2 .

2 CẢM BIẾN ĐO NHIỆT ĐỘ

1. Khái niệm chung

2. Nhiệt kế giãn nở

3. Nhiệt kế điện trở

4. Cặp nhiệt ngẫu

5. Hỏa kế

6. Các loại nhiệt kế khác

 1. Khái niệm chung

1.1. Nhiệt độ:

Nhiệt độ là đại lượng vật lý đặc trưng cho trạng thái

nhiệt của vật chất ảnh hưởng rất lớn đến nhiều tính
chất của vật chất  đo nhiệt độ đóng vai trò quan
trọng trong công nghiệp và nhiều lĩnh vực.
Đo nhiệt độ: gián tiếp, dựa vào sự phụ thuộc của tính

chất vật liệu vào nhiệt độ.

 1.2 Thang đo nhiệt độ

a) Thang nhiệt độ động học: do Thomson Kelvin xây

dựng trên cơ sở định luật nhiệt động học thứ hai: công
trong chu trình Cacnô tỷ lệ với độ chênh nhiệt độ chứ
không phụ thuộc chất đo nhiệt độ.

- Điểm chuẩn: điểm tan của nước đá = 273,15K.

- Một độ K bằng độ chênh nhiệt độ ứng với 1% công
trong chu trình Cacnô giữa điểm sôi của nước và điểm
tan của nước đá ở áp suất bình thường.
 1.2 Thang đo nhiệt độ

b) Thang Celsius : do Andreas Celsius

thành lập (1742) . Đơn vị oC.
• Điểm chuẩn: điểm nước đá tan  0oC
điểm nước sôi  100oC.
Nhận xét:

 T(oC) = T(K) – 273,15

1.2. Thang đo nhiệt độ

c)Thang Fahrenheit: do Fahrenheit thành

lập (1706). Đơn vị oF.
• Điểm chuẩn:
Điểm nước đá tan  32oF
Điểm nước sôi
 212oF
o
 
9 o
 
Quan hệ giữa F và C: T F  T C  32
o o
5
1.2. Thang đo nhiệt độ

Ký Đơn
Tên thang đo Quan hệ
hiệu vị
Nhiệt độ bách
t C 1
phân (celsius)
Nhiệt độ động K
T T = t + 273,15
học tuyệt đối
f = t(9/5) + 32 =
Nhiệt độ F
f 1,8t +32
Fahrenheit
= 1,8T – 459,67
1.3. Nhiệt độ cần đo & nhiệt độ đo được

Nhiệt độ cần đo (Tx): nhiệt độ thực của môi

trường.

Nhiệt độ đo được (Tc): nhiệt độ bộ phận cảm

nhận của cảm biến.

Xét cảm biến đo tiếp xúc (hình vẽ)

Sai số: T = Tx - Tc  0.
1.3. Nhiệt độ cần đo & nhiệt độ đo được
T
Tx
T1
t

Tc  Tx  ke 

• Sai sốT phụ thuộc:

- Trao đổi nhiệt giữa cảm biến và môi trường đo.
- Trao đổi nhiệt giữa bộ cảm biến và bên ngoài.
1.4. Phương pháp đo nhiệt độ

a) Phương pháp đo tiếp xúc: khi đo, cảm biến

tiếp xúc với môi trường đo, phép đo dựa trên
các hiện tượng:
+ Giãn nở của vật liệu.
+ Biến đổi trạng thái của vật liệu.
+ Thay đổi điện trở của vật liệu.
+ Hiệu ứng nhiệt điện.
1.4. Phương pháp đo nhiệt độ

b) Phương pháp đo không tiếp xúc: khi đo

cảm biến không tiếp xúc với môi trường đo,
phép đo dựa vào sự phụ thuộc của bức xạ
nhiệt của môi trường đo vào nhiệt độ:
+ Đo bằng hỏa kế bức xạ.
+ Đo bằng hỏa kế quang.
 2. Cảm Biến Nhiệt Điện Trở

2.1. Nguyên lý đo: dựa vào sự thay đổi điện trở

của vật liệu khi nhiệt độ thay đổi:
R T   R0 . f T  T0 
Ví dụ cảm biến kim loại:

R(T)  R 0 1  AT  BT  CT 2 3

Đo R(T)  T
 2. Cảm Biến Nhiệt Điện Trở

CẢM BIẾN NHIỆT ĐIỆN TRỞ:

- Nhiệt điện trở kim loại.

