KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ

BỘ MÔN: ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG

HỌC PHẦN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ TRONG CƠ KHÍ

Giảng viên:
Email:
Điện thoại:

1
 NỘI DUNG HỌC PHẦN

Chương 1: Giới thiệu về KT điện tử

Chương 2: Điện tử tương tự

Chương 3: Điện tử số
 CHƯƠNG 2. ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ

2. • Điốt bán dẫn

1
2. • Mạch ứng dụng điốt
2
2. • Transistor BJT

3
2. • Transistor FET

4
2. • Mạch ứng dụng Transistor

5
 2.1. DIODE BÁN DẪN

• Chất bán dẫn điện

1

• Diode bán dẫn

2
 1. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN

Vật liệu điện chia ra làm bốn nhóm là:

Vật dẫn điện.
Vật cách điện.
Vật bán dẫn điện
 Vật dẫn từ.
Ở đây chúng ta chỉ khảo sát chất bán dẫn điện.
 ĐẶC TÍNH CỦA CHẤT BÁN DẪN
a. Điện trở suất:
 Hai chất bán dẫn thông dụng là chất Silic và chất
Germanium có điện trở suất là:
Si = 1014 mm2/m
Ge = 8,9.1012 mm2/m
 Trị số điện trở suất này rất lớn so với chất dẫn điện
như đồng ( = 0,017mm2/m) nhưng lại rất nhỏ so
với chất cách điện như thủy tinh (=1018 mm2/m).
 ĐẶC TÍNH CỦA CHẤT BÁN DẪN

a. Ảnh hưởng của nhiệt độ:

 Điện trở của chất bán dẫn thay đổi rất lớn theo nhiệt độ,
khi nhiệt độ tăng thì điện trở chất bán dẫn giảm xuống, ở
khoảng nhiệt độ càng cao thì mức điện trở giảm càng
lớn.
b. Ảnh hưởng của ánh sáng:
 Điện trở của chất bán dẫn khi đặt trong vỏ kín không có
ánh sáng chiếu vào có trị số rất lớn. Khi chiếu ánh sáng vào
chất bán dẫn thì điện trở giảm xuống, độ chiếu sáng càng
mạnh thì mức điện trở càng giảm.
 CHẤT BÁN DẪN LOẠI N (NEGATIVE: ÂM)

 Nếu pha vào chất bán dẫn Si (hóa trị 4) tinh khiết một lượng rất
thấp các chất có cấu tạo nguyên tử với 5 electron ở lớp ngoài cùng
(hóa trị 5) như chất Arsenic hay Phosphor ta được bán dẫn N.

Chất bán dẫn N (n>p)

 CHẤT BÁN DẪN LOẠI P (POSITIVE: DƯƠNG)
 Nếu pha vào chất bán dẫn Si tinh khiết một lượng rất ít các chất
có cấu tạo nguyên tử với 3 electron ở lớp ngoài cùng (hóa trị 3)
như chất indium hay bore thì ta được bán dẫn loại P.

Chất bán dẫn P (p>n)

 HẠT DẪN ĐA SỐ VÀ HẠT DẪN THIỂU SỐ

Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P

Hạt dẫn đa số Điện tử Lỗ trống

(n > p) (p > n)

Hạt dẫn thiểu số Lỗ trống Điện tử

 2.1. DIODE BÁN DẪN

• Chất bán dẫn điện

1

• Diode bán dẫn

2
 CẤU TẠO ĐIỐT BÁN DẪN

Điốt bán dẫn có cấu tạo gồm hai phiến bán dẫn P và N tiếp xúc
công nghệ với nhau tạo thành mối ghép P-N, hai miền bán dẫn P
và N nối với 2 điện cực ký hiệu là A (Anốt) và K (Catốt)
HÌNH ẢNH VÀ KÝ HIỆU CỦA DIODE
 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA DIODE

a. Chưa phân cực

- Các điện tử khuếch tán từ miền N sang miền P -> Miền N mang
điện tích +/. Các lỗ trống khuếch tán từ miền P sang miền N và
miền P mang điện âm. - > Tạo nên miền điện tích không gian

Thực nghiệm cho biết:

V = 0,6V ÷ 0,7V; VDmax= 0,8V ÷ 0,9V(chất Si)
V =0,2V ÷ 0,3V;VDmax= 0,4V ÷ 0,5V(chất Ge)
 NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA DIODE

b. Phân cực ngược diode

Dùng một nguồn điện nối cực âm của nguồn vào chân P của
diode và cực dương của nguồn vào chân N của diode.
P N I S (r aát n h oû)
- +
- + P N
- +

- + - +

VDC VDC
 C. PHÂN CỰC THUẬN DIODE

 Dùng một nguồn điện DC nối cực + của nguồn vào

chân P và cực - của nguồn vào chân N của diode.

P N
ID
- +
- + P N
- +

+ - + -

VDC VDC
 ĐẶC TÍNH VOLT/AMPE

Điện áp V gọi là điện áp ngưỡng và có trị số tùy

thuộc chất bán dẫn.
 ĐẶC TÍNH VOLT/AMPE

 Một số tài liệu kỹ thuật ghi là: V = 0,7V (Si) và V =

0,3 (Ge) nhưng thực tế thì khi VD nhỏ hơn 0,7V (Si)
hay 0,3V (Ge) là đã có dòng điện qua diode.

ID

VRm ax
VD
IS VDm ax
(-) V (+)
 ĐẶC TÍNH VOLT/AMPE

Sau khi vượt qua điện áp ngưỡng V thì dòng điện

qua diode sẽ tăng lên theo hàm số mũ và được tính
theo công thức:
q .V D q = 1,6.10
-19
coulomb(C)
I D  I S (e K .T
 1) VD : điện áp trên diod (V)
Thay số vào ta có: K: hằng số Bônzman và
K = 1,38.10-23J/k
q 1, 6 . 10  1 9
  39
 23
K . T 1,38 . 10 . 298 T: nhiệt độ tuyệt đối (K)
IS: dòng bão hòa nghịch (A)
250C = 298K (= 25 + 273)
 ĐẶC TÍNH VOLT/AMPE

Một diode có các thông số kỹ thuật cần biết khi sử

dụng là:
 Chất bán dẫn chế tạo để có điện áp ngưỡng V và
điện áp thuận cực đại VDmax

 Dòng điện thuận cực đại IFmax

 Dòng điện bão hòa nghịch IS

 Điện áp nghịch cực đại VRmax

 DIOD NẮN ĐIỆN THÔNG DỤNG

Bảng tra các diode nắn điện thông dụng.

Mã số Chất IFmax IS VRmax

1N4004 Si 1A 5A 500V

1N4007 Si 1A 5A 1000V

1N5408 Si 3A 5A 1000V

 CÁC LOẠI DIODE KHÁC

1. Diode Zener: Diode Zener có cấu tạo giống như diode thường
nhưng làm việc ở chế độ đánh thủng. Các chất bán dẫn được pha
tạp chất với tỉ lệ cao hơn diode thường.
ID

P N
Z.15
N
P N
SD 4.7 VZ
VD
P V
P N
DZ 6.8
MẠCH ỔN ÁP KẾT HỢP TRANSISTOR
 2. DIODE QUANG (PHOTO DIODE)

Diode quang có cấu tạo giống như diode thường nhưng vỏ bọc
cách điện có một phần là kính hay thủy tinh trong suốt để nhận ánh
sáng bên ngoài chiếu vào mối nối P-N.

