CHƯƠNG 2

CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN

GIẢNG VIÊN: GVC. THS. ĐẶNG DUY KHIÊM

Khoa Cơ khí Động lực – trường ĐH SPKT Vĩnh Long
Mail: khiemdd@vlute.edu.vn
1
2
 2.1. CHẤT BÁN DẪN
2.1.1. Chất bán dẫn.
Chất bán dẫn là nguyên liệu để sản xuất ra các
loại linh kiện bán dẫn như Diode, Transistor, IC mà
ta đã thấy trong các thiết bị điện tử ngày nay.
Chất bán dẫn là những chất có đặc điểm trung
gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện, về
phương diện hoá học thì bán dẫn là những chất có
4 điện tử ở lớp ngoài cùng của nguyên tử. đó là các
chất Germanium (Ge) và Silicium (Si).
3
 2.1.1. Chất bán dẫn.
Từ các chất bán dẫn ban đầu (tinh khiết) người
ta phải tạo ra hai loại bán dẫn là bán dẫn loại N và
bán dẫn loại P, sau đó ghép các miếng bán dẫn loại
N và P lại ta thu được Diode hay Transistor.

4
 2.1.2. Đặc tính chất bán dẫn:
- Điện trở suất:
Hai chất bán dẫn thông dụng là:

+ Silicium (Si) có điện trở suất: Si  1014
mm 2
/m
 Ge  8,9.1012 mm 2 / m
+ Germanium có điện trở suất:
Trị số này rất lớn so với chất dẫn điện như đồng:
  0,007mm 2 / m

chất cách điện như thủy tinh:   10 mm / m.

18 2

5
 2.1.2. Đặc tính chất bán dẫn:

6
 2.1.2. Đặc tính chất bán dẫn:
- Ảnh hưởng của nhiệt độ:
Điện trở của chất bán dẫn thay đổi rất lớn theo
nhiệt độ, khi nhiệt độ tăng điện trở chất bán dẫn
giảm, nhiệt độ càng cao mức điện trở giảm càng
lớn. Nhờ tính chất này người ta chế tạo ra điện trở
nhiệt (Thermistor).

7
 2.1.2. Đặc tính chất bán dẫn:
- Ảnh hưởng của ánh sáng:
Khi chiếu ánh sáng vào chất bán dẫn thì điện trở
giảm xuống, độ sáng càng mạnh thì mức điện trở
giảm càng lớn. Nhờ tính chất này người ta chế tạo
ra điện trở quang.

8
 2.1.2. Đặc tính chất bán dẫn:
- Ảnh hưởng của độ tinh khiết:
Một khối bán dẫn tinh khiết có điện trở rất lớn
nếu pha thêm vào một tỷ lệ rất thấp các chất thích
hợp thì điện trở chất bán dẫn giảm xuống rỏ rệt. Tỷ
lệ pha càng cao thì mức điện trở giảm càng lớn.
Nhờ tính chất này người ta chế tạo các linh kiện
bán dẫn như diode, transistor.

9
 2.1.3. Cấu tạo nguyên tử của chất bán dẫn:
Xét cấu tạo nguyên tử của hai chất bán dẫn:
- Chất Silicium (Si) có 14 điện tử bao quanh
nhân xếp trên 3 tầng (hình a).
- Chất Germanium (Ge) có 32 điện tử bao quanh
nhân xếp trên 4 tầng.

10
 2.1.3. Cấu tạo nguyên tử của chất bán dẫn:
Xét cấu tạo nguyên tử của hai chất bán dẫn:
- Chất Silicium (Si) có 14 điện tử bao quanh
nhân xếp trên 3 tầng (hình a).
- Chất Germanium (Ge) có 32 điện tử bao quanh
nhân xếp trên 4 tầng.
Cấu tạo
nguyên tử
của chất
bán dẫn

11
 2.1.3. Cấu tạo nguyên tử của chất bán dẫn:
Chất bán dẫn tinh khiết

12
 2.1.3. Cấu tạo nguyên tử của chất bán dẫn:
Chất bán dẫn N

13
 2.1.3. Cấu tạo nguyên tử của chất bán dẫn:
Chất bán dẫn P

14
 2.2. Diode bán dẫn
2.2.1. Tiếp giáp P-N và cấu tạo của Diode bán dẫn.