- Nhiệt điện trở dây.
- Nhiệt điện trở bán dẫn.
2.2 Nhiệt điện trở kim loại

- Được chế tạo từ dây kim loại hoặc màng mỏng như:
Platin, Niken, Đồng, Vonfram….
- Để giảm tổn hao do nhiệt dẫn:
• Chiều dài dây l  D đường kính gấp nhiều lần
( 2000 lần).
• Thường: D : 0,02  0,06 mm; l: 5 – 20mm đến
1000mm.
- Điện trở của dây từ vài chục Ω đến hàng nghìn Ω.
2.2 Nhiệt điện trở kim loại

- Vật liệu chế tạo cần có hệ số nhiệt độ () lớn,

bền hóa học với tác dụng của môi trường.
- Điện trở suất () lớn và chịu được nhiệt độ cao.
2.2 Nhiệt điện trở kim loại

1. Nhiệt điện trở Đồng (Cu):

 CB được chế tạo bằng dây đồng.
 Dải làm việc : - 50C  180C.
 Phương trình: Rt = R0 (1+t)

-3
Với: - Hệ số nhiệt độ  = 3,9.10 1/C trong khoảng nhiệt độ 0 100C

t- Nhiệt độ ; R0- là điện trở tại 0C

2.2 Nhiệt điện trở kim loại

 Khi chưa biết giá trị R0 có thể sử dụng biểu

thức:
 t 2

Rt2 = Rt1 (   t )
1

Với: Rt2, Rt1 : điện 1trở của CB ứng với nhiệt

 
độ t2, t1; 
Thực tế: TCM-50: R0 = 50Ω; TCM-100: R0 = 100Ω
2.2 Nhiệt điện trở kim loại

2. Nhiệt điện trở Niken (Ni):

 Dải làm việc : - 80C  260C.

 Độ nhạy cao:

 Tính chất của Ni phụ thuộc nhiều vào:

tạp chất và qt nhiệt luyện.
2.2 Nhiệt điện trở kim loại

 Ưu điểm: Ni có điện trở suất cao (gấp 5 lần Cu)

 Trong khoảng nhiệt độ 0 100C, Ni = 4,7.10-3

1/C. Do hệ số nhiệt lớn nên có thể chế tạo CB
có kích thước nhỏ.
2.2 Nhiệt điện trở kim loại

3. Nhiệt điện trở Platin (Pt):

 Platin có độ tinh khiết cao, được chế tạo nhiệt
điện trở dây.
 Dải làm việc cao :- 200C  1000C.
 Phương trình: - 200C  0C :
Rt = R0 [1+ At + Bt2 + C(t- 100C) t 3]

 Phương trình 0 650C : Rt = R0 [1+ At + Bt2]

 2.2 Nhiệt điện trở kim loại

 Đặc tính có dạng phi tuyến, độ bền hóa học cao, tính
dẻo tốt có thể chế tạo thành sợi mảnh (1,25m).
 Nhược điểm không dùng trong môi trường oxy hóa
khử.
 Thực tế: CB Pt 100 để đo t 0 100C quan hệ gần
tuyến tính: Rt = R0 (1+t)

với PT = 4,3.10-3 1/C , R0 = 100Ω

2.2 Nhiệt điện trở kim loại
ĐƯỜNG ĐẶC TÍNH CỦA MỘT SỐ NHIỆT ĐiỆN TRỞ
 2.3 Nhiệt điện trở dây
1 2
a) Cấu tạo: Nhiệt điện trở dây quấn
3

2
1

1 2 3

3
1: Dây nhiệt điện trở.
2: Ống sứ cách điện. 1. Vỏ
3: Bột oxit nhôm. 2. Dây điện trở
4: Vỏ bọc 3. Lõi cách điện
 2.3 Nhiệt điện trở dây
b) Cấu tạo: Nhiệt điện trở Pt
 2.3 Nhiệt điện trở dây
c) Cấu tạo: Nhiệt điện trở Công nghiệp
 2.4 Nhiệt kế đo nhiệt độ bề mặt
- Vật liệu: Ni, Fe-Ni hoặc Pt.
1

- Chiều dày lớp kim loại cỡ m,

2
diện tích 1cm2.