R ID
+
VDC -
m a ët n h a än
aù
n h sa ù ng
N

lux
0
P
loãn h a än a ù
n h sa ù
ng

Kyùh ieä
u , h ìn h d aù
n g vaøñ aëc tín h cuû
a ñ ioá
t quan g
 3. DIODE PHÁT QUANG LED (LIGHT EMITTTING DIODE)

 Thông thường dòng điện đi qua vật dẫn điện sẽ sinh ra năng
lượng dưới dạng nhiệt. Ở một số chất bán dẫn đặc biệt như
(GaAs) khi có dòng điện đi qua thì có hiện tượng bức xạ quang
(phát ra ánh sáng).
 Tùy theo chất bán dẫn mà ánh sáng phát ra có màu khác nhau.
Dựa vào tính chất này người ta chế tạo ra các loại Led có màu
khác nhau.
3. DIODE PHÁT QUANG LED (LIGHT EMITTTING DIODE)

- Phân cực thuận: VD = 1,4V ÷1,8V (Led đỏ)

VD = 2V ÷ 2,5V (Led vàng)

VD = 2V ÷ 2,8V (Led xanh lá)

ID = 5mA ÷ 20mA (thường chọn 10mA)

 CÁCH ĐO THỬ DIODE

Cách đo thử diode

 Có thể dùng ohm kế để xác định diode còn tốt hay đã
hư. Đặt máy đo vào diode như hình vẽ.
 Do trong ohm kế có nguồn DC là pin 1,5V hay 3V nên
nguồn DC sẽ phân cực thuận hay phân cực ngược
diode.
 Lưu ý: cực dương và âm của pin nối ra ngồi ngược với
đầu dây đo của máy đo (như hình vẽ).

+ - - +
- + + -
oh m k eá oh m k eá
ĐO THỬ DIODE
 CHƯƠNG 2. ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ
2
• Điốt bán dẫn
2.
• Mạch ứng dụng điốt
1.
2
• Transistor BJT
2.
2
• Transistor FET
3.
2
• Mạch ứng dụng Transistor
4.
2
5. • Mạch tích hợp IC

6
 CÁC MẠCH CHỈNH LƯU (NẮN ĐIỆN)

1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

Hình vẽ là sơ đồ mạch và
đường biểu diễn điện áp V2 và
dòng tải It và điện áp tải Vt theo
thời gian.
- Ở ½ chu kỳ đầu điện áp trên D
là VD >0 do vậy D thông -> có
dòng qua Rt.
- Ở ½ chu kỳ sau điện áp trên D
là VD < 0 do vậy D tắt -> không
có dòng qua Rt.
 CÔNG THỨC TÍNH ĐIỆN ÁP RA

 Diode lý tưởng: Điện áp ra đỉnh bằng điện áp vào đỉnh:

 Xấp xỉ bậc 2:

Vp(out) = Vp(in) – 0.7V (diode Si)

 Giá trị DC của tín hiệu bán kỳ Vdc:

T
1
VDC   v(t ).dt = 0.318Vp
T 0
 Tần số ra:

fout = fin
CHỈNH LƯU VỚI TỤ LỌC NGUỒN
 TỤ LỌC NGUỒN

Vin

Vout (chưa có tụ)

Tụ 22F

Tụ 220F
 BÀI TẬP 1
 Tính toán và vẽ dạng điện áp ra trên tải R1 và xác định giá trị
điện áp ra một chiều sau chỉnh lưu Ur với
a. Điốt D1 lý tưởng
b. Điốt D1 thực tế
c. Xác định dòng qua tải.
 BÀI TẬP 2
 Tính toán và vẽ dạng điện áp ra trên tải R1 và xác định giá trị
điện áp ra một chiều sau chỉnh lưu Ur với
a. Điốt D1 lý tưởng
b. Điốt D1 thực tế
c. Xác định dòng qua tải.
2. MẠCH CHỈNH LƯU CẢ CHU KỲ
 MẠCH CHỈNH LƯU CẢ CHU KỲ

 Trong mạch điện như sơ đồ hình vẽ, biến áp có cuộn thứ

cấp ba điểm, điểm giữa chia cuộn thứ cấp ra hai phần đều
nhau. Khi điểm giữa nối xuống điểm chung 0V (mass) thì
điện áp của hai điểm A và B là hai điện áp đảo pha nhau.
 Khi A có bán kỳ dương, diode DA được phân cực thuận nên

dẫn điện và cho ra trên tải dòng điện It tăng theo bán kỳ

dương. Lúc đó, B có bán kỳ âm, diode D B được phân cực

ngược nên ngưng dẫn.
 2. MẠCH CHỈNH LƯU CẢ CHU KỲ

 Khi A có bán kỳ âm, diode DA được phân cực ngược nên

ngưng dẫn. Lúc đó, B có bán kỳ dương diode D B được

phân cực thuận nên dẫn điện và cho ra trên tải dòng điện I t
tăng theo bán kỳ dương.
 Như vậy, hai điện áp tại A và B là hai điện áp đảo pha nhau
nên hai diode DA và DB sẽ luân phiên dẫn điện và cho ra
trên tải những bán kỳ dương liên tục. Hình vẽ trên là sơ đồ
mạch, đường biểu diễn điện áp VA – VB, dòng điện tải It và

điện áp trên tải Vt theo thời gian.

 CHỈNH LƯU VỚI TỤ LỌC

VC
D1 C
Vdcm VDC=Vdcm
AC
+ VC -
0 t

D2
C
VL
D1 Vdcm
RL
AC
+ VL - 0 t
T/2 T
D2

VL(t)
VdcMax
Vr(p-p)
Vdcmin
0,637VdcMax Vr(p  p)
VDC  VdcMax 
2
0 t

T/2 T
 Hệ số sóng: (ripple factor)
VL(t) VL(t) VL(t)
Sóng dư
VdcMax t
VDC VDC 0

0 t 0 t

VL(t) VL(t)

0 t 0 t
Vr(p-p) Vr(p-p)

Chu kỳ =T/2 Chu kỳ =T/2

Vr  p  p  Vr  ms  Vr  ms 
Vr  ms   r r%  .100%
2 3 VDC
VDC
 CHỈNH LƯU VỚI TỤ LỌC

Vin

Tụ 22F

Tụ 220F
 CÔNG THỨC TÍNH ĐIỆN ÁP RA

 Giá trị DC hay trung bình Vdc:

VDC = 2Vp/  0,636 Vp

 Tần số ra:

fout = 2fin
 Xấp xỉ bậc 2:

Vp(out) = Vp(in) – 0,7V (diode Si)

Chú ý: Vp(in) = 0.5 V2 (V2 là điện áp ở thứ cấp vì ngõ ra có chấu
giữa (center tap))
 CÔNG THỨC TÍNH ĐIỆN ÁP RA CÓ TỤ LỌC

Do điện thế đỉnh tối đa là VdcMax nên điện thế trung bình tối thiểu là:
Vdcmin=VdcMax-Vr(p-p)
Khi chưa mắc tụ C vào, giá trị trung bình là:

VDC = 2Vp/  0,636 VDCMax

Khi có tụ lọc C:

Vdc min  VdcMax  Vr ( p  p )

Nên giá trị trung bình ở ngõ ra:

Vr ( p  p )
VDC  VdcMax 
2
 BÀI TẬP
Cho mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng điốt như trên hình 1-30
a) Vẽ dạng sóng sau chỉnh lưu trên tải Rt.
b) Tính giá trị điện áp ra một chiều trên tải Udc
c) Tính giá trị điện áp ngược đặt lên D1 và D2.
3. MẠCH CHỈNH LƯU CẦU
 3. MẠCH CHỈNH LƯU CẦU

 Nửa chu kỳ dương diode D2, D4 phân cực ngược,

D1, D3 được phân cực thuận nên dẫn điện và cho ra
trên tải dòng điện IL tăng theo bán kỳ dương.
 3. MẠCH CHỈNH LƯU CẦU