Mối tiếp giáp P - N (cấu tạo của Diode)

15
 2.2. Diode bán dẫn
2.2.1. Tiếp giáp P-N và cấu tạo của Diode bán dẫn.

Hình dáng và ký hiệu của diode bán dẫn

16
 2.2.2. Phân cực thuận cho Diode.
Khi ta cấp điện áp dương (+) vào Anode (vùng bán dẫn
P) và điện áp âm (-) vào Cathode (vùng bán dẫn N), khi đó
dưới tác dụng tương tác của điện áp, miền cách điện thu
hẹp lại, khi điện áp chênh lệch giữ hai cực đạt 0,7V (đối với
Diode loại Si ) hoặc 0,3V (đối với Diode loại Ge ) thì diện
tích miền cách điện giảm bằng không Diode bắt đầu dẫn
điện. Nếu tiếp tục tăng điện áp nguồn thì dòng qua Diode
tăng nhanh nhưng chênh lệch điện áp giữa hai cực của
Diode không tăng (vẫn giữ ở mức 0,7V).

17
 2.2.2. Phân cực thuận cho Diode.

Diode (Si) phân cực thuận - Khi Diode dẫn

Kết luận: Khi Diode (loại Si) được phân cực thuận, nếu điện
áp phân cực thuận < 0,7V thì chưa có dòng đi qua Diode,
Nếu áp phân cực thuận đạt bằng 0,7V thì có dòng đi qua
Diode sau đó dòng điện qua Diode tăng nhanh nhưng sụt áp
thuận vẫn giữ ở giá trị 0,7V.
18
 2.2.3. Phân cực ngược cho Diode.
Khi phân cực ngược cho Diode tức là cấp nguồn
(+) vào Cathode (bán dẫn N), nguồn (-) vào Anode
(bán dẫn P), dưới sự tương tác của điện áp ngược,
miền cách điện càng rộng ra và ngăn cản dòng điện
đi qua mối tiếp giáp, Diode có thể chịu được điện
áp ngược rất lớn khoảng 1000V thì diode mới bị
đánh thủng.

19
 2.2.3. Phân cực ngược cho Diode.

Nguyên lý làm việc của diode: Diode chỉ dẫn điện một
chiều từ anode sang cathode nếu thế ở anode cao hơn thế
ở cathode 1 tí và không dẫn theo chiều ngược lại. Khi diode
dẫn điện trở của diode rất bé và ngược lại điện trở là vô
cùng lớn.
Một tí có nghĩa là : - 0,7V đối với diode Si;
20 - 0,3Vđối với diode Ge.
 2.2.4. Đánh thủng chuyển tiếp P-N:
Khi chuyển tiếp P-N bị phân cực nghịch, nếu
điện áp ngược tăng đến một giá trị khá lớn nào đó
thì dòng điện ngược trở nên tăng vọt, nghĩa là
chuyển tiếp P-N dẫn điện mạnh cả theo chiều
nghịch, phá hỏng đặc tính van vốn có của nó.
Hiện tượng này được gọi là hiện tượng đánh
thủng. Nguyên nhân đánh thủng có thể do điện
hoặc do nhiệt, vì vậy người ta thường phân biệt hai
dạng: đánh thủng về điện và đánh thủng về nhiệt.
21
 2.2.5. Đặc tuyến Vôn – Ampe của Diode
IF

20 Ñieän aùp
(1)
15 thuaän
Ñieän aùp ñaùnh
thuûng 10 A
VBR
(2) 5

UR 2 4 6 8 10 UF
Ñieän aùp
(3) ngöôïc

IR
22
 2.2.5. Đặc tuyến Vôn – Ampe của Diode
Các tham số của Diode:
Điện trở một chiều RF của Diode tại một điểm
trên vùng mở của đặc tuyến Vôn-Ampe:
UF
RF 
IF
Điện trở một chiều tại vùng (2) của đặc tuyến
Vôn-Ampe: UR
RR 
IR
23
 2.2.5. Đặc tuyến Vôn – Ampe của Diode
Khi sử dụng, để tránh hư hỏng, ta còn phải chú
ý đến các giới hạn không được vượt qua:
+ Điện áp ngược cực đại cho phép Vng.max (để
không bị đánh thủng)
+ Dòng điện thuận cực đại cho phép Imax.
+ Công suất tiêu hao cực đại cho phép Pmax.
+ Tần số cực đại cho phép của tín hiệu xoay
chiều fmax.
24
 2.2.5. Đặc tuyến Vôn – Ampe của Diode
IF