- Khi đo: dán lên bề mặt vật cần đo.

1. Điện trở
2. Tấm vật liệu cách điện
- Đặc tính:

• Dải đo: -195C  260C.(Ni, Fe-Ni )

-260C  1400C.(Pt).

• Độ nhạy nhiệt: Ni, Fe-Ni: ~ 5.10-3 1/C

Pt: ~ 4.10-3 1/C
 Một số nhiệt điện trở kim loại
Vật liệu
Thông số Ghi chú Pt Ni Cu W
Tf (oC) Nhiệt độ nóng chảy 1769 1453 1083 3380

 (WoC-1m-1) Độ dẫn nhiệt 73 90 400 120

 x10-8 (m) Điện trở suất ở 20C 10,6 10 1,72 5,52

Hệ số nhiệt độ của điện
R x10 ( C )
-3 o -1
trở suất ở 20C
3,9 4,7 3,9 4,5

-200 
Tlàm việc ( C)
o Dải nhiệt làm việc < 250 < 180 < 1600
1000

Tính bền nhiệt Bền Kém bền Kém bền Bền

Tính ổn định Cao Thấp Thấp Thấp

Độ tuyến tính - - Cao Cao

 2.5 Nhiệt điện trở Silic

a)Cấu tạo: chế tạo từ đơn tinh thể Si pha tạp

loại N(P,Zn), kích thước cỡ 500x500x240 (m).

500m
b)Đặc trưng: 500m 240m

Trong dải nhiệt độ (-55  200oC) hệ số nhiệt điện

trở dương (~7.10-3/ oC ở 25 oC).
 2.5 Nhiệt điện trở Silic

Mối quan hệ điện trở-nhiệt độ :


R T  R 0 1  AT  T0   BT  T0 
2

Với R0 (Ω) T0(K) :
là điện trở và
nhiệt độ ở điểm chuẩn.
VD hình bên
2.6. Nhiệt kế điện trở oxit bán dẫn
2 3
a) Cấu tạo: được chế tạo từ hỗn 1
hợp oxit bán dẫn đa tinh thể như:
MgO, MgAl2O4, Mn2O3, Fe3O4, Co2O3,

NiO, ZnTiO4.
Cấu tạo
Hỗn hợp bột oxit được trộn theo tỉ
1. Vỏ bọc
lệ thích hợp  được nén định dạng 
2. Điện trở
thiêu kết ở nhiệt độ ~ 1000oC. Vỏ bọc 3. Dây nối
bằng thủy tinh.
 2.6. Nhiệt kế điện trở oxit bán dẫn

 Mối quan hệ điện trở của nhiệt điện trở vào nhiệt độ :
2
T  1 1 
R( T )  R 0   exp  
 T0    T T 0 
 b
R  2
Hệ số nhiệt điện trở: T

 1 1  B
 Gần đúng R (T )  R0 exp  B   và  R   2
  T T 0  T

Với B = 3.000 - 5.000K.

2.6. Nhiệt kế điện trở oxit bán dẫn

b) Đặc điểm:
 Kích thước nhỏ  có thể đo T theo điểm.

 Nhiệt dung nhỏ  thời gian hồi đáp bé.

 Hệ số nhiệt điện trở lớn  đo được Tmin =10-4 -

10-3K.
 Độ nhạy cao.

 Đo nhiệt độ trong khoảng 0  300oC.

2.6. Nhiệt kế điện trở oxit bán dẫn

Nhiệt điện trở NTC (Negative Temperature

Cofficient):
- Là nhiệt điện trở có hệ số nhiệt âm . Nhiệt độ càng
tăng thì điện trở càng giảm.
(vd: 0 ÷ 150⁰C điện trở giảm 100 lần).
- Cấu tạo bởi oxit kim loại như: Fe2O3 , Zn2TiO4 ,

MgCr2O4 , TiO2, NiO, CO, Li2O…

2.6. Nhiệt kế điện trở oxit bán dẫn

Ứng dụng:
+ Khi làm việc với dòng điện nhỏ, NTC dùng
làm thiết bị đo nhiệt độ,
+ Khi dòng điện làm việc lớn, dùng NTC để
đo mức.
2.6. Nhiệt kế điện trở oxit bán dẫn

Nhiệt điện trở PTC (Positive Temperature Cofficient):

- Là nhiệt điện trở có hệ số nhiệt dương. Nhiệt độ càng
tăng thì điện trở càng tăng.