 Nửa chu kỳ âm diode D1, D3 phân cực ngược, D2,

D4 được phân cực thuận nên dẫn điện và cho ra trên
tải dòng điện IL tăng theo bán kỳ dương.
DẠNG TÍN HIỆU
 CÔNG THỨC TÍNH ĐIỆN ÁP RA

Giá trị DC hay trung bình Vdc:

VDC = 2Vp/  0,636 Vp
Tần số ra:
fout = 2fin
Xấp xỉ bậc 2:
Vp(out) = Vp(in) – 0,7V (diode Si)
 CHƯƠNG 2. ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ
2
• Điốt bán dẫn
2.
• Mạch ứng dụng điốt
1.
2
• Transistor BJT
2.
2
• Transistor FET
3.
2
• Mạch ứng dụng Transistor
4.
2
5. • Mạch tích hợp IC

6
 2.2: TRANSISTOR (BJT)

• Cấu tạo
1

• Nguyên lý hoạt động

2

• Đặc tính kỹ thuật

3
 I. CẤU TẠO CỦA TRANSISTOR
 Transistor là linh kiện bán dẫn gồm ba lớp bán dẫn tiếp giáp nhau
tạo thành 02 mối nối P-N.
 Miền E (Emiter) có độ pha tạp lớn nhất, Miền C (collecter) có độ
pha tạp lớn thứ 2, miền B (Base) có độ pha tạp nhỏ nhất, miền B có
độ dày nhỏ nhất.
 Tuỳ theo cách xếp thứ tự các lớp bán dẫn người ta chế tạo hai loại
transistor là PNP và NPN.

P N P N P N
E C E C
B B

Caáu taïo cuûa tran sistor N PN - PN P

 CẤU TẠO CỦA TRANSISTOR

 Ký hiệu

Transistor ngược Transistor thuận

 KÝ HIỆU – HÌNH DÁNG – CÁCH THỬ

Hình dáng các loại transistor thông dụng:

 CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC CỦA BJT

Phân cực Phân cực

Chế độ làm việc của tiếp của tiếp giáp Ứng dụng
giáp EB CB
Tắt Ngược Ngược Làm chuyển
mạch/công tắc
Bão hòa
Thuận Thuận (đóng/mở)
(Thông bão hòa)
Tích cực Khuếch đại tín
(Thông không bão Thuận Ngược hiệu
hòa)

Ghi chú: Toàn bộ phần phân cực được xét dưới đây là xét ở chế
độ Tích cực (ứng dụng trong khuếch đại tín hiệu)
II. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR
N P N
1. Xét transistor loại NPN E C

 VB > VE và VB < VC 
IE B
  IC
 Do tác dụng của lực tĩnh IB
- + - +
điện các Electron trong miền
E sẽ bị di chuyển sang miền B
để tái hợp với lỗ trống.
 Khi đó vùng bán dẫn P của cực B nhận thêm electron nên có điện
tích âm.
 Cực B nối vào + nguồn nên sẽ hút một số electron trong vùng bán
dẫn P xuống tạo thành dòng điện IB.
 1. XÉT TRANSISTOR LOẠI NPN
 Cực C nối vào điện áp dương cao hơn nên hút hầu hết electron
trong vùng bán dẫn P sang vùng bán dẫn N của cực C tạo thành
dòng điện IC.
 Cực E nối vào nguồn điện áp âm nên khi bán dẫn N bị mất
electron sẽ bị hút electron từ nguồn âm lên thế chỗ tạo thành dòng
điện IE.
N P N
 Số lượng electron bị hút từ E C

cực E đều chạy sang cực B 

IE B
  IC
và cực C nên dòng điện IB
IB

và IC đều chạy sang cực E. - + - +

IE  IB  IC
Ta có:
 2. XÉT TRANSISTOR LOẠI PNP
P N P
 Đối với transistor PNP thì
điện áp nối vào các chân
ngược lại với transistor NPN.
VB < VE và VB > VC
 Hạt tải di chuyển trong
transistor PNP là lỗ trống
xuất phát từ E qua miền B tái
hợp với điện tử trong B.

 Khi vùng bán dẫn N của cực B có thêm lỗ trống nên có điện tích
dương.
 2. XÉT TRANSISTOR LOẠI PNP

• Cực B nối vào điện áp âm của nguồn nên sẽ hút một số lỗ

trống trong vùng bán dẫn N xuống tạo thành dòng điện IB.
• Cực C nối vào điện áp âm cao hơn nên hút hầu hết lỗ trống
trong vùng bán dẫn N sang vùng bán dẫn P của cực C tạo thành
dòng điện IC.
• Cực E nối vào nguồn điện áp dương nên khi vùng bán dẫn P bị
mất lỗ trống sẽ hút lỗ trống từ nguồn dương lên thế chỗ tạo
thành dòng điện IE.
• Số lượng lỗ trống bị hút từ cực E đều chạy qua cực B và cực C
IE = IB + IC
nên dòng điện IB và IC đều từ cực E chạy qua vậy:
 CÁCH ĐO THỬ

Cách thử: Để xác định trạng thái tốt hay hư của transistor có thể
dùng ohm kế thang đo Rx100 lần lượt đo các cặp chân BE, BC và
CE, mỗi cặp chân đo hai lần bằng cách đổi hai que đo của ohm kế
(giống như đo điện trở thuận nghịch của diode).
 CÁCH ĐO THỬ

• Lưu ý là trong ohm kế có nguồn điện một chiều

thường là pin tiểu 1.5V, đầu dương của Pin nối ra que
âm (đen) và đầu âm của Pin nối ra que dương (đỏ).
Transistor Si Transistor Ge
Cặp chân
Thuận Ngược Thuận Ngược

BE Vài k Vô cực  Vài trăm  Vài trăm k

BC Vài k Vô cực  Vài trăm  Vài trăm k
CE Vô cực  Vô cực  Vài chục  Vài trăm k
 III. ĐẶC TÍNH KỸ THUẬT
1. Đặc tuyến ngõ vào IB/ VBE

Đặc tuyến IB/ VBE có dạng giống như đặc tuyến của diode, sau khi
điện áp VBE tăng đến trị số điện áp ngưỡng V thì bắt đầu có dòng
điện IB và dòng điện IB cũng tăng lên theo hàm số mũ như dòng ID của
diode.
 2. ĐẶC TUYẾN TRUYỀN DẪN IC/ VBE

Đặc tuyến IC/ VBE có dạng giống như đặc tuyến IB/ VBE nhưng dòng

điện IC có trị số lớn hơn IB nhiều lần.

Ở mỗi điện áp VBE thì dòng điện IC có trị số khác nhau, ví dụ:
VBE = 0,5V, IB = 10A, IC = 1mA I C (m A)
VBE = 0,55V, IB = 20A, IC = 2mA
VBE = 0,6V, IB = 30A, IC = 3mA 4
VBE = 0,65V, IB = 40A, IC = 4mA 3
Ta có: 2
IC 1

IB V
VBE (
0V  0,5
: gọi là hệ số khuếch đại 0,55
0,6
dòng điện của transistor. H ìn h 6.10
0,65
 2. ĐẶC TUYẾN TRUYỀN DẪN IC/ VBE

IC
Thay I   hay IC =.IB vào công thức trên ta
B

có:

IE = IB +  . IB = ( + 1) IB

Do  >> 1 nên trong tính tốn gần đúng ta có

thể lấy:
I E   . I B

IE  IC
hay
 3. ĐẶC TUYẾN NGÕ RA IC/VCE

Cùng với mạch thí nghiệm trên nhưng thay đổi điện
áp VCE bằng cách điều chỉnh nguồn VCC.
I C (m A)

