Chương 2

CẢM BIẾN ĐO NHIỆT ĐỘ

Đại lượng vật lý nhiệt độ luôn tồn tại và hiện diện xung quanh ta. Ngày nay việc đo, kiểm
soát và điều khiển nhiệt độ không thể thiếu trong dân dụng và công nghiệp. Nhiệt điện trở là loại
cảm biến được phát hiện do Humphry (năm 1828), ông ta nhận thấy điện trở của một số kim loại
thay đổi theo nhiệt độ và Wiliam Siemens là người đầu tiên sử dụng nhiệt kế điện trở (1871) từ
đó nhiệt điện trở được sử dụng rộng rãi để đo nhiệt độ và các đại lượng khác.
Tùy vào tác dụng nhiệt của dòng điện cung cấp chảy qua, người ta phân thành nhiệt điện
trở bị đốt nóng và nhiệt điện trở không đốt nóng.
 Nhiệt điện trở không đốt nóng: dòng điện chảy qua nhỏ không làm tăng nhiệt độ của
cảm biến, do đó dạng này thường dùng đo nhiệt độ môi trường.
 Nhiệt điện trở đốt nóng: dòng điện qua cảm biến có giá trị số lớn làm cho nhiệt độ
của bản thân lớn hơn nhiệt độ của môi trường xung quanh. Sự trao đổi nhiệt giữa điện
trở và môi trường xung quanh do đối lưu, nhiệt dẫn hoặc bức xạ (sự trao đổi nhiệt này
phụ thuộc vào các yếu tố kích thước hình học, trạng thái bề mặt, tính chất vật lý...).
Nhiệt điện trở loại này thường ứng dụng đo các đại lượng vật lý như tốc độ của lưu
chất, nồng độ và mật độ chất khí....
 Ngoài hai cách phân loại trên, cảm biến nhiệt điện trở còn phân loại theo cấu trúc của
vật liệu như nhiệt điện trở kim loại, nhiệt điện trở bán dẫn.
Trong quá trình điều khiển các hệ thống tự động có liên quan đến nhiệt năng, chúng ta
thường sử dụng đến các loại cảm biến nhiệt độ để theo dõi nhiệt độ thực của đối tượng cần được
kiểm sóat trong hệ thống. Các dạng cảm biến nhiệt thường được sử dụng trong công nghiệp
thuộc một trong các loại sau:
 Nhiệt điện trở kim loại (RTD: Resistance-Temperature Detectors) là cảm biến
dạng phát hiện sự thay đổi nhiệt độ trung gian qua sự thay đổi điện trở của kim loại.
 Nhiệt điện trở bán dẫn (Themistor) là loại cảm biến đo lường nhiệt độ thông qua
sự thay đổi điện trở của vật liệu bán dẫn.
 Nhiệt điện trở cặp nhiệt điện (Thermocouple) là loại cảm biến dùng đo lường
nhiệt độ dựa trên các hiệu ứng Peltier, Thomson và Sheebek.
 Một số dạng chuyên dụng khác: đo nhiệt độ từ xa, các IC nhiệt….
2.1CÁC ĐẠI LƯỢNG NHIỆT ĐỘ
Nhiệt độ là đại lượng đo cơ bản cùng với chiều dài, thời gian và khối lượng. Đơn vị đo nhiệt độ là
Celsius (0C), Kelvin (0K) và Fahrenheit (0F). Mối liên hệ giữa các thang đo nhiệt độ thể hiện hình 2.1

Hình 2.1

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 10

 Công thức chuyển đổi thang đo nhiệt độ:
°C = 5/9 (°F - 32 )
°F = 9/5 (°C) + 32
0
K = 273 +°C
0
R = 460 + °F
2.2CẢM BIẾN NHIỆT ĐIỆN TRỞ KIM LOẠI:
Nhiệt điện trở kim loại thường gọi là RTD (Resistance Temperature Detector) cấu tạo
bằng dây kim loại hoặc màng mỏng (hình 2.2) như platinum, nickel, đồng, vonfram,... dựa trên
nguyên tắc thay đổi điện trở kim loại theo nhiệt độ. Để giảm tổn hao do nhiệt dẫn, chiều dài
của dây cần lớn hơn đường kính dây gấp nhiều lần (hơn 200 lần) thông thường đường kính dây
thay đổi từ 0,02÷0,06mm.

