất hiện dòng điện.
Khi đổi chiều đặt điện áp, dương đặt vào anot và âm đặt vào katot thì xuất hiện
dòng điện đi qua môi trường chân không trong bình đó là các e - bức xạ từ katot di chuyển
ngược chiều điện trường về anot.
 Dòng điện trong môi trường chân không là dòng chuyển dời có hướng của các e -
dưới tác dụng của điện trường ngoài.

2.4. Dòng điện trong chất bán dẫn

Chất bán dẫn là chất nằm giữa chất cách điện và chất dẫn điện, cấu trúc nguyên tử có
4 e- ở lớp ngoài cùng nên dễ liên kết với nhau tạo thành cấu trúc bền vững. Đồng thời
cũng dễ phá vỡ dưới tác dụng nhiệt để tạo thành các hạt mang điện. Khi bị phá vỡ các mối
liên kết, chúng trở thành các hạt mang điện dương do thiếu e - ở lớp ngoài cùng gọi là lỗ
trống. Các e- ở lớp vỏ dễ dàng bứt khỏi nguyên tử để trở thành e- tự do.
Khi đặt điện trường ngoài lên chất bán dẫn các e - chuyển động ngược chiều điện
trường, các lỗ trống chuyển động cùng chiều điện trường tạo thành dòng điện.
 Dòng điện trong chất bán dẫn là dòng chuyển dời có hướng của các e - và lỗ
trống dưới tác dụng của điện trường ngoài.
3. Các đại lượng đắc trưng của mạch điện
3.1 Cường độ dòng điện:

3
 - Cường độ dòng điện (I) là đại lượng đặc trưng cho độ mạnh yếu của dòng điện và
có trị số bằng số lượng các điện tích(Q) đi qua tiết diện của vật dẫn trong một đơn vị thời
gian (t).

- Đơn vị của cường độ dòng điện là Ampe và có các bội số:

1MA = 103KA= 106A= 109mA= 1012A
3.2 Hiệu điện thế, điện áp:
Khi mật độ các điện tử tập trung không đều tại hai điểm A và B, nếu nối một dây
dẫn từ A sang B sẽ xuất hiện dòng chuyển động của các điện tích từ nơi có mật độ cao
sang nơi có mật độ thấp. Như vậy hai điểm A và B có chênh lệch về điện thế. Người ta
gọi sự chênh lệch về điện thế giữa hai điểm là hiệu điện thế hay điện áp.
- Điện thế tại điểm A gọi là UA, điện thế tại điểm B gọi là UB.
- Chênh lệch điện thế giữa hai điểm A và B gọi là hiệu điện thế UAB.
UAB = UA – UB
- Đơn vị của điện áp là Vol (V), đơn vị điện áp có các bội số:
1KV= 103V= 106mV= 109V

Điện áp có thể ví như độ cao của một bình nước, nếu hai bình nước có độ cao khác
nhau thì khi nối một ống dẫn sẽ có dòng nước chảy từ bình cao sang bình thấp hơn, khi
hai bình nước có độ cao bằng nhau thì không có dòng nước chảy qua ống dẫn. Dòng điện
cũng vậy, nếu hai điểm có điện áp chênh lệch sẽ sinh ra dòng điện chạy qua dây dẫn nối
với hai điểm đó từ điện áp cao sang điện áp thấp và nếu hai điểm có điện áp bằng nhau thì
dòng điện trong dây dẫn sẽ bằng 0.

Bài 2: LINH KIỆN THỤ ĐỘNG

4
1. ĐIỆN TRỞ ( RESISTORS )
1.1. Định nghĩa, ký hiệu, phân loại, cấu tạo
1.1.1. Định nghĩa: Điện trở là linh kiện dùng làm phần tử ngăn cản dòng điện trong
mạch.
1.1.2 Ký hiệu:
- Điện trở là linh kiện thụ động , dùng để cản trở dòng điện, tạo sự sụt áp để thực hiện
các chức năng khác tùy theo vị trí của điện trở ở trong mạch .
- Ký hiệu điện trở :

Châu Âu Mỹ, Nhật

Hình 2.1 Ký hiệu điện trở
- Đơn vị là :  (Ohm) .
K (Kilô Ohm) = 1.000 .
M ( Mêga Ohm) = 1.000.000 .
- Hình dáng bên ngoài :

Vòng 1 Vòng 2 Vòng 4

Vòng 3

Hình 2.2 Hình dạng thực tế điện trở loại nhỏ

- Đặc tính điện trở : Điện trở tỉ lệ thuận với điện áp U và tỉ lệ nghịch với dòng điện I
theo công thức :

1.1.3 Cấu tạo và phân loại:

Cấu tạo:
Cấu trúc tiêu biểu của một điện trở mô tả như hình sau:

5
 Trên điện trở, dòng điện và điện áp luôn cùng pha. Điện trở dẫn dòng điện một
chiều và xoay chiều như nhau, chế độ làm việc của điện trở không bị ảnh hưởng bởi tần
số của nguồn xoay chiều.
1.2. Cách đọc, đo và cách mắc điện trở :
1.2.1. Cách đọc:
a. Trị số điện trở ghi trực tiếp trên thân điện trở : là loại thường là điện trở có công
suất lớn, được nhà sản xuất ghi giá trị điện trở và công suất tiêu tán trên thân điện trở.

* Ghi chú: + Ngoài loại trên thì thường ghi các chữ R, K, M.
Ví dụ : 3M3 = 3,3M, 3K9 =3,9K, R47 = 0,47.
+ Nếu có 3 chữ số thì số thứ 3 biểu thị lũy thừa của 10.
Ví dụ: 472R = 47.102.
+ Đặc biệt nếu chữ thứ 3 là số 0 thì đó là giá trị thực của điện trở.
Ví dụ: 330R = 330
b. Trị số điện trở được sơn bằng mã màu :
Phần lớn các điện trở sử dụng trong mạch điện tử đều được ghi giá trị theo mã
màu. Bảng qui ước về mã màu được thể hiện như sau :

Màu Vòng 1 Vòng 2 Vòng 3 Vòng 4 Ghi chú

( Số thứ 1) ( Số thứ 2 ) ( Số bội ) (Sai số)
Đen 0 0 x100
Nâu 1 1 x101 ±1% 0
Đỏ 2 2 x102 ±2% 00
Cam 3 3 x103 000
Vàng 4 4 x104 0000
Xanh lá 5 5 x105 00000
Xanh lơ 6 6 x106 000000
Tím 7 7 x107 0000000
Xám 8 8 x108 00000000
Trắng 9 9 x109 000000000
Vàng kim x10-1  5% (J)
Bạc kim x10-2  10% (K)
Không màu  20% (M)

 Cách đọc điện trở 4 vòng màu:

6
 VD: Điện trở có các vòng màu như sau:
a) Trắng - Nâu - Vàng kim - Bạc kim. R = 91.10-1( )  10% = 9,1 ( )  10%
b) Nâu - Đen - Đen - Vàng kim.  R = 10.100 ( )  5% = 10 ( )  5%
 Cách đọc điện trở 5 vòng màu:

VD: Điện trở có các vòng màu như sau:

a) Trắng - Nâu - Đen - Vàng kim - Bạc kim.  R = 910.10-1( )  10% = 91 ( )  10%
b) Nâu - Đỏ - Đen - Cam - Vàng kim.  R = 120.103 ( )  5% = 120 (K)  5%
- Những màu mà cột sai số để trống thì sai số là 20%.
VD: Điện trở có các vòng màu như sau:
a) Trắng - Nâu - Vàng kim - Cam.  R = 91.10-1( )  20% = 9,1 ( )  20%
b) Nâu - Đỏ - Đen - Cam - Tím. R = 120.103 ( )  20% = 120 (K )  20%

Ví dụ :
Đỏ (2) Đỏ (2) Vàng(104 )
Bạc ( 10%)
= 22. 104  10% = 220K  10%

Hình 2.4

* Ghi chú :

7
 - Nếu không có vòng số 4 ( Loại điện trở có 3 vòng màu ) thì sai số là  20%.
- Hiện nay có loại điện trở than có 5 vòng màu là loại có độ chính xác cao hơn, lúc
đó vòng thứ 4 là bội số, vòng thứ năm là sai số.

* Các trị số điện trở quốc tế:

1.2.2. Cách đo
Điện trở thường gặp những hư hỏng sau:
- Đứt: đo không lên
- Cháy: do làm việc quá công suất chịu đựng.
- Tăng trị số: thường xảy ra ở các điện trở than do lâu ngày hoạt tính của lớp than bị
biến chất làm tăng trị số.
- Giảm trị số: thường xảy ra ở các điện trở dây quấn, do bị chạm một số vòng dây.
- Hư hỏng thường gặp ở biến trở than là: đứt, bẩn, rổ mặt than (Ampli, cassette,
radio: vặn volume nghe rột rẹt; Tivi, monitor: vặn độ sáng, độ tương phản bị chớp nhiễu)
Thổi sạch bụi bẩn rồi nhỏ 1 ít dầu biến trở.
1.2.3. Cách mắc điện trở :
a. Mắc nối tiếp :
R1 R2 Rtd  R1  R2

Vậy khi mắc nối tiếp 2 điện trở lại với nhau thì giá trị điện trở tăng.
b. Mắc song song :
1 1 1
R1  
Rtd R1 R2
R2 8
 Vậy khi mắc song song hai điện trở thì trị số điện trở sẽ giảm.
1.3 Các linh kiện khác cùng nhóm và ứng dụng:
1.3.1. Biến trở (VR- Variable Resistor): Biến trở hay còn gọi là chiết áp là loại điện
trở có thể thay đổi giá trị theo yêu cầu. Ký hiệu biến trở :
VR VR

Các trị số của biến trở than là: 100 - 220 470 -1K - 2,2K- 4.7K -10K - 47K -
100K - 200K -470K - 1M -2M.
1.3.2. Biến trở tinh chỉnh :
+ Ký hiệu : VR

+ Hình dạng thực tế :

Núm vặn

Loại tùy chỉnh Loại con trượt

Hình 2.3 Hình dạng các biến trở thực tế

1.3.3. Mạng điện trở : Là các điện trở được nhốt trong cùng một vỏ, giá trị các
điện trở này là như nhau, chúng có một điểm chung :
Thí dụ : Mạng 8 điện trở 470.

