1

CÂU HỎI ÔN TẬP TỔNG HỢP

Biên soạn: Tập thể lớp cao học VLUD-K21
Chỉ mang tính tham khảo, bạn nào có câu trả lời khác chính xác hơn thì cứ dùng của mình

Câu 1: Hãy cho biết kính hiển vi ánh sáng có xem được vật có kích cỡ nguyên tử? Giải thích.
Trả lời:
Kính hiển vi ánh sáng không xem được vật có kích cỡ nguyên tử.
Vì: Kính hiển vi ánh sáng (hay kính hiển vi quang học) sử dụng ánh sáng khả kiến để quan sát
các mẫu vật. Do đó, độ phân giải của kính hiển vi quang học bị giới hạn bởi bước sóng ánh sáng khả
kiến. Giới hạn này vào khoảng μm. Tuy nhiên, những vật có kích cỡ nguyên tử thì vào khoảng Å hoặc
nhỏ hơn nữa. Do vượt quá giới hạn độ phân giải nên kính hiển vi quang học không thể quan sát được
những vật kích cỡ nguyên tử.

Câu 2: Nêu sự khác nhau và giống nhau giữa SEM và FESEM?

Trả lời:
SEM: hệ thống kính hiển vi điện tử quét thông thường.
FESEM (Field Emission SEM): kính hiển vi điện tử quét sử dụng súng phát xạ trường (Field
Emission Gun)
Hệ SEM thông thường sử dụng súng electron nguồn dây đốt là chủ yếu. Về cấu tạo tổng thể,
SEM và FESEM tương đối giống nhau. Khác biệt lớn nhất là loại súng electron được sử dụng:
- Súng điện tử sử dụng nguồn sợi đốt (như Tungsten, LaB6,…) có tuổi thọ không cao, điện tử
sinh ra bằng cách đốt nóng sợi đốt, gây bức xạ nhiệt.
- Súng phát xạ trường cũng bao gồm một mũi nhọn (tip) kích thước ~ 100nm được chế tạo từ
đơn tinh thể Tungsten. Sau đó, tip được nối với cathode và được áp một điện thế âm lớn (20 – 30kV)
để tạo ra một điện trường đủ lớn gây ra phát xạ electron. Ưu điểm của súng phát xạ trường so với súng
sợi đốt là cho ra chùm electron có năng lượng cao hơn, bán kính chùm tia hẹp hơn, độ tập trung cao, độ
đồng đều của chùm electron và độ sáng cũng cao hơn. Do không sử dụng nhiệt trong quá trình phát xạ
nên súng phát xạ trường cũng có độ bền hơn và đáng tin cậy hơn.
* Một số đặc điểm khác khi sử dụng súng phát xạ trường trong hệ SEM:
+ Cho ảnh có độ phân giải cao hơn (0,5 – 1nm), hình ảnh thu được rõ và giảm thiểu hiện tượng
quang sai.
+ Giảm mức độ phá hủy mẫu, do nhiệt lượng sinh ra rất nhỏ.
+ Có thể nghiên cứu các mẫu không dẫn điện mà không cần phủ lớp dẫn điện bề mặt.
+ Cho độ phóng đại cao hơn nhiều lần.
+ Do FESEM sử dụng chùm tia có năng lượng cao nên cần có các thấu kính từ riêng để phục vụ
cho việc hội tụ chùm tia này.

Câu 3:
a) Vì sao chụp ảnh SEM, vật liệu cần chụp phải dẫn điện hoặc bề mặt của nó phải được phủ một lớp
kim loại mỏng?
b) Nêu sự khác nhau giữa hai ảnh SEM dưới đây:
 2

Trả lời:
a) Khi chụp ảnh SEM, các mẫu vật không dẫn điện hình thành một vùng cách điện trên bề mặt nên khi
các điện tử quét vào sẽ không thể sinh ra các điện tử thứ cấp, dẫn đến ta không thể thu được ảnh. Do
đó, đối với các mẫu không dẫn điện, người ta phủ một lớp màng mỏng dẫn điện (thường là kim loại)
với bề dày khoảng vài nm để tăng khả năng thoát ra của điện tử thứ cấp, giúp thu được hình ảnh bề mặt
mẫu.
b)
+ Ảnh 1 (bên trái): Độ phóng đại 4000Kx, Thế gia tốc 70kV. Đây là ảnh bề mặt của một loại vật liệu.
Vì là ảnh bề mặt nên thế gia tốc sử dụng tương đối thấp.
+ Ảnh 2 (bên phải): Độ phóng đại 2000Kx, Thế gia tốc 500kV. Đây là ảnh các lớp trong mẫu.

