MỤC LỤC

Lời nói đầu: ……………………………………………………………………

Chương I:Băm xung một chiều ...................

1: Các đặc điểm chung .....................
1.1. : Nguyên lý chung của băm xung 1 chiều................
1.2:các van bán dẫn công suất trong băm xung một chiều.....
1.2.1: các tham số của transistor………………..
1.2.2 các bước tính toán lựa chọn.....................
1.2.3 :Bipolar transistor..............................
1.2.4 :Mosfet...........................................
1.2.5 :Qúa trình chuyển mạch của transistor..................
1.3.1 : BXMC nối tiếp.......................... .
1.3.2 : Tính toán............................
1.3.3 :các chế độ dòng điện của BXMC.......................
1.3.4:tính toán các trị số điện cảm và điện dung..............
1.4.1 :băm xung 1 chiều song song.........................
1.4.2: băm xung 1 chiều nối tiếp – song song.............
2. : Điều khiển băm xung một chiều……………………..
2.1 : cấu trúc điều khiển …………………………………………
2.2 : Mạch đệm bảo vệ transistor……………………………
3.: Băm xung 1 chiều có đao chiều………………………………….
3.1.1 : Băn xung 1 chiều đảo chiều dung phương pháp điều khiển
riêng………………………………………….
3.1.2: Băm xung 1 chiều dung phương pháp điều khiển đối xứng
………………………………….
3.1.3: Băm xung 1 chiều dung phương pháp điều khiển không đối
xứng ………………………………….
4.1 : một số thí dụ băm xung một chiều ……………………..
4.1.1: thí dụ băm xung 1 chiều đảo chiều ………………….
 LỜI NÓI ĐẦU

Ngày nay cùng với sự phát triển mạnh mẽ các ứng dụng của
khoa học kỹ thuật trong công nghiệp, đặc biệt là trong công nghiệp
điện tử thì các thiết bị đện tử có công suất lớn cũng được chế tạo ngày
càng nhiều. Và đặc biệt các ứng dụng của nó vào các ngành kinh tế
quốc dân và đời sống hàng ngày đã và đang được phát triển hết sức
mạnh mẽ. Tuy nhiên, để đáp ứng nhu cầu ngày càng nhiều và phức tạp
của công nghiệp thì các ngành điện tử công suất luôn phải nghiên cứu
và tìm ra giải pháp tối ưu nhất. Đặc biệt với chủ trương CNH- HĐH
của nhà nước, các nhà máy, xí nghiệp cần phải thay đổi, nâng cao để
đưa công nghệ tự động điều khiển vào trong sản xuất. Do đó đòi hỏi
phải có thiết bị và phương pháp điều khiển an toàn chính xác. Đó là
nhiệm vụ của ngành điện tử công suất cần phải giải quyết. Để giải
quyết vấn đề này thì nước ta cần phải đội ngũ thiết kế đông đảo và tài
năng.Do đó bài tập lớn điện tử công suất là một bài kiểm tra khảo sát
kiến thức tổng hợp của mỗi sinh viên và là điều kiện cho sinh viên
ngành Điện- Điện tử tìm hiểu và nghiên cứu kiến thức về điện tử công
suất …do chưa có nhiều kinh nghiệm thực tế lên khi làm bài tập lớn
cần có sự hướng dẫn nhiệt tình của giảng viên và các bạn trong lớp
giúp em hòan thành bài tập lớn này . Qua bài tập lớn này giúp em hiểu
thêm rất nhiều kiến thức về bộ môn này. Em xin cân thành cảm ơn!
 Chương I
BĂM XUNG MỘT CHIỀU

1.1 ĐẶC ĐIỂM CHUNG

Băm xung một chiều (BXMC) là thiết bị dùng để thay đồi điện áp một chiều ra tải từ một nguồn
điện áp một chiều cố định. BXMC được ứng dụng đề điều chỉnh tốc độ động cơ điện một chiều, tạo
nguồn ồn áp dải rộng, v.v...
1.2 NGUYÊN LÝ CHUNG CỦA BĂM XUNG MỘT CHIÈU

Nguyên lý cơ bàn của băm xưng một chiều được mô tả trên hình 3.1. Giữa nguồn một chiều E và
tải Rt là van Tr làm việc như một khoá điện tử, hoạt động của BXMC là cho van đóng cắt theo chu kỳ
với quỉ luật:
• Trong khoảng thời gian 0 - to cho van dẫn (khóa Tr đóng mạch), điện áp trên tải ut sẽ có giá trị
bằng điện áp nguồn ut = E;
• Từ to đến T, van Tr không dẫn (mạch hờ), tải bị ngẳt khỏi nguồn nên ut = 0.

Hình 3,1. Nguyên lỷ băm xung một chiều (BXMC)

Như vậy giá trị trung binh cùa điện áp trên tải nhận được sẽ là:

Ut=ljEdt=^E = y.E
(3.1)

Trong đó:
• to - thời gian van Tr dẫn.
• Ỵ - tham sổ điều chinh.
• T - chu kỳ đóng cất cùa van.

Biểu thức (3.1) cho thấy có thể điều chình điện áp ra tải bằng cách thay đồi tham số Ỵ. Việc điều
chinh điện áp ra bằng cách “băm” điện áp một chiều E thành các “xung” điện áp ở đầu ra nên thiết bị này
có tên gọi là “Băm xung một chiều - BXMC”
 1. Thay đổi thời gian to, còn giữ chu kỳ T là không đổi, như vậy ta dùng cách thay đổi độ rộng của
xung điện áp ra tải trong qua trình điều chỉnh, nên cách này dược gọi là phương pháp điều chế độ rộng
xung: PWM (Pulse Width Modulation).
2. Thay đổi chu kỳ T, còn giữ thời gian to không đổi. Cách nảy ngược lại với phương pháp trên,
độ rộng xung điện áp ra tải được giữ nguyên, mà chỉ thay đổi tần sổ lặp lại của xung này, vì vậy được gọi
là phương pháp xung - tần. Phương pháp này không thuận lợi khi phải điều chỉnh điện áp trong dải rộng,
vì tần số biến thiên nhiều sẽ làm thay đổi mạnh giá trị trở kháng khi mạch cỏ chứa các điện cảm hoặc tụ
điện nên khó tính toán thiết kế, nhẩt là các hệ thống điều chỉnh kín vì lúc đó mạch thuộc*hệ cỏ tham số
biển đổi.
Ta thấy rằng khoá điện từ Tr chỉ lảm việc đúng như một van bán dẫn, vì thế BXMC có nhiều ưụ
điểm như:
• Hiệu suất cao vì tổn hao công suất trong bộ biến đổi là không đáng kể so với các bộ biến đổi liên
tục do tổn hao ở van bán dẫn là nhỏ.
• Độ chính xác cao và ít chịu ảnh hưởng cùa nhiệt độ môi trường vì yểu tố điều chỉnh là thời gian
đóng khóa Tr mà không phải giá trị điện trở phần tử điều chỉnh như những bộ điểu chỉnh liên tục
kinh điển,
• Kích thước gọn và nhẹ.

Tuy nhiên BXMC cũng cỏ nhược điểm là:

• Cần cỏ bộ lọc đầu ra, do đó làm tăng quán tính điều chinh.
• Tần số đóng cắt lớn sẽ gây nhiễu cho các thiết bị xung quanh.

Các bộ BXMC được phân thành BXMC không đảo chiều và BXMC có đảo chiều dòng tài. Cấu
trúc thực tế thường gặp cùa BXMC dạng ờ hình 3.2 gồm các khâu chủ yếu sau:
E - nguồn một chiều, có thể là ắc
quy hoặc bộ chỉnh lưu.
LĐV - bộ lọc đầu vào, là các
phần tử L, C hoặc LC nhằm ngăn các
ảnh hưởng tần sổ cao cùa băm xung đổi
với nguồn. Hình 3.2. Cẩu trúc chung của băm xung một chiều

MV - mạch hỉnh thành từ các van bán dẫn, chủ yểu là van điều khiển hoàn toàn.
LĐR - bộ lọc đầu ra có nhiệm vụ san phăng dòng điện hay điện áp ra tài, tương tự như lọc một chiều
trong chỉnh lưu.

1.3 CÁC VAN BÁN DĂN CỒNG SUÁT TRONG BÀM XUNG MỘT CHIỀU
Theo nguyên lý hoạt động ở mục 3.1 ta thấy răng van bản dẫn thích hợp cho BXMC phải lả van
cho phép điều khiển được cả mở và khoá, tức là van điều khiển hoàn toàn, như các loại transistor hoặc
GTO (hỉnh 3.3).
 Loại van bán điều khiển như thyristor ỉà không phù hợp vì ờ đây van phải làm việc vởi điện áp một
chiều và luôn là chiều thuận, do vậy không còn giai đoạn điện áp âm cùa nguồn điện để khoả thyristor như
trong mạch chình lưu hay điều áp xoay chiều. Muốn sử dụng thyristor, buộc phải thiết kế các mạch thực
hiện chức năng khoá nó, gọi là mạch khoá cưỡng bức, mạch này thường phức tạp và không thật tin cậy.
Tuy nhiên vì trước đây công nghệ chưa chế tạo được các van điều khiển hoàn toàn với công suất lớn, nên
vẫn phải dùng thyristor.
Ngày nay các transitor đã đủ sức thay thế các van thyristor cả ờ dải công suất rất lớn. Trong đó hai
loại van được dùng là MOSFET và IGBT với ưu điểm vượt trội ớ khà năng đóng cắt tốt, mạch điều khiển
đơn giàn và công suất điều khiển lại khá nhỏ đển mức có thể IC hoá phần điều khiển; hơn nữa công nghệ
chế tạo chúng cũng không quá phức tạp.
Chính vì vậy, trong lĩnh vực điện tử công suất, ngay cả loại van BT vốn còn được ứng dụng khá
rộng rãi thời gian trước đây, thỉ đến thời điểm hiện tại đã bị thay thế bởi IGBT, và BT chỉ còn được dùng
chù yếu ờ mạch điểu khiển. Khả năng làm việc cùa hai loại van này thể hiện ở đồ thị quan hệ áp - dòng
ứng dụng ở hình 3.3, qua đó ta thấy MOSFET thua kém hơn nhiều cả về khả năng mang dòng và chịu điện
áp, tuy nhiên MOSFET làm việc được với tần số đến mêga Hz, trong khi IGBT thưởng dưới 100 kHz.

Hình 3.3. Các loại van điều khiển hoàn toàn và tham sế ứng đụng

1.3.1 Cãc tham sổ của Trãnsĩstor

Các hãng chế tạo khi đưa ra thị trường một loại van bán dẫn luôn kèm theo đầy đù các tham sổ của
loại van đó ở dạng bảng và đồ thị. Tuy nhiên trong số đó có nhiều sổ liệu không thật cần thiết cho người
sử dụng mà chỉ phục vụ cho việc kiểm tra sàn phẩm khi chế tạo van. Vì vậy người sử dụng phải phân biệt
được những tham sổ phục vụ cho mục đích thực tể của mình, thường có thể chia thành nhóm sau:
1. Điện áp mà van phải chịu được ờ trạng thái khoá, và sụt áp trên van khi dẫn.
2. Dòng điện cho phép qua van khi dẫn bao gồm giá trị trung bỉnh và giá trị xung; đôi khi cần biết
cả trị số dòng điện rò khi van khoá.
3. Các tham số về điều khiển van.
4. Tham số về khả năng khuếch đại công suất.
5. Thời gian khoá và mở của van nhằm giúp cho việc xác định chể độ quá độ khi van chuyển mạch.
6. Các tham số về khả năng chịu được tốc độ tăng áp và dòng, thường kèm theo các tham số liên
quan là trị số về tụ điện ký sinh và điện cảm ký sinh của van.
7. Các tham số liên quan đến vấn đề phát nhiệt van như tổn thất trên van, nhiệt trở của van ờ các
chế độ khác nhau.

2 Các bước tính toán lựa chọn

Sự chọn lựa đúng đắn một van bán dẫn là sao cho trong quá trình làm việc thục tể, van sẽ không bị
vượt bất cứ một tham số giới hạn nào trong bảng tham số đã cho. Muổn vậy van phải được chọn với độ
dự trữ nhất định về từng tham sổ, tuy nhiên sẽ bất hợp lý nếu lấy hệ số dự trữ quá lớn vì ảnh hưởng đến
giá thành thiết bị, hoặc sẽ là phí phạm không cần thiết. Nhìn chung để chọn van hợp lỷ nên tiến hành các
bước như sau:
Bước ĩ.
a. Xác định các tham số về điện áp và dòng điện cho van trong mạch thực dựa theo các trị sổ của
tối đa của điện áp nguồn và công suất tài yêu cầu.
b. Đánh giá biên độ cửa điện áp và dòng điện trong chế độ quá độ.
c. Xác định nhiệt độ mòi trường và nhiệt độ làm việc cùa van.
Bước 2. Dựa vào các điều trên sẽ sơ bộ chọn được van băng cách tra cứu trong các catalog, sau đó
tiếp theo là:
a. Tính toán các mạch bảo vệ chổng quá áp và quá dòng cho van.
b. Tính toán tàn nhiệt cho van.
c. Dựa vào các tham số điều khiển tính chọn mạch điều khiển van.

3 Bipolar Transistor (BT)

BT là loại van kinh điển, hiện vẫn được sử dụng rộng rãi trong kỷ thuật điện tử. Tuy nhiên trong
lĩnh vực điện tử công suất, BT chi được ứng dụng trong dẩi công suất không lớn, do nhược điểm cơ bản
cùa BT là điều khiển bằng dòng điện, vì vậy tổn hao năng lượng điều khiển lớn dẫn đến khỏ thực hiện vi
mạch hoá khối điều khiển. BT công suất là transistor loại n-p-n.
Trên hình 3.4a là đặc tính ra cùa BT với các đường tham số cực đại cho phép: lcmax, UMmOT, Pcmax-
Khi hoạt động BT không được phép vượt quả bất kì giá trị cực đại nào.

Hình 3.4. Đặc tỉnh VA và tham sể động cửa transistor BT

Khi BT (n-p-n) làm việc, điện áp UCE luôn dương, và ở chế độ khoá thì các điều kiện cho các trạng
thái là:
 1. Để BT khoá cần có UBE < 0. Lúc này BT nằm ở miền cắt dòng, qua bóng chì chây một dòng
điện rò có trị số rẩt nhỏ.
2. Để BT mờ cần có:
• UBE > 0 , nhưng để BT mở bão hoà cần làm cho bóng nằm ở miền boâ hoà, muốn vậy cần thoả mãn
điều kiện thứ hai.
• Ib > VP .
Đặc điểm của BT là bóng chế tạo với dòng càng lớn thì hệ số khuếch đại p đạt được càng thấp, tức
là càng cần công suất điều khiển lớn để bóng mờ bão hoà theo điều kiện thử hai. Chính điều này hạn chế
khả năng ửng dụng BT ở công suất lớn.
Các tham sổ của BT trình bày ờ bảng 3.1, hình 3.4b là đồ thị thể hiện chế độ động khi transistor
được điều khiển mờ và khoá bằng dòng Ib, thời gian mờ (ton) và khoá (toff) cùa BT được hiểu như sau:
ton = t(j + tr í toff ~ tf + ts.

3.2.4, MOSFET (Metal-Oxìde Semiconductor Field-Effect Transistor).

MOSFET là bóng trưởng với 3 cực Drain (D); Source (S) và Gate (G) thể hiện ở hình 3.3. Bình
thường bóng cũng cần có Uds > 0. Các trạng thái tương ứng chế độ van điện từ là:
• Trạng thái khoá: UGS < 0, tuy nhiên nên dùng điện áp âm.
• Trạng thái dẫn: ƯGS > 0, và để mở bão hoà bóng cần có điện áp điều khiển vượt giá trị nhất định,
thường lớn hơn 10V.

Như vậy, MOSFET là van điều khiển bằng điện áp chứ không phải bằng dòng điện như BT. Vỉ thế
để đánh giá khả năng khuểch đại cùa bóng phải dùng tham số “độ hỗ dẫn gFS” thể hiện trên đặc tính truyền
đạt cùa bỏng. Hình 3.5a là đặc tỉnh ra và đặc tuyến truyền đạt (đặc tính vào) cửa bóng MOSFET. về cơ
bần đặc tính này cũng tương tự với đặc tính ra cùa BT với các miền làm việc vả các tham số giới hạn.
3.2.5. IGBT (Isulated Gate Bipolar Transistor).

IGBT (hình 3.3) cỏ ký hiệu là sự kết hợp của hai bóng BT và MOSFET. Hình 3.5b là đặc tính VA
và đặc tuyển truyền đạt của van nảy.
Neu so sánh các đặc tính của van IGBT và MOSFET ta thấy nhìn chung haì van có đặc tính VA
giống nhau, với các vùng làm việc tương tự như nhau. Do đó thực tể các tham số của IGBT là tương tự
như của MOSFET, trong đó do ký hiệu của hai bỏng này chỉ có cực điều khiển mang tên giống nhau (G),
còn hai cực kia khác nhau, vì vậy với các tham số của 1GBT cần dùng ký hiệu khác:
• Ký hiệu cực D của MOSFET được thay bằng ký hiệu c của IGBT,
• Ký hiệu cực s của MOSFET được thay bằng ký hiệu E cùa IGBT,
Các trạng thái tương ứng chể độ một van điện tử là:
• Trạng thái khoá: UGE < 0, tuy nhiên nên dùng điện áp âm.
• Trạng thái dẫn: U0E > 0, và để mở bão hoà bóng cần có điện ảp điều khiển vượt giả trị nhất định,
thường cỡ 15V. Như vậy, IGBT cũng là van điều khiển bằng điện áp như MOSFET do đó “độ hỗ
dẫn gps” lả tham số khuếch đại của bóng.
 Hình 3.S, Đặc tính ra và đặc tính vào cùa transistor MOSFET vổ IGBT

Sự khác biệt về bản chất giữa hat transistor nảy chi thể hiện ở chỗ:
• Khi dẫn MOSFET thể hiện bời tham số Ros(on) (điện trở DS khi dẫn).
• Khi IGBT dẫn dùng tham sổ UcE(sat) tương tự như ở bóng BT. Cũng có hãng chể tạo đưa ra điện
áp trên IGBT khi dẫn bâo hoà bao gồm cả hai thành phần cấu tạo BT và MOS trong bóng IGBT là:
DcE(sat) = UcE(p-n)+ RcE(on)lc

điện áp Uce bão hoà của IGBT nhỏ hơn cùa MOSFET, và đây cũng là điểm ưu việt của IGBT so với bóng
MOSFET.
Dưới đây là các số liệu phục vụ trong việc lựa chọn van theo các chỉ tiêu dòng, áp vả tần số thể
hiện trên hlnh 3.6. Sau là ba bảng các tham số chính của các transistor vừa kể trên.
 (»> 12000VSKÀ
12000
SCR (Wst±tóh) SCR : 27MV*
GIOÍCCĨ : 36MVA
IG8I : 6WẦ
10000
7500V/1650A

00D0
65ƠM600A
ÍEUMK) ỳ 6M0V«MỨA ỆOOỮỶeCOOA
tMsjtWO

eaxwflsocw* GTO/GCI
(MlSUtiíH) «

Ĩ30CV/12OTA
tÉiipec) 1700VJ36ŨCW
4S00VJ900

2000'
A ĨSŨQV/IBDŨ
A
CEMMC) ít'
IGĐT

DL
0

Hình 3.6. Phạm vi ứng dụng các van bản dẫn công suất
Bảng 3.1. Các tham số thực đụng của BT

TT Tham số Tên gọi Ký hiệu Chế độ đo

với dòng êmite bằng không
điện áp đánh thùng quá độ colectơ. Ư(BR)CÍ»
(hở êmite)

điện áp đánh thùng colectơ-êmỉte U(BR)CCO với dòng bazơ bằng không
1 điện áp
(hở bazơ)

điện áp đánh thùng colectơ-êmỉte khi Ube âm Ư(BR)CCX Ube <0

điện áp coỉectơ - Ểmite bão hoà UcE(sat) ibí ic ■> 0

dờng colectơ tối đa cho phép ic ở nhiệt độ qui định cùa vỏ
dòng điện dòng colectơ dạng xung tối đa cho phép
'CM vởi độ rộng xung qui định
2
điện áp ngược bazơ -êmite tối đa Uebo với dòng colectơ bàng không

3 điều khiển (hở colectơ)

điện áp bazơ-êmite bão hoà U|ỈE(sat) ibi ic > 0

4 hệ sổ khuếch đại dòng điện AFE với Ubc nhỏ

khuếch đại tẳn sổ với hệ sổ khuếch đại băng 1 fĩ

5 công suất công suất tối da trên colectơ Pc với nhiệt độ vỏ qui định

thời gian tăng dòng colectơ ÍR ■

6 chế độ động thời gian mở ÍON

theo chế độ qui đinh
thời gian giảm dòng colectơ ÍF

thời gian di tăn điện tích ts

nhiệt trở xác lập giữa quá độ pn -vỏ RTh.Ì'C

cỏ tản nhiệt chuẩn

nhiệt trở xác lập * quá độ pn - môi trường” R

Thị.A không có tản nhiệt

nhiệt trỏ xác lập “ vỏ - tản nhiệt ” Rĩhi.s

vởi xung dòng có thời gian
nhiệt trở quá độ giữa quá độ pn - vỏ z
Thj.c
qui định

nhiệt độ vỏ Tc
7 nhiệt nhiệt độ môi trường TA
 Bảng 3.2. Các tham sổ thực đụng của MOSFET