20 Ñieän aùp
(1)
15 thuaän
Ñieän aùp ñaùnh
thuûng 10 A
VBR
(2) 5

UR 2 4 6 8 10 UF
Ñieän aùp
(3) ngöôïc

25 IR
 2.2.5. Đặc tuyến Vôn – Ampe của Diode
Các tham số của Diode:
Điện trở một chiều RF của Diode tại một điểm
trên vùng mở của đặc tuyến Vôn-Ampe:
UF
RF 
IF

Điện trở một chiều tại vùng (2) của đặc tuyến
Vôn-Ampe:
UR
RR 
IR
26
 2.2.5. Đặc tuyến Vôn – Ampe của Diode
Một vài tham số giới hạn khác:
Khi sử dụng, để tránh hư hỏng, ta còn phải chú ý
đến các giới hạn không được vượt qua. Đó là:
+ Điện áp ngược cực đại cho phép Vng.max (để không
bị đánh thủng)
+ Dòng điện thuận cực đại cho phép Imax.
+ Công suất tiêu hao cực đại cho phép Pmax.
+ Tần số cực đại cho phép của tín hiệu xoay chiều
f .
27 max
 2.2.5. Đặc tuyến Vôn – Ampe của Diode
Bảng sau giới thiệu tham số của vài loại diode
chỉnh lưu trong thực tế:

Tên gọi Dòng chỉnh lưu trung bình (Ampe) Điện áp ngược cực đại (Volt)

1N 4001 1 50
1N 4936 1 400
1N 5406 3 600
1N 1206B 12 600

28
 2.2.6. Các mạch điện ứng dụng điển hình của
Diode chỉnh lưu:
 Chỉnh lưu :
- Mạch chỉnh lưu nửa sóng (bán kỳ)

29
 2.2.6. Các mạch điện ứng dụng điển hình của
Diode chỉnh lưu:
 Chỉnh lưu :
- Mạch chỉnh lưu toàn kỳ

30
 - Mạch chỉnh lưu toàn kỳ

31
 - Mạch lọc dùng tụ điện.

32
 - Chỉnh lưu dòng điện xoay chiều của máy phát điện
dùng trên ô tô.

33
 - Dập tắt sức điện động tự cảm.

34
 - Phương pháp đo kiểm tra Diode.

35
 - Phương pháp đo kiểm tra Diode.

36
 2.3. Diode Zener
2.3.1. Cấu tạo: Diode Zener có cấu tạo tương tự Diode
thường, có hai lớp bán dẫn P-N ghép lại với nhau,
Diode Zener được ứng dụng trong chế độ phân cực
ngược, khi phân cực thuận Diode zener như diode
thường nhưng khi phân cực ngược Diode zener sẽ gim
lại một mức điện áp cố định bằng giá trị ghi trên diode.

Hình dáng Diode Zener

37
 2.3. Diode Zener
2.3.2. Ký hiệu: DZ

2.3.3. Nguyên lý hoạt động:

Giống như diode thường (……….) nhưng có
điện áp sụp đổ ngược thấp. Áp sụp đổ ngược gọi là
áp zener
38
 2.3. Diode Zener
2.3.3. Nguyên lý hoạt động:

Lưu ý : Trong mạch điện Diode zener luôn luôn lắp ngược
và phải có điện trở giới hạn dòng.

39
 2.3. Diode Zener
2.3.4. Đặc tuyến Vôn – Amper:

40
 2.3. Diode Zener
2.3.4. Đặc tuyến Vôn – Amper:
Các tham số của Diode Zener:
Để đặc trưng cho diode Zenner, người ta dùng các tham
số sau:
- Điện áp ổn định: Vz
dVz
rd 
- Điện trở tương đương (còn gọi điện trở động): dI
- Trị số rđ càng bé chứng tỏ đặc tuyến đánh thủng càng
dốc đứng, nghĩa là chất lượng ổn định điện áp càng cao.