Hình 2.2
Chiều dài l dây từ 5÷1000mm, điện trở dây từ vài chục ôm đến hàng nghìn ôm. Vật liệu
cần chế tạo có hệ số nhiệt độ () lớn, bền hóa học với tác dụng của môi trường. Điện trở suất
(ρ) lớn và chịu nhiệt độ cao.
Để có độ nhạy cao, điện trở phải lớn. Muốn vậy phải:
 Giảm tiết diện dây, việc này bị hạn chế vì tiết diện càng nhỏ dây càng dễ dứt.
 Tăng chiều dài dây, việc này cũng bị giới hạn vì tăng chiều dài làm tăng kích thước
của điện trở.
Để sử dụng cho mục đích công nghiệp, nhiệt kế phải có vỏ bọc tốt chống va chạm và rung
động, điện trở được cuốn và bao bọc trong thủy tinh hoặc gốm đặt trong vỏ bọc bằng thép (hình 2.3).
Kích thước và hình dạng lớp vỏ kim loại dưới dạng thanh hình trụ: đường kính của các thanh kim lọai
này tuân theo tiêu chuẩn định trước: 3, 4, 5, 6, 8, 10 và 15 mm; và bề dài thỏa tiêu chuẩn: 250, 300,
500, 750 và 1000 mm. Với RTD dùng điện trở dây quấn, dữ liệu ghi nhận chính xác hơn do lớp kim
loại bao bọc che chở bên ngoài và dây quấn rất ít thay đổi độ dài trong qua trình họat động. Điện trở
màng là điện trở tạo nên do lớp kim loại
được in lụa hay sơn phủ trong chân
không lên tấm bảng bằng ceramic hoặc
thủy tinh. Điện trở màng có tính chính
xác kém hơn điện trở dây quấn, nhưng
có lợi điểm nhỏ gọn và giá thành thấp
hơn.
Thường các RTD có giá trị
điện trở là 100Ω ở 00C. Trên thực tế
các sản phẩm thương mại có điện trở ở
00C là 50Ω, 500Ω, 1000Ω. Các điện trở
Hình 2.3

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 11

có trị số lớn thường dùng đo ở dải nhiệt độ thấp, ở đó cho phép đo với độ nhạy tốt.
2.2.1 Nhiệt điện trở Đồng:
Là loại cảm biến nhiệt độ được chế tạo bằng dây đồng. Dải làm việc của nhiệt điện trở đồng từ
500C ÷ 1800C. Phương trình biểu diễn quan hệ giữa điện trở và nhiệt độ:
Rt  R0 (1  t ) (2.1)
Trong đó: α- hệ số nhiệt độ. α=3,9.10 -3 1/0C trong khoảng nhiệt độ từ 0 0C ÷ 1000C; t- nhiệt độ;
R0- điện trở tại 00C

Hình 2.4
2.2.2 Nhiệt điện trở Niken:
Là loại cảm biến nhiệt độ có dải làm việc cao hơn đồng từ 195 0C ÷ 2600C.
Niken có độ nhạy nhiệt cao hơn nhiều so với platin. Điện trở niken ở 1000C gấp 1,617
lần ở 00C, đối với platin chỉ bằng 1,385. Tuy nhiên, niken dễ bị oxy hóa khi nhiệt độ tăng do
đó dải nhiệt bị giới hạn dưới 2500C.
Ưu điểm của niken là điện trở suất cao (gấp 5 lần đồng). Trong khoảng nhiệt độ từ 0 0C ÷ 1000C
có αNi=4,7.10-3 1/0C.
Do có hệ số nhiệt độ lớn cho phép chế tạo được cảm biến có kích thước nhỏ.
2.2.3 Nhiệt điện trở Platin:
Platin được chế tạo với độ tinh khiết cao nhằm tăng độ chính xác của đặc tính điện. Platin trơ
về hóa học và ổn định về tinh thể cho phép hoạt động tốt trong dải nhiệt rộng từ: -2000C ÷
10000C. Phương trình đặc trưng cho quan hệ giữa điện trở và nhiệt độ là:
Rt  R0 (1  t   t 2   (t  100)3 ) (2.2)
Rt  R0 (1  t  t 2 ) (2.3)
Công thức (2.2) dùng trong cho t<0; (2.3) cho t>0
Trong thực tế người ta thường sử dụng nhiệt điện trở Platin được chế tạo dưới dạng chuẩn
Pt100 để làm cảm biến đo nhiệt độ từ 0 0C ÷ 1000C. Quan hệ giữa điện trở và nhiệt độ có đặc
tuyến gần như tuyến tính:

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 12

 Rt  R0 (1  t ) (2.4)
Với α≈ 4,3.10-3 1/0C
Các cấp sai số cho phép của RTD được trình bày trong bảng 2.1 sau đây:
BẢNG 2.1: SAI SỐ CHO PHÉP CỦA RTD PLATINUM THEO CÁC CẤP A, B, C, D:
CẤP SAI SỐ BIỂU THỨC XÁC ĐỊNH SAI SỐ GHI CHÚ

A   0,15  0,002. t 
 t là giá trị tuyệt đối của nhiệt
B   0,30  0,005. t  độ tại giá trị đo được.
 Giá trị của sai số và nhiệt độ t
C   0,40  0,009. t 
tính theo độ 0C.
D   0,60  0,0018. t 

Ngoại trừ các thông số vừa nêu trên, theo tiêu chuẩn IEC751 RTD còn có các đặc tính khác như:
điện trở cách điện, khả năng chịu đựng đối với môi trường, hiệu ứng nhiệt điện, chấn động... Một
vài đặc tính được trình bày như sau:
Hiệu ứng nhiệt điện: RTD thường được tạo thành từ hai kim lọai: phần tử cảm biến làm
bằng Platinum và các đầu ra làm bằng đồng (cấu tạo này có tác động tương tự như
thermocouple). Với độ chênh lệch nhiệt độ đặt trên phần tử, điện áp sinh ra do hiệu ứng nhiệt
điện có giá trị bằng 7V/ oC. Hiệu ứng này thực sự chỉ cần đến với các phép đo lường chính xác
cao tại các dòng điện kích thích có giá trị rất thấp.
Dòng điện đo lường: Giá trị dòng điện đo lường trong phạm vi từ: 1, 2 và 5 mA; tuy
nhiên giá trị 5mA không cho phép xãy ra trên RTD cấp A
Các đầu dây ra trên RTD: có thể thuộc 1
trong 3 dạng sau: 2 , 3 hay 4 đầu dây. Theo
tiêu chuẩn IEC751 tại mỗi đầu của RTD cho
phép ra 2 dây, các dây này phải có code màu
giống nhau. Code màu thường dùng cho các
đầu ra RTD là : đỏ và trắng, xem hình 2.5.
Hình 2.5 Ký hiệu ghi trên cảm biến: Theo tiêu chuẩn
IEC751 trên RTD cho phép ghi: giá trị định
mức Ro; cấp sai số, cấu hình của các đầu dây ra, dãy nhiệt độ làm việc cho phép.
Ví dụ trên cảm biến ghi: Pt 100 /A /3 /-100 /+200 . Ý nghĩa của các ký hiệu được hiểu như sau:
Pt : RTD là loại Platinum
100: Điện trở định mức của RTD ở 0oC là Ro = 100 .
A: Cấp sai số là cấp A.
3: RTD có 3 đầu ra dây.
-100/+200: Dãy nhiệt độ làm việc: từ -100oC đến 200oC.