TT Tham sổ Tên gọi Ký hiệu Chế độ đo

điện áp đánh thủng DS U(BR)DSS

điện áp diện áp đánh thủng GS U(BR)DGR khi ngán mạch GS

điện áp tôi đa cho phép giữa các cực DS UDS khi có điện trở nối giữa các cực

1 G và s

dòng cực máng tối đa cho phép ■D ở nhiệt độ qui định của vò

dòng cực máng dạng xung tối đa cho phép ■DM với độ rộng xung qui định
2 dòng điện

điều khiển điện áp GS cực đại cho phép UQSS khi ngán mạch DS

3 điện áp GS ngư&ng UũS(th) khỉ 0

4 độ hỗ dẫn SFS
theo chê độ qui định
điện trở DS khi dẫn R
DS(on)
khuếch đại

công suẩt phát nhiệt tối đa PD vói nhiệt độ vỏ qui định

5 công suất
tổn thất năng lượng khi mờ EON

tổn thất năng lượng khi khoá EOFF

thời gian trễ khi mờ *D(ON)

thời gian trễ khi khoá ÍD(OFF)

theo chế độ qui định
thời gian tăng dòng cực máng
chế độ
thời gian giảm đòng cực máng
6 động
điện dung cổng vào C[SS C|SS “ CGS + CQĐ

điện dung ra Coss Coss = CũD + CDS

điện dung chuyển đổi CRSS CRSS - CGD

điện tích tổng ở mạch cực Gate QG theo chê độ qui định

nhiệt trở xác lập giữa quá độ pn - vỏ RThj.c

có tàn nhiệt chuẩn

nhiệt trở xác lập “quá độ pn - môi trường” R

Thj,A không cỏ tản nhiệt

nhiệt nhiệt trở xác lập “vỏ - tàn nhiệt” RThj.S

với xung dòng có thời gian qui

nhiệt ữờ quá độ giữa quá độ pn - vỏ Z
Thj.c
định

7 nhiệt độ tối đa cho phép ở quá độ pn Tj tmax) cà nhiệt độ âm và dưong

 Bảng 3.3. Các tham số thực dụng của ỊGBT

TT Tham số Tên gọi Ký hiệu Chế độ đo

điện áp đánh thủng CE U(BR)CE

điện áp điện áp đánh thùng GE U(BR)GER khi ngán mạch GS

UCE khi có điện trờ nối giữa các cực G
điện áp tối đa cho phép giữa các cực CE
vả E.
1

dòng colectơ tối đa cho phép •c ờ nhiệt độ qui định của vỏ

dòng điện
’CM với độ rộng xung qui định

2 dòng colectơ dạng xung tối đa cho phép

điều khiển
điện áp GE cực đại cho phép UGE khi ngán mạch CE

3 điện áp GE ngưỡng ^GE(th) khi uCE> 0

4 theo chế độ qui đính
khuếch đại độ hỗ dẫn SFS

điện trởCE khi dẫn R-CE(on)

công suất phát nhiệt tối đa Pc với nhiệt độ vò qui đjnh

5 công suất
tồn thất năng lượng khi mở EON

tổn thất năng lượng khí khoá EOFF

thời gian trễ khi mở ÍD(ON)

thời gian trễ khi khoá *D(OFF)

theo chế độ qui định
thời gian tăng dòng colectơ ÍR

6 chế độ động thời gian giảm dòng colectơ ÍF

điện dung cổng vào C|SS C(SS = CGE + CGC

điện dung ra Coss Coss = CGC + CCE

điện dung chuyển đổi CRSS CRSS “ CGC

điện tích tổng ở mạch cực Gate Qo theo chế độ qui định

nhiệt trờ xác lập giữa quá độ pn - vỏ R

Thjx có tàn nhiệt chuẩn
nhiệt trờ xảc lập “ quá độ pn - môi RThj.A
không có tản nhiệt
trưởng”

nhiệt trở xác lập “ vò - tản nhiệt ” RThj.S

nhiệt trờ quá độ giữa quá độ pn - vỏ , 2 Thj.c

vởi xung dòng có thời gian qui định

nhiệt độ tổi đa cho phép ở miền quá độ Tj (max) cả nhiệt độ âm và dương

7 pn
nhiệt
 Các bảng 3.1 + 3.3 cho thấy các bóng có rất nhiều các tham số khác nhau sử dụng để đánh giá van
ở các chế độ làm việc cụ thể. Thực tể khi tính toán chọn van chỉ cân dựa vào một sô chỉ tiêu cơ bản về
dòng điện, điện áp cùa phần lực, phần cực điều khiển và tần số làm việc cùa van.

3.2.6. Quả trình chuyền mạch (đỏng - ngắt) cùa transistor

Quá trinh chuyển mạch là quá trình mà van chuyển trạng thái cua nó:
• Từ khoá sang dẫn (đóng) tức là chuyển từ miền cắt dòng sang miền bão hoà;
• Từ dẫn sang khoá (ngắt) khi đó van chuyển từ miền bão hoà sang miền cắt dòng.

+ Eọ

Hình 3.7. Quá trình chuyển mạch của van MOSFET và ỈGBT

Trong giai đoạn chuyển đối này van buộc phải đi qua miền khuếch đại, tức là khu vực mà cả điện
áp và dòng điện trên van đều có giá trị lớn, dẫn đến công suất chuyển mạch gây phát nhiệt trên van cũng
khá lớn. Chuyển mạch như vậy gọi là kiểu “nặng nề”. Các đặc điểm này thể hiện trên hỉnh 3.7 và công
suất chuyển mạch là các đường Pvan trên hình 3.8a,b. Khi tần số làm việc càng cao thì cỏ nghĩa tần suất
chuyển mạch cũng tăng vả hệ quà là công suất phát nhiệt tăng mạnh dẫn đến hạn chế tần số làm việc của
van. Cũng vì vậy mà vùng làm việc an toàn còn phụ thuộc cả vào độ rộng của xung dòng điện, đồ thị
đặc trưng cho hiện tượng này trên hình 3.8c.
Để tăng tan số lảm việc của van, người ta sừ dụng các mạch phụ trự, lúc đó quá trình chuyển mạch
gọi là kiểu “mềm”. Các mach phụ trợ cải thiện rõ rệt công suất chuyển mạch van, vấn đề này sẽ đề câp
ở mục 3.5. Bảng 3.4 là thí dụ về tần số làm việc của van với hai kiểu chuyển mạch trên.

Hình 3.8. a;b) Công suấỉ chuyền mạch van

c) Vùng làm việc an toàn phụ thuộc vào độ rộng xung dòng điện
 Bâng 3.4. Khả năng làm việc theo tần sẩ của IGBT và MOSFET
Chuyển mạch cứng Chuyển mạch mềm

Van Chịu điện áp Tần sể ỉàm việc Van Chịu điện áp Tần sề lồm việc cực
cực đại đạl
MOSFET điện áp thấp 250 kHz MOSFET điện áp thấp 500 kHz

điện áp cao 100 kHz điện áp cao 250 kHz

IGBT 600 V 30 kHz 1GBT 150 kHz

I200V 20 kHz

I700V 10 kHz

3300V 3 kHz

3.3. CÁC Sơ ĐÒ BĂM XUNG MỘT CHIÈU KHÔNG ĐẢO CHIỀU

Hình 3.9 là các sơ đồ nguyên lý chính cùa băm xung một chiều, nhưng không cho phép đảo
chiều dòng điện tải.

Hình 3.9. Các sơ đồ băm xung một chiều không đào chiều
Sơ đồ hình 3.9a là BXMC nối tiếp vỉ khoá Tr mắc nối tiếp với tải. Sơ đồ hình 3,9b ta thấy khoá
Tr mắc song song tải do đó được gọi là BXMC song song. Còn sơ đồ hỉnh 3.9c là BXMC nối tiếp - song
song, ở đây khoá Tr mắc nối tiếp với tải còn điện cảm L mắc song song.
Tảí cùa BXMC cồ thể là thuần trở (R) nhưng ít gặp, thường là tải cảm kháng (RL), hay tài có sức
điện động như cảc động cơ điện một chiều (dạng RLE).
Tùy theo yêu cầu kỹ thuật mà BXMC có thể là đảo chiều hay không đảo chiều.

3.3.1. BXMC nối tiếp

3.3.1.1. Đặc điểm

Sơ đồ của loại này thể hiện trên hình 3.9a hay hình 3.10a. Qui luật điều khiển van Tr hoàn toàn
như nguyên lý chung đã xét, tuy nhiên quá trình nâng lượng xảy ra như sau:
• Trong khoảng từ 0 đến to khi van dẫn điện, năng lượng của nguồn sẽ được cấp cho phụ tải, nểu coi
van là lý tưởng có: Ưt = E; vì dòng điện từ nguồn í) cấp cho tài R t phải đi qua điện cảm L, nên
điện cảm này sẽ được nạp năng lượng trong giai đoạn van Tr dẫn.
 • Trong khoảng còn lại, từ to đến hết chu kỳ điều khiển, van Tr khóa, điện cảm L phóng nâng lượng
tích luỹ ở giai đoạn trước, dòng điện qua L vẫn theo chiều cũ và chảy qua van đệm D (dòng i 2),
lúc này ut = -UD « 0.

Tuỳ theo dạng tải và tham sổ điều chỉnh mà chế độ dòng điện tài có thể liên tục hay gián đoạn
như trong thiểt bị chình lưu, nhưng thường mong muốn chế độ dòng điện là liên tục. Vì vậy trong tính
toán thiết kế cũng dựa trên việc đảm bào chể độ làm việc này cho BXMC, cũng vì thế dưới đây chi đề
cập chể độ này.

trinh 3.10. Băm xung một chiều nối tiếp tải RL

a) Sơ đồ nguyên ỉý mạch; b) Sơ đồ thay thế khi Tr dẫn ; c) Sỡ đồ thay thể khi Tr khóa
Trong chế độ dòng điện liên tục, tài có thể dạng RLEt hay RL (coi Et = 0) đều vẫn cho quan hệ
điện áp ra tài như biểu thức cơ bản (3.1):
u, = ^-E = y.E
T
... ... .. u. V.E - E.
Dòng trung bình qua tải: [ị = —-L = -L-L—!- (3.2)
R| R|
Bằng phương pháp giải mạch cỏ qui luật biển thiên dòng điện tải trong hai giai đoạn là:
.1 _£ i T E ai(b|-l).e ; Et . . = E (a,-b;').e~T E, .
' Rt 1-a, Rt '2 Rt l-a, Rt ’
T. tn
trong đó: aj = exp(—-), bj = cxp(—).

còn: T = L/Rt lả hàng số thời gian cùa mạch tài. (3.3)

Giá trị lớn nhất của dòng điện: = E 1~È1——

Rt l-a1 R,

Giá trị nhỏ nhẩt cùa dòng điện: l„„„ = -E a'^—— _ JẼ-Ĩ_ (3.4)
* Rt 1-a, R,

độ dao động dỏng tài: AI = I-1min = -Ễ- ~b| )Ợ~aibi) (3.5)

Rt 1-a,

Biểu thức nảy cho thấy độ đập mạch dòng không phụ thuộc vào tảỉ là RL hay RLEt, khi (3.6)
tải có sức điện động Et ảnh hường đến giá trị tức thời của dòng điện lảm giảm trị sổ một lượng
bằng EỊ/RỊ so với trường hợp tải RL. Có thể coi gần đúng hộ số đập mạch theo biểu thức:
 _ Al (1-b^Xl-a,b|)
d,n (3.7)
21, 1-a,

Khảo sát cho thấy giá trị đập mạch dòng điện này phụ thuộc vào Y và đạt cục đại khi Y = 0,5.
3.3. h2. Tính toán

Vì qui luật dòng điện biến thiên dạng hàm số mũ,

nên tính toán chính xác các trị số trung bình dòng qua
transistor và điôt sẽ cho các biểu thức phức tạp không
tiện sừ dụng và cũng không thật cần thiết trong thực tế.
Vì vậy thường dùng phương, pháp đơn giản hoá bằng
cách coi dòng điện biến thiên tuyến tỉnh như hình 3.11.
Lúc đó:
T ____ max I min
T_
2 To T

Hình 3.11. ĐỒ thị dòng tuyển tinh hóa

và phép tính tích phân theo it hay i2 chính là tính các
diện tích hình thang, sẽ được;

- Ỳ Ịi.dt = 1 = 0,57(1., +'u)

ỈD=Ỳ pỉdt = 0,5(1-Y)(Imax + Imjn )= I, - ITr

0

Như vậy biểu thức tính dòng trung bình qua các van đã đơn giản hẳn đi. Các biểu thức này cho
thầy với cùng một dòng tài thì dòng điện qua Tr sẽ lớn nhất khi Y - Ymax > ngược lại với Y = Ymin till
dòng điện qua điôt D sẽ cực đại; dựa vào đây người ta có thể xác định dòng trung bình lớn nhất chày qua
các van khi làm việc để chọn van.
J>

Điện áp lởn nhất van Tr phải chịu bằng điện áp nguồn E, điện áp ngược lớn nhất đặt lên điốt cũng
bằng E.
Thí du 3.Ĩ. BXMC kiểu nổi tiểp với tải RL có: E=100 V, phạm vi điều chỉnh Y = (0,2 - 0,9). Xác
định tham số chọn cảc van cho hai trường hợp sau:
1. Dòng tải lớn nhất trong toàn dải điều chỉnh Itmax “100 A.
2. Điện trờ tài không đổi trong toàn dải điểu chỉnh, dòng tải lớn nhất vẫn bằng 100 A.

Giải

1. Dòng tài luôn đảm bào được giá trị cực đại trong quá trình điều chỉnh bằng 100 A.
Theo các biểu thửc tính gần đúng có:
• Dòng điện qua transistor lớn nhất khi Y “ Ymax ~ 0,9.
>T = YmJimax =0,9.100 = 90A
• Dòng điện qua van điốt lớn nhất khi với y - ymin - 0,2.
ID=(l-Yraja)Iimax=(l-0,2).100 = 80A

Chi tiêu điện áp mà hai van phải chịu được đều băng E = 100 V.
Như vậy có thể chọn transistor và điôt cùng cỡ dòng và áp như nhau, khoảng 160 A và 300 V.

2. Trở tài không thay đổi.

Trong trường hợp này ta có: It = = 2-- = y Io, tức là dòng tải ti lệ thuận với tham sô điêu
RI R|
chỉnh y, vì thế:
• Dòng điện tải sẽ lớn nhất tương ứng với y = ymax, do đó giá trị trung bình dòng qua transistor cực
đại vẫn như trường hợp đầu:
lT=Y»«Ux =0,9.100 = 90 A
• Với dỏng qua điôt trong trường hợp này ta thấy:

Do dòng tải giảm tỉ lệ thuận với y, nên khỉ y = Ymin dòng tải chỉ còn:

l. ft = = £|100 = 2W2 A
Ymax 0,9
và dòng trung bình qua điốt ở y = ymin là: ID = (1 -ymin )If = (1 -0,2).22,22 = 17,78A . Đây chưa phải là
dòng trung bỉnh lởn nhất qua van trong dải điều chỉnh. Với biểu thức dòng trung bình qua yE , , Ắ
điôt: ID = (1 - y)It = (1-7)7— thì dòng sẽ lớn nhât với y = 0,5 và băng:
R|

lDmax(y = 0>5) = (1-y)“100 = 27,78A

Như vậy dờng trung bình lởn nhất qua điôt chỉ bằng một phần ba dòng trung bình íởn nhất qua
transistor, và như vậy ta cỏ thể chọn điôt nhò hơn nhiều trường hợp đầu.
Cả hai trường hợp trên đều cỏ trong thực tế, vì vậy phài biết sự biến thiên của tải đề tính toán cho
sát thực. Tuy nhiên thông thường các thiết bị điện được đánh giả theo chi tiêu dòng điện định múc, nên
theo qui định thiết bị phải chịu được dòng định mức nảy trong cả phạm vi điều chỉnh, do đó khi thiết kế
cần tính toán theo trưởng hợp (a) của thí dụ này.
3.3.1.3. Các chế độ dòng điện và đặc tính ngoài của BXMC

Đồ thị trên hình 3.12 thể hiện chể độ mà dỏng điện tải luôn tồn tại trong suốt cả chu kỳ, dòng điện
nảy lúc chày qua van Tr lúc lại vòng qua điốt D, và được gọi là chế độ dòng điện liền tục. Thực tể điều
này không phải lúc nào cũng xảy ra, phụ thuộc vào các tham sổ cụ thể cùa mạch (y, L, R, E() mà có thể
sẽ có lúc năng lượng tích luỹ trong điện cảm bị tiêu tán hết trước chu kỳ mới, lúc đó dòng điện tái sẽ tắt
(it = 0), trường hợp này dòng tái lúc cỏ lúc mất nên được gọi là dòng điện gián đoạn. Có thể thấy rằng
theo đồ thị thì điểm ranh giới giữa chế độ dòng liên tục và dòng gián đoạn là khỉ Iminơ - T) = 0.
 Với giá trị điện cảm xác định, khi dòng điện nhô hơn Imin , dòng điện trong mạch tải sẽ gián đoạn
và đặc tính điều chinh sẽ khác với đậc tính điều chỉnh khi dòng là liên tục.
Hình 3.12a là đặc tính ngoài của BXMC thề hiện quan hệ điện áp ra tải phụ thuộc vảo dòng điện
tải, ở đó có hai vùng với qui luật khác nhau và phân chia bằng đường ranh giới Imin. ChI khi dòng điện
tải lớn hơn giá thị Imjn này thì mạch mới chạy ở chế độ dòng điện liên tục với quan hệ tuyến tính:
Ut = Y E - Rv It; trong đó Ry là tổng các điện trờ từ nguồn đến tài (nội trở nguồn, điện trở dây
quấn cuộn kháng, điện trở dây dẫn...).

Hình 3.12. Băm xung một chiều nểi tiếp, các độc điểm chỉnh
3,3.1.4. Tính toán các trị số điện cảm và điện dung

Để tính các phần tử L hoặc c trong mạch, thường cũng xuất phát từ một số giả thiểt nhằm đơn giản
hoá các phân tích như:
• Khi xét bộ lọc đầu vào thì có thể bỏ qua quá trình chuyển mạch của van (coi như xảy ra tức thởi),
và coi dòng tài là không đổi;
• Khi tính toán bộ lọc đầu ra ta lại coi điện áp đầu vào là không đồi.

A Tính toán điện cảm

Theo sơ đồ thay thế khi van dẫn hình 3.4 2b trong khoáng (0 4- to) ta có sụt áp trên điện cảm:

uL+uR=E => UL =L^- = E-UR

Vỉ coi dòng điện biển thiên tuyến tính nên đạo hàm và gia số dòng điện bằng nhau, cỏ:

dl _ Ai _ ^max — Imin _ ^max — ^min _ AI .

dt" Át ■ t0 (t0/T)T yT*

Do thành phần một chiều không gây sụa áp trên điện cảm nên: UR= ƯỊ = yE. Như vậy:

L—■ = E - Ut = E-yE = (I ~Ỵ)E yT

 L= (l-y)E y(l-y)E AI ' AIf
rút ra: (3.8)

Biểu thức này cho phép tiến hành tính chọn điện cảm theo các chì tiêu khác nhau.
1, Tính điện cam để đảm bào chế độ dòng điện liên tục ở giới hạn điều chỉnh
Ta biết rằng khi càng tăng tham số điều chinh y thì mạch càng dễ chuyền sang chế độ dòng gián
đoạn, vì vậy khi biết giá trị điều chình nhỏ nhất Ỵ = Ymin, có thể tỉnh được giá trị điện cảm tối thiểu cần
thiết để đòng điện vẫn liên tục ờ giá trị Ỵmin nảy.

Theo (3.8): L= ,
Al.f
ở chế độ ranh giới về dỏng điện (hình 3.13c) có: AI = Imax - Imjn = Iraax do Imin =0,
mặt khác vì coi dòng tuyến tính nên:

cuối cùng rút ra : (3.9)

2, Tính điện cảm theo biển thiên cho phép của dòng điện tải AI
Khảo sát biểu thức (3.6) cho thấy AI sẽ lớn nhất khỉ y = 0,5; vì thế nếu thiết bị yêu cầu đàm bảo
một độ dao động dòng điện tài tối thiểu nào đó thì bắt buộc phải tính toán ở chế độ làm việc này để có
thể thảo mãn yêu cầu chung cho toàn bộ phạm vi điều chỉnh. Thế y = 0,5 vào (3,8) có:
L = - y)E_ 0,5(1-0,5)E_ E
(3.10)
AI.f AI.f 4AIf '
Chú ý: đòng tải càng lớn thì mạch càng dễ liên tục hơn, vì vậy khi tải biến động cần phải:
• Lấy theo giá trị ImiI1 nểu dùng biểu thức (3.9), trường hợp không biết dòng tải nhỏ nhất có thể lấy
10% dòng định mức.
• Lấy theo dòng Imaj( nếu dùng biểu thức (3.10).