41
 2.3. Diode Zener
2.3.4. Đặc tuyến Vôn – Amper:
Các tham số của Diode Zener:
Để đặc trưng cho diode Zenner, người ta dùng các tham
số sau:
Vz
- Điện trở tĩnh: Rt 
Iz

Rt
- Hệ số ổn định: S
rd

- Điện trở động rd càng nhỏ so với điện trở tĩnh Rt thì độ
42 ổn định càng cao.
 2.3. Diode Zener
2.3.5. Ứng dụng của Diode zener trong mạch
Sơ đồ trên minh hoạ ứng dụng của D z, nguồn U1 là
nguồn có điện áp thay đổi, Dz là diode ổn áp, R1 là trở
hạn dòng.

43
 2.3.5. Ứng dụng của Diode zener trong mạch

- Ta thấy rằng khi nguồn U1 > Dz thì áp trên Dz luôn luôn cố

định cho dù nguồn U1 thay đổi.
- Khi nguồn U1 thay đổi thì dòng ngược qua Dz thay đổi, dòng
ngược qua Dz có giá trị giới hạn khoảng 30mA.

44
 2.3.5. Ứng dụng của Diode zener trong mạch

- Thông thường người ta sử dụng nguồn U1 > 1,5 ÷ 2 lần Dz

và lắp trở hạn dòng R1 sao cho dòng ngược lớn nhất qua Dz <
30mA.
- Nếu U1 < Dz thì khi U1 thay đổi áp trên Dz cũng thay đổi
- Nếu U1 > Dz thì khi U1 thay đổi => áp trên Dz không đổi.
45
 2.3.5. Ứng dụng của Diode zener trong mạch
Trên ô tô diode ổn áp được sử dụng trong tiết chế vi
mạch.

46
 2.4. Diode phát quang (Light Emiting Diode : LED)
LED là một diode liên kết P-N cũng giống nh­ư diode
thường. Nó phát sáng khi có dòng điện đi qua theo
chiều thuận, LED có thể phát sáng với các màu khác
nhau như­màu đỏ, vàng và xanh lục.

47
 2.4. Diode phát quang (Light Emiting Diode : LED)

48
 2.4. Diode phát quang (Light Emiting Diode : LED)
LED có các đặc điểm sau:
- Phát nhiệt ít hơn và có tuổi thọ dài hơn các bóng
điện thường.
- Phát ánh sáng tốt với mức tiêu thụ điện thấp.
- Phản ứng với điện áp thấp (tốc độ phản ứng
nhanh).
- Điện áp làm việc của LED khoảng 1,7 ÷ 2,2V dòng
qua Led khoảng từ 5mA đến 20mA.

49
 2.4. Diode phát quang (Light Emiting Diode : LED)
Ứng dụng của LED
LED được sử dụng trong các loại đèn phanh lắp
trên cao và các đèn báo, v.v...

50
Đèn phanh lắp trên cao
 2.5. Photo Diode (diode quang)
Photo Diode hoạt động ở chế độ phân cực nghịch,
vỏ diode có một miếng thuỷ tinh để ánh sáng chiếu vào
mối P-N, dòng điện ngược qua diode tỷ lệ thuận với
cường độ ánh sáng chiếu vào diode.

51
 2.5. Photo Diode (diode quang)

52
 2.5. Photo Diode (diode quang)
Ứng dụng:
Diode quang được sử dụng trong các cảm biến G,
NE và càm biến Karman quang v.v... sử dụng trong
động cơ ô tô.

53
 2.5. Photo Diode (diode quang)

54
 2.6. TRANSISTOR
2.6.1. Cấu tạo của Transistor.
Một transistor chứa ba lớp gồm có một chất bán dẫn
loại P kẹp giữa hai bán dẫn loại N, hoặc một bán dẫn
loại N kẹp giữa hai bán dẫn loại P. Một điện cực B (cực
gốc), E (cực phát) và C (cực góp). Các transistor
thường chia làm hai loại, NPN và PNP, tuỳ theo cách
bố trí các chất bán dẫn.

55
 2.6. TRANSISTOR
2.6.1. Cấu tạo của Transistor.

