Kỹ Thuật Điện Tử: Trường Đại Học Điện Lực

TẬP ĐOÀN ĐIỆN LỰC VIỆT NAM
TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
1
CHƯƠNG 1: LINH KIỆN THỤ ĐỘNG
I. ĐIỆN TRỞ (RESISTOR)
II. TỤ ĐIỆN (CAPACITOR)
III. CUỘN DÂY(CORD)
2
1. ĐIỆN TRỞ (RESISTOR)
1.1. Khái niệm về điện trở.

Điện trở là gì ?
Điện trở là sự cản trở dòng điện của một vật dẫn điện, nếu một vật dẫn điện tốt
thì điện trở nhỏ, vật dẫn điện kém thì điện trở lớn, vật cách điện thì điện trở là vô
cùng lớn.
Điện trở của dây dẫn
Điện trở của dây dẫn phụ thộc vào chất liệu, độ dài và tiết diện của dây. được
tính theo công thức sau:
R = ρ.L / S
Trong đó ρ là điện trở suất phụ thuộc vào chất liệu

L là chiều dài dây dẫn
S là tiết diện dây dẫn
R là điện trở, đơn vị là Ohm
3
 1.2. Điện trở trong thiết bị điện tử.

1.2.1. Hình dáng và ký hiệu: Trong thiết bị điện tử điện trở là một
linh kiện quan trọng, chúng được làm từ hợp chất cacbon và kim loại tuỳ theo
tỷ lệ pha trộn mà người ta tạo ra được các loại điện trở có trị số khác nhau.
 Ký hiệu của điện trở trên các sơ đồ nguyên lý
4
 Hình dạng của điện trở trong thiết bị điện tử.
5
1.2.2. Đơn vị của điện trở:

Đơn vị điện trở là Ω (Ohm) , KΩ , MΩ
1.2.3. Cách ghi trị số của điện trở:
Các điện trở có kích thước nhỏ được ghi trị số bằng các vạch mầu theo một quy
ước chung của thế giới.Các điện trở có kích thước lớn hơn từ 2W trở lên thường
được ghi trị số trực tiếp trên thân
6
 1.3. Cách đọc trị số điện trở.
Đen 0
Nâu 1
Đỏ 2
Cam 3
Vàng 4
Xanh lá 5
Xanh lơ 6
Tím 7
Xám 8 Điện trở thường được ký hiệu bằng 4 vòng m
Trắng 9
trở chính xác thì ký hiệu bằng 5 vòng mầu.
Nhũ vàng -1
Nhũ bạc -2
7
 Cách đọc trị số điện trở 4 vòng mầu :
Trị số = (vòng 1)(vòng 2) x 10 ( mũ vòng 3)

Có thể tính vòng số 3 là số con số không "0"
thêm vào. Mầu nhũ chỉ có ở vòng sai số hoặc
vòng số 3, nếu vòng số 3 là nhũ thì số mũ của
cơ số 10 là số âm.
 Cách đọc trị số điện trở 5 vòng mầu :
(điện trở chính xác)
8
 1.4. Một số tính chất của điện trở

1.4.1. Mạch mắc nối tiếp
a R1 R2 R3 b a Rtd b
Rtđ = R1+R2+R3
1.4.2. Mạch mắc song song
a
Rtd
a b
R1 R2
R3
b 1 1 1 1
  
Rtd R1 R 2 R3
9
2.TỤ ĐIỆN (CAPACITOR)
 2.1. Khái niệm về tụ điện
Tụ điện là phần tử có giá trị dòng điện i qua nó tỉ lệ với tốc độ
biến đổi điện áp u trên nó theo thời gian với công thức:
i  C du
dt
Tụ điện dùng để tích và phóng điện
2.1.1. ký hiệu và hình dáng của tụ điện
Tụ thường(tụ không phân cực)
Tụ phân cực
( + -
Tụ biến đổi
10
2.1.2. Cấu tạo

- Tụ thường: gồm các lá kim loại xen kẽ với các lá
bản cực
làm bằng chất cách điện gọi là chất điện môi. tên
của tụ được đặt theo tên chất điện môi như tụ giấy,
chân tụ
tụ gốm, tụ mica, tụ dầu
chất điện môi
- Tụ điện phân: gồm 2 điện cực tách rời nhau nhờ

một màng mỏng chất điện phân, khi có một điện cực dương
áp tác động lên hai điện cực sẽ xuất hiện một cực âm
màng oxit kim loại không dẫn điện đóng vai trò như nút bịt cao su vỏ kim loại
lớp điện môi. lớp điện môi càng mỏng kích thước thỏi kim loại
của tụ càng nhỏ mà điện dung lại càng lớn
chất điện môi
11
 2.2. Cách ghi và đọc tham số trên tụ điện
2.2.1. cách ghi trực tiếp

cách ghi này áp dụng cho tụ có kích thước lớn như tụ hoá, tụ mica
ví dụ: trên thân tụ hoá có ghi 100 f, 50v, +850c nghĩa là tụ có điện dung 100
f, điện áp một chiều lớn nhất mà tụ chịu được là 50v và nhiệt độ cao nhất mà
nó không bị hỏng là 850c.
2.2.2. cách ghi theo quy ước

cách ghi này dùng cho tụ có kích thước nhỏ, gồm các số và chữ với một số
kiểu quy ước như sau:
với loại tụ ký hiệu bằng 3 chữ số và 1 chữ cái
+ đơn vị là pf
+ chữ số cuối cùng chỉ số số 0 thêm vào
+ chữ cái chỉ dung sai
12
Bảng ý nghĩa của chữ số thứ 3 Bảng quy ước dung sai cho chữ cái cuối cùng
chữ số hệ số nhân chữ cái dung sai chữ cái dung sai
0 1 b +/- 0.10% j +/- 5%
1 10 c +/- 0.25% k +/- 10%
2 100 d +/- 0.5% m +/- 20%
3 1000 e +/- 0.5% n +/- 0.05%
4 10.000 f +/- 1% p +100% ,-0%
5 100.000 g +/- 2% z +80%, -20%
6 không sử dụng h +/- 3%
7 không sử dụng
8 0,01 cách ghi Ý nghĩa
9 0,1 0.047 tụ có điện dung 0,047 f, điện áp một chiều lớn nhất mà tụ chịu
200 vdc được là 200 v (tụ màng mỏng)
2.2 / 35 tụ có điện dung 2,2 f, điện áp chịu đựng là 35v (tụ tantan)
102j tụ có điện dung 1000 pf = 1 nf, dung sai 5%
.22k tụ có điện dung 0,22 f, dung sai 10%
474f tụ có điện dung 0,47 f, dung sai 1%
13
 Bảng quy ước màu cho tụ điện
điện áp làm việc [v]

màu trị số thực hệ số nhân dung sai
nhôm tantan
đen 0 100 - - 10 1
2
nâu 1 101  1% 100 - 3
đỏ 2 102  2% 250 - 4
5
cam 3 103 - - -
vàng 4 104 - 400 6,3
lục 5 105  0,5% - 16
lam 6 106  0,2% 630 20
tím 7 107  0,1% - -
xám 8 108 - - 25
trắng 9 109 + 5%, -20% - 3
vàng kim - 10-1  5% - -
bạch kim - 10-2  10% - -
hồng - - - 35
14
3.CUỘN CẢM (CORD)
 3.1. Cấu tạo, ký hiệu và phân loại của cuộn cảm

