MỤC LỤC

LỜI NÓI ĐẦU ............................................................................................................................... 2

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỆT ĐỘ ............................. 3
1.1 Đo nhiệt độ bằng phương pháp tiếp xúc ...................................................................... 3
1.1.1 Đo nhiệt độ bằng nhiệt điện trở ............................................................................. 3
1.1.2 Đo nhiệt độ bằng cặp nhiệt ngẫu ........................................................................... 7
1.1.3 Bán dẫn .................................................................................................................. 10
1.2 Đo nhiệt độ bằng phương pháp không tiếp xúc......................................................... 11
1.2.1 Đo bằng hồng ngoại .............................................................................................. 11
1.2.2 Hỏa quang kế ......................................................................................................... 12
CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN, LỰA CHỌN VÀ THIẾT KẾ MẠCH ĐO ................................ 16
2.1. Sơ đồ khốii hệ thống ..................................................................................................... 16
2.2. Lựa chọn linh kiện........................................................................................................ 16
2.2.1 Pt-100 2 dây ........................................................................................................... 16
2.2.2 Vi điều khiển 8051................................................................................................. 20
2.2.3 ADC 0804 ............................................................................................................... 24
2.2.4 LCD 1602 ............................................................................................................... 25
2.3 Tính toán và thiết kế mạch đo ..................................................................................... 27
2.3.1 Mạch tạo nguồn dòng LM334 .............................................................................. 27
2.3.2. Mạch khuếch đại đo lường ................................................................................... 29
2.4 Mạch nguyên lý chung ................................................................................................. 30
CHƯƠNG 3: LẬP TRÌNH VÀ KẾT QUẢ ............................................................................... 39
3.1 Lưu đồ thuật toán ......................................................................................................... 39
3.2 Kết quả………………………………………………………………………………...43
KẾT LUẬN ...................................................................................Error! Bookmark not defined.
TÀI LIỆU THAM KHẢO .......................................................................................................... 42

1
 LỜI NÓI ĐẦU
Trước sự phát triển của công nghệ hiện đại hóa như ngày nay thì việc chế
tạo các thiết bị đo lường đang được chú trọng và phát triển. Một trong những thiết
bị đo thông dụng là thiết bị đo nhiệt độ với sự cần thiết cho các thiết bị giám sát và
điều khiển. Thông qua đồ án 1, chúng em chọn đề tài để báo cáo là “Đo nhiệt độ
sử dụng nhiệt điện trở Pt-100 dải đo 0-120 độ, ngưỡng nhạy 1 độ”
Đồ án 1 gồm có 3 chương:
 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐO NHIỆT
ĐỘ
 CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN, LỰA CHỌN VÀ THIẾT KẾ MẠCH ĐO
 CHƯƠNG 3: LẬP TRÌNH VÀ KẾT QUẢ
Phần chi tiết của từng chương em xin trình bày dưới đây.

2
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ CÁC PHƯƠNG PHÁP ĐO
NHIỆT ĐỘ
1.1 Đo nhiệt độ bằng phương pháp tiếp xúc
1.1.1 Đo nhiệt độ bằng nhiệt điện trở
a. Nguyên lý hoạt động:
Do điện trở của một số kim loại thay đổi theo nhiệt độ nên dựa vào sự thay
đổi điện trở đó người ta đo được giá trị của nhiệt độ cần đo.
Trong công nghiệp nhiệt điện trở được chia thành nhiệt điện trở kim loại và
nhiệt điện trở bán dẫn.
 Nhiệt điện trở kim loại
Nhiệt điện trở kim loại (nhiệt kế điện trở) thường được sử dụng trong công
nghiệp. Quan hệ giữa nhiệt điện trở của nó và nhiệt độ gần như là tuyến tính. Nhiệt
điện trở kim loại thường có dạng dây kim loại hoặc màng mỏng kim loại có điện
trở suất thay đổi theo nhiệt độ. Thường được chế tạo từ đồng, platin và niken.
 Nhiệt điện trở Platin: Platin có thể chịu được nhiệt độ đến 12000C mà
không bị oxy hóa hoặc nóng chảy. Phương trình đặc trưng có thể viết
dưới dạng:
- RT=Ro(1+At+Bt2) với nhiệt độ từ 0÷600oC
- RT=Ro[(1+At+Bt2+C(t-100)3] với nhiệt độ từ -180÷0oC
Trong đó A,B,C là các hằng số, Ro là điện trở ở 0oC.
Nhược điểm: có đặc tính phi tuyến, không dùng trong môi trường oxy hóa
khử, nhưng có độ bền hóa học cao, tính dẻo lớn, có thể chế tạo thành sợi
mỏng nên được sử dụng rộng rãi.
 Nhiệt điện trở Đồng: Dải nhiệt độ làm việc của nhiệt điện trở đồng
trong khoảng từ -50oC÷180oC. Phương trình đặc trưng của nó được
biểu diễn dưới dạng: RT=Ro (1+αt) trong đó:
- α = 4,3.10-3 (1/oC) là hệ số nhiệt độ của nhiệt điện trở