Chân chung

1.3.4. Điện trở SMD: Loại này thường dùng ở các mạch phức tạp như máy vi tính,

9
 1.3.5. Nhiệt trở ( Th - Thermistor ) : Nhiệt trở là loại điện trở có giá trị thay đổi
theo nhiệt độ. Có 2 loại :
+ Nhiệt trở âm (NTC –Negative Temperature Coefficient): khi nhận nhiệt độ cao
thì điện trở giảm.
+ Nhiệt trở dương (PTC - Positive ) : khi nhận nhiệt độ cao thì điện trở tăng.
- Ký hiệu và hình dạng thực tế:
Th

1.3.6. Quang trở (PhotoResistor): Quang trở có giá trị thay đổi tuỳ vào ánh sáng
chiếu vào. Độ chiếu sáng mạnh thì điện trở giảm và ngược lại.
- Ký hiệu và hình dạng thực tế :

CdS

* Kiểm tra :
+ Chọn thang x1K.
+ Đưa 2 que đo vào 2 đầu quang trở và cho ánh sáng chiếu vào thì điện trở nhỏ
(2K), che ánh sáng lại điện trở lớn ( 70K) thì quang trở tốt.
Điện trở cầu chì: (F: Fusistor)
- Là loại điện trở mà khi có dòng điện qua lớn hơn trị số cho phép thì điện trở sẽ bị
nóng và đứt.
- Kí hiệu:

- Công dụng: Bảo vệ quá tải trong các mạch điện tử như mạch nguồn hay các
mạch có dòng tải lớn như các transistor công suất.
 Điện trở tùy áp: (VDR: Voltage Dependent Resistor: điện trở phụ thuộc điện áp)
- Là loại điện trở có trị số thay đổi theo điện áp đặt vào 2 cực.
+ Khi điện áp giữa 2 cực nhỏ hơn mức quy định  VDR có trị số điện trở rất
lớn, xem như hở mạch.
+ Khi điện áp giữa 2 cực lớn hơn mức quy định  VDR có trị số điện trở giảm
rất thấp, xem như ngắn mạch.
- Kí hiệu: VDR VDR

- Công dụng: thường được mắc song song các cuộn dây có hệ số tự cảm lớn để dập
tắt các điện áp cảm ứng quá cao khi cuộn dây bị mất điện qua đột ngột, tránh làm hư các
linh kiện khác trong mạch.

1.4. Ứng dụng của điện trở:

Trong sinh họat, điện trở được ứng dụng để chế tạo các lọai dụng cụ điện như: bàn
ủi, bếp điện, bóng đèn,....

10
 Trong công nghiệp, điện trở được dùng để chế tạo các
Vcc thiết bị sấy, sưởi, giới hạn dòng điện khởi động động
cơ,...
R1 Ví dụ 1: Điện trở dùng làm cầu phân áp :
Trong thực tế, người ta cần dùng nhiều điện thế để cung
R2 cấp cho mạch điện tử họat động, nên phải dùng cầu phân
VO  xVCC
R1  R2 áp để chia điện áp nguồn ra thành điện áp mong mốn.
R2
Thí dụ : Từ hình trên cho R1 = 5K, R2 = 10K, Vcc = 15V
thì :

Hình 2.10 Cầu phân áp

Ví dụ 2: Phân phối dòng điện thích hợp cho tải :
Khi điện áp nguồn và điện áp tải không tương xứng nhau, thì người ta dùng điện
trở để phân phối dòng thích hợp.
- Thí dụ : Ta có nguồn Acquy Vcc= +12V, muốn cấp nguồn cho bóng đèn 9V/3W,
ta dùng R=?. R
I
12V 9V/3W

Hình 2.11

- Dòng qua R :

- Sụt áp qua R :

- Công suất của điện trở :

P = UR.I = 3.1/3 = 1W
2.TỤ ĐIỆN ( CAPACITORS )
2.1. Ký hiệu, phân loại và cấu tạo
2.1.1. Cấu tạo và ký hiệu
Tụ điện gồm 2 bản cực làm bằng chất dẫn điện đặt song song nhau, ở giữa là một
lớp cách điện gọi là điện môi. Chất cách điện thường là : giấy, dầu, mica, gốm, không
khí... và chất này được lấy làm tên gọi cho tụ điện. Ví dụ : tụ giấy, tụ gốm, tụ không khí ..

2 Bản cực

11
C

Điện môi
 Hình 3.1 Cấu tạo tụ điện
- Tụ điện ký hiệu là C và có đơn vị là Fara, thực tế đơn vị Fara rất lớn nên người ta
thường dùng các ước số của Fara là :
- Microfara - 1F = 10-6 F
- Nanofara – 1nF = 10-9 F
- Picofara – 1pF = 10-12 F
2.1.2. Phân loại
a. Tụ cố định :
Tụ hoá :
Lọai tụ này làm bằng hai lá nhôm mỏng và một hóa chất axit borax với các giấy
mỏng đặt giữa hai lá nhôm, cuộn tròn lại thành hình trụ. Tòan bộ được đặt trong một hộp
nhôm. Chất Borax tác dụng lên nhôm tạo thành điện môi.
- Tụ hoá có điện dung từ 1F  10.000F là tụ có phân cực dương và âm. Điện áp
làm việc nhỏ hơn 500V.
- Ký hiệu và hình dạng thực tế :

Tụ sứ ( gốm, Ceramic) : Là loại tụ không cực tính , tụ sứ có điện dung từ 1pF

1F.
- Ký hiệu và hình dạng thực tế :

12
 Hình 3.4 Ký hiệu và hình dạng thực tế của tụ
Tụ không cực tính ( NON-POLARIED) : Là loại tụ không có cực tính dương, âm,
hình dáng giống như tụ hóa, tụ này thường dùng nhiều trong các bộ lọc của thùng loa.
- Ký hiệu và hình dạng thực tế :

+ - - + N 100MF 100V
NON-POLARIED
- + + -

b. Tụ thay đổi ( Tụ xoay) : Dùng để thay đổi giá trị điện dung theo ý muốn. Tụ gồm 2
phần lá kim loại đặt cách điện với nhau: phần lá cố định và phần lá quay quanh 1 trục.
Điện môi thường là không khí hay những lá cách điện bằng chất dẻo.
- Ký hiệu và hình dạng thực tế:

Hình 3.7 Ký hiệu và hình dạng thực tế của tụ

13
 - Tụ này thường dùng trong các mạch cộng hưởng cao tần của máy thu vá máy phát
vô tuyến điện.
c. Tụ tinh chỉnh : Thường dùng để chỉnh mạch cho chính xác. Khi chỉnh đến giá trị
mong muốn thì cố định tụ ở trị số đó.
- Ký hiệu :

Ca

2.2. Cách đọc, đo và cách mắc tụ điên

2.2.1. Cách đọc
Cách ghi trực tiếp:
Là cách ghi đầy đủ các tham số và đơn vị đo của chúng. Cách này chỉ dùng cho
các loại tụ điện có kích thước lớn.

Tụ hoá ghi điện dung là 185 µF / 320 V

Cách ghi gián tiếp:

Cách ghi gián tiếp là cách ghi theo quy ước. Tụ điện có tham số ghi theo qui ước thường
có kích thước nhỏ và điện dung ghi theo đơn vị pF. Có rất nhiều các qui ước khác nhau
như quy ước số, quy ước màu, ...
 Ghi theo qui ước số: Cách ghi này thường gặp ở các tụ Pôlystylen.
VD: Trên thân tụ ghi 47/63  C = 47pF, điện áp làm việc một chiều V = 63Vdc.
 Quy ước theo số: giống như điện trở, số gồm các chữ số chỉ trị số điện dung và
chữ cái chỉ % dung sai.
- Tụ gốm có kích thước nhỏ thường được ghi theo qui ước sau:
VD: Trên tụ ghi là 204  C = 20.10 4 pF
- Tụ Tantan là tụ điện giải (tụ hóa) cũng thường được ghi theo đơn vị pF cùng
điện áp làm việc và cực tính riêng.
 Ghi theo quy ước màu: tụ điện cũng giống như điện trở được ghi theo qui ước
màu. Qui ước màu cũng có nhiều loại: có loại 4 vạch màu, loại 5 vạch màu. Nhìn chung
các vạch màu qui ước gần giống như ở điện trở.

14
 Cách đọc trị số tụ điện theo mã qui ước:

J=±5%
K = ± 10 %
M = ± 20 %

Tụ gốm ghi trị số bằng ký hiệu

2.2.2. Cách đo tụ điện
Có 2 cách đo kiểm tra tụ:
- Đo nguội: dựa theo đặc tính nạp xả của tụ, dùng VOM ở thang đo điện trở nên dùng
VOM có nội trở  10 K).
Đo nóng: dùng VOM ở thang đo VDC.
a. Phương pháp đo kiểm dùng VOM ở thang đo điện trở:
+ Đối với các tụ có trị số nhỏ hơn 1:
Các tụ này có điện dung khá nhỏ, điện môi thường là gốm, sứ,…ít bị đứt ma chỉ bị rỉ
hoặc chạm. Đặt đồng hồ ở thang đo x10K. đo giữa 2 chân tụ nếu thấy kim không lên là tụ
tốt, nếu kim chỉ số  nào đó là tụ bị rỉ hoặc chạm.
+ Đối với các tụ có trị số lớn hơn 1:
- Xả tụ ( nếu tụ đã tích điện)
15
 - Vặn VOM ở thang đo  ( chọn tầm đo tùy theo trị số điện dung của tụ).
- Đặt 2 que đo vào 2 chân của tụ rồi đổi que đo:
+ Nếu kim vọt lên rồi trả về hết  khả năng nạp, xả của tụ còn tốt.
+ Nếu kim vọt lên 0   tụ bị đánh thủng ( còn gọi là tụ bị nối tắt, bị chạm).
+ Nếu kim vọt lên, nhưng trả về không hết  tụ bị rỉ.
+ Nếu kim vọt lên rồi trả về lờ đờ  tụ bị khô.
+ Nếu kim không lên  tụ đứt (coi chừng bị lầm với trường hợp đo các tụ có giá
trị 1F mà ta vặn thang đo  Rx1K  không đủ kích thích cho tụ nạp, xả được).
b. Phương pháp đo kiểm dùng VOM ở thang đo điện áp:

- Dùng nguồn DC có giá trị gần bằng điện áp chịu đựng ghi trên thân tụ rồi ghép nối
tiếp với tụ ( nếu là tụ hóa chú ý cực tính +, -).
- Đặt VOM ở thang đo VDC ( cao hơn nguồn E) rồi đặt 2 que đo của VOM như hình
vẽ.
+ Nếu kim vọt lên rồi trả về  tụ tốt.
+ Nếu kim vọt lên bằng giá trị nguồn cấp rồi đứng yên  tụ bị nối tắt.
+ Nếu kim vọt lên nhưng trả về không hết  tụ bị rỉ.
+ Nếu kim vọt lên rồi trả về lờ đờ  tụ bị khô.
+ Nếu kim không lên  tụ đứt .
c. Cách kiểm tra tụ xoay:
- Dùng VOM ở thang Rx1 .
- Đo 2 chân CV rồi xoay trục hết vòng qua lại mà không bị rò, chạm  tụ tốt
- Đo 2 chân CV với trục không được chạm nhau.
2.2.3. Cách mắc tụ điện
Khi sửa máy hay cân chỉnh mạch, nếu ta không có sẵn đúng các tụ có giá trị và điện
áp làm việc như mong muốn thì ta thực hiện ghép tụ.
a. Mắc nối tiếp:
C1 C2 C3 1 /Ctđ = 1/C1 +1/ C2 +1/ C3
+ + +
Utđ = U1 + U2 + U3

Khi mắc nối tiếp thì điện dung tương đương nhỏ hơn điện dung củ một tụ, còn điện
thế chung thì tăng.

C1
+
b. Mắc song song:
C2 Ctđ = C1+ C2 + C3
+
Utđ = U1 (U1<U2, U3)
16
C3
+
 Khi mắc song song thì điện dung tương đương bằng tổng các điện dung ghép song
song. Còn điện thế tương đương bằng điện thế nhỏ nhất của các tụ.
* Ghi chú : Khi mắc tụ ta nên chọn điện áp làm việc của các tụ bằng nhau.
2.2.4 Các linh kiện cùng nhóm và ứng dụng
 Làm tụ đề trong động cơ không đồng bộ 1 pha:

 Sử dụng như bình chứa điện ( Battery):

Khi K ở vị trí 1 thì điện tích dương ở cực dương của nguồn sẽ tích tụ ở bản bản
cực trên và điện tích âm của nguồn sẽ tích tụ ở bản cực dưới hiện tượng này gọi là tụ nạp
điện. Nếu nối nguồn DC trong thời gian đủ dài thị tụ sẽ nạp đầy. Điện tích tụ nạp tính
theo công thức:
Q = C.V
Trong đó : - Q: Điện tích ( Culông)
- C: Điện dung (Fara)
- V : điện áp trên tụ ( V).

Ví dụ: Tụ điện 1,5kF, điện thế làm việc 3V thì có thể tích trữ một điện tích Q = C.V =
3x1.500 = 4.500 (culông) nghĩa là tụ có thể cung cấp 1 dòng điện 1A trong 4500 giây
( 1 giờ 45 phút ).
 Dùng để ổn định nguồn DC.
 Ghép tín hiệu: dẫn tín hiệu xoay chiều từ mạch này đến mạch khác.
17
  Phân dòng: dùng để lọai bỏ các tín hiệu nhiễu trên đường nguồn hoặc đường tín
hiệu bằng cách dẫn xuống mass.
3. CUỘN CẢM ( INDUCTORS )
3.1 Cấu tạo, ký hiệu, phân loại :
a. Cấu tạo: Cấu tạo của cuộn cảm gồm 1 số vòng dây quấn sát nhau cách điện bằng 1 lớp
cách điện ( verni ) bọc quanh dây quấn lại nhiều vòng trên không khí ( không có lỏi) hoặc
có lõi là vật liệu dẫn từ Ferrite, thép kỹ thuật để tăng độ phẩm chất. Dây có thể quấn thành
một lớp hay nhiều lớp chồng lên nhau.
- Ký hiệu và phân loại : Cuộn dây ký hiệu là L (hệ số tự cảm)
+ Cuộn dây lỏi không khí :
L

+ Cuộn dây lõi Ferit : + Cuộn dây có lõi Feritte di chuyển được :

L L

Lõi Ferit chỉnh được

Lõi Ferit
Các vòng dây

+ Cuộn dây lõi lá thép kỹ thuật điện: L

Hình 4.2 Ký hiệu và hình dạng thực tế

3.2. Cách đọc, đo và các mắc cuộn cảm
a. Các đọc trị số :
- I, II, III : Trị số cuộn dây ( H ) ( luật màu giống như bảng điện trở)
- L : Số lũy thừa 10. II III
I L
- S : Sai số S

18
b. Cách mắc cuộn dây :
Mắc nối tiếp :
Khi mắc nối tiếp 2 cuộn dây thì có hệ số tự cảm tương đương là :
L1 L2

Mắc song song :

Khi mắc song song 2 cuộn dây thì có hệ số tự cảm tương đương là :
L1

L2

3.3. Các linh kiện cùng nhóm, ứng dụng

- Rơ le điện từ: Có 4 loại cơ bản:
- Single Pole, Single Throw = SPST - Single Pole, Double Throw = SPDT

NC
NO

- Double Pole, Single Throw = DPST - Double Pole, Double Throw = DPDT

- Ngoài loại trên còn có loại Rơle đặc như sau:

+ Ngõ vào: 3-32VDC, I = 15mA;
+ Ngõ ra: 48-380VAC, I =10A;
+ Tần số làm việc: 47- 63Hz;
+ Thời gian tắt mở: 10ms.

Loa ( Speaker )
Loa là một ứng dụng của cuộn dây và từ trường.

19
 Cấu tạo của loa : Loa gồm một nam chm hình trụ cĩ hai cực lồng vào nhau , cực N ở
giữa và cực S ở xung quanh, giữa hai cực tạo thnh một khe từ có từ trường khá mạnh,
một cuôn dây được gắn với màng loa và được đặt trong khe từ, màng loa được đỡ
bằng gân cao su mềm giúp cho màng loa có thể dễ dàng dao động ra vào.
Hoạt động : Khi ta cho dòng điện âm tần ( điện xoay chiều từ 20 Hz => 20.000Hz )
chạy qua cuộn dây, cuộn dây tạo ra từ trường biến thiên và bị từ trường cố định của nam
châm đẩy ra, đẩy vào làm cuộn dây dao động => màng loa dao động theo và phát ra âm
thanh.
Chú ý : Tuyệt đối ta không được đưa dòng điện một chiều vào loa , vì dòng điện một
chiều chỉ tạo ra từ trường cố định và cuộn dây của loa chỉ lệch về một hướng rồi dừng lại,
khi đó dòng một chiều qua cuộn dây tăng mạnh ( do không có điện áp cảm ứng theo chiều
ngược lại ) vì vậy cuộn dây sẽ bị cháy .

20
 Bài 3: LINH KIỆN BÁN DẪN ( SEMICONDUCTOR)
1. Khi niệm chất bán dẫn
1.1 Khái niệm:
Chất bán dẫn là chất có điện trở lớn hơn chất dẫn điện nhưng nhỏ hơn chất cách điện.
Ví dụ các chất bản dẫn như : Silic (Si), Gemani(Ge), Photphor(P), Arsinic (As) ... các
chất này thuộc nhóm IV và V trong bảng hệ thống tuần hoàn.
1.2 Chất bán dẫn thuần (tinh khiết):
Là chất bán dẫn mà trong đó có 2 hạt dẫn cơ bản là điện tử tự do N (Negative) và lổ
trống P (Positive) bằng nhau, nghĩa là N = P.

Si

Si Si Si

Si

Hình 3.1 Chất bán dẫn tinh khiết

1.3. Bán dẫn loại P (Positive- dương) :

Si

Si In Si

Si

Hình 3.2 Chất bán dẫn loại P

Khi pha Si (có 4 điện tử ở lớp ngoài cùng) với In (Indium) ( có 3 điện tử ở lớp ngoài
cùng) thì In đưa 3 điện tử liên kết với 3 nguyên tử Si, mối liên kết thứ 4 của Si bị
thiếu nên các điện tử từ các mối liên kết khác dễ chuyển đến làm phát sinh lổ trống.
Do đó nếu pha thêm càng nhiều chất In thì sẽ có nhiều lổ trống P làm cho P > N và
được gọi là chất bán dẫn loại P.
21
 1.4 Chất Bán dẫn loại N (Negative- âm) :

Si

Si P Si

Si Điện tử tự do

Hình 3.3 chất bán dẫn loại N

Khi pha thêm vào bán dẫn Silic với nguyên tử Photphor (P) ( có 5 điện tử ớ lớp ngoài
cùng ) thì 4 điện tử P sẽ liên kết với 4 điện tử của Si, còn thừa 1 điện tử không liên kết
với các điện tử khác và dễ trở thành điện tử tự do. Do đó khi pha càng nhiều P thì sẽ
có càng nhiều điện tử tự do N làm cho N > P và được gọi là chất bán dẫn loại N.
2. Tiếp giáp P-N Diode tiếp mặt
Khi đặt 2 bán dẫn P và N tiếp xúc nhau thì sẽ có 1 điện tử từ N qua mối nối tái hợp
với P làm cho vùng N bị mất điện tử nên vùng N gần mối nối thành điện tích dương.
Còn P nhận điện tử làm cho vùng P gần mối nối có điện tích âm. Hiện tượng này diễn
ra đến khi điện tích âm ở vùng P đủ lớn không cho điện tử vùng N sang. Sự chênh
lệch giữa 2 mối nối gọi là hàng rào điện thế (vùng nghèo).