(vd: t⁰C < 110 ⁰C điện trở khoảng vài chục ,

t⁰C > 110 ⁰C điện trở lên tới hàng nghìn M).

- Cấu tạo bởi oxit kim loại như: Ba2CO3 , StO , TiO…..
2.6. Nhiệt kế điện trở oxit bán dẫn

Ứng dụng:
Dùng để bảo vệ động cơ điện khi có sự cố: quá tải,
ngắn mạch hoặc điều khiển mức độ nhiệt.
 3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp
a) Mạch đo dùng logomet từ điện:
 Cấu tạo:

I1 2 I2

1.Rôto
N S
2.Cuộn dây
3
1 3.Nam châm vĩnh cửu
Rp2 Rp1 R2
R1
E

Rt
3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp

 Nguyên lý làm việc:

Phương trình vào-ra của cc:   F( I1 )

I2
E E
I1   I2 
Mặt khác:
R1 R p1 R 2  R p 2  Rt

  F(
R 2 R p 2 Rt
 
)  f ( Rt )
Vậy:
R1  R p1

Mối quan hệ điện trở nhiệt độ: Rt = F1 (t)

Suy ra:  = F (t)

 3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp

b) Mạch đo dùng cầu cân bằng:

Nhiệt độ→Rt→x (chỉnh R2)

Sơ đồ: a G
R2 R3 G R2 R3
E
E

R1 R1
b
Rd2 Rd1 Rd2 Rd1

Rt Rt

Cầu hai dây dẫn Cầu ba dây dẫn

3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp

Cầu hai dây:

Cầu gồm 4 điện trở: R1, R2, R3  t và Rt  t.

R 1 .R 3  R 2 .R t 0 U ab  0
Khi t0 = 0 C
o
và

Khi t > t0  Rt > Rt0  R1 R3< R2 Rt

U ab  0
Þ Cầu mất cân bằng:

Điều chỉnh R2 sao cho cầu đạt cân bằng mới, vị trí

(x) của con chạy R2 : x = f(Uab) = f(Rt) = f(t)

Đo dịch chuyển x  t.
 3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp

Cầu ba dây dẫn: khắc phục ảnh hưởng của điện trở
dây dẫn.
Với cầu 2 dây dẫn có kể đến điện trở dây nối:
R 1 .R 3  R 2 .R t  R d1  R d 2 
Với cầu 3 dây dẫn:
R1  R d 2 .R 3  R 2 .R t  R d1 
Do ảnh hưởng của Rd phân ra 2 vế  giảm sai số.
Cấp chính xác: 0,2.
 MẠCH ĐO
Nhiệt điện trở Đồng:  = 0,004/0C
Rt = R01 + (t  t0)
R1 Rt

E
Ura

R2 R3

Chọn R1 = R0, R2 = R3 và R2,R3 >> R1,R0 

thì ta bỏ qua được R0 (t  t0)
4. Cặp nhiệt điện

4.1. Hiệu ứng nhiệt điện

Hiệu ứng Thomson:

1 A 2
 Một vật dẫn A đồng nhất.
t1 t2
EA

 Tại 2 điểm có nhiệt độ khác nhau là:

t1 và t2 → Sức điện động nhiệt điện

.
4. Cặp nhiệt điện

dEA = A dt .

với A - hệ số Thomson với vật liệu A cho

trước.
t1

E A t1 , t 2     A. dt  E A t1 E A t 2 
t2
4. Cặp nhiệt điện

4.1. Hiệu ứng nhiệt điện

E12
t1 t2
Hiệu ứng Peltier: 1
A B 2

 Một vật dẫn A , B bản chất khác nhau.

t1

E12    A   B . dt
t2
4. Cặp nhiệt điện

t1 1
4.1. Hiệu ứng nhiệt điện

Hiệu ứng Seebeck:

A B

Tồn tại: Sức điện động EAB

2
phụ thuộc độ chênh nhiệt độ t0
giữa hai mối hàn :
E AB (t1 , t 0 )  e AB (t1 )  eBA (t 0 )
4. Cặp nhiệt điện

EAB = eAB(t1) – C = f(t1) với C= eAB(t0) = const

Đầu có nhiệt độ không đổi gọi là đầu tự do.