Câu 4: Hãy cho biết ảnh TEM có xác định được cấu trúc tinh thể của vật liệu không?
Trả lời:
Ảnh TEM có thể xác định được cấu trúc tinh thể của vật liệu. Vì khi chiếu chùm điện tử xuyên
qua các mẫu vật rắn, điện tử sẽ bị tán xạ trên các mặt mạng tinh thể (đóng vai trò là cách tử nhiễu xạ).
Do đó, TEM có thể phân tích được cấu trúc tinh thể với độ chính xác cao. Hơn nữa, TEM có thể cho
phép phân tích tính chất tinh thể tại một vùng nhỏ được lựa chọn nhờ vào các thấu kính hội tụ và khẩu
độ.

Câu 5: So sánh sự giống nhau và khác nhau giữa XPS và AES.

Trả lời:
* Giống nhau:
+ Nghiên cứu bề mặt mẫu
+ Sử dụng nguồn tia X
+ Mẫu phải đặt trong môi trường chân không cao
+ Bề mặt mẫu phải nhẵn, sạch để cho tín hiệu tốt
+ Giúp xác định công thức hóa học và thành phần các nguyên tố
* Khác nhau:
XPS AES
- Có thể phân tích vật liệu dẫn điện và không dẫn - Chỉ phân tích được những vật liệu dẫn điện
điện
- Hoạt động dựa trên hiện tượng quang điện, đo - Dựa vào điện tử Auger – phổ Auger
 3

phổ tia X đặc trưng

- Đỉnh phổ XPS nhọn, sắc nét - Đỉnh phổ AES rộng hơn
- Độ phân giải vào khoảng 100μm - Độ phân giải cao và rộng hơn: 10 – 100nm
- Năng lượng của đỉnh phổ không phụ thuộc năng - Năng lượng của đỉnh phổ phụ thuộc năng lượng
lượng của photon của photon
- Bề mặt khảo sát rộng hơn - Bề mặt khảo sát hẹp
- Thời gian phân tích chậm - Thời gian phân tích nhanh

Câu 6: So sánh sự khác nhau và giống nhau giữa AFM và STM.

Trả lời:
* Giống nhau:
+ Tốc độ ghi ảnh chậm
+ Sử dụng đầu dò (tip) nhỏ để quét qua bề mặt vật liệu
+ Hình ảnh được tái tạo qua từng điểm ảnh
+ Diện tích mẫu vật nghiên cứu nhỏ
+ Yêu cầu bề mặt mẫu sạch và chống rung động ảnh hưởng đến đầu dò

* Khác nhau:
STM AFM
- Nguyên tắc dựa trên hiệu ứng xuyên hầm lượng - Nguyên tắc dựa trên lực tương tác giữa đầu dò
tử, sử dụng dòng điện tử xuyên hầm giữa đầu dò và nguyên tử trên bề mặt mẫu
và bề mặt mẫu
- Áp dụng với chất bán dẫn và chất dẫn điện - Áp dụng với chất bán dẫn, chất dẫn điện và chất
cách điện
- Yêu cầu chân không cao - Yêu cầu chân không thấp hơn
- Độ phân giải: - Độ phân giải:
dọc: < 0,1Å dọc: < 1Å
ngang: ~ 1Å ngang: ~ 10Å
- Độ phân giải phụ thuộc vào thế áp điện - Độ phân giải phụ thuộc độ rung của cần rung
(cantilever)

Câu 7: Hãy giải thích tại sao trên ảnh nhiễu xạ tia X của các mạng lập phương I thiếu các vết nhiễu xạ
thuộc họ mặt (010) và (111).
Trả lời:

Chọn vị trí O làm tâm, tọa độ (0,0,0). Độ dài cạnh lập phương a = 1.
Công thức xác định tỉ số của cấu trúc mạng lập phương I: (F: Fraction of Structure)
F = fiei[2π(hx+ky+lz)] (1)
h, k, l: chỉ số các mặt mạng
Hai điểm A(½, ½, ½); O(0,0,0). Thay hai tọa độ này vào các giá tri x, y, z trong công thức (1):
F = fei[2π(0.h+0.k+0.l)] + fei[2π( ½ .h+½.k+½.l)] = fei(2π.0) + feiπ(h+k+l) = f(1 + eiπ(h+k+l)) (2)
Xét hai họ mặt (010) và (111) với công thức (2):
 4

(010): F = f(1 + eiπ) = 0

(111): F = f(1 + ei3π) = 0
Khi giá trị F = 0 thì ảnh họ mặt mạng đó không tồn tại. Vì vậy, họ mặt (010) và (111) của các
mạng lập phương I không xuất hiện trong ảnh nhiễu xạ tia X.

Câu 8: Qua các phương pháp phân tích vật liệu mà bạn đã học, hãy cho biết phương pháp nào xác định
được kích thước hạt tinh thể, ưu và nhược điểm của từng phương pháp.
Trả lời:
Các phương pháp phân tích vật liệu có thể được kích thước hạt tinh thể:
* TEM
+ Ưu điểm:
- Cho ảnh có độ phân giải và độ tương phản cao nhất
- Cung cấp thông tin về cấu trúc bên trong
+ Nhược điểm:
- Thiết bị đắt tiền nhất
- Phá hủy mẫu
- Đòi hỏi môi trường chân không cao
- Điều khiển phức tạp
* AFM
+ Ưu điểm:
- Không yêu cầu chân không cao
- Áp dụng cho tất cả các loại mẫu
- Không phá hủy mẫu
+ Nhược điểm:
- Đầu tip và cantilever khá nhạy cảm với độ rung
- Diện tích quét hẹp
- Đòi hỏi bề mặt mẫu nhẵn, sạch
- Thời gian phân tích lâu
* SEM
+ Ưu điểm:
- Cho ảnh có độ phân giải
- Thời gian phân tích nhanh
- Ít phá hủy mẫu
- Thiết bị tương đối rẻ hơn các loại kính hiển vi điện tử khác
+ Nhược điểm: Chỉ cho ảnh bề mặt
* STM
+ Ưu điểm:
- Có thể hoạt động trong môi trường chân không, không khí, dầu, nước
- Xác định được vị trí của từng nguyên tử trên bề mặt mẫu, từ đó xác định được cấu trúc
của mẫu
- Độ phân giải cao
+ Nhược điểm:
- Chỉ dùng cho mẫu dẫn điện
- Thiết bị giá thành cao
- Thời gian đo đạc dài
- Độ bền đầu dò không cao
 5

-------------------------------------------------------------------

Câu 9: Các dạng sản phẩm mà phương pháp solgel có thể chế tạo được là gì? Trình bày các quy trình
chế tạo tương ứng cho từng loại sản phẩm.
Trả lời:
Các dạng sản phẩm mà solgel có thể chế tạo được:
1) Màng mỏng: chế tạo màng mỏng có cấu trúc đồng đều với nhiều ứng dụng trong quang học, điện tử,
pin mặt trời,…

2) Gel khối: sử dụng để chế tạo các oxide đa kim loại các dụng cụ quang học: gương nóng, gương lạnh,
thấu kính và bộ tách chùm tia

3) Gel khí: thu được bằng cách sấy siêu tới hạn gel ướt, ứng dụng trong việc: hấp thu năng lượng mặt
trời (silica aerogel), xúc tác (alumina Al2O3, aerogel có pha tạp kim loại), cách điện và cách nhiệt
(silica aerogel).

4) Hạt nano: đơn thành phần và đa thành phần, có kích thước đồng đều thu được bằng cách kết tủa thủy
phân nguyên tụ.

