7/25/2018

KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
1. Diode
2. BJT (Bipolar Junction Transistor)
3. OpAmp (Operational Amplifier)
4. Các linh kiện công suất
5. Các hệ thống số đếm
6. Cổng logic
7. Mạch tổ hợp
8. Mạch tuần tự
1

CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

SMD (Surface mount
devices)

Through hold
[Điện trở (Resistor)]

Through hold Through hold

[Tụ điện (Capacitor)] [Cuộn cảm (Inductor)]

1
 7/25/2018

DIODE

I. Đại cương về chất bán dẫn

1. Các Vật Liệu Điện:
Người ta chia các vật liệu điện ra làm 3 nhóm chính:

Chất dẫn điện Chất cách điện Chất bán dẫn

2
 7/25/2018

2. Phân biệt dựa vào đồ thị năng lượng chất rắn tinh thể
a. Phân biệt 3 loại chất dựa vào đồ thị năng lượng chất rắn tinh thể

Vùng (2): vùng dẫn

Ở giữa là: vùng cấm

Vùng (1) được gọi là: vùng hoá trị

hay miền đầy

Hình 1: Đồ thị năng lượng chất rắn tinh thể

b. Phân biệt 3 loại chất dựa vào đồ thị năng lượng chất rắn tinh thể

Eg < 2eV

a. Chất cách điện b. Chất dẫn điện c. Chất bán dẫn

Hai chất bán dẫn thuần điển hình là Gemanium (Ge) và Silicon (Si)
với cấu trúc dải năng lượng vùng cấm:
Ge: Eg = 0.72 eV và Si: Eg = 1.12 eV
thuộc nhóm bốn bảng tuần hoàn Mendeleev.

3
 7/25/2018

c. Ứng dụng của chất bán dẫn

Chất bán dẫn là vật liệu để chế tạo ra các loại linh kiện bán dẫn như:
- Diode
- BJT
- FET
- IC… mà ta đã thấy trong các thiết bị điện tử ngày nay.

2. Chất bán dẫn tạp

Chất bán dẫn TẠP có pha tạp chất. Có 2 loại: N và P

a. Chất bán dẫn loại N: pha tạp chất nhóm V (Sb, P..) có đặc điểm:
- Nồng độ hạt electron N (Negative) >> nồng độ lỗ trống P (Positive)
- Dẫn điện mạnh

Chất bán dẫn N

4
 7/25/2018

b. Chất bán dẫn loại P: pha tạp chất nhóm III (B, In), có đặc điểm:

- Nồng độ hạt lỗ trống P (Positive) >> nồng độ electron N (Negative)

- Dẫn điện mạnh

Chất bán dẫn loại P

KẾT LUẬN

 Đối với bán dẫn thuần:

Nồng độ electron = nồng độ lỗ trống (n = p)
 Đối với chất bán dẫn loại N :
Nồng độ e- lớn hơn nồng độ lỗ(n >> p)
e- là hạt đa số, lỗ là hạt thiểu số
 Đối với chất bán dẫn loại P :
Nồng độ lỗ trống lớn hơn nồng độ e- (p >> n)
e- là hạt thiểu số, lỗ là hạt đa số.

5
 7/25/2018

II. Diode bán dẫn

1. Lớp tiếp xúc p-n và diode bán dẫn:

Anode Cathode

VD:1N 4001 ; 1N 4007; 1N 5406 ; 1N 1206

Dòng điện qua diode:

= −1

Với: q = 1,6. 10-19 C(Coulombs)

VD: điện áp trên D (V)
K: hằng số Boltzmann K = 1,38. 10-23 J/K
T: nhiệt độ tuyệt đối (K)
IS: Saturation- dòng bão hòa nghịch (A)
η: hệ số phát xạ, thường η=1 (Ge, Si)

= = 25,7

Vậy: = , −1

6
 7/25/2018

Dòng điện qua diode = , −1

• Khi diode phân cực nghịch : VD < 0

, ≪1

=> ID = - Iosat ͌ rất bé

• Khi diode phân cực thuận : VD ≥ 0

, ≫1

=> = ,

2. Đặc tuyến v-i của diode bán dẫn:

7
 7/25/2018

Ví dụ: Mạch khảo sát đặc tuyến V-I của diode:

Lưu ý: Đặc tuyến V-I của diode bán dẫn Si và Ge

8
 7/25/2018

MÔ HÌNH DIODE LÝ TƯỞNG

MÔ HÌNH DIODE SỤT ÁP HẰNG

9
 7/25/2018

MÔ HÌNH DIODE ĐẦY ĐỦ

BÀI TẬP
1.1 Xác định xem diode nào được phân cực thuận hay nghịch trong
các hình vẽ sau

+18V

+18V
-6V 1K

-
10V
+
10K
+15V
-18V
-16V

10
 7/25/2018

1.2 Cho mạch như hình vẽ, xác định dòng và áp trên R1, R2 (Giả
sử diode lý tưởng V =0)

KẾT LUẬN

Khi phân cực nghịch lớp tiếp xúc P-N: dòng qua lớp tiếp xúc nhỏ I =
I0sat nên xem như mối nối P-N không dẫn điện.

Khi phân cực thuận lớp tiếp xúc P-N: dòng qua lớp tiếp xúc lớn và
tăng theo điện áp = , nên xem như mối nối P-N không
dẫn điện.

Vậy lớp tiếp xúc P-N giống một công tác đóng mở, chỉ cho dòng
chạy từ P sang N, hẩu như không có dòng theo chiều ngược lại.

11
 7/25/2018

So sánh giữa hai loại diode Si và Ge

Ge Si

Nhạy (Do V nhỏ) Ít nhạy

Rỉ nhiều Ít rỉ

Phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ Ít phụ thuộc vào nhiệt độ

Ví dụ:

- +
- +
+
-
n - + p

12
 7/25/2018

Bây giờ ta đổi cực của nguồn điện.

Điện trường hướng từ n sang p

h+
-
- h+ -
h+ - -
h+
h+
-
h+
p h+
- n

dòng điện qua lớp tiếp xúc rất nhỏ

(dòng điện ngược)

Bật nguồn

Vậy với lớp tiếp xúc p – n, tính dẫn điện chủ yếu theo một chiều từ P sang N.

3. Các thông số kỹ thuật của diode:

- Chất bán dẫn chế tạo để có V

- Dòng điện thuận cực đại IDmax
- Dòng điện bão hoà nghịch IS
- Điện áp nghịch cực đại VBRmax (breakout)
Thí dụ: bảng tra các diode thông dụng:
Mã số Chất IDmax [A] VRmax [V] Is [A]
1N4001 Si 1 50 5
1N4002 Si 1 100 5
1N4004 Si 1 400 5
1N4007 Si 1 1000 5
1N5404 Si 3 400 5
1N5408 Si 3 1000 5

13
 7/25/2018

4. Hình dạng một số loại diode

4. Điện trở của diode

VD
Điện trở một chiều: RD 
ID

- Ở điểm Q :
RDC = 0.8V/ 20mA = 40 Ω
- Tại Q’:
RDC = 0.5/ 2mA = 250 Ω
-Tại Q”:
RDC = -10/ -2A = 5MΩ

Nhận xét :
Khi phân cực thuận : ID tăng lên mạnh => RD nhỏ
Khi phân cực nghịch : ID rất nhỏ => RD lớn

14
 7/25/2018

Kiểm tra diode trên đồng hồ kim

Kiểm tra diode trên đồng hồ kim

15
 7/25/2018

Xem hình ảnh minh họa

Cách đo thử - kiểm tra diode bằng DVM

16
 7/25/2018

5. Ứng dụng của diode

5.1. Diode chỉnh lưu

A K

Nguyên tắc hoạt động: Dựa vào tính chất chỉnh lưu của lớp chuyển tiếp p - n.

a. Chỉnh lưu bán kỳ :

a D U2m

+ Rt U tm
ut
0V T
AC 220V - T/2
U2 UT
b
0 Time

17
 7/25/2018

b. Chỉnh lưu toàn kỳ:

Va D1

u2 Rt ut
-

AC 220V
u2 0

Vb D2

18
 7/25/2018

U 2m

Utm
0V
T
T/2

Time

Dạng sóng ra chỉnh lưu 2 bán kỳ

c. Chỉnh lưu toàn kỳ (4 diode):

19
 7/25/2018

c. Chỉnh lưu toàn kỳ (4 diode):