31.1. Cấu tạo
Cuộn dây là một dây dẫn điện có bọc bên ngoài lớp sơn cách điện (thường
được gọi là dây điện từ) quấn nhiều vòng liên tiếp trên một lõi. lõi có thể có từ
tính hoặc không có từ tính (tương ứng với khả năng gia tăng mật độ thông
lượng từ hay không)
1.3.2. Ký hiệu và phân loại cuộn cảm
 Phân loại thì phụ thuộc vào lõi cuộn cảm, hình dáng,tần số làm việc, ứng dụng
15
3.CUỘN CẢM (CORD)
 3.2. Cách mắc cuộn cảm

3.2.1. ghép nối tiếp
L1 L2 L
Các cuộn dây ghép nối tiếp sẽ có hệ số tự cảm tương đương bằng tổng các
hệ số tự cảm của các cuộn dây thành phần (tính như điện trở nối tiếp )
L = L1 + L2
3.2.2. ghép song songL1
L
L2
Các cuộn dây mắc song song sẽ có hệ số tự cảm tương đương được tính
như điện trở mắc song song.
1 1 1
 
L L1 L2
16
CHƯƠNG 2: KỸ THUẬT TƯƠNG TỰ
 1. CHẤT BÁN DẪN

 2. TIẾP GIÁP P-N
 3. PHÂN LOẠI DIODE
 4. TRANSISTOR
 5. FET – (Field effect Transistor)
 6. PHẦN TỬ NHIỀU MẶT GHÉP P-N
 7. KHUẾCH ĐẠI
17
1. CHẤT BÁN DẪN
1.1.Chất bán dẫn.

Chất bán dẫn là nguyên liệu để sản xuất ra các loại linh kiện bán dẫn
như Diode, Transistor, IC mà ta đã thấy trong các thiết bị điện tử ngày nay.
Chất bán dẫn là những chất có đặc điểm trung gian giữa chất dẫn điện và chất
cách điện, về phương diện hoá học thì bán dẫn là những chất có 4 điện tử ở
lớp ngoài cùng của nguyên tử. đó là các chất Germanium (Ge) và Silicium (Si)
Từ các chất bán dẫn ban đầu (tinh khiết) người ta phải tạo ra hai loại
bán dẫn là bán dẫn loại N và bán dẫn loại P, sau đó ghép các miếng bán dẫn
loại N và P lại ta thu được Diode hay Transistor.
Si và Ge đều có hoá trị 4, tức là lớp ngoài cùng có
4 điện tử, ở thể tinh khiết các nguyên tử Si (Ge) liên
kết với nhau theo liên kết cộng hoá trị như hình bên
18
1.2. Chất bán dẫn loại N
Khi ta pha một lượng nhỏ

chất có hoá trị 5 như Phospho (P) vào
chất bán dẫn Si thì một nguyên tử P
liên kết với 4 nguyên tử Si theo liên
kết cộng hoá trị, nguyên tử Phospho
chỉ có 4 điện tử tham gia liên kết và
còn dư một điện tử và trở thành điện Chất bán dẫn N
tử tự do => Chất bán dẫn lúc này trở
thành thừa điện tử ( mang điện âm)
và được gọi là bán dẫn N ( Negative :
âm ).
19
1.3. Chất bán dẫn loại P
Ngược lại khi ta pha thêm một

lượng nhỏ chất có hoá trị 3 như Indium (In)
vào chất bán dẫn Si thì 1 nguyên tử
Indium sẽ liên kết với 4 nguyên tử Si theo
liên kết cộng hoá trị và liên kết bị thiếu một
điện tử => trở thành lỗ trống ( mang điện
dương) và được gọi là chất bán dẫn P. Chất bán dẫn P
20
2. TIẾP GIÁP P-N
2.1. Tiếp giáp P - N và Cấu tạo của Diode bán dẫn.
Khi đã có được hai chất bán

dẫn là P và N ghép với nhau thì ta
được một tiếp giáp P - N gọi là
Diode
Mối tiếp xúc P - N => Cấu tạo của Diode

Ở hình bên là mối tiếp xúc
P - N và cũng chính là cấu tạo của
Diode bán dẫn.
Ký hiệu và hình dáng của Diode bán dẫn.
21
2. TIẾP GIÁP P-N
 2.2. Phân cực thuận cho Diode.

Khi ta cấp điện áp dương (+) vào Anôt và điện áp âm (-) vào Katôt, khi
đó dưới tác dụng tương tác của điện áp, miền cách điện thu hẹp lại, khi điện
áp chênh lệch giữ hai cực đạt 0,6V (loại Si) hoặc 0,2V (loại Ge) thì diện tích
miền cách điện giảm bằng không => Diode bắt đầu dẫn điện. Nếu tiếp tục tăng
điện áp nguồn thì dòng qua Diode tăng nhanh nhưng chênh lệch điện áp giữa
hai cực của Diode không tăng (vẫn giữ ở mức 0,6V)
Diode (Si) phân cực thuận - Khi Dode dẫn Đường đặc tuyến của điện áp thuận qua Diode
điện áp thuận đựơc gim ở mức 0,6V
Kết luận : Khi Diode (loại Si) được phân cực thuận, nếu điện áp phân cực thuận <
0,6V thì chưa có dòng đi qua Diode, Nếu áp phân cực thuận đạt = 0,6V thì có dòng đi
qua Diode sau đó dòng điện qua Diode tăng nhanh nhưng sụt áp thuận vẫn giữ ở giá trị
0,6V .
22
2. TIẾP GIÁP P-N
2.3. Phân cực ngược cho Diode.
Khi phân cực ngược cho Diode

tức là cấp nguồn (+) vào Katôt (bán dẫn
N), nguồn (-) vào Anôt (bán dẫn P), dưới
sự tương tác của điện áp ngược, miền
cách điện càng rộng ra và ngăn cản
dòng điện đi qua mối tiếp giáp, Diode có
thể chiu được điện áp ngược rất lớn
khoảng 1000V thì diode mới bị đánh Diode chỉ bị cháy khi áp phân
thủng. cực ngựơc tăng > = 1000V
23
2. TIẾP GIÁP P-N
 2.5. Đặc tuyến Volt - Ampe
24
2. TIẾP GIÁP P-N
 2.4. Phương pháp đo kiểm tra Diode
 Đặt đồng hồ ở thang x 1Ω , đặt hai que đo

vào hai đầu Diode, nếu :
 Đo chiều thuận que đen vào Anôt, que đỏ vào
Katôt => kim lên, đảo chiều đo kim không lên là
=> Diode tốt
 Nếu đo cả hai chiều kim lên = 0Ω => là Diode
bị chập.
 Nếu đo thuận chiều mà kim không lên => là
Diode bị đứt.
 Ở phép đo trên thì Diode D1 tốt , Diode D2
bị chập và D3 bị đứt
 Nếu để thang 1KΩ mà đo ngược vào Diode
kim vẫn lên một chút là Diode bị dò.
Đo kiểm tra Diode
25
2. TIẾP GIÁP P-N
 2.5. Ứng dụng của Diode bán dẫn .
Do tính chất dẫn điện một chiều nên