3
 - Ro là điện trở ở 0oC
 Nhiệt điện trở Niken: Niken có thể sử dụng đến nhiệt độ 250÷300oC.
Trong khoảng tử 0÷100oC, α=5.10-3 (1/oC). Tính chất điện của Niken
phụ thuộc nhiều vào tạp chất và quá trình nhiệt luyện. Ưu điểm của
Niken là điện trở suất cao, hệ số nhiệt lớn cho phép chế tạo được các
chuyển đổi có kích thước nhỏ.
Để sử dụng cho mục đích công nghiệp các nhiệt điện trở có vỏ bọc tốt,
chống được va chạm và rung mạnh…

Hình 1.1 Hình ảnh của nhiệt điện trở kim loại trong thực tế
 Nhiệt điện trở bán dẫn:
 Nhiệt điện trở bán dẫn được chế tạo từ hỗn hợp nhiều oxit kim loại khác
nhau (ví dụ như: MnO, NiO, CoO…). Quan hệ giữa nhiệt điện trở và
nhiệt độ được đặc trưng bởi biểu thức:
RT = A.eβ/T
Trong đó A: Hằng số chất phụ thuộc vào tính chất vật lý của chất bấn dẫn,
kích thước và hình dạng của vật.

4
 β: Hằng số chất phụ thuộc vào tính chất vật lý của chất bán dẫn.
T: Nhiệt độ tuyệt đối.
 Phân loại:
- Hệ số nhiệt dương PTC-điện trở tăng theo nhiệt độ
- Hệ số nhiệt âm NTC- điện trở giảm theo nhiệt độ
 Cấu tạo:

Hình 1.2 Cấu tạo nhiệt điện trở bán dẫn

 Ưu điểm: bền, rẻ tiền, dễ chế tạo.
 Nhược điểm: có hệ số phi tuyến giữa điện trở với nhiệt độ. Điều này
gây khó khăn cho việc khắc độ. Do đó người ta ít dùng làm cảm biến
đo nhiệt.
b. Một số mạch đo cho nhiệt điện trở
 Mạch đo sử dụng nguồn dòng:

5
 Hình 1.3 Mạch đo sử dụng nguồn dòng
Trong đó: Ura= I. RRT. (R2/R1)
 Mạch đo dạng mạch cầu

Hình1.4. Mạch đo dạng mạch cầu

6
 1.1.2 Đo nhiệt độ bằng cặp nhiệt ngẫu
a. Cấu tạo

Hình 1.5. Cấu tạo đầu đo của cặp nhiệt ngẫu

Đầu đo của cặp nhiệt ngẫu gồm 2 kim loại khác nhau được hàn chung với
nhau. Một đầu gọi là đầu nóng. Hai đầu còn lại không được hàn với nhau được
gọi là đầu lạnh(đầu tự do)
b. Nguyên lý làm việc
Khi có chênh lệch nhiệt độ giữa đầu nóng và lạnh của cặp nhiệt thì ở ngõ ra
của cặp nhiệt sẽ xuất hiện sức điện động phụ thuộc vào sự chênh lệch nhiệt độ và
bản chất của vật liệu dùng để chế tạo cảm biến.
Xét một cặp nhiệt điện được chế tạo từ 2 kim loại A và B như hình vẽ:

e= K. (T1-T2) = K.∆T
Trong đó K là độ nhạy của cặp nhiệt(µV/oC)

7
 Hình1.6. Cấu tạo của cặp nhiệt ngẫu
 Một số loại cặp nhiệt ngẫu thường dùng:

 Hệ số K của một số cặp nhiệt:

8
c. Mạch bù nhiệt độ đầu tự do:
- Dùng nước đá

Hình 1.7 Mạch bù nhiệt độ đầu tự do dùng nước đá ở 0oC

9
 Phương pháp này ít được dùng vì khó duy trì nhiệt độ lúc nào cũng là 0oC

- Dùng cầu bù:

Hình 1.8 Mạch dung cầu bù

Phương pháp này được dùng phổ biến hơn bằng cách điều chỉnh giá trị biến trở
hợp lý thì sức điện động ra sẽ không phụ thuộc vào nhiệt độ đầu tự do chỉ phụ
thuộc nhiệt độ đầu đo theo 1 hệ số tỉ lệ.
1.1.3 Bán dẫn
 Cấu tạo: được chế tạo từ những chất bán dẫn. Có các loại như diode,
transistor, IC
 Nguyên lý: dựa trên mức độ phân cực của các lớp P-N tuyến tính với nhiệt
độ môi trường.
 Ưu điểm: Rẻ tiền, dễ chế tạo, độ nhạy cao, chống nhiễu tốt, mạch xử lý đơn
giản.
 Nhược điểm: Do được chế tạo từ các thành phần bán dẫn nên cảm biến kém
bền, không chịu được nhiệt độ cao, độ ẩm, va đập, hóa chất có tính ăn mòn.
Cảm biến chỉ tuyến tính trong một khoảng nào đó, ngoài khoảng này cảm
biến sẽ mất tác dụng.

