Bài Giảng Kỹ Thuật Điện Tử ET2010- C2- Version 3 - Gửi Sinh Viên

BÀI GIẢNG HỌC PHẦN
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
C2
3/31/2023 1
TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. Nguyen Tien Dung et al., “Fundamental of Electro-Electronics Circuits”,

2012
2. Albert Malvino, David Bates “Electronic Principles”, Eighth Edition.
Published by McGraw-Hill Education, 2016
3. Thomas L. Floyd, David L.Buchla “Electronics Fundamentals Circuits,
Devices and Applications”, Eighth Edition. Pearson Education Limited
2014.
4. Robert Boylestad, Louis Nashelsky, “Electronic Devices and circuit
theory”. Eleventh Edition. Copyright  by Pearson Education, Inc 2013
5. Thomas L. Floyd “Electronic Devices” Conventional Current version.
Tenth Edition. Published by Pearson Education  2018.
6. Donald P. Leach, Albert Paul Malvino, “Digital Principles and
Applications”. Printed in the United States of America.
3/31/2023 2
TÀI LIỆU THAM KHẢO
7. Ronald J.Tocci and Neal S.Widmer “Digital Systems Principles and

Applications”. Prentice hall, Eighth Edition.
8. www.ti.com
9. https://www.physics-and-radio-electronics.com
10. https://www.electronics-notes.com
11. https://circuitglobe.com
12. http://www.circuitstoday.com/
13. http://www.resistorguide.com/varistor/
14. https://www.electronicshub.org
15. https://www.electronics-tutorials.ws/dccircuits/voltage-source.html
3/31/2023 3
CHƯƠNG 2. CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ
2.1. Diode bán dẫn

2.1.1. Những tính chất cơ bản của vật liệu bán dẫn
- Vật liệu bán dẫn: Là những vật chất ở thể rắn, có thể là kết tinh hoặc vô
định hình; tinh khiết hoặc hỗn hợp; đơn chất hoặc hợp chất.
+ Loại đơn chất: Silicon (Si), Germanium (Ge), antimony (Sb), arsenic
(As), astatine (At), boron (B)
Ghi chú:
Si là vật liệu bán dẫn được dùng phổ biến nhất rồi đến Ge
+ Loại hợp chất: gallium arsenide, indium phosphide, gallium nitride,
silicon carbide.
- Điện trở suất: (cm)
Là thông số để đánh giá độ dẫn điện của vật liệu trong đơn vị cm khối
3/31/2023 4
2.1. Diode bán dẫn R
A = 1cm2 l = 1cm
Bảng các giá trị điện trở suất của một số vật liệu điển hình
Chất dẫn Chất bán dẫn Chất cách điện
3/31/2023 5

2.1.2. Chất bán dẫn thuần (I), bán dẫn loại N, bán dẫn loại P
* Chất bán dẫn thuần (bán dẫn loại I- Intrinsic semiconductor): Si, Ge
+ Vật liệu bán dẫn ở trạng thái thuần túy (chưa pha tạp chất) được coi
là chất dẫn kém.
+ Sự gia tăng nhiệt độ của chất bán dẫn có thể dẫn đến sự gia tăng
đáng kể số lượng electron tự do.
Lỗ trống và Electron:
Một tinh thể Si thuần túy ở nhiệt độ phòng có đủ năng lượng nhiệt cho
một số electron hóa trị để nhảy từ vùng hóa trị qua vùng cấm lên vùng
dẫn trở thành các Electron tự do (Free electron). Các Electron tự do
này được gọi là Electron dẫn.
3/31/2023 6
a) Biểu đồ năng lượng b) Sơ đồ liên kết

Khi một electron nhảy lên vùng dẫn, nó để lại khoảng trống ở trong vùng hóa trị.
Khoảng trống này gọi là lỗ trống (hole). Đó là quá trình tạo ra cặp electron – hole.
Sự tái hợp xảy ra khi 01 electron ở vùng dẫn mất năng lượng và rơi trở lại vào một
lỗ trống trong vùng hóa trị.
3/31/2023 7

Đối với bán dẫn Si thuần ở nhiệt độ phòng, số lượng electron tự do
trong vùng dẫn không liên kết với bất kỳ nguyên tử nào và trôi ngẫu
nhiên trong vật liệu. Nồng độ lỗ trống = nồng độ electron tự do.
* Chất bán dẫn loại N/ bán dẫn Donor (Bán dẫn tạp chất cho điện tử)
+ Cách tạo ra: Pha trộn nguyên tử tạp chất có 5 electron hóa trị ở lớp
ngoài cùng (hóa trị +5) vào chất bán dẫn thuần là Si hoặc Ge để tăng số
lượng e trong vùng dẫn của chất bán dẫn thuần. Một số nguyên tử có 5
electron hóa trị ở lớp ngoài cùng là: As (Arsenic), Sb (antimony), P
(phospho),…
3/31/2023 8
Tạp chất antimony (Sb) trong bán dẫn loại n

3/31/2023 9

+ Hạt dẫn đa số và thiểu số trong chất bán dẫn tạp chất cho (Bán
dẫn tạp chất loại N)
Trong bán dẫn tạp chất loại N: Các Electron tự do là hạt dẫn đa số,
các lỗ trống (holes) là hạt dẫn thiểu số.
Ion tạp chất cho

hạt dẫn đa số
(Electron tự do)
hạt dẫn thiểu số

(lỗ trống)
Bán dẫn tạp chất loại N

3/31/2023 10

* Chất bán dẫn loại P/ Bán dẫn loại Acceptor (Bán dẫn tạp chất nhận
điện tử)
+ Cách tạo ra: Pha trộn nguyên tử
tạp chất có 3 electron hóa trị ở lớp
ngoài cùng (hóa trị +3) vào chất
bán dẫn thuần là Si hoặc Ge. Một
số nguyên tử có 3 electron hóa trị
ở lớp ngoài cùng là: B (Boron), In
(Indium), Ga (Gallium).
3/31/2023
Tạp chất Boron (B) trong bán dẫn loại P 11

+ Hạt dẫn đa số và thiểu số trong chất bán dẫn tạp chất loại P (bán
dẫn tạp chất nhận)
Trong bán dẫn tạp chất loại P: Các lỗ trống là hạt dẫn đa số, các
electron tự do là hạt dẫn thiểu số.
Ion tạp chất nhận
hạt dẫn đa số
(lỗ trống)
hạt dẫn thiểu số
Bán dẫn tạp chất loại P (Electron tự do)
3/31/2023 12
2.1.2. Cấu tạo và nguyên lý làm việc của Diode bán dẫn
Depletion region:
vùng nghèo hạt dẫn
* Cấu tạo:
- Được chế tạo từ Si hoặc Ge
A K
+ -
- Gồm 2 miền bán dẫn p,n ghép lại với P N

Tiếp xúc PN
nhau theo quy trình chế tạo bán dẫn.
- Có 2 cực: Anode (A)/ cực (+) , Cathode (K)/ cực (-)
3/31/2023 13

* Ký hiệu:
* Hình ảnh thực tế:
3/31/2023 14

IS
Imajority ID = Imajority - IS
* Nguyên lý làm việc
A K
(1) Tiếp xúc PN (Diode
bán dẫn) phân cực
thuận.
+
Trong đó: ID – dòng điện chạy Tiếp xúc PN

qua Diode;
Imajority: Dòng điện do hạt đa số
tạo nên U
IS: Dòng điện do hạt thiểu số tạo nên
Cực (+) của điện áp U đặt vào cực A của Diode (bán dẫn loại P); Cực
(-) của điện áp U đặt vào cực K của Diode (bán dẫn loại N);
3/31/2023 15

Khi đó, các e trong bán dẫn loại N và các lỗ trống trong bán dẫn loại
P tái hợp với các ion tạp chất ở gần tiếp xúc và làm giảm độ rộng
vùng tiếp xúc.
+ Kết quả là dòng của các hạt thiểu số (e) từ bán dẫn loại P chuyển
động sang bán dẫn loại N (và các lỗ trống từ bán dẫn loại N sang bán
dẫn loại P) không thay đổi về độ lớn (vì mức dẫn được điều khiển
chủ yếu bởi số lượng giới hạn tạp chất trong bán dẫn).
Nhưng do độ rộng của vùng tiếp xúc giảm dẫn tới dòng của hạt đa số
rất lớn.
+ Khi điện áp đặt vào tiếp xúc tăng lên thì độ rộng của vùng tiếp xúc
càng giảm cho đến khi dòng của các electron vượt qua tiếp xúc dễ
dàng, dẫn tới sự gia tăng theo hàm mũ của dòng điện.
3/31/2023 16