Diode thường được sử dụng trong các mạch
chỉnh lưu nguồn xoay chiều thành một chiều,
các mạch tách sóng, mạch gim áp phân cực
cho transistor hoạt động . trong mạch chỉnh
lưu Diode có thể được tích hợp thành Diode
cầu có dạng Diode cầu trong mạch chỉnh lưu
điện xoay chiều
26
3. PHÂN LOẠI DIODE
 3.1. Diode Zener
Cấu tạo : Diode Zener có cấu tạo

tương tự Diode thường nhưng có hai lớp
bán dẫn P - N ghép với nhau, Diode Zener
được ứng dụng trong chế độ phân cực
ngược, khi phân cực thuận Diode zener
như diode thường nhưng khi phân cực
ngược Diode zener sẽ gim lại một mức
điện áp cố định bằng giá trị ghi trên diode.
 Hình dáng Diode Zener ( Dz )
27
Sơ đồ bên minh hoạ ứng dụng

của Dz, nguồn U1 là nguồn có điện áp
thay đổi, Dz là diode ổn áp, R1 là trở
hạn dòng.
Ta thấy rằng khi nguồn U1 >
Dz thì áp trên Dz luôn luôn cố định cho Ký hiệu và ứng dụng của Diode zener trong mạch.
dù nguồn U1 thay đổi.
Khi nguồn U1 thay đổi thì dòng
ngược qua Dz thay đổi, dòng ngược
qua Dz có giá trị giới hạn khoảng
30mA.
Thông thường người ta sử
Nếu U1 < Dz thì khi U1 thay đổi áp trên
dụng nguồn U1 > 1,5 => 2 lần Dz và Dz cũng thay đổi
lắp trở hạn dòng R1 sao cho dòng Nếu U1 > Dz thì khi U1 thay đổi => áp
ngược lớn nhất qua Dz < 30mA. trên Dz không đổi.
28
Nếu U1 < Dz thì khi U1 thay đổi áp trên Dz cũng thay đổi
Nếu U1 > Dz thì khi U1 thay đổi => áp trên Dz không đổi .
29
 3.2. Diode Thu quang. ( Photo Diode )

Diode thu quang hoạt
động ở chế độ phân cực nghịch,
vỏ diode có một miếng thuỷ tinh
để ánh sáng chiếu vào mối P - N ,
dòng điện ngược qua diode tỷ lệ
thuận với cường độ ánh sáng Ký hiệu của Photo Diode
chiếu vào diode.
Minh hoạ sự hoạt động của Photo Diode
30
 3.3. Diode Phát quang ( Light Emiting Diode : LED )
Diode phát phang là Diode phát ra ánh sáng khi được phân cực thuận, điện áp làm
việc của LED khoảng 1,7 => 2,2V dòng qua Led khoảng từ 5mA đến 20mA
Led được sử dụng để làm đèn báo nguồn, đèn nháy trang trí, báo trạng thái có điện .
vv...
 3.4. Diode Varicap ( Diode biến dung )

Diode biến dung là Diode có điện dung như tụ điện, và điện dung biến đổi khi ta thay
đổi điện áp ngược đặt vào Diode.
Ứng dụng trong mạch cộng hưởng
Ở hình bên khi ta chỉnh triết áp VR, điện áp
ngược đặt vào Diode Varicap thay đổi , điện
dung của diode thay đổi => làm thay đổi tần số
công hưởng của mạch.
Diode biến dung được sử dụng trong các bộ
kênh Ti vi mầu, trong các mạch điều chỉnh tần
số cộng hưởng bằng điện áp.
31
 3.5. Diode xung

Trong các bộ nguồn xung thì ở đầu ra ta phải dùng Diode xung để chỉnh lưu.
diode làm việc ở tần số cao khoảng vài chục KHz , diode thông thường không thể thay
thế vào vị trí diode xung được, nhưng ngựơc lại diode xung có thể thay thế cho vị trí
diode thường
Về đặc điểm, hình dáng thì không có gì khác biệt với Diode thường, có vòng đánh dấu
đứt nét hoặc đánh dấu bằng hai vòng
Ký hiệu của Diode xung
 3.6. Diode tách sóng.
Là loại Diode nhỏ vở bằng thuỷ tinh và còn gọi là diode tiếp điểm vì mặt tiếp
xúc giữa hai chất bán dẫn P - N tại một điểm để tránh điện dung ký sinh, diode tách
sóng thường dùng trong các mạch cao tần dùng để tách sóng tín hiệu.
 3.7. Diode nắn điện.
Là Diode tiếp mặt dùng để nắn điện trong các bộ chỉnh lưu nguồn AC 50Hz ,
Diode này thường có 3 loại là 1A, 2A và 5A.
32
4. TRANSISTOR
4.1. Cấu tạo, ký hiệu của Transistor ( Bóng bán dẫn )
Transistor gồm ba lớp bán

dẫn ghép với nhau hình thành hai
mối tiếp giáp P-N, nếu ghép theo
thứ tự PNP ta được Transistor
thuận, nếu ghép theo thứ tự NPN
ta được Transistor ngược. về
phương diện cấu tạo Transistor
tương đương với hai Diode đấu
ngược chiều nhau .
33
4. TRANSISTOR
 4.2. Nguyên tắc hoạt động của Transistor.