10
Một số loại IC phổ biến:

1.2 Đo nhiệt độ bằng phương pháp không tiếp xúc

Phương pháp này được sử dụng khi đo nhiệt độ bề mặt của vật ở xa, cao, khó
tiếp cận, trong môi trường khắc nghiệt(đường ống trên cao, nhệt độ khu vực quá
nóng và nguy hiểm đến tính mạng).
Có 2 phương pháp chính: Đo bằng hồng ngoại và hỏa quang kế
1.2.1 Đo bằng hồng ngoại
 Nhiệt kế hồng ngoại (IRT) cơ bản bao gồm 4 thành phần :
 Ống dẫn sóng: để thu năng lượng phát ra từ bia (target)
 Cảm biến hỏa nhiệt kế: có tác dụng chuyển đổi năng lượng sáng tín hiệu điện.
 Bộ điều chỉnh độ nhạy: để phối hợp phép đo của thiết bị hồng ngoại với chỉ số
bức xạ của vật thể được đo.
 Mạch cảm biến bù nhiệt: đảm bảo sự thay đổi nhiệt độ phía bên trong thiết bị
 Công nghệ hồng ngoại sử dụng bước sóng từ 0.7µm-14µm. Các bước sóng
cao hơn thì năng lượng quá thấp, cảm biến hồng ngoại không thể nhận ra
được
 Bất kể một vật nào trên -273oC đều phát ra bức xạ điện tử, theo định luật
Flanck:
ε = h.f = h.1/T = h.1/(c.λ)
Trong đó: ε : là mức năng lượng
h: là hằng số Flanck
f: tần số
c: vận tốc ánh sáng
λ: bước sóng
 Cảm biến hồng ngoại sẽ đo mức năng lượng của vật, từ đó tính ra nhiệt độ.

11
 Hình 1.9. Hình ảnh về thiết bị đo nhiệt độ bằng cảm biến hồng ngoại

1.2.2 Hỏa quang kế

Trong công nghiệp khi nhiệt độ cao (trên 1600oC) thì ta dùng hỏa quang kế.
Hỏa quang kế chia làm 3 loại:
 Hỏa quang kế bức xạ:
- Nguyên lý: Năng lượng bức xạ toàn phần của một vật đen tuyệt đối
tỉ lệ với lũy thừa bậc 4 nhiệt độ của vật:
Ebx=σ.T4
Ebx: Năng lượng bức xạ
σ: hệ số phát xạ tuyệt đối
Năng lượng bức xạ này sẽ làm nóng một tổ hợp cặp nhiệt trong
hỏa quang kế và phát sinh ra sức điện động nhiệt điện.
- Thông thường có 2 loại: hỏa kế bức xạ có ống kính hội tụ, hỏa kế
bức xạ có kính phản xạ:

Hình 1.10. Cấu tạo hỏa quang kế bức xạ:

a) Loại có ống kính hội tụ
b) Loại có kính phản xạ
Trong đó:
+ 1: là nguồn bức xạ
+ 2: thấu kính hội tụ
+ 3: gương phản xạ
+ 4: bộ phân thu năng lượng
12
+ 5: dụng cụ đo thứ cấp
- Hoạt động:
 Trong hình 7a), ánh sáng từ nguồn bức xạ (1), qua thấu kính
hội tụ (2) đập tới bộ phận thu năng lượng bức xạ (4), bộ
phận này được nối với dụng cụ đo thứ cấp.
 Trong hình 7b), ánh sáng từ nguồn bức xạ (1), đập tới gương
phản xạ (3) và hội tụ tới bộ phận thu năng lượng bức xạ (4),
bộ phận này được nối với dụng cụ đo thứ cấp.

Hình 1.11 Hỏa quang kế bức xạ

 Hỏa quang kế quang học: hỏa kế quang học được chế tạo dựa trên
định luật Plăng
- Nguyên lý: so sánh cường độ sáng của vật cần đo và độ sang của
một đèn mẫu ở trong cùng một bước sóng nhất định và theo cùng
một hướng. Khi độ sang của chúng bằng nhau thì nhiệt độ của
chúng bằng nhau( người ta thường cố định bước song 0.65µm)

13
 Hình 1.12 Sự phụ thuộc của cường độ ánh sáng vào bước sang và nhiệt
độ

- Cấu tạo:

Hình 1.13. Cấu tạo của hỏa kế quang học

Bao gồm:
+ Một mắt kính quan sát ở bên trái và một thấu kính quang học ở bên
phải
+ Một bóng đèn tham chiếu được cấp nguồn bởi pin
+ Một biến trở để thay đổi dòng điện từ đó thay đổi cường độ sáng
+ Một màn ngăn được lắp ráp giữa thấu kính quang học và bóng đèn
tham chiếu để tăng dải nhiệt độ đo được
+ Một tấm lọc màu đỏ đặt giữa kính mắt và bóng đèn tham chiếu
giúp thu hẹp dải của bước song ánh sáng.
- Hoạt động: Bức xạ nhiệt từ nguồn phát ra và được thấu kính quang
học thu lại. Ống kính giúp tập trung bức xạ nhiệt vào bóng đèn
tham chiếu. Người theo dõi quan sát quá trình thông qua kính mắt
và điều chỉnh sao cho dây tóc bóng đèn sáng nét ở trung tâm và
dây tóc chồng lên hình ảnh nguồn nhiệt, sau đó thay đổi giá trị
dòng điện trong bóng đèn tham chiếu, dẫn đến thay đổi cường độ
sáng bóng đèn. Các trường hợp xảy ra :