10V
U2 m

5V
U Tm

0V

NGUỒN
SIN
-5V
SAU CHỈNH LƯU

Time
-10V

d. Mạch lọc N1:N2 A

D1

+ +
Vi Vo
-
Vs (t) + +
D2
Vi
- -

B C RL

Vo -
A 0

Vr,pp
B
- Điện áp ra:
Vom VDC
4 fRLC
VODC  ( )Vo max
ωt 1  4 fRLC
T1 T2

T/2
- Độ gợn sóng:
1
r% 
4 3 fRL C

20
 7/25/2018

Ví dụ: Cho mạch chỉnh lưu biến thế có điểm giữa như hình vẽ dưới,
biến thế có tỉ số vòng quấn là n = N1/N2 = 17/1, diode có V = 0,7V,
RL =1K.

a. Tính điện thế cuộn thứ cấp VAmax=?

b. Vẽ và giải thích nguyên lý họat động của VA, VB, Vo.

Vs(t) = 310sinωt

Ví dụ: Biến thế có tỉ số vòng quấn là n = N1:N2 = 22:1.

Diode có V = 0,7V, Vs = 310sin 100πt (V).
a. Xác định Vomax, tần số ngõ vào (fin) và ngõ ra (fout).
b. Để ngõ ra bớt gợn sóng người ta gắn tụ lọc C, hãy chọn tụ C
thích hợp nhất trong các tụ điện sau và vẽ thêm tụ vào mạch.
(C1 = 1000 μF/16V; C2 = 2200 μF/10V; C3 = 2200 μF/25V)
c. Xác định điện áp ra VODC và hệ số gợn sóng r% trong trường
hợp b.

21
 7/25/2018

Ví dụ: Cho mạch chỉnh lưu toàn sóng như hình vẽ.
Diode có V = 0,7V
a. Cho RL =100, f=50Hz, N1:N2 =1:1, Tính trị C để có
hệ số gợn sóng r=2%.
b. Với giá trị C đã tính, xác định VDC, khi Vm của cuộn
sơ cấp là 9V.

N1:N2 D1
-9/9V
Vi Vo
D2
50.0Hz
C R

BÀI TẬP
Thiết kế mạch chỉnh lưu bán kỳ có:
- Ngõ vào: 220V/50Hz.
- Ngõ ra: V0DC =50V, cấp cho tải R=3,3K, độ gợn sóng r ≤ 1%.
Hướng dẫn:
Bước 1: Vẽ sơ đồ khối mạch thiết kế - Chức năng từng khối.
Bước 2: Vẽ sơ đồ nguyên lý.
Bước 3: Tính toán thiết kế.
Chọn Tụ lọc C: Điện dung C ≥ ? ; điện áp làm việc WV?
Chọn Diode: IDmax ≥ ?; VBRmax ≥ ?
Chọn biến thế: (cuộn sơ cấp) Vs /Vi (cuộn thứ cấp)= ? ; Imax ≥ ?

22
 7/25/2018

III. Mạch nguồn ổn áp

1. Sơ đồ khối:

2. Giới thiệu một số IC ổn áp tuyến tính

Mã số Điện áp ra Mã số Điện áp ra (V)

(V)
7805 5 7905 -5

7806 6 7906 -6

7808 8 7908 -8

7809 9 7909 -9

7810 10 7910 -10

7811 11 7911 -11

7812 12 7912 -12

7815 15 7915 -15

7818 18 7918 -18

23
 7/25/2018

3. Mạch ứng dụng

Hình1.21: Mạch nhân đôi điện áp kỳ

Mạch nguồn ổn áp +5v

24
 7/25/2018

Mạch nguồn ổn áp ± 5v
A

2
T
~
AC1 D4 D1
U1
4 - + 1 1 3 +5V

GND
VIN VOUT HI

AC2
D3 D2
C1 C3 7805

2
2200/16V 0.33MF C5
~ 0.1MF

3
B

LO 0V

C2 C4
2200/25V 0.33MF C6

0.1MF

7905

1
GND
2 3 HI -5V
VIN VOUT

U2

Ổn áp tuyến tính điều chỉnh được:

25
 7/25/2018

IV. Diode zener (diode ổn áp)

DIODE ZENER DIODE ZENER

- Khi phân cực thuận: diode Zener hoạt động giống diode
chỉnh lưu, khi VD  V: diode dẫn điện.
- Khi phân cực nghịch:
Nếu V < VZ: IZ ~ 0.
Nếu V  VZ : IZ tăng, và VD = VZ = const.