5) Sợi ceramic: sợi quang chất lượng cao và sợi ceramic cách nhiệt.
 6

Câu 10: Trong phương pháp CVD, lớp biên ảnh hưởng đến các thông số chế tạo nào? Nêu đặc trưng
cơ bản của PECVD.
Trả lời:
Trong phương pháp CVD, lớp biên được hình thành do sự ma sát giữa dòng khí và thành buồng
tạo profile vận tốc. Trong khi đó lớp biên nồng độ lại do sự hấp thụ của bề mặt thành buồng và đế gây
nên sự thay đổi nồng độ giữa các lớp, tạo nên dòng khuếch tán. Càng vào sâu trong buồng, lớp biên
càng dày  gradient nồng độ càng nhỏ  độ dày màng không đều. Do vậy, cần đặt đế nghiêng song
song với bề mặt lớp biên  làm giảm độ dày lớp biên  màng có độ dày đều.
+ profile vận tốc
Khí vừa vào buồng có vận tốc như nhau, trong quá trình vận chuyển có ma sát nên giảm v
+ profile nhiệt độ
Càng vào sâu nhiệt độ càng giảm
+ profile nồng độ
Càng vào sâu các luồng khí gần thành buồng khuếch tán xuống thành buồng  giảm dòng đối
lưu.
Hệ số Reynold quyết định dòng chảy khí:
ρul ul x
Re = = , độ dày lớp biên: σ =
μ v Re
ρ: khối lượng riêng, μ: độ nhớt, v: độ nhớt động học, u: vận tốc khí, l: chiều dài buồng

Đặc trưng cơ bản PECVD: Plasma trong PECVD là plasma phóng điện khí. Dạng plasma này
hình thành khi giữa anod, catod có hiệu điện thế xác định. Plasma có vai trò ion hóa các precusor tạo ra
gốc tự do là môi trường truyền các gốc tự do khuếch tán xuống đế.

Câu 11:
- Kể tên và định nghĩa các kiểu phân loại đã học của phún xạ?
- Phún xạ loại nào có hiệu suất phún xạ cao nhất, giải thích?
- Nêu chức năng của ion beam trong chế tạo màng mỏng
Trả lời:
- Phún xạ gồm:
1) Phún xạ thường: gồm DC và RF, phản ứng và không phản ứng
+ Sử dụng cặp điện cực tạo môi trường plasma, khí Ar được đưa vào, các electron ion
hóa Ar thành Ar+, Ar+ đập vào bề mặt bia làm các nguyên tử bức ra khỏi bề mặt và bay lên đế.
+ Phún xạ DC: sử dụng nguồn DC tạo môi trường plasma
+ Phún xạ RF: dùng điện trường dao động có tần số nhất định để tạo môi trường plasma
+ Phún xạ phản ứng: khí đưa vào phản ứng với vật liệu, tạo màng hợp chất từ bia đơn
chất.
+ Phún xạ không phản ứng: khí đưa vào chỉ có Ar, tạo màng từ vật liệu nguồn.
 7

2) Phún xạ magnetron: sử dụng từ trường để định hướng phún xạ

+ Magnetron cân bằng: tập trung electron ở gần bề mặt nguồn, không làm nóng đế.
+ Magnetron không cân bằng: điện tử tập trung một phần ở gần nguồn, một phần trên đế,
làm nóng đế, giúp vật liệu kết tinh tốt hơn khi lắng đọng.
3) Ion beam: sử dụng năng lượng chùm ion bắn phá bề mặt làm nguyên tử bức ra khỏi bề mặt
bia. Súng ion gồm hai bộ phận: bộ phận ion hóa và bộ phận hội tụ chùm tia.
- Phún xạ cho hiệu suất cao nhất là phún xạ ion beam: giảm áp suất làm việc, tăng độ tinh khiết của
màng.
- Chức năng của ion beam: Có 2 chức năng:
+ Với năng lượng không quá lớn: cung cấp năng lượng cho nguyên tử kết tinh.
+ Năng lương lớn: dùng bắn phá bia