56
 2.6. TRANSISTOR
2.6.2. Ký hiệu & hình dáng Transistor.

57
 2.6. TRANSISTOR
Hiện nay trên thị trường có nhiều loại Transistor của
nhiều nước sản xuất nhưng thông dụng nhất là các
Transistor của Nhật bản, Mỹ và Trung quốc.
Transistor Nhật bản: thường ký hiệu là A..., B..., C...,
D... Ví dụ A564, B733, C828, D1555 trong đó các
Transistor ký hiệu là A và B là Transistor thuận PNP còn
ký hiệu là C và D là Transistor ngược NPN. các
Transistor A và C thường có công suất nhỏ và tần số
làm việc cao còn các Transistor B và D thường có công
suất lớn và tần số làm việc thấp hơn.
58
 2.6. TRANSISTOR
Transistor do Mỹ sản xuất. thường ký hiệu là 2N... ví
dụ 2N3055, 2N4073 vv...
Transistor do Trung quốc sản xuất: Bắt đầu bằng số
3, tiếp theo là hai chữ cái. Chữ cái thức nhất cho biết
loại Transistor: Chữ A và B là Transistor thuận, chữ C
và D là Transistor ngược, chữ thứ hai cho biết đặc điểm
: X và P là Transistor âm tần, A và G là Transistor cao
tần. Các chữ số ở sau chỉ thứ tự sản phẩm. Thí dụ :
3CP25 , 3AP20 vv.
59
 2.6.3. Nguyên tắc hoạt động của Transistor.
Xét hoạt động của Transistor NPN: Transistor NPN
khi dòng điện điều khiển IB chạy từ B tới E, dòng điện
chính Ic chạy từ C đến E. Dòng điện IB được gọi là
dòng cực gốc, và dòng điện Ic được gọi là dòng cực
góp.

60
 2.6.3. Nguyên tắc hoạt động của Transistor.

61
 2.6.3. Nguyên tắc hoạt động của Transistor.

62
 2.6.3. Nguyên tắc hoạt động của Transistor.
Tóm lại: Khi chưa đặt điện thế lên các cực của trasistor
thì các cực ở trạng thái cân bằng (transistor không dẫn
điện). Để trasistor hoạt động ở chế độ khuếch đại thì ta
phải phân cực cho Transistor: Tiếp giáp phát phải phân
cực thuận và tiếp giáp góp phải phân cực nghịch.

63
 2.6.4. Đặc tính của transistor
Trong một Transistor thường dòng điện cực góp (I C)
và dòng điện cực gốc (IB) có mối quan hệ được thể
hiện trong sơ đồ này. Transistor thường có hai chức
năng theo công dụng cơ bản: Như­ được thể hiện ở
hình trên, phần "A" có thể được sử dụng như ­một bộ
khuyếch đại tín hiệu và phần "B" có thể được sử dụng
nh­ư một công tắc.

64
 2.6.4. Đặc tính của transistor

65 Hình 2.34. Đường đặc tính của Transistor

 2.6.5. Cách xác định chân E, B, C của Transistor.

66
 2.6.6. Các thông số kỹ thuật của Transistor
Dòng điện cực đại (IEmax, IBmax, ICmax) là dòng điện giới
hạn của Transistor, vượt qua dòng giới hạn này
Transistor sẽ bị hỏng.
Điện áp cực đại (UCBmax, UCEmax, UBEmax): là điện áp
giới hạn của Transistor vượt quá điện áp giới hạn này
Transistor sẽ bị đánh thủng.
Tấn số cắt: Là tần số giới hạn mà Transistor làm
việc bình thường, vượt quá tần số này thì độ khuyếch
đại của Transistor bị giảm.
67 
 2.6.6. Các thông số kỹ thuật của Transistor
Hệ số khuyếch đại: Là tỷ lệ biến đổi của dòng I CE lớn
gấp bao nhiêu lần dòng IBE
IC

IB
Công suất cực đại (PCmax): Khi hoạt động Transistor
tiêu tán một công suất P = U CE . ICE nếu công
suất này vượt quá công suất cực đại của Transistor thì
Transistor sẽ bị hỏng.
68
 2.6.7. Phân cực cho Transistor:
Phân cực: là cấp một nguồn điện vào chân B để đặt
Transistor vào trạng thái sẵn sàng hoạt động, sẵn sàng
khuyếch đại các tín hiệu cho dù rất nhỏ.