Thí du 3.2 Tính điện cảm cho băm xung một chiều kiểu nối tiếp với sổ liệu: tần số băm xung là
400 Hz; E =120 V; It = (10 4-100) A; Y ~ (0,1 + 0,9). Tính điện cảm cho mạch.
Giải:

1. Xác định giá trị điện cảm.

a. Theo chỉ tiêu đảm bảo dòng liên tục với 7 nhỏ nhất, từ biểu thức (3.9) với lưu ý chọn giá trị lả
dòng tải nhỏ nhất, cỏ:

7min(1-Ymin)E . 0,1 .(1 - 0,1). 120= 1,35.10’3H = 1,35 mH

21, f 2.10.400
 b. Theo chỉ tiêu dao động dòng điện AI.
Chọn độ dao động dòng điện 10%, tương ứng
với dòng tải lớn nhất là:
AI = 0,1.100 = 10 A.
Vậy theo (3.10) cỏ:

L
= = 5 ■1 °’3 H = 7>5
4A1T 4.10.400
Hình 3. ĩ 3. Sơ đồ các tụ điện lọc
Như vậy ta thấy giá trị điện cảm tính
theo hai chỉ tiêu trên là khác nhau nhiều, và nên lấy theo chi tiêu độ dao động dòng điện sẽ đảm bảo
chung cà hai điều kiện.
B. Tính toán tụ điện

1. Tụ mắc ở đần ra
Với tải công suất không lớn và cỏ đòi hỏi về độ ổn định điện áp ra như nguồn ổn áp, bộ lọc đầu
ra thưởng dạng LC hình 3.13, lúc đó cách tính điện cảm vẫn thực hiện như trên, còn tụ điện được tính
theo biểu thức:
(1—Ymin)
16f kà„ roj# (3.11)

mẳc ờ đầu vào

Khi nguồn một chiều E được tạo bởi bộ chỉnh lưu, để đảm bảo tính chất nguồn áp cần mẳc tụ điện
Co song song với đầu vảo BXMC. Giá trị của tụ điện này có thể xác định theo phương pháp tính lọc cho
chỉnh lưu.
Tuy nhiên có thề tính theo tính chất của băm xung một chiều, vẫn dùng phương pháp gần đúng
bàng cách tuyến tính hóa đường điện áp uc, giá trị trung bỉnh cùa dòng qua tụ điện ở chế độ gần xác lập
cũng băng không, điều đó có nghĩa toàn bộ năng lượng đầu vào được cấp cho phụ tải. Phân tích như thế
ta sẽ nhận được biểu thức sau:

C YQ-Ỵ)!
(3.12)
AUcf

Dễ dàng thấy răng biểu thức này là tương tự với (3.8) chỉ khác ở đại lượng đánh giá dao động
điện áp là AUc và do dòng 1 gây ra.
Thí du 3.3. Xác định giá trị tụ điện cho BXMC ở thí dụ 3.2 sao cho độ đập mạch đạt 1% ờ đầu ra
và dao động điện áp 5% ở đầu vào. Nguồn một chiều được tạo thành từ chinh lưu cầu một pha.
Giải:

1. Tính tụ c ờ đầu ra. Theo yêu cầu độ đập mạch đầu ra là 1% ta cố kđm =0,01 nên từ biểu thức
(3.11)có:
 c= = 1
= 3 5,15.10’6 F = 35,15 pF
16f kdnimin 16.40020,01
2

Tính tụ đầu vào Co.

a. Tính theo chế độ tải băm xung. Chọn theo chế độ Y = 0,5 vỉ cỏ độ dao động lớn nhất, điện áp
ra tương ứng là = yE = 0,5.120 — 60V. Theo yêu cầu độ đập mạch đâu vào là 5% nên dao động điện áp
đầu vào lớn gấp hai lẩn: AUc =2.0,05.60=6V nên từ biểu thức (3.12) chọn độ đập mạch lớn nhất tương
ứng có:

c = .Ỵ^T~Ỵy = °’5 (] ~Q41!00 = 10,4.10‘3 F = 10400 pF

° AUr.f 6.400

b. Tính theo lọc chình lưu.

Ạ = Ị22 = l,2Q,do đótheo( 1.15) có:
điện trờ tải tương đương cúa chỉnh lưu: Rt It 100
c = ----------4— -------- - ——- = 13,3.10’3 F = 2660011F
2.314.1,2.0.05

Sự khác biệt giữa hai giá trị Co là do tải thực cùa chỉnh lưu khi làm việc với BXMC không phải
là điện trờ cổ định là 1,2 Q mà biến động, khi van Tr dẫn tải thực của chỉnh lưu là 0,6 Q. Do đó nên theo
biểu thức ( 3.12) vỉ đẵ tính đến dạng tải băm xung.
Khảo sát bằng mô phỏng với sổ liệu đồng thời cùa hai thí dụ 3.2 và 3.3 là: L = 7,5 mH; Co =
26600 J1F; c - 35,15 pF cho thấy chi có độ dao động dòng điện là đảm bảo (10A), còn dao động điện áp
đầu vào và ra tải với các trị sổ tính toán không đạt yêu cầu (đều cỡ 10%), như thế số liệu thực cùa các tụ
điện cần tăng lên nữa. Tuy nhiên nều ở đầu vào tăng tụ điện sẽ cỏ hiệu quả rõ, thỉ với phía tải tăng tụ
đầu rạ không có tác dụng nhiều mà ảnh hưởng chủ yểu đến độ dao động của cà dòng và áp là do điện
cảm L.
Với hai thí dụ trên nểu đầu vào cũng dùng bộ lọc LC (Lo = 3 mH; Co =26600 pF) và đầu ra CỎL
= 15 mH; c = 35,15 pF sẽ có AUCo =2,5 V; AIt = 4 A; Àut=2,5 V.

3.3.2. Băm xung một chiều song song

Sơ đồ của BXMC loại này trên hình 3.14a còn hình 3.14b là đồ thị minh họa hoạt động của sơ đồ
và đã tuyến tính hoá cho đơn giàn các tính toán sau này. Loại băm xung này thưởng ứng dụng cho công
suất không lớn và phài cỏ tụ lọc đầu ra tải.
Qui luật điều khiển van Tr theo nguyên tắc chung: van Tr dẫn trong khoảng (0 + to) và klioá trong
khoảng (to *T). Tuy nhiên quá trình năng lượng xảy ra khác đi vả như sau:
 Khi van Tr dẫn, toàn bộ điện áp nguồn được đặt vào cuộn cảm L và dòng điện từ nguồn (dòng i,)
chảy qua điện cả vả cuộn càm được nạp năng lượng. Trong giai đoạn nảy điôt D khoá và tải bị cắt hẳn
khỏi nguồn, do đó năng lượng cẩp ra tải là nhờ điện dung c, vì vậy tụ điện c là nhất thiết phải có ở BXMC
kiểu song song.

Hình 3.14. Băm xung một chiều Sững song

a) Sơ đồ nguyên lý; b) Đồ thị làm việc

Khi van Tr bị khoá, năng lượng của cuộn kháng và của nguồn sẽ cấp ra tảỉ (dòng i 2). Nhờ nhận
thêm năng lượng tích luỹ ở giai đoạn trước trong điện cảm nên điện áp trên tải sẽ lớn hơn điện áp nguồn
E. Tụ c dùng để tích năng lượng và cấp cho Rt trong giai đoạn van Tr dẫn.
Phân tích cho thấy qui luật điện áp trên tải có dạng:

E ____ (3.13)
t_
l-Y (1-y)2

Khảo sát cho thấy điện áp ra (J[ có thể cao hơn nguồn E nếu như sụt áp trên nội trở cùa nguồn nhỏ
hơn 25% so với điện áp nguồn E. Điện áp tài lớn nhất có thể đạt tới bằng:

u
'~=5bb (3I4)
t'ng

1. Tham số chọn van Tr. Dòng trung bình qua van:

ITr =7^1,- => lTrmw =-1^-1, (3.15)

1-y 1-Ymax
khi khoá van T chịu điện áp trên tụ c hay điện áp tải, suy ra: ƯTmax = UCmax « utmax

2. Dòng trung bình qua điện cảm băng tổng dòng qua tải vả qua van Tr:
II = lrr +ID = 7^-1. (3.16)
l~y
 3. Tham số chọn điôt. Dòng trung bình qua điốt:

I =1 _I =_2_I ĩ—lt = I (3.17)

1-ỹ1-Ỵ
D L Ir

đíôt khoá khi van Tr đẫn và chịu điện áp ngược là điện áp trên tụ c và do đó trị sổ lớn nhất tương ứng;
Ưpngmax — Ucmax — Utmax-
4. Tham số cuộn cảm L có thể tính toán, xuất phát từ các biểu thức sau khi coi rng - 0:
• Điện cảm tối thiểu để đảm bào chế độ dòng điện liên tục:

(3.18)
1. Ỵ-f
■ Điện cảm tính theo độ đập mạch dòng điện qua điện cảm:

(3.19)
Alf

. L>^íkllỉ
(3.20)

giả trị AI và AUc ta có thể chọn trước hoặc theo yêu cầu cụ thể cùa bàỉ toán thiết kế, nhưng thông
thường lấy dưới 20% giá trị It hoặc Ưt.
Thí dụ 3.4. Cho băm xung một chiều kiểu song song với: E =100 V; lt =10 A; Y = (0,2 + 0,8), nội
trở nguồn rng ~ 0,5 Q , tần số băm xung 4k Hz. Xác định:
1. Phạm vi điều chỉnh điện áp ra.
2. Tính giá trị L.
3. Tính giá trị c.
4. Tính tham số chọn transistor và điôt.
5. Xảc định độ dao động dòng điện khi điện áp tải 200V.
Giải:

1. Phạm vi điều chỉnh điện áp. Theo (3.13) cô:

r
với Y = 0,2: ưt = —Ễ— ^I ng 100
=125-7,81 = 117,2V
l-y (l-Y)2 1-0,2 (1-0,2)2
E 100 10.0,5
với Ỵ = 0,8: ut = 1-Y (1-ĩ)2 = 500-125 = 375 V
1-0,8 (l-0,8)2
Vậy phạm vi điều chỉnh điện áp trong khoảng (117-e- 375)V.
2. Tính giá trị L
♦ Theo (3.18) có giá trị điện cảm tối thiểu tương ửng Y = Ỵmin!

I Ut-E(]-y)2 = 117,2 100(1 0,2): — Ị3,76.1 O’"'H ” 13,76mH

I, y.f 10 0,2.400
 Theo (3.19) có điện cảm cần thiết để đàm bảo độ dao động dòng điện tải với y = 0,8 ở mức 15%
dòng tài AI = 0,15.10 =1,5 A là:
L = y-ệ^ = 0,8—^— = 13,3.10’^ = 13,3 mH
Al.f 1,5.4000

Theo hai số liệu vừa tính có thể chọn điện càm cỡ 15 mH.
3. Tính tụ c theo (3.20) với Ỵ- 0,8 và độ dao động điện áp bằng 10%Ut = 0,1.375 = 37,5 V : c =

= 0*5.! 0 = 53,3.10’6F = 53,3pF , chọn tụ 0100 pF điện áp 630 V.

K
AUc.f 37,5.4000

4. Dòng trung bình lớn nhất qua transistor theo ( 3.15):

Tr max 1,=-~--10 = 40A

1-0,8
Dòng trung bình lớn nhất qua điôt theo (3.17):
ID=1, =!0A

Cả hai van đều phải chịu điện áp tải cực đại bằng 375 V, như vậy cần chọn van có khả năng chịu
áp cỡ 800 V.
5. Từ biểu thức (3.13), để có Ut = 200V giải phương trình bậc 2 có: y as 0,44, độ dao động dòng
điện xác định từ biểu thức (3.19):

tức là trường hợp cụ thể nảy có: Imin = lt - AI = 10 - 0,83 = 9,17 A và Imax = 10 + 0,83 = 10,83 A.

3.3.3. Băm xung một chiều kiểu nổi tiếp - song song

Bộ biển đổi xung áp loại này (hỉnh 3.15a) cho phép điều chinh, điện áp Ut lớn hơn hoặc nhỏ hơn
điện áp nguồn E. So với sơ đồ cùa BXMC kiểu song ta thấy vị trí của van Tr và cuộn cảm L đã đổi chỗ
cho nhau.
Hoạt động cùa mạch này như sau:
Trong khoảng (0 + to), khi van Tr dẫn , điện càm L được trực tiếp nạp năng lượng từ nguồn E
bằng dòng ÍỊ với qui luật tương tự BXMC song song. Giai đoạn này điôt D khoá và tải chỉ nhận năng
tượng từ tụ điện c, vì vậy ở đây cũng cần có tụ c mắc song song tải.
Trong giai đoạn còn lại: (to + T) van Tr khoá, cắt nguồn E ra khôi mạch, để duy trì dòng điện theo
chiều cũ cùa mình sức điện động tự cảm cùa cuộn kháng L sẽ đủ lớn để điôt D dẫn và hình thành dòng
điện 12. Năng lượng tích luỹ trong điện cảm sẽ được phóng qua tàỉ, tụ điện c cũng được được nạp năng
lượng trong giai đoạn này. Lưu ý rằng với chiều cùa dòng điện nạp cho tụ c tà 12 thì chiều điện áp
trên tụ điện có đấu ngược lại với hai loại BXMC đã xét, tức là điện áp Ut là âm. Và như vậy BXMC kiểu
nối tiếp - song song cho phép tạo điện áp tải âm từ một nguồn dương.
Qui luật điện áp ra tải:

(3.21)

Đặc điểm của loại này là có thể điểu chỉnh điện áp ra tải lớn hơn hoặc nhỏ hơn điện áp nguồn E.

Hình 3J5.Băm xung một chiều nổi tiếp - song song

a) Sơđầ nguyên lý; b) Đồ thị làm việc
Các tham số chọn van:
1. Van Tr. Dòng trung bình qua Tr:
_ y_
^Tr - Trmí
« 1-V
1
...
í nưx
I, (3.22)

Khi van Tr bi khoá phải chịu được điện áp bằng: ƯT= E + Ưc= E + Ư(.

2. Điốt D. Dòng trung bình qua điôt:

(3.23)

và điổt phải chịu một điện áp ngược lớn nhất lúc van Tr dẫn và bằng: Uũ = E + uc= E + U(.

3. Tham số cuộn cảm L có thể tính toán, xuất phát từ độ đập mạch dòng điện qua điện càm:

(3.24)

Dòng trung bình qua điện cảm bằng tổng dòng qua tài và qua van Tr:

k ~^Tr +1D (3.25)

1-Y
 4. Tụ c tính gần đúng từ biểu thức sau:
Ỵlt
Aưcf
(3.26)

Thí du 3.5. Cho băm xung một chiều kiểu nối tiếp - song song với: E =48 V, It =20 A; nội trở
nguồn rng = 0,1 Q; y = (0,1 -ỉ- 0,9), tần số băm xung 5 kHz. Xác định:
1. Phạm vi điểu chình điện áp ra.
2. Tính giá trị L.
3. Tính giá trị c.
4. Tính tham số chọn transistor và điôt.
Giải:
1. Phạm vi điều chinh điện áp . Theo (3.21) có:
vớiy=o,l: u. (1-y)2 ,r"B 1-0,1 (l-0,l)2
1-7 0,l2 „ ___
2 20.0,3 = 5,26 V
y 0,1.48

vớiv-0,9: U,--£-- 0,9.48 0,92

1-y (1-y)2 20.0,3 = 189 V
1-0,9 (1-0.9)2
2. Trị sổ điện cảm tính theo (3.24) với độ dao động dòng điện là 10%, tương ứng 2A:
3. Tính tụ c theo (3.26) với Y = 0,9 và độ dao động điện áp bằng 10%Ut = 0,1.189 =18,9 V: c =
= 4,32.10’3 H = 4,32 mH
2.5000
-4^ = Trệ— = 190.1 o F = 190 |iF, chọn tụ C=220 pF điện ấp 450 V.
-0

H
AUcf 18,9.5000
4. Dòng trung bình qua transistor, tính theo (3.22):
Y 0.9
T r max . 1. =—-—-20 = 180A
1-0.9

Dòng trung bình qua điôt: IQ = lt= 20 A

Hai van đều phải chịu được điện áp băng: (E + Ưtmax) = 48 + 189 =237 V, chọn van cỏ điện áp
khoảng 600 V.
3.4. ĐIỀU KHIỂN BĂM XUNG MỘT CHIỀU
3.4.1. Cẩu trúc điều khiển
Mạch điều khiển phụ thuộc vào phương pháp điều khiển.
3.4. Ỉ.Ỉ. Điều khiển theo phương pháp điều chỉnh độ rộng xung PWM

Phương pháp thục hiện băm xung với tần số không đổi f = const, điện áp ra tài thay đồi nhở chi
điều chinh độ rộng khoảng dẫn cùa van t0 = var. Để thực hiện điều này sử dụng sơ đồ cẩu trúc. hình
3.16a. còn hình 3.16b là đồ thị minh hoạ nguyên lý hoạt động. Chức năng các khâu là:
 • Khâu phát xung chủ đạo nhàm tạo dao động với tần số cố định nhằm đảm bảo điều kiện băm xung
với tần số không đổi.
• Khâu tạo điện áp răng cưa theo tần sổ của khâu phát xung chủ đạo, đồng thời đảm bào phạm vi
điều chỉnh tối đa của tham sổ Ỵ.
• Khâu so sánh tạo xung: so sánh điện áp răng cưa Ưrc với điện áp điều khiển Uđk, điểm cân bằng
giữa chúng chính là điểm to. Do đó khi điện áp điều khiển thay đổi sẽ làm thay đổi t 0 và do đó
thay đổi tham số điều chỉnh Ỵ. Điện áp ra của khâu này có dạng xung tương ửng với giai đoạn
van lực Tr dẫn.
• Khâu khuếch đại công suất nhằm tăng công suất xung tạo ra ở khâu so sánh, đồng thời phải thực
hiện việc ghép nối với van lực theo tính chất điều khiển cùa van lực.
• Khâu tạo điện áp điều khiển theo luật công nghệ.

Phát xung Ufa TỊO dlịn ip

Urc
So sinh ua Khuếch dại đốn
—i
chã dạo ring cua *ỊO xung cSngiuÃ

UdK
crinhT

dlíuchlnh tự hạn Chí

động

H'ttth3.16. Sơ đằ cẩu trúc mạch- điều khiển băm xung một chiều kiểu PWM
3.4.1.2. Điều khiển theo phưo ng pháp xung - tần

Phương pháp này ngược vởi kiểu PWM, cần phải thay đồi được tần sổ băm xung trong khi khoảng
dẫn của van lực Tr được giữ không đổi. Vì thế cấu trúc điều khiển khác gồm các khâu sau đây (hình
3.17):
1. Khâu tạo điện ảp điều khiển với chức năng tương tự mạch trước (xem thêm mục 1.20).
2, Khâu biến đổi u/f nhằm tạo dao động xung với tần sổ tỉ lệ thuận với điện áp vào là điện áp
điều khiển.
3. Khâu tạo khoảng dẫn không đổi cho van lụrc Tr, tức là to = const, với tần số do bộ biển đổi
u/f quyết định.
4. Khâu khuếch đại công suất.
Qua hai sơ đồ cấu trúc điều khiển băm xung một chiều này ta thấy rẳng phần điều khiển chinh lưu
trong chương 1 đã phân tích chi tiết nguyên lý hoạt động và cách tính toán cho khâu tạo điện áp răng
cưa (mục 1.13), khâu so sánh (mục 1.14), tạo điện áp điều khiển (mục 1.20), và tạo xung có độ rộng xác
định (mục 1.15.2); vỉ vậy dưới đây sử dụng các sơ đồ đa có ớ các mục đỏ để xây dựng mạch điều khiển
BXMC.
Các khâu khác chưa được nói đến sẽ được trình bày kỹ hơn gồm: biến đổi u/f và khuếch đậi xung
cho transistor (chỉnh lưu cũng có khâu khuếch đại xung nhưng là dành cho van thyristor).
 Hình 3J 7. 'Sư đồ'cấu trúc mạch điều khiển băm xung một chiều kiểu xung - tần
3.4.2. Phát xung chủ đạo và tạo điện áp răng cưa

Chỉ cổ nguyên tắc điều khiển kiểu PWM dùng các khâu này
Hai khâu có quan hệ chặt chẽ với nhau, tương tự như khâu tạo điện áp răng cưa của điều khiển
chỉnh lưu phụ thuộc vào xung nhịp đồng bộ. Hoạt động cùa chúng cũng giống nhau do tính chất điện áp
ra như nhau: đều là răng cưa. Điều khác biệt là ở chỗ, trong chinh lưu thỉ tần sổ xung nhịp phụ thuộc vào
nguồn điện áp xoay chiều của lưới điện, còn với hệ băm xung thì tần số này do bản thân mạch điều khiển
quyết định và không có quan hệ gì với tan số lưới điện.
Có hai dạng răng cưa hay được dùng:
• Răng cưa tuyến tính một cụrc tính.
• Răng cưa tam giác hai cực tính.

