Chương II

CẢM BiẾN ĐO QUANG

1. Tính chất và đơn vị đo ánh sáng
2. Cảm biến quang dẫn
3. Cảm biến quang điện phát xạ
1. Tính chất và đơn vị đo
1.2. Tính chất áng sáng
a) Tính chất sóng: một dạng của sóng điện từ:

0,395 0,455 0,490 0,575 0,590 0,650 0,750

cực tím tím lam lục da cam đỏ hồng ngoại

vàng
(m)
0,01 0,1 0,4 0,75 1,2 10 30 100
Trông thấy

cực tím H. ngoại xa

H.N. ngắn

Hồng ngoại

Phổ ánh sáng

1.2. Tính chất áng sáng

 Vận tốc: c = 299.792 km/s (chân không)

c(môi trường vật chất)
hoặc v
n
c (chân không)
 Bước sóng:

v
hoặc   (môi trường vật chất).

  tần số ánh sáng.
1.2. Tính chất áng sáng

b) Tính chất hạt: chùm hạt (photon) chuyển động với vận
tốc lớn, mỗi hạt mang một năng lượng nhất định, năng
lượng này chỉ phụ thuộc tần số () của ánh sáng:

W  h.
h = 6,6256.10-34J.s  hằng số Planck
1.2. Đơn vị đo quang

a) Đơn vị đo năng lượng:

 Năng lượng bức xạ Q (J): là năng lượng lan
truyền hoặc hấp thụ dưới dạng bức xạ tính
bằng Jun.
 Thông lượng ánh sáng : là công suất phát
xạ, lan truyền hoặc hấp thụ tính bằng oat.

dQ
 (W)
dt
1.2. Đơn vị đo quang
d
I (W/sr)

d
Cường độ ánh sáng (I):
dI
L (W/sr.m2)
 Độ chói năng lượng (L): dA n
d
 Độ rọi năng lượng (E): E (W/m2)
dA
 1.2. Đơn vị đo quang

b) Đơn vị đo thị giác:

 Độ nhạy đối với ánh sáng của mắt phụ thuộc bước sóng:

V()
1

0,5

0  (m)
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
max
Độ nhạy cực đại ứng với sóng max
1.2. Đơn vị đo quang

Đại lượng đo Đơn vị Đơn vị thị giác

năng lượng
Luồng (thông lượng) W lumen(lm)

Cường độ W/sr cadela(cd)

Độ chói W/sr.m2 cadela/m2 (cd/m2)

Độ rọi W/m2 lumen/m2 hay lux (lx)

Năng lượng J lumen.s (lm.s)

1.2. Đơn vị đo quang

 Hệ số chuyển đổi:
1 đv đo năng lư ợ ng = K. V().đv đo thị
giác
1W = K. V(max) =680.1= 680
lumen

 V    680 V  .   (lumen)

Ví dụ đối với ánh sáng đơn sắc:

Đối với ánh

 2 sáng phổ liên tục:
d (  )
 V  680  V( ). d (lumen)
1
d
2. Cảm biến quang dẫn

2.1. Hiệu ứng quang dẫn: Hiệu

ứng quang dẫn (hiệu ứng
quang điện nội) là hiện tượng
giải phóng những hạt tải điện
(hạt dẫn) trong vật liệu dưới
tác dụng của ánh sáng làm
tăng độ dẫn điện của vật liệu.
2.1. Hiệu ứng quang dẫn
WWlk

Vùng dẫn - điện tử - điện tử

h
Wlk + -
h
h
Vùng hoá trị + lổ trống + lổ trống

Bán dẫn tinh khiết Bán dẫn loại n Bán dẫn loại p
2.1. Hiệu ứng quang dẫn
 Mật độ điện tử trong tối:

1/ 2
a a 2
a.Nd 
n0    2  
2.r  4r r 

Nd  Nồng độ tạp chất donno

 qWd 
a  exp    Hệ số tỉ lệ giải phóng e.
 kT 

r  Hệ số tái hợp.
2.1. Hiệu ứng quang dẫn
 Nồng độ điện tử khi được chiếu sáng:

1/ 2
 g
n   
 r 
g  Số e giải phóng do chiếu sáng trong 1s trong
1 đơn vị thể tích:
G 1 1  R 
g  . 
V V h

g  aNd  n
2.1. Hiệu ứng quang dẫn

 Độ dẫn trong tối: 0  qn0

 Độ dẫn khi chiếu sáng: 1
 g 2
1 1
  qn  q   . 2
r A

    0 và là hàm phi tuyế n củ a 

với số mũ  =1/2 (thực tế  = 0,5 -1)
2.2. Tế bào quang dẫn (TBQD)
a) Cấu tạo: thực chất TBQD là một điện trở được
chế tạo từ các chất bán dẫn: đa tinh thể đồng
nhất, đơn tinh thể, bán dẫn riêng, bán dẫn pha
tạp. CdS
CdSe
CdTe
PbS
PbSe
PbTe
Ge
Si GeCu
SnI
n AsIn CdHgTe

, m
0,2 0,6 1 2 3 45 10 20 30

Vùng phổ làm việc của một số vật liệu quang dẫn
 2.2. Tế bào quang dẫn
(TBQD)
b) Đặc trưng chủ yếu:
 Điệntrở: điện trở trong tối lớn (từ 104  - 109
 ở 25oC đối với PbS, CdS, CdSe ) và giảm
nhanh khi độ rọi sáng tăng.
Điện trở ()
106

106

104

102
0,1 1 10 100 1000Độ rọi sáng (lx)

Sự phụ thuộc của điện trở vào độ rọi sáng

 2.2. Tế bào quang dẫn
(TBQD)

 Độ nhạy: I V  1
S  
 A
Nhận xét:
+ Độ nhạy giảm khi  tăng (trừ  = 1)
+ Độ nhạy giảm khi tăng nhiệt độ, khi V
điện áp đặt vào lớn.
+ Độ nhạy phụ thuộc vào bước sóng
ánh sáng.
2.2. Tế bào quang dẫn
c) Đặc điểm
+ Tỷ lệ chuyển đổi tĩnh cao.
+ Độ nhạy cao.
+ Hồ i đáp phụ thuộ c không tuyế n
tính .
+ Thời gian hồi đáp lớn.
+ Các đặ c trư ng không ổ n định
do già hoá.
+ Độ nhạy phụ thuộc nhiệt độ,
một số loại đòi hỏi làm nguội.
 2.2. Tế bào quang dẫn
Độ 10 Độ 100
nhạy nhạy
tương 5 tương 50
đối đối 30
(%)

1 10

0,5 5
3

0,1 1
-150 -100 -50 0 50 1 2 3
Nhiệt độ
Bước sóng (m)
(oC)

Ảnh hưởng của nhiệt Ảnh hưởng bước sóng

độ đến độ nhạy của tế đến độ nhạy của tế bào
bào quang dẫn quang dẫn
2.2. Tế bào quang dẫn

d) Ứng dụng:
 Điều khiển rơ le: khi có bức xạ ánh sáng
chiếu lên tế bào quang dẫn, điện trở giảm,
cho dòng điện chạy qua đủ lớn  sử dụng
trực tiếp hoặc qua khuếch đại để đóng mở
rơle.
 Thu tín hiệu quang: dùng tế bào quang dẫn
để thu và biến tín hiệu quang thành xung
điện.
2.2. Tế bào quang dẫn

+ +

Điều khiển thông qua

Điều khiển trực tiếp
tranzito khuếch đại
 2.3. Photođiot
a) Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Vùng
Vùng nghèo chuyển tiếp

Vùng
P N
nghèo
E

Vb

Sơ đồ chuyể n tiế p P – N
2.3. Photođiot

 Nguyên lý hoạt động:

Khi  = 0 và V = 0, dòng điện chạy qua chuyển tiếp:
 qVd 
I  Ikt  I0  I0 exp   I0  0
 kT 
Ikt  Dòng khuếch tán các hạt cơ bản. I0  Dòng hạt
dẫn không cơ bản sinh ra do kích thích nhiệt.

 qVd 
Khi V > 0  dòng ngược: Ir  I0 exp   I0  0
 kT 
 qV 
 I0 exp d 
Khi V đủ lớn  kT   0 và Ir = I0.
2.3. Photođiot
 Khichiế u sáng bằ ng Ir
h
luồng ánh sáng 0  Ip. x
P
Vùng + 
q1  R  nghèo V
 0 exp X 
+
Ip 
hc N

 qVd 
Ir  I0 exp   I0  Ip
 kT 
Hiệu ứng quang
Khi V đủ lớn:
I r  I0  I p  I p
điện khi chiếu
sáng
2.3. Photođiot
 Ir
Chế độ quang dẫn:
VD
Phư ơ ng trình mạ ch điệ n: + ES Rm VR
E  VR  VD 

E
Tín hiệu ra: VR  RmIr -40 -30 S-20 -10 0

50W
Þđư ờ ng thẳ ng tả i . 100W
20

E VD 40
ÞDòng ngư ợ c: Ir   150W
Rm Rm 200W
60

Cảm biến làm việc ở chế độ  Ir

tuyến tính VR ~ .
2.3. Photođiot
 Chế độ quang thế: điện áp ngoài V = 0.
kT  I 
 Đo thế hở mạch VOC 
q
log1  P 
 I0 
kT Ip
Khi Ip<< I0: Voc  .  nhỏ nhưng tỉ lệ với .
q I0
kT I
Khi Ip>> I0: VOC  log P  lớn nhưng tỉ lệ với log.
q I0
ISC
Þ Đo dòng ngắn mạch:
Isc  Ip Rbé
 2.3. Photođiot

c) Độ nhạy:
S không phụ thuộc thông lượng ánh sáng .
S phụ thuộc vào , với   s: S (A/W)

IP q1  R exp X 

0,4

S( )   
0,3
T1 T2
 hc 0,2

0,1

0
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0

p  (m)
SSmax khi  = p
(S( ) = 0,1-1,0 A/W)
 Khi T tăng p dịch sang phải.
p
o

S phụ thuộc , R, α.
 2.3. Photođiot
d) Đặc điểm:

- Sơ đồ mạch làm việc ở chế độ quang dẫn:

ES CP1
R2
R1 R2
+ 
 +
Rm Rm
V0  R1+R2 C2 V0
Ir + ES
R1

Sơ đồ cơ sở Sơ đồ tác động nhanh

V0  R1  R 2 Ir
 R2 
V0  Rm 1  Ir
 R1 
2.3. Photođiot

- Sơ đồ làm việc ở chế độ quang thế:

R2
Rm

+
_
ISC _
+
Vco
R1 V0
V0
R1=Rm

Sơ đồ tuyến tính Sơ đồ logarit

 R2 
V0  R m .I sc V0  1   Voc
 R1 
 2.3. Photođiot

Chế độ quang dẫn: Chế độ quang thế:

+ Độ tuyến tính cao. + Có thể làm việc ở chế
độ tuyến tính hoặc
+ Thời gian hồi đáp
logarit.
ngắn.
+ Ít nhiễu.
+ Dải thông lớn. + Thời gian hồi đáp lớn.
+ Dải thông nhỏ.
+ Nhạy cảm với nhiệt độ
ở chế độ logarit.
2.3. Photođiot

e) Ứng dụng:
- Chuyển mạch: điều khiển rơ le, cổng
logic, ….
- Đo ánh sáng không đổi (Chế độ tuyến
tính)
 2.4. Phototranzito
a) Cấu tạo và nguyên lý hoạt động: B

Gồm 3 lớp bán dẫn ghép nối tiếp tạo E C

thành 2 tiếp giáp E - B và B – C tương - +
tự như một tranzito. N P N
 Phân cực: chỉ có điện áp đặt lên C, Cấu tạo
không có điện áp đặt lên B, B – C
+
phân cực ngược.
C
 Sơ đồ mạch điện như hình vẽ.
B