Diode là một linh kiện có 2 cực ( 2 chân), cấu tạo cơ bản dựa trên chuyển tiếp P –N,
điện cực nối với cực P là cực dương A( Anode), cực nối với N là cực âm K
(Catode).
3. Cấu tạo, phân loại và các ứng dụng cơ bản của Diode
3.1. Diode nắn điện
Khi đặt 2 bán dẫn P và N tiếp xúc nhau thì sẽ có 1 điện tử từ N qua mối nối tái hợp với
P làm cho vùng N bị mất điện tử nên vùng N gần mối nối thành điện tích dương. Còn P
nhận điện tử làm cho vùng P gần mối nối có điện tích âm. Hiện tượng này diễn ra đến
22
khi điện tích âm ở vùng P đủ lớn không cho điện tử vùng N sang. Sự chênh lệch giữa 2
mối nối gọi là hàng rào điện thế ( vùng nghèo).
- Ký hiệu:

3.2 Diode tách sóng :

Hay còn gọi là diode tiếp điểm, loại này thường dùng làm việc ở tần số cao, để có độ
nhạy cao khi làm việc ở tần số cao thì diode phải có điện dung ký sinh nhỏ, nên mối
nối tiếp xúc P – N nhỏ. Loại này thường là Ge.
- Ký hiệu của nó giống như diode thường nhưng võ cách điện thường là thủy tinh
trong suốt.
A K A K

3.3 Diode Zener :

Diode này thường làm việc ở chế độ phân cực nghịch. Khi Vnghịch đạt đến Vz thì
điện áp gần như không phụ thuộc vào điện áp vào. Dựa và đặt tính này người ta dùng
diode Zener làm mạch ổn áp.
- Ký kiệu và hình dạng thực tế diode Zener :

A K A K

V VZ

- Thông số của diode Zener :

+ Điện áp ổn áp VZ. .
+ Dòng điện ngược cực đại IZMax (A).
+ Công quất tiêu tán P(W).
- Cách đọc trị số :
+ Ghi trực tiếp trên thân diode :

23
 DZ5.6 DZ9.1

Diode có điện áp VZ là 5,6V Diode có điện áp VZ là 9,1V

+ Ghi bằng vòng màu :
VZ = 56V

Xanh lá Xanh dương

Xanh dương Đỏ Đỏ Đỏ Đen Đen

VZ = 6V2 VZ = 2V

3.4 Diode phát quang ( LED – Light Emitting Diode ) :

Diode này phát sáng khi được phân cực thuận . Được làm từ chất GaAS, GaP và
GaAs-P.
- Ký hiệu và hình dạng thực tế :

A K

Phân loại: A K
- Theo vật liệu:
+ Diode GaAs cho ra ánh sáng hồng ngoại mà mắt thường không thấy được
( LED hồng ngoại).
+ Diode GaAsP cho ra ánh sáng khả biến, khi thay đổi hàm lượng Photpho sẽ
cho ra ánh sáng khác nhau như đỏ, cam, vàng.
+ Diode GaP pha thêm tạp chất sẽ bức xạ ánh sáng. Tùy loại tạp chất mà có
màu như đỏ, cam, vàng, xanh lá cây.
+ Diode SiC khi pha thêm tạp chất sẽ cho ra ánh sáng màu xanh da trời. Loại
này chưa được sử dụng rộng rãi vì giá cao.
Do các diode này khác nhau về vật liệu nên điện áp ngưỡng của các loại LED
cũng khác nhau:
VD = (1,6 2) V ( Led đỏ).
VD = (2,2 3) V ( Led cam ).
VD = (2 2,8) V ( Led xanh lá ).
VD = (2,4 3,2) V ( Led vàng ).
VD = (1,8 5) V ( Led hồng ngoại ).
VD = (3 5) V ( Led xanh dương).
24
 ID = (5 20)mA ( thường chọn 10mA).
- Led 2 màu: là loại LED đôi gồm 2 LED nằm song song và nguợc chiều nhau.
Trong đó có 1 LED đỏ và 1 Led xanh lá ( Tivi,…) hay 1 LED vàng và 1 LED xanh
( máy vi tính, PLC).

A1 A2

- LED 3 màu: cũng là LED đôi nhưng không ghép song song mà nối chung cực
Cathode xuống mass. Trong đó Led đỏ ra chân ngắn, Led xanh lá ra chân dài và chân
giữa là Cathode.
A1

K
A2 A1
K
A2
Khi chân A1 dương thì Led dỏ sáng, khi chân A2 dương thì led xanh lá sáng, khi 2
chân A1 và A2 cùng dương thì 2 led cùng sáng và cho ra màu vàng.
* Ghi chú: - Điện áp ngược của LED thấp khoảng vài Volt nên khi sử dụng Led
trong nguồn xoay chiều phải có 1 diode ghép song song và ngược chiều để nối tắt điện áp
ngược lên diode.
- Khi sử dụng Led quan trọng nhất là phải tính điện trở nối tiếp với LED để
tránh dòng qua LED quá lớn sẽ làm hư LED.
* Thí dụ về cách tính điện trở:

R?
ILed
VDC  VLed
VDC R
I Led

25
 - Led 7 đoạn:
+ Đèn 7 đoạn gồm a, b, c, d, e, f, g. qui ước các vị trí như sau :
a
f b
g

e c

d
+ Có 2 loại LED 7 đoạn : loại Cathode chung và Anode chung.
a b c d e f g
Vcc

GND a b c d e f g
Hình 5.4 LED catốt chung LED Anốt chung

4. Transistor BJT
4.1 Cấu tạo và ký hiệu:
BJT gồm 3 lớp bán dẫn đặt tiếp giáp nhau. Trong đó ở giữa là loại bán dẫn khác loại với 2
lớp bên cạnh. Tuỳ theo cách sắp xếp người ta chế tạo hai loại transistor là transistor N-P-
N và P-N-P.
Loại N-P-N :
C
JE JC
E C B E C
N P N Q,T

B E B

Hình 7.1 Cấu tạo và ký hiệu của transistor loại N-P-N

26
 Loại P-N-P :

C
JE JC
E C B
P N P Q,T

Hình 7.2 Cấu tạo và ký hiệu của transistor loại P-N-P

- Cực E ( Emitter- cực phát) : là lớp có nồng độ tạp chất lớn nhất chủ yếu cung cấp
các electron .
- Cực C ( Collector- cực thu) : là lớp có nồng độ tạp chất thấp hơn có nhiệm vụ thu
nhận các electron từ miền phát.
- Cực B ( Base – cực nền) : là lớp có nồng độ tạp chất thấp nhất.
- JE là lớp tiếp giáp giữa E-B, JC là lớp tiếp giáp B-C.
- Với 3 sợi kim loại gắn vào 3 lớp nói trên dùng làm cực của transistor có tên là : cực
E, cực C và cực B.
4.2 Các tính chất cơ bản
Dòng điện cực đại cho phép I Cmax : là dòng điện tối đa có thể chạy qua transistor mà
không làm hư transistor ( cột 8)..
Điện áp cực đại cho phép (VCBmax, VCEmax , VEBmax) : nếu vượt qua mức áp này thì
transistor sẽ bị đánh thủng ( tra cột 5, 6,7)..
Công suất tiêu tán P Cmax = VCEmax . ICmax <PTOT (Total) ( cột 10).
Hệ số khuếch đại dòng : hfE ,  ( cột 13)..
Tần số làm việc : FTmin . Nếu lớn hơn trị số này thì hệ số khuếch đại transistor sẽ giảm
xuống.
Ví dụ:
Mã Loại IC max VCE max(V) hFE =  PTOT max
2N3035 NPN 700mA 40 50 500mW
2N3055 NPN 15A 60 20 117W
C828 NPN 50mA 50 65 250mW
A1015 PNP -150mA -50 120 400mW

5. Transistor trường
5.1 Phân Loại, cấu tạo, ký hiệu
a. JFET
Cấu tạo và ký hiệu của JFET:
- Cực mán D ( Drain )
27
 - Cực nguồn S ( Source).
- Cực cổng G ( Gate) hay cực điều khiển.
D D

D D
G G N
P P N
G G

N P
S S

S S
JFET kênh N JFET kênh P

Cấu tạo và ký hiệu của JFET

b. MOSFET
Cấu tạo, ký hiệu MOSFET
S G D
Nhôm D

N+ N N+ SiO2 G

Nền P Vùng nghèo

S
MOSFET kênh P
S G D
Nhôm D

P+ P P+ SiO2 G

Nền N Vùng nghèo

S
MOSFET kênh N
5.2 Kiểm tra JFET:
 Đo nguội:
D
D
G G
S
S
Kênh P

28
 D D
G
G
S
Kênh N S

- Điều chỉnh VOM ở thang đo Rx1.

- Đo cặp chân (G,D) và (G,S) giống như diode. Ta được kết quả như sau:
 GD =  GS =  (đo nghịch)
 GD =  GS = vài chục  (đo thuận)
- Đo cặp chân (D,S) giá trị điện trở vài trăm ()  vài (K).
Đo nóng:
- Vặn VOM ở thang đo VDC.
- Đo áp tại cực D hoặc cực S sờ ngón tay vào mass hoặc V DD rồi kích tay
vào cực G  nếu kim thay đổi là  tốt.
Cách thử JFET:
- Điều chỉnh VOM ở thang đo Rx100.
- Đo giữa chân D và S  kim lên.
- Dùng vật nhiễm từ trường bằng cách: dùng bút cọ xát lên vải hoặc dùng
lược nhựa chải lên tóc, đưa vật nhiễm từ vào cực G  kim thay đổi  có dòng
thay đổi  FET tốt.
5.3 Đặc tuyến và các thông số cơ bản của transistor trường:
a) Đặc tuyến vào:

Họ đặc tuyến ra của JFET kênh loại N.