4.2.1. Xét hoạt động của Transistor NPN .
4.2.2. Xét hoạt động của Transistor PNP .

Sự hoạt động của Transistor PNP hoàn toàn tương tự Transistor NPN nhưng
cực tính của các nguồn điện UCE và UBE ngược lại . Dòng IC đi từ E sang C
còn dòng IB đi từ E sang B.
34
4. TRANSISTOR
 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

4.3.1. Phân cực cho transistor
35
4. TRANSISTOR

4.3.2. Tham số
 Từ hình vẽ:

IE = IB + IC
 Định nghĩa hệ số truyền đạt dòng điện:

 = IC /IE.
 Định nghĩa hệ số khuếch đại dòng điện:

 = IC / IB.
 Như vậy,

 = IC / (IE –IC) =  /(1- );

 = / (+1).
 Do đó,

IC =  IE;

IB = (1-) IE;

  100 với các BJT công suất nhỏ.
36
4. TRANSISTOR

4.3.3. Phương pháp mắc
37
4. TRANSISTOR

- Chuyển tiếp E-B phân cực thuận
- Chuyển tiếp C-B phân cực ngược
- Phân cực tổng quát:
Transistor PNP: UE > UB > UC

Transistor NPN: UC > UB > UE
38
4. TRANSISTOR

- Xét mạch CB
39
4. TRANSISTOR

- Xét mạch EC
40
4. TRANSISTOR

- Xét mạch CC
41
4. TRANSISTOR

- Đường tải tĩnh và điểm công tác tĩnh
42
4. TRANSISTOR

- Phân cực bằng dòng cố định
43
4. TRANSISTOR

- Phân cực bằng điện áp phản hồi
44
+ECC
Rc
Cho một mạch khuếch đại như hình vẽ; R1
Ecc = +12 V ; UBE = 0,6 V ; β = 200 ; C1

Ura
R1 = 1MΩ; RC = 5.7 KΩ; ; U

BộTC2
vào
a.Xác định các giá trị dòng điện Rt
RE
và điện áp trên các cực của tranzitor.
b.Vẽ đường tải một chiều và điểm làm việc tĩnh.
45
4. TRANSISTOR

- Phân cực bằng dòng emitor
46
4. TRANSISTOR

a. Mắc EC
47
4. TRANSISTOR

a. Mắc EC
48
4. TRANSISTOR
4.3. Cách mắc Transistor và các tham số
 RE điện trở hồi tiếp âm dòng điện một chiều có tác dụng ổn định nhiệt, CE tụ thoát thành phần xoay chiều xuống đất ngăn
hồi tiếp âm xoay chiều.
 Đặc điểm của tầng khuếch đại EC là tầng khuếch đại đảo pha, tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu vào.
 Nguyên lý làm việc của tầng EC như sau: khi đưa điện áp xoay chiều tới đầu vào xuất hiện dòng xoay chiều cực B của
tranzito và do đó xuất hiện dòng xoay chiều cực C ở mạch ra của tầng. Dòng này gây sụt áp xoay chiều trên điện trở RC.
Điện áp đó qua tụ CP2 đưa đến đầu ra của tầng tức là tới Rt. Có thể thực hiện bằng hai phương pháp cơ bản là phương
pháp đồ thị đối với chế độ một chiều và phương pháp giải tích dùng sơ đồ tương đương đối với chế độ xoay chiều tín
hiệu nhỏ.
 Phương pháp đồ thị dựa vào đặc tuyến vào và ra của tranzito có ưu điểm là dễ dàng tìm được mối quan hệ giữa các giá
trị biên độ của thành phần xoay chiều (điện áp ra Ûm và dòng điện ra Îr) và là số liệu ban đầu để tính toán. Trên đặc tuyến
hình (2-7a), vẽ đường tải một chiều (a-b). Sự phụ thuộc UCE0 = f(IC0) có thể tìm được từ phương trình cân bằng điện áp ở
mạch ra của tầng: UCE0=EC-IC0.RC-IE0RE=EC-IC0RC- IC0/α - RE
 Vì hệ số α gần đúng 1, nên có thể viết UCE0 = EC - IC0 (RC+RE)
 Dựa vào đặc tuyến vào IB= f (UBE) ta chọn dòng cực gốc tĩnh cần thiết IB0, chính là xác định được toạ độ điểm P là giao
điểm của đường IB = IB0 với đường tải một chiều trên đặc tuyến ra ở hình 2-7b.
 Để xác định thành phần xoay chiều của điện áp ra và dòng ra cực C của tranzito phải dùng đường tải xoay chiều của
tầng. Chú ý rằng điện trở xoay chiều trong mạch cực E của tranzito bằng không (vì có tụ CE mắc song song với điện
trở RE) còn tải Rt được mắc vào mạch cực C, vì điện trở xoay chiều của tụ C2 rất nhỏ.
 Nếu coi điện trở xoay chiều của nguồn cung cấp EC bằng không, thì điện trở xoay chiều của tầng gồm hai điện
trở RC và Rt mắc song song, nghĩa là Rt~ =Rt // RC. Từ đó thấy rõ điện trở tải một chiều của tầng Rt= = RC + RE lớn hơn
điện trở tải xoay chiều Rt~. Khi có tín hiệu vào, điện áp và dòng điện là tổng của thành phần một chiều và xoay chiều,
đường tải xoay chiều đi qua điểm tĩnh P.
49
4. TRANSISTOR

a. Mắc EC
+EC
R1 RC
CP2
I B0 IC
IV CP1 T
U CE0
UBE
Hình 1-12: Tầng Rn IP It Rt Ur
khuếch đại E chung
IE0
R2 UE0 CE
En RE
~ UV
50
4. TRANSISTOR

a. Mắc EC
IB
IV rB << IC C
B
IB rC It
Rn
UV IE rE CC
RC Rt Ut
En ~ R1  R2

RV
E I B = IV
Hình 1-14: Sơ đồ thay thế tầng khuếch đại EC bằng tham số vật lý.
rV
r ( E ) // RC // Rt R r ( E ) // RC // Rt RV rC ( E ) // RC // Rt R // Rt
I t = β .I B . C = IV .β . V . C Ki = β . .  β. C
Rt rV Rt rV Rt Rt
Ur - I t .Rt Rt R // Rt Pr
Ku = = = - Ki . = - β. C KP   K u .K i Rr  RC // rC ( E )
En IV .( Rn + RV ) Rn + RV Rn + RV PV
51
4. TRANSISTOR

Các tham số của mạch EC tính gần đúng như sau:
Như vậy tầng EC có hệ số khuếch đại dòng tương đối lớn, và nếu như RC>> Rt thì nó gần bằng
hệ số khuếch đại β của tranzito.
Tầng EC có hệ số khuếch đại điện áp và dòng điện lớn nên thường được sử dụng nhiều.
52
4. TRANSISTOR
b. Mắc BC
53
4. TRANSISTOR
b. Mắc BC
54
4. TRANSISTOR
4.3. Cách mắc Transistor và+E các tham số

