Professional Documents
Culture Documents
Ngày nay cùng với việc phát triển mạnh mẽ các ứng dụng của khoa học kỹ thuật
trong công nghiệp, đặc biệt là trong công nghiệp điện tử thì các thiết bị điện tử có
công suất lớn cũng được chế tạo ngày càng nhiều. Và đặc biệt các ứng dụng của nó
vào các ngành kinh tế quốc dân và đời sống hàng ngày đã và đang được phát triển hết
sức mạnh mẽ.
Tuy nhiên để đáp ứng được nhu cầu ngày càng nhiều và phức tạp của công nghiệp
thì ngành điện tử công suất luôn phải nghiên cứu để tìm ra giải pháp tối ưu nhất. Đặc
biệt với chủ trương công nghiệp hoá - hiện đại hoá của Nhà nước, các nhà máy, xí
nghiệp cần phải thay đổi, nâng cao để đưa công nghệ tự động điều khiển vào trong
sản xuất. Do đó đòi hỏi phải có thiết bị và phương pháp điều khiển an toàn, chính xác.
Đó là nhiệm vụ của ngành điện tử công suất cần phải giải quyết.
Chính vì vậy đồ án môn học điện tử công suất là một yêu cầu cấp thiết cho
mỗi sinh viên TĐH. Nó là bài kiểm tra khảo sát kiến thức tổng hợp của mỗi sinh viên,
và cũng là điều kiện để cho sinh viên ngành TĐH tự tìm hiểu và nghiên cứu kiến thức
về điện tử công suất. Với chương trình đào tạo của nhà trường cùng với yêu cầu của
khoa em được phân công thiết kế đồ án môn học điện tử công suất có đề tài: “Thiết kế
bộ nghịch lưu 3 pha”.
Đồ án này gồm 4 chương:
Chương 1. Giới thiệu bộ nghịch lưu 3 pha.
Chương 2. Tính toán thiết kế mạch lực.
Chương 3. Tính toán thiết kế mạch điều khiển
Chương 4. Mô phỏng hệ thống .
1
Mục lục
CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU BỘ NGHỊCH LƯU 3 PHA
1.1.Giới thiệu chung nghịch lưu độc lập.................................................................5
1.2 .Van IGBT..................................................................................................6
1.3. Sơ đồ nghịch lưu độc lập ba pha.............................................................10
1.4. Giới thiệu phương pháp điều khiển van IGBT1.............................................13
CHƯƠNG 2 TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH LỰC.......................................15
2.1. Thiết kế mạch lực...........................................................................................15
2.2. Tính toán thiết bị............................................................................................15
CHƯƠNG 3 TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN.......................16
3.1. Cấu trúc tổng quát mạch điều khiển...............................................................16
3.2. Khâu tạo điện áp răng cưa..............................................................................18
CHƯƠNG 4 MÔ PHỎNG HỆ THỐNG............................................................19
4.1. Giới thiệu về phần mềm mô phỏng PSIM......................................................19
4.2. Các linh kiện sử dụng cho việc mô phỏng mạch nghịch lưu ba pha sử dụng
điều chế bề rộng xung PWM.................................................................................20
4.3. Mô phỏng.......................................................................................................21
4.4. Kết quả...........................................................................................................21
CHƯƠNG 1
GIỚI THIỆU BỘ NGHỊCH LƯU 3 PHA
2
1.1. Giới thiệu chung về bộ nghịch lưu độc lập
Nghịch lưu độc lập là thiết bị biến đổi dòng điện một chiều thành dòng điện xoay
chiều có tần số ra có thể thay đổi được và làm việc với phụ tải độc lập.
Nguồn một chiều thông thường là điện áp chỉnh lưu, ắc quy và các nguồn một
chiều độc lập khác.
Nghịch lưu độc lập và biến tần được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực như cung
cấp điện (từ các nguồn độc lập như ắc quy), hệ các truyền động xoay chiều, giao
thông, truyền tải điện năng, luyện kim …
Người ta thường phân loại nghịch lưu theo sơ đồ, ví dụ như nghịch lưu một pha,
nghịch lưu ba pha.
Người ta cũng có thể phân loại chúng theo quá trình điện từ xảy ra trong nghịch
lưu như: nghịch lưu áp, nghịch lưu dòng, nghịch lưu cộng hưởng.
Ngoài ra còn nhiều cách phân loại nghịch lưu nhưng hai cách trên là phổ biến hơn
cả.