29
 b) Đặc tuyến ra:
Đặc tuyến ra chỉ mối quan hệ giữa dòng điện ID v điện áp mang UDS.
Đối với JFET knh loại N, đặt một trị số U GS ≤ 0 (giả sử đặt UGS = UGS1 < 0) v giữ
cố định, sau đó thay đổi trị số điện p UDS. Khi điện áp UDS = 0V thì hai tiếp xúc P-N
được phân cực ngược đồng đều từ cực nguồn đến cực máng, tiết diện của kênh l
lớn nhất nhưng dòng điện bằng 0 (I D = 0). Đặt UDS > 0 v có giá trị nhỏ, điện thế tại
mỗi điểm dọc theo kênh sẽ tăng dần từ cực nguồn đến cực máng, làm cho tiếp xc P-
N được phân cực ngược mạnh dần về phía cực máng, đồng thời, các hạt dẫn điện tử
sẽ chuyển động về cực máng tạo nên dòng điện cực máng I D. Tăng dần điện áp UDS
cho dương hơn, hai tiếp xc P-N cũng được phân cực ngược mạnh hơn về phía cực
máng, tiết diện của kênh cũng bị hẹp dần về phía cực máng, nhưng dòng điện I D lại
cũng tăng v tăng tuyến tính với sự tăng của điện áp U DS. Ta có đoạn đặc tuyến dốc
đứng gọi l vùng thuần trở.
Khi điện áp U DS tăng đến trị số m tại đó hai tiếp xúc P-N chạm nhau, tạo ra
"điểm thắt" của kênh, thì trị số điện áp đó ta gọi là điện áp U DS bão hòa (UDSbh) hay
còn gọi l điện áp “thắt”. Lúc này dòng điện I D đạt tới trị số dòng điện bão hòa I Dbh.
Nếu tiếp tục tăng điện áp cực máng cũng dương hơn thì cường độ dòng điện I D
không tăng nữa mà chỉ có tiếp xúc P-N được phân cực ngược mạnh hơn và chúng
trùm phủ lên nhau làm cho một đoạn kênh bị lấp và chiều dài của kênh bị ngắn lại.
Lúc này, quan hệ giữa dòng điện ID với điện áp UDS không theo định luật Ôm nữa,
ID gần như không đổi khi điện p UDS tiếp tục tăng, ta có vùng dòng điện ID không
đổi.
Nếu tăng trị số điện áp U DS lên quá cao có thể xảy ra hiện tượng đánh thủng
tiếp xúc P-N và dòng điện ID sẽ tăng vọt lên gọi là vùng đánh thủng. Thay đổi trị số
điện áp trên cực cửa và thực hiện lại các bước như trên sẽ thu được họ đặc tuyến ra
như mô tả trong hình.
c) Đặc tuyến truyền đạt:
Xét khả năng điều khiển của điện áp trên cực cửa U GS đối với dòng điện ID v
đặc tuyến truyền đạt của FET:
Muốn xét khả năng điều khiển dòng điện ID của điện áp trên cực cửa phải đặt
lên cực máng một điện áp U DS1 > 0 và giữ cố định. Khi điện áp trên cực cửa U GS =
0V, hai tiếp xc P-N sẽ được phân cực ngược mạnh dần từ cực nguồn về phía cực
máng, và do đó kênh cũng sẽ hẹp dần về phía cực máng. Tuy nhiên, ở trường hợp
này, tiết diện của kênh là lớn nhất nên dòng điện chạy qua kênh là lớn nhất, ký hiệu
là IDo.
30
 Khi đặt điện áp trên cực cửa có trị số mà (U GS < 0), thì tiếp xc P-N được
phân cực ngược cũng mạnh hơn, và tiết diện của kênh cũng hẹp lại, điện trở của
kênh cũng tăng, kéo theo dòng điện I D giảm xuống. Khi điện áp trên cực cửa giảm
xuống đến một trị số gọi là điện áp ngắt: U GS = UGSngắt thì hai lớp tiếp xc P-N phủ
trùm lên nhau và kênh hòan tòan biến mất, dòng điện chạy qua kênh bằng 0 (I D =
0).
Quan hệ giữa dòng điện ID với điện áp UGS thể hiện bằng đường đặc tuyến
điều khiển hay còn gọi l đặc tuyến truyền đạt và có hàm là I D = f(UGS) khi UDS
không đổi. Dòng điện ID được tính bằng công thức Shockley:

Đây là một phương trình bậc 2 và biểu diễn bằng đường cong có dạng
parabol, ta có đặc tuyến truyền đạt như mô tả trong hình.

Đặc tuyến truyền đạt của JFET kênh loại N.

Đặt hệ số K

Ta có thể viết lại công thức trên như sau: ID = KIDo

d) Các thông số cơ bản:
- Điện áp cực đại.
- Dòng điện cực đại.

31
 - Công suất tiêu tán cực đại: PD=VDS.ID
- Các thông số đối với VDS và VDG.
5.3 Các kiểu mạch cơ bản của transistor trường:
a) Mạch mắc kiểu S chung:
 Sơ đồ mạch:

 Các đặc tính:

VDD: nguồn cung cấp một chiều.
RG: điện trở định thiên.
RD: tải.
Sơ đồ mắc cực nguồn chung giống như sơ đồ mắc cực phát chung đối với các
tranzito lưỡng cực, có điểm khác là dòng vào IG thực tế bằng 0 và trở kháng vào
rất lớn.
Đặc điểm của sơ đồ cực nguồn chung:
- Tín hiệu vào và tín hiệu ra ngược pha nhau.
- Trở kháng vào rất lớn Zvo = RGS ≈ ∞?
- Trở kháng ra Zra = RD // rd
- Hệ số khuếch đại điện áp μ ≈ S rd > 1
Đối với transistor JFET kênh N thì hệ số khuếch đại điện áp khoảng từ 150 đến
300 lần, còn đối với transistor JFET kênh loại P thì hệ số khuếch đại chỉ bằng một
nửa khoảng từ 75 đến 150 lần.
b) Mạch mắc kiểu D chung:
 Sơ đồ mạch:

32
  Các đặc tính:
Sơ đò mắc cực D chung giống như sơ đồ mắc cực C chung của transistor
lưỡng cực. Tải RS được đấu ở mạch cực nguồn và sơ đồ còn được gọi là mạch lặp
cực nguồn. Đặc điểm của sơ đồ này có
- Tín hiệu vào và tín hiệu ra đồng pha nhau.
- Trở kháng vào rất lớn Zvào = RGD = ∞?
- Trở kháng ra rất nhỏ

- Hệ số khuếch đại điện áp μ < 1

Sơ đồ cực D chung được dùng rộng rãi hơn, cơ bản là do nó giảm được điện
dung vào của mạch, đồng thời có trở kháng vào rất lớn. Sơ đồ này thường được
dùng để phối hợp trở kháng giữ các mạch.
c) Mạch mắc kiểu G chung:
 Sơ đồ mạch:

 Các đặc tính:

Sơ đồ này theo nguyên tắc không được sử dụng do có trở kháng vào nhỏ
trở kháng ra lớn.
_6. SCR – DIAC - TRIAC
6.1 SCR ( THYRISTOR – Silicon Controlled Rectifier):

33
 a Cấu tạo, ký hiệu :
SCR gồm có 4 lớp bán dẫn P-N-P-N ghép nối tiếp và được nối 3 chân ra
ngoài là A (Anode), K(Cathode), G ( Gate).
A (Anode)
A
P

N 2P4M

G G
P
Gate K
Cổng N KAG

K (Catode)
b. Nguyên lý làm việc:

RL Tải(10V/5W)

IA
K
Vcc=9v IG RG

VG Vdc

Để SCR dẫn ta dùng 1 trong 2 cách sau:

- Cách 1: Cực G để hở ( V G=0) : Khi cực G hở VG = 0, SCR không dẫn điện nên
dòng qua SCR IA = 0, VAK  Vcc. Tuy nhiên khi tăng điện áp Vcc lên mức đủ lớn thì V AK
tăng theo điến điện áp quay về V BO (Break-over) thì điện áp VAK giảm xuống như Diode
và dòng IA tăng nhanh. Lúc này SCR chuyển sang trạng thái dẫn điện. Dòng điện ứng với
lúc VAK bị giảm nhanh gọi là dòng duy trì IH (hold).
- Cách 2: Cực G có VAK: Khi đóng khoá K ( hay kích bằng tay) thì SCR chuyển
sang trạng thái dẫn điện, khi ngắt dòng I G ( không kích ) thì SCR vẫn dẫn. Để SCR ngưng
dẫn thì ta ngắt nguồn Vcc hoặc giảm Vcc sao cho dòng qua SCR nhỏ hơn dòng giữ IHold
của SCR.
6.2 DIAC :
DIAC viết tắt bởi Diode AC semiconductor switch ( Công tắc bán dẫn xoay chiều
hai cực)
a. Cấu tạo và ký hiệu :

34
 Gồm 3 lớp bán dẫn khác loại ghép nối như 1 transistor nhưng chỉ có 2 chân nên
xem như một transistor không cực B. Hai cực ở 2 đầu gọi là MT1 và MT2 và do tính đối
xứng của Diac nên không cần phân biệt MT1, MT2.

MT1
MT1
N MT1

P DB4

N MT2
MT2 MT2

RL
b. Nguyên lý:

Vcc

Khi Vcc có trị số thấp thì dòng điện qua Diac là dòng rĩ có trị số rất nhỏ. Khi tăng
điện thế Vcc lên trị số đủ lớn là V BO thì điện áp trên Diac bị giảm xuống và dòng tăng
nhanh.
6. 3. TRIAC:
TRIAC viết tắt bởi Triode AC semiconductor switch ( Công tắc bán dẫn xoay chiều
ba cực).
a Cấu tạo và ký hiệu :
Gồm các lớp bán dẫn P-N ghép nối tiếp nhau và nối ra ba chân, hai chân đầu cuối là
MT1 , MT2 và cực cổng G.
MT2

N N MT2
P
N
G MT1
G
P
N N

G MT1 35
 b. Nguyên lý:
- Khi cực T2 dương, T1 âm và cực G được kích xung dương thì Triac dẫn theo chiều
từ T2 qua T1.
- Ngược lại T1 dương, T2 âm và cực G được kích xung âm thì Triac dẫn theo chiều
từ T1 qua T2 .
- Khi Triac dùng trong mạch xoay chiều thì nguồn có bán kỳ dương cực G cần được
kích xung dương, khi nguon có bán kỳ âm cực G cần được kích xung âm. Ta thấy Triac
cho dòng điện qua cả 2 chiều nên nó coi như công tắc bán dẫn xoay chiều, do đó nó đươc
ứng dụng trong các mạch xoay chiều.