C
IC .IE
b. Mắc BC RC R1 IV IE <<
CP2 E C
IV CP1
rE rC IC
Rn
Rn T IB Rt
UV RE IB rB RC Rt Ur
RE
uV
Ur I1
En  R2 En 
CB
a. b.
Hình 1-16: a. Sơ đồ khuyếch đại BC b. Sơ đồ thay thế
R C // R t R C // R t
K i  . K u  .
Rr  RC // rC ( E )  RC Rt Rn  RV
55
4. TRANSISTOR

c. Mắc CC
IB
+ EC
R1 <<
IV
IV CP1 Ibo
IC0
T
B rB
rC
RV=R1//R2//rV
C
Rn IB IE IC
CP2 rE
UBE
Rn
R1//R2 E UV = I B [rB + (1 + β ).(rE + RE // Rt )]
UV
IE It Rt En  Rt Ur
En  Uv R2 RE Ur RE
It rV  rB  (1  ).( rE  R E // Rt ).
D
a. b.
Hình 1-15: a. Sơ đồ tầng khuếch đại CC; b. Sơ đồ thay thế
RE // Rt R R // Rt
R V  R 1 // R 2 //(1  ).( R E // R t ). I t = (1 + β ).I B . = IV .(1 + β ). V . E
Rt rV Rt
R R // Rt R // Rt R E // R t
K i = (1 + β ). V . E  (1 + β ). E K u  (1  ).
rV Rt Rt Rn  RV
rB  R n // R 1 // R 2
R r  R E //( rE  )  R E // rE
1 
56
Cho một mạch khuếch đại như
hình vẽ.
Biết E= +12V, R1= 40K,
R2= 8K, RE= 2K, RC= 8K
Rt= 16K, =99; UBE=0.6V
a.Xác định các giá trị dòng điện
và điện áp trên các cực của tranzitor.
b.Vẽ đường tải một chiều và điểm làm
việc tĩnh.
57
Cho một mạch khuếch đại như
hình vẽ.
+UCC
R1 R2
C2 Ur
Uv C1
Hình 1
R3
CE
58
+ECC
R1
C1
C2
Uvào
Ura
R2
RE
Rt
59
4. TRANSISTOR
c. Mắc CC
60
4. TRANSISTOR
c. Mắc CC
61
4. TRANSISTOR

 Điện trở RE trong sơ đồ đóng vai trò như RC trong mạch EC, nghĩa là tạo nên một điện
áp biến đổi ở đầu ra trên nó. Tụ C có nhiệm vụ đưa tín hiệu ra tải Rt. Điện trở R1, R2 là
bộ phân áp cấp điện một chiều cho cực B, xác định chế độ tĩnh của tầng. Để tăng điện
trở vào thường người ta không mắc điện trở R2. Tính toán chế độ một chiều tương tự
như tính toán tầng EC. Để khảo sát các tham số của tầng theo dòng xoay chiều, cần
chuyển sang sơ đồ tương đương xoay chiều.
62
4. TRANSISTOR

 Các tham số:
 + Điện trở vào của tầng: RV ≈ R1 // R2 // (1+β).(RE // Rt)
 Nếu chọn bộ phân áp đầu vào R1, R2 lớn thì điện trở vào sẽ lớn. Tuy nhiên khi đó không thể bỏ
qua điện trở rC(E) mắc song song với mạch vào, nên điện trở vào phải tính:
 RV = R1 // R2 // [(1+β).(RE // Rt) ]//rE(E)
 Điện trở vào lớn là một trong những ưu điểm quan trọng của tầng C chung, dùng làm tầng phối
hợp với nguồn tín hiệu có điện trở trong lớn.
63
4. TRANSISTOR

 Khi RV >> Rn và gần đúng RV ≈ (1+β).(RE + Rt) thì Ku≈ 1. Như vậy tầng khuếch đại C
chung để khuếch đại công suất tín hiệu trong khi giữ nguyên trị số điện áp của nó.
 Vì Ku = 1 nên hệ số khuếch đại Kp xấp xỉ bằng Ki về trị số.
 Điện trở ra của tầng nhỏ cỡ (1-50)Ohm. Nó được dùng để phối hợp mạch ra của tầng
khuếch đại với tải có điện trở nhỏ, khi đó tầng C chung dùng làm tầng ra của bộ khuếch
đại có vai trò như một tầng khuếch đại công suất đơn chế độ A không có biến áp ra.
64
4. TRANSISTOR

Khuếch đại đảo pha
65
4. TRANSISTOR
 4.4. Cách xác định chân E, B, C của Transistor.

4.3.1. Với các loại Transistor công suất nhỏ
Thì thứ tự chân C và B tuỳ theo bóng của nước nào sản xuất , nhưng
chân E luôn ở bên trái nếu ta để Transistor như hình dưới
Nếu là Transistor do Nhật sản xuất : thí dụ Transistor C828, A564 thì
chân C ở giữa , chân B ở bên phải.
Nếu là Transistor Trung quốc sản xuất thì chân B ở giữa , chân C ở bên
phải.
Tuy nhiên một số Transistor được sản xuất nhái thì không theo thứ tự
này => để biết chính xác ta dùng phương pháp đo bằng đồng hồ vạn
năng.
4.3.2. Với loại Transistor công suất lớn (như hình bên)
Thì hầu hết đều có chung thứ tự chân là : Bên trái là cực B,
ở giữa là cực C và bên phải là cực E.
66
4. TRANSISTOR
 4.5. Phương pháp kiểm tra Transistor

4.5.1. Các hình ảnh minh hoạ khi đo kiểm tra Transistor.
Minh hoạ phép đo trên : Trước hết nhìn vào ký
hiệu ta biết được Transistor trên là bóng ngược,
và các chân của Transistor lần lượt là ECB ( dựa
vào tên Transistor ). < xem lại phần xác định chân
Transistor >
Bước 1 : Chuẩn bị đo để đồng hồ ở thang x1Ω
Bước 2 và bước 3 : Đo thuận chiều BE và BC
=> kim lên .
Bước 4 và bước 5 : Đo ngược chiều BE và BC
=> kim không lên.
Bước 6 : Đo giữa C và E kim không lên
=> Bóng tốt.
67
4. TRANSISTOR
Bước 1 : Chuẩn bị . Bước 1 : Chuẩn bị .

Bước 2 : Đo thuận giữa B và E kim lên = 0 Ω Bước 2 và 3 : Đo cả hai chiều
Bước 3: Đo ngược giữa B và E kim lên = 0 Ω giữa B và E kim không lên.
=> Bóng chập BE => Bóng đứt BE
68
4. TRANSISTOR
 Bước 1 : Chuẩn bị .
 Bước 2 và 4 : Đo cả hai chiều giữa C và
E kim lên = 0 Ω
 => Bóng chập CE
 Trường hợp đo giữa C và E kim lên một
chút là bị dò CE.
69
5. FET – (Field effect Transistor)
 5.1. Khái niệm chung
5.1.1. Nguyên tắc hoạt động
FET là làm cho dòng điện cần điều khiển đi qua một môi trường bán dẫn
có tiết diện dẫn điện thay đổi dưới tác dụng của điện trường vuông góc với lớp
bán dẫn đó. Sự thay đổi cường độ điện trường sẽ làm thay đổi điện trở của lớp
bán dẫn và do đó làm thay đổi dòng điện đi qua nó. Lớp bán dẫn này được gọi là
kênh dẫn điện. Đây là điểm khác biệt so với BJT vì BJT dùng dòng điện cực gốc
để điều khiển.
Trong FET, dòng điện hình thành do một loại hạt dẫn duy nhất, hoặc là
điện tử hoặc là lỗ trống.
5.1.2. Phân loại
Transistor trường có điều khiển bằng tiếp xúc P - N (JFET)
Transistor có cực cửa cách điện (IGFET hay MOSFET).
MOSFET được chia làm 2 loại là MOSFET kênh có sẵn và MOSFET
kênh cảm ứng
Mỗi loại FET ở trên lại được chia thành loại kênh N hoặc kênh P (tuỳ
theo hạt dẫn điện là điện tử hay lỗ trống)
70
5.1.3. Ký hiệu FET trong sơ đồ mạch