5 50 A
4 40 A
3 30 A
2 20 A
1 I B = 10 A

VCE (V)
0V
 3. ĐẶC TUYẾN NGÕ RA IC/VCE

• Nếu ở cực B không có điện áp phân cực đủ lớn (VB < VE) thì dòng
điện IB = 0 và IC = 0, do đó, đầu tiên phải tạo điện áp phân cực
VBE, để tạo dòng IB, sau đó tăng điện áp VCE, để đo dòng điện IC.
• Khi tăng VCE từ 0V lên, dòng điện IC tăng nhanh và sau khi đạt trị
số IC = .IB thì gần như IC không thay đổi mặc dù VCE tiếp tục tăng
cao.
• Muốn dòng điện IC tăng cao hơn thì phải tăng phân cực ở cực B để
có IB tăng cao hơn, khi đó dòng IC sẽ tăng theo VCE trên đường đặc
tuyến cao hơn.
4. CÁC THÔNG SỐ KỸ THUẬT CỦA TRANSISTOR
a) Độ khuếch đại dòng điện  (Hệ số KĐ):
 Độ khuếch đại dòng điện  của transistor thật ra không phải là
một hằng số mà  có trị số thay đổi theo dòng điện IC.
 Trong các sách tra đặc tính kỹ thuật của transistor thường chỉ ghi
giá trị max hay ghi  trong một khoảng từ mức thấp nhất đến
tối đa. Thí dụ:  = 80 đến 200.


m a x

IC

H ìn h 6.12
4. CÁC THÔNG SỐ KỸ THUẬT CỦA TRANSISTOR
b) Điện áp giới hạn: Điện áp đánh thủng BV (Breakdown Voltage)
là điện áp ngược tối đa đặt vào giữa các cặp cực, nếu quá điện áp này
thì transistor sẽ bị hư. Có ba điện áp giới hạn:
- BVCEO: điện áp đánh thủng giữa C và E khi cực B hở.

- BVCBO: điện áp đánh thủng giữa C và B khi cực E hở.

- BVEBO: điện áp đánh thủng giữa E và B khi cực C hở.

c) Dòng điện giới hạn: Dòng điện qua transistor phải được giới hạn
ở một mức cho phép, nếu quá trị số này thì transistor sẽ bị hư.
Ta có: ICmax là dòng điện tối đa ở cực C

IBmax là dòng điện tối đa ở cực B.

4. CÁC THÔNG SỐ KỸ THUẬT CỦA TRANSISTOR

d) Công suất giới hạn: Mỗi transistor đều có một công suất giới
hạn được gọi là công suất tiêu tán tối đa PDmax (Dissipation).

Nếu PT = IC.VCE > PDmax thì transistor sẽ bị hư.

e) Tần số cắt:
Tần số cắt (f cut-off) là tần số mà transistor có độ khuếch đại công
suất là 1.
Thí dụ: Transistor 2SC458 có các thông số kỹ thuật như sau:
 = 200, BVCEO = 30V, BVCBO = 30V, BVEBO = 6V, PDmax = 200mW.

fcut-off = 230MHz, ICmax = 100mA, loại NPN chất Si.

 5. Cách mắc mạch BJT

Có 3 cách mắc BJT.

 Mắc B chung (BC)
 Mắc C chung (CC)
 Mắc E chung (EC)
 IV. PHÂN CỰC CHO TRANSISTOR BJT

• Transistor có rất nhiều ứng dụng trong các thiết bị

điện tử, tuỳ theo từng ứng dụng cụ thể mà transistor
cần phải được cung cấp điện áp và dòng điện cho
từng chân một cách thích hợp.
• Việc chọn điện áp nguồn và điện trở ở các chân
transistor gọi là phân cực cho transistor.
 1. PHÂN CỰC BẰNG HAI NGUỒN

A. Trường hợp không có RE (điện trở ổn định nhiệt)

Cho mạch phân cực cho transistor như hình vẽ có HSKĐ dòng điện
 = 100 và VBE = 0,6V.
Tính IB , IC , IE , VC ,VCE, VCB, P, xác định đường tải tĩnh và điểm làm
việc tĩnh của Transistor
RC IC
3k
RB 120k
+ VCC
VBB + IB _ 12V
_ VBE
3V
 A. TRƯỜNG HỢP KHÔNG CÓ RE

Ở ngõ vào nguồn VBB cung cấp dòng điện IB cho cực B

qua điện trở RB.

VBB  VBE 3 V  0 ,6 V
IB    2 0 A
Ta có: RB 120k

Suy ra dòng điện ở cực C là:

IC =  * IB = 100 * 20A = 2mA.

Ở ngõ ra dòng điện IC được cung cấp do nguồn VCC và

dòng điện IC qua điện trở RC tạo giảm áp.

 A. TRƯỜNG HỢP KHÔNG CÓ RE

Ta có: VCE = VCC – IC.RC

= 12V – (2mA * 3k) = 6V

Trên transistor có dòng điện IC qua và chịu điện áp VCE

nên tiêu hao một công suất là:

P = VCE.IC = 6V * 2mA = 12mW

Từ các trị số dòng điện và điện áp trên ta có thể xác

định điểm làm việc của transistor trên đặc tuyến ngõ ra.
 A. TRƯỜNG HỢP KHÔNG CÓ RE

Từ công thức tính VCE ta có thể suy ra công thức tính

VCC  VCE
IC 
IC như sau: RC

- Nếu: IC = 0 thì VCE = VCC

VCC
- Nếu: VCE = 0V thì IC = RC = ICmax VCC
RC
Đường thẳng nối 2 điểm VCE=VCC và ICmax= gọi
là đường tải tĩnh theo công
V C C thức:
VCE
IC 
RC
 A. TRƯỜNG HỢP KHÔNG CÓ RE

• Điểm làm việc của transistor là điểm có tọa độ Q

(VCE = 6V, IC = 2mA) nằm trên đường tải tĩnh.

• Khi thay đổi dòng điện IB sẽ làm thay đổi dòng

điện IC và điểm làm việc của transistor sẽ thay đổi

vị trí trên đường tải tĩnh (hình 7.2).
 A. TRƯỜNG HỢP KHÔNG CÓ RE

• Đặc tuyến ngõ ra

IC

ñöôø
Đường ntảigtĩnh
taûi t æn h
I Cm a x 40A
3m A 30A
Q
2m A 20A
1m A I B = A
VCE
0V 3V 6V 9V 12V
 1. PHÂN CỰC BẰNG HAI NGUỒN

Bài tập 1: Cho mạch phân cực cho transistor như hình vẽ có HSKĐ
dòng điện  = 100 và VBE = 0,6V.
Tính IB , IC , IE , VC ,VCE, VCB , P, xác định đường tải tĩnh và điểm làm
việc tĩnh của Transistor

RC IC
3k
RB 120k
470
+ VCC
VBB + IB _ 12V
_ VBE
3V
 B. TRƯỜNG HỢP CÓ RE

Cho mạch phân cực cho transistor như hình vẽ có HSKĐ dòng
điện  = 100 và VBE = 0,6V.
Tính IB , Ic , IE , VC ,VCE, P, xác định đường tải tĩnh và điểm làm
việc tĩnh của Transistor
RC IC
VCC
2,5k I Cm ax = =4
RB 70k R C +R E
VCE 3
+ VCC
VVBB IB V _ 12V 2
BB + BE
_ RE 1
3V
3V IE
0,5k
 B. TRƯỜNG HỢP CÓ RE

Trường hợp mạch điện trên có thêm điện trở RE ở cực E

và có dòng điện IE đi qua (IE  IC = .IB) sẽ tạo ra điện

áp VB nên dòng điện ở ngõ vào IB được tính theo công

thức:
VBB = IB.RB + VBE + IE.RE

Thay IE  .IB vào công thức trên ta có:

VBB = IB . RB + VBE +  . IB . RE
 B. TRƯỜNG HỢP CÓ RE
• Suy ra:
VBB  VBE 3V  0,6V 2, 4V
 IB     20 A
RB    RE 70k   (100  0,5k ) 120
• IC  IE = .IB = 100 * 20A = 2mA
IC

RC IC ñöôøn g taûi tæn h

VCC
2,5k I Cmax = = 4mA 40A
RB 70k R C +R E
VCE 3mA 30A
+ VCC Q
VBB IB V _ 12V 2mA 20A
+ BE
_ RE 1mA IB = 10A
3V IE
0,5k VCE
0V 3V 6V 9V 12V
 B. TRƯỜNG HỢP CÓ RE

Ta có thể tính điện áp từng chân của transistor so với

điểm 0V theo các công thức
VE = IE.RE = 2mA * 0,5k = 1V

VB = VE + VBE = 1V + 0, 6V = 1,6V

VC = VCC – (IC.RC)
= 12V – (2mA * 2,5k) = 7V
Xét mạch ngõ ra để tìm phương trình đường tải tĩnh:
VCC = (IC.RC) + VCE + (IE.RE)
 B. TRƯỜNG HỢP CÓ RE

Suy ra: VCC = IC (RC + RE) + VCE

Phương trình đường tải tĩnh là:
VCC  VCE
IC 
RC  RE
Nếu: IC = 0 thì VCE = VCC

VC C
Nếu: VCE = 0V thì IC = R  R = ICmax
C E

VCC
Nối liền hai điểm VCE = VCC và ICmax =
RC  RE
ta có đường tải tĩnh (Hình trên).
 B. TRƯỜNG HỢP CÓ RE

Điện áp VCE ở điểm làm việc Q được tính theo công

thức:
VCE = VCC – IC (RC + RE)
= 12V – 2mA (2,5k + 0,5k ) = 6V
hay có thể tính được trực tiếp từ điện áp VC và VE đã
có:
VCE = VC – VE = 7V – 1V = 6V
Điểm làm việc của Transistor là điểm nằm trên
đường tải tĩnh và có tọa độ Q (VCE = 6V, IC = 2mA)
(Hình trên).
 2. PHÂN CỰC BẰNG NGUỒN CHUNG
Cho mạch phân cực cho transistor như hình vẽ có
HSKĐ dòng điện  = 100 và VBE = 0,6V.
Tính IB , IC , IE , VB, VC, VE, VCB, VCE, P, xác định đường
tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh của Transistor
RC IC
RB
520k 2,5k

+ VCC
IB VBE - 12V
RE
IE 0,5k
 A- PHÂN CỰC CHO CỰC B BẰNG ĐIỆN TRỞ RB

Trong hình, cực B dùng nguồn VCC giảm áp bằng

điện trở RB nên dòng điện ngõ vào được tính theo
công thức:

VCC = IB.RB + VBE + IE.RE

VCC = IB(RB + RE) + VBE

Suy ra: VCC  VBE 12V  0,6V

IB    20 A
RB    RE 520k  (100  0,5k)
 A- PHÂN CỰC CHO CỰC B BẰNG ĐIỆN TRỞ RB

Dòng điện cực thu ở ngõ ra:

IC =.IB = 100 * 20A = 2mA
IE  IC = 2mA
Tính điện áp các chân:
VE = IE.RE = 2mA * 0,5k = 1V
VB = VE + VBE = 1V + 0,6V = 1,6V
VC = VCC – (IC.RC)
= 12V – (2mA * 2,5k  ) = 7V
A- PHÂN CỰC CHO CỰC B BẰNG ĐIỆN TRỞ RB

Dòng điện cực thu ở ngõ ra:

IC =.IB = 100 * 20A = 2mA
IE IC = 2mA
Tính điện áp các chân:
VE = IE.RE = 2mA * 0,5k = 1V
VB = VE + VBE = 1V + 0,7V = 1,7V
VC = VCC – (IC.RC)
= 12V – (2mA * 2,5k) = 7V
A- PHÂN CỰC CHO CỰC B BẰNG ĐIỆN TRỞ RB

Điện áp VB có thể tính theo công thức xét ở ngõ vào:

VB = VCC – (IB.RB)
= 12V – (20A * 520k  ) = 1,6V

Phương trình đường tải tĩnh là:

VCC  VCE
IC 
RC  R E
 B. PHÂN CỰC CHO CỰC B BẰNG CẦU PHÂN ÁP

Cho mạch phân cực cho transistor như hình vẽ có HSKĐ dòng
điện  = 100 và VBE = 0,6V.
Tính IB , IC , IE , VB, VC, VE, VCB, VCE, P, xác định đường tải tĩnh và
điểm làm việc tĩnh của Transistor
RC IC RC IC
R B1
56k  2,5k  2,5k 
RB
IR + VCC + VCC
IB
- 12V + IB - 12V
R B2 RE IE RE
10k  0,5k  - VBB 0,5k 
IE

Hình B.1: Phân cực bằng cầu phân áp Hình B.2: Mạch tương đương
của Hình B.1
B. PHÂN CỰC CHO CỰC B BẰNG CẦU PHÂN ÁP

Trong Hình B.1, cực B được phân cực bằng nguồn

VCC giảm áp qua cầu phân áp RB1 – RB2.

Ở ngõ vào có hai dòng điện là IR từ nguồn VCC đi

qua hai điện trở RB1 và RB2 xuống mass và dòng điện

IB từ nguồn qua điện trở RB1 vào transistor. Việc tính

toán dòng điện và điện áp ở các chân transistor sẽ
phức tạp hơn các mạch trên.
B. PHÂN CỰC CHO CỰC B BẰNG CẦU PHÂN ÁP

• Để tính toán phân cực cho transistor trong mạch

này người ta dùng định lý Thevenin để đổi nguồn
điện ngõ vào từ VCC và cầu phân áp RB1, RB2 thành
nguồn VBB và RB như mạch điện Hình B.2
• Công thức đổi nguồn điện theo định lý Thevenin
là:
R B2 10k
VBB  VCC   12V   1 ,8 V
R B1  R B 2 56k  10k

R B1  R B 2 56k  10k
RB    8 ,5 k 
R B1  R B 2 5 6 k   1 0 k 
B. PHÂN CỰC CHO CỰC B BẰNG CẦU PHÂN ÁP

• Sau khi đổi nguồn ở ngõ vào, mạch điện Hình B.1
được đổi thành Hình B.2 và cách tính giống như
trường hợp phân cực bằng hai nguồn riêng.
• Ta vẫn tính dòng IB theo công thức:
VBB  VBE 1,8V  0, 6V
IB    20  A
RB  (   1)  RE 8,5k   (101  0,5k )

• Từ dòng điện IB ta có thể suy ra IC, IE và các điện áp

VE,, VB, VC và vẽ đường tải tĩnh tương tự các mạch trên.