14
 + Dây tóc bóng đèn sẫm màu: tức là nhiệt độ của nó thấp hơn
nguồn nhiệt.
+ Dây tóc bóng đèn sáng màu: tức là nhiệt độ của nó cao hơn
nguồn nhiệt.
+ Dây tóc biến mất: khi đó nhiệt độ của nguồn nhiệt và bóng
điện là tương đương. Khi đó giá trị dòng điện chạy trong
bóng đèn tham chiếu là thước đo nhiệt độ của ánh sáng bức
xạ trong nguồn nhiệt.
 Hỏa quang kế màu sắc:
- Cấu tạo:

Hình 1.14 Cấu tạo hỏa quang kế màu sắc

- Nguyên lý hoạt động: cường độ bức xạ từ vật đo (1) qua thấu kính
hội tụ và tập trung ánh sáng trên đĩa quay, đĩa này quay quanh trục
nhờ động cơ xoay chiều. Sau khi ánh sáng qua đĩa thì đi đến phần
tử quang điện. Trên đĩa quay có khoan một số lỗ, trong đó một nửa
đặt bộ lọc màu đỏ còn nữa kia đặt bộ lọc màu xanh. Sự chênh lệch
giữa hai dòng quang điện do các xung lượng tạo ra gây nên trong
bộ khuếch đại, một tín hiệu tỷ lệ với lôgarít tự nhiên của tỷ số hai
dòng quang điện khi tấm chắn quay.

15
 CHƯƠNG 2: TÍNH TOÁN, LỰA CHỌN VÀ THIẾT KẾ
MẠCH ĐO
2.1. Sơ đồ khổi hệ thống

Mạch
tạo Cảm KĐ đo
ADC Vi xử lý LCD
nguồn biến lường
dòng

Trong đó cảm biến sử dụng là cảm biến pt100 2 dây mắc nối tiếp với một
mạch tạo nguồn dòng 1mA. Điện áp rơi trên cảm biến được đưa vào một đầu của
bộ khuếch đại đo lường. Đầu còn lại của bộ khuếch đại nối với mạch phân áp 0.1V.
Đầu ra của bộ khuếch đại được đưa vào ADC 0804 để chuyển tín hiệu từ tương tự
sang tín hiệu số. Từ ADC tín hiệu được chuyển sang vi xử lý để tính toán và hiển
thị lên LCD.
2.2. Lựa chọn linh kiện
2.2.1 Pt-100 2 dây
 Khái quát về Pt-100
Pt (Platinum resistance thermometers) có nghĩa là nhiệt điện trở bạch kim. Vì bạch
kim có tính chất thay đổi điện trở theo nhiệt độ tốt hơn các loại kim loại khác nên
chúng được sử dụng rộng rãi trong các nhiệt điện trở. Pt-100 là một đầu dò cảm
biến nhiệt bên trong có các lõi được làm bằng bạch kim. Bên ngoài có bọc một số
lớp bảo vệ cho phần lõi bên trong nhưng vẫn truyền nhiệt tốt cho phần lõi.

 Cấu tạo của Pt-100

16
 Hình 2.1 Cấu tạo của đầu cảm biến nhiệt độ Pt-100
Cấu tạo của PT-100 không phải hoàn toàn bằng bạch kim. Việc chế tạo bằng
bạch kim là khá tốn kém cho một thiết bị đo thông dụng. Vì thế chỉ có thành phần
cảm biến nhiệt mới thật sự là bạch kim. Nhằm giảm thiều chi phí sản suất các
thành phần khác của Pt-100 có thể được làm bằng thép không gỉ, đồng, chất bán
dẫn, tấm thủy tinh siêu mỏng…

 Nguyên lý hoạt động của Pt-100

Nguyên lý hoạt động của Pt-100 đơn giản dựa trên mối quan hệ mật thiết giữa điện
trở của kim loại và nhiệt độ. Khi nhiệt độ tăng, điện trở của kim loại cũng tăng
theo quan hệ:

RT=Ro (1+αt+βt2+γ(t-100)3)
+
α=3.9083.10-3
+
β=-5,775.10-7
+
γ=-4.183.10-12
+ Ro=100Ω.
 Phân loại Pt-100
+ Pt-100 2 dây:

17
 + Pt-100 3 dây:

+ Pt-100 4 dây:

Trong đó Pt-100 4 dây có độ chính xác cao nhất vì triệt tiêu điện áp rơi trên
điện trở dây dẫn. Trong đề tài này, nhóm em sử dụng Pt-100 2 dây.
 Ưu điểm của Pt-100
 Có thể chế tạo với độ tinh khiết rất cao (99,99%) do đó tăng độ chính xác
của các tính chất điện.
 Có tính trơ về mặt hoá học và tính ổn định cấu trúc tinh thể cao do đó đảm
bảo tính ổn định cao về các đặc tính dẫn điện trong quá trình sử dụng.
 Hệ số nhiệt điện trở ở 0ºC bằng 3,9.10-3/ ºC.
 Điện trở ở 100ºC lớn gấp 1,385 lần so với ở 0ºC.
18
 Dải nhiệt độ làm việc khá rộng từ -200ºC ÷ 1000ºC.
 Có quan hệ điện trở và nhiệt độ gần như tuyến tính và hệ số tăng nhiệt độ
của điện trở đủ lớn để cho việc lấy kết quả đo dễ dàng.