Câu 12: Kể tên và định nghĩa các kiểu phân loại đã học của bốc bay hay bay hơi. Nêu đặc điểm và
chức năng của loại laser sử dụng trong PLD.
Trả lời:
Phương pháp bốc bay gồm:
+ Bốc bay nhiệt điện trở
+ Electron beam (EB)
+ Pulse laser deposition (PLD)
Cơ chế chung: Dùng năng lượng nhiệt kích thích nguyên tử của vật liệu nguồn, làm đứt các liên
kết nguyên tử, làm vật liệu từ rắn → lỏng → hóa hơi bám lên đế, lắng đọng tạo thành màng.
- Bốc bay nhiệt điện trở:
Dạng điện trở:
. Dạng sợi: sợi đốt
. Dạng bột: đựng trong thuyền (kim loại, hợp kim khối nóng chảy)
. Dạng rắn, lỏng: ceramic, Ta, Mo, W
Thuyền được làm từ kim loại hợp kim khó nóng chảy và giúp làm bay hơi kim loại có
nhiệt độ nóng chảy thấp hơn.
- Bốc bay chùm điện tử: Dùng điện tử có năng lượng lớn đập vào bề mặt vật liệu, làm nguyên tử
bề mặt vật liệu bức ra và bay lên đế.
- Xung laser (PLD): Dùng chùm laser có bước sóng ngắn, năng lượng lớn chiếu vào bề mặt vật
liệu làm nhiệt độ bề mặt tăng cao, làm nguyên tử bức ra và bay lên đế.
. Tần số 50Hz
. λ = 248nm
. Thời gian giữa hai xung: 25ns
. Mật độ công suất: j = 2,4.108 W/cm2
. Diện tích bức xạ: δA = 0,1cm2

Câu 13: Phương pháp phún xạ là gì? Phân loại đầy đủ các phương pháp phún xạ mà em biết. Kể tên
các phương pháp bay hơi theo thứ tự phát triển dần về mặt công nghệ. Tại sao phún xạ magnetron có
thể làm tăng hiệu suất phún xạ so với phún xạ thường?
Trả lời:
- Phún xạ là phương pháp phủ màng bằng cách sử dụng các ion có năng lượng cao bắn phá, truyền
động năng cho các nguyên tử, phân tử bề mặt vật liệu để bứt chúng ra. Các nguyên tử, phân tử này sau
đó di chuyển đến đế, lắng đọng thành màng.
- Phân loại phún xạ:
 8

Phún xạ gồm:
1) Phún xạ thường: gồm DC và RF, phản ứng và không phản ứng
+ Phún xạ DC: sử dụng nguồn DC tạo môi trường plasma
+ Phún xạ RF: dùng điện trường dao động có tần số nhất định để tạo môi trường plasma
+ Phún xạ phản ứng: khí đưa vào phản ứng với vật liệu, tạo màng hợp chất từ bia đơn
chất.
+ Phún xạ không phản ứng: khí đưa vào chỉ có Ar, tạo màng từ vật liệu nguồn.
2) Phún xạ magnetron: sử dụng từ trường để định hướng phún xạ
+ Magnetron cân bằng: tập trung electron ở gần bề mặt nguồn, không làm nóng đế.
+ Magnetron không cân bằng: điện tử tập trung một phần ở gần nguồn, một phần trên đế,
làm nóng đế, giúp vật liệu kết tinh tốt hơn khi lắng đọng.
3) Ion beam: sử dụng năng lượng chùm ion bắn phá bề mặt làm nguyên tử bức ra khỏi bề mặt
bia.
- Các phương pháp bay hơi theo thứ tự phát triển dần về mặt công nghệ: Bay hơi nhiệt điện trở, Bay
hơi chùm điện tử (EB), Bay hơi bằng xung laser (PLD).
- Phún xạ magnetron có thể làm tăng hiệu suất phún xạ so với phún xạ thường:
Na
Hiệu suất phún xạ: γ =
Ni
Trong đó: Na là số phân tử hay nguyên tử phún xạ từ bề mặt bia; Ni là số ion đến bia
Na phụ thuộc Ni  Ni tăng sẽ làm tăng Na
Mà Ni lại phụ thuộc PAr (áp suất khí Ar)
Nếu tăng PAr thì xác suất ion hóa sẽ tăng  Ni tăng và do đó hiệu suất phún xạ sẽ tăng. Tuy
nhiên, khi PAr tăng sẽ xảy ra va chạm nhiều hơn, tức Na giảm  Hiệu suất phún xạ giảm
Nếu giảm PAr thì sẽ khó duy trì sự phóng điện, khó duy trì plasma nếu không tăng thế liên tục.
Trong phún xạ magnetron, người ta lắp đặt các bẫy từ khiến cho các electron chuyển động xoắn
(dạng đường cycloic) trong điện từ trường  Tăng quãng đường tự do trung bình của các electron 
Số electron sinh ra lớn hơn số electron bị mất đi ở anod. Do đó duy trì được plasma và PAr vẫn có thể
giảm được, từ đó giúp tăng hiệu suất phún xạ.