3.4.2,1. Răng cưa tuyển tính một cực tỉnh

Dạng răng cưa đã đề cập nhiều ở mục 1.17.2, song nên chọn loại nào trong số đó ? Câu trả lời là
cần lấy răng cưa tuyến tính dạng đi lên chứ không nên dùng răng cưa đi xuống như trong điều khiển
chinh lưu. Nguyên do là: một hệ thống tuyến tính, tức là có quan hệ tỉ lệ thuận giữa đại lượng ra và điận
áp điều khiển (ura = k.Uđk) là rất thuận lợi khi xây dựng cảc bộ điều chỉnh tự động. Vỉ BXMC có Ura tỉ
lệ thuận với tham số Ỵ, nên để hệ tuyến tính cần có Uđk cũng ti lệ thuận với Ỵ , mà điều này chi có được
nếu răng cưa tuyến tính đi lên. Đồ thị minh hóạ nguyên lý hoạt động BXMC ờ hỉnh 3.16 cho thấy rõ:
tăng udk thì Ỵ cũng tăng theo.
Khâu phát xung chủ đạo có hai nhiệm vụ:
• Tạo dao động với tần sổ cố định bằng tần số băm xung van lực. Các bộ tạo dao động cũng đã được
xem xẻt ở khâu tạo xung chùm (mục 1.14),
• Điện áp ra cố dạng xung với hỉnh dáng theo yêu cầu cùa khâu tạo răng cưa tuyển tính đi lên vởi
đặc điểm: thời gian làm việc (răng cưa đi lên ) phải lớn hơn nhiều lần thời gian hồi phục răng cưa
(đi xuống).
 Từ đây có thể đưa ra một số sơ đồ nguyên lý thí dụ sau.
1. Sơ đồ hình 3.18a sử dụng bộ tạo dao động dùng khuếch đại thuật toán, để thực hiện yêu cầu
thời gian quét và thời gian phục hồi răng cưa khác nhau phải tách riêng điện trở nạp (R]) và điện trở
phỏng (R2) cho tụ C| nhờ các điôt D[, D2-

Hình 3.18. Sffđầ tạo điện áp răng cưa tuyến tinh đi lên bằng ỮA
a) Răng cưa dương; b)Rởngcưaâm

Biểu thức tính cảc khoảng thời gian này:

• Khoáng thời gian xung L'fx>0: t, =R;C| ln(l + ^~) = l,IR1Cl khi R3=R4, (3.27)

• Khoảngthời gian xung U(\<0: t2 = R2C|ln(1 + ™1) = Ỉ,1R2C1 khi RJ=R4 (3.28)

• Chu kỳ dao động T = tj+12; và tần số f = 1/T. (3.29)

Cố thể coi phạm vi điều chỉnh: Ỵmin = 7 max ; và thưởng ti «t2 .
Khi cần chinh chính xác tần sổ phải đua biển trở Pỉ vào giữa hai điện trử, và muốn hiệu chỉnh tần
sổ thì thay R4 bẳng biển trờ, Phần tạo răng cưa tương tự như hình 1.56 (mục 1.13).
Có thể tạo răng cưa âm khi thay đổỉ sơ đổ trên sang hỉnh 3.18b, nguyên lý hoạt động vẫn hoàn
toàn tương tự và các biểu thức không thay đổi, tuy nhiên trong trường hợp này có quan hệ ngược với sơ
đồ trước, tức là cần t2 «t] để khoảng xung âm nhỏ hơn nhiều đoạn xung dương.
2. Sơ đồ hình 3.19 đùng dao động 555, do mạch này chỉ cho điện áp ra một dấu nên để dễ ghép
nối cần dùng khâu tạo răng cưa bàng transistor. Dao động 555 đã trình bày ở hình 1.71a, tuy nhiên cũng
phải dùng thù thuật tách hai thời gian phỏng nạp tụ C] nhờ các điôt D], lúc đó:
• Khoảng thời gian xung Ufr >0: tj = 0,7, (3.30)
• Khoảng thời gian xung ufx = 0: t2=O,7R2Cj (3.31)
 • Chu kỳ dao động T = tj+ t2; và tần số f = 1/T.

Có thể coi phạm vi điều chỉnh : , Ymax = Y ; và thường t| «t2 .

Để hiệu chỉnh tần số, thường Rỉ gồm một biến trờ nổi tiếp điện trở, Phần tạo răng cưa xem mục
1.17 và hình 1.48.

Hình 3.19. Tạo đao động bằng Timer 555 ghép vởi mạch rãng cưa dùng transistor

Thí du 3.6. Tính điện áp răng cưa cho điều khiển BXMC theo nguyên tắc PWM có phạm vi điều
chinh y = (0,1 -ỉ- 0,9) với:
1. Sử dụng sơ đồ hỉnh 3.18a vởi tần số làm việc 400 Hz.
2. Sir dụng sơ đồ hỉnh 3.19 với tần số làm việc 1000 Hz.

Giải:

1. Mạch sử dụng OA, chọn điện áp nguồn E = ±I2 V. Với tần số 400Hz thì chu kỳ làm việc cùa
băm xung:
T= — = 2,5ms
f 400

suy ra phân bố hai thời gian : t2 = 0,9T = 0,9.2,5 ms = 2,25 ms; t] = 0,1T = 0,1,2,5ms = 0,25 ms; chọn
Rĩ = R4 = 10 kQ, chọn tụ c = 100 nF.
từ biểu thức (3.27) suy ra:

R, = 2,27.10-0 = 2,27 kQ
1
ijCj 1,1.100.10’’
 Tương tự từ biểu thức (3.28) suy ra;
R, = -1— - 2■ ° 3-<r = 2,05.10'Q- 20,5kQ
2
1,1C, 1,1.100.10-’

Như vậy chọn điện trờ R] = 2 kO và R) = 20 kQ. đề hiệu chinh tần số chọn R4 là biến trở 10 kfì.
Phần tính điện áp răng cưa xem thí dự 1.23.
2. Mạch sử dụng (C555, chọn điện áp nguồn E =12 V. Với tần số 1000 Hz thì chu kỳ làm việc
cùa bàm xung là: suy ra phân bố hai thời gian: Í2 - 0,9T = 0,9.1ms = 0,9 ms; ti = O,1T = 0,1.1 ms = 0,1
ms; chọn tụ c = 33 nF, từ biểu thức (3.30) suy ra:
= °’1-10 5- = 4,33.1 o3 Q = 4,33 kQ
R] = 11 = ' 0,7.33.10’
1,1C,

Tương tự từ biểu thức (3.3 ĩ) suy ra:

= 39.1 o3 Q = 39 kn
0,7.33.10’’

Như vậy có thể chọn điện trò R(= 4,3 kQ và R2 gồm một điện trở 33 k£ì nối tiếpvới một biến trở
20 kQ để hiệu chỉnh..
Phần tính điện áp râng cưa xem thí dụ 1.19.
3.4.2.2. Tạo răng cưa tuyến tính hai cực tỉnh

Thông dụng nhất hiện này là sơ đồ hình 3.20a. cho phép tạo ở đầu ra cùa khuếch đại thuật toán
OA2 điện áp răng cưa có hỉnh tam giác cân, trong khỉ đó đầu ra của OAI lồ dao động điện ảp xung chữ
nhật.
OAI là mạch lật kiểu trỉgơ
Schmitt, do đó đầu ra chỉ có hai
trạng thái tối đa tương ứng hai giá
trị cực đại ±LJm. Nếu dùng cụm hai
điôt ổn ảp đẩu nối tiếp Dzl, Dz2 thì
um = (ƯDz + 0,7)V; nếu không dùng
nhanh do giảm thời gian trễ lật trạng
thì như thông thường um = Ubh
cùa OA. Cụm các điôt ổn áp có
tác dụng chổng bão hoả sâu cho
OA để có thể phản ứng Hình
thái, do đỏ
3.2Ớ. Sơ đề tạo xung tam giác hai cực tỉnh
cần dùng khi phải tạo dao động tần sổ cao.
 0A2 là mạch tích phân đảo dấu quen thuộc, vì đầu vào tuy có đảo dấu nhưng chì có giá trị không
đổi nên tích phân sẽ cho giá trị tuyến tính:

íiCdt + Ưc(0) = -ệ^2.fdt + Ưc(0)=Uc(0)n^-t (3.32)

IX I cKI

Sự biến thiên của đầu ra OA2 thông qua điện trờ Rì tác động đến cửa (+) của OAI, mỗi khi điện
thế cửa này về đến không sẽ làm trigơ lật sang trạng thái đổi dấu điện áp đầu ra. Lập tức bộ tích phân
cũng đào chiều biến thiên vá mạch bắt đầu một qui trình ngược với giai đoạn trước...
Phân tích cho thấy mức ngưỡng để bộ tích phân đảo hưởng cùa nó cỏ giá trị gọi là điện áp ngưỡng u ng
và bằng:
u„=±ílu. (3.33)

Giá trị này cũng chinh là biên độ cùa điện áp tam giác,
Rãng cưa tam giác hai cực tính được dùng để điều khiển BXMC có đào chiều.
Ưu điểm của dạng này còn ở chỗ nó không cần khoảng phục hồi, cả thời gian răng cưa đi lên và
đì xuồng cùa nó đều là thời gian
lảm việc, vỉ vậy cho phép đảm
bào phạm vi điều chỉnh tổi đa là
Y=(ữV 1). Do đó khi cần điều
chinh như vậy, BXMC không đảo
chiều cũng dùng răng cưa tam
giác.
Có thể biên xung tam
fỉiíth3.2i. Tạo răng cưa một cực
tính từ răng cưa hai cực tỉnh giác
hai cực tính thành một
cực tính nếu sử dụng thêm mạch dịch điện áp bằng cụm điện trở treo R4 và R5 như trên hình 3.21.
Điện áp ở hai đầu ra Ural và ura2 sẽ được dịch đi một giá trị là :
ƯRC/R4 +E/RS
1 /R4+I/RS

Do đó điện áp ura sẽ bằng không khi tử số cùa biểu thức này về băng không, điều đó cỏ nghĩa giá
trị urc phải trái dấu nguồn E. Mặt khác điện áp răng cưa có gíá trị biên độ là u m, nên có điều kiện để răng
cưa tam giác trở thành một cực tinh:
(3.34)

đây chính là điều kiện để chọn các điện trờ R4 và R5.

 Để kết hợp bảo vệ BXMC nhờ cắt xung bằng điện áp điều khiển (Uđk = 0), giá trị thấp nhất cùa
răng cưa thường lấy khác không (khoảng 0,1V), do vậy một trong hai điện trở R4 và R5 là biên trở để
hiệu chỉnh mạch.
Thí du 3.7, Tính bộ tạo điện áp răng cưa tam giác tần số 4kHz cho hai tnrờng hợp sau:

1. Kiểu hai cực tính theo sơ đồ hình 3.20 với biên độ điện áp là ±10 V.
2. Kiểu một cực tính với biên độ 10 V và giá trị nhò nhất phài lớn hơn không.
Giải:

Với tần số 4000Hz thì chu kỳ làm việc cùa bẫm xung là:

T = 4 = —= 0,25ms
f 4000

Chọn điện áp nguồn E = ± 15 V và sử dụng cụm điôt ổn áp đấu nối tiếp đối đầu, với Uôa = 12 V,
có điện đầu ra OA 1 cực đại um = Uôa + UDZ = 12 + 0,7 = 12,7 V.
1. Theo đồ thị hoạt động hình 3.20 ta thẩy trong khoảng thời gian một nửa chu kỳ điện áp răng
cưa phải biển thiên được giá trị bằng hai lần biên độ điện áp tam giác ung, ở bài này sẽ bằng 2x10 V=20
V. Do đó từ (3.32) thề hiện sự biến thiên của điện áp này ta rút ra:
uT IJ 12 7.
™ 4 = 2Unu => CR1 = “~T = 4441O’3-0,317.Id’s CR] 2 nB 1
4Un(, 4.10

Chọn tụ c = 22 nF suy ra: R, = 17 1

' = 14,4.1 o5Q = 14,4kfi,
22.10"’
vậy chọn biển trở 20 kíì vào vị trí R| để hiệu chình tần sổ băm xung. Từ biểu thírc (3.33) cỏ:

“ == 0.787 => R-Ị =0,787R2, tức là nểu R2 =10 kQ thi Rj = 7,87 kíì. Tuy R2 12,7
nhiên ta chọn R2 = 10 kíì và R3 là biển trờ 10 kQ để chỉnh xuống giả trị cần thiết nhăm đảm bào biên độ
xung tam giác 10 V.

2. Đề tạo điện áp răng cưa một cực tỉnh ta dùng sơ đồ hình 3.21 và đầu ra Ural, trong đó đề có
biên độ 1 ov ờ đầu ra thì khâu tạo điện áp hai cực tỉnh sẽ có biên độ là ±5V và do đỏ:

a. Tính toán răng cưa hai cực tính vởi biên độ ±5 V. Lặp lại tính toán ờ phần 1 cỏ:
CR
1 =TVr-T = ^~l°"i =0,635.10"3S
4U
ng 4.5

Chọn tụ c = 10 nF suy ra: R, = —; = 6,3510'íì = 6,35 kí2,

I0.10"9

vậy chọn biến trờ 1 o kQ vào vị trí R] để hiệu chỉnh tần sổ băm xung. Từ biểu thức (3.33) có:
tức là nếu R2 =10 kí2 thì R3 = 3,94 kíl Tuy nhiên ta chọn R2 = 10 kQ và R3 là biển trở 5 kfì để chỉnh
xuống giá trị cần thiết nhàm đàm bảo biên độ xung tam giác ±5V.
b. Dịch răng cưa để chuyển thảnh xung tam giác một cực tỉnh.
Chọn trước R5 = 3kfì, theo điều kiện (3.34) tính được giá trị R4:
•’ị4-=-’i-=> R. = = Ậ3.1O3 --= 3,75.103Q -3,75kQ
R, E 4 E 5 12

Vậy chọn R4 là biến trở 5 kQ để chình điện áp dịch xung tam giác sao cho điểm thấp nhất là lớn
hơn không và có biên độ khoảng ỉ 0 V.
Cần lưu ỷ, khâu so sánh phía sau nên sử dụng dạng so sánh hai cổng để không làm xung tam giác
bị ảnh hưởng. Nhưng nếu sử dpng so sánh một cửa thì điện áp tam giác sẽ bị ảnh hường bởi tín hiệu đưa
tới so sánh, do đó hoặc phải tăng điện trờ đầu vào so sảnh để đàm bảo lởn hơn nhiều lần các điện trờ R4,
Rs hoặc phải giảm điện trờ R4, Rs xuống nữa.

3.4.3. Bộ biến đổi u/f

Khâu này chi dùng cho phương pháp điều chinh kiểu xung - tần.
Như đã đề cập ở đầu chượng, điều chình bằng cách thay đổi tần số sẽ làm tham sổ của hệ thổng
luôn bị thay đổi là điều không thuận lợi. Mặt khác việc thiết kể một bộ u/f tuyến tỉnh trong dài rộng thực
sự không đơn giản. Vi vậy phương pháp này chỉ dùng khi phạm vi điều chình hẹp và thực tế ít được ứng
dụng.
.3.4.3.1, Mạch dùng ỌA
Sơ đồ biến đổi u/f dùng OA trên hình 3.22. Khuếch đại thuật toán OAI vẫn làm nhiệm vụ bộ tích
phân tuyén tính, OA2 làm nhiệm vụ so sánh điện áp tích phân này với một điện áp ngưỡng do bộ phân
áp Rỉ, R3 đàm nhiệm:

u= —“E
nB
R2+Rj
• Khi chưa đạt ngưỡng này, điện áp cửa (+) cũa OA2 âm hơn cửa (-) nên đầu ra OA2 có giá tri âm
-Ubh, do đỏ transistor
Tj khoả.
• Sau thời gian t|, khi
điện áp tích phân đạt
ngưỡng sẽ làm cừa (-)
trở nên âm hơn cửa (+)
làm cho đầu ra OA2 tật
trạng thái lên +Ưbh,
dẫn đến bóng Ti mở ra
nối cửa (-) cùa OAI
xuồng điểm ưng âm.
Hình 3.22. Bộ biển đổi điện ẩp thành tần sổ (Ư/f) đơn giản
 • Tụ điện c phóng nhanh qua TI trong khoảng t2, làm trạng thái giữa hai cổng vào OA2 trở về như
ban đầu. Điện áp ra lại âm, T| khoá, và mạch tích phân hoạt động trở lại.
Theo sự phân tích vừa rồi có thể thấy tương quan giữa hai giai đoạn làm việc phải là t2 «t], vì vậy
có thể coi gần đúng là chu kỳ dao động chì phụ thuộc vào thời gian tích phân: T = t]. Biểu thúc tích phân
cho ta mối quan hệ sau:

uc(t) = ——- [icdt + Uc(0) = fdt - v

^’ ýđiện tích phân từ Ưc(0)=0.
C| J C]R1 J C|R|

Thời gian t] tương ừng tụ nạp đến giá trị ung? vì thế ta cỏ:

uc(t =t() = = -U„8 = -- —3 E, từ đây có chu kỳ dao động:

C| R[ R ■) + R -Ị
T=t1=R|C|—R- f=—
R2+R3 UV RJC, R/ E

Rút ra quan hệ giữa tần số dao động và điện ảp vào:

I
= kuv (3.35)
R1C.

Thực tể thường lấy R2 = R3 và E = 10 V có biểu thức: f = u v (Hz) R C

(3.36)
1 1

Thí dụ 3,8. Tính bộ biến đổi u/f với Uvmax = 10 V tương ứng tần số 1000 Hz, phạm vi điều chinh
tần số ỉ 0:1, điện áp nguồn E = ±12 V.
Giải:
Chọn R2 = Rj - 10 kQ. Từ biểu thức (3.35) rút ra:

I 1 = ^^ = -““7 = 1,67.10 V Chọn C = 33 nF suy ra:

R C

f.E 1000.12

R
J = 33 Ị Q-° - 50,6.103Q = 50,6 kfi. Như vậy có thể chọn điện trở 5 ỉ kíì hoặc nếu muốn hiệu

chỉnh tần sổ cần mắc một điện trở 39 kfì và biến trở 20 kíì .

Các phần tử khác có thể chọn: R4 = Rj = R6 = 20 kfì; tụ c = 100 pF. Bóng T| chọn loại BC107 có
tham sổ Icmax = 100 mA; UcEmax = 45 V.
3.4.3.2. Mạch dùng 555
Nguyên lý thực hiện biến đổi u/f sử dụng khâu tích phân và khâu so sánh là chung cho các mạch
khác.
Bộ u/f ở hỉnh 3.23 vẫn sử dụng
OAI như mạch trước, còn khâu so sánh
dùng Timer 555 để tận dụng bộ ngưỡng
chính xác có săn

Hình 3.23, Bộ biển đẩì u/f đàng hết hợp OA và Timer 555
của nó bang 2/3 E. Vì điện áp ngư&ng là dương nên điện áp tích phân cũng phải dương, trong khi đó
OAI là tích phân đào dấu, điều này đòi hỏi điện áp vào phải âm (Uv < 0). Hoạt động của mạch như sau:
• Khi điện áp tích phân còn dưới ngưỡng 2/3E thì đầu ra cùa 555 ở mức dương (xấp xì E), và làm
cho bóng FET khoá không ảnh hưởng đến tụ C|.
• Khi điện áp tích phân đạt ngưỡng 2/3E, mạch 555 lật trạng thái về ov, làm bóng FET mờ, nối tắt
tụ C1 cho phép tụ phóng điện nhanh chóng về không.
• Khi điện áp tích phân đưa đến IC555 giảm, làm đầu ra 555 lật về trạng thái ban đầu, ỉại làm FET
khoá để quá trình tích phân bắt đầu chu kỳ mới.

Như vậy sự hoạt động mạch này giống mạch hình 3.21, chi khác nhau về mức điện áp ngưõng
nên tương tự có:
Ưc(t=t1) = -^~t1=-UnB=-|E => (3.37)

Từ đây rút ra quan hệ cùa bộ u/f này:

f=1,5 Uy
= aUv (3.38)
RjC] E

Thí du 3.9. Tính bộ biển đổi u/f với Uvmax ■■■ 10 V tương ứng tần sổ 4000 Hz, phạm vi điều
chỉnh tần số 10:1, điện áp nguồn E= 12 V.
Giải:

Theo (3.38) rút ra:

R.Cl = = .1’5'10 = 3,13.10"4s. Chọn c = 10nF suy ra:

11
f.E 4000.12

R. = 10 = 31,3.103fì = 31,3 kíĩ, chọn điện trờ27kO nối tiếp biển trở 10 kQ.
10.10-9

Các phần tử khác. Chọn: I<2 = 15 k£2; R3 = 10 kíỉ; tụ c = 30 pF. Bóng T chọn P1087 là loại bóng
trường JFET kênh p được ứng dụng để làm việc ở chể độ khoá có tham số: Idss = 5 mA; Udsmax “ 30
V; Ugdmax “ 30 V.
3.4.3.3. Sử dụng IC chuyên dụng

Công nghiệp có chế tạo 1C thục hiện chức năng u/f, do đó có thể sử dụng ngay như loại NE566,
SE566 hay CD4046, 74HC4046; tuy nhiên có một số điểm lưu ý khi sử đụng.
1. NE 566 và SE566 là 1C chuyên dụng làm bộ u/f và có tên

Ịỉình 3.24. IC biến đối v/f chuyên đụngNESỒỗ

gọỉ Voltage Controled Ocsillator (VCO) có cấu trúc và cách đấu mạch trên hỉnh 3.24a.
Sơ đồ cấu trúc này cho thấy vco cũng vẫn dùng nguyên lý nói trên: dùng tụ tích phân bằng dòng
không đổi (nguồn dòng) để có điện áp biển thiên tuyến tính và một bộ so sánh lật trạng thái trigơ Schmitt.
Loại này cũng cho phép nhận được hai dạng điện áp khác nhau ở hai đầu ra: xung chữ nhật và xung tam
giác.

Quan hệ vảo/ra: f = 2(E ~ ) (3.39)

C|RjE

Như vậy thực chất tần sổ ra không ti lệ trực tiếp với điện áp vào mà tỉ lệ với độ chênh lệch giữa
điện áp nguồn và điện áp vào, điều này thể hiện ở đồ thị hỉnh 3.24b.
Đặc điểm sử dụng;
• Điện áp ra không thể về đến không nếu dùng nguồn một dấu;
• Phạm vỉ thay đổi điện áp vào Uv nhò, tổi đa khoảng 3V và do đó theo (3.39) phải năm trong phạm
vi: (E - 3) < uv < E;
• Điện trở Ri chọn trong phạm vi từ (2 -í- 20)kQ;
• Tần số tối đa đến 1 MHz, phạm vi điều chỉnh tần số là 10:1;
• Tụ điện nên chọn trong khoảng 1 OpF < C| < 10pF.