(2) Tiếp xúc PN (Diode
bán dẫn) phân cực ngược.
A K
IS: Dòng điện do hạt thiểu số tạo nên +
Tiếp xúc PN
U
Cực (+) của điện áp U đặt vào cực K của Diode (bán dẫn loại N);
Cực (-) của điện áp U đặt vào cực A của Diode (bán dẫn loại P);
3/31/2023 17

Khi đó, số lượng các ion dương trong vùng nghèo hạt dẫn của bán
dẫn loại n sẽ gia tăng vì số lượng lớn các e tự do bị hút về phía cực
(+) của nguồn điện áp U.
Tương tự, số lượng các ion âm trong vùng nghèo hạt dẫn của bán dẫn
loại P sẽ gia tăng vì số lượng lớn các lỗ trống bị hút về phía cực (-)
của nguồn điện áp U.
Kết quả là độ rộng vùng nghèo hạt dẫn (vùng tiếp xúc) mở rộng ra.
Vấn đề này rạo ra một hàng rào thế năng rất lớn nên rất khó để các
hạt dẫn đa số vượt qua.
Do vậy, dòng của các hạt đa số bị triệt tiêu (Imajority  0A)
Số lượng các hạt thiểu số đi vào vùng nghèo hạt dẫn không đổi nên
dòng điện do chúng tạo ra không tăng về độ lớn.
3/31/2023 18

Dòng điện tồn tại trong trường hợp phân cực ngược cho tiếp xúc pn
gọi là dòng điện ngược bão hòa, ký hiệu là IS
Dòng điện ngược bão hòa hiếm khi > vài A, thường là nA ngoại trừ
Diode làm việc với công suất cao.
Thuật ngữ “bão hòa” xuất phát từ thực tế là nó đạt đến mức cực đại
nhanh chóng và không thay đổi đáng kể với sự gia tăng về điện thế
phân cực ngược
3/31/2023 19

Tóm lại: A K
 A K
+ Phân cực ngược: E
+
-
Diode khóa (không dẫn điện): IS, Ungược  E, rngược vô cùng lớn
+ Phân cực thuận A
K
A K
 + -
E UD rD
+ -
Diode dẫn điện (thông): ID > 0, UD > 0, rD vài chục  vài trăm 
UD = 0.7V đối với Diode được chế tạo từ Si;
UD = 0.3V đối với Diode được chế tạo từ Ge;
Nhận xét: Diode bán dẫn có tính chất chỉnh lưu (van),
3/31/2023 chỉ dẫn điện theo một chiều 20

2.1.3. Đặc tuyến Volt - ampe
3/31/2023 21

2.1.4. Các ứng dụng của Diode
 Chỉnh lưu
 Hạn chế điện áp
 Dịch mức điện áp
 Chỉnh lưu 1/2 chu kỳ

Transformer
output voltage Half wave
rectified voltage Filtered voltage Regulated voltage
220V, 50Hz
Sơ đồ khối đầy đủ của mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ

3/31/2023 22

Sơ đồ mạch nguyên lý chỉnh lưu 1/2 chu kỳ
Giải thích một số từ ngữ:
Npri NSec
(Có thể được dùng cho các
phần sau)
Vpri Vpri Vsec RL  V được hiểu là điện áp
Thay cho ký hiệu U
 (Pri) Primary: Sơ cấp
 (sec) Secondary: Thứ cấp
Hoặc  N: Số vòng dây quấn xung
quanh lõi của biến áp
Vin (Vsec)  (L) Load: Tải
 RL điện trở tải
3/31/2023 23

Nguyên lý làm việc của mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ
Vin
Vout
Vđỉnh
Vđỉnh
Vin = Vđỉnhsint P: Peak (Đỉnh)
+ Với 1/2 chu kỳ (+) của Vin:

Diode phân cực thuận (dẫn điện)  có dòng I chạy qua Diode  có
điện áp ra
3/31/2023 24

Nguyên lý làm việc của mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ
+ Với 1/2 chu kỳ (-) của Vin: (từ T/2 – T)
Vin
Vđỉnh
Vin RLL Vout
Vin = Vđỉnhsint
Vout
Vout = 0V
Vin RRLL Vout = 0V
3/31/2023 25

Diode phân cực ngược (khóa)  không có dòng I chạy qua Diode
 Không có điện áp đầu ra:
Vout = 0 V
Tính toán một vài thông số của mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ
Điện áp một chiều (giá trị điện áp trung bình) đầu ra:
Vdc = VAVR = Vout,đỉnh/  0.318Vout,đỉnh ;
Vout,đỉnh = Vin, đỉnh – VD với Diode thực tế (VD > 0)
với Diode lý tưởng (VD = 0) thì Vout,đỉnh = Vin, đỉnh
Điện áp ngược ngược đỉnh đặt vào Diode (PIV- Peak Inverse Voltage):
PIV = Vin, đỉnh
3/31/2023 26

Vin
Vin đỉnh
Vout
Vout đỉnh
Vdc = 0.318 (Vout đỉnh)
3/31/2023 27

Ví dụ 2.1
Cho diode được làm từ Si ứng dụng trong sơ đồ mạch như hình vẽ
sau:
Vin = 20sint (V);
1/ Nêu tên và chức năng của mạch?
2/ Vẽ dạng tín hiệu Vout (t) theo Vin (t)? Vin Vout
3/ Xác định điện áp Vout và điện áp trung
bình đầu ra của mạch VAVR (Vdc)?
3/31/2023 28

 Chỉnh lưu cả chu kỳ
 Chỉnh lưu 2 nửa (cả) chu kỳ dùng 2 Diode, biến áp có điểm giữa.
Vin Vout
Sơ đồ khối tổng quát của mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
3/31/2023 29

Sơ đồ mạch nguyên lý chỉnh lưu cả chu kỳ dùng 2 Diode, biến áp có điểm giữa
Npri : Nsec
Trong đó:
Vsec 1
Vp(pri) Vsec1 = Vsec2 = ½ Điện áp thứ cấp
-Vsec1 Vout
Vsec2
-Vp(pri) RL
-Vsec2
Nếu gọi điện áp thứ cấp là Vsec
thì: Vsec1 = Vsec2 = ½ Vsec

Hoặc 1:2
Vin
+Vin,đỉnh Vsec1 Vsec1 ngược pha với Vsec2
RL
Vin
Vout
-Vin,đỉnh Vsec2
3/31/2023 30

Nguyên lý làm việc của mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
Vin Vout
RL
Diode D1 phân cực thuận (dẫn điện)  có dòng I chạy qua D1  có điện áp
ra
Diode D2 phân cực ngược (khóa)  không có dòng I chạy qua D2  Không
có điện áp ra
3/31/2023 31

Nguyên lý làm việc của mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
+ Với 1/2 chu kỳ (-) của Vin:
Vin Vout
RL
Diode D2 phân cực thuận (dẫn điện)  có dòng I chạy qua D2  có điện áp
ra
Diode D1 phân cực ngược (khóa)  không có dòng I chạy qua D1  Không
có điện áp ra
3/31/2023 32

Tính toán một vài thông số của mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
Vdc = VAVR = (2 /).Vout,đỉnh  0.636Vout,đỉnh
Vout,đỉnh = V(sec1)đỉnh – VD với Diode thực tế (VD > 0)
với Diode lý tưởng (VD = 0) thì Vout,đỉnh = V(sec1)đỉnh
Npri
1:2: Nsec Vsec1 = Vsec2 = ½ Vsec
Vsec1
V(sec1)đỉnh – VD
Vp(pri)
- Vsec1 Vout,đỉnh
Vsec2
-Vp(pri) RL
- Vsec2
3/31/2023 33

Điện áp ngược ngược đỉnh đặt vào mỗi Diode (PIV- Peak Inverse Voltage):
PIV = 2Vout,đỉnh + 0.7
 Chỉnh lưu 2 nửa (cả) chu kỳ dùng cầu Diode.