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 13

Bảng 2.2 : Bảng tóm tắt đặc tính của một số RTD của các nhà sản xuất sau:
MẢ SỐ NHÀ THÔNG SỐ
CẢM DÃY SAI SỐ KIỂU VỎ YÊU CẦU
BIẾN SẢN-XUẤT NGÕ RA

TD4A TO92
8/ oC  2,5oC Điện trở màng kim lọai
HONEYWELL hay trong
(1854 tại 0 C)o
(-40 C 150 C)
o o trên silicon
TD5A ống

KTY81
SOD-70 Điện trở silicon dạng
1K đến 2K tại  6oC   12oC
KTY82 khối (bulb). Dòng kích
25oC SOT-23 thích duy trì trong
KTY83 PHILIPS
SOD-68 phạm vi lớn hơn
(-55oC  150oC có 0,1mA và nhỏ hơn
KTY84 o
(+ 0,8% / C) thể đến 300oC) SOD-80 1mA
KTY85
KYY10 1K đến 2K  1oC và  3,5oC
KYY11 Điện trở silicon dạng
SIEMENS tại 25oC TO92
khối (bulb).
KYY13 (+ 0,8% / oC) (-55oC 150oC)

32208243 Như Pt100 và ±1oC 1206SMD

RTD có phủ mặt
32209115 Pt1000 (-50 C  130 C)
o o
SOT223
HERAEUS
HA421  4,5oC   15oC Áp dụng trong công
Pt200 tại 25oC Thanh
HA2421 (-70 C 1000 C)
o o nghiệp auto

Trong ứng dụng người ta thường sử dụng nguồn dòng 1mA để cung cấp cho RTD:

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 14

 Cho sơ đồ cầu đo hai dây (H.2.6)

Hình 2.6
RT  2RL R2
Vo  VR (  ) (2.5)
R3  RT  2RL R1  R2
Điện áp V0 không tuyến tính tỷ lệ với RT và điện trở dây nối ảnh hưởng đến độ chính xác.
Sơ đồ ba dây cho độ chính xác cao hơn (H.2.7).

RT  RL R2
Vo  VR (  )
RT  RL  R3  RL R1  R2
(2.6)
Chọn: R1=R2, R3=R0
RT  RL 1 Ro(1  T )  RL 1
Vo  VR (  )  VR (  )
RT  Ro  2RL 2 Ro(1  T )  Ro  2R L 2
T 1
Vo  VR T R T
4RL T  VR (1  L  ) (2.7)
1  4 Ro 2
Ro 2
T
Khi khoảng đo nhỏ có thể coi như: Vo  VR
4
Muốn giảm độ phi tuyến nên chọn R1  R3 và khá lớn (10 lần) so với RTm ; RTm là trị số nhiệt
điện trở ở giữa tầm nhiệt độ đo, R2 điều chỉnh sao cho cầu cân bằng ở nhiệt độ Tm .

Hình 2.7: Sơ đồ ba dây Hình 2.8: Sơ đồ bốn dây nguồn dòng

RT  RL RTm  RL
Vo  VR (  )
RT  2RL  10RTm 11RTm  2RL
(2.7)
Vo VR Ro ( RL  10RTm )

T  Ro (1 T )  2RL  10RT 2
m

Dùng PT100 tầm đo 0 C đến 500 C, R L  10, Tm = 250 C, VR= 10V, ta tính được độ
o o o

phi tuyến tối đa khoảng 4%. Điện áp V o đưa vào khuếch đại vi sai có tổng trở vào cao.
Một phương pháp tăng độ chính xác thường dùng trong máy ghi là phương pháp cầu cân bằng,
biến trở R2 là biến trở trượt tuyến tính có trị số tỷ lệ với khoảng di chuyển của con chạy, con chạy di
chuyển mang theo bút vẽ, điện áp ra từ mạch khuếch đại dùng để điều khiển động cơ di chuyển con

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 15

chạy, khi cầu cân bằng động cơ ngừng, R 2= RT và vị trí con chạy tỷ lệ RT.
Sơ đồ bốn dây dùng nguồn dòng cho độ chính xác tốt nhất (H.2.8) vì:
Vo  I S RT  I S Ro(1  T ) (2.8)
Sơ đồ chuyển đổi từ nhiệt điện trở bốn dây ra điện áp. Hình 2.9 (www.national.com)

Hình 2.9
Vi mạch LM4140A cấp áp chuẩn 2.5V, vi mạch A1 (LMP2011) tạo nguồn dòng 1mA chạy qua
RTD, A2, A3, A4 tạo thành khuếch đại vi sai. Hình 2.10 là một sơ đồ khác với hai dây L 3, L4 không nối
với RTD.

