BÀI TN 2

KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

Họ và tên MSSV

Nguyễn Thị Thanh Duyên 2348007

Mai Thanh Nhã 2348036

Đỗ Anh Huy 2348014

Hà Nguyễn Gia Bảo 2348004

MỤC TIÊU:
➢ Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.
➢ Nắm được đặc tính các linh kiện diode chỉnh lưu, LED phát quang và diode zener
➢ Thiết lập được mạch ổn áp đơn giản

CHUẨN BỊ:
➢ Chuẩn bị bài prelab
➢ Xem lại cách sử dụng các dụng cụ đo VOM, oscilloscope, máy phát sóng

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

THÍ NGHIỆM 1

Mục tiêu

Khảo sát đặc tính diode trong miền thuận.

Yêu cầu

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D1, dùng VOM ở chế độ đo mA kết nối D1 và
R1. Dùng 1 VOM ở chế độ đo điện áp đo điện áp vào Vin, một VOM khác đo điện áp 2 đầu
diode. Nếu như thiếu VOM thì có thể dùng 1 VOM đo điện áp Vin rồi sau đó đo điện áp trên
diode.

Kiểm tra

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất, bật nguồn. Tăng dần Vin và ghi các giá trị đo:

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

ID (mA) 1,39 3,34 5,30 7,28 9,27 11,25 13,23 15,22 17,20

VD (V) 0,595 0,636 0,658 0,672 0,683 0,692 0,700 0,706 0,711

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Vẽ đặc tuyến thuận của diode

ĐẶC TUYẾN THUẬN CỦA DIODE

20

18

16

14

12
Id (mA)

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Vd (V)

Xác định điện áp ngưỡng của diode D:

Điện áp ngưỡng của diode D  0, 650(V )

Lặp lại thí nghiệm cho Led D2.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

ID2 (mA) 0,25 2,13 4,08 6,24 8,01 9,98 11,95 13,92 15,89

VD2 (V) 1,792 1,830 1,873 1,904 1,930 1,953 1,973 1,992 2,009

Điện áp ngưỡng của D2 ≈ 1,9 (V)

Lặp lại thí nghiệm cho Led D3.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

ID3 (mA) 0 1,33 3,27 5,15 7,09 9,03 10,97 12,92 14,87

VD3 (V) 1,980 2,632 2,719 2,787 2,843 2,896 2,943 2,984 3,023

Điện áp ngưỡng của D3 ≈ 2,6 (V)

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”
THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát đặc tính diode trong miền ngược.

Yêu cầu

Dùng VOM đo giá trị điện trở R2.

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D8 và điện trở R2 như hình vẽ,. Dùng 1 VOM ở
chế độ đo điện áp đo điện áp trên R2 (VR2), một VOM khác đo điện áp 2 đầu diode VD.

Kiểm tra

Giá trị R2 là: 147,5( k)

Nhắc lại công thức liên hệ giữa ID, IS, VD

 VDV 
I D = I S   e t − 1
 
 

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

Tăng dần Vin, quan sát VD và ghi các giá trị đo được vào bảng sau:

VD (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

VR2 (V) 0,027 0,053 0,087 0,117 0,146 0,157 0,204 0,234 0,262

Id (µA) 0,173 0,340 0,558 0,751 0,937 1,123 1,309 1,502 1,682

Nhận xét về điện trở của diode trong miền ngược:

Trong miền ngược diode có điện trở rất lớn 107 

Dòng điện ngược bão hòa Is bằng bao nhiêu? (Gợi ý: dựa vào công thức liên hệ giữa ID, IS, VD
ta tính được Is, chú ý dấu của VD)

I s = 2,5 10−14 (  A)

Dùng dòng điện ngược bão hòa Is đã có, kiểm chứng lại dòng điện thuận theo lý thuyết của
diode D1 với bảng đo đã thực hiện ở trên, coi nhiệt độ phòng là 30oC.

Gợi ý: Chép lại bảng số liệu đo được ở miền thuận của diode D ở thí nghiệm 1 vào 2 hàng ID
(mA) và VD (V). Hàng ID(theory) được tính theo công thức lý thuyết dựa vào Is đã tính phía
trên và hàng VD (V). Sau đó so sánh ID(theory) và ID (mA) (thực tế đo ở bài 1).

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

ID (mA) 1,39 3,34 5,30 7,28 9,27 11,25 13,23 15,22 17,20

VD (V) 0,595 0,636 0,658 0,672 0,683 0,692 0,700 0,706 0,711

ID(theory) (nA) 0,217 1,051 2,449 4,195 6,405 9,054 12,316 15,513 18,803

Nhận xét giá trị thu được, giải thích:

Trong miền ngược, diode có giá trị điện trở rất lớn và giá trị ID thực tế khác xa với lý thuyết

THÍ NGHIỆM 3
Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”
Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu bán kỳ.

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine, tần
số 1Khz, biên độ 4Vp-p.

Dùng kênh 1 của dao động ký đo dạng sóng ngõ vào, kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao động
ký để có dạng sóng chính xác.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích
Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là: 1,52 (V)
Nguyên nhân cho việc sóng ngõ ra thấp hơn sóng ngõ vào là do ở diode phải có sụt áp
giữa anode và cathode lớn hơn điện áp ngưỡng của diode thì diode mới dẫn, với:
Vout  Vin − VON

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra.