Đặc tuyến Volt-Ampere của diode Zener

26
 7/25/2018

CÁC THÔNG SỐ QUAN TÂM

 - Công suất tiêu tán cực đại PZM (PZM = Vz . IZM)

 - Điện áp ổn áp Vz :
Ví dụ : Zener (1W, 5.6V)
2,4V; 3.3V; 3.6V; 3.9V; 4.7V; 5.1V; 5.6V; 6.2V; 6.8V; 7.5V; 8.2V; 9.1V; 10V; 11V;
12V; 13V; 14V,15V; 16V; 18V; 19V; 20V; 22V

Cho ViDC = 10V, Ri= 200

a. Tính Vo nếu Vz = 11V.

b. Tính Vo nếu Vz= 8,4V. Tính Iz , IRi,?

27
 7/25/2018

Cho ViDC = 11V, Ri= 1K, Vz=8,4V

Ri
Vo

V
iDC Vz RL

a. Nếu RL= 1K. Tính Vo. Hỏi diode Zener có hoạt

động ổn áp không?
b. Nếu RL= 10K. Tính Vo ? Tính IRi, IL, Iz ?

Ri= 2K
+ Vo

Vi +
12V Vz RL = 10K

Cho mạch dùng diode zener như hình:

a. Nếu Vz= 11V. Hỏi mạch có hoạt động ổn

áp không? Tính điện áp ra VO.

b. Nếu Vz= 8,2V. Tính điện áp ra Vo, dòng

qua Ri (IRi), dòng qua tải RL (IL), dòng

qua diode Zener (Iz).

28
 7/25/2018

IR IZ IL Vin = 15V, IL = 1  2A, VZ = 10V,

Izmin = 500 mA. Tính R, PR, PZmax
Vin D1 RL

Vin = VR + Vz  VR = 5V  IR = VR/R không đổi

IR = IL + IZ không đổi  IR = ILmax + IZmin = 2 + 0,5 = 2,5 A

R = VR/IR = 2 IR = IL + IZ không đổi  IR = ILmin + IZmax  IZmax

= 2,5 – 1 = 1,5 A
PR = URIR = 12,5 W
PZmax = VZIZmax = 15 W
57

a. Vin = 10  15V, IL = 1A, VZ = 7V,

IR IZ IL
Izmin = 500 mA. Tính R, PRmax, PZmax
Vin D1 RL

b. Vin = 10  15V, IL = 1  2A, VZ =

5V, Izmin = 500 mA. Tính R, PRmax,
PZmax

IRmin = IZmin + ILmax

IRmax = IZmax + ILmin

58

29
 7/25/2018

 Mạch kẹp

DIODE SCHOTTKY
(High frequency diode)

30
 7/25/2018

LED (Light Emitting Diode )

LED là một nguồn phát sáng bán dẫn hai cực, có cấu trúc tương tự một diode,
nó phát ra ánh sáng khi bị kích thích. Khi một điện áp thích hợp áp vào hai cực
của LED, các electrons sẽ tái hợp với các lỗ trống (holes) và giải phóng năng
lượng dưới dạng photons. Màu sắc ánh sáng phụ thuộc vào mức năng lượng
của chất bán dẫn

LED 7 đoạn và ma trận LED

31
 7/25/2018

KÝ HIỆU VÀ HÌNH DẠNG CỦA MỘT SỐ LOẠI DIODE

TÊN DIODE HÌNH DẠNG KÝ HIỆU

DIODE
NẮN
ĐIỆN

Dạng đóng gói của cầu Diode

TÊN HÌNH DẠNG KÝ HIỆU

DIODE

DIODE Dz
ZENER

(Diode
ổn áp)

LED(Diode
phát
quang)

32
 7/25/2018

3)KÝ HIỆU VÀ HÌNH DẠNG CỦA MỘT SỐ LOẠI DIODE

TÊN HÌNH DẠNG KÝ HIỆU

DIODE

DIODE
THU
QUANG
(Photo
Diode)

DIODE
XUNG

DIODE
BIẾN DUNG
(Varicap)

33