2. CD4046 vả 74HC4046 là IC có chức năng mạch khoá pha (Phase locked - loop), gồm hai khâu
chính là xử lý pha và vco (U/f). Phần biến đổi u/f có sơ đồ cấu true ờ hình 3.25a điện áp ra vco (out) là
xung chữ nhật với tần số thay đổi theo điện áp VCO(ìn), nhưng phạm vi điều chỉnh tần sổ phụ thuộc vảo
cảc giá trị linh kiện bên ngoài.

Hình 3.25. Khâu biến đổi u/f trong IC khóa pha 4046
Việc tính chọn các phần tử dựa vào phạm vi tần số cần thiết ở hình 3.25b, trước tiên dựa vào tần
số giữa fo để có thể chộn trị số Cị, sau đó để tính R| dựa vào phạm vi điều chỉnh tần số có quan hệ:

2f, -^(E-^)
R|C, (3.40)

Đặc điểm sử dụng:

• Điện áp ra không thể về đển không nếu dùng nguồn một dấu;
• Điện áp vào VCO(in) nằm trong khoảng: IV < VCO(in) < ( E - 0,9 )V, với điện áp nguori E không
được vượt quá 7V thì khoảng điều chinh điện áp vào là nhỏ;
 • Trị số các điện trờ R1, R.2 đều phải nằm trong phạm vi: 3kQ < R < 300kD nhưng đàm bảo tương
quan giữa chúng là: (R]//R.2) >2,7 kfỉ;
• Trị số tụ C]> 10 pF.

vco của 4046 có quan hệ u/f không đạt độ tuyến tính cao như NE566 và được thể hiện ờ một thí
dụ trên hình 3.25c với phạm vi điểu chỉnh tần số dưới 1 kHz.

Nhìn chung cả hai loại biến đổi u/f này đều cỏ phạm vi thay đổi điện áp nhỏ và không thể xuống
gần không, do đó không thật phù hợp với các mạch cần thay đổi điện áp vào rộng.

3.4.4. Khuếch đại xung (Driver)

Khối khuếch đại xung cho transistor trong BXMC phức tạp hơn so với khối khuếch đại xung cho
thyristor, điều này là do:
• Thyristor là phần tử bán điều khiển nên chỉ cần một xung ngắn để van mở ra, sau đó không cần
giữ xung này nữa. Với độ rộng xung điều khiển vài chục micro giây thì việc truyền xung ngắn
cách ly thực hiện khá đơn giản bàng biến áp xung thông thường mà không có yêu cầu gì đặc biệt.
• Transistor là phần từ điều khiển hoàn toàn, vỉ vậy để mở van cũng cần xung điều khiển, nhưng
xung này phải tồn tại chừng nào van còn phải dẫn, tức là độ rộng xung điều khiển phụ thuộc vào
thời gian dẫn của van. Neu điện áp phần lực thấp (dưới vài chục Vôn), không cần cách ly với mạch
điều khiển vẫn dễ dàng thực hiện yêu cầu này. Tuy nhiên khỉ điện áp mạch lực cao và buộc phải
cách ly nỏ với mạch điều khiển thỉ việc truyền xung công suất cách ly cỏ độ rộng lớn là khó khăn,
vì:
• Nếu dùng biến áp xung sẽ đảm bào cách ly, song do biến áp có tính chất ví phân nên làm giâm dần
biên độ và công suất xung theo thời gian, vỉ thế có thể không đảm bảo mở tốt van trong suổt thời
gian nó phải dẫn ở khu vực tần số làm việc thấp dưới 1 kHz. cần phải có các biện pháp phức tạp
để khắc phục nhược điểm này.

Hình 3.26. Các sơ đề cẩu trúc khểì khuếch đại xung cho transistor đàng cách ly quang
 • Nếu dùng phương pháp cách ly bằng phần tử quang sẽ cho phép truyền cách ly xung có độ rộng
tuỳ ý, song phần tử quang chỉ có thể truyền thông tin mà không có khả năng truyền công suất. Lúc
đó buộc phải cỏ thêm nguồn công suất sau phần cách ly để thực hiện tăng công suẩt đù mở van,
do đó mạch cũng sẽ phức tạp do có nhiều nguồn, mật khác cũng làm tăng kích thước và tổn hao
trong thiết bị.
Hiện nay cả hai kiểu trên đều được nghiên cứu, chể tạo để ứng dụng trong thực tế, tuy nhiên
phương pháp thứ hai dễ thực hiện hơn, vì vậy dưới đây chú trọng cách này hơn.
Những vấn đề trên cho thấy khối khuếch đại xung là phức tạp và sẽ gồm nhiều khâu gộp thành,
thường có thể chia thành ba khu vực chức năng như trên hình 3.26.
1. Khâu cách ly bằng phần tứ quang nhằm truyền thông tin về thời gian mở - khoá van, thường
sử dụng hai loại là điôt - transistor (hình 3.26a) và điôt - điôt có khuếch đại sơ bộ (hình 3.26b,c).
2. Khâu phổi hợp giữa
thông tin về xung mở - khoá van
và khâu khuếch đại công suất, có
nhiệm vự tạo ra dạng xung điều
khiển phủ hợp theo yêu cầu của
van ỉực cụ thể. Một số mạch của
khâu này ở hình 3.27, cho ta thấy
chúng đơn giàn là các tầng
khuếch đại trung gian dùng
Hình 3.27. Một sẩ mạch phềi hợp xung
transistor ở chể độ khoá. Vỉ vậy
cách tính toán vẫn tuân thủ luật đỏng/ngắt transistor,
3. Khâu khuếch đại công suất vớí chức năng đơn giản là tăng công suất của dạng xung đẵ hỉnh
thành được ử khâu trước đó.
Hiện nay nhiều hãng công nghiệp đã chế tạo sẵn một sổ mạch điều khiển sơ bộ van gọi là “Driver”
cho cảc loại transistor, chúng có khâ năng điều khiển trực tiếp van với dòng xấp xỉ 100 A, còn nểu sử
dụng van lớn hơn cần bổ Áung phần tăng công suất cho đủ yêu cầu.
3.4.4.I. Khuêch đại xung điếu khiển BT lực
Đe điều khiển tốt van BT lực ở chế độ đóng/ngắt, cần chú ý một sổ đặc điểm cùa van nảy như sau:
• BT là van điều khiển bằng dòng điện bazơ của 'b
bỏng, vì thế để mờ nhanh van cần một xung dòng 3
lớn khi chọ van chuyển từ khoá sang dẫn. Như vậy
sẽ đạt được hiệu quả là dòng lực (ic) tăng nhanh và
1
p n
•
lại giảm được tổn thất chuyển mạch.
Tuy nhiên nếu giữ dòng mở BT này khỉ van -3
1/ Ư
Hình 3.28. Xung dòng Ib tồi ưu
điều khiển van BT
đang dẫn sẽ làm bóng nằm sâu trong vùng bão hoà, do đó khi bóng khoá lạỉ làm tăng thời gian bóng ra
khỏi vùng bão hoà (trễ khoá) ảnh hưởng tới thời gian khoá van. Vì vậy khi van đã dẫn cần giảm dòng
bazơ xuống đến giá trị sao cho chl cần vừa đủ đảm bảo BT nằm trong vùng bão hoà.
• Đẻ giảm thời gian chuyển mạch đang dẫn sang khoá, cần tăng dòng bazơ khi khoá.
• Để tăng khả năng chịu điện áp khi van đã khoá nên đặt điện áp âm vào bazơ bóng BT một giá trị
không lớn: Ube « -2V.

Từ các yêu cầu trên cho thấy xung điều khiển BT tối ưu có dạng ờ hình 3.28. Để thực hiện những
yêu cầu này, các hẵng chế tạo đưa ra một số sơ đồ khác nhau, trong đó việc tạo điện áp âm giữ van ở
trạng thái khoá có thề thực hiện bằng hai cách:
• Chỉ dùng một nguồn một dấu
và tạo điện áp nhờ bộ điốt đấu
nối tiếp;
• Dùng hai nguồn: nguồn dương
để mở van, nguồn âm để khoá;

Hình 3.29 là một thí dụ cùa

khối khuếch đại xung điều khiển
đóng/ngắt van lực, sơ đồ gồm:
• Hai transistor lực T-1 và ì'ĩ đấu Hỉnh 3.29. Sơ đồ mạch khuếch đai xung điều khiển BT
theo sơ đồ Dalinhtơn được chế
tạo sẵn trong một môđun với các phần tử đi kèm;
• Khâu truyền xung cách ly dùng IC quang TLP 114A kiểu Điôt-Đỉôt kèm khuếch đại sơ bộ bằng
transistor,
• Khâu phổi hợp dùng bóng TI;
• Khâu khuếch đại công suất dùng các bóng: T; để mở van lực, dòng bazơ xác định nhờ điện trở RÉ;
T2 để khoá van lực, khi T2 dẫn sẽ đưa điện áp âm vào bazơ van lực.
• Mạch tạo nguồn âm khoá van lấy từ nguồn điều khiển 15 V qua điện trở R7 và hai đỉốt D2D3 để
định giá trị phù hợp với hai van lực, tụ c2 là tụ trữ năng lượng cho quá trinh khoả van lực.

Thí du 3.10, Tính toán khối khuếch đại xung theo sơ đồ hình 3.29 cho van lực loại MJ10021 có
tham số sau: lcmBX = 60 A; Ucemax = 250 V; p = (75 -í- 1000); phần tử quang có tham sổ dòng ra tối đa
6 mA. Dòng tải tối đa qua van lực là 20 A.

Giải:

• Theo tham số của bỏng và dòng tải là dòng Ic của van lực, suy ra dòng bazơ tổi thiều cần có để mở
bão hoà van là:
I 20
1B = “ = “ = 0,27 A , chọn dòng đỉều khiển mở van lực là 0,4 A (hệ số bão hoà s =1,5).
 • Dòng điều khiển sẽ xuất hiện khi bóng Tì dẫn bão hoà, do vậy điện trở R6 xác định trị số dòng điện
này, tỉr đây có:
R = HR6 = E——"'^D - *5 —2 _ J_L _ 27 5 Q (lưu ý khi van lực đấu Dalinhtơn thì
6
]B IB 0,4 0,4
điện áp UBE có giá trị sụt áp cỡ ỉ V mỗi bóng, như vậy khi nỏ gồm hai bỏng sẽ coi sụt áp khi dẫn là l—
2 V, tương tự như vậy ta lấy sụt áp trên các điôt D2 và D3).
TJ2 Ị Ị2
Chọn R6 = 27 Í2, công suất điện trở: PR6 = = 4,48 w, chọn công suất loại 10 w.
R(j 27
• Chọn bóng T3 và T2 loại BD135 có tham số: Icmax = 1,5 A; t'cemax - 45 V; p = (40 -ỉ- 250). Chọn
bóng có hệ sổ khuếch đại trung bình 80, lúc đó để bóng này mở bão hoà cần một đòng bazơ:
Ị 04
IhT, = “Tp- = = 5 mA, để đảm bào T3 mở boã hoà chọn dòng bazơ bàng 10 mA.
b
p 80
• Vì bóng T3 dẫn khi T1 khoá, đòng bazơ của T3 chính là dòng đi qua R3, từ đây có:
== = 21=950n ■en I, 0,01 0,01
• Chọn bóng TỊ loại BC107 có tham số Icmax = 100 mA; uceniax • 45 V; (3 = 110 + 450.
• Tính điện trớ Rf điện trở này vừa là tải của transistor trong phần tử quang, đồng thời là điện trở
xác định dòng bazơ của T2. Do đó nó bị hạn chế bời hai điều kiện giới hạn:

1. Khả năng mang tải tổi đa cùa transistor trong phần tử quang là 6 mA, tức là:
R, à-Ẽ- = -^- = 2,5.103Q = 2,5kí2
6.10"3

2. Phải đảm bảo bóng Tỉ mở boâ hoà để khoá van lực, tương tự như với bóng T3:
R = ^R1 E l^beTt ^teT3 15-1,5
Rj
- ]n 2 = = 27000 = 2,7 kf2
1
BT3 0,005 0,005
Vậy chọn R) = 2,7 kfì.
• Điện trờ R7 chi có tác dụng tạo dòng cho hai đỉốt D2,Đ3 nên không có đòi hỏi khắt khe, chọn
dòng qua nó là 10 mA, có:
E-2Un 15-2 .._
R7 --- ----, ----- = 7* —’í, = 1,3.103Q = 1,3kíì, chọn R? = 1 kí.
I I0.103
• Điện trở R4 có tác dụng tạo đường khoá cho T2, có thể chọn R4= 3 kíl
• Tụ Cj chỉ cỏ tác dụng đệm khi mở và khoá, chọn C] = 100 nF.
• Tụ c2 nhằm cung cấp năng lượng khoá, thường có giá trị 47 |tF.
Hỉnh 3.30 là sơ đồ khuếch đại xung điều khiển van BT dùng một nguồn và mạch Driver loại
M57915, gồm có các khâu:
• Khâu cách ly dùng phần tử quang điôt - transistor;
• Khâu phổi hợp sừ dụng hai bóng: T ] cho tầng khuếch đại công suất mở van Tj, và T2 riêng cho
tầng công suất khoá van (T4 và Tj).
• Môdun BT lực gồm 3 transistor T6, Tí, Ts mắc Dalintơn nên sụt áp tổng UBE cùa 3 van là hơn 2 V,
 vì vậy để tạo điện áp âm khi khoá cần mắc nối tiếp 4 điốt. Lưu ý là M57915 đã cỏ sẵn điện trở cho
cụm điốt tạo điện áp âm với giá ưị chế tạo 470 Í1
Điện áp nguồn điều khiển tối đa lả 14 V, thường lấy (7+9)V, dòng ra tối đa bằng 3 A.
Khi điều khiển BT lực dạng môđun với hệ số khuếch đại lớn, M57915 cho phép điều khiển vớỉ cỡ
dòng vài trăm Ampe. Còn có Driver M57916 là loại kép, chứa hai mạch như M57915, cho phép điều
khiển hai van lực hoàn toàn độc lập nhau nên cỏ thể sử dụng trong BXMC đảo chiều.
Khi dùng Driver việc tính toán chi đơn thuần là xác đinh điện trở hạn chế dòng bazơ R| và tính
nguồn điều khiển.

Hình 3.30. Sơ đồ khuếch đại xung cho BT sử dạng Driver M579Ỉ5

Thí du 3.11. Tính khâu khuếch đại xung để điều khiển van lực loại QM200HY-2H làm việc với
điện áp 400 VDC, dòng qua van lởn nhất 60 A.
Giải:
Van lực làm việc ờ điện áp cao nên phải dùng khuếch đại cách ly, chọn Driver M579Ỉ5L tàm khâu
khuếch đại xung. Chọn nguồn điều khiển 9 V cho Driver này.
Tra sổ liệu transisotr QM200HY-2H có các tham số cơ bản: Icmax= 100 A; Ưccmax= 1000 V; hệ số
khuếch đại p = 75; điện áp ube = 3,5 V.
Vậy theo điều kiện bão hoà cho bóng cần có:

R = (9-3,5)60 = 4 chọn điện trở R) = 4 Í1

1
p 75

Dòng điều khiển lớn nhất khi mở van: In = (E* 3’5) _ 13 75 A í giá trj này nh5
R1 4

hơn trị số tối đa cho phép (3 A).

Công suất điện trở. Điện trở chịu phát nhiệt ỉớn nhất nếu giả sử dòng Ib chảy liên tục:
PR = RIR = IO.1,3752 = 7,5 w. Chọn điện trở cồng suất 15 w.

Công suất nguồn điều khiển: pj) = EccIb = 9.1,4= 13,5 w, như vậy cần tính nguồn điều khiển với
mức công suất 15 w theo mục 1.22.
Hình 3.31 là một sơ đồ khuếch đại xung điều khiển BT sử dụng Driver M57950L nhưng dùng
nguồn điều khiển hai dầu. Có thể thấy cẩu trúc mạch tương tự các mạch trước: cách ly bằng quang kiểu
điổt - transistor; một tầng phối hợp (T1), hai khâu khuểch đại riêng: để mở van là T2,Ĩ3 với điện trở định
dòng là đề khoá van là T4,Ĩ5 với điện trờ hạn chế riêng R2. Nhằm ổn định điện áp cho khâu quang dùng
nguồn ổn áp tham sổ trên Dz.

Hình 3.31. Sơ đồ khểi khuếch đại xung dùng hai nguồn riêng
3.4.4.2. Khuếch đại xung điều khiển bóng MOSFET và ỈGBT lực

Đặc điểm điều khiển transistor MOSFET và IGBT là giống nhau, nhưng lại khảc nhiều so với điều
khiển BT. Yêu cầu điều khiển cho hai van này là:
• Đây là loại van điều khiển bằng điện âp không phải bằng dòng như BT: Khi dẫn bão hoà van cần
đặt điện áp dương trên cực điều khiển (12 -ỉ- 15)V; còn khi khoá điện áp trên nó lại âm (•5 -í- -
8)V. Như‘vậy ờ trạng thái ổn định, dù là khoá hay dẫn, nó chi cần điện áp mà không đòi hỏi có
dòng điều khiển, tức là công suất điều khiển ở trạng thái này là không đảng kể.
• Tuy nhiên để van chuyển trợng thái, từ khoá sang dẫn và ngược lại từ dẫn sang khoá, buộc phải
cấp dỏng cho cục điều khiến của van. Điều này do giữa hai cực GS (MOSFET) hay GE (IGBT)
tồn tại một điện dung hay một tụ điện giữa hai cực này, dẫn đển:
■ Khi van đang ở trạng thái khoá, điện áp điều khiển âm nên tụ điện này đang có giá trị
âm. Để mở van, điện áp đều khiển buộc phải đảo dẩu chuyển từ âm sang dương bằng
cách đưa dòng điện vào nạp đảo ngược cực tính trẽn tụ điện này.
■ Điều tương tự cũng xảy ra khi van chuyển từ dẫn sang khoá.
 • Để hạn chể dòng phón g- nạp tụ điện cần đưa vào cực điều khiển các điện trở hạn chế Ron, Roff.
Như vậy mạch nối trực tiếp với cực điều khiển MOSFET và IGBT sẽ có dạng như hình 3.32.

Giá trị các điện trở này quyết định tóc độ chuyển trạng thái cùa van và buộc phải có để đàm bào an
toàn cho van, nhà sản xuất thường cho chỉ dẫn về giá trị điện trở này cùa từng loại chế tạo, tuy nhiên giá trị
cụ thể còn do chế độ hoạt động ảnh hưởng. Thỉ dụ:
• Nếu tải là động cơ điện thì phải tăng thời gian mở cho van để ưánh các xung dòng ở chế độ khởi động
hay giảm tốc của động cơ.
• Với tài có điện cảm lớn, để tránh các xung áp khi van khoá lại cần tăng thời gian chuyển từ dan sang
khoá.

a).hện chề mỡ b). hạn chề

khóa.

c). hạn chềmớ-khóa

chung đường vào

Hình 3.32. Các điện trở hạn chề dòng điều khiển

Vì vậy tuỳ theo từng trường hợp cụ thể mà có thể dùng một trong các sơ đồ ở hình 3.32.
Điện áp cực Gate cũng không được phép vượt quá 20V, do đó nểu cần thiểt phài dùng biện pháp
bảo vệ như dùng điôt và tụ hay cụm hai điồt ổn áp đấu đối đầu và mẳc song song vởi cực GE của transistor
như thể hiện ở sơ đồ hình 3.32d.
Băng 3.5. Thí dụ về trị số điện trở cực Gate
Eupec: FPxxRI2KE3 15 25 40 50 75 A
Rgate 75 36 27 18 5 n

lpeak (dòng lg đình ) 0,2 0,4 0,55 0,8 3 A

FUJI: 6MBIxxS-120 10 15 25 35 50 75 100 A

Rgate 120 82 51 33 24 16 12 n

Ipeak ( dòng Ig đỉnh ) 0,12 0,2 0,3 0,45 0,6 0,9 1,3 A
Công suất tài 1,5 2 3 4 5 7 11 15 kW
Semikron

SKM xxGA123, cữ dòng 75 100 150 200 300 400 500 A

Rg(on) 22 15 12 10 8,2 6,8 5,6 Q

Rg(off) 22 15 12 10 8,2 6,8 5,6 Q

Do tính ưu việt của MOSFET và nhất là IGBT nên chúng được ứng dụng rất rộng rãi trong lĩnh
vực điện từ công suất. Cũng vỉ thế các hãng cũng chể tạo nhiều loại mạch điêu khiên (Driver) cho các
van này, hình 3.33 và hình 3.34 là một số thỉ dụ về điều khiển IGBT.
 Các sơ đồ khuếch đại xung hình 3.33 được xây dựng theo nguyên lý chung của mạch điều khiển
van và chể tạo sẵn để ứng dụng cho IGBT. Khi Driver chỉ có một tầng khuếch đại thì chi úng dụng trực
tiếp cho van dòng không lớn (hình 3.33a), với van dòng lớn hem cần đưa thêm tầng khuếch đại (hình
3.33b). Với Driver có khuếch đại công suất gồm nhiều tằng có thể ứng dụng cho IGBT với phạm vi mở
rộng hơn.

b) Sơđổ khuôch đai xung đìổu khiến IGBT toại đốn 4O0A

M57958L : 4OOA - ÔOOV ; 2OOA - 14OOV

Hình 3.33. Khuếch đại xung cho ỈGBT dùng nguồn riêng
Để tăng tốc độ truyền xung, trong Driver có thể sử dụng bỏng MOSFET như hình 3.33c, với các
van lực công suất lớn đòi hỏi dòng điều khiển mạnh trong thời gian ngắn, vỉ vậy cần thêm các tụ trữ năng
lượng mẳc sát cạnh Driver khi nguồn điều khiển không được bố ưí cạnh nó.
Hai nguyên tắc lắp ráp cần đàm bào là:
• Dây nối với IGBT phải ngắn nhất có thể và với tiết diện dây lớn, thực tế cho thấy điện càm của
dây dẫn cũng gây nên hiện tượng đột biến áp khi van khoá.
• Dây nối cho IGBT phải được nối riêng, nhất là dây đất, tức là không dùng chung với các phẩn
mạch khác để tránh ảnh hưởng lẫn nhau cùa đường đất chung.
Các mạch Driver đơn giàn thường chỉ làm nhiệm vụ truyền cách ly và khuếch đại công suất xung.
Tuy nhiên để van hoạt động an toàn trong mọi trường hợp, kể cả các hiện tượng như quá tải hay ngắn
mạch cần phải có thêm các khâu bào vệ cho bàn thân van. Đễ đáp ứng điểu này, công nghiệp cũng chế
tạo các mạch Driver có thêm chức năng bảo vệ và chi thị như ở sơ đồ hình 3.34.
Quan trọng hơn cả là mọch chống quá dòng, khi van trong trạng thái dẫn mà dòng qua van lớn hơn
tính toán sẽ làm transistor ra khỏi bão hoà làm đến điện áp trên van tăng lên. Như vậy nếu có khâu theo
dõi điện áp UCE của bóng thì sẽ phát hiện được khi van đang phải dẫn mà ƯCE tăng hơn mửc ngưỡng
qui định thì tác động để khoá IGBT lại, và cũng thông báo trạng thái này ra ngoài.
 Các mạch Driver dùng cách ly quang đều đòi hỏi phải có hai nguồn cho điều khiển ở phía van lực
vì phần tử quang này không thể truyền năng lượng, như vậy mạch sẽ cồng kềnh hơn, nhất là khi mạch
lực có nhiều van phải cách ly nhau thì sổ lượng nguồn sẽ lớn. Vì vậy một số hãng đã chế tạo Driver dùng
cách ly bằng biến áp và đồng thời lấy công suất qua hệ chuyển đổi nguồn DC/DC cùng cách ly từ một
nguồn điều khiển chung. Hình 3.34b là một thí dụ như vậy, tuy nhiên mạch nguyên lý khá phức tạp và
vấn để thiểt kế chế tạo biến áp xung cũng rất đặc biệt.