Sơ đồ mạch điện
 2.4. Phototranzito
Nguyên lý làm việc: +E

 Khi đặt điện áp E lên C, điện áp VBE C

 0,6  0,7 V, VBC  E. B


Khi chiế u sáng tiế p giáp B – C  E
các điện tử và lỗ trống phát sinh trong Sơ đồ mạch điện
vùng bazơ dưới tác dụng của ánh sáng Điện thế
sẽ bị phân chia dưới tác dụng của điện
trường trên chuyển tiếp B – C  điện
C
tử bị kéo về C, lỗ trống ở lại trong B tạo - B
+
ra dòng điện tử từ EBC tạo ra dòng E

ngược: Ir = I0 + Ip Sơ đồ tách cặp

điện - lỗ trống
2.4. Phototranzito

Dòng I0: dòng ngược trong tối.

+E IC
Dòng Ip : dòng ngược do chiếu
sáng. q1  R exp(X) C
IP   0
hc  B
Ir ~ IB  Dòng colector IC: Ir
E
I c    1I r    1I 0    1I p
 phototranzito tương đương Sơ đồ tương đương

tổ hợp của một photodiot và

một tranzito.
2.4. Phototranzito
c) Độ nhạy: S( )  Ic
 0 S()
(%)
Ic    1Ir    1I0    1Ip S(p)
100

80
Ic  Ip   và   Ic    60

 S    độ nhạy phụ thuộc 40

thông lượng ánh sáng. 20

 Độ nhạy phụ thuộc  0,

4
p 
0,
6
0,
8
1,
0

(hình vẽ) (m)

Đường cong phổ hồi đáp
S(p) = 1  100A/W
 2.4. Phototranzito
d) Ứng dụng phototranzito:
 Chuyển mạch: thông tin dạng nhị phân (có hay không có
bức xạ, bức xạ nhỏ hơn hoặc lớn hơn ngưỡng) điều khiển
rơle, cổng logic hoặc thyristo.
+ + +
+ +

Điều khiển rơle Điều khiển cổng logic Điều khiển thyristo

 Cho độ khuếch đại lớn có thể dùng ĐK trực tiếp.

2.4. Phototranzito
 Sử dụng ở chế độ tuyến tính: +
+ Trường hợp thứ nhất: đo ánh 0
sáng không đổi (giống luxmet).
+ Trường hợp thứ hai: thu nhận
tín hiệu thay đổi (Điều kiện biên
độ dao động nhỏ):
 t    0  1 t 
Ic t   Ic  0  S.1 t 
Luxmet
Độ tuyến tính kém hơn photodiot.
 2.5.Phototranzito hiệu ứng
trường
a)Cấu tạo và nguyên lý làm - - - - - -
+ + + + + + + +
P
-
việc: Gồm 2 lớp P và N ghép với N
nhau, lõi là N, vỏ là P, tạo + + + + + + + +
- - - - - - P
-
thành một tiếp giáp P-N. Tiếp
giáp P-N được phân cực ngược, G
bên ngoài vùng nghèo là cổng, S D
bên trong vùng nghèo là kênh.
Dòng qua kênh phụ thuộc tiết G

diện kênh   điện áp giữa

cổng và kênh:
2
 VGS 
ID  IDS 1  
 VP 
 2.5.Phototranzito hiệu ứng
trường
• Khi chiếu sáng, chuyển tiếp P - N +
hoạt động như một photodiot cho
dòng ngược: I r  I0  I P D
I0 - dòng điện trong tối. G S
IP = Sg - dòng quang điện.
Sg - độ nhạy của điot cổng-kênh. Rg

 - thông lượng ánh sáng. -

VGS  R gIr  E g Sơ đồ mạch

VGS  R g I 0  I P   E g
 2.5.Phototranzito hiệu ứng
trường

c) Đặc điểm và ứng dụng:

- Làm việc ổn định
- Hệ số khuếch đại cao
 Điều khiển điện áp bằng ánh sáng.
 3. Cảm biến quang điện phát
xạ

3.1. Hiệu ứng quang điện phát xạ

 Hiệu ứng quang điện phát xạ (hiệu
ứng quang điện ngoài) là hiện tượng
các điện tử được giải phóng khỏi bề
mặt vật liệu và có thể thu lại nhờ tác
dụng của điện trường khi chiếu vào
chúng một bức xạ ánh sáng có bước
sóng thích hợp (nhỏ hơn một ngưỡng
nhất định).
 3. Cảm biến quang điện phát
xạ

 Cơ chế phát xạ điện tử khi chiếu sáng:

- Hấp thụ photon và giải phóng điện tử.
- Điện tử được giải phóng di chuyển  bề
mặ t.
- Điện tử thoát khỏi bề mặt vật liệu.
 Do nhiề u nguyên nhân  số điệ n tử phát
xạ trung bình khi một photon bị hấp thụ
(hiệu suất lượng tử) thường nhỏ hơn 10%
và ít khi vư ợ t quá 30%.
 3.2. Tế bào quang điện chân
không
a) Cấu tạo: A K
K

 b)
a) A
A
c) K

 Catot: có phủ lớp vật liệu nhạy với ánh sáng (Cs 3Sb,
K2CsSb, Cs2Te, Rb2Te , CsTe …) đặt trong vỏ hình trụ
trong suốt (b) hoặc vỏ kim loại có một đầu trong
suốt (b) hoặc hộp bên trong được hút chân không
(áp suất ~ 10-6 - 10-8 mmHg).
 Anot: bằng kim loại.
 3.2. Tế bào quang điện chân
không
Ia (A)
A Ia 4,75 mW
 4

E 3
2,37 mW
2

0,95 mW
K 1

Rm 0 20 40 60 80 100 120

Vak (V)

Sơ đồ tương đương Đặc tính V - A

• Khi chiế u sáng catot (K) các điệ n tử phát xạ

và dưới tác dụng của điện đường do Vak tạo ra
tập trung về anot (A) tạo thành dòng anot
(Ia).
 3.2. Tế bào quang điện chân
không
 Đặc tính V - A có hai vùng:
- Vùng điện tích không gian.
- Vùng bão hòa.
 TBQĐ làm việc ở vùng bão hòa  tương đương
nguồn dòng, cường độ dòng chủ yếu phụ thuộc
thông lượng ánh sáng. Điện trở trong  của tế bào
quang điện rất lớn: 1  dIa 
  
  dVak  
Ia
Độ nhạy: S  =10  100 mA/W

 3.2. Tế bào quang điện chân
không

c) Đặc điểm và ứng dụng:

- Độ nhạy lớn ít phụ thuộc Vak.
- Tính ổn định cao
 Chuyển mạch hoặc đo tín hiệu
quang.
 3.3. Tế bào quang điện dạng
khí
a) Cấu tạo và nguyên lý làm việc: cấu tạo tương tự TBQĐ
chân không, chỉ khác bên trong được điền đầy bằng khí (acgon)
dưới áp suất cỡ 10-1 - 10-2 mmHg.

Khi Vak < 20V, đặ c tuyế n I Ia (A)

- V có dạ ng giố ng TBQĐ. 2

Khi điện áp cao, điện tử

1,5.10-2 lm
1
10-2 lm

chuyển động với tốc độ lớn

 ion hoá các nguyên tử
0 20 40 60 80 100 120
Vak (V)
khí  Ia tăng 5 10 lần.
 3.3. Tế bào quang điện dạng
khí
c) Đặc điểm và ứng dụng: Stg.đối
8
- Dòng Ia lớn. 6

- S phụ thuộc mạnh vào Vak. 4

2
Þ Chuyển mạch và đo tín hiệu 0 20 40 60 80
quang. Vak (V)