 BÀI 1
Cho mạch điện như hình vẽ: Biết R1 = 180k; R2 = 1k;  = 100;
UBE0 = 0,7V, VCC = 12V. Hãy xác định các thông số tĩnh: IB, IC, IE
, UCE . Vẽ đường tải tĩnh
 BÀI 2
 Cho mạch điện như hình vẽ: Biết R1 = 220k; R2 = 1k; R3
= 1K;  = 100; UBE0 = 0,6V, VCC = 15V. Hãy xác định các
thông số tĩnh: IB, IC, IE , UCE , UB , UC , UE. Vẽ đường tải tĩnh
 BÀI 3
Cho mạch khuếch đại như hình vẽ. Biết VCC = 15V; R3 = 1k;
R4 = 0,5K; R1 = 85k; R2 = 15k; UBE0 = 0,6V;  = 100.
Hãy xác định các tham số tĩnh của transistor (IB , IC , IE , UCE , UB ,
UC , UE ).
Vẽ đường tải tĩnh,
đường tải động.
 CHƯƠNG 2. ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ

2. • Điốt bán dẫn

1
2. • Mạch ứng dụng điốt
2
2. • Transistor BJT

3
2. • Transistor FET

4
2. • Mạch ứng dụng Transistor

5
 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG FET
I. PHÂN LOẠI FET, có 2 loại:
 Junction field effect transistor (JFET): Transistor trường
điều khiển bằng tiếp xúc P-N
 Insulated gate field effect transistor (IGFET): Transistor có
cực cửa cách điện:
 Thông thường lớp cách điện được dùng là lớp oxit nên còn
gọi là metal - oxide - semiconductor transistor (MOSFET).
 Trong loại FET có cực cửa cách điện được chia làm 2 loại là
MOSFET kênh đặt sẵn (DE-MOSFET) và MOSFET kênh
cảm ứng (E-MOSFET).
Mỗi loại FET lại được phân chia thành kênh N và kênh P.
 I. PHÂN LOẠI FET
FET

JFET MOSFET

DE-MOSFET E-MOSFET
N P

N P N P

P N P N P N
a). JFET b). MOSFET kênh sẵn c). MOSFET kênh cảm ứng P N P N P N P N P N P N
a). JFET b). MOSFET kênh sẵn c). MOSFET kênh cảm ứng a). JFET b). MOSFET kênh sẵn c). MOSFET kênh cảm ứng
LINH KIỆN THỰC TẾ
 II. CẤU TẠO, HOẠT ĐỘNG JFET
1. Cấu tạo JFET:
Có 2 loại JFET: kênh N và kênh P.
• JFET kênh N thường thông dụng hơn.
• JFET có 3 cực: cực Nguồn S (source); cực Cửa G (gate); cực
Máng D (drain).
• Cực D và S được kết nối vào kênh N (or P).
• Cực G được kết nối vào vật liệu bán dẫn P (or N).

Drain Drain
(D) (D)

P N P N P N
Gate Gate
(G) (G)

Source
N Source P
(S) (S)
 2. HOẠT ĐỘNG CỦA JFET
JFET hoạt động giống như hoạt động của một khóa nước.

• Nguồn áp lực nước - tích lũy các hạt e- ở điện cực âm của nguồn
điện áp cung cấp từ D và S.
• Ống nước ra - thiếu các e- hay lỗ trống tại cực dương của nguồn
điện áp cung cấp từ D và S.
• Điều khiển lượng đóng mở nước - điện áp tại G điều khiển độ
rộng của kênh N, kiểm soát dòng chảy e- trong kênh N từ S tới D.
 Sơ đồ mạch JFET
Để JFET hoạt động ở chế độ khuếch đại thì ta cấp nguồn:
JFET kênh N: VDS > 0; VGS < 0

JFET kênh P: VDS < 0; VGS > 0

Nguyên lý hoạt động của JFET
JFET kênh N khi chưa phân cực

Drain
(D)

P N P
Gate
(G)

Source
(S)
 JFET kênh N khi cấp điện áp vào D và S,
chân G không được cấp điện áp

 Các điện tử chuyển động

ID Drain từ - nguồn qua cực S qua kênh
(D)
dẫn về cực D và về + nguồn tạo
` thành dòng ID.
VDS
P P
Gate
(G)  Dòng ID tỉ lệ tuyến tính với

điện áp VDS (vì kênh dẫn có

Source một giá trị điện trở thuần nhỏ)

(S)
 JFET kênh N khi phân cực bão hòa
 Tiếp giáp P-N bị phân cực
Drain
ngược và mạnh dần về phía cực
ID
(D) máng.
 Điện thế tại mỗi điểm dọc theo
` kênh dẫn tăng dần từ 0V ở cực
VDS nguồn S đến trị số VDS ở cực
P P máng.
Gate
(G)
 Nguồn VDS sẽ tạo ra dòng
chuyển động của các điện tử
VGS=0V

(chính là hạt tải đa số của bán

Source dẫn N) qua kênh dẫn, tạo thành
(S) dòng điện máng ID tỉ lệ tuyến
tính với VDS và ID đạt giá trị lớn
nhất.
 JFET kênh N phân cực

ID Drain
(D)
Lớp tiếp xúc P-N bị
` phân cực ngược nên
VDS
vùng nghèo tăng, tiết
P P
Gate diện của kênh dẫn bị
(G)
thu hẹp lại làm dòng ID
giảm.
VGS<0V

Source
(S)
 JFET kênh N ở chế độ ngưng

Lớp tiếp xúc P-N bị

ID Drain
(D)
phân cực ngược mạnh
VGS=-Ve

` nên vùng nghèo của 2

VDS
Gate
P P
bên chạm vào nhau làm
(G)
kênh dẫn bị thắt lại khi
Source đó ID = 0.
(S)

VGS = - Vngắt gọi là điện

áp thắt.
 Đặc điểm hoạt động JFET

JFET kênh N có 3 chế độ hoạt động cơ bản khi VDS >0:

 VGS = 0, JFET hoạt động bão hòa, ID=IDMax = IDSS

 VGS < 0, JFET hoạt động tuyến tính, ID↓

 VGS = -VGSngắt, JFET ngưng hoạt động, ID=0

 Đặc tuyến truyền đạt JFET Kênh N

Thể hiện mối quan hệ

ID=f(VGS) khi VDS=const
Phương trình Shockley
VGS 2
I D  I DSS (1  )
VGSngat
ID
VGS  VGSngat (1  )
I DSS
 Đặc tuyến ra của JFET

Thể hiện mối quan hệ ID=f(VDS)

Drain
khi VGS=const
ID
(D)
Khi VDS nhỏ, lớp tiếp giáp P-N bị

`
phân cực ngược nên vùng nghèo
VDS lấn vào kênh dẫn khi đó ID tăng
P P
Gate theo VDS.
(G)
Khi tăng VDS đến giá trị làm
VGS<0V

kênh dẫn bị thắt lại bắt đầu ở D.

Source
(S) Chỉ số điện áp đó gọi là điện áp
VDS bão hòa và dòng điện IDS đạt
tới dòng điện bão hòa IDSS
 Đặc tuyến ra của JFET

Nếu tiếp tục tăng điện áp VDS

ID Drain
(D) thì dòng điện IDS không tăng
nữa do tiếp xúc P-N phân cực
`
VDS ngược mạnh hơn làm kênh dẫn
P P
Gate bị lấp.
(G)
Nếu tăng VDS quá cao sẽ xảy ra
VGS<0V

Source hiện tượng đánh thủng tiếp xúc

(S)
P-N và dòng ID sẽ tăng vọt lên.
Đặc tuyến ra của JFET
 Đặc tuyến ra của JFET
 Trên đặc tuyến, ta thấy có 3 vùng rõ rệt:
 Vùng VDS < VDSSat: Dòng tăng nhanh, khá tuyến tính. Kênh dẫn
điện giống như một điện trở nên vùng này được gọi là vùng
tuyến tính hay vùng điện trở thuần.
 Vùng VDSsat < VDS < VDS thủng: Là vùng bão hoà, dòng ID gần như
không tăng và bằng IDSS do hiện tượng thắt kênh.
 Vùng VDS  VDS thủng: Nếu UDS tăng quá giá trị VDS thủng thì tiếp
giáp PN bị đánh thủng, dòng ID tăng vọt. Vùng này gọi là vùng
đánh thủng.
 Giá trị dòng bão hòa với trường hợp VGS = 0 được ký hiệu là
IDSS.
3. Các cách mắc của JFET trong sơ đồ mạch