1.2. Van IGBT
1.2.1. Đặc điểm cấu tạo, kí hiệu
Hình 5. Dạng điện áp, dòng điện của quá trình khóa IGBT
Hình trên thể hiện dạng điện áp, dòng điện của quá trình khóa IGBT. Quá trình
khóa bắt đầu khi điện áp điều khiển giảm từ U G xuống –UG. Trong thời gian trễ khi
khóa td(off) chỉ có tụ đầu vào Cge phóng điện qua dòng điều khiển đầu vào với hằng số
5
thời gian CgcRG tới mức điện áp Miller. Bắt đầu từ mức Miller điện áp giữ cực điều
khiển và emitter bị giữ không đổi do điện áp U ce bắt đầu tăng lên do đó tụ C ge bắt đầu
được nạp điện. Dòng điều khiển bây giờ sẽ hoàn toàn là dòng nạp cho tụ C ge nên điện
áp UGE được giữ không đổi.
Điện áp UCE tăng từ giá trị bão hòa UCE.on tới giá trị điện áp nguồn UDC sau
khoảng thời gian trv. Từ cuối khoảng Irv Diode bắt đầu mở ra cho dòng tải I0 ngắn mạch
qua, do đó dòng collector bắt đầu giảm. Quá trình giảm diễn ra theo hai giai đoạn t ti1 và
tti2. Trong giai đoạn đầu, thành phần dòng i1 của MOSFET trong cấu trúc bán dẫn
IGBT suy giảm nhanh chóng về không. Điện áp Ugc ra khỏi mức Miller và giảm về
mức điện áp điều khiển đầu vào –U G với hằng số thời gian RG(Cge+Cgc). Ở cuối khoảng
tti1, Ugc đạt mức ngưỡng khóa của MOSFET, U GE(th) tương ứng với việc MOSFET bị
khóa hoàn toàn. Trong giai đoạn 2,thành phần dòng i 2 của transistor p-n-p bắt đầu suy
giảm. Quá trình giảm dòng này có thể kéo rất dài vì các điện tích trong lớp n chỉ bị mất
đi do quá trình tự trung hòa điện tích tại chỗ. Đó là vẫn đề đuôi dòng điện đã nói đến ở
trên.
Lớp n trong cấu trúc bán dẫn của IGBT giúp làm giảm điện áp rơi khi dẫn, vì
khi đó số lượng các điện tích thiểu số tích tụ trong lớp này làm giảm điện trở đáng kể.
Tuy nhiên các điện tích tích tụ này lại không có cách nào di chuyển ra ngoài một cách
chủ động được, làm tăng thời gian khóa của phần tử. Ở đây, công nghệ chế tạo bắt
buộc phải thỏa hiệp. So với MOSFET, IGBT có thời gian mở tương đương nhưng thời
gian khóa dài hơn cỡ 1 đến 5 µs.
6
1.3. Sơ đồ nghịch lưu độc lập 3 pha
1.3.1. Cấu tạo
a.Trường hợp 1: Góc dẫn van = 180o, luật điều khiển này giống trong NLĐL 1
pha khi 2 van 1 nhánh thay nhau dẫn trong chu kỳ.
Đồ thị điện áp dòng điện:
7
0 60 120 180 240 300 360
b. Trường hợp 2: Góc dẫn van 𝛌= 120o , trong luật này 2 van không thay nhau dẫn mà
có 1 đoạn nghỉ 60o giữa chúng
Đồ thị điện áp dòng điện:
8
1.4. Giới thiệu về phương pháp điều khiển IGBT
Điều khiển PWM
Phương pháp điều xung PWM (Pulse Width Modulation) là phương pháp điều
chỉnh điện áp ra tải, hay nói cách khác, là phương pháp điều chế dựa trên sự thay đổi
độ rộng của chuỗi xung vuông, dẫn đến sự thay đổi điện áp ra.
Các PWM khi biến đổi thì có cùng 1 tần số và khác nhau về độ rộng của sườn
dương hay sườn âm.
Phương pháp điều chế sinPWM một pha
Nguyên tắc của sinPWM là trong một khoảng dẫn của van, transistor không dẫn
liên tục mà đóng cắt rất nhiều lần với độ rộng xung dẫn bám theo giá trị tức thời của
hình sin có tần số bằng sóng hài cơ bản.
Người ta dùng xung tam giác tần số cao (sóng mang) để so sánh với điện áp hình
sin (sóng điều chế), điểm cắt nhau giữa hai điện áp này là điểm chuyển đổi trạng thái
của hai cặp van cho nhau. Điện áp ra không chỉ còn hai xung chữ nhật với biên độ +E
9
hay -E mà là một dãy xung có độ rộng biến thiên theo quy luật của sóng điều chế hình
sin.