S: source – cực nguồn mà qua đó các hạt đa số đi vào kênh và tạo ra dòng
điện nguồn IS
D: drain – cực máng là cực mà ở đó các hạt dẫn đa số rời khỏi kênh dẫn
G: gate – cực cửa là cực điều khiển dòng điện chạy qua kênh dẫn
Kênh N Kênh P Kênh N Kênh P Kênh N` Kênh P
JFET MOSFET kênh có sẵn MOSFET kênh cảm

ứng
71
 5.2. Transistor trường điều khiển bằng tiếp xúc P - N (JFET)

5.2.1. Cấu tạo và nguyên tắc hoạt động
a. Cấu tạo
72
 5.2. Transistor trường điều khiển bằng tiếp xúc P - N (JFET)

a. Cấu tạo
73
b. Nguyên tắc làm việc:

Với JFET kênh loại N cần mắc nguồn cung cấp sao cho:
UGS < 0 để 2 chuyển tiếp P và N phân cực ngược
UDS > 0 để điện tử di chuyển từ S tới D
Với JFET kênh loại P cần mắc nguồn cung cấp ngược lại
Sơ đồ phân cực cho JFET kênh N và kênh P
74
5.2.2. Đặc tuyến truyền đạt, đặc tuyến ra

a. Đặc tuyến truyền đạt của JFET kênh loại N
U DS
I D  S .q.N D . n .E  2b.w.q.N D . n
L
S = 2bw là tiết diện của kênh dẫn
2b là độ rộng của kênh tương ứng với khi dòng điện ID = 0
w là kích thước vuông góc với hướng b của kênh
L là chiều dài kênh dẫn
UDS là điện áp đặt giữa cực máng và cực nguồn
b. Đặc tuyến ra
75
5.3. Transistor trường loại MOSFET

a. Cấu tạo
Mosfet kênh N: có hai miếng bán dẫn loại P
đặt trên nền bán dẫn N, giữa hai lớp P-N được cách
điện bởi lớp SiO2 hai miếng bán dẫn P được nối ra
thành cực D và cực S, nền bán dẫn N được nối với lớp
màng mỏng ở trên sau đó được dấu ra thành cực G.
Mosfet có điện trở giữa cực G với cực S và
giữa cực G với cực D là vô cùng lớn, còn điện trở giữa
cực D và cực S phụ thuộc vào điện áp chênh lệch giữa
cực G và cực S ( UGS )
Khi điện áp UGS = 0 thì điện trở RDS rất lớn,
khi điện áp UGS > 0 => do hiệu ứng từ trường làm cho
điện trở RDS giảm, điện áp UGS càng lớn thì điện trở
RDS càng nhỏ.
76
 b. Nguyên tắc làm việc:
Cấp nguồn một chiều UD qua một
bóng đèn D vào hai cực D và S của Mosfet Q
(Phân cực thuận cho Mosfet ngược) ta thấy
bóng đèn không sáng nghĩa là không có dòng
điện đi qua cực DS khi chân G không được
cấp điện.
Khi công tắc K1 đóng, nguồn UG cấp
vào hai cực GS làm điện áp UGS > 0V => đèn
Q1 dẫn => bóng đèn D sáng.
Khi công tắc K1 ngắt, điện áp tích trên tụ C1 (tụ gốm) vẫn duy trì cho đèn Q
dẫn => chứng tỏ không có dòng điện đi qua cực GS.
Khi công tắc K2 đóng, điện áp tích trên tụ C1 giảm bằng 0 => UGS= 0V =>
đèn tắt => điện áp đặt vào chân G không tạo ra dòng GS như trong Transistor thông
thường mà điện áp này chỉ tạo ra từ trường => làm cho điện trở RDS giảm xuống .
77
 5.3.2. Đặc tuyến của MOSFET

 a. Đặc tuyến ra của Mosfet kênh
có sẵn loại N
Chế độ giàu hạt
dẫn
Chế độ nghèo hạt

dẫn
 b. Đặc tuyến ra của Mosfet kênh

cảm ứng loại N
78
 5.3.3. Khuếch đại sử dụng MOSFET
79
5.4.Đo kiểm tra Mosfet

Bước 1 : Chuẩn bị để thang x1KW
Bước 2 : Nạp cho G một điện tích ( để que
đen vào G que đỏ vào S hoặc D )
Bước 3 : Sau khi nạp cho G một điện tích ta
đo giữa D và S ( que đen vào D que đỏ vào S
) => kim sẽ lên.
Bước 4 : Chập G vào D hoặc G vào S để
thoát điện chân G.
Bước 5 : Sau khi đã thoát điện chân G đo lại
DS như bước 3 kim không lên.
=> Kết quả như vậy là Mosfet tốt.
80
 Bước 1 : Để đồng hồ thang x 1KW

 Đo giữa G và S hoặc giữa G và D nếu kim
lên = 0 W là chập
 Đo giữa D và S mà cả hai chiều đo kim lên =
0 W là chập D S
81
6. PHẦN TỬ NHIỀU MẶT GHÉP
 6.1. Thyristor
6.1.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Thyristor
a. Cấu tạo, ký hiệu
Cấu tạo Thyristor Ký hiệu của Thyristor Sơ đồ tương tương
82
b. Nguyên tắchoạt động

SCR
dẫn
SCR ngắt
83
6.1.2. Đo kiểm tra Thyristor

Đặt động hồ thang x1W , đặt
que đen vào Anot, que đỏ vào Katot ban
đầu kim không lên , dùng Tovit chập
chân A vào chân G => thấy đồng hồ lên
kim, sau đó bỏ Tovit ra => đồng hồ vẫn
lên kim => như vậy là Thyristor tốt
84
 6.2. DIAC
6.2.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Diac
a. Cấu tạo, ký hiệu
Diac là linh kiện gồm 2 phần PNPN
kết nối song song đối nhau
85
b. Nguyên lý hoạt động của Diac
Trong đoạn (1) của đặc tuyến (-VB0

VB0), DIAC sẽ hoạt động như một chuyển
mạch với cả hai chiều phân cực thuận và
nghịch. Khi điện áp vượt qua giá trị “ngưỡng
đánh thủng” VB0 , dòng bắt đầu tăng nhanh
và điện áp giảm xuống giá trị Vm.
Trong đoạn (2) của đặc tuyến (-VB0 
-Vm hoặc Vm  VB0), điện áp sụt xuống
trong khoảng thời gian ngắn, trong khoảng
thời gian này, DIAC có điện trở âm. Nếu điện
áp đặt vào DIAC giảm xuống nhỏ hơn Vm,
DIAC sẽ quay trở lại trạng thái hở mạch
(ngắt).
86
 6.3. TRIAC
6.3.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Triac
a. Cấu tạo và ký hiệu
mặt cấu tạo tương đương như 2 SCR mắc song song,
một kiểu P và một kiểu N.
87
b. Nguyên tắc hoạt động