36
 Bài 4: CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI DÙNG TRANSISTOR

4.1 MẠCH KHUẾCH ĐẠI ĐƠN:

a. Mạch khuếch đại kiểu E chung ( CE – Common Emitter):
Vcc
Rc
R B1
C2 B rb C
V0
Vi
C1 ib
Q
ie re ic r0 RC Vo
Vi
R B2

RE
CE

E
0
Hình 3.1 Mạch khuếch đại kiểu E chung

Hình 3.1 là mạch khuếch đại kiểu E chung, tín hiệu vào cực B và ra ở cực C. Ở trạng
thái xoay chiều thì các tụ liên lạc và tụ phân dòng C E có tổng trở rất nhỏ co như bị nối tắt.
Hình là mạch tương đương.
a. Tổng trở ngõ vào:
v i r  i r i r   ib re
hie  ri  i  b b e e  b b
ii ib ib
hie  rb   re ( Vài K )
b. Tổng trở ra ro  vài chục  đến vài trăm K. do đó có thể bỏ qua ro.
c. Độ khuếch đại dòng: io ic
Ai      h fe
ii ib
Ai    h fe ( Vài chục đến vài trăm lần)
d. Độ khuếch đại áp:
v i R i R
Av  ce   c c   b c
vbe ib ri ib hie
Rc ( Vài trăm lần)
Av   
hie
e. Góc pha: điện áp ngõ vào đảo pha với điện áp ngõ ra.
Đặc tính kỹ thuật của transistor mắc kiểu EC:
- Đặc tuyến ngõ vào IB/VBE :

37
 IB (A) VCE =2V
40
30
20
10
VBE (V)
V 0,5 0,7
0,55
0,65
Hình 7.10

- Khi điện áp VBE tăng đến trị số V(ngưỡng) thì bắt đầu có dòng IB. Ở mỗi điện
áp VBE thì sẽ có dòng IB khác nhau.
+ VBE  0,5V, IB = 10A.
+ VBE  0,55V, IB = 20A.
+ VBE  0,6V, IB = 30A.
+ VBE  0,7V, IB = 40A.
- Đặc tuyến truyền dẫn IC/VBE :
IC (mA) VCE =2V
4
3
2
1
VBE (V)
V 0,5 0,7
Hình 7.11
0,55
0,65
Đặc tuyến giống như trên nhưng có dòng Ic lớn hơn I B nhiều lần. Từ đó ta có độ
khuếch đại dòng điện của transistor là : IC = . IB
- Đặc tuyến ngõ ra IC/ VCE :

IC (mA)
IB = 40A
4
3 IB = 30A
IB = 20A
2
IB = 10A
1
IB = 0
VCE (V)
38
 Hình 7.12
Khi tăng VCE từ 0V lên thì dòng IC tăng nhanh và sau đó đạt trị số I C = . IB thì IC
gần như không thay đổi dù tăng VCE lên. Muốn tăng IC thì phải tăng phân cực ở cực B .
b. Mạch khuếch đại kiểu B chung ( CB – Common Base):

Vcc
Rc ic
R B1
C2 E re C
V0
ie
Q

Vi ib rb RC Vo
C1

CB R B2 Vi
RE

B
0

Hình 3.2 mạch khuếch đại kiểu B chung

Hình 3.2 là mạch khuếch đại kiểu B chung, tín hiệu vào cực E và ra ở cực C. Ở trạng
thái xoay chiều thì các tụ liên lạc và tụ phân dòng C B có tổng trở rất nhỏ co như bị nối tắt.
Hình là mạch tương đương.
a. Tổng trở ngõ vào:
vi ib rb  ie re ib rb  ib re rb  re
ri     ( Vài chục  )
ii ie ib 
b. Tổng trở ra :
( Vài trăm K )

c. Độ khuếch đại dòng:

d. Độ khuếch đại áp:

vcb iR R R
Av   c c  C  c ( Vài trăm lần)
veb ie ri hie hie

e. Góc pha: điện áp ngõ vào và điện áp ngõ ra đồng pha.

39
 c. Mạch khuếch đại kiểu C chung ( CC – Common Colletor):

Vcc B rb C
R B1 ib
0
rs re ic
C2
Vi Q
Vi E
C1
RB1//RB2
Vo Vs
R B2
ie RE Vo
RE

MM
0

Hình 3.3 Mạch khuếch đđại kiểu C chung

Hình 3.3 là mạch khuếch đại kiểu C chung, tín hiệu vào cực B và ra ở cực E. . Hình
là mạch tương đương.
a. Tổng trở ngõ vào:
vi ib rb  ie (re  RE )
ri    rb   re   RE  hie   RE ( Vài trăm K )
ii ib
b. Tổng trở ra :
vo ve ie RE ib ( rs  rb   re )
ro    
io ie ie  ib
( rs  rb   re ) rs  hie
ro   ( Vài chục  )
 
c. Độ khuếch đại dòng:

d. Độ khuếch đại áp:

v0 ve ie RE  RE
Av     1
io ie ib rb  ie re  ie RE rb   re   RE

( Vì RE >> rb +re )

e. Góc pha: điện áp ngõ vào và điện áp ngõ ra đồng pha.

Kết luận: Qua ba cách mắc trên ta thấy:

- Mạch khuếch đại kiểu E chung có độ khuếch đại mạnh nhất Vì Ai và Av đều lớn.
40
 - Mạch khuếch đại B chung có tổng trở vào ri nhỏ và tổng trở ra ro lớn nên thường
dùng để đổi tổng trở từ nhỏ ra lớn.
- Mạch khuếch đại kiểu C chung có tổng trở vào rất lớn và tổng trở ra rất nhỏ nên
thường dùng để đổi tổng trở từ lớn ra nhỏ .

Cách ráp
Thông số E chung B chung C chung

Tổng trở ngõ vào ri hie = rb + re ri = hie + RE

vài chục 
Vài K Vài trăm K
Tổng trở ngõ ra ro Vài chục K Vài trăm K

vài chục 
Độ khuếch đại dòng Ai Ai = = hfe Ai  1 Ai = +1
(Vài chục đến vài (Vài chục đến vài
trăm lần) trăm lần)
Độ khuếch đại áp Av Av  1
vài trăm
lần vài trăm lần
Góp pha giữ tín hiệu Đảo pha Đồng pha Đồng pha
vào và ra

4.2 MẠCH GHÉP PHỨC HỢP:

a. Mạch khuếch đại Cascode:
- Mạch Cascode gồm 2 transistor khuếch đại ghép chồng lên nhau như hình 3.4
trong đó Q1 là Transistor khuếch đại ngõ vào kiểu E chung, Q2 là Transistor khuếch đại
ngõ vào kiểu B chung vì có tụ phân dòng CB.
VCC

R B1

R1

Vo2
Q2

CB R2

Q1 Vo1 0

Vi1 0
0

Hình 3.4 Mạch khuếch đại Cascode 0

0

41
 - Cầu phân áp R1 và R2 dùng để phân cực DC cho 2 transistor và điện áp V B2 phải đủ
cao vì:
VC1 = VE2 = VB2 – VBE = VB2 - 0,7V
- Lúc đó VC1 mới có đủ điện áo lớn để Q1 làm việc trong vùng khuếch đại .
- Tín hiệu ra sau Q1 là tín hiệu vào V i2 của Q2. Do Q2 ráp theo kiểu B chung nên có
tổng trở vào nhỏ, tổng trở ra rất lớn nhờ đó Q2 có tác dụng ngăn cách ảnh hưởng của ngõ
ra đến ngõ vào khi ở tần số cao.
- Khi chỉnh điện áp phân cực của cầu phân áp R 1 và R2 sẽ làm thay đổi mức điện áp
DC của Vo1 và Vo2.
b. Mạch khuếch đại Darlington:
- Với các transistor công suất nhỏ thì có thể chế tạo được  lớn. Nhưng với các
transistor công suất lớn thì  nhỏ. Để tạo ra một trasistor vừa có công suất lớn vừa có 
lớn hay các mạch cần có tổng trở vào lớn người ta dùng một hay nhiều transistor ráp tổ
hợp theo sơ đồ mạch Darlington.
- Mạch Darlington cơ bản như hình . Trong đó cực E 1 nối trực tiếp vào cực B 2 nên
IE1 = IB2.

Vcc

B Q1

IB1 Q2

IE1 = IB2 IE2

RL

Hình 3.5 Mạch khuếch đại Darlington

+ Transistor Q1 có : IE1  IC1 = 1IB1 (1)
+ Transistor Q2 có : IE2  IC2 = 2IB2 (2)
Do IE1  IB2 nên ta thay (1) vào (2) ta được:
IE2 = 2IB2 = 2IE1 = 12IE1
Nếu gọi ngõ vào của mạch là I i thì Ii = IB1, dòng điện ngõ ra của mạch là Io thì
Io = IE2 và gọi  là độ khuếch đại dòng của toàn mạch thì:

Ví dụ : Q1 có 1 = 100, Q2 có 2 = 80 thì độ khuếch đại dòng của mạch Darlington là:

 = 1 .2 = 100. 80 =8.000.
Như vậy dòng điện ra trên tải sẽ bằng 8.000 lần dòng điện ở ngõ vào.
42
 Xét tổng trở vào của mạch:
Ta biết tổng trở vào của mạch C chung là: ri = rbe + RL
- Nhìn tự cực B2 thì tổng trở vào của Q2 là :
ri2 = rbe2 = 2RL
- Nhìn tự cực B1 thì tổng trở vào của Q1 là tổng trở của toàn mạch:
ri = ri1 = rbe1 + 1ri2 ( cho rbe = rbe2)
 ri = rbe + 1( rbe + 2RL )
 ri = (1+1)rbe + 12RL ( rất lớn)
Các kiểu mạch Darlington:
Vcc Vcc Vcc
Q1 Q1
Q1

Q2 Q2
Q2

IE1= IB2 IC1= IB2 IC1= IB2

RL RL
RL

0 0
0

c. Mạch khuếch đại vi sai:

VCC

RC1 RC2

Vout
Vin1
Q1 Q2
Vin2

IE1 RE IE2

Hình 3.6 Mạch khuếch đại vi sai

- Khi Vin1 = Vin2  Q1 và Q2 dẫn giống nhau  IC1 IC2  VC1  VC2  Vout = VC1 –
VC2  0.
- Khi Vin1 > Vin2  Q1 dẫn ưu tiên , lúc này dòng I E1 làm rơi áp trên RE lớn làm cho
VE2 > VB2  Q2 tắt:
+ Q1 dẫn  VC1 giảm  Vout = VC1 – VC2 < 0.
+ Q2 tắt  VC2 cao
- Khi Vin1 < Vin2  Q2 dẫn ưu tiên , lúc này dòng I E2 làm rơi áp trên RE lớn làm cho
VE1 > VB1 nên Q1 tắt:
43
 + Q2 dẫn  VC2 giảm  Vout = VC1 – VC2 > 0.
+ Q1 tắt VC1 cao
Kết quả:
= 0 nếu Vin1 = Vin 2
Vout >0 nếu Vin1 < Vin2
<0 nếu Vin1 >Vin2
Do đó mạch khuếch đại vi sai nghĩa là với sự sai lệnh bé giữa V in1 và Vin2 sẽ phản ánh
lớn bởi Vout ( mạch này còn gọi là mạch so sánh).