Hình 3.34, Một sế sơ đồ Driver điều khiển ỈGBT

Hỉnh 3.35a là sơ đồ cẩu trúc của Driver TD350 cho van IGBT/MOSFET, các tham sổ chính ở
hỉnh 3.35b và hai thí dụ đấu mạch ứng dụng ờ hỉnh 3.35c,d. Mạch có thể chạy với một nguồn hoặc hai
nguồn cung cấp.
 H
00 Chân IC
Tèo ctíe nâng dốc đĩỂrri
I—
IN Un htèu vào .
MùcBgic"0' £1V ■n

EBOOKBKMT.COM
1
Mùc lổgc ■ 1' à 4V »
2 VREF điôn áp chuổn 5V , dùng max 10mA B
&
3 FAULT B&o éi UVLO hay DESAT Bỉnh thường múb cao Có lõi mÙD tháp :
IV s-
4 NC Không dùng khing dùng .ro
5 COFF Tụ điện trỏ ngắt lOOpF +330pF >
e NC Không dùng không dùnq
7 LVOFF Met điên ảp ngắt 2,5V
c
8
9
GND
CLAMP
điẽni chung (đát)
Khoá ghim đáu ra NgtCng 2V. dòng max 500mA
<
10 VL Nguồn âm Max : -12V (chuẩn-10V) 5
11 OUTL aẩu ra mò van (on) = (VL + 3 )V, dòng max 1.5A 4—r
12 QUTH đáu ra khoé van (off) =( VH - 4 ịv. ding ĨTBX 2.3A BS'
c
13 VH Njjuon dưbng Max . 2ỐV ( chuấn *16V) »—*
•»>
fBx
14 OESAT Bao vê van không bẾữ hrè Ngveng ngắt 7.2V
Chứ ý : V- Tốog điệítáp a.guổa dvoạg - âm nhỏ hoo 28V: (VH-VL) s 28V
B
2/. Bảo vẹ <Sệa áp thấp (UVLO) lãíu tágơ Schmitt: trfta Ỉ1V, dwâi : iOV. 3/. Thời 15
24»»etOFF gian, ttẽ agảt; ĩ =0,7Rcff.CbfF (s).
... L
miMi
L:

tOOpF -I-

vtrf SV io16V T Ũ
Rs (on)

NCŨ NC 2Rg(orf)

HC r

Hình 3.35. Driver TD350 và ứng dụng: a) Sơ đồ cấu trúc; b) Các tham số kỹ thuật chinh; c) Sơ đồ ứng dụng dùng cách ly quang với nguồn hai
dấu (đương - âm), cỏ bào vệ quá dỏng; d) Sơ đồ ứng dụng dùng biển áp xung với nguồn một dấu dương, có gài mợch chét (Cỉamp)
 3.5. MẠCH ĐỆM BẢO VỆ TRANSISTOR (SNUBBER CIRCUIT)

Mạch đệm, còn được gọi là mạch hỗ trợ, là các phần tử được đấu thêm cạnh transistor nhằm hỗ trợ
cho, van chủ yểu là trong các giai đoạn khoá - mở của nó. Vì vậy nhiệm vụ chính cùa mạch này là:
• Bảo đảm transistor luôn trong vùng làm việc an toàn (SOA - Safe Operation Area).
• Hạn chế các tổc độ tăng áp du/dt và dòng điện di/dt.
• Hạn chế các xung áp và xung dòng.
• Giàm tồn hao công suất trong quá trình đỏng - mở van.
• Chuyền sự phát nhiệt trên transistor sang các phần từ hỗ trợ.
• Giảm sóng nhiễu phát sinh khỉ transistor hoạt động.

Hiện nay có hai mạch đệm hay được dùng là mạch RC (điện trờ mắc nối tiếp ty điện), và RCD (điện
trở - tụ - điôt). Các mạch này được đấu song song với transistor.
Nhiệm vụ quan trọng nhất cùa mạch đệm là nhiệm vụ thứ nhất, tức là bảo đảm an toàn cho transistor
để không bị hỏng khi làm việc ờ bất cứ chế độ nào, các nhiệm vụ khác là phụ và thường là mâu thuẫn
nhau. Công suất hệ càng lớn thì việc tính toán mạch đệm càng phải cẩn thận hơn, vì công suất tổn hao là
lớn cả trên transistor và trên mạch đệm.

3.5.1. Qui luật chung trong quá trình mờ - khoá transistor ờ mạch băm xung

Khi transistor làm việc, có hai quá trình với tính chất khác nhau cần phân biệt:
Các giai đoạn làm việc chính có thời gian lớn: đó là khi transistor chì ở trạng thái dẫn (khoảng t0)
hoặc khoá (từ t0 đến T).
Các giai đoạn khi transistor thay đổi trạng thái từ khoá sang dẫn và ngược lại gọi là thời gian chuyển
mạch, thời gian này xảy ra nhanh và nhỏ hơn nhiều các giai đoạn làm việc chính.
Lúc đỏ, khi chỉ xét qua trình chuyển mạch của các van bán dẫn, có thể coi rằng trong giai đoạn
chuyển mạch thỉ:
• Dòng điện đi qua điện cảm tải Lt là thay đổi không đáng kể, nên có thể thay thể nó bằng một nguồn
dòng có trị sổ l(>‘r l[.t-
• Điện áp trên tụ điện cũng thay đồi không đáng kể, nên có thể thay thể bàng một nguồn sức điện
động có trị số bằng điện áp trên tụ: E = uc.

Chấp nhện hai già thiết này cho phép qui các sơ đồ băm xung một chiều khác nhau về một sơ đồ
chung khi xem xét giai đoạn chuyển mạch van, điều này thể hiện ở hình 3.36.
Trong sơ đồ hình 3.36a là BXMC kiểu nối tiếp, nhưng có di chuyển vị trì các phần tử mà không
làm thay đổi tỉnh chất mạch, sơ đồ thay thế trong giai đoạn chuyền mạch đã thay điện càm Lt bằng nguồn
dòng l0, còn Eo thay cho chính nguồn E.
Trong sơ đồ hình 3.36b là BXMC kiểu song song với sơ đồ thay thế trong giai đoạn chuyển mạch,
trong đó điện cảm Lt bang nguồn dòng ỉ0, còn Eo thay cho điện áp trên tụ điện c.
 Hình 3.36. Sffđầ thay thể MXMC trong giai đoạn chuyển mạch

a) Loại nối tiểp; bj Loại song song; c) Loại nối tiếp - song song

Trong sơ đồ hình 3.36c là BXMC kiểu nối tiếp - song song với sơ đồ thay thế trong giai đoạn chuyển
mạch, trong đỏ điện cảm Lt đã thay bằng nguồn dòng Io, trong trường hợp này Eo thay thế cho tổng của
điện áp nguồn E và cùa điện áp trên tụ: Eo = E + Uc khi so sánh với hai sơ đồ trước.
Điều này khẳng định sơ đồ thay thế giai đoạn chuyển mạch ỉà chung cho các bộ BXMC và đều cỏ
dạng hình 3.37a.
Phân tích mạch này cho dạng dòng điện coỉectơ ic qua van, điện áp trên van UCE ở hỉnh 3,37b, Theo
đồ thị này lúc van mở ra dòng điện Io
trước đấy chày qua điốt sẽ chuyển dần
sang van (lo = Ic + ID), dòng qua van sẽ
tăng tuyến tính từ không đển
Io. Chì khi dòng điện này đạt giá trị Io
thỉ dòng qua điôt mới về không và điôt
khoá lại, Điện áp trên transistor luồn ổn
đinh giá tri bằng E chừng nào điốt cỏn
dẫn và chi khi điốt khoá lại mới bắt đầu
giảm dần từ E về đến không.
Khi van chuyển từ dẫn sang khoá
quá trinh xảy ra với chiều thời gian Hình 3.37. Sff đồ thay thể giai đoạn chuyền mạch và
ngược lại. đầ thị biển thiên điện áp vổ đòng điện van.
Đồ thi chuyển mạch cho thấy tồn
tại những giai đoạn mà cả điện áp trên
van và dòng qua van đều có giá trị lởn. Quá trình chuyển mạch như vậy gọi là chuyển mạch “nặng nề” có
tổn hao chuyển mạch lớn. Hơn nữa, thực tế trong mạch còn có các phần tử ký sinh Lp, Cp (hình 3.37c)
dẫn
đến những dao động khi van đóng/ngắt: làm xuất hiện xung dòng khi van mở và xung áp khi van khoá lại
như hình 3.37d.
Thực tế cho thấy ảnh hưởng của điện cảm ký sinh là đáng kể và phải có các biện pháp hạn chể giá
tộ này. Thí dụ một dây dẫn thẳng, dải 20cm với tiết diện để chịu dòng điện 10 A có điện cảm 200 nH, lức
đó với tốc độ biến thiên dòng điện thường thấy khi transisotr chuyến mạch vào khoảng 400 A/ps sẽ làm
xuất hiện một đột biển điện áp khoảng 80 V. Có thể ước lượng điện cảm dây theo biểu thức gần đúng sau:
Lp = 0,2 Vĩ. 10 6 H = 0,2Vĩpiỉ (3.41)

Nếu dây dẫn không để thẳng mà quấn tròn thì điện cám tăng gấp 2,5 lần.
Điện cảm lớn gây hiệu ứng tích luỹ năng lượng đáng kể, đặc biệt khi tần số làm việc cao vi chúng
tỉ lệ thuận với nhau: WLP = 0,5fLI2, như đoạn dây dẫn để thẳng dài 20 cm dẫn dòng 100 A vớỉ tần số
chuyển mạch 20 kHz có năng lượng tích luỹ băng 20 w, nếu dây dài 40 cm bị quấn tròn sẽ tăng thành 100
w. Vì vậy điện cảm của dây dẫn phải hạn chế theo bảng 3.6
Băng 3.6. Bảng điện cảm dây dẫn và giá trị cho phép
Phạm vi dòng điện (A) Điện cảm dây dẫn lụrc ( nH) Điện cảm đây dẫn mạch đệm ( nH )

15 4-75 <200 <70

100 + 200 <100 <20
300 + 400 <50 < 10
600 <30 <7
3.5.2. Mạch đệm kiểu RC

Mạch RC mắc song song với van hình 3.38b cho phép giảm tổn thất chuyển mạch cũng như giảm
xung áp trên van. Trong sơ đồ này, nối tiếp với transistor T là điện càm ký sinh Lp và song song là tụ ký
sinh Cp. Mạch hỗ trợ Rs, Cs mắc song song van.
Điện trờ Rs chọn từ điều kiện Io=Eo/Rs tức là: (3.42)

lúc đó khi van đang dẫn với dòng lo và chuyển sang khoá lại thỉ dòng
điện này chuyển sang chây ngay qua mạch đệm, nên điện áp trên van
vẫn được giữ ở trị số Eo.
Tụ điện Cs được chọn để làm tắt dẩn dao động phát sinh khi
chuyển mạch. Muốn vậy giá trị cùa tụ không được nhỏ hơn hai lần trị
số tụ ký sinh Cp, vậy:
cs > 2Cp (3.43)

Công suất điện trở Rs chọn theo điều kiện tiêu tán năng lượng
tích luỹ ở tụ Cs
Wc=|csE2 (3.44)
Hình 3.38, Mạch đệm RC
với tần sẻ đóng cẳt là fs thỉ: (3.45)

Thí du 342, Transisistor MOSFET làm việc với lo= 10 A, Eo = 200 V; fs - 50 kHz; tụ ký sinh
của bóng CDSS = 210 pF.
a. Tính Cs. Cs = 2CDSS = 2.210pF = 420 pF; chọn tụ tiêu chuẩn Cs = 470 pF.
b. Tính Rs.

R_= — = = 20Í2 , chọn điện trở chuẩn 20

Io 10

Công suất điện trở.

PR
I470.10"12.2002.5.1 o4 - 0,47w , chọn công suất điện trờ 2 w.

3.5.3. Mạch đệm RC tối ưu

Phương pháp tính RsCs tối ưu của McMuray:

Các tham số biết trước ; Eo, lo, Lp. Mục đích xác định Rs, Cs với đỉnh xung cho phép,
trong đó: E, - điện áp đỉnh khi van klioá; E]/Eo - điện áp đỉnh tương đổi.

In L 1»
0
: hệ sổ dòng ban đầu; xồ = ■ tì sổ năng
E0/z0 CSE0
lượng ban đầu trong Lp và ở Cs.

Để tính trị số Rs và Cs cần sử dụng

đồ thị trên và tiến hành theo như sau:
1. Xác định các số liệu Eo, lo, Lp (du/dt yEws
theo sơ đồ mạch điện.
‘El/E 0
2. Chọn giá trị điện áp đỉnh mong 1
1
muổn hoặc cho phép. 1

>
3. Tính giá trị E]/ Eo . ít
1

4. Theo đồ thị tra các trị số Xo và 1

1
1^0. 1
1
1
5. Tính Rs và Cs theo Xo và So. 1
í
Thí du 343, Tính toán theo sổ liệu
ít X
của thí dụ trên, biết: *
1
o
lo = 10A; Eo = 200V;fs = 50kHz; tụ ký J
0,1 0,2 0,4 0,6 0,8 i 2 4 6 B 10
sinh cùa transistor là CDSS = 210pF, và Lp
= IO|1H. Đỉnh xung Hình 3.39. Đồ thị xác định các tham số mợch bào vệ RC
điện áp cho phép Eị = 400 V.
 Giải
Ta có: E|/Eo = 400/200 = 2.
Từ giá trị này tra theo đồ thị hỉnh 3,39 xác định được: Xo=l,9 và co = 0,52, Từ đây có:
= 43.10"12 = 43 pF, chọn tụ tiêu chuẩn: cs = 47 pF

= 151Q , chọn Rs =150 ti.

Đồ thị trên chưa tính đến thời gian đóng/ngẳt hữu hạn cùa transistor và tụ, vì vậy muốn biết chính
xác cần tiến hành các khào sát mô phỏng kỹ lưỡng hơn.
Theo phương pháp này, các giá trị Eữ và Io có thể xác định theo cách giải mạch, tuy nhiên giá trị
Lp thì khó hơn.
Có hai cách để tìm giá trị Lp này:
a. Bằng thực nghiệm:
Cho van chuyển mạch và đo chu kỳ dao động T[ cùa điện áp trên van,
Mắc một tụ điện thừ Ctest song song với transistor và tiến hành đóng ngắt van để đo chu kỳ dao
động T2 của lần thử thứ 2 này,
L,=(T’-T’i-1— ì (3.46)
c
test)

b. Có thể xác định Lp theo điện áp kiểu bước nhảy trên van Ustep (UCE hoặc ƯDS) khi van mở
với tổc độ tăng dòng di/dt:

L “ ^step
(di/dt)

3.5.4. Mạch đệm kiểu RCD

Nhìn chung, trong thực tế, mạch đệm RC thường phù hợp cho các van đíôt, thyristor, TRIAC, Với
các van điều khiển hoàn toàn như BT, IGBT, MOSFET thì mạch RC thường chưa đạt hiệu quả mong
muốn; vỉ vậy các van loại này thường được dùng mạch đệm kiểu RCD hoặc đồng thời cả hai mạch RC
vả RCD.
Mạch RCD ưu việt hơn mạch RC ở ba điểm:
• Cho phép giảm xung điện áp đỉnh;
• Giảm tổn thất chuyển mạch trên van và trên mạch đệm;
• Đảm bảo van lảm việc trong vùng an toàn chắc hơn..

Trong mạch đệm này, điện trờ Rs chỉ tham gia khi tụ cs phóng điện qua van mà không ảnh hường
tới quá trinh giảm xung áp đỉnh, vì vậy trị số Rs cỏ thể chọn dễ dàng hơn. Song khi nạp, tụ c
sẽ nạp qua điôt mà không qua điện trớ, vỉ vậy cỏ thể điện áp E1 sẽ lớn hơn so với mạch RC khi được tỉnh
toán tối ưu kỹ lưỡng.
Bản chất vấn để ở đây là: khi van bắt đầu khoá, điện áp trên van tăng chậm trong khi dòng bắt đầu
giảm đi do đã chuyển sang mạch điôt và tụ. Như vậy van sẽ chuyển mạch an toàn và tổn hao đóng/cắt
giảm đáng kể.
Tuỳ theo giá trị của cs mà điện áp có thể tàng tới trị số Eo trước hay sau thời điểm dòng về không.
Nếu dòng về không mà áp cũng tăng vừa đến Eo thi cs =cn , trong đó:

Cn = -ịsb. Ị với ts là thời gian khoá cùa van. (3.47)

2E0

Quan hệ giữa tôn hao công suât tông (tổn

thất trên van và trên mạch đệm) phụ thuộc vào tỉ
sổ cs/cn được thể hiện trên hình 3.40.
Theo đó khí cs cảng lớn thì tổn hao trên
mạch đệm càng cao nhưng tổn thất đóng/ngắt lại
giảm. Giá trị tối ưu về tổn thất tương ứng điểm
Cs/Cn = 0,45. Vì thể khi muốn giảm tối đa tổn hao
có thể chọn cs = 0,5Cn, còn chọn Rs chỉ theo điều
kiện phóng hết điện áp cùa tụ trong khoảng van
dẫn. Hằng sổ thời gian phỏng của tụ là CSRS, nên
thường lấy:

Khi có điện cảm ký sinh Lp trong mạch sẽ

làm xuất hiện dao động điện áp lúc van khoá, vì

vậy vấn đề chọn lựa cho tối ưu phức tạp hơn do

phải tìm được một giả trị tụ thoá mãn cả yêu cầu
về đình xung và giảm tổn thất.
Công suất điện trở có thể tính theo biểu thức sau:
PR = 0,5.f.(LpI2 + CSEQ) (3.49)

Thí du 3.14, Tính mạch đệm RCD cho transisotr làm việc trong băm xung một chiều biết:

Io = 20 A; Eo = 200 V; ts = 1,2 ps; fs = 20 kHz với phạm vi điều chinh Ỵ = (0,1 -ỉ- 0,9).
Giải:
Theo (3.47 ): Cn = j^s. = 1 00J;2'’° = 0,3.10^ F = 0,3pF , chọn tụ cs = 0,5Cn *= 0,15 pF. 2E0 2.200
Với tần sổ băm xung là 10 kHz sẽ tương ứng chu kỳ làm việc;
T = ị = 77-777 = • 10’3 = 1 OOps
f 10.103
 Thời gian transistor dẫn ngẳn nhất tương ứng với Y = 0,1, suy ra ton = 0,1.100 gs =10 |XS. Do đỏ trị
số điện trở theo (3.48) bằng:

ton 10. lũ'6

Rs = = 33,3 íì
2CS 2.0,15,10“6

Công suất điện trở tính theo (3.49) với già thiết điện cảm ký sinh không đáng kể:
- 0,5fCsEổ = 0,5.10.1030,i5.10'6.2002 =30 w

Việc sử dụng mạch đệm cho thấy, tuy có khả năng đảm bào cho van làm việc nhẹ nhàng hơn,
nhưng việc tính toán các trị sổ mạch đệm là khá phức tạp và chưa chắc đã đạt được hiệu quà mong muốn:
đồ thị hình 3.41 cho thấy sự phụ thuộc rõ rệt của đỉnh điện áp khi van khoá vào giá trị điện trở Rs (mạch
đệm RC) hay tụ cs (mạch đệm RCD). Vì thế với các van có khả năng chịu được tốc độ tăng dòng (di/dt)
và tốc độ tăng áp (du/dt) lớn trong khi tần sổ làm việc không quá cao (dưới vài chục kHz) thì có thể bỏ
không dùng mạch đệm, để van làm việc ở chể độ chuyển mạch nặng nề. Chì khỉ van làm việc với tần số
cao hơn, tổn thất chuyển mạch lớn thì buộc phải dùng mạch đệm.
Xu hướng hiện nay là phát triển công nghệ chể tạo van có thể hoạt động không cần mạch đệm.