Cầu diode:
Sơ đồ cầu Diode Ký hiệu cầu Diode
3/31/2023 34
Vin Vout
Sơ đồ khối tổng quát của mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
3/31/2023 35

Sơ đồ mạch nguyên lý chỉnh lưu cả chu kỳ dùng cầu Diode
+
D1 D2
Vin
D3 Vout
-
Hoặc
Vin
Vin đỉnh - Vout +
Vin
RL
3/31/2023 36

Nguyên lý làm việc của mạch chỉnh lưu cả chu kỳ dùng cầu diode
Vin Vout
Vin đỉnh Vout đỉnh

Vout
Vin  Vin
Vout
Diode D2 -D3 phân cực thuận (dẫn điện)  có dòng I chạy qua D2, qua R 
có điện áp ra
Diode D1-D4 phân cực ngược (khóa)  không có dòng I chạy qua chúng 
Không có điện áp ra
3/31/2023 37

+ Với 1/2 chu kỳ (-) của Vin:
Vin Vout
Vout đỉnh
Vout
Vin
RL
VinP đỉnh
V
Diode D1 –D4 phân cực thuận (dẫn điện)  có dòng I chạy qua D4, qua R
 có điện áp ra
Diode D2-D3 phân cực ngược (khóa)  không có dòng I chạy qua chúng 
Không có điện áp ra
3/31/2023 38

Tính toán một vài thông số của mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
Vdc = VAVR = (2/).Vin,đỉnh  0.636Vin,đỉnh với VD = 0 (Diode lý tưởng)
Vdc = VAVR = (2/).(Vin,đỉnh - 2.VD)  0.636(Vin,đỉnh - 2.VD) {thực tế}
Vout
Vin
V
VinP đỉnh
Vdc = 0.636 (Vin đỉnh - 2.VD)
Vout
VD
Vin,đỉnh– 2VD
Vout
Vin
VD
3/31/2023 39

Điện áp thứ cấp Vsec là điện áp vào Vin

0V mạch chỉnh lưu cầu diode:
PIV Vsec  Vin  Vp(sec)  Vin, đỉnh

Vp(pri) Vp(sec)
0V Với Diode lý tưởng, VD = 0V
Vout,đỉnh
PIV
PIV = Vout,đỉnh
Với Diode thực tế: 0.7V
PIV = Vout,đỉnh + VD Vp(pri) Vp(sec)

PIV
Vout,đỉnh
0.7V PIV
3/31/2023 40

Một số hình ảnh của cầu Diode
3/31/2023 41

Tác dụng của tụ điện đối với mạch chỉnh lưu:
Tụ điện có tác dụng lọc (Filt) thành phần (điện áp) xoay chiều trong mạch chỉnh
lưu
Vin
Mạch chỉnh lưu không có bộ lọc
Vin Vout
3/31/2023
Mạch chỉnh lưu có bộ lọc 42

Vp(in)
Vp(in)- VD
V(in) VC
Khi diode phân cực thuận, tụ nạp điện áp: VC = Vp(in)- VD
3/31/2023 43

V(in) RL
Khi diode phân cực ngược, tụ phóng điện áp qua RL

V(in) exceeds
VC
V(in) RL
3/31/2023 44

Điện áp gợn (Riplpe voltage)
(a) Half wave
(b) Full wave
3/31/2023 45

Điện áp một chiều sau khi lọc thành phần xoay chiều:
Vr(pp)
Vp(rect) V
DC
Trong đó:
Vp(rect): Điện áp đỉnh sau chỉnh lưu chưa được lọc
VDC: Điện áp một chiều
(1)
Vr(PP): Điện áp gợn đỉnh – đỉnh
(2)
Hệ số gợn (Độ gợn) – r: (3)
3/31/2023 46
2.1. Diode bán dẫn UD

Bài tập áp dụng:
Bài tập 1: ID
E R UR
Cho diode được chế tạo từ Si được dùng
trong mạch điện như hình bên.
Với các số liệu như trong hình vẽ và
điện trở trong của Diode rD = 42.16.
Hãy xác định ID và UR?
Bài tập 2:
Giống như bài tập 1, nhưng điện trở trong của Diode rD = 0.
Hãy xác định ID và UR?
3/31/2023 47

Hướng dẫn
Bài tập 1:
rD
UR = E – ID.rD = 10 – 18.5mA x 42.16 = 9.22 V
Bài tập 2: 𝑬 𝟏𝟎𝑽

ID = = = 𝟐𝟎𝟎𝒎𝑨
𝑹 𝟓𝟎𝟎𝛀
UR = E – ID. 0 = 10 – 0 = 10 V
3/31/2023 48
2.1. Diode bán dẫn UD

Bài tập 3:

UR
Với các số liệu như trong hình vẽ.
Hãy xác định UD, UR, và ID?
Bài tập 4:
Giống như bài tập 3 nhưng đổi chiều của Diode. Hãy xác định UD, UR, và ID?
Bài tập 5:

trong mạch điện như hình bên. UD
Với các số liệu như trong hình vẽ.

UR
Hãy xác định UD, UR, và ID?
3/31/2023 49

UD
Hướng dẫn
UR UD
Bài tập 3:
UR
ID
Bài tập 4:
UD
UR = 0 V
UD = E – UR = 8 – 0 = 8V . Đây là điện áp UR
ngược đặt vào Diode trong trường hợp này
ID = 0 A
Bài tập 5:
UD
UR
UD UR= 0V
3/31/2023 50

Bài tập 6:
Cho diode được chế tạo từ Si được dùng V(in) Vout
Với Vin = 20sint (V); R = 2K
1/Hãy vẽ dạng tín hiệu Vout?
2/ Xác định mức điện áp trung bình (mức dc) ở đầu ra của mạch?
3/ Xác định điện áp ngược đặt vào Diode?
Bài tập 7:
Cho diode được chế tạo từ Si được dùng trong
Vout
mạch điện như hình bên. V(in)
Với Vin = 20sint (V); R = 2K
1/Hãy xác định Vp(out) và vẽ dạng tín hiệu này?
3/31/2023 51
2.1. Diode bán dẫn 2:1 D1

Bài tập 8: +100V
Vout
Cho mạch chỉnh lưu như hình vẽ V
p(pri)
bên, diode được chế tạo từ Si. -100V D2
RL
Với số liệu như trong hình vẽ, và

RL = 10K
1/Hãy xác định Vp(out) và vẽ dạng tín hiệu này?
3/ Xác định điện áp ngược đặt vào mỗi Diode?
3/31/2023 52

Bài tập 9:
Cho mạch chỉnh lưu Vp(pri)
như hình vẽ bên, 120Vac Vp(sec)
diode được chế tạo
RL
từ Si. 10K
Vout
Với số liệu như
trong hình vẽ,
và điện áp hiệu dụng ở cuộn thứ cấp là 12V
1/Hãy xác định Vout,đỉnh và vẽ dạng tín hiệu này?
3/31/2023 53
2.1. Diode bán dẫn 10:1

Bài tập 10:
Cho mạch chỉnh lưu
như hình vẽ bên, 120 V rms
Vout
Vp(pri) Vp(sec)
diode được chế tạo 60Hz RL
từ Si. 1000F 220
Với số liệu như
trong hình vẽ,
Xác định giá trị điện áp dc ở đầu ra của mạch theo giá trị của tụ C?
3/31/2023 54
2.1. Diode bán dẫn Vout

Hướng dẫn
Bài tập 6:
1/Hãy vẽ dạng tín hiệu Vout? -19.3V
Vdc = VAVR = - 0.318(Vin,đỉnh – 0.7) = - 0.318(19.3) = -6.14 V

PIV = Vin,đỉnh = 20 V
3/31/2023 55

Hướng dẫn
Bài tập 7:
1/Hãy xác định Vout,đỉnh và vẽ dạng tín hiệu này? Vout
Vout,đỉnh = Vin,đỉnh – 0.7 = 20 – 0.7 = 19.3 (V) 19.3V
t
2/ Xác định mức điện áp trung bình (mức dc)

ở đầu ra của mạch?
Vdc = VAVR = 0.318(Vin,đỉnh – 0.7) = 0.318(19.3) = 6.14 V
PIV = Vin,đỉnh = 20 V
3/31/2023 56

Hướng dẫn
Bài tập 8:
Vp(pri) = 100 (V)
𝑛2 24,3V
Vp(sec) = Vp(pri) = 0,5 x 100 = 50 (V)
𝑛1
t
Vout,đỉnh= Vp(sec) /2 – 0,7 = 24,3 (V)
2/ Xác định mức điện áp trung bình (mức dc)

ở đầu ra của mạch?
Vdc = VAVR = (2 /).Vout,đỉnh  0,636 x 24,3  15,5 V
PIV = 2Vout,đỉnh + VD = 2 x 24,3 + 0,7 = 49.3 V
3/31/2023 57

Hướng dẫn
Bài tập 9:

Vp(sec) = 2 𝑥 12 = 17 (V)
15,6V
Vout,đỉnh = Vp(sec) – 1,4 V = 17 – 1,4 = 15,6 (V)
t
Vdc = VAVR = (2/). Vout,đỉnh  0,636 x 15,6  9,9 V

PIV = Vout,đỉnh + VD = 15.6 + 0.7 = 16.3 V
3/31/2023 58

Hướng dẫn
Bài tập 10: Vp(pri) = 2 𝑥 120 = 170 (V)
𝑛
Vp(sec) = 2 Vp(pri) = 0.1 x 170 = 17 (V)
𝑛1
Giá trị điện áp dc ở đầu ra của mạch tính theo giá trị của tụ:
1
VDC(out) = 1 − Vp(rect)
2𝑓𝑅𝐿 𝐶
Vp(rect) = Vp(sec) – 1.4V = 17 – 1.4 = 15.6V

