Professional Documents
Culture Documents
vàng
(m)
0,01 0,1 0,4 0,75 1,2 10 30 100
Trông thấy
Hồng ngoại
W h.
Thông lượng ánh sáng : là công suất phát xạ, lan truyền
hoặc hấp thụ tính bằng oat.
dQ
(W)
dt
1.2. Đơn vị đo quang
Cường độ ánh sáng (I): d
I (W/sr)
d
Steradian
V()
1
0,5
0 (m)
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
max
2. Đi ốt phát quang.
3. Laze
2. Cảm biến quang dẫn
2.1. Hiệu ứng quang dẫn: Hiệu ứng
quang dẫn (hiệu ứng quang điện nội) là
hiện tượng giải phóng những hạt tải
điện (hạt dẫn) trong vật liệu dưới tác
dụng của ánh sáng làm tăng độ dẫn
điện của vật liệu.
2.1. Hiệu ứng quang dẫn
WWlk
Bán dẫn tinh khiết Bán dẫn loại n Bán dẫn loại p
2.1. Hiệu ứng quang dẫn
Mật độ điện tử trong tối:
1/ 2
a a 2
a.Nd
n0 2
2.r 4r r
r Hệ số tái hợp.
2.1. Hiệu ứng quang dẫn
Nồng độ điện tử khi được chiếu sáng:
1 / 2
g
n
r
g Số e giải phóng do chiếu sáng trong 1s trong 1
đơn vị thể tích:
G 1 1 R
g .
V V h
g aNd n
2.1. Hiệu ứng quang dẫn
Độ dẫn trong tối:
Độ dẫn khi chiếu sáng:
0 qn0
1
g 2
1 1
qn q . 2
r A
, m
0,2 0,6 1 2 3 45 10 20 30
Vùng phổ làm việc của một số vật liệu quang dẫn
2.2. Tế bào quang dẫn (TBQD)
b) Đặc trưng chủ yếu:
Điện trở: điện trở trong tối lớn (từ 104 - 109 ở
25oC đối với PbS, CdS, CdSe ) và giảm nhanh khi
độ rọi sáng tăng.
Điện trở ()
106
106
104
102
0,1 1 10 100 1000 Độ rọi sáng (lx)
Nhận xét:
+ Độ nhạy giảm khi tăng (trừ = 1)
+ Độ nhạy giảm khi tăng nhiệt độ, khi V điện áp đặt
vào lớn.
+ Độ nhạy phụ thuộc vào bước sóng ánh sáng.
2.2. Tế bào quang dẫn
c) Đặc điểm
+ Tỷ lệ chuyển đổi tĩnh cao.
+ Độ nhạy cao.
+ Hồi đáp phụ thuộc không tuyến tính .
+ Thời gian hồi đáp lớn.
+ Các đặc trưng không ổn định do già hoá.
+ Độ nhạy phụ thuộc nhiệt độ, một số loại đòi
hỏi làm nguội.
2.2. Tế bào quang dẫn
Độ 10 Độ 100
nhạy nhạy
tương 5 tương 50
đối đối 30
(%)
1 10
0,5 5
3
0,1 1
-150 -100 -50 0 50 1 2 3
Nhiệt độ
Bước sóng (m)
(oC)
+ +
Vùng
Vùng nghèo chuyển tiếp
Vùng
P N
nghèo
E
Vb
Sơ đồ chuyển tiếp P – N
2.3. Photođiot
Nguyên lý hoạt động:
qVd
Ir I0 exp I0 Ip
kT
Khi V đủ lớn: Ir I0 Ip Ip Hiệu ứng quang
điện khi chiếu sáng
2.3. Photođiot
Chế độ quang dẫn: Ir
50W
Þ Dòng ngược: E VD 20
Ir
Rm Rm 100W
40
tuyến tính VR ~ .
200W
Ir
2.3. Photođiot
Chế độ quang thế: điện áp ngoài V = 0.
I
Đo thế hở mạch VOC
kT
log1 P
q I0
kT Ip
Khi Ip<< I0: Voc . nhỏ nhưng tỉ lệ với .
q I0
kT I
Khi Ip>> I0: VOC
q
log P
I0
lớn nhưng tỉ lệ với log.