69
 2.6.7. Phân cực cho Transistor:

70
 2.6.7. Phân cực cho Transistor:

71
 2.6.8. Ứng dụng của Transistor.

72
 2.6.8. Ứng dụng của Transistor.

LA7805 IC ổn áp 5V; LA7808 IC ổn áp 8V; LA7809 IC ổn áp 9V;

LA7812 IC ổn áp 12V
Lưu ý : Họ IC78... chỉ cho dòng tiêu thụ khoảng 1A trở xuống,
khi ráp IC trong mạch thì Uin > Uout từ 3 đến 5V khi đó IC mới phát
73 huy tác dụng.
 2.6.8. Ứng dụng của Transistor.

74
 2.6.8. Ứng dụng của Transistor.

75
 2.6.8. Ứng dụng của Transistor.

76
 2.6.9. Transistor quang (photo transistor)
Các đặc điểm
Khi transistor quang nhận ánh sáng trong khi điện
(+) được đ­ặt vào cực góp và cực phát của nó được nối
mass, một dòng điện sẽ chạy qua mạch này. Cường
độ của dòng chạy qua mạch sẽ thay đổi theo lượng
ánh sáng chiếu trên transistor quang này. Do đó, ánh
sáng chiếu trên transistor này có cùng chức năng của
dòng điện cực gốc của một transistor thường.

77
 2.6.9. Transistor quang (photo transistor)

78
 2.6.9. Transistor quang (photo transistor)
Trong ô tô, Transistor quang được sử dụng trong
các cảm biến tốc, độ v.v...

79
 2.7. THYRISTOR (SCR)
2.7.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Thyristor

80
 2.7. THYRISTOR (SCR)
Nguyên lý hoạt động của Thyristor:

81
 2.7.2. Đặc tuyến Vôn – Ampe của Thyristor

82
 2.7.3. Các thông số kỹ thuật:
Dòng điện thuận cực đại IAmax hay IFmax: Là trị số lớn
nhất của dòng điện qua SCR mà SCR có thể chịu đựng
liên tục, nếu vượt quá trị số này SCR sẽ bị hư.
Điện thế ngược cực đại VBR: Là điện thế ngược lớn
nhất có thể đặt vào giữa A và G mà SCR chưa bị đánh
thủng, nếu vượt quá trị số này SCR sẽ bị phá huỷ. Điện
thế ngược cực đại của SCR thường từ 100V đến
1000V.

83
 2.7.3. Các thông số kỹ thuật:
Dòng điện kích G cực tiểu IGmin: Để SCR có thể dẫn
điện trong trường hợp điện thế VAG thấp thì phải có
dòng điện kích cho cực G của SCR. Dòng I Gmin là trị số
dòng kích nhỏ nhất đủ để điều khiển SCR dẫn điện và
dòng IGmin có trị số lớn hay nhỏ tuỳ thuộc công suất của
SCR, nếu SCR có công suất càng lớn thì IGmin phải càng
lớn. Thông thường IGmin từ 1 mA đến vài chục mA.
Thời gian mở SCR: Là thời gian cần thiết hay là độ
rộng của xung kích để SCR có thể chuyển từ trạng thái
84
ngưng sang trạng thái dẫn. Thời gian mở khoảng vài
 2.7.3. Các thông số kỹ thuật:
Thời gian tắt: Theo nguyên lý, SCR sẽ tự duy trì
trạng thái dẫn điện sau khi được kích. Muốn SCR đang
ở trạng thái dẫn chuyển sang trạng thái ngưng thì phải
cho IG = 0 và cho điện thế VAG = 0 phải đủ dài, nếu
không khi VAG tăng lên cao lại ngay thì SCR sẽ dẫn điện
trở lại. Thời gian tắt của SCR khoảng vài chục s.

85
 2.7.4. Ứng dụng của Thyristor
- Chỉnh lưu có điều khiển

86
 2.7.4. Ứng dụng của Thyristor
- Mạch đánh lửa CDI trên xe gắn máy

87