Hình 2.2 Đặc tính của điện trở Pt-100 so với Ni-100

19
2.2.2 Vi điều khiển 8051
 Cấu tạo
MCS-51 là họ IC vi điều khiển do hãng Intel sản xuất. Các IC tiêu biểu cho họ là
8031, 8051, 8951... Những đặc điểm chính và nguyên tắt hoạt động của các bộ vi
điều khiển này khác nhau không nhiều. Các đặc điểm của 8051 được tóm tắt như
sau :

- 4 KB ROM nội
- 128 Byte RAM on-chip
- 4 Port xuất /nhập I/O 8 bit
- Truyền thông nối tiếp UART
- 64 KB vùng nhớ dữ liệu ngoại
- Có thực hiện lệnh trên từng bit
- Nhân chia trong 4µs
- 2 bộ định thời 16 bit

Hình 2.3 Sơ đồ khối 8051

 Đặc điểm cấu trúc

20
 Hình 2.4 Sơ đồ các chân 8051

Chức năng của các chân được tóm tắt như sau:
- Từ chân 1 8 Port 1 (P1.0…P1.7) dùng làm Port xuất nhập I/O để
giao tiếp bên ngoài.
- Chân 9 (RST) là chân để RESET cho 8051. Bình thường các chân này
ở mức thấp. Khi ta đưa tín hiệu này lên cao (tối thiểu 2 chu kỳ máy).
Thì những thanh ghi nội của 8051 được nạp những giá trị khởi tạo ban
đầu để khởi động lại hệ thống.
- Từ chân 1017 là Port3 (P3.0, P3.1, . . ., P3.7) có hai mục đích : dùng
là Port xuất/nhập (I/O) hoặc mỗi chân giữ một chức năng riêng như
sau:
+ P3.0 (RXD): Nhận dữ liệu từ Port nối tiếp.
+ P3.1 (TXD): Truyền dữ liệu từ Port nối tiếp.
+ P3.2 (INT0): Ngắt ngoài 0
+ P3.3 (INT1): Ngắt ngoài 1
+ P3.4 (T0): Timer/Counter 0
+ P3.5 (T1): Timer/Counter 1
+ P3.6 (WR): Tín hiệu Strobe ghi dữ liệu lên bộ nhớ bên ngoài.
+ P3.7 (RD): Tín hiệu Strobe đọc dữ liệu lên bộ nhớ bên ngoài.

21
 - Các chân 18, 19 (XTAL2 và XTAL1) được nối với bộ dao động thạch
anh 12 MHz để tạo dao động trên CHIP.
- Chân 20 (Vss) nối đất (Vss = 0).
- Từ chân 2128 là Port 2 (P2.0, P2.1, . . ., P2.7) có hai mục đích: làm
Port xuất/nhập (I/O) hoặc dùng làm byte cao của bus địa chỉ khi ta
muốn dùng EPROM và RAM ngoài.
- Chân 29 (PSEN) dùng để ghép nối tiếp với bộ nhớ ngoài nhằm để đọc
chương trình từ bộ nhớ ngoài.
- Chân 30 (ALE: Address Latch Enable) là tín hiệu điều khiển xuất ra
của 8051, nó cho phép phân kênh bus địa chỉ và bus dữ liệu của Port
0.
- Chân 31 (EA) cho phép truy nhập bố nhớ trong hay ngoài
Đối với 8051 thì :
+ EA = 5V : Chọn ROM nội.
+ EA = 0V : Chọn ROM ngoại.
+ EA = 21V : Lập trình EPROM nội.
- Các chân từ 32 đến 39 là Port 0 (P0.0, P0.1, . . . , P0.7) dùng cả hai
mục đích: Vừa làm byte thấp cho bus địa chỉ, vừa làm bus dữ liệu.
- Chân 40 (Vcc) được nối lên nguồn 5V.
 Tổ chức bộ nhớ

Hình 2.5 Tổ chức bộ nhớ 8051

 RAM on-chip bao gồm:

22
 Vùng RAM đa mục đích: có 80 byte từ địa chỉ 30H7FH. Bất
kỳ vị trí nào trong RAM mục đích chung cũng có thể được truy
xuất tự do bằng cách sử dụng các kiểu định địa chỉ trực tiếp hay
gián tiếp.
 Vùng RAM định địa chỉ bit: 8051 chứa 210 vị trí có thể định vị
bit, trong đó có 128 bit nằm ở các địa chỉ từ 20H2FH và phần
còn lại là các thanh ghi chức năng đặc biệt.
 Các dãy thanh ghi (Register Banks): 32 vị trí nhớ cuối cùng của
bộ nhớ từ địa chỉ byte 00H1FH chức các dãy thanh ghi. Tập
hợp các lệnh của 8051 cung cấp 8 thanh ghi từ R0R7 ở địa chỉ
00H07H nếu máy tính mặc nhiên chọn để thực thi. Những
lệnh tương đương dùng sự định vị trực tiếp. Những giá trị dữ
liệu được dùng thường xuyên chắc chắn sẽ sử dụng một trong
các thanh ghi này.
 Các thanh ghi chức năng đặc biệt:
+ Thanh ghi từ trạng thái chương trình PSW: địa chỉ D0H
+ Thanh ghi B: địa chỉ F0H, dùng chung vơi thanh ghi A
trong các phép nhân và chia.
+ Con trỏ Stack: địa chỉ 81H, chứa địa chỉ của dữ liệu hiện
đang ở đỉnh của stack.
+ Con trỏ dữ liệu DPTR: là thanh ghi 16 bit có địa chỉ 82H
và 83H, dùng truy xuất bộ nhớ chương trình hoặc bộ nhớ
dữ liệu ngoài.
+ Các thanh ghi Port: Port 0, Port 1, Port 2, Port 3.
+ Các thanh ghi định thời: 8051 có 2 bộ đếm/định thời(
counter/timer) 16 bit để định thời các khoảng thời gian
hoặc đếm sự kiện. Hoạt động của bộ định thời được thiết
lập bởi thanh ghi TMOD và TCON.
+ Các thanh ghi Port nối tiếp: bên trong 8051 có 1 port nối
tiếp để truyền thông với các thiết bị đầu cuối, moderm,
IC khác. Bộ đệm dữ liệu nối tiếp SBUFF ở địa chỉ 99H
làm nhiệm vụ ghi dữ liệu truyền đi và nhận dữ liệu truyền
về.

23
 + Các thanh ghi ngắt: 8051 có 5 nguyên nhân ngắt. Các
nguồn ngắt được cho phép bởi thanh ghi IE ở địa chỉ
A8H. Các mức ưu tiên ngắt được điều khiển bởi thanh
ghi IP ở địa chỉ B8H.
2.2.3 ADC 0804

Chip ADC0804 là bộ chuyển đổi tương tự số thuộc họ ADC800 của hãng

National Semiconductor. Chip này cũng được nhiều hãng khác sản xuất. Chip có
điện áp nuôi +5V và độ phân giải 8 bit. Ngoài độ phân giải thì thời gian chuyển đổi
cũng là một tham số quan trọng khi đánh giá bộ ADC. Thời gian chuyển đổi được
định nghĩa là thời gian mà bộ ADC cần để chuyển một đầu vào tương tự thành một
số nhị phân. Đối với ADC0804 thì thời gian chuyển đổi phụ thuộc vào tần số đồng
hồ được cấp tới chân CLK và CLK IN và không bé hơn 110µs.

Các chân chức năng:

 CS (Chip select): Chân số 1, là chân chọn chip, đầu vào tích cực mức thấp
được sử dụng để kích hoạt Chip ADC0804. Để truy cập tới ADC0804 thì
chân này phải được đặt ở mức thấp.
 RD (Read): Chân số 2, là chân nhận tín hiệu vào tích cực ở mức thấp. Các
bộ chuyển đổi của 0804 sẽ chuyển đổi đầu vào tương tự thành số nhị phân
và giữ nó ở một thanh ghi trong. Chân RD được sử dụng để cho phép đưa
dữ liệu đã được chyển đổi tới đầu ra của ADC0804. Khi CS = 0 nếu có một
xung cao xuống thấp áp đến chân RD thì dữ liệu ra dạng số 8 bit được đưa
tới các chân dữ liệu (DB0 – DB7).
 WR (Write): Chân số 3, đây là chân vào tích cực mức thấp được dùng báo
cho ADC biết để bắt đầu quá trình chuyển đổi. Nếu CS = 0 khi WR tạo ra
xung cao xuống thấp thì bộ ADC0804 bắt đầu quá trình chuyển đổi giá trị
đầu vào tương tự Vin thành số nhị phân 8 bit. Khi việc chuyển đổi hoàn tất
thì chân INTR được ADC hạ xuống thấp.
 CLK IN và CLK R: CLK IN (chân số 4), là chân vào nối tới đồng hồ
ngoài được sử dụng để tạo thời gian. Tuy nhiên ADC0804 cũng có một bộ
tạo xung đồng hồ riêng. Để dùng đồng hồ riêng thì các chân CLK IN và
CLK R (chân số 19) được nối với một tụ điện và một điện trở. Khi đó tần số
được xác định bằng biểu thức:
f = 1/(1.1*RC)
Với R = 10 kΩ, C = 150 pF ,f = 606 kHz và thời gian chuyển đổi là 110 µs.

