BÀI TN 2

KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

MỤC TIÊU:

 Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

 Nắm được đặc tính các linh kiện diode chỉnh lưu, LED phát quang và diode zener
 Thiết lập được mạch ổn áp đơn giản

CHUẨN BỊ:
 Chuẩn bị bài prelab
 Xem lại cách sử dụng các dụng cụ đo VOM, oscilloscope, máy phát sóng

THÍ NGHIỆM 1

Lab manual for “Semiconductor Devices”

Mục tiêu

Khảo sát đặc tính diode trong miền thuận.

Yêu cầu

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D1, dùng VOM ở chế độ đo mA kết nối D1 và
R1. Dùng 1 VOM ở chế độ đo điện áp đo điện áp vào Vin, một VOM khác đo điện áp 2 đầu
diode. Nếu như thiếu VOM thì có thể dùng 1 VOM đo điện áp Vin rồi sau đó đo điện áp trên
diode.

Kiểm tra

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.

Tăng dần Vin và ghi các giá trị đo được vào bảng sau

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 1.35 3.30 5.14 7.23 9.21 11.16 13.20 15.20 17.20

Vd (V) 0.604 0.652 0.672 0.686 0.697 0.705 0.713 0.718 0.724

Lab manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Vẽ đặc tuyến thuận của diode

Xác định điện áp ngưỡng của diode

Điện áp ngưỡng của diode là: 0.672 V.

Lặp lại thí nghiệm cho Led D2.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 0.27 2.18 4.14 6.11 8.09 10.08 12.07 14.05 16.04

Vd2 (V) 1.722 1.810 1.844 1.868 1.883 1.898 1.911 1.923 1.934

Điện áp ngưỡng của D2: 1.782 V.

Lặp lại thí nghiệm cho Led D3.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 0 1.33 3.23 5.15 7.09 9.03 10.98 12.24 14.91

Vd2 (V) 1.996 2.662 2.750 2.820 2.880 2.931 2.977 3.008 3.048

Lab manual for “Semiconductor Devices”

 Điện áp ngưỡng của D3: 2.566 V.

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát đặc tính diode trong miền ngược.

Yêu cầu

Dùng VOM đo giá trị điện trở R2.

Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D8 và điện trở R2 như hình vẽ,. Dùng 1 VOM
ở chế độ đo điện áp đo điện áp trên R2 (VR2), một VOM khác đo điện áp 2 đầu diode Vd.

Kiểm tra

Giá trị R2 là: 21.45 k  .

Chỉnh điện áp Vin về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.

Tăng dần Vin, quan sát Vd và ghi các giá trị đo được vào bảng sau

Lab manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

Vd (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

VR2 (V) 0.0270 0.0535 0.0802 0.1174 0.1467 0.1758 0.2050 0.2344 0.2635

Id (  A ) 1.2590 2.4940 3.7390 5.4730 6.8390 8.1958 9.5570 10.9270 12.2840

Nhận xét về điện trở của diode trong miền ngược:

Dòng điện qua diode là rất bé (khoảng 10-6  0 ), do đó điện trở của diode là rất lớn, có giá trị
dao động từ 1.4 MΩ đến 1.6 MΩ.

Dòng điện ngược bão hòa Is bằng bao nhiêu:

I s  2.886  10 14  A 

Dùng dòng điện ngược bão hòa đã có, kiểm chứng lại dòng điện thuận theo lý thuyết của
diode D1 với bảng đo đã thực hiện ở trên, coi nhiệt độ phòng là 30oC.

Vin (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Id (mA) 1.350 3.300 5.140 7.230 9.210 11.160 13.200 15.200 17.200

Vd (V) 0.604 0.652 0.672 0.686 0.697 0.705 0.713 0.718 0.724

Id(theory)(mA) 0.396 2.533 5.487 9.426 14.420 19.645 16.762 32.467 40.940

THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu bán kỳ.

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine, tần
số 1Khz, biên độ 4Vp-p.

Lab manual for “Semiconductor Devices”

 Dùng kênh 1 của dao động ký đo dạng sóng ngõ vào, kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao
động ký để có dạng sóng chính xác.

Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích

Lab manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

Giá trị đỉnh sóng ngõ ra là 1.4 V. Nguyên nhân cho việc sóng ngõ ra thấp hơn sóng ngõ vào
là do ở diode phải có sụt áp giữa cathode và anode lớn hơn điện áp ngưỡng của diode thì
diode mới dẫn, khi đó: Vout = Vin – Von.

Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra và giải thích sự khác nhau so với khi không có
tụ C1.

Lab manual for “Semiconductor Devices”

 Dạng sóng ngõ ra khi nối tụ C1 phẳng hơn khi không có tụ, nguyên nhân là khi có tụ thì tụ điện
được nạp (điện áp tăng) và tụ điện được xả (điện áp giảm) để duy trì điện áp qua tải được ổn định.
Nhờ tác dụng lọc của tụ mà dạng sóng ở ngõ ra phẳng hơn.
THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát các mạch chỉnh lưu toàn kỳ.