Hình 3.4ỉ. Đồ thị biển thiên điện áp trên van khi khóa với mạch đệm khác nhau
a) Mạch đệm RC với giả trị Rs khác nhau; b) Mạch đệm RCD với trị số Cs khác nhau;
c) Đồ thị tương quan cả hai loại mợch đệm.

3.6. BẦM XUNG MỘT CHIỀU CÓ ĐẰO CHIÈU

Bộ biến đổi xung áp một chiều dùng van điều khiển
hoàn toàn hình 3.42 có khà năng thực hiện điều chỉnh điện áp
và đảo chiều đòng điện phụ tải. Trong các hệ truyền động tự
động thường có yêu cầu đảo chiều động cơ, do đó bộ biến đổi
xung áp loại này thường hay dùng để cẩp nguồn cho các động
cơ một chiều kích từ độc lập có nhu cầu đảo chiều quay. Hoạt
động của sơ đồ phụ thuộc vảo cách phối hợp điều khiển 4 van
lực, có ba phương pháp được dùng :
1. Điều khiển riêng.
Hỉnh 3.42. Băm xung^ một chiều
đảo chiều sơ đồ cầu
 2. Điều khiển không đối xứng.
3. Điều khiển đối xứng.
3.6.1. Băm xung một chiều đào chiều dùng phương pháp điều khiền riêng
3.6.1.1. Nguyên lý

Trong phương pháp này các van được chia thành hai nhóm Tri, Tf2 và Tr3, Tr4. Hai nhóm không
làm việc đồng thời, mỗi nhóm phụ trách một chiều của dòng điện tải và chỉ hoạt động khi cần chiều dòng
do nhóm phụ trách. Đen lượt mình, trong mỗi nhóm các van cũng không chạy giống nhau, thường một
van luôn luôn được điều khiển mở, chỉ có van còn lại được đóng - ngắt theo nguyên lý băm xung chung
đã đề cập ở đầu chương.
Hình 3.43a là sơ đồ thay thế khi BXMC cấp dòng điện dương cho tải, lúc đó hai van Tr 3, ĩr4 hoàn
toàn bị khoá, không hể tham gia vào hoạt động của mạch. Đồ thị làm việc trên hỉnh 3.43b ở trạng thái
van Tr] luôn dẫn còn Tr2 được băm xung.
Trong khoảng (0 -ỉ- to), dòng điện i] chảy từ nguồn E qua Tri - tải - Tr2 rồi về nguồn, nên ta có Ut
-E
Trong khoảng từ to
đến T, điều khiển khoá van
Tri, dòng điện buộc phải
tiếp tục chảy theo chiều cũ
nên dòng i2 này sẽ chảy
vòng qua điôt Dỉ, có nghĩa
tải bị ngắn mạch vả do đó
Ư(= 0. Nếu trong giai đoạn
này năng lượng tích luỹ ở
điện cảm đã kịp phóng hết
thì dỏng tải về được đến
không vả mạch sẽ rơi vào
chế độ dòng điện gián đoạn.
Như vậy hoạt động
của sơ đồ hoàn toàn giống Hình 3.43. Băm xung một chiều đảo chiều, điều khiển riêng
với BXMC không đảo
chiểu, do đó các biểu thức và phương pháp tính toẳn không có gì thay đổi so với mục 3.3.1.
Khi BXMC phải làm việc ở tần số cao có thể giâm tần số đóng - ngắt van hai lần so với tần số băm
xung bằng cách cho haỉ van cùa một nhỏm lần lượt hoạt động như hỉnh 3.43c.
Để dòng điện tái đảo dấu sang âm, cần khoá hẳn nhóm Trj, Tr2 và để nhóm van Tr3, Tr4 hoạt động:
van Tr3 luôn dẫn và Tr4 đóng - ngắt theo nguyên lý băm xung như hình 3.43d,
3.6.I.2. Điều khiển

Khối điều khiển cửa BXMC đảo chiều phải điều hành hoạt động của 4 transistor lực để vừa đảo
chiều được dòng tải, vừa điều chình được điện áp ra tải. Do đỏ so với sơ đồ cấu trúc cùa BXMC không
đảo chiều (hình 3.16) phải có thêm khâu phân phối xung cho các van theo đúng qui luật mở - khoá van
cùa phương pháp điều khiển được sử dụng, số lượng khâu khuếch đại xung cũng tăng lên bằng với số
lượng van lực.
Hình 3.44a là sơ đồ cấu trúc chung của mạch điều khiển BXMC đảo chiều theo nguyên lý điều
chình độ rộng xung (PWM) cho một chiều dòng tài. Đe điều khiển hai chiều dòng tải cần có khâu xác
định chiều dòng điện theo tín hiệu chủ đạo (Ucđ) để cho phép khối điều khiển của từng chiều hoạt động.
Khâu này sử dụng hai OA làm bộ so sánh điện áp chủ đạo với điện áp ngưỡng đặt bởi biến trờ P1
và P2:
• Khi điện áp chù đạo dương và ucđ > ung (đặt nhờ Pl) thỉ OA2 lật lên mức cao, tương ứng logic “1”
cho phép nhóm thuận Tr(, Tr2 hoạt động.
• Khi điện áp chủ đạo âm và Ucđ < Ưng (đặt nhờ P2) thì OA3 lật lên mức cao, tương ứng lôgic “1”
cho phép nhóm thuận Tr3, Tr4 hoạt động.

Hỉnh 3.44. Sơ đồ cẩu true mạch điều khiển băm xung một chiều cỏ đảo chiều

Đồ thị hình 3.44c minh hoạ sự hoạt động cùa khâu xác định chiều dòng này, qua đó ta thấy biển
trở P1 và P2 nhằm tạo “vùng chểt” là khoảng mà cà hai chiều đều không hoạt động, tương ứng cả hai
đầu ra của khâu này đều ờ mức logic “0”: U r “ U'N - 0.
 Mạch sử dụng hai khối xác định to riêng cho từng chiều dòng điện nếu như đặc tính điều chình ở
hai chiều khác nhau.
Neu đặc tính điều chỉnh hai chiều như nhau thì chỉ cần một khối xác định to chung, tuy nhiên phải
thêm khâu giá trị tuyệt đối cho điện áp chủ đạo trước đầu vảo khối vì nói chung khối xác định to chì làm
việc với một dấu qui định cùa điện áp chủ đạo.
Để đàm bảo độ chính xác cao nên dùng mạch ỉặp OA sau biển trở Ucđ (trên sơ đồ hình 3.44 không
thể hiện).

3.6.2. Băm xung một chiều đảo chiêu dùng phương phấp điêu khiển đổi xứng

3.6.2.1. Nguyên lý

Trong phương pháp này các van cũng được chia thành hai nhỏm Trj, Tr2 và Tr3, Tr4; tuy nhiên
chúng cùng hoạt động ờ bất cứ chiều dòng tải nào. Van cùng nhỏm được điều khiển như nhau (cùng mở
hoặc cùng khoá), nhưng hai nhỏm lại được điều khiển trải trạng thái: điều khiển mở nhóm này thì phải
điều khiển khoá nhóm kia và ngược ỉại.
Hình 3.45b là đồ thị điều khiển 4 van, qua đó có:

Trong khoảng (0 -ỉ- to): Tri, Tr2 mơ còn Tr3, Tr4 khoá nên Ut = E.
Trong khoảng t = (to < T): Tr3, Tr4 mở còn Tri, Tr2 khoá nên ut = - E.

Hình 3.45. Băm xung một chiều đảo chiều điều khiển đểixứng

Do đó điện áp ra tải có qui luặt điều chỉnh khác:

1 Tr 1 * °r T- 1
ut =|furadt=ệ( jEdt+ J-Edt)=lE(t0-T-t0) = (2^-l)E = (2Y-l).E (3.50)
0 0 tô

Biểu thức này cho thấy:

• Với Ỵ > 0,5 thì Ưt dương,
• Với y < 0,5 thì ut âm,
• Với y « 0,5 thì điện áp tải bàng không.

Như vậy vẫn chi điều chỉnh tham sổ y trong phạm vi (0 -ỉ- l) .đã làm điện ảp ra tải không những
thay đổi về giá trị mà cà về dấu, tức ỉà đảo chiều được.

Tuy vậy, nguyên lý điều khiển nêu trên chưa phản ánh quá trình vật lý xảy ra thực sự trong mạch,
ta xem xét lại quá trình hình thành dòng điện ra với tải tổng quát RLE .
 Trong khoảng (0 -í- to): Tr(, Tr2 mở còn Tr3, Tr4 khoá nên dòng điện từ nguồn E qua Trj - tải - Tr2
rồi về nguồn (hình 3.46a), nên ta có ut = E.
Vào thời điểm to, hai van Trlt Tr2 bị khoá, Tr3, Tr4 được điều khiển mở, song do dòng điện vẫn
phải chày theo chiều cũ (do tài có điện cảm) nên dòng điện không thể đi ngược qua Tr3, Tr4 mà buộc phải
chày qua các điôt đấu song song với chúng như hình 3.46b.
Như vậy trong giai đoạn t = (to 4- T) năng lượng tích luỹ ớ điện cảm được trả về nguồn E, bấy giờ
có hai khả năng xảy ra:
• Nếu năng tượng tích luỹ ớ điện cảm LỊ đù lớn và không kịp tiêu tán hết thì dòng điện không thể về
đển không, do đó chi có điôt D3, D4 dẫn toàn bộ khoảng này cho đển khi các van mở trở lại ở đầu
chu kỳ.
• Nếu năng lượng tích luỹ không lớn thì nỏ bị tiêu tán hểt trước thời điểm T, dòng điện kịp về đến
không. Tuy nhiên do các van Tr3, Tr4 đang điều khiển mở nên đển lúc nảy dòng tải sẽ đáo dấu,
nguồn E lại cấp năng lượng ra tài. Đến thời điểm T khi nhóm Tr 15 Tr2 mở trở lại, dòng điện tài
đang âm nên lại không đảo chiều được ngay, buộc phải chảy qua các điốt Dj, D2. Chỉ đến khi năng
lượng trên điện cảm hét, dòng mới đảo về giá trị dương.

Hình 3,46, Băm xung một chiều đảo chiều điều khiển đổi xứng, các chế độ đòng điện

Hai đồ thi cuối ở hình 3.46c thề hiện trạng thái dòng điện của chỉnh các trường hợp vừa nói. Như
vậy với phương pháp điều khiển nảy không thể có chế độ dòng điện gián đoạn, dòng tải sẽ liên tục chảy,
hoặc theo chiều này hoặc theo chiều kia. Nếu điện cảm lớn mạch sẽ hoạt động ở chể độ 4
van (hai transistor, hai điốt) và dòng điện không đảo chiều, ngược lại cà 8 van đều chạy và dòng điện tài
bị đảo chiều.
Quí luật biến thiên dòng tải khác trường họp BXMC không đảo chiều và phức tạp hơn.

Trong khoảng (0 4-to):

E-E
trong đó: I01 = —k; I02 = (3.51)
R
t
t
Trong khoảng t = (to-ỉ-T): i2 = -IOĨ + (ĨOI + 1DĨ) e 1-3]
1 T

Giá trị lớn nhất và nhỏ nhất cùa dòng tải:

(3.52)

Do đó độ đập mạch dòng tải:

ĩ’l'-l)
Al = I„-u =(!„, +loĩX^+a.-l (3.53)

Tỉnh toản

a. Điện cảm trong phương pháp này chỉ được tính toán theo yêu cầu về độ đập mạch dòng điện
mà khqng còn cần theo điều kiện đảm bảo dòng tải liên tục (vỉ mạch không thể có dòng gián đoạn). Do
đỏ vẫn áp dụng được biểu thức (3.10):

4Al.f
b. Dòng qua các van. Các van được chọn ở chế độ 4 van hoạt động vả vẫn coi dòng tài biến thiên
tuyến tinh, với lưu ý It =0,5(Imax + Imin), bấy giờ biểu thức tỉnh sẽ rất đơn gỉản:

Dòng trung bình qua taransistor:

'ĩr ~ ỉ Tỉ = yh (3.54)

Dòng trung bình qua điổt:

1D =0,5(1 -y)(Iinax+íroin)=0-y)ỉt (3.55)

trong đó: V, = (2y-l)E

 Hai biểu thức (3.54) và (3.545) cho thấy dòng qua các van lớn nhất chỉ có thể bằng dòng tài lớn
nhẩt, đó chính là các chỉ tiêu thực tế được dùng cho tính chọn van.
Điện áp trên lớn nhất mà các van phải chịu đều bằng nguồn E.
Nếu tải không có sức điện động thì các biểu thức tính toán gốc ở trẽn vẫn đúng, chỉ cần thay giá
trị Et = 0, lúc đó l0| = l02 và biểu thức sẽ đơn giản hơn,
Thí dụ 3.15. Tính tham số cho BXMC đào chiều làm việc với tải là động cơ điện một chiều có
tham sổ: Điện áp định mửc 130 V, công suất định mức 1,2k w, hiệu suất 0,8.
Giải:
Theo sổ liệu động cơ có dòng định mức cùa động cơ:
Pdm 1200
dm = 11,54 A
^dm 0,8.130

Vì vậy van phải chọn theo hai chì tiêu chính là:
• Chỉ tiêu dòng điện: động cơ điện có các chế độ làm việc mà dòng điện lớn hơn dòng định mức, do
đó chọn hệ sổ dự trữ 2,5:
Itbvan = 2,5.Iđm = 2,5 .11,54 = 28,85 A.
• Với điện áp 130 V cần nguồn một chiều cao hơn khoảng (1,2 -ỉ- 1,3) lần để có phạm vi cho băm
xung hoạt động, mặt khác điện ảp cao sẽ dễ tạo mômen lớn hơn với nguồn cao, vậy lấy E “ 1,3Uđc
= 1,3.130 - 169 V. Do đó cần chọn van chịu được điện áp:
Uvan = 2,5.E = 2,5 .169 = 422,5 V.

Như vậy cần chọn van có dòng cở 30A và điện áp khoảng 500V, ở phạm vi này nên chọn van loại
MOSFET sẽ dễ điều khiển hơn van 1GBT hay BT.

3.6,2.2. Điều khiển theo phương pháp đối xứng

Hinh 3.47 là sơ đồ cấu trúc mạch theo phương pháp điều khiển đối xứng. Do phương pháp nảy
điều khiển đóng ngắt hai van của cùng một nhỏm giống nhau nên chúng sẽ cỏ chung tín hiệu điều khiển
và chỉ tách ra ở khối khuếch đại xung. Quan hệ giữa hai nhóm là đâo cùa nhau, vì vậy tín hiệu điều khiển
cùng đơn giản chì là logic đảo (mạch NOT),

Hình 3.47. Băm xung một chiều đảo chiều điều khiển đối xứng
 Điểm cần chú ý là có các mạch tạo trễ mở van để chống hiện tượng ngắn mạch xuyên thông giĩra
hai van mắc thẳng hàng (Tri, Tr4 và Tr3, Trj) do các van đều có đặc điểm là thời gian khoá chậm hơn
nhiều thời gian để mở ra.
Phương pháp này không đòi hỏi có khâu xác định chiều vì cả 4 van luôn chạy với qui luật chung
giống nhau, lưu ý tín hiệu phản hồi Uph phài đảm bào trái dấu điện áp chủ đạo Ucđ ở cà hai chiều dòng
làm việc.
3.6,3. Băm xung đảo chiều dùng phưomg pháp điều khiển không đổi xứng

3.6.3.I. Nguyên lý

Trong phương pháp này cả 4 van lực đều hoạt động, nhưng các van điều khiển khác nhau tuỳ theo
chiều dòng tải cần có.
Hình 3.48a là sơ đồ thay the khi BXMC cấp dòng điện dương cho tải, lúc đó van Tf3 hoàn toàn bị
khoá, van Tr2 lại luồn luôn được điểu khiển dẫn, còn hai van Trt và Tr4 thay nhau đóng - ngắt theo nguyên
lý băm xung. Đồ thị làm việc trên hình 3.48b cho thấy:

Hình 3.48, Băm xung mội chiều đảo chiều, điều khiển không đẩixứng
luật điều khiển tọo chiều đòng điện tài dưững

Trong khoảng (0 4- to), dòng điện ỉ| chảy từ nguồn E qua hai van Trh Tr2: có Ưt = E.
Trong khoảng t = (to 4- T), điều khiển khoá van Tri, dòng điện buộc phải tiểp tục chảy theo chiều
cũ nên dòng i2 này sẽ chảy vòng tròn qua Tr2 và điôt D4. tải bị ngán mạch ut = 0. Tuy nhiên tuỳ theo dạng
tải mà quá trình vật lý có thể sẽ khác nhau:
• Với tải RL có thể xuất hiện chế độ dòng điện gián đoạn nếu năng lượng tích luỹ ở điện cảm kịp
phóng hết ờ giai đoạn (to 4- T). Như vậy các quá trình hoạt động của mạch là tương tự với BXMC
không đảo chiều và hoàn toàn áp dụng được các biểu thức đã có ở mục 3.1.1.
• Với tài RLE, do tải chứa sức điện động Et nên dòng tải có thể đảo chiều sau khi năng lượng tích
luỹ ở điện cảm Lt đã phỏng hết năng lượng, như vậy lại không thể có chế độ dòng điện gián đoạn.
Biểu thức luật điều chỉnh điện áp ra vẫn là Ut = yE nhưng qui luật dòng điện sẽ khác vì có sự tham
gia của Et-
Để dòng điện tải âm (đâo chiều) cần thay đổi toàn bộ cách điều khiển 4 van lực.
3.6.3.2. Điều khiển theo phương pháp không đổi xứng
■ Theo nguyên lý hoạt động ta thấy ở phương pháp này cũng cần luôn điều khiển cả 4 van đồng
thời, nhưng luật điều khiển của chúng lại khác nhau phụ thuộc chiều dòng tải. Do đó mạch điều khiển
phải có:
• Hai khâu phân phối xung cho mỗi chiều dòng tải, mà thực chất là hai mạch logic thực hiện luật
đóng/ngẳt van theo sự phối hợp cà 4 van đồng thời, để đơn giàn gọi là khối logic chạy thuận và
lôgic chạy ngược.
• Khâu xác định chiều dỏng để chọn khối logic điều khiển, điều này tương tự như phương pháp điều
khiển riêng, do đó khâu này giống nhau vả đã nói ở hỉnh 3.44.
• Chỉ có 4 van mà lại hai luật khác nhau nên cần mạch ghép chung lại từ hai luật đơn giàn bang mạch
logic OR.
• Do lại có hai van thẳng hàng đóng/ngắt cùng thời điểm nên buộc phải có khâu trề để chống ngắn
nguồn như trong phương pháp đối xứng.
Tất cả các yêu cầu trên dẫn tới sơ đồ cấu trúc điều khiển theo phương pháp không đối xứng ở hình
3.49. Trên sơ đồ chỉ dùng một khối xác định độ rộng xung t 0 chung cho hai chiều dòng, song nếu cần
điều chỉnh riêng cũng phải có hai khối xác định to riêng (như hỉnh 3.44).