Sơ đồ cực nguồn chung

VDD

iD
RD C2
URa
C1 iG
Uvào

RG RS CS
 Sơ đồ mắc cực máng chung

VDD

C1 iG
Uvào C2
URa
RR RS iS
GS
 Sơ đồ mắc cực cửa chung

S D

Uvào URa
G G

• Sơ đồ này theo nguyên tắc không được sử dụng

do có trở kháng vào nhỏ, trở kháng ra lớn.
Ứng dụng JFET
 BÀI 2. CẤU TẠO, HOẠT ĐỘNG MOSFET

 Đây là loại transistor trường có cực cửa cách điện với kênh
dẫn điện bằng một lớp cách điện mỏng. Lớp cách điện
thường dùng là chất oxit nên ta thường gọi tắt là transistor
trường loại MOS. Tên gọi MOS được viết tắt từ ba từ tiếng
Anh là: Metal - Oxide - Semiconductor.
 Transistor trường MOSFET có hai loại: transistor MOSFET có
kênh sẵn (DE-MOSFET) và transistor MOSFET kênh cảm
ứng (E-MOSFET). Trong mỗi loại MOSFET này lại có hai
loại là kênh dẫn loại P và kênh loại N.
 1. MOSFET kênh sẵn
 Transistor trường MOSFET kênh sẵn còn gọi là MOSFET-chế
độ nghèo (Depletion-Mode MOSFET viết tắt là DE-
MOSFET).
 Transistor trường loại MOS có kênh sẵn là loại transistor mà
khi chế tạo người ta đã chế tạo sẵn kênh dẫn.
KÝ HIỆU
NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA D-MOSFET KÊNH N

 Khi transistor làm việc, thông thường cực nguồn S được nối
với đế và nối đất nên VS=0.
 Các điện áp đặt vào các chân cực cửa G và cực máng D là so
với chân cực S.
 Nguyên tắc cung cấp nguồn điện cho các cực sao cho hạt dẫn
đa số chạy từ cực S qua kênh về cực D để tạo nên dòng điện ID
trong mạch cực máng.
 Còn điện áp đặt trên cực cửa có chiều sao cho MOSFET làm
việc ở chế độ giàu hạt dẫn hoặc ở chế độ nghèo hạt dẫn.
 Nguyên lý làm việc của hai loại transistor kênh P và kênh N
giống nhau chỉ có cực tính của nguồn điện cung cấp cho các
chân cực là trái dấu nhau.
 Đặc tính truyền đạt: ID = f(VGS) khi VDS = const
Nguyên lý hoạt động
Đặc tuyến ra DE-MOSFET kênh N
 2. MOSFET kênh cảm ứng

 Transistor trường loại MOS kênh cảm ứng còn gọi là MOSFET
chế độ giàu (Enhancement-Mode MOSFET viết tắt là E-
MOSFET).
 Khi chế tạo MOSFET kênh cảm ứng người ta không chế tạo
kênh dẫn.
 Do công nghệ chế tạo đơn giản nên MOSFET kênh cảm ứng
được sản xuất và sử dụng nhiều hơn.
KÝ HIỆU
 Nguyên lý hoạt động E-MOSFET

 Nguyên lý làm việc của loại kênh P và kênh N giống

hệt nhau chỉ khác nhau về cực tính của nguồn cung
cấp đặt lên các chân cực.
 Trước tiên, nối cực nguồn S với đế và nối đất, sau đó
cấp điện áp giữa cực cửa và cực nguồn để tạo kênh
dẫn.
Nguyên lý hoạt động E-MOSFET
Nguyên lý hoạt động E-MOSFET
Đặc tuyến của E-MOSFET KÊNH N
PH­ƯƠNG TRÌNH SHOCKLEY

142
 TỔNG HỢP PHÂN CỰC CHO JFET
JFET
Ký hiệu
D D

S S

Phân cực

{𝑉 𝐷𝑆 > 0
𝑉 𝐺𝑆 ≤ 0 {𝑉 𝐷𝑆 < 0
𝑉 𝐺𝑆 ≥ 0

(VGS = 0: T bão hòa; (VGS = 0: T bão hòa;

VGS = -Vthắt : T tắt; VGS = Vthắt : T tắt;
-Vthắt < VGS < 0 : T khuếch đại ) 0< VGS < Vthắt : T khuếch đại )
 TỔNG HỢP PHÂN CỰC CHO MOSFET

DE-MOSFET D
D

Ký hiệu S
S

{ {
Phân cực 𝑉 𝐷𝑆 >0 𝑉 𝐷𝑆 <0
𝑉 𝐺𝑆 ≤ 0 − 𝑀𝑖 ề 𝑛 𝑛𝑔h è 𝑜 𝑉 𝐺𝑆 ≥ 0 𝑀𝑖ề 𝑛 𝑛𝑔h è 𝑜
𝑉 𝐺𝑆 >0 − 𝑀𝑖 ề 𝑛 𝑔𝑖 à 𝑢 𝑉 𝐺𝑆 <0 𝑀𝑖 ề 𝑛 𝑔𝑖 à 𝑢

VGS = -Vthắt  T tắt; VGS = Vthắt  T tắt;

VGS = 0, tăng VDS đến giá trị nào đó IDSS T VGS = 0, tăng VDS đến giá trị nào đó
bão hòa; IDSS  T bão hòa;
VGS càng tăng thì ID càng lớn VGS càng tăng thì ID càng lớn
 TỔNG HỢP PHÂN CỰC CHO MOSFET
E-MOSFET

Ký hiệu

Phân cực

{ 𝑉
𝑉
𝐷𝑆 >0
𝐺𝑆 > 0
{ 𝑉 𝐷𝑆 < 0
𝑉 𝐺𝑆 < 0

VGS = 0  T tắt; VGS = 0  T tắt;

VGS = VT  tạo kênh dẫn và T có VGS = -VT  tạo kênh dẫn và T có
dòng ID dòng ID
VGS càng tăng thì ID càng lớn VGS càng âm thì ID càng lớn
 3. Cách mắc MOSFET

 Có 3 cách mắc, tương tự như JFET

 2 cách thông dụng nhất là cực D chung và cực S

chung.
BÀI 3: PHÂN CỰC TRANSISTOR FET

1. Phân cực cho JFET

2. Phân cực cho DE-MOSFET
3. Phân cực cho E-MOSFET
 PHÂN CỰC CHO JFET
PHÂN CỰC CỐ ĐỊNH

+VDD ID(mA) ID(mA)

10
iD VDD
RD
RD IDSS 8 VGS=-0V

D 6 VGS=-1V
iG G
VGS=-2V
4
S Q Q VGS=-VGG
2

0
- VGG

VDSQ
VGSQ=-VGG
VGS(Off)

+ -7 -6 -4 -2 VGS(V) 0 2 4 6 8 10 VDS(V)
 VÍ DỤ 1
IDSS = 8mA, VGS(off) = -6v; VGG = 3V; VDD = 10V +VDD
RD = 1K, RG = 1M
iD
Xác định điểm làm việc tĩnh. RD
 Đáp số D
iG G
 VG = - VGG = -3V.
 ID = 2mA (PT Shockley) S
 VD = 8V.
- VGG
+
 BÀI TẬP 1
 Xác định dòng ID bão hòa và VGS khóa.
 Tính dòng ID ứng với các giá trị VGS = 0V; VGS = -2 V; VGS
= -4V và VGS = -6 V.
 PHÂN CỰC CHO JFET
PHÂN CỰC TỰ ĐỘNG
ID(mA)
+VDD
IDSS
iD
RD
Đường phân cực
D 1
iG G ID   VGS
RS
Q IDQ
S
RG iS RS
0
VGS(Off) VGSQ
VGS(V)
 BÀI TẬP 2
Cho mạch khuếch đại như hình vẽ.
Đặc tuyến của J-FET như bài 1.
Biết VDD = 15V; điểm làm việc tĩnh
được chọn ứng với RD = 1K.
a) Xác định trị số RS.
b) Xác định thiên áp VGS0.
c) Điện áp trên cực máng VD.
 BÀI GIẢI