NA(t0) NB(t0) NA(t) NB(t)

+ - + -
+ - + -
+ - + -

EAB(t0) EAB(t)
 Hiệu ứng Seebeck:

Giải thích:

 Ở đầu có nhiệt độ (t0) nồng độ điện tử trong A là

NA(t0), trong B là NB(t0) . Giả sử NA(t0) > NB(t0) 

trên tiếp giáp, (e) khuếch tán từ A  B hình thành
eAB(t0).

- Ở đầu có nhiệt độ (t) tương tự có: eAB(t)

 Hiệu ứng Seebeck:

 Giữa hai đầu mỗi dây dẫn có chênh lệch nồng

độ: (e)  khuếch tán  hình thành eA(t,t0) và
eB(t,t0).
 Trong mạch kín:
E AB  e AB ( t )  e BA ( t 0 )  e A ( t 0 , t )  e B ( t , t 0 )
E AB  e AB ( t )  e AB ( t 0 )  e A ( t , t 0 )  e B ( t , t 0 )
E AB  e AB ( t )  e AB ( t 0 )
Giữ t0 = const  E AB  e AB (t )  C  f (t )
4. Cặp nhiệt điện

- Sức điện động của cặp nhiệt không thay đổi

nếu chúng ta nối thêm vào mạch một dây dẫn
thứ ba và giữ cho nhiệt độ hai đầu nối của
dây thứ ba giống nhau.
Rcc
C t0
t0 t0 2 B
2 3
t t0 t0
3 1 2 3
A B C
A 4 t A B
1
1
1 B 1
t t
t
Sơ đồ nối cặp nhiệt với dây dẫn thứ ba
4.2. Cấu tạo và vật liệu

8
7
6
1. Vỏ bảo vệ
2. Mối hàn
5
3. Dây cực
4. Sứ cách điện
5. Bộ phận lắp đặt
4 6. Vít nối dây
3 7. Dây nối
1 8. Đầu nối dây
2
 4.2. Cấu tạo và vật liệu

 Vật liệu chế tạo:

Yêu cầu:
 Sức điện động đủ lớn (để dễ dàng chế tạo dụng cụ đo

thứ cấp).
 Có đủ độ bền cơ học và hoá học ở nhiệt độ làm việc.

 Dễ kéo sợi.

 Có khả năng thay lẫn.

 Giá thành rẻ.

 4.2. Cấu tạo và vật liệu

Vật liệu Thành phần Tlv.nh E đ.Tmax Tlv. dh (oC)

(oC) (mV)

Platin-Rođi / Platin (+) 90%Pt+10%Rd < 1600 16,77 <1300

(-) Pt

Chromel / Alumel (+) 80%Ni + 10%Cr <1100 46,16 < 900

+ 10%Fe
(-) 95%Ni + 5%(Mn
+ Cr+Si)

Chromel / Coben (+) 80%Ni + 10%Cr <800 66,00 <600

+ 10%Fe
(-) 56%Cu + 44% Ni
 4.2. Cấu tạo và vật liệu

Cã thÓ chän rÊt nhiÒu lo¹i vµ ®ßi hái tinh khiÕt, người

ta thưêng lÊy b¹ch kim tinh khiÕt lµm cùc chuÈn vi :

B¹ch kim cã ®é bÒn hãa häc cao c¸c tÝnh chÊt ®ưîc
nghiªn cøu râ, cã nhiÖt ®é nãng ch¶y cao, dÔ ®iÒu chÕ
tinh khiÕt vµ so víi nã ngưêi ta chia vËt liÖu lµm dư¬ng
tÝnh vµ ©m tÝnh.
4.2. Cấu tạo và vật liệu