Hình 2.10a: Chuyển đổi nhiệt điện trở –điện áp Hình 2.10b: Mạch nguồn dòng
Vi mạch LM385 là diode nguồn chuẩn điều chỉnh được, có điện áp giữa chân + và chân FB là
1,24V, dòng qua vi mạch từ 10A đến 20mA, điện áp giữa chân + và – của vi mạch sẽ ổn định dòng qua
R1 là Io
1,24V
Io   10mA
R1

2.3CẢM BIẾN NHIỆT ĐIỆN TRỞ BÁN DẪN (THERMISTOR)

Nhiệt điện trở bán dẫn (themistor) có độ nhạy nhiệt rất cao, gấp hàng chục lần độ nhạy
nhiệt điện trở kim loại. Nhiệt điện trở có thể chia thành 2 loại:
 Nhiệt điện trở có hệ số nhiệt điện trở dương (PTC) coù giaù trò ñieän trôû taêng
khi nhieät ñoä taêng.
 Nhiệt điện trở có hệ số nhiệt điện trở âm.
Nhiệt điện trở được làm từ các hỗn hợp oxit bán dẫn, đa tinh thể như MgO,
MgAl2O4, Mn2O3, Fe3O4, Co2O3, NiO, ZnTiO4. Bột oxit được trộn với nhau theo tỉ lệ
nhất định sau đó được nén định dạng và thiêu kết ở nhiệt độ 10000C. Các dây nối được hàn

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 16

tại hai điểm trên bề mặt và được phủ bằng một lớp kim loại.
Nhiệt điện trở có kích thước nhỏ cho phép đo nhiệt độ tại từng điểm, đồng thời nhiệt
dung nhỏ nên thời gian đáp ứng ngắn.
Đối với nhiệt điện trở bán dẫn, nhiệt độ ảnh hưởng đến nồng độ điện tích tự do (n, p). Sự
thay đổi nhiệt độ làm đứt mối liên kết giữa các nguyên tử và dẫn đến hính thành các cặp điện
tử, lỗ trống. Quan hệ giữa nhiệt độ và điện trở của nhiệt điện trở bán dẫn được biểu diễn bằng
công thức:
  1 1 
RT  R0 exp      (2.5)
  T T0 
Trong đó: R0- là điện trở ở nhiệt độ tuyệt đối T 0; β- hệ số nhiệt độ phụ thuộc vào tính chất
vật lý của bán dẫn.
Độ nhạy của cảm biến:

R   (2.6)
T2

1 R1
 ln (2.7)
1
T1
 T12 R2
T1- nhiệt độ tương ứng R1
T2- nhiệt độ tương ứng R2
Ưu điểm của nhiệt điện trở ba1b dẫn là có độ nhạy nhiệt cao. Giải đo nhiệt độ từ vài độ 0K
đến 3000C. Vì độ nhạy cao, nhiệt điện trở được ứng dụng để phát hiện biến thiên nhiệt độ rất
-4 -3
nhỏ (khoảng 10  10 K).
Điện trở thay đổi từ 50 Ω đến 100Ω và có thể tới 500Ω tùy thuộc vào nhiệt độ đo. Nhược
điểm của điện trở bán dẫn là đặc tính nhiệt có độ phi tuyến cao, khó khắc độ. Hình 2.6 đặc tính
điện trở và nhiệt độ của RTD và Themistor.

Hình 2.6
Thermistor thường dùng cho khoảng nhiệt độ 500C đến1500C. Do tính chất phi tuyến của
nó, người ta không dùng thermistor để đo nhiệt độ mà dùng trong mạch cảnh báo quá nhiệt hay
mạch bù nhiệt.
Trong trường hợp cần đặc tuyến tuyến tính theo nhiệt độ, phải dùng phương pháp tuyến
tính hóa. Sau đây giới thiệu một số phương pháp tuyến tính hóa:

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 17

  Dùng điện trở song song (Hình 2.7)