Khi không có tín hiệu vào cực cửa G, TRIAC
sẽ luôn ngắt, vì luôn có một diode phân cực ngược:
nếu VMT2 > VMT1 , chuyển tiếp N2P1 sẽ đảm bảo
trạng thái ngắt; còn nếu VMT1> VMT2 chuyển tiếp N2
P2 sẽ đảm bảo cho trạng thái ngắt.
TRIAC sẽ dẫn khi điện áp giữa MT1 và MT2
vượt quá giá trị ngưỡng VB0. Cũng giống như SCR,
giá trị ngưỡng VB0 có thể được điều khiển bởi dòng
trên cực cửa G. Sự dẫn có thể theo hai hướng: khi
MT1 dương hơn MT2 thì P2N2P1N1 sẽ tạo đường
dẫn, còn khi MT2 dương hơn so với MT1 thì dòng sẽ
chảy qua P1N2P2N4
TRIAC sẽ dẫn khi có các điện áp phân cực và
dòng điều khiển có chiều như hình bên.
88
7. OP-AMPS
Nguyên tắc hoạt động

Mạch khuếch đại thuật toán (tiếng anh: operational
amplifier), thường được gọi tắt là op-amp là một mạch
khuếch đại “DC-coupled” (tín hiệu đầu vào bao gồm
cả tín hiệu BIAS) với hệ số khuếch đại rất cao, có đầu
vào vi sai, và thông thường có đầu ra đơn. Trong
những ứng dụng thông thường, đầu ra được điều
khiển bằng một mạch hồi tiếp âm sao cho có thể xác
định độ lợi đầu ra, tổng trở đầu vào và tổng trở đầu ra
89
7. OP-AMPS

 - Hai ngõ vào đảo và không đảo cho phép Op-Amps khuếch đại được nguồn tín hiệu có tính
đối xứng (các nguồn phát tín hiệu biến thiên chậm như nhiệt độ, ánh sáng, độ ẩm, mực chất
lỏng, phản ứng hoá-điện, dòng điện sinh học … thường là nguồn có tính đối xứng)
 – Ngõ ra chỉ khuếch đại sự sai lệch giữa hai tín hiệu ngõ vào nên Op-Amps có độ miễn nhiễu
rất cao vì khi tín hiệu nhiễu đến hai ngõ vào cùng lúc sẽ không thể xuất hiện ở ngõ ra. Cũng
vì lý do này Op-Amps có khả năng khuếch đại tín hiệu có tần số rất thấp, xem như tín hiệu
một chiều.
 – Hệ số khuếch đại của Op-Amps rất lớn do đó cho phép Op-Amps khuếch đại cả những tín
hiệu với biên độ chỉ vài chục mico Volt.
 – Do các mạch khuếch đại vi sai trong Op-Amps được chế tạo trên cùng một phiến do đó độ
ổn định nhiệt rất cao.
 – Điện áp phân cực ngõ vào và ngõ ra bằng không khi không có tín hiệu, do đó dễ dàng trong
việc chuẩn hoá khi lắp ghép giữa các khối (module hoá).
 – Tổng trở ngõ vào của Op-Amps rất lớn, cho phép mạch khuếch đại những nguồn tín hiệu có
công suất bé.
 – Tổng trở ngõ ra thấp, cho phép Op-Amps cung cấp dòng tốt cho phụ tải.
 – Băng thông rất rộng, cho phép Op-Amps làm việc tốt với nhiều dạng nguồn tín hiệu khác
nhau
90
7. OP-AMPS

Dựa vào ký hiệu của Op-Amps ta có đáp ứng tín hiệu ngõ ra V o theo các cách đưa tín
hiệu ngõ vào như sau:
 Đưa tín hiệu vào ngõ vào đảo, ngõ vào không đảo nối mass: V out = Av0.V+
 Đưa tín hiệu vào ngõ vào không đảo, ngõ vào đảo nối mass: V out = Av0.V–
 Đưa tín hiệu vào đổng thời trên hai ngõ vào (tín hiệu vào vi sai so với mass):
Vout = Av0.(V+-V–) = Av0.(ΔVin)
91
7. OP-AMPS
Khuếch đại đảo
92
7. OP-AMPS
Khuếch đại không đảo
93
7. OP-AMPS
Khuếch đại không đảo
94
7. OP-AMPS
Mạch cộng đảo
95
7. OP-AMPS
Mạch cộng không đảo
96
7. OP-AMPS
Mạch trừ
97
7. OP-AMPS
Mạch tích phân – vi phân
98
8. KỸ THUẬT XUNG
Khái niệm:
- Các tín hiệu điện áp hay dòng điện biến đổi theo thời gian được chia thành 2 loại cơ bản là tín
hiệu liên tục và tín hiệu rời rạc (gián đoạn).
Tín hiệu liên tục còn gọi là tín hiệu tuyến tính hay tương tự. Tín hiệu rời rạc gọi là tín hiệu xung
hay số
Tiêu biểu cho tín hiệu liên tục là tín hiệu sin, như hình 1, với tín hiệu sin ta có thể tính được biên
độ của tín hiệu tại từng thời điểm khác nhau.
99
Các dạng xung
100
Các tham số cơ bản của tín hiệu xung :

Tín hiệu xung vuông như hình dưới là một tín hiệu xung vuông lý tưởng, thực tế khó có 1 xung vuông nào có
biên độ tăng và giảm thẳng đứng như vậy:
101
Đặc tuyến truyền đạt của transistor khóa
102
Tạo xung bằng Transistor
103
MẠCH KHÔNG ĐỒNG BỘ 2 TRẠNG THÁI ỔN ĐỊNH

Triger đối xứng (RS-triger) dùng transistor
104

Triger Smit sử dụng transistor
105

Triger Smit sử dụng transistor ghép emitor
106

Triger Smit sử dụng khuếch đại thuật toán
107

Đa hài đợi sử dụng transistor
108
MẠCH KHÔNG ĐỒNG BỘ 2 TRẠNG THÁI KHÔNG ỔN ĐỊNH

Đa hài sử dụng transistor
109
8. KỸ THUẬT SỐ
ĐẠI SỐ LOGIC
Trong đại số trừu tượng, đại số Boole hay đại số Boolean là một cấu trúc đại
số có các tính chất cơ bản của cả các phép toán trên tập hợp và các phép
toán logic. Cụ thể, các phép toán trên tập hợp được quan tâm là phép giao,
phép hợp, phép bù; và các phép toán logic là Và, Hoặc, Không.
Đại số Boole được đặt tên theo George Boole (1815–1864), một nhà toán học
người Anh.
Đại số Boole làm việc với các đại lượng chỉ nhận giá trị Đúng hoặc Sai và có
thể thể hiện hệ thống số nhị phân, hoặc các mức điện thế trong mạch điện
logic. Do đó đại số Boole có nhiều ứng dụng trong kỹ thuật điện và khoa
học máy tính, cũng như trong logic toán học.
110
ĐẠI SỐ LOGIC
111
ĐẠI SỐ LOGIC
Các luật:
112
ĐẠI SỐ LOGIC
Định lý:
Ví dụ:
113
ĐẠI SỐ LOGIC
Hàm logic và cách biểu diễn:
Dạng tuyển:
Dạng hội:
Biểu diễn hàm logic bằng bảng trạng thái