Tần số của điện áp chỉnh lưu cả chu kỳ là 2 x 60Hz = 120Hz
1 1
VDC(out) = 1 − = 1− x 15.6 = 15.3 V
2𝑓𝑅𝐿 𝐶 2𝑥120 (220Ω)(1000𝜇𝐹)
3/31/2023 59

Mạch chỉnh lưu bội áp (mạch nhân áp với hệ số là 2)
 Mạch chỉnh lưu bội áp nửa chu kỳ
Vp là điện áp đỉnh của điện áp Vp – 0.7V
thứ cấp
+ Với ½ chu kỳ (+) của Vin Vp
điện áp thứ cấp: thì D1
phân cực thuận, D2 phân
cực ngược, tụ C1 nạp điện
áp thứ cấp tới giá trị đỉnh
Vp (nếu Diode lý tưởng) và Vp – 0.7 (nếu diode thực tế)
+ Khi tụ C1 chưa kịp phóng điện áp thì điện áp thứ cấp chuyển sang ½ chu
kỳ âm. Lúc này sơ đồ mạch có dạng sau:
3/31/2023 60

Lúc này D2 phân cực thuận,
D1 phân cực ngược; lúc này
2Vp
tụ C2 nạp giá trị điện áp đỉnh
từ cuộn thứ cấp cộng với -Vp
điện áp trên tụ C1.

Vậy theo định luật Kirchhoff về điện áp vòng ta có:
Tín hiệu ra là ½ chu kỳ,
VC1 – VC2 + Vp = 0 độ lớn là 2Vp
 VC2 = Vp + VC1
Bỏ qua điện áp rơi trên D2 (coi D2 lý tưởng), VC1 = Vp ta có:
VC2 = Vp + Vp = 2Vp
3/31/2023 61
PIV = 2Vp

 Mạch chỉnh lưu bội áp cả chu kỳ
Vp là điện áp đỉnh của điện áp
Vp
thứ cấp
Vp
+ Với ½ chu kỳ (+) của điện áp thứ
cấp: thì D1 phân cực thuận, D2 phân
cực ngược, tụ C1 nạp điện áp thứ
cấp tới giá trị đỉnh Vp (nếu Diode lý
tưởng)
3/31/2023 62

 Mạch chỉnh lưu bội áp cả chu kỳ
Vp là điện áp đỉnh của điện áp
thứ cấp
Vp
+ Với ½ chu kỳ (-) của điện áp thứ -Vp
cấp: thì D1 phân cực ngược, D2 phân 2Vp
cực thuận, tụ C2 nạp điện áp thứ cấp Vp

tới giá trị đỉnh Vp (nếu Diode lý
tưởng)
Vậy với cả chu kỳ của điện áp thứ cấp thì đầu ra của mạch chỉnh lưu bội lúc
này là: Vout = 2Vp
3/31/2023 63
PIV = 2Vp

 Hạn chế biên độ điện áp
 Hạn chế biên độ điện áp đơn giản
 Mắc nối tiếp
Vin
Vout
Vp(in)
Vin Vout
-Vp(in) - Vp(out)
Với Diode lý tưởng
(VD = 0 V)
Vout
Vp(out)
Vin Vout
3/31/2023 64

 Hạn chế biên độ điện áp
 Hạn chế biên độ điện áp đơn giản
 Mắc song song Vin Vout
Vp(in)
Vin Vout
-Vp(in) - Vp(out)
Với Diode lý tưởng Vout

(VD = 0 V) Vp(out)
Vin Vout
3/31/2023 65

 Hạn chế biên độ điện áp với điện áp cung cấp DC
 Mắc nối tiếp Vin
Vout
Vp(in)
V: là điện áp Vin (Vp(in) - V)
Vout
cung cấp dc
-Vp(in)
+ Với ½ chu kỳ (+) của Vin (Vin > V): thì Diode dẫn do phân cực thuận
 Vout = Vp(in) – V – 0.7V , nếu Diode thực tế
 Vout = Vp(in) – V, nếu Diode lý tưởng.
+ Với ½ chu kỳ (-) của Vin (Vin < V): thì Diode khóa (off) do phân cực ngược
Vout = 0 V
3/31/2023 66

 Hạn chế biên độ điện áp với điện áp cung cấp DC
Vout
Vp(in)
V: là điện áp Vin Vout
cung cấp dc
-Vp(in)
- (Vp(in) + V)
3/31/2023 67

 Hạn chế biên độ điện áp với điện áp ngưỡng DC
Vout
Vp(in)
Vin Vout
V: là điện áp
cung cấp dc -Vp(in) - (Vp(in) - V)
Với Diode lý tưởng

(VD = 0 V) Vin Vout
Vp(in)
(Vp(in) + V)
Vin Vout
-Vp(in)
3/31/2023 68

 Mắc song song Vin Vout
= V; Với VD = 0V
Vp(in) = V + 0.7
Với Diode thực tế
Vin Vout
-Vp(in) -Vp(in)
Vout
Vp(in)
Vin Vout
= - V; Với VD = 0V
= - V - 0.7
3/31/2023 69

 Mắc song song
Vin Vout
= - V, Với VD = 0V
Vp(in) = - V + 0.7
Vin Vout Với Diode thực tế
-Vp(in) -Vp(in)
Vout
Vp(in)
Vin Vout
= V, Với VD = 0V
= V - 0.7
3/31/2023 Với Diode70thực tế

 Mắc song song
= V1 Với VD = 0V
= V1 + 0.7
Vin Vout
Vp(in)
Vin Vout
-Vp(in)
= - V2 Với VD = 0V
= - V2 + (- 0,7)
3/31/2023 71
2.1. Diode bán dẫn A

Bài tập 10:
Vin Vout
Cho sơ đồ mạch điện tử

dùng 2 diode được chế tạo
từ Si như hình vẽ bên.
Hãy phân tích nguyên lý hoạt động của mạch và vẽ dạng tín hiệu ra Vout?
3/31/2023 72

Hướng dẫn
Bài tập 10:
Khi điện áp tại điểm A đạt đến giá trị +5.7V thì diode D1 dẫn và giới
hạn dạng tín hiệu vào ở +5.7V; D2 khóa cho đến khi điện áp tại điểm
A có giá trị - 5.7V. Do vậy, điện áp dương trên giá trị +5.7V và điện áp
âm dưới giá trị - 5.7V bị cắt.
Vout
3/31/2023 73

 Dịch mức điện áp (clamper)
Clamper là một mạch về cơ bản được xây dựng bởi 1 diode, một R, và
một C để dịch dạng song tín hiệu điện áp tới một mức DC khác mà
không làm thay đổi hình dạng của tín hiệu đưa vào.
 Mạch dịch mức âm Vout
Vin
+Vp(in)
Vin Vout
2Vp(in)
-Vp(in)
-2Vp(in)
+ Với ½ chu kỳ (+) của Vin (Vin < V): thì Diode dẫn do phân cực thuận;
kết quả là tụ C nạp điện áp tới giá trị +Vp(in) một cách nhanh chóng.
3/31/2023 74

Mạch đã cho tương đương với mạch bên: Vp(in)
Vout = 0 V, với Diode lý tưởng Vp(in) Vout
Vout = 0.7V , với Diode thực tế
+ Trong khi tụ C nạp tới giá trị +Vp(in) và giữ thì tín hiệu đầu vào chuyển sang ½
chu kỳ (-) của Vin: Diode khóa do phân cực ngược, lúc này ta có mạch tương đương
như sau:
Áp dụng định luật điện áp vòng của Kirchhoff:

- Vp(in) - Vp(in) - Vout = 0 - Vp(in) +
 Vout = -2Vp(in) Vp(in) Vout
3/31/2023 75
2.1. Diode bán dẫn Vin

Dạng tín hiệu điện áp ra: +Vp(in)
-Vp(in)
Vout
2Vp(in)
-2Vp(in)
3/31/2023 76

 Dịch mức điện áp (clamper)
 Mạch dịch mức dương
Vin Vout
+Vp(in) 2Vp(in)
Vin Vout 2Vp(in)
-Vp(in)
Với ½ chu kỳ (-) của Vin, ta có sơ đồ tương đương sau:

Khi đó Diode dẫn (phân cực thuận), tụ - +
C nạp giá trị điện áp tới giá trị điện áp - Vp(in)
đỉnh Vp(in) nếu Diode lý tưởng; và
- Vp(in) Vout
Vp(in) – 0.7 nếu Diode thực tế.
+
3/31/2023 77