Hình 3.49. Sơ đè cẩu ưúc mọch điều khiển b iim xung m ột chi ều đảo chiều
sử đụng phương pháp điều khiển không đổi xứng

3.7. MỘT SỐ THÍ DỰ BĂM XUNG MỘT CHIẾU

3.7.1. Băm xung một chiều không đào chiều
Sơ đồ 1. Hình 3.50, là nguyên lý mạch điều khiển van lực BT cùa BXMC không đào chiều theo phương
pháp PWM (độ rộng xung), mạch gồm:
• Khâu phát xung chủ đạo có tần số không đổi và tạo điện áp răng cưa tuyến tính đi lên dùng khuếch
đại thuật toán, đã xem xét ở mục 3.4.2 và thí dụ 3.6.
 Hình 3.50. Sff đồ điều khiển van lực BT cũa băm xung một chiều không đảo chiều
• Khâu tạo điện áp điều khiển (udk) với bộ điều chinh PI tổng hợp hai tín hiệu chù đạo (Ucđ) và
phàn hồi (upll) có khâu hạn chế điện áp đầu ra tương ửng với phạm vi điều chinh Ỵmin + Ỵmax
(mục 1.20).
• Khâu so sánh hai cửa (mực 1.14) dùng OA3, với lưu ý xung điều khiển mờ van (giai đoạn to) phải
ở mức thấp nên các điện áp vào phải đưa đến các cửa tương ứng là: Uđk - U(-); Urc-U(+).
• Điểm lưu ý về dấu của điện áp chù đạo (ucd) và phàn hồi (Uph);

■ Khâu so sánh hai cửa thì các điện áp phải cùng dấu, do điện áp răng cưa dương nên điện
áp điều khiển cũng phải dương (Uđk > 0).
• Trong khi đó bộ điều chinh Pl là khâu đào dấu (tín hiệu đưa vào cừa đào ) suy ra để udk
>0 thì điện áp chủ đạo phải âm (Ucđ < 0),
* Điện áp phân hồi lại phải trái dấu điện áp chù đạo, dẫn đến Uph > 0,
Đó cũng lả nguyên tắc chung để xác định dấu của hai điện áp chủ đạo và phản hồi.
• Khâu khuếch đại xung dùng cách ly quang TLP114, đề hạn chế đòng qua điôt phát quang dùng
điện trở R|3 với giá trị:
K = ~~ ~ ^DLED __ ~4
13
1 1
~ ĩ.™
LED LED

thí dụ nếu E = ±12 V, và TLP114 cần đòng cho LED khoảng 16 mA thì:
 2E-4 ‘ .r? = 1,25.ÌO’Q - l,25kn, chọn R13 = 1,2 kQ. 16.1 O’-1
2 12

’LED
Cần chú ý chọn OA chịu được dòng 16mA, hoặc phải thêm khuếch đại
transistor.
• Khâu khuếch đại công suất dùng mạch transistor như mục 3.4.4 (thí dụ 3.10).
• Mạch điều khiển sử dụng 3 nguồn cung cấp: nguồn ±E cho phần điều khiển điện áp thấp, và
nguồn + 15V cách ly với hai nguồn trên V! cấp cho phần khuếch đại công suất ở phía van lực có
điện áp cao. Như vậy biến áp nguồn phải có tối thiểu hai cuộn thứ cấp cách ly nhau để tạo hai
nhóm nguồn này.
Stf đồ 2. Hình 3.51 là thí dụ với van lực là IGBT, trong đó:
• Mạch điều khiển sử dụng 4 nguồn cung cấp: nguồn ±E cho phần điều khiển điện áp thấp, và hai
nguồn cho M57957L (+15 V và -10 V) cách ly với hai nguồn trên.
Hình 3.51. Sơ đồ điền khiển van lực IGBT cho băm xung một chiều không đảo chiều

• Khâu tạo điện áp răng cưa dùng dạng xung tam giác có dịch điện áp để chuyển từ điện áp hai cực
tính thành một cực tính (hỉnh 3.21 và thí dụ 3.7).
• Khâu tạo điện áp điều khiển (Uđk) giống sơ đồ I, tuy không có khâu hạn chế gia tốc du/dt nhưng tụ
c2 cũng có chức năng chống đột biến điện áp chủ đạo.
• Khâu so sánh hai cửa đưa tín hiệu ngược với hai sơ đồ trên: Uđk - U(+); Urọ = U(-). Điều này để
phổi hợp với tầng khuếch đại T2: khi Uss dương làm T2 dẫn và LED được cấp dòng phát quang.
Tầng T2 cho phép OA3 làm việc nhẹ tải hơn nhiều, điện trở R13 tính theo tải 16mA của bóng T2
khi dẫn:
R„< ^'^bh ■ , trong đó p là hệ số khuếch đại dòng cùa bóng T2. 15
16.10’-1

thí dụ chọn Tj loại BC107 có hệ sổ p =110 và nguồn cho OA bằng ±12 Vị thì:
 R < p;ubh- = = 72,2.10s Q « 72kQ, vậy có thể chọn R]J = 47 kQ.
13
16.10 3 1Ổ.10’3
Lúc đó OA3 chỉ phải chịu dỏng ra: IOA3 = = *0’5 ■ = 0,22.10-3 A = 0,22 mA
0A
R|J 47. IO3
• Khâu khuếch đại xung dùng Driver M57957L có cách ly quang (hỉnh 3.33), điện trở R|5 hạn chế
dòng qua LED ở mức điôt phát quang có giá trị:
É 15
R15= = —-T37 = 0,93.10'Q = 930Í2, chọn R!5 =1 kQ.
ILED 16.10 3

Sơ đồ 3. Hình 3.52 cũng là sơ đồ điều khiển BXMC không đảo chiều với van ỉực BT và các khâu
chức năng chính giống với sơ đồ trước nhưng có một số thay đổi:
• Khâu phảt xung chủ đạo có tần số không đổi dùng Timer 555 và tạo điện áp răng cưa tuyến tính
đi lên dùng transistor và tụ điện (mục 3.4.2 và thí dụ 3.6).
• Khâu tạo điện áp điều khiển (Udk) tương tự sơ đồ trước là mạch Pl nhưng có thêm khâu hạn chế
gia tốc du/dt dùng OAI (mục 1.20) nhẳm chống các đột biển điện áp chủ đạo do người thao tác.
Lưu ý mạch du/dt cũng là khâu đảo dấu vì vậy điện áp chủ đạo và phản hồi buộc phải đảo dấu lại
so với sơ đồ trước mới đảm bảo Uđk vẫn dương.
• Khâu so sánh hai cửa (mục 1.14) dùng OA2, hoàn toàn giống sơ đồ trước (xem đồ thị minh họa).
• Khâu khuếch đại xung dùng Driver M57915L có cách ly quang (hình 3.30 thí dụ 3.11), điện trở
R]5 cũng để hạn chế dòng qua điôt phát quang. Với M57915 yêu cầu dòng điện cho điôt quang là
7 mA, nên biểu thức tính điện trở hạn chể là:

R ỊLUbh IKỌLED = (Q)

ILED 7.10"3

thí dụ nếu E = ±12 V thì:

R15= = 2'12~4 = .103O = 2,86kQ, chọn RJS =2,7 kQ.

ILED 7.10-3

Mạch điều khiển sử dụng 3 nguồn cung cẩp: nguồn ±E cho phần điều khiển điện áp thấp, và nguồn
cho M57915L (7 + 14)V cách ly vớỉ hai nguồn trên. Như vậy biển áp nguồn cũng phải có tối thiểu hai
cuộn thứ cấp cách ly nhau để tạo hai nhỏm nguồn này.
Hình 3.52. Sữ đề điều khiển băm xung một chiều không đảo chiểu dùng Driver M579Ỉ5
 Sơ đà 4. Với những mạch BXMC với điện áp lực thấp dưới 40V thi việc cách ly giữa phía tín hiệu
điều khiển và van lực là không cần thiết. Lúc đó có thể nối trực tiếp phần tín hiệu với khuếch đại xung.
Hình 3.53 là một thí dụ ứng dụng Driver TD350 (mục 3.4.4.2 và hình 3.35) để điều khiển van IGBT,
cấu trúc của Driver này không cách ly.
• Phần xác định độ rộng xung lấy theo sơ đồ hình 3.53, nhưng bỏ tầng khuếch đại Tí vì điện trờ vào
đường tin hiệu cửa IN cùa TD350 rat lớn.
• Khoảng t0 tương ứng mức lôgic “0”, do đó tín hiệu đưa vào khâu so sánh trên OA3 phải đào cửa
cho phù hợp: Uđk - U(+); Urc - U(-).
• Mức tin hiệu vào của TD350 là lôgic (0 + 5)V, nên để phối hợp mức cần thêm khâu RỊ3, D13 với
trị số: R13 = 15 kQ; Dỉ - điôt ổn áp 5,1 V.

Vi mạch không cách ly nên điểm đất (GND) của TD350 vả đất cùa nguồn cung cấp là chung,
đồng thời cũng nối với Emitơ của van lực nên cần chú ý nếu lấy các tín hiệu phản hồi từ tải. Như trên sơ
đổ thi phản hồi điện áp và dòng điện sè đều có dấu âm so với điểm đất cùa cả hệ.
Mạch này chưa cài các bảo vệ, phần báo lỗi của TD350 cũng không sử dụng.

Hình 3,53. Sơ đồ điều băm xung một chiều không đảo chiều
ghép trực tỉểp mạch lực và mạch điều khiển sử dụng Driver TD350
 3.7.2. Thí dụ băm xung một chiều đảo chiều

Sơ đồ điều khiển BXMC đào chiều phụ thuộc vào phương pháp điều khiển (mục 3.6).
3.7.2.1. Phương pháp điều khiển riêng

Hỉnh 3.55 là sơ đồ điều khiển BXMC theo phương pháp này, van lực dùng IGBT, mạch xây dựng
theo sơ đồ cấu trúc hình 3.44 sừ dụng hai khối xác định to độc lập, nhưng có sơ đồ nguyên lỷ giống nhau
nên trên mạch này chỉ triển khai đầy đù cho một khối.
Mạch bao gồm:
• Khâu phát xung tam giác hai cực tính (mục 3.4.2.2 và thí dụ 3.7), phần dương cho chiều thuận
tương ứng điện áp chủ đạo dương (ucđ > 0) và phần âm cho chiều ngược tương úmg điện áp chù
đạo âm (Ucđ < 0),
• Điện áp chủ đạo lấy trên biến trờ nhưng được qua bộ lặp OA6 nhằm đàm bào khả năng phối hợp
với nhiều đường tín hiệu cùng lúc.
• Khâu tạo điện áp điều khiển (mục 1.20) đùng bộ điều chỉnh Pí trong đó điện áp chù đạo được đi
qua mạch du/dt dùng OA4 để hạn ché đột biến điện áp. Đầu ra khâu này có bộ hạn chế phạm vi
điều chình Ỵmin 4- Ỵmax.
• Khâu xác định độ rộng xung t0 tương tự như các sơ đồ trên.
• Khâu xác định chiều dòng sứ dụng nguyên lý đẵ nói ở mục 3.6.1.
• Khâu phân phối xung sừ dụng mạch logic AND 3 cổng vào, trong đỏ có một cổng là đường tín
hiệu bào vệ, sự cổ tương ứng mức “0” để khoá toàn bộ 4 đường điều khiển 4 van lực.
• Khâu khuếch đại xung dùng loại Driver chế tạo sẵn, hoặc 4 Driver độc lập M57957L hay 2 Driver
kép M57958L. Các Driver này đòi hỏi dờng cho LED khá lớn (16mA) nên cần thêm tầng khuếch
đại để tâng khà năng mang tải (Buffer hay transistor ) đề phối hợp với mạch logic AND.
• Phần phối hợp giữa Driver và van lực có thể dùng nhiều phương pháp khác nhau (mục 3.4.4.2) mà
hình 3.54 chi là.một thí dụ. Tuy theo van IGBT được sử dụng mà có thể tính điện trở cực Gate hay
chọn theo hưởng dẫn của nhà sản xuất van.
• Nguồn cung cấp cho mạch điều khiển gồm 4 cụm nguồn cách ly nhau:

■ Nguồn ±E cho phía tín hiệu điện áp thấp.

■ Ba khối nguồn có điện áp ra như nhau +15V và -10V, trong đỏ hai khối có công suất
như nhau dành cho điều khiển van Tri và Tr3 và một nguồn có công suất gẩp đôi vỉ phải
cấp cho đồng thời hai van Tr2, Tr4.

Cách tính toán nguồn đã đề cập ở mục ĩ.22.

• Có thể sử dụng các mạch Driver khác như TD35O vừa nói trên, song để cách ly giữa mạch tín
hiệu và lực cần dùng các khâu như quang hay biến áp xung (xem hình 3.35c,d).
 Elực

1
hạn chế —
i

hạn chế
ờu/dt

bảo vệ 0 •: ♦15V
sựcS.

R20 Uy ■ÍH>
ỉ ------------- 1

AD6 I
I
*E ” .1

tĩH>
I
khâu xảc *
định chỂu E3«-i
dửng
! thuận
I
I
ì
MN ‘.noược Drivers
■»'—■»-

1 *-

du/ơt ~* khổi xảc đinh to

Uph t chiéu ngũoc

4x M57957L hay 4XM57958L

ỉỉình 3.54. Sơ đồ điều khiển băm xung một chiều đảo chiều, phương pháp điều khiển riêng, van lực đùng IGBT
 3,7.22. Phương pháp điều khiển đối xứng

Sơ đồ thí dụ trên hình 3.56, xây dựng theo sơ đồ cấu trúc hình 3.47 mục 3.6.2. Phần lớn các khâu
chức năng là tương tự với sơ đồ hình 3.54. Sự khác biệt thể hiện ở hai điểm:
• Mạch không có khâu xác định chiều dòng vỉ qui luật điều khiển là chung cho cả hai chiều dòng
điện tải.
• Có thêm khâu trễ mở chống ngăn mạch xuyên thông giữa hai van thẳng hàng khi chúng chuyển đổi
trạng thái, được thực hiện nhờ hai phần từ logic LI, L2 vởi nhóm R44C3D7 và R[5C4Dg.
Đồ thị minh hoạ hoạt động mạch này ờ hỉnh 3.55. Mạch
gần tương tự đã có ờ phần tạo xung đơn (mục 1.15.2
và hình 1.72).
Ở đây vẫn dùng tạo trễ sử dụng phương pháp nạp tụ c
thông qua điện trở R để đưa tới cầng vào logic LI loại
có ngưỡng (trigơ Schmitt), thời gian trễ gần bằng
0,7RC . Khi điện áp vào bằng không, tụ c phóng tắt qua
điôt D nên độ trễ là không đáng kể. Thực tể thời gian
trễ nằm trong khoảng (1,3 -í-10)ps tuỳ loại van lực vả
tần sổ làm việc cùa mạch.
• Nguồn cung cấp cho mạch này cũng phải dùng 4 cụm
cách ly nhau như sơ đồ điều khiển riêng, tuy nhiên ờ
thí dụ này van lực là BT nên có thể không cần dùng Hình 3.55. Mạch tạo trễ mở
nguồn hai dấu để đỏng/ngăt van như IGBT.
3.7.2.3. Phưong pháp điều khiển không đổi xứng

Sơ đồ thí dụ trên hình 3.57, xây dựng theo sơ đồ cấu trúc hình 3.49 mục 3.6.3. về cơ bản sử dụng
các khâu cùa sơ đồ 3.54, tuy nhiên ở đây chỉ dùng một khối xác định độ rộng xung tĐ. Khác biệt thể hiện
ở khâu phân phối xung và khuểch đại xung.
• Phương pháp không đối xứng cũng cần điều khiển đồng thời 4 van lực nhưng hai chiều dòng cỏ
luật điều khiển van khác nhau, do vậy cần hai khối lôgic chạy thuận và chạy ngược riêng rẽ, nhưng
sau đó phải kết hợp lại bằng mạch OR. Khối logic được điều khiển bởi khâu xác định chiều dòng.
• Khâu khuếch đại xung ở đây sừ dụng Driver chể tạo săn loại SKHI22 dùng cho IBGT vởi đặc
điềm thuận lợi là một khối này điều khiển đồng thời cả*hai van thẳng hàng và đã gài sẵn mạch trễ
mở chống ngắn mạch xuyên thông. Sơ đồ cấu trúc của Driver này ờ hình 3.58, cho thấy mạch có
nhiều bào vệ cả hai phía tín hiệu và lực. Tương tự như SKHI10/12 mạch này không cần nguồn
ngoài ở phía công suất, vì bên trong đã có sẵn khối tạo nguồn cách ly DC/DC lấy năng lượng từ
phía sơ cấp, chính là nguồn cung cấp phía mạch tín hiệu. Vì thế khối nguồn đơn giàn hơn rất nhiều,
tuy nhiên khi tính toán nguồn cần cộng thêm phần công suất cần thiết cho SKHI22.

Điện trở Rg(on) và Rg(ofĩ) chọn theo hướng dẫn cùa hãng chế tạo van, có thể tham khảo bảng 3.4.
(Neu van MOSFET sử dụng SKH12l).vẫn có thề dùng mạch Driver khác nhưTD35O...
Hình 3.56. Sơ đề điều khiển băm xung một chiều đảo chiều, phương pháp điều khiển đểi xứng, đùng van lực BT
 Hình 3.57. Sơ đề điều khiển băm xung một chiều đảo chiều, phương pháp điều khiển không đồi xứng, dùng van lục IGBT
M3
 Hình 3.58. Driver SKHI dùng cho điều khiển ỈGBT
Bảng 3.5. Một sấ tham sỗ chính của SKHI21/22
Tham sổ Tham số Giá trị
Gíả tr|
Nguồn cung cấp 15 V Điện trở nhỏ nhẩt Rg(on)
30
Dòng tiêu thụ max 290mA Điện trở nhò nhất Rg(off) 3D
Dòng xung đỉnh 8A RCE 1 kn -0.4W
Dòng trung bình 40mA Tẩn số làm việc cực đại 100 kHz

Thời gian trễ mở giữa hai van thẳng 4,3 ps

Tín hiệu vào loại A 15/0 V
loại B 5/0 V hàng

Điện áp Ug mở +15 V -7 V
Mức cao Uv loại A 11,7 V
loại B 3,7 V khoá

CCE loại 1200V 0,33 nF

Mức thấp Uv loại A 5,5 V
loại B 1,75 V loại 1700V 0,47 nF
Điện trử vào loại 1200V 18 kQ
Điện trở vào oại A 10 kíl
loại B loại 1700V
3,3 kn 36 kQ

Với mạch điện áp thấp cùng có thể sử dụng phương pháp ghép trực tiếp giữa phần tín hiệu và các
van lực. Lúc đó với BXMC có dòng tải cỡ vài chục Ampe có thể tự tính toán các mạch khuếch đại xung
dùng transistor như mục 1.18.
Hình 3.59 là thí dụ phần khuếch đại xung ghép trực tiếp với van lực BT, điện áp vào lấy từ mạch
so sánh OA, nguồn cho mạch công suất lấy trực tiếp từ nguồn của phần lực do vậy van lực nhánh trên phải
lẩy loại p-n-p.
Tuy nhiên thuận lợi hơn về điều khiển ở điện áp thấp nếu sử dụng bóng MOSFET, và cũng nên sử
dụng hai loại bóng khác kiểu nhau. Hình 3.60a lả thí dụ cho trưởng hợp này với khả năng điều khiển dòng
tải tới 40 A.
• Hai van nhỏm trên Tri, Tr? dùng MOSFET kênh p, hai van nhóm dưới Tr2, ĩr.| dùng MOSFET kênh
n.
 • Ghép giữa điều khiển và lực là trực tiếp, nguồn công suất cho đóng/ngât van lấy thẳng tử nguồn lực.
• Phần khuếch đại xung cho van Tri, Tr3 sử dụng các transistor đơn lẻ ghép thành.

• Phần khuếch đại xung cho Tr2í Tr4 dưới dùng mạch Driver chế tạo sẵn loại MC34152 với sơ đồ cấu
trúc ở hình 3.60b, đây là loại kép cho phép điều khiển hai van lực nhưng phải có chung điểm đất
(van nối chung cực Emitơ hay cực Source). Có thể dùng các loại khác như MPIC2 ỉ 13 (cũng điều
khiển kép) hay MC33153 (điều khiển đơn)...

Hình 3.59. Khuểch đợi công suất ghép trực tìếp, dùng nguằn chung với niịich lực
« Phần xác định độ rộng xung t0 và phân phổi xung cho các đường khuếch đại xung có thề lấy theo
các thí dụ ở trên tuỳ theo phương pháp điều khiển cụ thể. Tuy nhiên khi mạch dùng OA cần chú ý
vấn để nguồn cho nó hoạt động:
■ Nếu OA dùng nguồn hai dấu cần phải tạo ra nguồn này từ mạch riêng, hoặc nểu vẫn dùng
nguồn lực phải thực hiện việc chia đôi nguồn lực cho OA để có điềm giữa (hình 3.60c)
nhưng phải cỏ tầng phối hợp mức ở đầu ra khâu so sánh với khâu phân phối xung dùng
mạch logic.
■ Nếu OA dùng nguồn một dấu thỉ chỉ cần tạo nguồn ổn áp lấy thẳng tìr nguồn lực 1 khỉ
điện áp lực cao cỡ 40V thỉ phài dùng ồn áp kiểu tham sổ có khuếch đại bằng transistor
(hình 3.60d); còn nếu điện áp lực dưới 30V có thể dùng được các ổn áp vi mạch seri 78xx
và 79xx (mục 1.22) như thí dụ ở hình 3.60e. Cũng cần chú ý mức thẩp của điện áp ra sau
khâu so sánh phù hợp với yêu cầu mức “0” của đầu vào IC lôgic.
Các Driver vừa kể trên cũng ứng dụng được cho van lực BT, thí dụ để điều khiển hai van Tr2 và Tr4
cùa sơ đồ hỉnh 3.59 có thể dùng MC34 ỉ 52 của hỉnh 3.ố0a, nhưng cần thay nhóm các phần tử ghép với cực
Gate của MOSFET (R)t, R12í D2, D3 hình 3.60a) băng nhóm ghép với cực bazơ của BT (R7, Rg, C) hình
3.60, có thể bỏ Rộ).
Điện áp thấp dùng IGBT không thuận lợi vì cần có điện áp âm nên khó thực hiện trên nguồn lực có
săn, riêng loại SKHI vẫn ứng dụng được vì không đòi hỏi nguồn riêng.
 in2 Oưt2
7 MTB36N06Y MTĐ36N06V
GNĐ
MC34152 J GttD
a)

ỉfình 3.60. Sơ đồ băm xung một chiều đào chiều ghép trực tiếp lực và điều khiển khỉ điện áp mạch lực thấp