Ví dụ:
114
ĐẠI SỐ LOGIC
Biểu diễn hàm logic bằng bảng trạng thái
2 bit = 2^2; 4 = 2^4; 3 = 2^3
115
ĐẠI SỐ LOGIC
Tối thiểu hóa hàm logic bằng bìa cardno
116
ĐẠI SỐ LOGIC
Tối thiểu hóa hàm logic bằng bìa cardno
Câu 8 [<DE>]: Cho hàm
F ( x, y, z, t )  x. y..z.t  x. y.z.t  x. y.z.t  x. y.z.t  x. y.z.t  x. y.z.t
117
ĐẠI SỐ LOGIC
Phần tử logic cơ bản
118
ĐẠI SỐ LOGIC
1. Phần tử NOT
119
ĐẠI SỐ LOGIC
2. Phần tử và AND
120
ĐẠI SỐ LOGIC
3. Phần tử NAND
121
ĐẠI SỐ LOGIC
4. Phần tử OR
F ( x, y, z , t )  x. y..z.t  x. y.z.t  x. y.z.t  x. y.z.t  x. y.z.t  x. y.z.t 122

ĐẠI SỐ LOGIC
5. Phần tử NOR
123
ĐẠI SỐ LOGIC
6. Phần tử XOR
124
ĐẠI SỐ LOGIC
6. Phần tử XOR - Ứng dụng
- Phần tử nửa tổng HALF ADDER
- Phần tử tổng toàn phần FULL ADDER
125
ĐẠI SỐ LOGIC
6. Phần tử XOR - Ứng dụng
- Phần tử nửa tổng HALF ADDER
- Phần tử tổng toàn phần FULL ADDER
126
F ( x, y , z , t ) 
x y z t  x y z t  x y  z t 
x y z t  x y z t  x y  z t
 Biểu diễn hàm bằng các phần tử cơ bản
 Rút gọn hàm
 FBiểu z, t ) hàm
( x, y,diễn .t  xrút
x . y.zsau .t  x .bằng
. y.zgọn y .z.t phần
x . y.z.ttử cơ z.t  x. y .z.t
x. y.bản
127
F ( x, y , z , t ) 
( x  y  z  .t ).( x  y  z  t ).( x  y  z  t ).
( x  y  z  t ).( x  y  z  t ).( x  y  z  t )
 Biểu diễn hàm bằng các phần tử cơ bản
 Rút gọn hàm
 FBiểu z, t ) hàm
( x, y,diễn .t  xrút
x . y.zsau .t  x .bằng
. y.zgọn y .z.t phần
x . y.z.ttử cơ z.t  x. y .z.t
x. y.bản
128
Chương 3
 Mạch chỉnh lưu 3 pha

 Mạch nghịch lưu 3 pha
129
Mạch chỉnh lưu 3 pha
Mạch chỉnh lưu 3 pha có điểm trung tính tải thuần trở
130
Mạch chỉnh lưu 3 pha có điểm trung tính tải thuần trở
131
Mạch chỉnh lưu 3 pha cầu tải thuần trở
132
Mạch chỉnh lưu 3 pha có điểm trung tính điều khiển bằng Tiristo
133
Mạch chỉnh lưu 3 pha có điểm trung tính điều khiển bằng Tiristo
134
Mạch nghịch lưu 3 pha
Mạch nghịch lưu 3 pha có điểm trung tính điều khiển bằng Tiristo
135

Kỹ Thuật Điện Tử: Trường Đại Học Điện Lực

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Kỹ Thuật Điện Tử: Trường Đại Học Điện Lực

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

TẬP ĐOÀN ĐIỆN LỰC VIỆT NAM

TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐIỆN LỰC

I. ĐIỆN TRỞ (RESISTOR)

II. TỤ ĐIỆN (CAPACITOR)

III. CUỘN DÂY(CORD)

1.1. Khái niệm về điện trở.

Trong đó ρ là điện trở suất phụ thuộc vào chất liệu

 1.2. Điện trở trong thiết bị điện tử.

 Ký hiệu của điện trở trên các sơ đồ nguyên lý

1.2.2. Đơn vị của điện trở:

 Cách đọc trị số điện trở 4 vòng mầu :

Trị số = (vòng 1)(vòng 2) x 10 ( mũ vòng 3)

 1.4. Một số tính chất của điện trở

Tụ thường(tụ không phân cực)

2.1.2. Cấu tạo

chất điện môi

- Tụ điện phân: gồm 2 điện cực tách rời nhau nhờ

2.2.1. cách ghi trực tiếp

2.2.2. cách ghi theo quy ước

điện áp làm việc [v]

 3.1. Cấu tạo, ký hiệu và phân loại của cuộn cảm

 3.2. Cách mắc cuộn cảm

 1. CHẤT BÁN DẪN

1.1.Chất bán dẫn.

1.2. Chất bán dẫn loại N

Khi ta pha một lượng nhỏ

1.3. Chất bán dẫn loại P

Ngược lại khi ta pha thêm một

2.1. Tiếp giáp P - N và Cấu tạo của Diode bán dẫn.

Khi đã có được hai chất bán

Mối tiếp xúc P - N => Cấu tạo của Diode

Ký hiệu và hình dáng của Diode bán dẫn.

 2.2. Phân cực thuận cho Diode.

2.3. Phân cực ngược cho Diode.

Khi phân cực ngược cho Diode

 Đặt đồng hồ ở thang x 1Ω , đặt hai que đo

Đo kiểm tra Diode

 2.5. Ứng dụng của Diode bán dẫn .

Do tính chất dẫn điện một chiều nên

 3.1. Diode Zener

Cấu tạo : Diode Zener có cấu tạo

Sơ đồ bên minh hoạ ứng dụng

 3.2. Diode Thu quang. ( Photo Diode )

chiếu vào diode.

Minh hoạ sự hoạt động của Photo Diode

 3.4. Diode Varicap ( Diode biến dung )

 3.5. Diode xung

4.1. Cấu tạo, ký hiệu của Transistor ( Bóng bán dẫn )

Transistor gồm ba lớp bán

 4.2. Nguyên tắc hoạt động của Transistor.

4.2.2. Xét hoạt động của Transistor PNP .

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

Transistor PNP: UE > UB > UC

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

 4.3. Cách mắc Transistor và các tham số

Ecc = +12 V ; UBE = 0,6 V ; β = 200 ; C1