B
4.2. Cấu tạo và vật liệu
4.2. Cấu tạo và vật liệu
4.2. Cấu tạo và vật liệu
Đặc tính của một số cặp nhiệt
MỘT SỐ CẶP NHIỆT ĐIỆN THƯỜNG DÙNG
Loại Điện cực Điện cực Độ nhạy kT Dải đo Đặc
+ - [μV/0C] tính
K Chromel Nickel 40.5 -270 Tuyến
Ni-Cr +1370 tính
S Platinum Pt-Rh10 6.4 -50 Chính
90%Pt+10 1760 xác cao
%Rh
J Sắt Cu-Ni 51.7 -210 Độ nhạy
`1200 tốt
T Đồng Cu-Ni 49 -200 Độ nhạy
400 tốt
W3 W-Re3 W-Re25 18 0 Đo nhiệt
97%W+3% 75%W+25% 2320 độ cao
R Re
Đặc tính của một số cặp nhiệt điện
cơ bản
4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp

a) Sơ đồ mạch đo dùng milivôn kế

mV mV
mV
C
C
t0 t0 4
3
t t B B B B B
2 0 0 3 A A
A A A A
A
t B 1 t1 2 t2
1

Sơ đồ thông dụng Sơ đồ vi sai Sơ đồ nối tiếp

4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp

 Sai số khi đo:

 Do ảnh hưởng của nhiệt độ đầu tự do

t’o ≠ to = 0oC.

 Do ảnh hưởng của điện trở mạch đo: Rt, Rd, Rv.
4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp

Ảnh hưởng của nhiệt độ đầu tự do: C t0

Khi t’o= to= 0oC: 2 3
mV
t0
E AB (t, t 0 )  e AB (t )  e AB (t 0 ) D t’0
’
t0
A B
Khi t’o ≠ to = 0oC:
E AB (t, t '0 )  e AB (t )  e AB (t '0 ) 1


E AB (t, t 0 )  E AB (t, t '0 )  e AB ( t '0 )  e AB (t 0 )  t
E

E AB (t, t 0 )  E AB (t, t '0 )  E AB ( t '0 , t 0 )

EAB(t,t’0)

ÞKhắc phục bằng cách bù nhiệt EAB(t’0,to)

độ đầu tự do t’0 t
toC
4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp
 Phương pháp bù nhiệt độ đầu tự do:
Dùng dây bù: C, D là dây bù:
Chọn C, D sao cho:
E  e AB (t )  e CA (t '0 )  e BD (t '0 )  e CD (t 0 )
C t0

2 3 mV
Khi đó: e CA (t '0 )  e DB (t '0 ) t’0 t’0 D t0
E  e AB ( t )  e CD ( t 0 ) A B
E  e AB ( t )  e AB ( t 0 )
1
t
4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp

 Nếu quan hệ đường thẳng khi khắc độ:

t – t’ = t0’ – t0 hay
t = t’ + t E C

1 A

2
D
3
4 B
0 t
4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp
Dùng cầu bù: C
t0 a
 Khi t0 = 0 C, cầu
o
t’0 t’0 c
Rb R3
d
mV

t0
cân bằng Ucd = 0. A B
C
R2 R1
b RP
Khi t’0 ≠ 0 C:
o
t

Rd tăng  cầu mất cân

bằng: Ucd ≠ 0. En

Chọn sao cho: Ucd = EAB(t’0,t0). Thường: R1, R2, R3: Mn

Rb : Cu hoặc Ni.
'
E AB (t, t )  U cd  E AB (t, t 0 )
0
 4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp
C
Rb(t’0) = Ro( 1 + α. t’0) t0 a
Rb R3 mV
t’0 t’0 c d
t0
Khi chế tạo thường đảm bảo: A B
C
R2
I
R1
b RP
R1 = R2 t
>> R3 = E
Rno En
I 
R1  R3 R2  Rb En

Ub(t’0) = Ucd(t’0) = I.Rb – I.R3 = I.Ro.α. t’0 = I.T. t’0

Với T = Ro.α Ω/0C độ nhạy của nhiệt điện trở

 4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp
- Đo nhiệt độ bằng cặp nhiệt ngẫu loại K
(độ nhạy:40.6 µ V/oC) khoảng đo từ 600-1200oC.

- Dùng mạch bù đầu tự do sử dụng Pt-100 với

dòng cho phép 5mA biết nhiệt độ đầu tự do thay
đổi từ 30 - 100oC.

- Điện áp ra của cầu sẽ có giá trị là bao nhiêu ?