Hình 2.7
Khi có RP song song với RT thì điện trở Rab sẽ thay đổi theo T và có điểm uốn. Chọn
nhiệt độ làm việc là Tm và chọn RP sao cho:
d2
Rab  0 , ở T  Tm (2.8)
dT 2
  2Tm
ta suy ra: RP  RTm (2.10)
  2Tm

trong đó: RT m - điện trở thermistor ở nhiệt độ Tm

Rab   RP // RT m   1   (T  Tm  ở vùng cận của Tm

  / Tm  2
  (2.11)
( RTm / R )  1

 Dùng điện trở nối tiếp (Hình 2.8)

Hình 2.8
Trong trường hợp này ta tính độ dẫn điện của mạch gồm Rs và RT sao cho: Gab tăng
tuyến tính theo nhiệt độ trong vùng nhiệt độ làm việc Tm , Gab có điểm uốn ở Tm . Ta tính
được:

1   2Tm
Gs   GTm (2.12)
Rs   2Tm

1
Gab 
Rs  RTm
 1   s(T  Tm ) (2.13)

  / Tm 
s  (2.14)
(GTm / Gs )  1

2.4CẢM BIẾN NHIỆT ĐIỆN TRỞ CẶP NHIỆT ĐIỆN

Năm 1821 Seebeck (Thomas Seebeck: nhà vật lý Estonia), phát hiện hiện tượng hai thành
kim loại khác nhau được nối kín với nhau, tại các mối nối có chênh lệch nhiệt độ thì xuất hiện dòng
điện trong nó người ta gọi là dòng điện Seebeck. (Hình 2.9)

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 18

 Hình 2.9
Hai dây kim loại khác nhau được hàn với nhau ở một đầu gọi là đầu nối nóng hay đầu đo (hot
junction), hai đầu dây còn lại là đầu lạnh hay đầu chuẩn, đầu tự do (could junction), hình 2.10; khi có
sự chênh lệch nhiệt độ giữa hai đầu trên hai đầu dây tự do xuất hiện sức điện động: e AB  T

Hình 2.10: Sơ đồ nguyên lý cặp nhiệt điện

Theo hiệu ứng Seebeck khi có chênh lệch nhiệt độ giữa đầu nóng và đầu lạnh thì phát
sinh sức nhiệt điện động V giữa hai đầu lạnh (hai đầu lạnh ở cùng nhiệt độ To ):
V  a  b.T  c.T 2

T  T  To

trong đó: T - nhiệt độ đo; To - nhiệt độ đầu lạnh.

Như vậy quan hệ giữa V và T là phi tuyến, còn quan hệ giữa V và T phi tuyến phụ thuộc
nhiệt độ đầu lạnh. Muốn đo nhiệt độ T chính xác phải ổn định nhiệt độ đầu lạnh To và phải đo
được nhiệt độ này. Nhiệt độ đầu lạnh còn gọi là nhiệt độ chuẩn. Khi sử dụng đo tầm hẹp có thể
tuyến tính hóa đặc tính cặp nhiệt điện theo biểu thức:
V = k.T (2.15)
với k là hệ số nhiệt có đơn vị V /oC
Ủy ban Điện Kỹ thuật Quốc tế IEC (International Electrotechnical Commission) phân
loại cặp nhiệt điện như sau:
Bảng 2.2: Các loại cặp nhiệt điện (Thermocouple)(độ C)
Loại cặp nhiệt điện Vật liệu Vùng nhiệt độ
Platinum 30% Rhodium (+)
B 1370 .. 1700
Platinum 6% Rhodium (-)
W5Re Tungsten 5% Rhenium (+)
C 1650 .. 2315
W26Re Tungsten 26% Rhenium (-)
Chromel (+) (90%Ni, 10% Cr)
E (sđđ lớn nhất) 95 .. 900
Constantan (-) (55%Cu, 45% Ni)
Iron (+)
J (rẻ, sđđ lớn) 95 .. 760
Constantan (-) (55% Cu, 45% Ni)

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 19

 Chromel (+)
K (chống oxit hóa,
Alumel (-) (95%Ni, 2%Mn, 2%Al, 95 ..1260
thông dụng)
1%Si)
Nicrosil (+) (84,6%Ni, 14,2%G,
N 1,4%Si) 650 .. 1260
Nisil (-) (95,5%Ni, 4,4%Si, 1%Mg)
Platinum 13% Rhodium (+)
R (đắt) 870 ..1450
Platinum (–)
Platinum 10% Rhodium (+)
S (đắt) 980 ..1450
Platinum (–)
Copper (+)
T (rẻ, sđđ lớn) -200 .. 350
Constantan (-)