Giải thích sự khác nhau của ngõ ra khi có và không có tụ C1.

Dạng sóng ngõ ra khi kết nối tụ vào tải phẳng hơn khi không có tụ, nguyên nhân là do khi có
tụ điện thì tụ điện được nạp khi điện áp tăng và khi điện áp giảm thì tụ điện xả để duy trì điện
áp qua tải được ổn định. Nhờ tác dụng lọc của tụ mà dạng sóng ở ngõ ra phẳng hơn.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu toàn kỳ.

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine, tần
số 1Khz, biên độ 4Vp-p.

Dùng kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1, lưu ý tháo probe kênh 1 ra khỏi mạch.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao động
ký để có dạng sóng chính xác.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

 Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích
Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là 1,52V.
Nguyên nhân sóng ngõ ra có giá trị đỉnh thấp hơn sóng ngõ vào và thấp hơn giá trị đỉnh của sóng
ngõ ra trong trường hợp chỉnh lưu bán kì là do trong mỗi bán kì, giữa hai đầu chỉnh lưu cầu đều
phải có sụt áp lớn hơn hai lần điện áp ngưỡng của mỗi diode thì diode mới dẫn, cho nên
Vout  Vin − VON

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra.

Giải thích sự khác nhau khi có và không có tụ C1.

Dạng sóng ngõ ra khi nối tụ vào tải phẳng hơn khi không có tụ, nguyên nhân là do khi có tụ điện
thì tụ điện được nạp khi điện áp tăng và khi điện áp giảm thì tụ điện xả để duy trì điện áp qua tải
được ổn định. Nhờ tác dụng lọc của tụ mà dạng sóng ở ngõ ra phẳng hơn.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

THÍ NGHIỆM 5

Mục tiêu

Khảo sát diode zener.

Yêu cầu

Dùng VOM đo giá trị của R3 và R4.

R3 = 548() R4 = 324, 6()

Kết nối nguồn điện 0-20V vào mạch, chỉnh điện áp về 0V. Dùng VOM ở chế độ đo mA kết
nối R3 và D9. Dùng 2 VOM đo điện áp vào và điện áp ra.

Kiểm tra

Tăng dần điện áp vào, ghi nhận điện áp trên Zener và dòng điện qua Zener như bảng sau

Vi (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Vdz (V) 1,973 3,933 5,19 5,33 5,35 5,37 5,38 5,39 5,39

Iz (mA) 0 0,02 1,27 4,62 8,19 11,77 15,35 18,49 22,53

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Vẽ đặc tuyến của Zener và xác định Vz.

ĐẶC TUYẾN ZENNER

25

20

15
Iz (mA)

10

0
0 1 2 3 4 5 6
Vdz (V)

Tính công suất R3 khi Id = IR3 = 20mA.

PR 3 = R2  I R3 2 = 548  ( 20 10−3 ) = 0, 2192(W)

2

Xác định dòng ổn áp tối thiểu, cách làm như thế nào?

Dòng ổn áp tối thiểu: I Zmin = 1,96(mA)

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

Chỉnh Vin sao cho Id = IR3 = 5 mA. Sau đó kết nối tải R4 song song với Zener.

Quan sát sự thay đổi của Volt kế và Miliampe kế khi có tải và không có tải, giải thích sự thay
đổi đó.

Quan sát: Số chỉ trên Miliampe kế tăng nhưng số chỉ trên Volt kế lại không nhiều.

Nguyên nhân: Là do với điều kiện của thí nghiệm này, diode zener đã đạt trạng thái ổn áp do
dòng điện đã đạt giá trị ổn áp tối thiểu nên điện áp giữa hai đầu diode zener ổn định ở mức
điện áp áp. Đối với Miliampe kế thì Miliampe kế lúc này đang hiển thị cường độ dòng điện
trong cả mạch, tức là tổng của cả dòng điện đi qua diode zener và tải nên lúc này Miliampe kế
hiển thị giá trị lớn hơn ban đầu khi chỉ có dòng điện qua diode zener.

Giảm Vin cho đến khi mạch không còn ổn áp. Mạch không còn ổn áp khi nào?

Khi điện áp đi qua Zenner bị sụt áp dưới mức điện áp phân cực nghịch của Zenner.

Mạch không còn ổn áp ở 5,3 (V)

Ghi nhận lại giá trị Vin khi mạch không còn ổn áp.

Vin = 15,20

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

Tính Vin theo lý thuyết để mất ổn áp, biết VZ = 5.6V.

Xét mạch ta có: Vin = VR3 + VZ = I R3  VZ (với điều kiện là zener ổn áp, VZ không đổi)

 V 
Suy ra: Vin =  I Z + Z   R3 + VZ
 R4 

Vì Vin là hàm đồng biến với IZ và các thành phần còn lại là không đổi nên với điều kiện là diode
zener ổn áp là ngay khi đạt giá trị điện áp VZ nên điện áp Vin nhỏ nhất để diode Zener vẫn ổn
áp theo lý thuyết: (IZ lúc này là IZmin )
 5, 6 
Vin = 1, 69 10−3 +  548 + 5, 6 = 15,98(V )
 324, 6 

So sánh hai giá trị Vin theo lý thuyết và thực tế.

Vin lý thuyết cao hơn Vin thực tế, cách nhau khá xa, khoảng 1 V.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”