Biết các điện trở của cầu (R1= R2=1k Ω)
 4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp
Dùng mạch bù đầu tự do sử
dụng Pt-100 với dòng cho
phép 5mA biết nhiệt độ đầu
tự do thay đổi từ 30- 100oC.
Đo nhiệt độ bằng cặp
nhiệt ngẫu loại K
(độ nhạy:40.6 µ V/oC)
khoảng đo từ 600-1200oC

Ub(t’0): I. T. 30 ÷ I. T. 100 R0 = R3 = 100 Ω

E (t) = KTt : KT.600 ÷ KT.1200 R1= R2=1k Ω
Với KT = 40.6 µ V/oC
Lưu ý: T = Ro.α Ω/0C:độ nhạy của nhiệt điện trở

-Điện áp ra của cầu sẽ có giá trị là :

Ub(t’0) + E (t)
4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp
t0
Ảnh hưởng của điện trở
Rd
mạch đo: 2 3 t0
Rkd RV
t1 t1
 R  Rt  Rd  RV A
RP

 RV B
Vm  E AB (t, t 0 ) Rt
Rt  Rd  R V
Khi Rv >> Rt+Rd, ta có: 1
t
Vm  E AB ( t, t 0 )
Rv = Rkd + RP để tăng
Rv thường chọn RP>>Rkd để giảm ảnh hưởng của Rkd. Rt
ít ảnh hưởng
4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp
b) Sơ đồ mạch đo xung đối
E
Sơ đồ 1: Nguyên lý hoạt động:
Rđc
E X  I C R AB  I P ( R d  R x  R G ) iC A B i0
E X  (I 0  I P )R AB  I P (R d  R x  R G ) RG G
R iP
EX Rd
E X  I 0 R AB
IP  khi
0 - +
R AB  Rd  R X  RG
Rx
EX = I0RAB
Khi đo điều chỉnh con chạy của R t

sao cho IP = 0  l
E X  I 0 .RAB  I 0 R
L
Cố định I0  Ex = F(l) tức là phụ thuộc vào vị trí
con chạy của biến trở R.
4.3. Mạch đo và dụng cụ thứ cấp

Sơ đồ 2:
 Trước khi đo điều chỉnh I0: E

đóng PK, điều chỉnh Rđc RM

Rđc
A B
để (G) chỉ không. R
G
Khi đo đóng PD, điều EM
P
chỉnh R để (G) chỉ không. EX

K D

l
E X  I 0 .RAB  I0 R
L
5. Đo nhiệt độ bằng điốt và transistor
5. Đo nhiệt độ bằng điốt và transistor
5. Đo nhiệt độ bằng LM335
 5. Đo nhiệt độ bằng LM335

LM335: 10mV/10K.
V1 = 2,73V + 0,01T0C
V3 = (V2 – V1 ) = 4,7 (V2 – V1).
V3 = 0,01T0C x 4,7V
Chỉnh biến trở sao cho V4 = V5 = 0,01T0C x 4.
Vậy giả sử ở 250C thì điện áp vào ADC sẽ là: 0,01 x 25 x 4 = 1V.
ở 100 0C thì điện áp vào ADC sẽ là: 0,01 x 100 x 4 = 4V
 BÀI TẬP
Một diode được dùng làm cảm biến đo nhiệt độ có độ
nhạy 2,1[mV/oK]. Điện áp trên diode là bao nhiêu khi
nhiệt độ là 27oC.

a) 56,7mV.
b) 6,3mV.
c) 0,63V.
d) 567mV.

U = 2,1 T(oK) (mV)= 2,1 (t + 273)(oC) (mV)

5. Đo nhiệt độ bằng LM35
5. Đo nhiệt độ bằng LM35

BÀI TẬP:
Cho cảm biến nhiệt LM 35 biết độ nhạy 10mV/oC.
Nếu đo nhiệt độ trong dải + 2oC ÷ + 150oC
Thì điện áp ra trên cảm biến bằng bao nhiêu ?
5. Đo nhiệt độ bằng LM34
F = 1,8T – 459,67
F = t(9/5) + 32 = 1,8t +32
En En
UR UR
LM34 LM34
R

a b
-En
- Từ -50 đến 3000F (- 45,6 đến 145,90C) Mạch đo sử dụng LM34
- Độ nhạy: ε = 10mV/0 F
- R = -E/50μA
U = 10.n (mV)
Với n - giá trị nhiệt độ tính theo pharenhait (n0F).
5. Đo nhiệt độ bằng LM35