+ Trong khi tụ C nạp tới giá trị Vp(in) và giữ thì tín hiệu đầu vào chuyển sang
½ chu kỳ (+) của Vin: Diode khóa do phân cực ngược,
Áp dụng định luật điện áp vòng của Kirchhoff:

Vp(in) + Vp(in) - Vout = 0
 Vout = 2Vp(in) Với Diode lý tưởng
3/31/2023 78

Bài tập 11:
Vin Vout
Cho sơ đồ mạch điện tử và số liệu như hình vẽ

trên.
1/Nêu tên và chức năng của mạch?
2/Hãy vẽ dạng tín hiệu Vvout?
3/31/2023 79
2.1.5. Diode Zener: Cấu tạo, ký hiệu, nguyên lý làm việc, đặc
tuyến, tham số, ví dụ ứng dụng
* Cấu tạo
- Diode Zener (Diode ổn áp) cũng có cấu tạo gồm 2 miền bán dẫn
p,n
- Được pha tạp chất mạnh để làm giảm điện áp đánh thủng.
- Thường được chế tạo từ Si
- Mạch ngoài luôn có điện trở hạn chế dòng ngược
- Có 2 cực: A(+) và K(-)
K(-)
* Ký hiệu DZ
A(+)
(hay dùng)
3/31/2023 80
Diode ổn áp (tiếp)
* Nguyên lý làm việc.
+ Phân cực thuận:
A
DZ
K  Diode ổn áp làm việc (giống như Diode
I bán dẫn khi được phân cực thuận
UDz = 0.7V
+
+ Phân cực ngược:

DZ Khi đặt điện áp ngược vào Diode ổn áp với dòng điện
A K
ngược IZ có giá trị trong khoảng:
IZ
- +
IZmin  IZ  IZ max thì DZ làm việc ở vùng ổn áp (vùng
E
zener) đây là vùng làm việc chính của DZ. Điện áp mà
3/31/2023 DZ ổn định được ký hiệu là UZ 81
* Đặc tuyến Vôn-ampe của Diode Zener

Ithuận (A)
Vùng phân
Vùng phân cực cực thuận
ngược bão hòa
UZ
IS Uthuận (v)
Ungược (v)
IZmin
Vùng Zener IZ0

(vùng ổn áp)
IZmax
Vùng đánh
thủng do nhiệt
Ingược
3/31/2023 82
(A)
* Các tham số cơ bản của Diode Zener
-UZ: Điện áp ổn định của DZ, có giá trị từ 1,8V 1000V

- IZmin: Dòng điện ngược tối thiểu, đủ để diode zener duy trì ở
chế độ Zener.
- IZmax: Dòng điện ngược tối đa cho phép Diode zener vẫn có thể
làm việc được ở chế độ ổn áp
- IZ0: Dòng danh định, ứng với ¼ công suất của DZ
IZ0 = (IZ,max + IZ,min)/2
- Rz: Điện trở tĩnh RZ = UZ/IZ
3/31/2023 83
rZ: Điện trở động
rZ càng nhỏ khi UZ càng ít biến đổi

- Z: Hệ số ổn định,
 Độ ổn định của Diode zener càng cao khi rZ rất nhỏ.

- PZmax: công suất tiêu thụ cực đại,
PZmax = IZmax UZ
- IS: Dòng ngược bão hòa ứng với điện áp ngược UR(Reverse)
3/31/2023 84
* Sơ đồ tương đương của Diode Zener UZ

Trường hợp lý tưởng (rZ = 0) Ungược (v)
K
K +
E 
+
UZ
-
A
A Đặc tuyến V-A
Ingược (A)
Sơ đồ tương đương
3/31/2023 85
UZ
Ungược
(v) IZmin
Trường hợp thực tế (rZ # 0)
K
K
 rZ
IZ
+
E
- + UZ
A
A
IZmax
Sơ đồ tương đương
Đặc tuyến V-A Ingược (A)
3/31/2023 86
* Mạch cơ bản của Diode Zener

+ Nếu rZ  0:
R Uz
Ura
+ UZ = E - IR= Ura
E
+ Nếu rZ # 0:
0 UZ = E - I(R+rZ) = Ura
 Thông thường coi rZ  0
3/31/2023 87
* Một số hình ảnh của Diode Zener

A
K
A
K
A
1000V, 50A
3/31/2023 88
* Ứng dụng phổ biến của Diode ổn áp

Diode ổn áp được ứng dụng phổ biến trong các mạch ổn áp rời
rạc hoặc trong mạch tích hợp (tổ hợp)
Ví dụ về diode ổn áp được ứng dụng trong mạch ổn áp rời rạc
R1 R Ura
Ura
R2 Dz
E E
Không có tải
đầu ra
Có tải đầu ra
(R2)
3/31/2023 89
IN OUT
Ví dụ về diode ổn
áp được ứng dụng
trong mạch ổn áp OUT IN
dạng tổ hợp GND

Diode GND
Zener Sơ đồ tương đương Dạng đóng vỏ
3/31/2023 90
2.2. Transistor tiếp xúc lưỡng cực (Bipolar Junction Transistor BJT)
2.2.1. Cấu tạo, ký hiệu
 Cấu tạo
C (Collector)
Collector – Base
Junction (JC)
Emitter – Base
Junction (JE)
pnp
npn E (Emitter)
nn (E) > nn (C) >> pp(B) Pp (E) > Pp (C) >> nn(B)
Trong đó: Pp là hạt dẫn đa số của miền bán dẫn tạp chất loại p; nn là hạt dẫn đa số
của miền bán dẫn tạp chất loại n
3/31/2023 91
2.2.1. Cấu tạo, ký hiệu
 Cấu tạo
- Gồm 3 miền bán dẫn p,n.

-2 tiếp giáp
- 3 cực: Emitter(E),
collector (C) và Base (B)
- Được chế tạo từ Si hoặc Ge
 Có 2 loại transistor: PNP, NPN
- Miền Base có độ dày mỏng nhất  nồng độ hạt dẫn thấp nhất
- Miền Emitter có độ dày trung bình  nồng độ hạt dẫn lớn nhất
- Miền collector có độ dày lớn nhất  nồng độ hạt dẫn trung bình
3/31/2023 92
 Ký hiệu C (Collector)
C
B
B
(Base)
E
pnp
E (Emitter)
Ký hiệu của BJT loại PNP
C (Collector)
C
B
E
npn E (Emitter) Ký hiệu của BJT loại NPN
3/31/2023
Ghi chú: Chiều của mũi tên thể hiện chiều của dòng điện ở cực Emitter 93
2.2.2. Nguyên lý làm việc
Xét sơ đồ tương đương đơn giản của BJT
Phụ thuộc vào cách phân cực thuận hay ngược của 2 tiếp giáp JE, JC
 BJT có 3 chế độ làm việc khác nhau.
JE phân cực thuận BJT làm việc ở vùng tích cực
JC phân cực ngược (Dùng để khuếch đại tín hiệu)
JE phân cực thuận BJT làm việc ở vùng bão hòa
JC phân cực thuận
3/31/2023 (Dùng trong chế độ chuyển mạch) 94
2.2.2. Nguyên lý làm việc
JE phân cực ngược BJT làm việc ở vùng cắt dòng
JC phân cực ngược
(Dùng trong chế độ chuyển mạch)
3/31/2023 95
Xét BJT loại pnp làm việc ở chế độ khuếch đại

(JE phân cực thuận; JC phân cực ngược)
+ - + -
JE JC
UBE UCB
P n P
P n P
JE và JC chưa phân cực
JE phân cực thuận: JC phân cực ngược:

Có hàng rào thế năng thấp hơn, Có hàng rào thế năng lớn hơn,
Độ rộng vùng nghèo hạt dẫn Độ rộng vùng nghèo hạt dẫn
3/31/2023 giảm đi tăng lên 96
IE IC
E C
B
IB
EE EC
IE IC
E C
IB
3/31/2023 97
B
 Chú ý:
Trong các phần tiếp theo của Chương này chúng ta chủ yếu lấy
ví dụ về BJT loại npn, về cơ bản là như nhau. Có một số vấn đề
thay đổi như sau:
+ Loại chất bán dẫn tạp chất thay đổi (p  n; n p)
+ Hạt dẫn đa số và thiểu số thay đổi (với BJT loại pnp: hạt
dẫn đa số là lỗ trống, hạt dẫn thiểu số là điện tử ; với BJT loại
npn: hạt dẫn đa số là điện tử, hạt dẫn thiểu số là lỗ trống)
+ Các cực tính của điện áp phân cực đảo ngược lại và chiều
của các dòng điện cũng ngược lại
3/31/2023 98
IE IC IE IC
E C E C
B B
IB IB
EE EC EE EC
IE IC
IE IC
E C
E C
IB IB
3/31/2023 99
B B
Mối quan hệ giữa các dòng IB, IC, IE và 2 hệ số truyền đạt dòng điện
, 
IE = IC + IB (1)
+ Hệ số truyền đạt dòng Emitter: 
IC