Bảng 2.3: Sức nhiệt điện động (mV) với nhiệt độ nối chuẩn 0C
TC E J K R S T
-100 -4,7 -5,2 -4,1 -3,4
0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0 0,0
100 6,3 5,3 4,1 0,7 0,7 4,3
200 13,7 11,0 8,2 1,5 1,5 9,5
300 21,2 16,5 12,3 2,4 2,4 15,0
400 28,9 21,8 16,4 3,4 3,2 20,8
500 36,9 27,3 20,6 4,5 4,2
600 45,2 33,1 24,9 5,6 5,3
700 53,1 39,4 29,2 6,7 6,3
800 60,2 46,5 33,3 7,9 7,3
900 37,3 9,2 8,4
1000 41,3 10,5 9,6
1100 45,2 11,8 10,7
1200 13,2 11,9
1300 14,6 13,2
1400 15,9 14,3

Nếu dây của cặp nhiệt điện không đủ dài để nối đến dụng cụ đo và ta dùng dây đồng để
nối thì số chỉ của dụng cụ đo là hiệu số nhiệt độ đo T và nhiệt độ chỗ nối To , giống như một
cặp nhiệt điện nữa (hình 2.11). Nhiệt độ To thường không ổn định vì đầu lạnh ở gần đầu nóng
do đó sẽ gây ra sai số đo.

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 20

 Hình 2.11: Ảnh hưởng dây nối
Để khắc phục phải dùng dây nối dài cùng loại với vật liệu của cặp nhiệt điện để bù trừ
nhiệt độ To , lúc này ta có: V  k(T  T1 ) . Nhiệt độ T1 ổn định và đo được.
Người ta thường chuận hóa một đầu ở 00C bằng cách đặt một đầu ở nước đá dang tan
chảy (hình 2.12)

Hình 2.12
Trường hợp dây nối không cùng dạng kim loại với cặp nhiệt (hình 2.13)

Hình 2.13

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 21

 Điện áp từ cặp nhiệt điện khá nhỏ nên cần phải được khuếch đại, ngoài ra còn cần có
thiết bị đo nhiệt độ đầu lạnh để bù trừ. Một số dạng mạch trừ đầu đo chuẩn hóa (Hình 2.14)

Hình 2.14a

Hình 2.14b

Hình 2.14c: Sơ đồ bù nhiệt đầu tự do của cặp nhiệt (National Semiconductor)

2.5MỘT SỐ THIẾT BỊ ĐO NHIỆT ĐỘ CHUYÊN DỤNG
2.5.1 Cảm biến nhiệt vi mạch
Cảm biến nhiệt vi mạch (IC cảm nhiệt) chế tạo từ chất bán dẫn, dựa trên nguyên lý phụ
thuộc điện áp mối nối pn theo nhiệt độ

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 22

 KT I
V  ln (2.16)
q Io

Khảo sát sơ đồ đơn giản của một IC cảm nhiệt (H2.15) ta tính được
KT I 2
V0  (V2  V1)   ln
q I1 (2.17)

Hình 2.15: Sơ đồ IC cảm nhiệt

chọn , I1, I2 phù hợp ta có Vo = kT. Các IC cảm nhiệt được chế tạo theo ba thang nhiệt độ C, F
hay K tùy loại. Tầm đo nhiệt độ giới hạn từ –55 150C , độ chính xác từ 1 2C .
Sau đây là một số cảm biến của hãng National Semiconductor và Analog Devices
Bảng 2.4a IC Cảm nhiệt National Semiconductor