4.3 MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT :

a. Khái niệm:
- Mạch khuếch đại công suất là mạch ở tầng cuối cùng để tạo ra công suất cung cấp
cho tải. Công suất tại thường vài Watt đến vài trăm Watt.
- Hạng mạch khuếch đại công suất:
+ Hạng A: hiệu suất thấp ( < 50% ) dùng ở mạch có công suất ra khoảng vài W.
+ Hạng B hay AB hiệu suất từ 60%-70% và dùng 2 transistor luân phiên dẫn.
+ Hạng C: hiệu suất 75%-80% nhưng có độ méo dạng tín hiệu cao nên dùng ở các
mạch khuếch đại cao tần hay mạch logic.
- Tham số của mạch khuếch đại công suất: Ngoài các thông số như tổng trở vào, ra,
độ lợi áp, dòng,… thì mạch khuếch đại công suất có 2 thông số đặc trưng là:
+ Độ khuếch đại công suất: là tỉ số giữa công suất ra Po và công suất vào Pi.

+ Hiệu suất của mạch: là tỷ số giữa công suất ra Po và công suất điện DC cung cấp
cho mạch.

- Công suất tiêu tán cực đại P DMAX là công suất lớn nhất mà transistor có thể chịu
đượng liên tục nếu được giải nhiệt đầy đủ. Có công thức:
PDMAX = IC.VCE.
b. Mạch khuếch đại công suất đơn ( Hạng A) :
Do mạch chỉ sử dụng 1 transistor nên gọi là mạch công suất đơn.
Vcc=12V
T Loa
1 5
R B1
RL

4 8

C n1/n2
Q

Vs RE
R B2
44

0 0
0
 B

Thí dụ: Tính chọn các linh kiện của mạch khuếch đại có công suất 5W, tổng trở loa
là 4, nguồn Vcc = 12V.
Giả thuyết mạch có hiệu suất tối đa là 50%.
Công suất điện cung cấp cho mạch bởi nguồn Vcc là:
PDC = Po/ = 5/0.5 = 10W.
Dòng IC = PDC/Vcc = 10/12 = 830mA
Đặt R’L là điện trở tải sớ cấp. Ta có:

Với R’L = Vcc/Ic = 12/0.83 = 15. Do đó tỉ lệ của biến áp là:

Chọn VE = 1V RE=VE/IE = 1/ 0.83 = 1,2

Chọn BJT có  = 80  IB=IC/ = 10,3mA
Để mạch phân cực ổn định ta chọn dòng qua R B1 và RB2 là IRB = 10.IB.
Vậy IRB = 103mA.
Tính RB1 và RB2:
- VB = IRB. RB2  RB2=VB/IRB = (VE + VBE)/IRB = (1 + 0.7)/ 0.103 = 16
- VCC = IRB. RB2 + VB RB2= ( VCC -VB )/IRB = (12 - 1.7)/ 0.103 = 100
- Tụ liên lạc thường chọn từ 5F10F.
- Tụ phân dòng CE thường chọn từ 47F100F.
c. Tầng khuếch đại đẩy kéo (Push -Pull):
Nguyên lý:

Vcc

Q1
C

B
SPEAKER
45
Q2
 - Bình thường mức Volt tại điểm B bằng 0V, do đó cả 2 transitor ngưng dẫn.
- Khi tín hiệu làm mức volt tại B tăng thì Q1 dẫn, Q2 tắt. Tụ C nạp dòng của nguồn
chạy qua loa.
- Khi tín hiệu làm mức Volt tại B giảm thì Q1 tắt, Q2 dẫn, tụ C xã điện , dòng chảy
qua loa.
Vậy khi tín hiệu làm mức Volt tại B lúc tăng, lúc giảm thì sự đóng, mở của Q1 và
Q2 sẽ làm tụ C lúc nạp, lúc xã. Ta có dòng xoay chiều chạy qua loa và phát ra âm thanh.

46
 Bài 5: CÁC MẠCH ỨNG DỤNG DÙNG BJT

5.1 Mạch dao động ( Osillators):

Dao động là mạch tạo ra tín hiệu. Có 2 loại mạch dao động là dao động điều hoà tạo ra
các sóng sine và dao động tích thoát ( răng cưa, tam giác, vuông).
5.1.1 Mạch dao động đa hài:
Các mạch tạo xung cơ bản nhất là mạch tạo xung vuông được gọi chung là mạch
dao động đa hài. Mạch dao động đa hài dựa vào đặc tính nạp, xã của tụ và chuyển mạch
của Transistor. Mạch dao động đa hài thường có 3 loại:
+ Dao động đa hài lưỡng ổn (Flip-Folp - mạch lật).
+ Dao động đa hài đơn ổn.
+ Dao động đa hài phi ổn.
a. Mạch dao động đa hài lưỡng ổn :
Sơ đồ nguyên lý của mạch : VCC

RC2
RC1
R B2 R B1
RB=10K; 22K;33K.
RC=1K; 2.2K;
R1, R2 = 4.7K.
Q1 Q2
C1, C2 = 1F.
D1 D2 Q1, Q2: C828.
0 D1, D2: 1N4001
Vin1 Vin2

C1 C2
R1 R2

0 0 0

Hình 4.1 Mạch dao động đa hài lưỡng ổn

Nguyên lý làm việc:
Ngõ vào qua mạch R1C1 để đổi từ xung vuông ra xung nhọn. Diode D1 dùng để
loại bỏ xung nhọn dương và chỉ đưa xung nhọn âm vào cực B1 để đổi trạng thái.
Giả thiết Q1 đang dẫn bảo hoà, Q2 ngưng. Khi ngõ vào V in1 nhận xung vuông vào
qua mạch R1C1 tạo điện áp V1 trên R1 là 2 xung nhọn. Khi có xung nhọn dương thì D1
bị phân cực ngược nên không dẫn và mạch giữ nguyên trạng thái. Khi có xung nhọn âm
thì D1 dẫn làm cho VB1 giảm xuống 0V. Lúc đó Q1 ngưng dẫn nên I B1=0, VC1 tăng cao sẽ
tạo phân cực đủ mạnh cho cực B2 dẫn đến Q2 dẫn bảo hoà. Khi Q2 dẫn bảo hoà thì V C2 
0,2V, nên Q1 không được phân cực sẽ tiếp tục ngưng dẫn. Như vậy mạch Flip-Flop đã

47
chuyển từ trạng thái Q1 dẫn bảo hoà, Q2 ngưng dẫn sang trạng thái Q1 ngưng , Q2 bảo
hoà.
Khi mạch đã ổn định ở trạng thái này thì mạch sẽ không bị tác động đổi trạng thái
bởi xung kích Vin1 nữa. Bây giờ muốn đổi trạng thái của mạch trở lại như củ thì phải cho
xung vuông tiếp theo qua mạch vi phân R2C2 và D2 vào cực B của Q2.
Ghi chú: Để Q1, Q2 dẫn không sâu thì ta mắc 2 tụ sứ song song với RB1 và RB2.

b. Mạch dao động đa hài đơn ổn:

Sơ đồ nguyên lý của mạch :

R B1 RC2
Vcc
RC1
R B2 C1
RB1,RB2 =10K; 22K;33K.
RC=1K; 2.2K;
Q1 Q2
RB = 4.7K.
C= Ci = 1F.
D1
Q1, Q2: C828.
RB 0
D: 1N4001
Vin
Ci 0
Ri

0 0

Hình 4.2 Mạch dao động đa hà đơn ổn

Khi mở điện, tụ C nạp điện từ nguồn Vcc qua R C2 tạo dòng đủ lớn cấp cho cực B
của Q1 nên Q1 dẫn bảo hoà. Lúc đó dòng IC1 qua RC1 đủ lớn để tạo sụt áp và VC1  0,2V.
Khi tụ nạp đầy thì dòng qua tụ bằng 0 nhưng Q1 vẫn dẫn bảo hoà vì vẫn còn dòng
IB1 qua RB1 cấp vào cực B của Q1. Hai transistor sẽ chạy ổn định ở trạng thái này nếu
không có tác động từ bên ngoài.
Khi có xung vào ngõ vào Vin qua mạch RiCi và diode D để nhận xung âm đưa
vào cực B của Q1 làm điện áp V B1 giảm và Q1 sẽ tắt. Lúc đó I C1 = 0 điện áp VC1 tăng cao
qua cầu phân áp RB2, RB sẽ phân cực cho Q2 dẫn bảo hoà. Khi Q2 dân bảo hoà thì
VC2 0,2V, điều này làm cho tụ C có chân mang điện tích dương coi như nối mass và
chân kia sẽ có điện áp âm so với mass nên điện áp âm này sẽ phân cực ngược cho cực B
của Q1 tiếp tục ngưng dẫn dù đã hết xung kích. Lúc đó tụ C xã điện qua R B1 và Q2 từ C
xuống E .
Sau khi tụ C xã xong làm mất điện áp âm đặt vào cực B của Q1 và Q1 sẽ chuyển từ
trạng thái ngưng dẫn sang trạng thái dẫn bảo hoà như ban đầu. Thời gian tạo xung của
mạch đơn ổ chính là thời gian xã điện của tụ C qua R B1. Sau thời gian này mạch trở lại
như trạng thái ban đầu.