BÀI TẬP:
Cho cảm biến nhiệt LM 35 biết độ nhạy 10mV/oC.
Nếu đo nhiệt độ trong dải + 2oC ÷ + 150oC
Thì điện áp ra trên cảm biến bằng bao nhiêu ?
5. Đo nhiệt độ bằng DS18B20
5. Đo nhiệt độ bằng DS18B20
5. Đo nhiệt độ bằng AD590 (AD592)
AD590 là từ -55 đến 1500C
AD592 là từ -25 đến 1050C
I = T(μA) = 273 + t (μA)
Độ nhạy của cảm biến là 1μA/0K

Mạch đo sử dụng AD590

 6. Hoả kế

6.1. Hoả kế bức xạ toàn phần:

a) Nguyên lý chế tạo: dựa trên định luật Kiêc-
khôp: E  T 4 ( là hệ số bức xạ)
b) Cấu tạo và nguyên lý hoạt động:
4 3
1 2 4
1

5 5
a) Loại có ống kính hội tụ b) Loại có kính phản xạ

1) Nguồn bức xạ 2) Thấu kính hội tụ 3) Gương phản xạ

4) Bộ phận thu năng lượng 5) Dụng cụ đo thứ cấp
 6.1. Hoả kế bức xạ toàn phần

Đặc điểm:
Đo không tiếp xúc  giảm nhẹ điều kiện lao động.
Đo được nhiệt độ cao >1000oC, sai số ±27oC.
Loại hội tụ tổn thất năng lượng lớn (30 - 40%) nhưng
ít chịu ảnh hưởng của bụi và ẩm.
Loại phản xạ tổn thất năng lượng bé (~ 10%) nhưng
chịu ảnh hưởng lớn của bụi và ẩm.
 6.1. Hoả kế bức xạ toàn phần

Điều kiện đo:

Vật đo phải có độ đen xấp xỉ bằng 1. T 1
2
 Tỉ lệ D/L không nhỏ hơn 1/16. Khoảng
3
cách đo tốt nhất là 1  0,2 mét.
Nhiệt độ môi trường 20  2oC.
Hiệu chỉnh kết quả đo khi  <1: Tđh

Tđo  Tđh  T
 6.2. Hoả kế quang
a) Nguyên lý đo: dựa trên định luật Plank

C1 IT - cường độ bức xạ đơn sắc ứng với

I T  bước sóng  ở nhiệt độ T(k).
 C2
 R: hằng số khí lý tưởng.
 e  1
5  RT
C1, C2 : Hằng số.
 
 
IT
T1  Hai vật có độ sáng ứng
T2 với một bước sóng nhất
T3 định bằng nhau thì có
0,65m  nhiệt độ bằng nhau.
Sự phụ thuộc của I vào  và T
 6.2. Hoả kế quang

b) Cấu tạo và nguyên lý làm việc:

4
1 3 5 6 7
2 8

mA Rb

1. Nguồn bức xạ 5. Bóng đèn mẫu

2. Vật kính 6. Vách ngăn
3. Kính lọc 7. Kính lọc ánh sáng đỏ
4. Vách ngăn 8. Thị kính
 6.2. Hoả kế quang

 Khi đo hướng ống kính về phía vật đo và

đóng khóa (K) cấp điện nung dây tóc bóng
đèn mẫu. Điều chỉnh biến trở Rb để điều chỉnh
nhiệt độ dây tóc cho đến khi độ sáng của dây
tóc bóng đèn bằng độ sáng của vật.

Tdây < Tvật

Tdây = Tvật Tdây > Tvật
 6.2. Hoả kế quang

Tdây < Tvật Tdây > Tvật Tdây = Tvật

NHÌN BẰNG MẮT THƯỜNG VÀ SO SÁNH

6.2. Hoả kế quang

c) Đặc điểm:
Đo không tiếp xúc.
Đo nhiệt độ cao (> 1.000oC)
Kết quả đo phụ thuộc vào khả năng nhận xét màu.
Ảnh hưởng của khoảng cách đo nhỏ.
Khi  <1  sai số, công thức hiệu chỉnh:

Tđo  Tđh  T