Tên Tầm nhiệt độ Độ chính xác Tín hiệu ra

LM 34 (50  300)F  3, 0F 10 mV/F

LM 35A (55  150)C  1, 0C 10 mV/C

LM 45B/50B (-40  +125)C  2, 0C 10 mV/C

Dòng điều
LM134/234/334
chỉnh

LM 135A (55  150)C  1, 3C 10 mV/K

LM235A (-40  +125)C  2, 0C 10 mV/K

LM 335A (-40  +100)C  2, 0C 10 mV/K

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 23

 Bảng 2.4b IC Cảm nhiệt Analog Devices

Tên Tầm nhiệt độ Độ chính xác Tín hiệu ra Nguồn cung cấp

AD590 -55  +150 ±2.5 +1 µA/K +4V +30V

TMP01 -55  +125 ±1 +5mV/K +4.5V  +13.2V

TMP35 +10  +125 ±2 +10 mV/C +2.7V  +5.5V

TMP36 -40  +125 ±2 +10 mV/C +2.7V  +5.5V

TMP37 +5  +100 ±2 +20 mV/C +2.7V  +5.5V

LM 35 có bốn dạng vỏ kim loại và nhựa, nguồn dương từ 5 đến 20V. LM335 được cấp
nguồn nói tiếp điện trở , dòng điện qua IC từ 0.4mA đến 5mA. AD590 là IC nguồn dòng thay
đổi theo nhiệt độ
Một số hình dạng và mạch ứng dụng của IC nhiệt

Hình 2.16a: Sơ đồ chân và mạch áp dụng LM35

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 24

 Hình 2.16b: Sơ đồ chân và mạch áp dụng LM335

Hình 2.16c: Sơ đồ chân và mạch áp dụng AD590

2.5.2 Nhiệt kế bức xạ
Còn gọi là hỏa kế (pyrometer) dùng để đo nhiệt độ từ xa không tiếp xúc.
Mọi vật ở nhiệt độ trên 0 K đều bức xạ năng lượng: ở nhiệt độ thấp, năng lượng bức xạ
thuộc vùng hồng ngoại; khi nhiệt độ tăng, tần số bức xạ dời về phía ánh sáng nhìn thấy; ở nhiệt
độ 1000 F bức xạ trong vùng ánh sáng màu đỏ, nhiệt độ cao ánh sáng trở thành trắng.
Một vật có thể bức xạ và hấp thụ bức xạ cũng như phản xạ lại bức xạ. Ta có hệ thức:
++=1 (2.18)
trong đó:  - độ hấp thụ;  - độ phản xạ;  - độ truyền.
Một thông số khác hay dùng là độ bức xạ  đánh giá khả năng bức xạ của một vật. Vật lý
tưởng  = 1 (thể đen):
==1–– (2.19)
Sự thay đổi cường độ bức xạ theo nhiệt độ và tần số được biểu thị theo luật Wien:
E   C15e (C2 / T ) (2.20)
trong đó: E  - năng lượng phát ở bước sóng ; C1, C2 - hằng số;
T - nhiệt độ tuyệt đối của thể đen,
2898 12 4
E  cực đại ở bước sóng  p  m và E  p  5.67x10 T W/cm2
T

Hình 2.17: Đồ thị năng lượng bức xạ theo nhiệt độ

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 25

 Theo luật Stefan-Boltzmann năng lượng trao đổi giữa hai vật bức xạ lý tưởng A, B là:
  .  . C A (TA4  TB4 ) (2.21)
với: C A - hệ số phụ thuộc vị trí tương đối và kích thước hình học hai vật
TA , TB - nhiệt độ;  - hệ số bức xạ

 = 5.67*10-8W/m2K4, hằng số Stefan-Boltzmann

Công thức này dùng để tính nhiệt độ vẫt bức xạ khi đo năng lượng nhiệt
NKBX gồm hệ thống quang học tập trung bức xạ từ vật muốn đo ở xa lên cảm biến quang
hay nhiệt, tín hiệu từ cảm biến sẽ được xử lý để biểu thị nhiệt độ. Để hướng NKBX về điểm
muốn đo, dùng tia laser tạo điểm sáng đỏ chiếu lên điểm đó. Độ chính xác đo phụ thuộc hệ số
phát của vật muốn đo và cần phải lấy chuẩn.

Hình 2.18: Sơ đồ khối NKBX

Có nhiều loại NKBX số hóa được sản xuất. Hình 2.19 cho hình dạng NKBX cầm tay
Extech 42530 tầm đo -54F đến 1000F

Hình 2.19

Bài giảng Đo lường và cảm biến Trang 26