ISC
ÞĐo dòng ngắn mạch:
Isc Ip Rbé
2.3. Photođiot
c) Độ nhạy:
S không phụ thuộc thông lượng ánh sáng .
S phụ thuộc vào , với s: S (A/W)
q 1 R exp X
0,4
IP
S( )
0,3
T1 T 2
hc 0,2
0,1
SSmax khi = p
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
p (m)
S phụ thuộc , R, α.
2.3. Photođiot
d) Ứng dụng:
- Sơ đồ mạch làm việc ở chế độ quang dẫn:
ES CP1
R2
R1 R2
+
+
Rm Rm
V0 R1+R2 C2 V0
Ir + ES
R1
R2
V0 Rm 1 Ir V0 R1 R2 Ir
R1
2.3. Photođiot
- Sơ đồ làm việc ở chế độ quang thế:
R2
Rm
+
_
ISC _
+
Vco
R1 V0
V0
R1=Rm
Sơ đồ mạch điện
2.4. Phototranzito
Nguyên lý làm việc: +E
Sơ đồ tách cặp
điện - lỗ trống
2.4. Phototranzito
Dòng I0: dòng ngược trong tối.
+E IC
Dòng Ip : dòng ngược do chiếu
sáng. q1 R exp( X)
C
IP 0
hc B
Ir ~ IB Dòng colector IC: Ir
E
I c 1I r 1I 0 1I p
phototranzito tương đương tổ Sơ đồ tương đương
80
Ic Ip và Ic
60
Điều khiển rơle Điều khiển cổng logic Điều khiển thyristo
cổng và kênh:
2
VGS
ID IDS 1
VP
2.5.Phototranzito hiệu ứng trường
• Khi chiếu sáng, chuyển tiếp P - N +
hoạt động như một photodiot cho dòng
ngược: I r I0 I P D
I0 - dòng điện trong tối. G S
IP = Sg - dòng quang điện.
Sg - độ nhạy của điot cổng-kênh. Rg
VGS R g I 0 I P E g
2.5.Phototranzito hiệu ứng trường
c) Đặc điểm và ứng dụng:
Làm việc ổn định
Hệ số khuếch đại cao
Điều khiển điện áp bằng ánh sáng.
3. Cảm biến quang điện phát xạ
3.1. Hiệu ứng quang điện phát xạ
Hiệu ứng quang điện phát xạ (hiệu ứng quang điện
ngoài) là hiện tượng các điện tử được giải phóng khỏi
bề mặt vật liệu và có thể thu lại nhờ tác dụng của điện
trường khi chiếu vào chúng một bức xạ ánh sáng có
bước sóng thích hợp (nhỏ hơn một ngưỡng nhất định).
3. Cảm biến quang điện phát xạ
Cơ chế phát xạ điện tử khi chiếu sáng:
Hấp thụ photon và giải phóng điện tử.
Điện tử được giải phóng di chuyển bề mặt.
Điện tử thoát khỏi bề mặt vật liệu.
Do nhiều nguyên nhân số điện tử phát xạ trung bình
khi một photon bị hấp thụ (hiệu suất lượng tử) thường
nhỏ hơn 10% và ít khi vượt quá 30%.
3.2. Tế bào quang điện chân không
a) Cấu tạo: A K
K
b)
a) A
A
c) K
Catot: có phủ lớp vật liệu nhạy với ánh sáng (Cs 3Sb,
K2CsSb, Cs2Te, Rb2Te , CsTe …) đặt trong vỏ hình trụ
trong suốt (b) hoặc vỏ kim loại có một đầu trong suốt (b)
hoặc hộp bên trong được hút chân không (áp suất ~ 10 -6 -
10-8 mmHg).
Anot: bằng kim loại.
3.2. Tế bào quang điện chân không
Ia (A)
A Ia 4,75 mW
4
E 3
2,37 mW
2
0,95 mW
K 1
Rm 0 20 40 60 80 100 120
Vak (V)
10 lần.
3.3. Tế bào quang điện dạng khí
quang.
0 20 40 60 80
Vak (V)