24
  Ngắt INTR (Interupt): Chân số 5, là chân ra tích cực mức thấp. Bình
thường chân này ở trạng thái cao và khi việc chuyển đổi tương tự số hoàn
tất thì nó chuyển xuống mức thấp để báo cho CPU biết là dữ liệu chuyển
đổi sẵn sàng để lấy đi. Sau khi INTR xuống thấp, cần đặt CS = 0 và gửi một
xung cao xuống thấp tới chân RD để đưa dữ liệu ra.
 Vin (+) và Vin (-): Chân số 6 và chân số 7, đây là 2 đầu vào tương tự vi sai,
trong đó Vin = Vin(+) – Vin(-). Thông thường Vin(-) được nối tới đất và
Vin(+) được dùng làm đầu vào tương tự và sẽ được chuyển đổi về dạng số.
 Vcc: Chân số 20, là chân nguồn nuôi +5V. Chân này còn được dùng làm
điện áp tham chiếu khi đầu vào Vref/2 để hở.
 Vref/2: Chân số 9, là chân điện áp đầu vào được dùng làm điện áp tham
chiếu. Nếu chân này hở thì điện áp đầu vào tương tự cho ADC0804 nằm
trong dải 0 đến +5V. Tuy nhiên, có nhiều ứng dụng mà đầu vào tương tự áp
đến Vin khác với dải 0 đến +5V. Chân Vref/2 được dùng để thực hiện các
điện áp đầu ra khác 0 đến +5V.
 D0 – D7: chân số 18 – 11, là các chân ra dữ liệu số (D7 là bit cao nhất MSB
và D0 là bit thấp nhất LSB). Các chân này được đệm ba trạng thái và dữ
liệu đã được chuyển đổi chỉ được truy cập khi chân CS = 0 và chân RD đưa
xuống mức thấp. Để tính điện áp đầu ra ta tính theo công thức sau:
Dout = Vin / Kích thước bước.

Hình 2.6 Sơ đồ chân của ADC0804

2.2.4 LCD 1602

Trong nhưng năm gần đây, màn hình tinh thể lỏng LCD(Liquid Crystal
Display) ngày càng được sử dụng rộng rãi và đang dần thay thế cho các đèn LED
(7 đoạn và nhiều đoạn). Đó là vì các nguyên nhân sau:
 Màn hình LCD có giá thành hạ.
25
 Khả năng hiển thị số, kí tự và đồ họa tốt hơn nhiều so với đèn LED ( đèn
LED chỉ hiển thị được số và một số kí tự)
 Sử dụng them một bộ điều khiển làm tươi LCD và như vậy giải phóng CPU
khỏi công việc này. Còn đối với đèn LED luôn cần CPU ( hoặc bằng cách
nào đó) để duy trì việc hiển thị đữ liệu.
 Dễ dàng lập trình các kí tự và đồ họa.
Các chân chức năng:

26
 Hình 2.7 Hình ảnh LCD 1602

2.3 Tính toán và thiết kế mạch đo

2.3.1 Mạch tạo nguồn dòng LM334

Sử dụng LM334 để tạo nguồn dòng ổn định vào cảm biến (với dòng vào cảm biến
mong muốn là 1mA)

Hình 2.8 Sơ đồ mạch tạo nguồn dòng dùng LM334

27
Ta có: 𝐼𝑆𝐸𝑇 = 𝐼1 +𝐼2 +𝐼𝐵𝐼𝐴𝑆 ,
𝑉𝑅 𝑉𝑅 +𝑉𝐷
Trong đó : 𝐼1 = ; 𝐼2 = ;
𝑅1 𝑅2
𝑉𝑅 =67.7mV (Điện áp trên điện trở ở T=25oC)
𝑉𝐷 =0.6mV (điện áp trên diode ở T=25oC )
Ta tính được tỷ lệ điện trở R1 và R2 thông qua giá trị tempco của LM334 bao gồm
cả thành phần 𝐼𝐵𝐼𝐴𝑆 (227𝜇V/₀C) và tempco của diode (-2.5𝑚V/₀C)

𝑉𝑅 𝑉𝑅 +𝑉𝐷 67.7mV 67.7mV+0.6mV 0.134𝑉

 𝐼𝑆𝐸𝑇 = 𝐼1 +𝐼2 +𝐼𝐵𝐼𝐴𝑆 = + ≈ + ≈
𝑅1 𝑅2 𝑅1 10𝑅1 𝑅1
 Ta mong muốn 𝐼𝑆𝐸𝑇 = 1mA; Chọn 𝑅1 = 134 𝛺 ; 𝑅2 = 1.34𝑘 𝛺

Hình 2.9 LM334 ghép nối với PT100 mô phỏng qua Proteus

28
2.3.2. Mạch khuếch đại đo lường

Trong các mạch đo lường thường sử dụng bộ khuếch đại đo lường, đây là mạch
kết hợp các bộ lặp lại và các bộ khuếch đại điện áp.
Mạch khuếch đại đo lường gồm 2 tầng:
 Tầng 1: Hai bộ lắp lại dùng khuếch đại thuật toán. Với hệ số:
𝑅1 + 𝑅3
𝐾1 = 1 +
𝑅2
 Tầng 2: Khuếch đại vi sai với hệ số:

𝑅5
𝐾2 =
𝑅4
 Hệ số khuếch đại cả mạch:
𝑅5 𝑅1 +𝑅3
K = 𝐾1 . 𝐾2 = .( 1+ )
𝑅4 𝑅2

Hình 2.10 Mạch khuếch đại đo lường

Do sử dụng ADC0804 là ADC 8 bit, điện áp vào ADC là 0-5V, mã nhị phân mà
ADC đã chuyển đổi thành có giá trị là 0-255 trong hệ cơ số 10, mà nhiệt độ cần đo
120
là từ 0 đến 120°C nên ta có cần khuếch đại 𝑉𝑣à𝑜 sao cho khi t = 120°C, 𝑉𝑟𝑎 = ∗
255
5 = 2.35(V). Ta có điện trở PT100 tại 120°C là 146.8 𝛺
Suy ra hệ số mạch khuếch đại là:
2.35
K= = 50.27
146.8∗0.001−0.1
𝑅5 𝑅1 +𝑅3
 K = 𝐾1 . 𝐾2 = .( 1+ ) = 50.27
𝑅4 𝑅2

29
Ta chọn : 𝑅1 = 𝑅3 = 10𝑘 𝛺 ; 𝑅5 = 33𝑘 𝛺 ; 𝑅4 = 10𝑘𝛺 ;
𝑅2 = 1.4𝑘𝛺 ( 𝑠ử 𝑑ụ𝑛𝑔 𝑏𝑖ế𝑛 𝑡𝑟ở 10𝑘𝛺)

Hình 2.11 Mạch khuếch đại đo lường mô phỏng qua Proteus

2.4 Mạch nguyên lý chung

Hình 2.12 Mạch nguyên lý tạo nguồn đôi +-5V

30
Hình 2.13 Mạch nguyên lý chung mô phỏng qua Proteus

31
 CHƯƠNG 3: LẬP TRÌNH VÀ KẾT QUẢ

3.1 Lưu đồ thuật toán

Cấu hình chung:

Kết nối 8051 với LCD1602
Lưu đồ đọc dữ liệu từ
 LCD_RS=P1^0 ADC
 LCD_EN=P1^1
 LCD_data P0
Start
Kết nối 8051 với ADC0804
 ADC_CS=P1^4
 ADC_RD=P1^5
 ADC_WR=P1^6
 ADC_INTR=P1^7
- ADC_WR = 0
 ADC_DATA P2 - Trễ 1 ms
- ADC_WR =1
(Tạo sườn lên tại pin WR để bắt đầu
quá trình chuyển đổi)

Lưu đồ tạo trễ n ms

Start
While
(ADC_INTR==0)
Int x = 0

Đ
S
End x<n
- ADC_DATA = P1 (Nạp dữ liệu từ
Đ PORT 1)
Int y = 0 x ++ ADC_RD = 0 (Thông báo đọc xong dữ
liệu)
S
y < 123

Lưu đồ hàm trễ ms:

Đ

y ++
End

39
 Lưu đồ ghi lệnh trên Lưu đồ ghi dữ liệu trên Lưu đồ ghi kí tự theo
LCD LCD hàng và cột trên LCD

Start Start Start

- LCD_RS = 0 (Chọn thanh ghi lệnh) - LCD_RS = 1 (Chọn thanh ghi dữ

- LCD_DATA = cmd (Nạp mã lệnh liệu) - Ghi lệnh đưa con trỏ đến vị trí cần
vào P2) - LCD_DATA = data (nạp dữ liệu vào xuất kí tự
- LCD_EN = 0 => LCD_EN = 1 P2) - Ghi dữ liệu (kí tự) vào vị trí con trỏ
(tạo sườn lên để nạp lệnh vào LCD) - LCD_EN = 0 => LCD_EN = 1 trỏ đến
(tạo sườn lên để nạp dữ liệu vào LCD)
- Trễ 1 ms

End
End End

Lưu đồ ghi chuỗi kí tự Lưu đồ ghi chuỗi kí tự

theo hàng và cột trên trên LCD
LCD
Start
Start

Char i = 0

- Ghi lệnh đưa con trỏ đến vị trí cần

xuất kí tự S
- Ghi chuỗi kí tự vào vị trí con trỏ trỏ End While (Str[i] !=0) i ++
đến
Đ

- Ghi dữ liệu (kí tự) vào vị trí con trỏ

trỏ đến
End

40
 Chương trình chính

Start

Khởi tạo LCD:

- LCD_CMD(0x01);
- LCD_CMD(0x0C);
Hàm ghi chuỗi kí tự lên LCD:
- LCD_String_Rand(1,1,"BTL VXL ")
S- LCD_String_Rand(2,1,"Nhiet do:");

While (1)

Hàm đọc dữ liệu từ ADC

Hàm tính toán hiển thị LCD

41
 TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. Nguyễn Thị Huế, “Slide Kỹ thuật đo lường”.
2. Nguyễn Tăng Cường, Phan Quốc Thắng, “Cấu trúc và lập trình họ vi điều khiển 8051,
Nhà xuất bản khoa học và kỹ thuật”.
3. Phạm Thương Hàn, Nguyễn Trọng Quế, Nguyễn Văn Hoa, “Kĩ thuật đo lường các đại
lượng vật lý “, tập 1, NXB Giáo dục
4. http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=Lm324
5. http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=Lm334
6. http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=Adc0804

42