Chọn điểm làm việc ID = IDSS /2 = 7,5mA

Vậy VGS = - 2V
RS = - VGS/ID = 266 
VGS0 = - IDRS = - 2 V
VD = VDD – IDRD = 15 – 7,5 = 7,5 V
 BÀI TẬP
BÀI TẬP 1: Cho mạch khuếch đại dùng JFET như hình 1, với IDSS =
10mA, VGS(off) = -8v; VGG = 4V; VDD = 12V, RD = 1K, RG =
1M.
BÀI TẬP 2: Cho mạch khuếch đại dùng JFET như hình vẽ, với ID0 =
5mA, VDD = 15V, RD = 1K, RG = 1M, RS = 1K. Hãy cho biết điện
áp VDS0 +VDD

iD
RD

D
iG G

- VGG
+
 PHÂN CỰC CHO JFET

PHÂN CỰC BẰNG CẦU CHIA ĐIỆN THẾ

ID(mA)
+VDD RS2
IDSS VG
iD I D2 
RD R S2
R1
RS1>RS2 Q2
D ID2 I D1  VG
iG R S1
Q1
G ID1
S VGS  VG  R S I D
R2 iS RS
0
VGS(Off)
VGSQ1
VGSQ2

VG VGS(V)
 BÀI TẬP 3
 Cho mạch khuếch đại như hình 2-20. Biết:
 VDD = 15V; R1 = 600k; R2 = 150k; RD = l,5k
RS = 1k; ID0 = 5mA.
a) Xác định VGS
b) Dòng cực máng ID.
c) Điện áp trên cực máng VD , VDS.
BÀI GIẢI
 BÀI TẬP
BÀI TẬP 3: Cho mạch khuếch đại dùng JFET như hình vẽ, Biết
VDD = 15V; R1 = 400k; R2 = 100k; RD = 1,5k, RS = 1k; IDSS
= 10mA. Hãy xác định điểm làm việc tĩnh của T?
 PHÂN CỰC CHO DE-MOSFET

Phân cực bằng cầu chia điện thế

ID(mA)
+VDD=+18V
10.67
iD 10
R1 RD 1.8k
110M
D IDQ 7.6 Q
iG iDSS=6mA
VGS(Off)=-3V
G S
R2 iS RS 150Ω
10M
0
VGS(Off) VG

VGSQ
-1 1 VGS(V)
-3V 1.5
 BÀI TẬP 1
Cho mạch khuếch đại như hình vẽ. Biết: E = 12V; RG = 200k; VS0 =
3.5V ; ID0 = 5mA.
a) Hãy xác định trị số điện trở R1 để tạo thiên áp yêu cầu VGS0 = -2V.
b) Xác định VD0 , VDS khi RD = 1,5K.
BÀI TẬP 1
 PHÂN CỰC CHO E-MOSFET

Phân cực bằng hồi tiếp điện thế

ID(mA)
VDD
RD
+VDD
iD
RD
RG
D
Q
iG IDQ
G S
0 VGS(th) VGSQ VDD VGS(V)
 BÀI TẬP
a) Xác định độ hỗ dẫn gm tại điểm làm việc 0(8V, 7,5mA).
b) Tính trị số RD.
 Cho mạch khuếch đại dùng MOSFET như hình vẽ,
Biết VDD = 15V; Điểm làm việc ID0 = 5mA, RD =
2K; Hãy tính cho biết VGS0?
 PHÂN CỰC CHO E-MOSFET

Phân cực bằng cầu chia điện thế

+VDD ID(mA) Đặc tuyến truyền
VG Đường phân cực
iD
R1 RD RD

D
iG
G S Q
R2 iS IDQ
RS

0 VGS(th) VGSQ VG VGS(V)

 CHƯƠNG 2. ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ

2. • Điốt bán dẫn

1
2. • Mạch ứng dụng điốt
2
2. • Transistor BJT

3
2. • Transistor FET

4
2. • Mạch ứng dụng Transistor

5
 2.5. MẠCH ỨNG DỤNG TRANSISTOR
1. Mạch điều khiển động cơ DC

Dùng một chân PWM trên Arduino để điều khiển điện áp đặt vào
cực Base của transistor qua đó điều khiển được tốc độ động cơ theo
ý muốn. Với cách mắc này, động cơ có thể chạy ở các mức điện áp
từ 5V trở xuống do Arduino điều khiển.

Động cơ lắp vào chân

E của Transistor
Công suất của
Transistor: P = UCEIE
 MẠCH ỨNG DỤNG TRANSISTOR
1. Mạch điều khiển động cơ DC

Động cơ lắp vào chân C của Transistor

 MẠCH ỨNG DỤNG TRANSISTOR

2. Mạch dao động đa hài

Sơ đồ mạch
 MẠCH ỨNG DỤNG TRANSISTOR

3. Transistor làm công tắc điện tử

 MẠCH ỨNG DỤNG TRANSISTOR

4. Mạch khuếch đại tín hiệu

Mạch mắc kiểu chung emiter, điện trờ R1, R2 làm phân áp cho
transistor
 MẠCH ỨNG DỤNG TRANSISTOR
5. Mosfet trong nguồn xung của Monitor

Dùng IC tạo dao động và Mosfet, dao động tạo ra từ IC có dạng xung vuông được
đưa đến chân G của Mosfet, tại thời điểm xung có điện áp > 0V => Mosfet dẫn, khi
xung dđ = 0V Mosfet ngắt => như vậy dđ tạo ra sẽ điều khiển cho Mosfet liên tục
đóng ngắt tạo thành dòng điện biến thiên liên tục chạy qua cuộn sơ cấp => sinh ra từ
trường biến thiên cảm ứng lên các cuộn thứ cấp => cho ta điện áp ra.
 MOSFET LÀM CÔNG TẮC ĐÓNG MỞ ĐÈN

Cấp nguồn UD qua bóng đèn D vào

hai cực D và S của Mosfet Q (Phân
cực thuận cho Mosfet ngược) mà
thấy đèn không sáng nghĩa là
không có dòng điện đi qua cực DS
khi chân G không được cấp điện.

Khi K1 đóng, UG cấp vào hai cực G,S làm điện áp UGS > 0V => đèn Q1 dẫn => bóng
đèn D sáng.
Khi K1 ngắt, điện áp tích trên tụ C1 (tụ gốm) vẫn duy trì cho đèn Q dẫn => chứng tỏ
không có dòng điện đi qua cực GS.
Khi công tắc K2 đóng, điện áp tích trên tụ C1 giảm bằng 0 => UGS= 0V => đèn tắt
=> Từ thực nghiệm trên ta thấy rằng : điện áp đặt vào chân G không tạo ra dòng GS
như trong Transistor thông thường mà điện áp này chỉ tạo ra từ trường => làm cho
điện trở RDS giảm xuống.
 MẠCH ỨNG DỤNG TRANSISTOR

Nhắc lại kiến thức

Mosfet còn tốt: Là khi đo trở

kháng giữa G với S và giữa G
với D có điện trở bằng vô cùng
(kim không lên cả hai chiều đo)
và khi G đã được thoát điện thì
trở kháng giữa D và S phải là
vô cùng.
BẢNG TRA CỨU CÁC LOẠI FET THÔNG DỤNG

https://www.dientu4u.com/news/964/Tim-hieu-ve-Mosfet-va-
cach-kiem-tra-Mosfet.html