Câu 14: Trong phương pháp PLD (Pulse Laser Deposition), nguồn laser được sử dụng có những yêu
cầu như thế nào?
Trả lời:
Trong phương pháp PLD (Pulse Laser Deposition), nguồn laser được sử dụng có những yêu cầu:
+ Laser phải có bước sóng λ = 248nm vì ở bước sóng này có thể làm bay hơi hầu hết các loại vật
liệu.
+ Laser phải ở dạng xung (độ dài xung 25ns), điều này giúp vận tốc bay hơi gần bằng vận tốc
lắng đọng. Nếu dùng laser ở chế độ liên tục, vận tốc bay hơi sẽ lớn hơn vận tốc lắng đọng, sẽ tạo thành
những đám cụm nguyên tử, phân tử, dẫn đến màng không bền, dễ hỏng.
+ Diện tích bức xạ δA nhỏ, vào khoảng 0,1cm2 để cho độ hội tụ chùm tốt hơn.
+ Mật độ công suất j phải cao, j = 2,4.108W/cm2 để cho quá trình bay hơi diễn ra tuần tự.
+ Tần số 50Hz

Câu 15: Phương pháp bay hơi (bốc bay) là gì? Em hãy nêu các giải pháp để làm tăng độ đồng đều của
màng trong phương pháp bay hơi này? So sánh ưu và nhược điểm của phương pháp bay hơi nhiệt điện
trở so với phương pháp bay hơi chùm điện tử.
Trả lời:
 9

- Phương pháp bay hơi (bốc bay) là phương pháp tạo màng bằng cách cung cấp năng lượng nhiệt cho
vật liệu tạo màng bằng các cách khác nhau để làm hóa hơi các nguyên tử, phân tử vật liệu. Từ đó chúng
lắng đọng trên đế tạo thành màng.
- Các giải pháp để làm tăng độ đồng đều của màng trong phương pháp bay hơi:
+ Đặt đế trên chỏm cầu quay hay phủ màng trên đế có dạng cầu
+ Làm trên diện tích đế nhỏ
+ Bố trí nhiều nguồn để phủ màng
+ Tăng khoảng cách giữa bia và đế
- So sánh ưu và nhược điểm của phương pháp bay hơi nhiệt điện trở so với phương pháp bay hơi chùm
điện tử:
* Giống nhau:
- Bay hơi được nhiều hình dạng vật liệu (sợi, màng, lá, mạt cưa, bột,…).
- Cả hai phương pháp đều cho độ đồng đều màng như nhau vì bốc bay chùm điện tử thực
hiện trên đế nhỏ, bốc bay nhiệt điện trở thực hiện trên đế lớn.
* Khác nhau:
Bay hơi nhiệt điện trở Bay hơi chùm điện tử
- Đơn giản về quy trình công nghệ - Phức tạp hơn
- Làm trên diện tích đế lớn và nhỏ - Làm trên diện tích đế nhỏ
- Không thể thực hiện được với những vật liệu có - Thực hiện được với tất cả vật liệu nóng chảy
nhiệt độ nóng chảy cao hơn thuyền được
- Khó điều khiển lượng bay hơi, khó kiểm soát độ - Có thể điều khiển được lượng bay hơi và độ dày
dày màng màng
- Độ bám dính của màng kém - Độ bám dính tốt hơn

Câu 16: Nêu chức năng của các bộ phận chính trong súng điện tử. Súng điện tử được sử dụng như thế
nào trong phương pháp chế tạo màng? Giải thích.
Trả lời:
- Súng điện tử có các bộ phận chính là:
+ Sợi đốt: phát xạ điện tử bằng nhiệt
+ Biến trở: giúp thay đổi dòng điện, từ đó thay đổi cường độ chùm electron và tạo ra không gian
từ trường để định hướng chùm electron
+ Điện cực Wehnelt: định hướng cho điện tử đi đúng đường, độ tập trung cao hơn
+ Điện cực phân thế: gia tốc điện tử để điện tử ra ngoài có năng lượng lớn.
- Trong phương pháp chế tạo màng, súng điện tử có hai chức năng:
+ Làm bay hơi các nguyên tử vật liệu bằng cách cung cấp nhiệt thông qua va chạm giữa chùm
điện tử và bề mặt vật liệu.
+ Cung cấp năng lượng cho hơi nguyên tử kết tinh trên đế.