48
 Công thức tính thời gian nạp và xã:
tnạp = RC1.C
txa = 0,69RB1.C
Ghi chú: - Để Q2 chuyển nhanh từ trạng thái ngưng dẫn sang dẫn bảo hoà khi có
xung kích âm vào cực B của Q1 ta dùng 1 tụ ghép song song với điện trở RB2.
- Để bảo vệ mối nối BE của Q1 không hư ta có thể mắc thêm diode giữa
cực âm của tụ C và cực B của Q1.

c. Mạch dao động đa hài phi ổn :

Sơ đồ nguyên lý của mạch :

K
Vcc RB1,RB2 =10K; 22K;33K.
RC1 R B2 R B1
RC2 RC=1K; 2.2K;
C2 C1 C1, C2 = 1F.
VC1 VC2 Q1, Q2: C828.
Q1 Q2

0 0

Hình 4.3 Mạch dao động đa hài phi ổn

Nguyên lý làm việc:
Khi khoá K đóng, Giả sử Q1 tắt và Q2 dẫn . Lúc này tụ C2 nạp từ nguồn Vcc qua
RC1 và chuyển tiếp B-E của Q2 với thời hằng  = RC1C2. Nhờ đó VC1 tăng dần tới giá trị
Vcc.
Mặt khác, tụ C1 cũng nạp từ nguồn Vcc qua R B1 và trở C-E của Q2 với thời hằng
 = RB1C1. Theo mức độ nạp của tụ C1 thì điện thế cực B của Q1 càng tăng khi V B1 = V
thì Q1 dẫn nên VC1 giảm xuống gần bằng 0. Sự giảm điện thế của V C1 sẽ qua tụ C2 truyền
đến cực B của Q2 làm điện thế V B2 âm nên Q2 tắt. Toàn bộ dòng qua R B1 lúc này đỗ vào
cực B của Q1 và duy trì Q1 dẫn bảo hoà. Như vậy mạch đã chuyển sang trạng thái mới là
Q1 dẫn, Q2 tắt.
Quá trình hoạt động tiếp tục giống như trước. Tụ C1 nạp từ nguồn Vcc qua R C2 và
chuyển tiếp B-E của Q1 đang dẫn với thời hằng  = RC1C1. Do đó điện thế VC2 tăng lên
gần VCC. Mặt khác, tụ C2 cũng nạp điện từ nguồn V CC qua RB2 và trở C-E của Q1, điện áp
trên tụ C2 thay đổi dẫn đến điện thế cực B của Q2 tăng dần lên. Khi V B2 = V thì Q2 dẫn
lại. Điện áp VC2 giảm xuống gần bằng 0. Sự thay đổi của V C2 thông qua tụ C1 gây giảm
điện thế trên cực B của Q1 làm VB1 trở nên âm và Q1 tắt.
Quá trình trên hoạt động liên tục lặp đi lặp lại, tạo thành dãy xung vuông ở ngõ ra
của mạch.

49
 Công thức tính chu kỳ dao động: T = 0,69RB.C
Ghi chú: - Mạch trên dùng RB1 =RB2, RC1 = RC2, C1 = C2, Q1 = Q2
- Để mạch trên có thể thay đổi tần số thì ta dùng 1 biến trở nối giữa nguồn
Vcc và điểm chung của RB1 và RB2.
d. Dao dộng dịch pha:
Sơ đồ nguyên lý và mạch thực tế:
Khuếch đại đảo Av
( lệnh pha 1800)

Hồi tiếp 
( lệnh pha 1800)
Còn gọi là mạch dao động RC thường dùng ở phạm vi tần số thấp. Khối hồi tiếp
gồm 3 mạch RC tạo ra sự lệnh pha giữa ngõ vào và ngõ ra là 180 0, tín hiệu đưa qua mạch
khuếch đại đảo pha có hệ số khuếch đại Av và đưa về ngõ vào khối hồi tiếp.

Vcc
R B1 RC

C C C
Q

R1 R2 R B2

RE

Hình 4.4 Sơ đồ mạch dao động dịch pha

- Tần số dao động:

- Độ lợi khuếch đại Av  29 là giá trị đảm bảo duy trì dao động.
Ghi chú: đễ thoả mãn điều kiện dịch pha 180 0 trên đường hồi tiếp người ta chọn trị số
tụ C, điện trở bằng nhau.
e. Dao động thạch anh:
Đặc tính của tinh thể thạh anh là tính áp điện. Khi ta áp 1 lực vào 2 mặt của tinh thể
( nén hoặc kéo) thì sẽ xuất hiện một điện thế xoay chiều giữa 2 mặt. Ngược lại dưới tác
dụng của một điện thế xoay chiều thì thạch anh sẽ rung với 1 tần số không đổi và như vậy
tạo ra một điện thế xoay chiều có tần số không đổi. Tùy vào kích thước, bề dày, mặt cắt

50
( do nhà sản xuất chế tạo), mỗi phiến tinh thể áp điện có một tần số cộng hưởng cơ nhất
định, từ đó sinh ra một dao động điện, cộng hưởng ở tần số tương ứng.
- Ký hiệu và hình dạng thực tế:

Xtal

6V

47K LED

Q1 500

.01F .01F D
Q2

XTAL
2.2K
100pF 1K

0 0 0
Khi nối thạch anh vào mạch Q1 thì mạch này dao động, tạo ra tín hiệu cao tần. Tín hiệu
cao tần từ cực E của Q1 qua tụ 0.01µF, diode làm Q2 dẫn, đèn sáng.
5.2. Mạch xén:
Mạch xén còn gọi là mạch giới hạn biên độ tín hiệu, trong đó tín hiệu ra V 0 luôn tỷ
lệ với tín hiệu vào Vi nếu Vi chưa vượt qua giá trị ngưỡng cho trước VR, còn khi Vi vượt
qua mức ngưỡng thì tín hiệu ra luôn giữ một giá trị không đổi.
a. Mạch xén trên :

Vi R V0 Vi
V0
VR

VR t

- Khi Vi < VR diode tắt nên Vi = V0.

- Khi Vi > VR diode dẫn, V0 = VR.
Như vậy mạch thực hiện chức năng xén mức trên.

51
b. Mạch xén dưới :
Vi R V0 Vi
Vo
VR

VR t

- Khi Vi > VR diode tắt nên V0 = Vi .

- Khi Vi < VR diode dẫn nên V0 = VR .
Như vậy mạch thực hiện chức năng xén mức dưới V0 = VR .
c. Mạch xén 2 mức điện áp : trong đó VR2>VR1
Vi R V0 V0
VR2 V0
D1 D2 VR1
t
VR1 VR2

- Khi Vi < VR1 D1 dẫn, D2 tắt , nên V0 = VR1 .

- Khi Vi > VR2 D1 tắt , D2 dẫn , nên V0 = VR2 .
- Khi VR1 <Vi < VR2 thì D1 và D2 cùng tắt V0 = Vi .

d. Mạch ghim áp:

Mạch này có chức năng cố định đỉnh trên hay đỉnh dưới của tín hiệu ớ mức điện áp
nào đó.
Mạch ghim áp đỉnh dưới:
Vi

C
+ V0 0 t1 t2 t

Vi D R
0 t1 t2 t

-2Vi

- Trong thời gian từ [ 0  t1 ], D dẫn, tụ C nạp với điện áp VC = Vi .

52
 Ta có : V0 = Vi - VC = 0.
- Trong thời gian từ [ 0  t2 ], D tắt , tụ C xã với V0 = Vi - VC = -2Vi.
Mạch ghim áp đỉnh trên:
C Vi
+ V0

Vi D 0 t1 t2 t
R

2Vi

0 t1 t2 t

- Trong thời gian từ [ 0  t1 ], D tắt , tụ C nạp với điện áp Vi = VC .

Ta có : V0 = Vi + VC = 2Vi.
- Trong thời gian từ [ 0  t2 ], D dẫn , tụ C xã với V0 = Vi - VC = 0.
5.3 Mạch ổn áp:
a. Khái niệm:
Mạch ổn áp là mạch mà điện áp ra có trị số ổn định không phụ thuộc vào điện áp
ngõ vào và điện trở tải.
b. Mạch ổn áp nối tiếp:
IC
Ii
Q
IL
R IB
Vi RL Vo
IR IZ

DZ

- Vi là điện áp một chiều chưa ổn định lấy từ bộ chỉnh lưu và lọc R-C, Dz là diode
zener. Q là transistor công suất mắt nối tiếp giữa Vi và tải, Vo là điện thế ra ổn định cung
cấp cho tải.
- Ap dụng định luật Ohm thì:
Vz = VBE + Vo  Vo = Vz - VBE
- Từ biểu thức trên ta thấy Vo không phụ thuộc vào Vi và dòng I L mà chỉ phụ thuộc
vào Vz.
Ghi chú: Để điều chỉnh được áp ngõ ra ta mắc biến trở song song với Dz còn chân
chung nối vào cực B của Q.
53
 c. Mạch ổn áp có hồi tiếp:
Là mạch lấy điện áp mẫu ở ngõ ra đưa về so với điện áp chuẩn bằng transistor Q1.
IC
Ii
Q2

R3
R1
R2 IL
Vi
RL Vo
VS
Q1 VR

DZ R4

Điện áp mẫu Vs là điện áp giữa của cầu phân áp R3 và R4 và cũng là điện áp phân
cực cho Q1.
Theo định lý Thevenin ta có:

Xét Q1 ta có: Vs = VB1 = Vz + VBE = VZ + 0,6V = hằng số.

Thay Vs vào (1) ta được:

Như vậy điện áp ra Vo sẽ ổ định và có trị số tuỳ vào Vz và tỉ lệ cầu phân áp R3, R4.

54