Yêu cầu

Kết nối máy phát sóng vào D1 và R1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là sine, tần
số 1Khz, biên độ 4Vp-p.

Dùng kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R1, lưu ý tháo probe kênh 1 ra khỏi mạch.

Kiểm tra

Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1 dao
động ký để có dạng sóng chính xác.

Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.

Lab manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER

Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích

Giá trị đỉnh sóng ngõ ra là 1.36 V. Nguyên nhân có giá trị thấp hơn sóng ngõ vào và thấp hơn
giá trị đỉnh sóng ngõ ra trong trường hợp chỉnh lưu bán kì là do trong mõi bán kì, giữa 2 đầu
chỉnh lưu cầu đều phải có sụt áp lớn hơn 2 lần điện áp ngưỡng mỗi diode thì diode mới dẫn,
với: Vout = Vin – 2Von.

Nối ngõ ra vào tụ C1. Vẽ lại dạng sóng ngõ ra và giải thích sự khác nhau so với khi không có
tụ C1.

Lab manual for “Semiconductor Devices”

 Dạng sóng ngõ ra khi có nối tụ phẳng hơn khi không nối tụ, do quá trình nạp xả của tụ điện giúp
duy trì điện áp qua tải ổn định. Nhờ tác dụng lọc của tụ điện mà dạng sóng ngõ ra phẳng hơn

THÍ NGHIỆM 5

Mục tiêu

Khảo sát diode zener.

Yêu cầu

Dùng VOM đo giá trị của R3 và R4.

R3= 550.5  R4= 325.5 

Lab manual for “Semiconductor Devices”
 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Kết nối nguồn điện 0-20V vào mạch, chỉnh điện áp về 0V. Dùng VOM ở chế độ đo mA kết
nối R3 và D9. Dùng 2 VOM đo điện áp vào và điện áp ra.

Kiểm tra

Tăng dần điện áp vào, ghi nhận điện áp trên Zener và dòng điện qua Zener như bảng sau

Vi (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18

Vdz (V) 1.993 3.986 5.153 5.170 5.180 5.188 5.195 5.202 5.208

Iz (mA) 0 0.03 1.51 5.11 8.74 12.37 15.99 19.60 23.30

Vẽ đặc tuyến của Zener và xác định Vz. Tính công suất R3 khi Id = IR3 = 20mA. Xác định
dòng ổn áp tối thiểu

Lab manual for “Semiconductor Devices”

 Vdz = 5.170 V.

Dòng ổn áp tối thiểu: 1.51 mA.

Công suất R3: P3 = I2.R3 = (20  10-3)2  550.5 = 0.2202 W

Chỉnh Vin sao cho Id = IR3 = 5 mA. Sau đó kết nối tải R4 song song với Zener. Quan sát
Volt kế và Miliampe kế khi có tải và giải thích sự thay đổi đó.

Khi kết nối với tải R4, số chỉ Miliampe kế là 9.08 mA, số chỉ Volt kế là 2.935 V.
Lab manual for “Semiconductor Devices”
 BÀI TN 2
KHẢO SÁT DIOCE CHỈNH LƯU VÀ ZENER
Quan sát thấy số chỉ trên Miliampe kế tăng nhưng số chỉ trên Volt kế lại giảm.
Nguyên nhân là do khi ta mắc R4 // diode Zener:
- Do D9 bị phân cực nên đ.trở rất lớn (RD9 >> R4) nên dòng điện ưu tiên chạy qua R4 nhiều hơn,
điện trở R4 nhận một phần điện áp từ diode, do đó điện áp 2 đầu diode Vdz giảm.
- Rsong song < Rdz, khi đó điện trở tương đương toàn mạch giảm, nên dòng điện trong mạch tăng
R  RD 9
( Rsong song  4 )
R4  RD9
Giảm Vin cho đến khi mạch không còn ổn áp. So sánh với giá trị Vin theo lý thuyết

Vin= 13.99 V

Vin theo lý thuyết để mất ổn áp:

VR4
Vin  VR3  Vdz  I  R3  Vdz  (I dz  ) R3  Vdz trong đó: VR4  Vdz (với điều kiện Zener ổn áp,
R4

Vdz không đổi).

Vdz
Suy ra: Vin  ( I dz  )  R3  Vdz
R4

Vì Vin là hàm đồng biến với I dz và các thành phần còn lại là không đổi nên với diode Zener ổn áp

ngay khi đạt giá trị điện áp Vdz , do đó điện áp Vin nhỏ nhất để diode Zener vẫn ổn áp theo lý

thuyết là:
Vdz 5.153
Vin  ( I dz min  )  R3  Vdz  (1.51 10 3  )  550.5  5.153  14.699 V
R4 325.5

Ta thấy Vin theo lý thuyết lớn hơn so với Vin mà ta đo được.

Lab manual for “Semiconductor Devices”