IE
dc  ac  1  IC  IE
+ Hệ số truyền đạt dòng collector: 
(hệ số khuếch đại dòng điện)
IC

IB
3/31/2023 100
dc   ac
IC = IB (2) thay vào (1): IE = IB ( +1)
Những quan hệ cần ghi nhớ:

 I E = I C + I B, IB << IE và IC
 IC = IB  IC   IE ;   1  IC  IE
 IE = IB ( +1)   =  / (1+ )
  =  / (1 - )
3/31/2023 101
2.2.3. Các dạng mắc mạch của BJT và các họ đặc tuyến tĩnh
 Dạng Base chung (Common base - CB)
IE IC IE E C IC
E C
UBE UCB UBE

B B UCB
EE EC EE EC
IB
IB
Dạng Base chung đối với BJT PNP Dạng Base chung đối với BJT NPN
* Mạch vào: IE - dòng điện đầu vào

UBE - điện áp đầu vào giữa cực B và cực E
 Khảo sát họ đặc tuyến tĩnh: IE = f(UBE) với những giá trị khác nhau
của UCB Chú ý: UBE = 0,7V (Si)
3/31/2023 102
= 0,3V (Ge)
Họ đặc tuyến vào:
Họ đặc tuyến vào IE = f(UBE) với những giá trị khác nhau của UCB
Ghí chú: với mạch CB thì hệ số KĐ điện áp KU = 50  400;
3/31/2023
hệ số khuếch đại dòng điện  1 (IC /IE = ;   1) 103
Mạch đầu ra: IC – dòng điện đầu ra
UCB – điện áp đầu ra
IC (mA) Vùng khuếch đại

 Khảo sát đặc tuyến (Active region
tĩnh: IC = f(UCB) với những
giá trị khác nhau của IE
Vùng
bão
Họ đặc tuyến ra: hòa
UCB (V)
UCB max
3/31/2023 Vùng cắt dòng 104
* Đặc tuyến truyền đạt (đặc tuyến vào – ra):
IC = IE là đường bậc nhất
 Dạng Emitter chung (Common Emitter -CE)
- +
-
UBE +
+ EB EB
Dạng Emitter chung đối với BJT PNP Dạng Emitter chung đối với BJT NPN
* Mạch vào: IB – dòng điện đầu vào

UBE – điện áp đầu vào giữa cực B và cực E
 Khảo sát đặc tuyến tĩnh: IB = f(UBE) với các giá trị khác nhau của U105CE
3/31/2023
Họ đặc tuyến vào: UCE = 1V
UCE = 10V
UCE = 20V
Khi UCE tăng  tiếp xúc CB mở

rộng ra  Vùng Base hẹp lại
 khả năng tái hợp hạt dẫn kém đi
 Dòng IB giảm.
UBE (V)
Họ đặc tuyến vào thực tế
3/31/2023 106
Đặc tuyến vào lý tưởng
Giống như đặc tuyến

của diode bán dẫn khi
xét mô hình tương
đương tuyến tính từng
đoạn.
Ta thấy rằng, BJT làm việc ở
vùng khuếch đại với UBE =
0.7V; trong trường hợp này, UBE (V)
điện áp là cố định đối với bất 0.7V
kỳ giá trị nào của dòng IB
3/31/2023 107
Mạch đầu ra:
IC – dòng điện đầu ra
UCE – điện áp đầu ra
 Khảo sát đặc tuyến ra tĩnh:
IC = f(UCE) với các giá trị
khác nhau của IB
Vùng bão hòa
Họ đặc tuyến ra:
Vùng khuếch đại
UCE bão hòa UCE (V)

3/31/2023  0.3V 108
Vùng cắt dòng
IC = IB là đường bậc nhất
 Dạng Collector chung (Common Collector - CC)
+ --
UEC EE
- EE
+ UBC
-
EB EB
Dạng Collector chung đối với BJT PNP Dạng Collector chung đối với BJT NPN
3/31/2023 109
* Mạch vào: IB – dòng điện đầu vào
UBC – điện áp đầu vào giữa cực B và cực C
 Khảo sát đặc tuyến vào tĩnh: IB = f(UBC) với các giá trị khác nhau của UEC
IB (A)
Họ đặc tuyến vào:
UBC (V)
3/31/2023 110
Họ đặc tuyến vào
Mạch đầu ra: IE – dòng điện đầu ra
UEC – điện áp đầu ra
 Khảo sát đặc tuyến ra tĩnh:
IE = f(UEC) với các giá trị khác nhau của IB
So với các tham số đầu ra của mô hình E chung:
IC = f(UCE) với các giá trị khác nhau của IB
Thì có: IE  IC vì IC   IE ;   1
Đổi dấu UCE ta được UEC và ngược lại
Như vậy, họ đặc tuyến ra tĩnh của mô hình E chung và
C chung là giống nhau.
3/31/2023 111
Nghĩa là ta có thể dùng đặc tuyến ra tĩnh của mô hình E chung để giải
thích cho mô hình C chung.
EC
IE = (+1)IB là đường bậc nhất
2.2.4. Các phương pháp phân cực cho BJT
 Phân cực bằng dòng IB không đổi (phân cực base)
* Xác định điểm làm việc tĩnh Q
- Điểm làm việc tĩnh Q (IB; IC; UCE) UCE
UBE
Chú ý: UBE = 0,7V (Si)

3/31/2023 = 0,3V (Ge) 112
- Là giao điểm giữa đường tải tĩnh và đặc tuyến ra của mạch
+ Đường tải tĩnh được xây dựng từ phương trình điện áp 1 chiều đầu ra
Sơ đồ phân cực:
+ Xét mạch đầu vào:
EC = IBRB + UBE (1)
 IBQ = (EC - UBE)/RB ; ICQ = IBQ (2)
+ Xét mạch đầu ra:
EC = ICQRC + UCE  UCEQ = EC- ICQRC (3)
3/31/2023 113
* Phương trình đường tải tĩnh (một chiều)
EC = ICQRC + UCE
IC (mA)
Q’
IC
ICQ Q
IC
Q”
IC
0 U IC UCEQ IC IC EC UCE (V)

3/31/2023 CEbh 114
UCEoff
* Sự trôi điểm làm việc tĩnh Q khi nhiệt độ thay đổi
+ Theo lý thuyết:
 thay đổi khá lớn khi nhiệt độ thay đổi (nhiệt độ tăng thì  tăng và
ngược lại)  ICQ thay đổi  UCEQ thay đổi  điểm làm việc một
chiều Q thay đổi
+ Theo phương pháp phân cực này và kết hợp với công thức xác định
dòng IC đối với phương pháp phân cực này: ICQ = IBQ thì ta thấy ICQ  ;
Do vậy, khi nhiệt độ thay đổi   thay đổi  ICQ thay đổi  UCEQ
thay đổi . Vậy, điểm Q thay đổi
3/31/2023 115
 Phân cực Emitter EC
EC = IBRB + UBE+ IERE (1) C
 EC = IB[RB+(+1)RE] +UBE ;
UCE
𝐸𝐶 − 𝑈𝐵𝐸 B
IBQ = (2)
𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸 UBE
E
 ICQ = IBQ;
EC = ICQRC + UCE + IERE
 UCEQ = EC - ICQ(RC+RE) do IC  IE
3/31/2023 116
UCEQ = EC - ICQ(RC+RE)

3/31/2023 117
+ Theo phương pháp phân cực này và kết hợp với công thức (2):
𝐸𝐶 − 𝑈𝐵𝐸
IBQ =
𝑅𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸
 >>1 và ( +1)RE  10RB thì CT trên trở thành:

𝐸𝐶 − 𝑈𝐵𝐸 EC  U BE
IBQ  ; ICQ = IBQ  I CQ  (3)
𝛽𝑅𝐸 RE
Vậy từ (3), ta thấy rằng ICQ hầu như không phụ thuộc vào . Do vậy,
khi  thay đổi theo nhiệt độ thì ICQ hầu như không thay đổi  UCEQ
cũng không thay đổi . Vậy, Điểm Q hầu như không thay đổi.
3/31/2023
Điện trở RE – điện trở ổn định chế độ một chiều 118
 Phân cực bằng phân áp I1-2 + IB +EC
Dạng sơ đồ phân cực:
Hai điện trở R1 và R2 là hai điện trở phân áp (chia
áp); chúng góp phần tạo ra điện áp tại cực Base của UB
BJT
Trong mạch hình bên: I1-2 là dòng điện chạy qua R1
và R2 I1-2
Thông thường, mạch phân cực bằng phân áp được
thiết kế sao cho IB nhỏ hơn nhiều I1-2 . Do vậy, nếu
bỏ qua giá trị của IB thì ta có thể xác định ngay UB
bằng PT (1)
𝑬𝑪 𝑹𝟐
𝑼𝑩 ≅ (1)
𝑹𝟏 +𝑹𝟐
3/31/2023 119
Mặt khác: UB = UBE + UE = UBE + IERE
𝑈𝐵 −𝑈𝐵𝐸 (2)
 IE =  ICQ
𝑅𝐸
(IC = IE;  = 0.90  0.998  1  IC  IE)