áp sóng mang U . mc
(nếu m > 1 gọi là quá điều chế làm giảm chất lượng điện áp ra)
a
Hệ số tần:
m = f fdc là tỉ số giữa tần số sóng mang f và tần số điện áp điều chế f .
f c c dc
10
CHƯƠNG 2. TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH LỰC
Điện áp các van phải chịu khi hoạt động bằng nguồn E
Dòng tiêu thụ từ nguồn E có trị số:
Với 0.434
Suy ra:
11
Ucc= 1.95V
12
CHƯƠNG 3. TÍNH TOÁN THIẾT KẾ MẠCH ĐIỀU KHIỂN
Hình 12. Cấu trúc điều khiển nghịch lưu độc lập kiểu SPWM
Dao động hình sin với tần số bằng tần số ra sẽ tạo xung đồng bộ cho khâu tạo
xung tam giác hai cực tính, điều này là cần thiết để trán hiện tượng trôi pha của điện áp
ra, Để thay đổi hệ số điều chế biên độ “ ” thường tác động vào biên độ xung tam
giác do dễ điều chỉnh hơn, biên dộ dao động hình sin khó điều chỉnh trực tiếp vì dễ
gây ảnh hưởng đến điều kiện dao động. Tuy nhiên có cách đơn giản để điều chỉnh “
” bằng cách sử dụng khâu so sánh có tổng trở vào lớn, lúc đó có thể dùng biến trở trích
áp để thay đổi mức điện áp đưa vào so sánh có tổng trở vào lớn, lúc đó có thể dùng
biến trở trích áp để thay đổi mức điện áp đưa vào so sánh.
Các khâu so sánh trễ và khuyếch đại xung không có gì thay đổi so với mạch điều
khiển kinh điển.
Hình 12 là thí dụ về mạch điều khiển nghịch lưu độc lập điện áp theo phương
pháp SPWM trong đó:
13
+) Mạch dao động hình sin dùng sơ đồ cầu Viên có tần số ra = 1/RC, tuy nhiên
mạch đơn giản như vậy thường hoạt động không ổn định, trong thực tế mạch phức tạp
hơn vì phải giải quyết các vấn đề tự động ổn định tần số và biên độ điện áp ra.
+) Khâu tạo xung tam giác là mạch chuẩn (xem mục 3.4.2.2) có gài công tắc điện
từ “sw”
được điều khiển bởi xung đồng bộ xuất hiện vào đầu mỗi chu kỳ của điện áp hình
sin.
+) Khâu so sánh giữa hai điện áp hình sin và tam giác sẽ cho ở đầu ra điện áp
PWM để điều khiển các va lực.
+) Hệ số điều chế biên độ điều chỉnh nhờ biến trở PI.
+) Các khâu tạo trễ và các Driver đã được đề cập ở phần băm xung một chiều.
Nghịch lưu áp ba pha thường được dùng chủ yếu với điều biến bề rộng xung,
bảo đảm điện áp ra có dạng hình sin. Để đảm bảo điện áp ra có dạng không phụ thuộc
vào tải người ta thường dùng điều biến độ rộng xung hai cực tính, như vậy mỗi pha
của sơ đồ ba pha có thể được điều khiển độc lập với nhau.
14
Vấn đề chính trong điều biến bề rộng xung ba pha là phải có ba pha sóng sin
chuẩn có biên độ chính xác bằng nhau và lệch pha nhau chính xác 120 độ trong toàn
bộ giải điều chỉnh. Cần phải đảm bảo dạng xung điều khiển ra đối xứng và khoảng dẫn
của mỗi khóa bán dẫn phải được xác định chính xác.
Giản đồ kích đóng khóa bán dẫn của bộ nghịch lưu dựa trên cơ sở so sánh hai tín
hiệu cơ bản:
Sóng mang URC( carrier signal) có tần số cao
Sóng điều khiển UĐK( reference signal) hoặc sóng điều chế dạng sin
Sóng mang có thể ở dạng tam giác. Tuy nhiên tần số đóng ngắt cao làm tổn hao
phát sinh do quá trình đóng cắt tăng
Sóng điều khiển Uđk mang thông tin về độ lớn, trị số hiệu dụng của tần số sóng hài
cơ bản của điện áp ngõ ra.
3.2. Khâu tạo điện áp răng cưa
15
CHƯƠNG 4. MÔ PHỎNG HỆ THỐNG
2. Khối so sánh
16
4. Van IGBT
5.Điện trở
6.Cuộn cảm
4.3. Mô phỏng
17
4.4. Kết quả
4.4.1. Sóng sin và sóng răng cưa
18
4.4.2. Dòng tải các pha A, B, C
19
20
TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. Sách “Hướng dẫn thiết kế Điện tử công suất” tác giả Phạm Quốc Hải, Nhà xuất
bản Khoa học và kỹ thuật.
2. Sách “Điện tử công suất”, tác giả Võ Minh Chính, Trần Trọng Minh, Phạm Quốc
Hải.
21