ICQ = IB  IBQ = ICQ/ (3)
Xét mạch ra:
EC = ICRC + UCE + IERE
Do IC  IE nên EC = IC (RC + RE) + UCE
Vậy: UCEQ = EC - ICQ(RC+RE) (4)
Ngoài ra: UC = EC – ICRC ; UCE = UC - UE
3/31/2023 120
 Phân cực bằng phân áp
Trong trường hợp tính tới sự ảnh hưởng của dòng IB đối với phương
pháp phân cực bằng phân áp thì áp dụng định lý Thevenin để xác
định điện áp và dòng điện một chiều (dc) đầu vào
+EC +EC +EC
RC RC RC
Vẽ lại R1 B Thevenin Rth

UB +EC +Eth
UBE
IB
RE R2 RE IE RE
3/31/2023 121
 Phân cực bằng phân áp
Eth = Ec.R2 / (R1+R2) Rth = R1.R2 / (R1+R2)

Eth  U BE
Eth = IBRth + UBE + IERE  I BQ 
Rth  (   1) RE
ICQ = IB
Xét mạch ra: EC = ICRC + UCE + IERE
Do IC  IE nên EC = IC (RC + RE) + UCE
Vậy:
3/31/2023 122
IC (mA)
𝑬𝑪
𝑹𝑪 + 𝑹𝑬
Q’
IC
ICQ Q
IC
Q”
IC

3/31/2023 CEbh 123
UCEoff
𝑈𝐵 −𝑈𝐵𝐸
IE =  ICQ
𝑅𝐸
Ta thấy rằng ICQ không phụ thuộc vào . Do vậy, khi  thay đổi theo
nhiệt độ thì ICQ không thay đổi  UCEQ cũng không thay đổi.
Vậy, điểm Q không thay đổi.
3/31/2023
Với trường hợp dựa vào cách XĐ điểm Q theo định lý Thevenin:
+ Theo phương pháp phân cực này và kết hợp với công thức :
Eth  U BE
I BQ 
Rth  (   1) RE
 >>1 và (+1)RE >> 10Rth thì từ công thức trên, và ICQ = IB ta có
Eth  U BE
I CQ  (*)
RE
Vậy từ (*), ta thấy rằng ICQ hầu như không phụ thuộc vào . Do vậy, khi 
thay đổi theo nhiệt độ thì ICQ hầu như không thay đổi  UCEQ cũng không
thay đổi Vậy, Điểm Q hầu như không thay đổi.
3/31/2023
 Phân cực bằng hồi tiếp Collector EC
* Xác định điểm làm việc tĩnh Q IC’
Xét mạch vào:
EC = I’C RC + IB RB + IE RE + UBE (1)
UCE
 EC = (IC + IB)RC + IB RB + IE RE + UBE
(Do IB << IC và IC  IE)
 EC  IC RC + IB RB + ICRE + UBE
𝐸𝐶 −𝑈𝐵𝐸
 EC = IB(RC + RB + RE) + UBE  IB = (2)
𝛽 𝑅𝐶 +𝑅𝐸 +𝑅𝐵
3/31/2023 126
 ICQ = IBQ;
Xét mạch ra: IC (mA)
EC = ICQRC + UCE + IERE

𝑬𝑪
 UCEQ = EC – ICQ(RC+RE) 𝑹𝑪 + 𝑹𝑬
Q’
IC
* Phương trình đường tải ICQ Q

tĩnh (một chiều)
IC
Q”
IC

CEbh
UCEoff
3/31/2023 127
IB = (2)
𝛽 𝑅𝐶 +𝑅𝐸 +𝑅𝐵
3/31/2023 128
Nếu (RC+RE) >> RB thì (2) sẽ là:
IB 
𝛽 𝑅𝐶 +𝑅𝐸
Ta đã biết: IC = IB  ICQ  (*)
𝑅𝐶 +𝑅𝐸
Từ (*) ta thấy rằng ICQ hầu như không phụ thuộc vào . Do vậy, khi  thay
đổi theo nhiệt độ thì ICQ hầu như không thay đổi  UCEQ cũng không thay
đổi. Vậy, điểm Q hầu như không thay đổi.
Điện trở RE – điện trở ổn định chế độ một chiều
3/31/2023 129
Tham số kỹ thuật của BJT
 Các tham số cực đại
UCEmax;
UCBmax;
UBEmax
ICmax; Pmax
 Các tham số nhiệt
Nhiệt trở tiếp xúc giữa Collector với vỏ bọc
Nhiệt trở tiếp xúc giữa Collector với môi trường
3/31/2023 130
 Các tham số điện (t0 = 250)
* Các tham số ở chế độ off
+ UCE thủng
+ UCB thủng
+ UEB thủng
+ IEB0 ; ICB0
* Các tham số ở chế độ dẫn bão hòa (on)
UCEbão hòa; IC bão hòa
3/31/2023 131
Một số hình ảnh thực tế của BJT
E
B
BJT PNP loại công
suất nhỏ
BJT NPN loại công
suất lớn
E B
BJT loại công suất lớn

3/31/2023 132
2.3. Vi mạch thuật toán (IC thuật toán)

2.3.1. Giới thiệu
- Là một vi mạch tương tự, vừa khuếch đại được tín hiệu và vừa thực hiện
được một số phép toán: cộng, trừ, nhân, tích phân, vi phân,…
- Có hệ số khuếch đại lớn, trở kháng vào cao (vài M); trở kháng ra nhỏ
(< 100).
- Cấu trúc bên trong thường có mạch khuếch đại vi sai hai đầu vào, một
đầu ra.
Zra
Sơ đồ tương đương của vi

mạch thuật toán ở chế độ ZV
UVS KVS UVS Ura
xoay chiều f thấp
3/31/2023 133

* Ký hiệu
-EC
-EC
-E C
UP
UV +
UVS Ura
UV- +EC
UN
+EC
UVS = UP - UN : hiệu điện áp giữa hai đầu vào
3/31/2023 134

UVS = UP - UN : hiệu điện áp giữa hai đầu vào

 EC: Điện áp một chiều cung cấp đối xứng
Up: Điện áp vào trực tiếp ở đầu vào (+)/ đầu vào không đảo
UN: Điện áp vào trực tiếp ở đầu vào (-)/ đầu vào đảo
UV+: Điện áp vào ở đầu vào (+)/ đầu vào không đảo
UV-: Điện áp vào ở đầu vào (-)/ đầu vào đảo
3/31/2023 135
Sơ đồ cấu trúc của IC khuếch đại thuật toán A 741
Mạch biến
đổi đối xứng
sang không
đối xứng
3/31/2023 136

Mạch KĐ thuật toán lý tưởng:
+ Hệ số KĐ vi sai: KVS   : Điện áp vào vi sai  0
+ Trở kháng vào: Zv   : Iv  0
+ Trở kháng ra: Zra  0 : Ira không phụ thuộc vào tải
UVS Ura
K.VS UVS
3/31/2023 137

Các cách mắc đầu vào:
 Đầu vào đơn
Ura
Ura
Uvào Uvào
 Đầu vào vi sai Ura

UVVS

Ura UV 1
UVVS UV 2
3/31/2023
UVVS = UV 1 - UV2 (1) 138

 Đầu vào mode chung
Ura
UVC = (UV + + UV-)/2 (2)
Tín hiệu ra:

Trong đó: KVS - hệ số KĐ vi sai của mạch (rất lớn)
UVVS : Điện áp vào vi sai , tính theo (1)
KC: hệ số KĐ mode chung (rất nhỏ)
UVC : Điện áp vào mode chung , tính theo (2)
3/31/2023 139

Hệ số khuếch đại vòng hở: là hệ số khuếch đại của vi mạch KĐTT khi
không có vòng hồi tiếp nào, KVS.
KVS = Ura/UVS
KVS có giá trị rất lớn (từ 105 107)
Hệ số khuếch đại vòng kín:

Là hệ số KĐ của mạch khi có hồi tiếp, có thể ký hiệu là K
K thường được tính bởi tỉ số giữa các điện trở ở mạch ngoài, K có giá
trị hữu hạn.
3/31/2023 140

Đặc tuyến của vi mạch KĐTT
Ura
 Đặc tuyến truyền đạt (đặc tuyến biên độ)
Ura = f(Uv) +Ec
+Ura, max
(Xét đặc tuyến của vi mạch KĐTT
+Ubh
dùng nguồn đối xứng) Đầu vào không đảo
Đầu vào đảo
Điều kiện bão hòa:

Uv
Uv ng-
Ubh  = Ura, max  = Ec - 12V Uv ng+
+ Giải thích đặc tuyến: -Ubh
-Ec
3/31/2023 141
- Ura, max Vùng tuyến tính

 Đặc tuyến tần số K
Xét đặc tuyến của mô hình

Ko / 2
lọc thông thấp.
fc: tần số cắt; f1là tần số của tín hiệu ra
ưng với hệ số K0 = 1
Xét đặc tuyến pha:
+ Khi f tăng  K giảm  tín hiệu
ra dịch pha với tín hiệu vào.
+Tại fC thì K giảm 2 lần (-3dB)
và tín hiệu dịch đi một góc là 450
3/31/2023 142

Các tham số của vi mạch KĐTT
 Tham số một chiều
* Điện áp và dòng điện lệch 0 (offset Currents and voltages)
Theo lý thuyết, khi điện áp vào vi sai UVVS = 0V  Ura = 0V.
Thực tế, khi điện áp vào vi sai = 0V  Ura  0V  Ura,Offset
Ura, Offset có thể được sinh ra do hai yếu tố ở đầu vào:
UV,Offset và IV,Offset
Ura,Offset = | Ura,Offset (do UV,Offset)| + | Ura,Offset (do IV,Offset)|
UV,Offset thường được tính ở đầu vào không đảo của vi mạch
KĐTT.
3/31/2023 143

Để xác định sự ảnh hưởng của UV,Offset tới điện áp đầu ra, ta xét
sơ đồ sau:
Ura,offset
𝑹𝟏 +𝑹𝒇
UV,Offset Ura,Offset = UV, Offset 𝑹𝟏
3/31/2023 144

IV,Offset là do sự sai lệch nhau của 2 dòng định thiên ở 2 đầu vào:
IVB+, IVB- Rf
VB (Voltage Bias): Định thiên/ định áp
Ta xét sơ đồ sau: R1
I-VB
Ura,offset
RC: Compensating resistance R
(trở kháng bù đầu vào) C I+VB
Rf
Tương đương với sơ đồ sau: R1

I-VBR1
Ura,offset
RC
3/31/2023
I+VB RC 145

Ura, Offset (do IV,Offset) gồm 2 thành phần: một thành phần do IVB+
(mắc theo dạng KĐ không đảo) và một thành phần do IVB-
(mắc theo kiểu khuếch đại đảo). Vậy,
Ura, Offset = I+VB (RC)(1+Rf / R1)
Ura, Offset = I-VB R1(- Rf / R1) = - I-VB (Rf)
+ (R )(1+R / R ) - I-
 Ura, Offset (do I+VB và I-
VB ) =
I VB C f 1 VB (Rf)
IV,Offset = I+VB - I-VB

Khi trở kháng bù đầu vào RC = R1 thì ta có:
Ura, Offset = I+VB (R1 + Rf) - I-VB Rf
3/31/2023 146

* Dòng định thiên đầu vào IVB
Khi biết IVB, IV Offset thì tính được I+VB và I-VB
3/31/2023 147

* Mạch chỉnh không
Do có điện áp ra lệch không nên nhiều trường hợp người ta phải đưa giá
trị điện áp này về 0 bằng cách dùng mạch chỉnh không.
a) Đối với IC có 2 chân chỉnh không b) Đối với IC không chân chỉnh không
3/31/2023 148

Hình ảnh và sơ đồ chân của vi mạch thuật toán có chân chỉnh không
Hình ảnh của vi mạch thuật toán có 8 chân
Sơ đồ chân của vi mạch thuật toán 8 chân, 01

phần tử khuếch đại
Hình ảnh và sơ đồ chân của vi mạch thuật toán không có chân chỉnh không
Sơ đồ chân
của vi mạch
thuật toán 14
chân, 04 phần
Hình ảnh của vi mạch thuật toán có tử khuếch đại
3/31/2023
14 chân 149

Hình ảnh và sơ đồ chân của vi mạch thuật toán không có chân chỉnh không
Hình ảnh của vi mạch thuật toán có

8 chân TL082 Sơ đồ chân của vi mạch thuật toán
8 chân, 02 phần tử khuếch đại
* Dòng cung cấp: Phụ thuộc vào cấu trúc của IC (Với IC có cấu trúc là
BJT thì ICC lớn hơn IC có cấu trúc FET)
* Công suất tiêu thụ: P
3/31/2023 150

 Tham số xoay chiều
+ Tần số cắt: là tần số tại đó hệ số KĐ vòng hở KVS giảm đi 2 lần
+ Tỉ số nén mode chung CMRR:

Từ CT:
Trong đó: KVS - hệ số KĐ vi sai của mạch (rất lớn)
UVVS : Điện áp vào vi sai
KC: hệ số KĐ mode chung (rất nhỏ)
UVC : Điện áp vào mode chung
CMRR = KVS / KC
CMRR rất lớn, từ 70dB  130dB
3/31/2023 151

Ý nghĩa:
So sánh giữa hai loại tín hiệu đưa vào khuếch đại: một loại tín hiệu
hữu ích được đặc trưng bởi UVS, một loại là tín hiệu đồng pha đặc
trưng cho nhiễu cùng tác động lên 2 đầu vào UVC
Tỷ số CMRR càng lớn thì mức độ ảnh hưởng của nhiễu càng nhỏ.
+ Trở kháng vào Zv:
Là trở kháng vào của IC KĐTT khi không có hồi tiếp; ZV có giá trị
lớn, hàng trăm K  M 
+ Trở kháng ra Zra: thường có giá trị nhỏ, hàng chục 
3/31/2023 152

Bảng tham số kỹ thuật cơ bản của vi mạch uA741, hãng TEXAS INSTRUMENTS
 Nhóm tham số cực đại
3/31/2023 153
 Nhóm tham số về điện, VCC =  15V
3/31/2023 154

Bài Giảng Kỹ Thuật Điện Tử ET2010- C2- Version 3 - Gửi Sinh Viên

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Bài Giảng Kỹ Thuật Điện Tử ET2010- C2- Version 3 - Gửi Sinh Viên

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

BÀI GIẢNG HỌC PHẦN

1. Nguyen Tien Dung et al., “Fundamental of Electro-Electronics Circuits”,

7. Ronald J.Tocci and Neal S.Widmer “Digital Systems Principles and

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn R

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

a) Biểu đồ năng lượng b) Sơ đồ liên kết

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

Tạp chất antimony (Sb) trong bán dẫn loại n

2.1. Diode bán dẫn

Ion tạp chất cho

hạt dẫn thiểu số

Bán dẫn tạp chất loại N

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

- Gồm 2 miền bán dẫn p,n ghép lại với P N

2.1. Diode bán dẫn

* Hình ảnh thực tế:

2.1. Diode bán dẫn

Trong đó: ID – dòng điện chạy Tiếp xúc PN

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

IS: Dòng điện do hạt thiểu số tạo nên +

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

 Chỉnh lưu 1/2 chu kỳ

Sơ đồ khối đầy đủ của mạch chỉnh lưu 1/2 chu kỳ

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

Vin = Vđỉnhsint P: Peak (Đỉnh)

+ Với 1/2 chu kỳ (+) của Vin:

2.1. Diode bán dẫn

Vin RLL Vout

2.1. Diode bán dẫn

với Diode lý tưởng (VD = 0) thì Vout,đỉnh = Vin, đỉnh

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

Sơ đồ khối tổng quát của mạch chỉnh lưu cả chu kỳ

2.1. Diode bán dẫn

thì: Vsec1 = Vsec2 = ½ Vsec

2.1. Diode bán dẫn

+ Với 1/2 chu kỳ (+) của Vin:

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

với Diode lý tưởng (VD = 0) thì Vout,đỉnh = V(sec1)đỉnh

2.1. Diode bán dẫn

PIV = 2Vout,đỉnh + 0.7

 Chỉnh lưu 2 nửa (cả) chu kỳ dùng cầu Diode.

Sơ đồ cầu Diode Ký hiệu cầu Diode

2.1. Diode bán dẫn

Sơ đồ khối tổng quát của mạch chỉnh lưu cả chu kỳ

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

Vin đỉnh Vout đỉnh

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn

2.1. Diode bán dẫn